KR20060067486A - 박막트랜지스터 기판의 제조방법과 이에 의한박막트랜지스터 기판 - Google Patents

Abstract

본발명은 박막트랜지스터 기판의 제조방법과 이에 의한 박막트랜지스터 기판에 관한 것이다. 본발명에 따른 박막트랜지스터 기판의 제조방법은, 기판소재 상에 복수의 신호선과, 상기 신호선에 연결되어 있으며 외부로부터 구동신호를 전달받는 패드를 마련하는 단계와, 상기 패드 상에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막 상에 유기 코팅층을 형성하는 단계와, 상기 패드에 인접한 유기 코팅층을 슬릿 패터닝하여 상기 패드의 측면을 따라 연장되어 있는 측면 패턴을 포함하는 유기막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 유기막 패턴을 큐어링하여 상기 패드의 중앙영역에 유기막 홀을 가지는 유기막을 형성하는 단계와, 상기 유기막을 마스크로 하여 상기 절연막을 식각하여 상기 패드를 드러내는 접촉구를 형성하는 단계와, 투명전도막을 증착하고 패터닝하여 상기 접촉구를 통해 드러난 상기 패드를 덮는 접촉 부재를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 패드 주변에서 발생하는 유기막의 리프팅(lifting)을 감소시킬 수 있다.

Description

박막트랜지스터 기판의 제조방법과 이에 의한 박막트랜지스터 기판{METHOD OF MAKING TFT SUBSTRATE AND TFT SUBSTRATE THEREOF}

도 1은 본발명의 제1실시예에 따른 박막트랜지스터 기판의 배치도이고,

도 2는 본발명의 제1실시예에 따른 박막트랜지스터 기판의 요부 배치도이고,

도 3은 도2의 Ⅲ-Ⅲ을 따른 단면도이고,

도 4a 내지 도 7b는 본발명의 제1실시예에 따른 박막트랜지스터 기판의 제조방법을 설명하기 위한 도면이고,

도 8은 본발명의 제2실시예에 따른 박막트랜지스터 기판의 제조방법을 설명하기 위한 도면이고,

도 9는 본발명의 제3실시예에 따른 박막트랜지스터 기판의 요부 배치도이고,

도 10은 도 9의 Ⅹ-Ⅹ을 따른 단면도이다.

도 11 및 도 12는 본발명의 제3실시예에 따른 박막트랜지스터의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.

* 도면의 주요부분의 부호에 대한 설명 *

211 : 데이터선 212 : 데이터 패드

251 : 제1쇼팅바 252 : 제2쇼팅바

253 : 제1어레이 패드 254 : 제2어레이 패드

311 : 게이트 절연막 321 : 데이터 절연막

331 : 유기막 332 : 유기 코팅층

333a, 333b, 333c : 유기막 패턴 341 : 접촉 부재

342 : 브릿지부 401 내지 403 : 접촉구

404 : 유기막 홀

본 발명은, 박막트랜지스터 기판의 제조방법과 이에 의한 박막트랜지스터 기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 패드 주변에서 발생하는 유기막의 리프팅(lifting)을 감소시키는 박막트랜지스터 기판의 제조방법과 이에 의한 박막트랜지스터 기판에 관한 것이다.

액정표시장치는 크게 액정패널, 백라이트 유닛, 구동부, 샤시 등으로 이루어진다. 이 중 액정패널은 박막트랜지스터가 형성된 박막트랜지스터 기판, 컬러 필터가 형성된 컬러 필터 기판 그리고 양 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함한다.

박막트랜지스터 기판에는 게이트선, 데이터선 등의 신호선이 형성되어 있으며, 이들 상부에는 화소전극이 형성되어 있다. 신호선은 외부회로와의 연결을 위해 비표시영역에 마련된 각각의 패드와 연결되며 신호선과 화소전극 사이에는 절연을 위하여 보호막이 형성되어 있다.

보호막은 통상 실리콘 질화물(SiNx)로 이루어지며, 화학기상증착(CVD) 방법으로 신호선 상에 증착된다. 신호선과 화소전극이 가깝게 되면 크로스 톡(cross talk)이 발생하는데, 이는 신호선과 화소전극에 위치한 실리콘 질화물이 유전체가 되어 용량(capacitance)이 형성되기 때문이다.

