KR20060066759A - 기판 상의 결함 검출 방법 - Google Patents

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KR20060066759A
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김정수
양유신
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삼성전자주식회사
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Abstract

반도체 기판 상에 존재하는 결함을 검출하기 위한 방법에 있어서, 상기 결함은 반도체 기판 상으로 조사되어 상기 반도체 기판으로부터 반사된 광으로부터 검출될 수 있다. 광원에 의해 조사된 광은 반도체 기판으로부터 반사되어 광 검출 센서에 의해 검출된다. 광 검출 센서에서 검출되는 광의 세기를 나타내는 파형을 기준 파형과 비교함으로써 상기 결함의 존재 유무와 유형이 판단될 수 있다. 상기 반사된 광의 파형이 상기 기준 파형에 비하여 어느 한쪽으로 이동(shift)된 경우 또는 상기 반사된 광의 파형에서 다수의 피크가 발생되는 경우, 이는 상기 반도체 기판 상에는 결함이 존재하는 것을 의미하며, 위치 이동 또는 파형 변화에 따라 결함의 유형이 판단된다.

Description

기판 상의 결함 검출 방법{Method of detecting defects on a substrate}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 상의 결함 검출 방법을 수행하기 위한 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 반도체 기판 상의 결함과 도 1에 도시된 광 검출 센서에 의해 검출되는 광 사이의 관계를 설명하기 위한 개략도이다.
도 3 내지 도 10은 도 1에 도시된 광 검출 센서에 의해 검출된 광의 파형과 반도체 기판 상의 결함 사이의 관계를 설명하기 위한 도면들이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 반도체 기판 12, 12a, 12b : 파티클
14a, 14b : 스크레치 20 : 기준 파형
22a, 22b, 22c, 22d : 분석 파형 100 : 결함 검출 장치
102 : 스테이지 104 : 구동부
110 : 광원 114 : 빔 확장기
116 : 빔 편향기 118 : 포커싱 렌즈
120 : 반사경 130 : 광 검출 센서
140 : 파형 분석기 150 : 디스플레이 유닛
160 : 데이터 저장부
본 발명은 기판 검사 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 실리콘 웨이퍼와 같은 기판 상에 존재하는 다양한 형태의 결함을 검출하기 위한 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(fabrication; 'FAB') 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하는 EDS(electrical die sorting) 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 공정을 통해 제조된다.
상기 팹 공정은 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 반도체 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 반도체 기판 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 및 패턴이 형성된 반도체 기판의 결함을 검출하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.
상기 반도체 기판 상에 잔류하는 파티클과 같은 반도체 기판의 결함은 반도체 장치의 고집적화에 따라 반도체 장치의 신뢰도 및 생산성을 저하시키는 중요한 요인으로 인식되고 있으며, 상기 파티클을 검출하기 위한 검사 공정의 중요성이 더욱 부각되고 있다.
상기 반도체 기판 상에 잔류하는 이물질을 검출하기 위한 장치의 일 예로서, 미합중국 특허 제6,215,551호(issued to Nikoonahad, et al.)에는 레이저빔을 반도체 기판 상에 조사하고, 반도체 기판의 표면으로부터 산란된 광을 검출하여 반도체 기판의 결함을 검출하는 장치가 개시되어 있다. 또한, 상기와 같이 반도체 기판 상의 결함을 검사하기 위하여 다양한 배율을 갖는 광학 현미경과 주사 전자 현미경(scanning electron microscope; SEM) 등이 사용된다.
상기 광학 현미경의 경우, 일반적으로 배율이 약 75배 내지 3800배 정도이므로 결함의 유형을 판단하기가 용이하지 않다. 이러한 단점에도 불구하고, 결함 판단을 위한 자동 유형 분류 프로그램을 활용하여 결함에 대한 평가를 수행하였으나, 그 결과의 신뢰도가 높지 않다는 문제점이 있다.
