KR20060060280A - 결함 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 - Google Patents

결함 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 Download PDF

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Abstract

피검체 상의 결함들을 정확하게 분류할 수 있는 결함 검사 방법 및 장치에 있어서, 피검체 상의 결함들을 검출한 다음, 검출된 결함들을 통합 파라미터를 조건으로 분류한다. 이 경우, 통합 파라미터는 대비도, 명암도, 휘도, 사이즈 및 이들의 둘 이상의 조합 중에서 둘 이상을 선택하여 생성된다. 이 경우, 결함들은 피검체 상에 광을 조사한 다음, 피검체로부터 산란된 광을 수집하여 전류로 변환하고, 변환된 전류를 증폭한 다음 디지털 신호로 변환한 다음, 이를 분석하여 검출된다. 다른 결함 검출 장치로부터 제공된 결함들을 동일한 통합 파라미터를 조건으로 분류함으로써, 일관성 있게 결함들을 분류할 수 있을 뿐만 아니라, 매우 정확하게 결함들을 분류할 수 있다. 따라서 재검에 소요되는 시간적, 재정적 손실을 방지할 수 있으며, 검사 공정의 자동화를 달성할 수 있다.

Description

결함 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 장치{METHOD FOR INSPECTING A DEFECT AND APPARATUS FOR PERFORMING THE SAME}
도 1은 종래의 결함 검사 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검사 장치 및 결함 검사 방법을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 3은 도 2에 도시한 프로세스 모듈을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100：결함 검사 장치
110, 110a, 110b, 110c, 110d：결함 검출 모듈
115：스테이지 120：광원
121：제1 편광 유닛 122：제2 편광 유닛
125：디텍터 130：증폭기
135：A/D 컨버터 140：통합 파라미터 모듈
150：프로세스 모듈 160：디스플레이 유닛
p1, p2, p3, p4, p5, p6, p7：기본 파라미터
W：반도체 기판
본 발명은 결함 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 장치에 관한 것이다. 보다 자세하게는, 웨이퍼와 같은 정밀한 제품에 존재하는 파티클 및 스크래치와 같은 결함을 검출한 다음, 검출된 결함들을 분류할 수 있는 결함 검사 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 웨이퍼(wafer) 상의 결함을 검출 및 분류하는 검사(inspection) 공정은 필수적이다. 예를 들어, 미세 패턴의 형성을 위한 패터닝 공정을 수행한 다음에는 웨이퍼에 형성된 패턴 상에 파티클(particle) 또는 미세한 스크래치(micro scratch) 등의 결함이 발생할 수 있으며, 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing: CMP) 공정을 수행할 경우에도 웨이퍼나 웨이퍼 상에 형성된 패턴에 상에 결함이 발생할 수 있다.
반도체 기술은 꾸준한 발전하여 현재 반도체 장치는 과거보다 훨씬 더 고밀도, 고집적화 되었고, 검사(inspection) 설비도 비약적으로 발전함에 따라 결함의 존재 여부를 정확하게 검출할 수 있게 되었다. 이 결과, 예전에 수십 개 수준으로 관리되던 결함들이 수백, 수천 개로 늘어나게 되었으며, 검사된 결함들을 분류하기 위한 소요 시간 및 노력도 현저하게 증가하였다.
도 1은 종래의 결함 검사 방법을 설명하기 위한 순서도를 도시한 것으로서, 반도체 제조 공정 중 웨이퍼(wafer) 상의 결함을 검출한 뒤 이를 분류하는 작업 순서를 나타낸다.
도 1을 참조하면, 결함 검사 설비를 이용하여 반도체 기판을 스캐닝한다(S11). 스캐닝 결과를 디지털 신호로 변환하여(S13) 서버에 저장한다(S15). 이어서, 서버에 저장된 스캐닝 결과로부터 결함들을 검출 및 분류한다(S17). 결함 개수가 일정 개수를 넘거나 심각한 수준의 결함이 확인될 경우(S19), 해당 기판을 별도의 리뷰 설비로 옮겨 존재하는 결함들을 재검사(review)한다(S21). 여기서, 재검사란 결함 종류 및 형태 등을 육안으로 확인하는 공정을 의미한다. 재검사를 수행하는 설비로는 마이크로스코프(microscope) 또는 주사 전자 현미경(Scanning Electron Microscope: SEM) 등이 있다.