용량(C)은 C=εA/d로 표시되며, 여기서 ε는 유전체의 유전율, A는 신호선과 화소전극층 간의 겹쳐진 면적, d는 신호선과 화소전극 간의 거리이다. 유전체의 크로스 톡을 방지하기 위해서는 실리콘 질화물의 두께(신호선과 화소전극 간의 거리)를 증가시켜 용량을 감소시켜야 하나, 화학기상증착 방법으로 증착되는 실리콘 질화물을 원하는 두께로 증착시키는 것은 시간이 오래 걸려 용이하지 않다. 이에 따라 실리콘 질화물만을 보호막으로 사용하는 경우, 크로스 톡을 감소시키기 위해 화소전극과 신호선 사이에는 일정한 거리를 유지해야 하기 때문에 개구율이 저하되는 문제가 있다.

이러한 문제를 해결하기 위해 유기막이 도입되었다. 유기막은 화학기상증착이 아닌 스핀 코팅, 슬릿 코팅 등의 방법으로 신호선상에 형성되기 때문에 두께를 크게 할 수 있다. 따라서 화소전극을 신호선에 가깝게 또는 겹쳐서 형성할 수 있어 개구율이 향상된다.

이러한 유기막은 외부회로와 연결되는 비표시영역의 패드 주변에서는 표시영역에 비하여 두께가 작게 마련되는데, 이는 유기막의 큰 두께로 인해 패드와 외부회로와의 접촉이 불량해지는 것을 방지하기 위해서이다. 그런데 이와 같이 패드 주변에서 유기막 두께를 낮게 형성하는 과정에서 패드에 인접한 유기막이 리프팅되고, 이에 의해 패드가 투명전도막을 패터닝하기 위한 식각액에 노출되는 문제가 발생한다.

따라서 본발명의 목적은, 패드 주변에서 발생하는 유기막의 리프팅(lifting)을 감소시키는 박막트랜지스터 기판의 제조방법을 제공하는 것이다.

또한 본발명의 또 다른 목적은, 상기 방법을 이용하여 제조된 박막트랜지스터 기판을 제공하는 것이다.

상기의 목적은, 기판소재 상에 복수의 신호선과, 상기 신호선에 연결되어 있으며 외부로부터 구동신호를 전달받는 패드를 마련하는 단계와, 상기 패드 상에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막 상에 유기 코팅층을 형성하는 단계와, 상기 패드에 인접한 유기 코팅층을 슬릿 패터닝하여 상기 패드의 측면을 따라 연장되어 있는 측면 패턴을 포함하는 유기막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 유기막 패턴을 큐어링하여 상기 패드의 중앙영역에 유기막 홀을 가지는 유기막을 형성하는 단계와, 상기 유기막을 마스크로 하여 상기 절연막을 식각하여 상기 패드를 드러내는 접촉구를 형성하는 단계와, 투명전도막을 증착하고 패터닝하여 상기 접촉구를 통해 드러난 상기 패드를 덮는 접촉 부재를 형성하는 단계를 포함하는 박막트랜지스터 기판의 제조방법에 의하여 달성될 수 있다.

상기 유기막 패턴의 형성에서, 상기 인접한 패드 사이에 상기 측면 패턴과 직교하는 패드간 패턴을 더 형성하는 것이 바람직하다.

상기 유기막 패턴의 형성에서, 상기 인접한 패드 사이에 상기 측면 패턴과 평행한 패드간 패턴을 더 형성하는 것이 바람직하다.

상기 절연막은 실리콘 질화물층인 것이 바람직하다.

상기 인접한 패드 간에 위치하는 상기 유기막의 높이는 상기 유기 코팅층의 높이의 1/2이하인 것이 바람직하다.

상기 절연막의 식각에서, 상기 패드의 측면에 위치한 상기 절연막의 상부에는 상기 유기막이 형성되어 있는 것이 바람직하다.