한편, 주사 전자 현미경을 활용하는 경우, 그 배율이 약 500 내지 300,000배 정도로 높기 때문에 결함의 유형 판단을 용이하게 할 수 있으나, 설비의 가격이 일반적인 광학 현미경에 비하여 매우 높고, 결함 검출 속도가 상대적으로 낮다는 단점이 있다. 상기와 같은 주사 전자 현미경의 경우 분해능이 높은 장점을 이용하여 작업자에 의한 수동 검사가 아닌 프로그램을 통한 자동 결함 검출이 적용되고 있다. 그러나, 이러한 경우에도, 결함 발생 유무 또는 발생 위치 등을 검출할 수는 있으나, 자체적으로 결함의 유형을 판단할 수는 없다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 간단한 방법을 통해 결함을 검출하고, 상기 결함의 유형을 판단할 수 있는 결함 검출 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 기판 상의 결함은, 상기 기판의 표면을 광으로 스캔하는 단계와, 상기 기판의 표면으로부터 반사된 광을 검출하는 단계와, 상기 반사된 광의 세기를 나타내는 파형 변화로부터 상기 기판 상에 존재하는 결함을 검출하는 단계를 통해 검출될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판의 표면으로 입사되는 광은 상기 기판의 표면에 대하여 소정의 경사각을 갖는다. 상기 반사된 광은 상기 반사된 광의 경로가 상기 기판에 대하여 수직이 되도록 반사경과 같은 경로 변환 부재를 통해 이차 반사되며, 상기 기판의 상부에서 상기 기판과 평행하게 배치된 광 검출 센서를 통해 검출된다.
상기 기판 상에 존재하는 결함은 상기 반사된 광의 파형이 검출되는 상기 광 검출 센서 상에서의 위치와 상기 광 검출 센서에 의해 검출된 광의 파형이 갖는 적어도 하나의 피크의 형태를 기준 파형과 비교함으로써 검출될 수 있으며, 상기 비교 결과에 따라 상기 결함의 위치와 종류가 판단된다.
일 예로, 상기 반사된 광의 파형이 검출되는 위치가 상기 광을 발생시키기 위한 광원을 향하여 이동(shift)되는 경우 상기 결함은 상기 광의 스폿 사이즈(spot size)보다 큰 폭을 갖는 스크레치인 것으로 판단될 수 있으며, 상기 반사된 광의 파형이 검출되는 위치가 상기 광원으로부터 멀어지는 방향으로 이동되는 경우 상기 결함은 상기 광의 스폿 사이즈보다 큰 파티클인 것으로 판단될 수 있다.
또한, 상기 반사된 광의 파형의 피크가 다수개로 분할되는 경우, 상기 다수의 피크들 중 가장 큰 피크가 상기 광을 발생시키기 위한 광원을 향하여 위치되는 경우, 상기 결함은 상기 광의 스폿 사이즈보다 작은 폭을 갖는 스크레치인 것으로 판단될 수 있으며, 상기 다수의 피크들 중 가장 큰 피크가 상기 광원으로부터 멀어지는 방향으로 이동되는 경우 상기 결함은 상기 광의 스폿 사이즈보다 작은 파티클인 것으로 판단될 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 방법에 의하면, 기판으로부터 반사된 광의 세기를 나타내는 파형의 변화를 분석하여 기판 상의 결함을 검출하고, 상기 결함의 유형을 용이하게 판단할 수 있으므로 결함 검출 및 유형 판단에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있으며, 간단한 장치로 구현될 수 있으므로 설비 투자비를 절감할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 상의 결함 검출 방법을 수행하기 위한 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 도시된 결함 검출 장치(100)는 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판(10) 상의 결함을 검출하고, 검출된 결함들의 유형을 판단하기 위하여 사용될 수 있다.
상기 결함들은 반도체 기판(10)으로부터 반사된 광으로부터 검출될 수 있다. 특히, 상기 반사된 광의 세기를 나타내는 파형을 분석함으로써 반도체 기판(10) 상에서의 결함 유무와 결함이 발생된 위치 및 결함의 종류 등이 판별될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(10)은 스테이지(102) 상에 지지되며, 상기 스테이지(102)는 수직 및 수평 방향으로 이동 가능하도록 구동부(104)와 연결되어 있다. 상세히 도시되지는 않았으나, 상기 스테이지(102)의 위치는 제어부(미도시)에 의해 제어될 수 있으며, 상기 구동부(104)는 상기 제어부의 제어 신호에 따라 스테이지(102)를 이동시킨다.
상기 반도체 기판(10)으로 광을 조사하기 위한 광원(110)은 반도체 기판(10)의 상부에 배치된다. 구체적으로, 상기 광이 반도체 기판(10)의 표면으로 소정의 경사각을 갖고 입사되도록 반도체 기판(10)의 표면 및 중심축으로부터 소정 거리 이격된 위치에 배치될 수 있다. 한편, 상기 광으로는 다양한 레이저빔이 사용될 수 있다. 예를 들면, 아르곤 레이저빔이 사용될 수 있다.
상기 광원(110)은 레이저빔을 발생시키기 위한 레이저 소스(112)와, 레이저 소스(112)로부터 발생된 레이저빔의 단면적을 확장시키기 위한 빔 확장기(beam expander, 114)와, 확장된 레이저빔이 반도체 기판(10)의 표면을 스캔하도록 상기 확장된 레이저빔을 편향시키는 빔 편향기(116)와, 편향된 레이저빔이 조사되는 반도체 기판(10) 표면 상의 스폿 사이즈를 조절하고 유지하기 위하여 상기 편향된 레이저빔의 초점 거리를 조절하기 위한 포커싱 렌즈(118)를 포함할 수 있다.