재검사의 목적은 검출된 결함들이 실제 반도체 기판 가공 공정에 영향을 미치는 것인지 여부를 판단하는 것이며, 공정에 영향을 미치는 결함이 심각한(critical) 수준인지 여부를 눈으로 직접 확인하는 것이다. 재검사를 수행한 결과, 후속 공정의 진행을 진행 여부를 결정한다(S23). 결함의 개수가 일정 개수에 미치지 않거나 결함이 공정에 심각한 영향을 미치지 않는다고 판단되면 후속 정규 공정을 진행한다(S25). 하지만 결함의 개수가 일정 개수를 넘거나 공정에 심각한 영향을 미칠 것으로 판단되면 후속 공정을 중지하고 해당 설비를 정비한다(S27).
심각한 수준의 결함의 존재 여부는 결함 검사 설비의 결함 분류 프로그램을 통하여 1차로 확인된다. 상기 결함 분류 프로그램은 소정의 파라미터들(parameters)을 조건으로 검출된 결함을 분류한다. 여기서 파라미터는 스캐닝 결과로부터 해당 결함의 상세 정보를 획득하기 위하여 스캐닝 결과를 처리하는 기준값을 의미한다.
하지만 결함 분류 프로그램의 정확도가 매우 저조할 뿐만 아니라, 결함 검사 설비의 종류 또는 제조 회사에 따라 서로 다른 파라미터들이 사용되고 있어, 결함 분류 결과는 일관성이 없다. 따라서 분류된 결함들을 다시 육안으로 확인하는 재검사 공정이 더 수행되고 있다.
결함 분류 결과에 따라서 재검사 공정의 진행 여부가 결정된다는 점을 감안할 때, 결함 분류 프로그램의 정확도 및 일관성은 매우 중요하다. 하지만, 이에 대한 기술 개발은 미약한 실정이다.
현재 반도체 기판의 사이즈 및 반도체 장치의 집적도는 나날이 증가하고 있으며, 반도체 시장의 경쟁은 치열해지고 있다. 현재의 추세에 비추어 볼 때, 전술한 바와 같은 문제점들은 반도체 기술 발전에 매우 심각한 장애요인이 되고 있다. 따라서 전술한 문제점들을 해결하기 위한 결함 분류 방법 및 장치의 개발이 절실히 요구된다.
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서, 본 발명의 일 목적은, 검출된 결함들을 정확 및 일관성있게 분류하여 불필요한 재검 시간을 줄일 수 있는 결함 검사 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 상기 방법을 수행하기 위한 결함 검사 장치를 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 일 실시예 에 따르면, 피검체 상에 존재하는 결함들을 검출한 다음, 검출된 결함들을 통합 파라미터를 조건으로 분류한다. 이 경우, 통합 파라미터는 대비도(contrast), 명암도(intensity), 휘도(brightness), 사이즈(size) 및 이들의 둘 이상의 조합들로 이루어진 기준 파라미터 군에서 둘 이상을 선택하여 생성한다. 또한, 결함들은 피검체 상에 광을 조사한 다음, 피검체로부터 산란된 광을 수집하여 전류로 변환하고, 변환된 전류를 증폭한 다음 디지털 신호로 변환하여 검출한다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 결함 검사 장치는 피검체 상에 존재하는 결함들을 검출하기 위한 결함 검출 모듈과, 대비도, 명암도, 휘도, 사이즈 및 이들의 둘 이상의 조합으로 이루어진 기준 파라미터 군에서 둘 이상을 선택하여 생성된 통합 파라미터가 저장된 통합 파라미터 모듈과, 통합 파라이터를 조건으로 검출된 결함들을 분류하는 프로세스 모듈을 포함한다. 이 경우, 결함 검출 모듈은 피검체 상에 광을 조사하기 위한 광원, 피검체로부터 산란된 광을 수집하기 위한 디텍터, 수집된 광을 증폭하기 위한 증폭기 및 증폭된 광을 디지털 신호로 변하기 위한 A/D 컨버터를 포함한다.
본 발명에 따르면, 통합 파라미터들을 조건으로 검출된 결함들을 분류함으로써, 결함들을 정확 및 일관성 있게 분류할 수 있을 뿐만 아니라, 재검의 필요성을 크게 낮추어 상당한 시간적 재정적 이득을 얻을 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 결함 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 장치에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예들에 의하여 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검사 장치 및 결함 검사 방법을 설명하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 3은 도 2에 도시한 프로세스 모듈을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 결함 검사 장치(100)는 결함 검출 모듈(110), 통합 파라미터 모듈(140), 프로세스 모듈(150) 및 디스플레이 유닛(160)을 포함한다.
결함 검출 모듈(110)은 반도체 기판(W) 상에 광을 조사하여 결함을 검출한다. 결함 검출 모듈(110)은 스테이지(115), 광원(light source, 120), 디텍터(125), 증폭기(130) 및 A/D 컨버터(135)를 포함한다.