상기 본발명의 목적은, 기판소재 상에 상호 평행하게 위치하는 더미 게이트 패드를 마련하는 단계와, 상기 더미 게이트 패드의 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 더미 게이트 패드 사이에 위치하는 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선을 형성하는 단계와, 상기 데이터 배선 상에 데이터 절연막과 유기 코팅층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 데이터 패드에 인접한 상기 유기 코팅층을 슬릿 패터닝하여 유기막 패턴을 마련하는 단계와, 상기 유기막 패턴을 큐어링하여 상기 데이터 패드의 중앙영역에 유기막 홀을 가지는 유기막을 형성하는 단계와. 상기 유기막을 마스크로 하여 상기 절연막을 식각하여 상기 데이터 패드를 드러내는 접촉구를 형성하는 단계와, 투명전도막을 증착하고 패터닝하여 상기 접촉구를 통해 드러난 상기 데이터 패드를 덮는 접촉 부재를 형성하는 단계를 포함하는 박막트랜지스터 기판의 제조방법에 의해서도 달성될 수 있다.

상기 본발명의 또 다른 목적은, 비표시 영역의 기판소재 상에 상호 평행하게 위치하는 더미 게이트 패드와, 상기 더미 게이트 패드 상에 형성되어 있는 게이트 절연막과, 상기 더미 게이트 패드 사이에 위치하는 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선과, 상기 데이터 배선 상에 형성되어 있는 데이터 절연막과, 상기 데이터 절연막 상에 위치하며 상기 데이터 절연막과 함께 상기 데이터 패드를 드러내는 접촉구가 마련되어 있는 유기막과, 상기 접촉구를 통해 드러낸 상기 데이터 패드를 덮고 있는 접촉부재를 포함하는 박막트랜지스터 기판에 의해 달성될 수 있다.

상기 게이트 절연막과 상기 데이터 절연막은 실리콘 질화물로 이루어진 것이 바람직하다.

상기 더미 게이트 상에 형성된 상기 유기막의 두께는 표시영역에 형성된 유기막의 두께보다 작은 것이 바람직하다.

이하 첨부된 도면을 참조로 하여 본발명을 더욱 상세히 설명하겠다.

설명에 앞서 여러 실시예에 있어 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 부여하였다. 동일한 구성요소에 대하여는 제1실시예에서 설명하며, 다른 실시예에서는 생략될 수 있다.

도 1은 본발명의 제1실시예에 따른 박막트랜지스터 기판(100)의 배치도이다.

표시영역으로부터 연장되어 있는 데이터선(211)은 비표시영역에서 데이터 패드(212)와 연결된다. 데이터선(211)은 데이터 패드(212)에서 다시 연장되어 그라인딩선(grinding line)과 커팅선(cutting line)까지 연장된다. 데이터 패드(212)는 외부회로와 연결되어 구동신호를 데이터선(211)에 전달하게 된다. 데이터선(211)과 데이터 패드(212)는 각각 서로 평행하게 형성되어 있다. 데이터 패드(212)의 중앙영역에는 접촉구(401)가 형성되어 있다.

그라인딩선 밖에는 데이터선(211)과 직교하며 서로 평행한 제1쇼팅바(251)과 제2쇼팅바(252)가 마련되어 있다. 각 쇼팅바(251, 252)와 데이터선(211)은 각 쇼팅바(251, 252)를 드러내는 접촉구(402)와 데이터선(211)을 드러내는 접촉구(403)를 연결하는 브릿지부(342)를 통해 연결되어 있다. 더 자세하게는 제1쇼팅바(251)는 홀수번째 데이터선(211)에, 제2쇼팅바(252)는 짝수번째 데이터선(211)에 각각 연결되어 있다. 여기서 브릿지부(342)는 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)와 같은 투명전도막으로 이루어져 있다. 각 쇼팅바(251, 252)는 제1어레이 패드(253)와 제2어레이 패드(254)에 연결되어 있다. 쇼팅바(251, 252)와 어레이 패드(253, 254)는 박막트랜지스터 기판(100)의 어레이 테스트(array test) 시에 사용되는 것으로, 테스트 후에는 에지 그라인딩(edge grinding)을 통해 제거된다. 그라인딩선은 에지 그라인딩이 실시되는 경계선을 나타낸다.