상세히 도시되지는 않았으나, 상기 레이저 소스(112)는 레이저 매질을 포함 하는 튜브와, 상기 레이저 매질로부터 발생되는 레이저빔을 증폭시키기 위한 다수의 공명기와, 다수의 공명기 중에서 하나를 선택하기 위한 파장 선택기와, 상기 레이저 매질을 방전 여기시키기 위한 전원을 포함할 수 있다.
상기 레이저 매질로는 아르곤 가스가 사용될 수 있으며, 상기 다수의 공명기에 의해 선택될 수 있는 아르곤 레이저빔의 파장은 각각 366nm, 488nm, 514nm일 수 있다. 이는 아르곤 레이저의 특성에 따라 선택된 파장이며, 레이저 매질로 다른 물질이 사용되는 경우에도 이와 유사하게 파장을 선택할 수 있다. 상기 공명기는 전반사경과 부분 투과경의 조합으로 이루어진다. 상기 전반사경은 상기 튜브의 후단부에 대응하도록 배치되며, 상기 부분 투과경은 상기 튜브의 전단부에 대응하도록 배치된다. 상기 튜브 내에 충진된 아르곤 가스로부터 발생되는 레이저빔은 상기 전반사경과 부분 투과경 사이에서 증폭되며, 상기 부분 투과경을 통해 방출된다.
상기 파장 선택기는 다수의 공명기들 중에서 하나를 선택하여 상기 튜브의 전단부와 후단부에 배치시킨다. 상기 파장 선택기는 공압에 의해 작동되는 공압 실린더가 사용될 수 있다. 그러나, 다른 구성이 파장 선택기(106)에 적용될 수도 있다. 예를 들면, 원반 형상을 갖는 서포트(support)에 다수의 공명기가 방사상으로 배치되는 경우, 파장 선택기는 적절한 파장을 선택하기 위해 상기 서포트를 회전시킬 수도 있다.
예를 들면, 상기 포커싱 렌즈(118)에 의해 스폿 사이즈가 조절된 레이저빔은 빔 편향기(116)에 의해 x축 방향으로 반도체 기판(10)의 표면을 스캔할 수 있으며, 상기 구동부(104)는 상기 레이저빔이 반도체 기판(10)의 표면 상에 기 설정된 영역 또는 전체 영역을 스캔할 수 있도록 y축 및 x축 방향으로 스테이지(102)를 이동시킬 수 있다.
한편, 반도체 기판(10)으로부터 반사된 광은 상기 광원에 대하여 마주하도록 배치된 반사경(120)을 통해 반사된다. 바람직하게는, 상기 반사경(120)은 상기 반사된 광의 경로가 반도체 기판(10)의 표면에 대하여 수직하는 방향으로 전환되도록 상기 반사된 광을 반사시킨다.
상기 반사경(120)에 의해 반사된 광은 반사경(120)의 상부에 배치된 광 검출 센서(130)에 의해 검출되며, 상기 광 검출 센서(130)는 파형 분석기(140)와 연결되어 있다. 상기 광 검출 센서(130)에 의해 검출된 광의 세기는 파형 분석기(140)에 의해 디지털 데이터로 변환되며, 파형 분석기(140)와 연결된 디스플레이 유닛(150)을 통해 플로팅될 수 있다. 또한, 상기 파형 분석기(140)는 기준 파형과 상기 반사된 광의 파형을 비교하여 반도체 기판(10) 상의 결함을 검출한다.
상기 기준 파형은 기준 기판의 표면으로부터 반사되어 반사경(120)을 통해 광 검출 센서(130)의 중앙 부위에서 검출된 광의 세기로부터 획득될 수 있다. 특히, 오차를 줄이기 위해 기준 기판의 여러 지점으로부터 획득된 데이터의 평균값으로 기준 파형을 결정할 수 있다.
상기 파형 분석기(140)는 데이터 저장부(160)와 연결되어 있으며, 상기 데이터 저장부(160)에는 상기 기준 파형에 대한 데이터가 저장되어 있으며, 상기 파형 분석기(140)에 의해 획득된 분석 파형이 저장된다. 또한, 파형 분석기(140)에 의해 검출된 결함에 대한 데이터가 저장된다. 특히, 상기 검출된 결함의 위치 데이터 및 유형에 대한 데이터가 저장될 수 있으며, 상기 검출된 결함에 대한 데이터는 디스플레이 유닛(150)을 통해 사용자에게 제공될 수 있다. 한편, 사용자는 디스플레이 유닛(150)을 통해 제공되는 상기 분석 파형과 기준 파형을 육안으로 확인하고, 이를 통해 직접 결함의 위치 및 유형을 판단할 수도 있다.