스테이지(115)는 반도체 기판(W)을 지지하고, 반도체 기판(W)을 수평 이동시킨다. 스테이지(115)의 상부에는 광원(light source,120)이 배치된다.
광원(light source,120)은 스테이지(115) 상에 배치된 반도체 기판(W)으로 광을 조사한다. 이 경우, 광원(120)으로부터 약 488nm 파장의 레이저 광이 방출된다. 하지만, 다른 파장 또는 다른 종류의 광을 방출하는 광원(120)이 선택될 수 있다. 광원(120)은 당업자가 피검체 또는 검사 공정에 따라 용이하게 변경할 수 있을 것이다.
광원(120)은 스테이지(115)의 상면으로부터 수직하게 배치되거나, 소정의 각도로 기울어지게 배치될 수 있다. 광원(120)은 반도체 기판(W)의 수평면으로부터 약 45 내지 90도 각도로 기울어지게 배치되는 것이 바람직하다. 보다 발전적으로는, 광원(120)과 스테이지(115) 사이에 광 경로 전환 부재를 더 배치하여 반도체 기판(W)에 대한 광의 입사각을 조절할 수도 있다.
광원(120)과 반도체 기판(W) 사이에는 제1 편광 유닛(121)이 배치된다. 제1 편광 유닛(121)은 1/2 파장 또는 1/4 파장용 플레이트 등과 같은 편광 플레이트를 포함한다. 제1 편광 유닛(121)은 광원(120)으로부터 방출된 광을 P 편광, S 편광, C(circular polarization) 편광 또는 이들이 조합된 편광으로 변환하여 반도체 기판(W) 상에 조사한다.
반도체 기판(W) 상에 조사된 광은 입사된 각과 동일한 각도로 반사되거나, 입사각과 상이한 각도로 산란된다. 반도체 기판(W)으로부터 반사 또는 산란된 광을 수집하기 위하여, 디텍터(125)가 이용된다.
디텍터(125)는 광증배관(PMT) 또는 CCD 카메라 등과 같은 광 검출기를 포함한다. 디텍터(125)는 반도체 기판(W)으로부터 반사 또는 산란된 광을 수집하기 적당한 위치에 배치된다. 디텍터(125)는 반도체 기판(W)을 기준으로 광원(120)에 대항된 방향으로 좌우로 복수 개 배치되는 것이 바람직하다.
디텍터(125)와 스테이지(115) 사이에는 제2 편광 유닛(122)이 배치된다. 제2 편광 유닛(122)은 1/2 파장 또는 1/4 파장용 플레이트 등과 같은 편광 플레이트를 포함한다. 제2 편광 유닛(122)은 반도체 기판으로부터 반사 또는 산란된 광을 P 편광, S 편광, C 편광 또는 이들의 조합으로 변환하여 디텍터(125)에 전달한다.
디텍터(125)는 반도체 기판(W)으로부터 반사 또는 산란된 광을 수집하여 이를 전류로 변환한다. 디텍터(125)에는 증폭기(130)가 연결되어, 전류를 변환된 광 신호가 증폭된다. 증폭기(130)에서 증폭된 광 신호는 A/D 컨버터(135)로 전달된다.
A/D 컨버터(135)는 광 신호를 디지털 신호로 변환한다. 상기 디지털 신호는 디스플레이 유닛(도시되지 않음)에 전달되어 이미지로 처리된다. 상기 디지털 신호는 프로세스 모듈(150)에도 전달된다.
프로세스 모듈(150)은 상기 디지털 신호로부터 반도체 기판(W) 상에 존재하는 결함들을 검출하고, 검출된 결함들을 분류한다. 이 경우, 검출된 결함들을 통합 파라미터들을 조건으로 분류된다. 검출된 결함들의 분류 기준이 되는 통합 파라미터들은 통합 파라미터 모듈(140)에 저장된다.
통합 파라미터 모듈(140)에는 기본 파라미터들(p1, p2, p3, p4, p5, p6, p6, p7)이 저장된다. 통합 파라미터 모듈(140)은 기본 파라미터들(p1, p2, p3, p4, p5, p6, p6, p7)을 복합하여 통합 파라미터를 생성한다. 이 경우, 통합 파라미터 모듈(140)은 기 설정된 계산식에 따라 통합 파라미터를 생성한다.