이하에서는 도 2와 도3을 참조하여 제1실시예에 따른 박막트랜지스터 기판(100)을 데이터 패드(212) 주변을 중심으로 설명한다.

도 2는 본발명의 제1실시예에 따른 박막트랜지스터 기판(100)의 요부 배치도이고 도 3은 도2의 Ⅲ-Ⅲ을 따른 단면도이다.

기판소재(111) 상에 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 이루어진 게이트 절연막(311)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(311) 상에는 데이터 배선(211, 212)이 형성되어 있다. 데이터 배선(211, 212)은 표시영역부터 연장되어 있는 데이터선(211)과, 데이터선(211)과 연결되어 있으며 외부회로와 연결되는 데이터 패드(212)를 포함한다. 데이터 패드(212)는 등간격으로 서로 평행하게 마련되어 있다.

데이터 배선(211, 212)과 데이터 배선(211, 212)이 가리지 않은 게이트 절연막(311) 상부에는 데이터 절연막(321)과 유기막(331)이 순차적으로 적층되어 있다. 데이터 절연막(321)은 게이트 절연막(311)과 마찬가지로 실리콘 질화물로 형성되며, 유기막(331)은 BCB(benzocyclobutene) 계열, 올레핀 계열, 아크릴 수지(acrylic resin)계열, 폴리 이미드(polyimide)계열, 테프론계열, 사이토프(cytop), PFCB(perfluorocyclobutane) 중 어느 하나일 수 있으며, 두께(d1)는 표시영역에 형성된 유기막(331)의 두께보다 작은 것이 바람직한데 약 1㎛ 정도 일 수 있다. 데이터 패드(212) 중앙영역에서는 데이터 절연막(321)과 유기막(331)은 제거되어 접촉구(401)가 형성되어 있다.

접촉구(401)를 통해 드러난 데이터 패드(212)는 접촉부재(341)가 덮고 있는데, 접촉부재(341)는 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)와 같은 투명전도막으로 이루어져 있다.

이하에서는 본발명의 제1실시예에 따른 박막트랜지스터 기판의 제조방법을 도 4a 내지 도 7b를 참조하여 설명한다. 도 4a, 도 5a, 도 6a, 도 7a 는 각각 제조단계에 따른 요부배치도를 나타내며, 도 4b, 도 5b, 도 6b, 도 7b는 각각의 단면도 이다.

먼저 도 4a 및 도 4b와 같이 기판소재(111) 상에 게이트 절연막(311)과 데이터 배선(211, 212)을 마련한다. 게이트 절연막(311)은 플라즈마 강화 화학기상증착(PECVD) 등의 방법으로 기판소재(111) 상에 실리콘 질화물층을 증착하여 형성한다. 데이터 배선(211, 212)은 데이터 배선 물질을 스퍼터링 등의 방법으로 증착한 후 패터닝하여 마련한다. 이 후 데이터 절연막(321)을 게이트 절연막(311)과 유사한 방법으로 형성한 후, 유기 코팅층(332)을 전면에 형성한다. 유기 코팅층(332)의 형성에는 스핀-코팅(spin-coating) 방법이나 슬릿-코팅(slit-coating) 방법을 이용한다. 여기서 유기 코팅층(332)의 두께(d2)는 개구율을 높이기 위해 큰 것이 바람직하며, 약 3㎛로 형성된다.

이후 도 5a 및 도 5b에서와 같이, 유기 코팅층(332)을 노광, 현상하여 유기막 패턴(333a, 333b, 333c)을 형성한다. 비표시영역인 데이터 패드(212) 주변에는 표시영역과 달리 슬릿 마스크를 사용하여 유기 코팅층(332)을 노광한다. 이는 데이터 패드(212) 주변의 유기막(331)의 높이를 낮추어 데이터 패드(212)와 외부회로와의 접촉을 용이하도록 하기 위함이다. 이와 같은 슬릿 패터닝에 의해 데이터 패드(212)의 상부와 하부에 위치하는 패드 외부 패턴(333a), 데이터 패드(212) 사이에 위치하는 패드간 패턴(333b) 그리고 데이터 패드(212)의 측면을 따라 위치하는 측면 패턴(333c)이 형성된다. 이 중 패드 외부 패턴(333a)과 패드간 패턴(333b)은 데이터선(211)의 연장방향에 수직으로, 측면 패턴(333c)은 데이터선(211)의 연장방향과 평행하게 형성되어 있다. 이들 유기막 패턴(333a, 333b, 333c)은 데이터 패드(212)의 중앙영역에는 형성되어 있지 않은데 이는 후술한 유기막 홀(404)을 형성하기 위해서이다.