도 2는 반도체 기판 상의 결함과 도 1에 도시된 광 검출 센서에 의해 검출되는 광 사이의 관계를 설명하기 위한 개략도이다. 참고로, 도시된 도면은 이해를 돕기 위하여 구성 요소들이 과장되도록 도시되었다.
도 2를 참조하면, 반도체 기판(10) 상에 결함이 없는 경우, 반도체 기판(10)으로 조사되는 광은 반도체 기판(10)의 표면과 반사경(120)에 의해 순차적으로 반사되어 광 검출 센서(130)의 중앙 부위에서 검출된다. 이 경우, 광 검출 센서(130)에 의해 검출된 광의 분석 파형은 기준 파형과 실질적으로 동일하다.
그러나, 반도체 기판(10) 상에 파티클(12)과 같은 결함이 존재하는 경우, 반도체 기판(10)으로 조사되는 광은 파티클(12)에 의해 반사된 후, 반사경(120)을 통해 광 검출 센서(130)의 일측에서 검출된다. 구체적으로, 상기 파티클(12)에 의해 반사된 광은 광 검출 센서(130)의 중앙 부위를 기준으로 광원(110)에 대향하는 제1부위에서 검출되며, 상기 반사된 광의 분석 파형은 상기 광 검출 센서(130)의 중앙 부위로부터 상기 제1부위로 이동된다. 또한, 파티클(12)의 형상에 따라 상기 분석 파형에는 다수의 피크가 발생될 수도 있다.
도 3 내지 도 10은 도 1에 도시된 광 검출 센서에 의해 검출된 광의 파형과 반도체 기판 상의 결함 사이의 관계를 설명하기 위한 도면들이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 반도체 기판(10) 상에 존재하는 파티클(12a)의 크기가 반도체 기판(10)으로 조사되는 광의 스폿 사이즈보다 큰 경우, 반도체 기판(10)으로부터 반사된 광의 분석 파형(22a)은 상기 제1부위에서 검출된다. 특히, 도시된 바와 같이, 상기 파티클(12a)이 상부가 평평한 메사(meas) 형상을 갖는 경우, 상기 반사된 광으로부터 획득된 분석 파형(22a)은 실질적으로 기준 파형(20)과 동일하며, 다만 검출 위치만 광 검출 센서(130)의 중앙 부위로부터 상기 제1부위로 이동되어 검출된다. 이와는 다르게, 상기 파티클(12a)이 불규칙한 표면을 갖는 경우, 상기 반사된 광으로부터 획득된 분석 파형(22a)은 기준 파형(20)과 다르게 나타나며, 위치 또한 광 검출 센서(130)의 중앙 부위로부터 상기 제1부위로 이동되어 검출된다. 구체적으로, 상기 분석 파형(22a)에는 파티클(12a)의 표면 프로파일에 따라 다수의 피크가 발생될 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 반도체 기판(10) 상에 존재하는 파티클(12b)의 크기가 반도체 기판(10)으로 조사되는 광의 스폿 사이즈보다 작은 경우, 반도체 기판(10)으로부터 반사된 광의 분석 파형(22b)은 광 검출 센서(130)의 중앙 부위에서 검출된다. 구체적으로, 상기 반사된 광으로부터 획득된 분석 파형(22b)의 검출 위치는 상기 기준 파형(20)의 위치와 실질적으로 동일하지만, 파티클(12b)로 인하여 상기 기준 파형(20)과는 달리 다수의 피크가 발생될 수 있다. 예를 들면, 상기 분석 파형(22b)에서 발생된 피크들 중 가장 큰 피크가 상기 광 검출 센서(130)의 중앙 부위를 기준으로 상기 광원(110)으로부터 멀어지는 방향에서 발생될 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 반도체 기판(10) 상에 존재하는 스크레치(14a)의 폭이 반도체 기판(10)으로 조사되는 광의 스폿 사이즈보다 큰 경우, 반도체 기판(10)으로부터 반사된 광의 분석 파형(22c)은 광 검출 센서(130)의 중앙 부위를 기준으로 상기 제1부위에 대향하는 제2부위에서 검출된다. 이때, 상기 스크레치(14a)의 저면이 평평한 경우, 상기 반사된 광으로부터 획득된 분석 파형(22c)은 실질적으로 기준 파형(20)과 동일하며, 다만 검출 위치만 광 검출 센서(130)의 중앙 부위로부터 상기 광원(110)을 향하는 상기 제2부위로 이동되어 검출된다. 이와는 다르게, 상기 스크레치(14a)의 저면이 불규칙한 표면을 갖는 경우, 상기 반사된 광으로부터 획득된 분석 파형(22c)은 기준 파형(20)과 다르게 나타나며, 위치 또한 광 검출 센서(130)의 중앙 부위로부터 상기 제2부위로 이동되어 검출된다. 구체적으로, 상기 분석 파형(22c)에는 스크레치(14a)의 표면 프로파일에 따라 다수의 피크가 발생될 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 반도체 기판(10) 상에 존재하는 스크레치(14b)의 폭이 반도체 기판(10)으로 조사되는 광의 스폿 사이즈보다 작은 경우, 반도체 기판(10)으로부터 반사된 광의 분석 파형(22d)은 광 검출 센서(130)의 중앙 부위에서 검출된다. 