여기서, 패드간 패턴(333b)은 길이가 짧아 데이터 절연막(321)과의 접촉면적이 크지 않다. 이 때문에 현상과정에서 패드간 패턴(333b)에 리프팅(lifting)이 발생하여 데이터 절연막(321)이 노출될 수 있다. 노출된 데이터 절연막(321)은 접촉구(401) 형성을 위한 데이터 절연막(321) 식각 과정에서 식각된다. 이렇게 식각된 데이터 절연막(321)을 통해 접촉부재(341) 형성을 위한 투명전도막의 식각액이 유입될 수 있다. 그러나 패드간 패턴(333b)의 하부에는 데이터 배선(211, 212)이 형성되어 있지 않기 때문에 투명전도막의 식각액이 유입되더라도 데이터선(211) 오픈과 같은 문제가 발생하지 않는다.

패드간 패턴(333b)과 달리 측면 패턴(333c)에 리프팅이 발생하면 데이터 패드(212)가 투명전도막의 식각액에 의해 식각되는 문제가 발생한다. 특히 데이터 배선(211, 212)이 크롬으로 형성될 경우, 크롬은 투명전도막과 동일한 식각액을 사용하기 때문에 문제는 더욱 심각하다. 그러나 제1실시예에서의 측면 패턴(333c)은 패드간 패턴(333b)과 달리 데이터 절연막(321)과의 접촉면적이 넓어 리프팅이 발생하기 어렵다. 따라서 이어지는 데이터 절연막(321)의 식각에서 데이터 패드(212)의 측면(A부분)에 형성된 데이터 절연막(321)은 측면 패턴(333c)에 의해 적절히 보호된다.

이후 도 6a 및 도 6b에서와 같이 유기막 패턴(333a, 333b, 333c)을 큐어링(curing)하여 유기막(331)을 만든다. 큐어링은 약 200℃에서 수행되며 이 온 도에서 유기막 패턴(333a, 333b, 333c)은 흘러내려 평탄화된다. 이때 유기막(331)의 높이(d3)는 유기 코팅층(332)의 높이(d2)에 비해 1/2이하로 되는 것이 바람직하다. 한편 데이터 패드(212)의 중앙 영역에는 유기막 패턴(333a, 333b, 333c)이 흘러내리지 않아 유기막 홀(404)이 마련되어 있다. 측면 패턴(333c)이 리프팅되지 않아 데이터 패드(212)의 측면(A부분)에는 데이터 절연층(321)과 유기막(331)이 정상적으로 형성되어 있다.

이후 도 7a 및 도 7b에서와 같이 유기막(331)을 마스크로 하여 데이터 절연막(321)을 식각하여 데이터 패드(212)를 드러내는 접촉구(401)를 형성한다. 데이터 절연막(321)의 식각은 통상 건식 식각으로 이루어진다. 유기막(331)의 두께(d4)는 식각 과정에서 다소 감소하여 식각 전의 두께(d3)보다 작게 된다. 이 과정에서 데이터 패드(212) 측면의 데이터 절연막(321)은 상부의 유기막(331)에 의해 보호된다.

다음으로 투명전도막을 증착하고 패터닝하여 접촉구(401)를 통해 드러난 데이터 패드(212)를 덮는 접촉부재(341)를 형성하면 도 2 및 도 3과 같은 박막트랜지스터 기판(100)이 완성된다. 투명전도막의 패터닝에는 식각액이 사용되는데 데이터 패드(212)의 측면은 데이터 절연막(321)과 유기막(331)에 의해 보호받고 있어서 투명전도막의 식각액에 의해 손상되지 않는다. 유기막(331)의 두께(d1)는 식각 과정에서 다소 감소하여 식각 전의 두께(d4)보다 다소 작게 된다.