구체적으로, 상기 반사된 광으로부터 획득된 분석 파형(22d)의 검출 위치는 상기 기준 파형(20)의 위치와 실질적으로 동일하지만, 스크레치(14b)로 인하여 상기 기준 파형(20)과는 달리 다수의 피크가 발생될 수 있다. 예를 들면, 상기 분석 파형(22d)에서 발생된 피크들 중 가장 큰 피크가 상기 광 검출 센서(130)의 중앙 부위를 기준으로 상기 광원(110)을 향하는 방향에서 발생될 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 상의 결함 검출 방법은 종래의 검사 장치에 비하여 매우 간단한 장치로 구현될 수 있다. 예를 들면, 광학 현미경 또는 주사 전자 현미경의 포커싱 장치를 이용하여 수행될 수도 있으며, 암시야 검사 장치(dark field inspection) 또는 명시야 검사 장치(bright field inspection)를 이용하여 수행될 수도 있다. 따라서, 반도체 기판 상의 결함 검사 및 유형 분류에 요구되는 추가적인 설비에 대한 부담이 제거될 수 있으며, 이에 따른 부대 비용을 절감할 수 있다.
또한, 반도체 기판 상에 존재하는 결함의 위치뿐만 아니라 유형까지도 보다 정확하고 빠르게 분석할 수 있으므로, 상기 결함에 대하여 적극적으로 대처할 수 있을 뿐만 아니라 반도체 기판의 대한 결함 분석에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (6)

  1. 기판의 표면을 광으로 스캔하는 단계;
    상기 기판의 표면으로부터 반사된 광을 검출하는 단계; 및
    상기 반사된 광의 세기를 나타내는 파형 변화로부터 상기 기판 상에 존재하는 결함을 검출하는 단계를 포함하는 기판 상의 결함 검출 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판의 표면으로 입사되는 광은 상기 기판의 표면에 대하여 소정의 경사각을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 상의 결함 검출 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 반사된 광의 경로가 상기 기판에 대하여 수직이 되도록 상기 반사된 광을 이차 반사시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 상의 결함 검출 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 반사된 광의 파형이 검출되는 위치가 상기 광을 발생시키기 위한 광원을 향하여 이동(shift)되는 경우 상기 결함이 상기 광의 스폿 사이즈(spot size)보다 큰 폭을 갖는 스크레치인 것으로 판단하고, 상기 반사된 광의 파형이 검출되는 위치가 상기 광원으로부터 멀어지는 방향으로 이동되는 경우 상기 결함이 상기 광의 스폿 사이즈보다 큰 파티클인 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 기판 상의 결함 검출 방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 반사된 광의 파형의 피크가 다수개로 분할되는 경우, 상기 다수의 피크들 중 가장 큰 피크가 상기 광을 발생시키기 위한 광원을 향하여 위치되는 경우, 상기 결함이 상기 광의 스폿 사이즈보다 작은 폭을 갖는 스크레치인 것으로 판단하고, 상기 다수의 피크들 중 가장 큰 피크가 상기 광원으로부터 멀어지는 방향으로 이동되는 경우 상기 결함이 상기 광의 스폿 사이즈보다 작은 파티클인 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 기판 상의 결함 검출 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 반사된 광의 파형이 검출되는 위치와 상기 파형의 적어도 하나의 피크의 형태를 기준 파형과 비교하여 상기 결함의 위치와 유형을 판단하는 것을 특징으로 하는 기판 상의 결함 검출 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100814410B1 (ko) * 2007-01-16 2008-03-18 삼성전자주식회사 반도체 소자가 형성된 기판의 결함 검출방법

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