이하에서는 본발명의 제2실시예에 따른 박막트랜지스터 기판의 제조방법을 도 8을 참조하여 설명한다. 도 8은 유기 코팅막(332)을 노광, 현상하여 유기막 패 턴(333a, 333b, 333c)이 마련된 상태의 요부 배치도이다.

제2실시예에서는 제1실시예와 달리 패드간 패턴(333b)이 데이터선(211)의 연장방향과 나란히 마련되어 있다. 이에 따라 패드간 패턴(333b)도 측면 패턴(333c)과 같이 데이터 절연막(321)과의 접촉면적이 늘어나 리프팅 발생이 억제된다.

이상의 제1실시예와 제2실시예는 신호선의 예로 데이터선(211)을, 패드의 예로 데이터 패드(212)를 예시하였으나, 본발명에는 게이트선과 게이트 패드에도 적용될 수 있다. 또한 패드 외부 패턴(333a)도 데이터선(211)의 연장방향과 평행하게 형성될 수 있다.

이하에서는 본발명의 제3실시예에 따른 박막트랜지스터 기판(100)을 도 9와 도 10을 참조하여 설명한다.

도 9는 본발명의 제3실시예에 따른 박막트랜지스터 기판(100)의 요부 배치도이고 도 10은 도 9의 Ⅹ-Ⅹ을 따른 단면도이다.

기판소재(111)의 상부에 복수의 더미 게이트 패드(255)가 마련되어 있다. 섬모양의 더미 게이트 패드(255)는 비표시영역에 균일한 간격으로 상호 평행하게 배치되어 있다.

더미 게이트 패드(255)의 상부에 게이트 절연막(311)이 형성되어 있다. 인접한 더미 게이트 패드(255) 사이의 게이트 절연막(311) 상에 데이터 패드(212)가 형성되어 있다. 데이터 패드(212) 상에는 제1실시예와 같이 접촉구(401)를 형성하는 데이터 절연막(321)과 유기막(331)이 마련되어 있다. 접촉구(401)에 의해 드러 난 데이터 패드(212)는 접촉부재(341)에 의해 덮여 있다.

더미 게이트 패드(255)의 역할을 도 11과 도 12를 참조하여 설명하면 다음과 같다.

도 11은 유기 코팅층(332)을 노광하는 단계를 나타낸 것이다. 유기 코팅층(332)의 노광에 있어 데이터 패드(212)의 상부에 위치한 유기 코팅층(332)과 다른 부분에 위치한 유기 코팅층(332)은 동일한 패턴의 마스크를 사용하여도 노광 정도가 다르다. 이는 데이트 패드(212)의 상부에 위치한 유기 코팅층(332)은 데이터 패드(212)에서 반사되는 빛의 영향을 더 받기 때문이다. 이렇게 불균일한 노광은 유기막 패턴(333a, 333b, 333c)의 리프팅을 유발할 수 있다. 특히 데이터 패드(212) 사이에서 리프팅이 발생하면 앞서 설명한 바와 같이 데이터 패드(212)가 투명전도막의 식각액에 의해 손상될 가능성이 있다.

그러나 제3실시예에 따른 더미 게이트 패드(255)는 데이터 패드(212) 사이에 위치한 유기 코팅층(332)과 데이터 패드(212) 상부에 위치한 유기 코팅층(332)의 노광을 균일하게 한다.

도 12는 유기 코팅층(332)을 현상하여 유기막 패턴(333a, 333b, 333c)을 형성한 단계를 나타낸 것이다. 데이터 패드(212)의 측면에 걸쳐 있는 측면 패턴(333c)이 위치한 데이터 절연막(321)은 비교적 평탄하게 형성되어 있다. 데이터 절연막(321)이 평탄한 것은 데이터 패드(212)사이에 위치한 더미 게이트 패드(212) 때문이다. 측면 패턴(333c)은 평탄한 데이터 절연막(321) 상에 안정적으로 위치하고 있기 때문에 리프팅이 발생할 가능성이 감소한다.

이상의 제3실시예에서는 유기막 패턴(333a, 333b, 333c)을 제1실시예와 동일하게 마련하는 것을 예시하였으나 이에 한정되지 않는다.

이상과 같이, 본발명에 따르면 패드 주변에서 발생하는 유기막의 리프팅(lifting)을 감소시키는 박막트랜지스터 기판의 제조방법과 이를 이용하여 제조된 박막트랜지스터 기판이 제공된다.

Claims (10)

1. 기판소재 상에 복수의 신호선과, 상기 신호선에 연결되어 있으며 외부로부터 구동신호를 전달받는 패드를 마련하는 단계와;

   상기 패드 상에 절연막을 형성하는 단계와;

   상기 절연막 상에 유기 코팅층을 형성하는 단계와;

   상기 패드에 인접한 유기 코팅층을 슬릿 패터닝하여 상기 패드의 측면을 따라 연장되어 있는 측면 패턴을 포함하는 유기막 패턴을 형성하는 단계와;

   상기 유기막 패턴을 큐어링하여 상기 패드의 중앙영역에 유기막 홀을 가지는 유기막을 형성하는 단계와;

   상기 유기막을 마스크로 하여 상기 절연막을 식각하여 상기 패드를 드러내는 접촉구를 형성하는 단계와;

   투명전도막을 증착하고 패터닝하여 상기 접촉구를 통해 드러난 상기 패드를 덮는 접촉 부재를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판의 제조방법.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 유기막 패턴의 형성에서, 상기 인접한 패드 사이에 상기 측면 패턴과 직교하는 패드간 패턴을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판의 제조방법.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 유기막 패턴의 형성에서, 상기 인접한 패드 사이에 상기 측면 패턴과 평행한 패드간 패턴을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판의 제조방법.
4. 제 1항에 있어서,

   상기 절연막은 실리콘 질화물층인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판의 제조방법.
5. 제 1항에 있어서,

   상기 인접한 패드 간에 위치하는 상기 유기막의 높이는 상기 유기 코팅층의 높이의 1/2이하인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
6. 제 1항에 있어서,

   상기 절연막의 식각에서, 상기 패드의 측면에 위치한 상기 절연막의 상부에는 상기 유기막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
7. 기판소재 상에 상호 평행하게 위치하는 더미 게이트 패드를 마련하는 단계와;

   상기 더미 게이트 패드의 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;

   상기 더미 게이트 패드 사이에 위치하는 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선을 형성하는 단계와;

   상기 데이터 배선 상에 데이터 절연막과 유기 코팅층을 순차적으로 형성하는 단계와;

   상기 데이터 패드에 인접한 상기 유기 코팅층을 슬릿 패터닝하여 유기막 패턴을 마련하는 단계와;

   상기 유기막 패턴을 큐어링하여 상기 데이터 패드의 중앙영역에 유기막 홀을 가지는 유기막을 형성하는 단계와;

   상기 유기막을 마스크로 하여 상기 절연막을 식각하여 상기 데이터 패드를 드러내는 접촉구를 형성하는 단계와;

   투명전도막을 증착하고 패터닝하여 상기 접촉구를 통해 드러난 상기 데이터 패드를 덮는 접촉 부재를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판의 제조방법.
8. 비표시 영역의 기판소재 상에 상호 평행하게 위치하는 더미 게이트 패드와;

   상기 더미 게이트 패드 상에 형성되어 있는 게이트 절연막과;

   상기 더미 게이트 패드 사이에 위치하는 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선과;

   상기 데이터 배선 상에 형성되어 있는 데이터 절연막과;

   상기 데이터 절연막 상에 위치하며 상기 데이터 절연막과 함께 상기 데이터 패드를 드러내는 접촉구가 마련되어 있는 유기막과;

   상기 접촉구를 통해 드러낸 상기 데이터 패드를 덮고 있는 접촉부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판.
9. 제 8항에 있어서,

   상기 게이트 절연막과 상기 데이터 절연막은 실리콘 질화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판.
10. 제 8항에 있어서,

    상기 더미 게이트 상에 형성된 상기 유기막의 두께는 표시영역에 형성된 유기막의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 기판.

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