기본 파라미터들(p1, p2, p3, p4, p5, p6, p6, p7)은 결함들을 종류별로 구분할 수 있는 분류 기준이다. 예를 들어, 기본 파라미터들은 대비도(contrast), 명암도(intensity), 휘도(brightness), 사이즈(size) 또는 이들의 둘 이상의 조합으로 이루어질 수 있다. 여기서, 명암도는 다시 결함 명암도(defect intensity), 최대 명암도(target intensity), 비교 명암도(reference intensity), 차별 명암도(difference intensity) 등으로 분류되고, 사이즈(size)는 X-사이즈, Y-사이즈, 픽셀(pixel) 등으로 분류된다. 또한, 상기 이들의 둘 이상의 조합이란, 기본 파라미터들은 조합하여 또 다른 기본 파라미터를 생성하는 것으로서 예를 들어, 기본 파라미터가 되는 X-사이즈 및 Y-사이즈를 곱하여 면적(area)이라는 또 다른 기본 파라미터를 생성하고, X-사이즈 및 Y-사이즈를 로그화(log)하여 log X/Y이라는 또 다 른 기본 파라미터를 생성하는 것을 의미한다.
기본 파라미터들(p1, p2, p3, p4, p5, p6, p6, p7)에 대한 기술은 상당부분 공개되어 있으며, 시험 결과에 따라서 다르게 설정될 수 있는바 특별히 한정하지 않겠다. 하지만, 당업자라면 이를 비교적 쉽게 이해할 수 있을 것이다.
반도체 기판(W) 상에는 홈, 스크래치(scratch), 오버홀(over hall) 또는 파티클 같은 매우 다양한 종류의 결함들이 존재할 수 있다. 이러한 결함들은 단독적으로 발생될 수 있지만, 복합적으로 발생될 수도 있다. 즉, 결함의 종류는 한정적이지만, 이들이 발생될 수 있는 형태는 매우 다양하다. 따라서 지금까지 발생되지 않은 형태의 결함이 발생될 수 있으며, 단독적으로 반도체 장치에 큰 영향을 미치지 않지만 복합적으로 발생될 경우 매우 심각한 영향을 끼칠 수 있다.
결함이 다른 어떤 형태로 새로이 발생될 지를 예측하는 것도 매우 어렵다. 이는, 반도체 기술이 끊임없이 발전되고 있으며, 반도체 가공 공정도 따라서 계속 변화되기 때문이다.
결함의 종류는 실질적으로 한정적이다. 한정적인 결함들의 분류 기준이 되는 기본 파라미터들을 복합하여 생성된 통합 파라미터를 이용할 경우, 결함들을 발생 형태에 따라서 분류할 수 있다. 예를 들어 설명하면, 제1 기본 파라미터(p1)를 조건으로 하여 제1 형태의 결함을 분류할 수 있고, 제2 기본 파라미터(p2)를 조건으로 하여 제2 형태의 결함을 분류할 수 있을 경우, 제1 및 제2 형태가 혼합된 결함은 제1 및 제2 기본 파라미터들(p1, p2)을 복합하여 생성된 통합 파라미터를 이용하여 분류할 수 있다. 또는, 제3 기본 파라미터(p3)를 조건으로 하여 제3 형태의 결함을 분류할 수 있고, 제4 기본 파라미터(p4)를 조건으로 하여 제4 형태의 결함을 분류할 수 있으며, 제6 기본 파라미터(p6)를 조건으로 하여 제6 형태의 결함을 분류할 수 있을 경우, 제3 및 제4 및 제6 형태가 혼합된 결함은 제3 및 제4 및 제6 기본 파라미터들(p3, p4, p6)을 복합하여 생성된 통합 파라미터를 이용하여 분류할 수 있다.
전술한 바와 같이, 기본 파라미터와 결함의 형태가 반드시 1:1 매칭 되는 것은 아니다. 예를 들어, 또는, 제1, 제5 및 제7 기본 파라미터들(p1, p5, p7)을 복합하여 생성한 통합 파라미터를 이용하면 제8 형태의 결함을 분류할 수 도 있다.
결합의 형태에 따른 통합 파라미터는 계산식이나 시험 및 오차(try and error)방법으로 획득할 수 있다. 통합 파라미터를 생성하기 위한 계산식은 통합 파라미터 모듈(140)에 기 설정되고, 통합 파라미터 모듈(140)은 상기 계산식에 따라 통합 파라미터를 생성할 수 있다. 다르게는 마이크로스코프(microscope) 또는 주사 전자 현미경(Scanning Electron Microscope: SEM) 등과 같은 광학 장비를 이용하여 결합을 분석하여 해당 결함을 가방 바람직하게 분류할 수 있는 통합 파라미터를 생성할 수 있다.
프로세스 모듈(150)은 통합 파라미터 모듈(140)로부터 기본 파라미터 또는 통합 파라미터를 제공받아 검출된 결함들을 분류한다. 분류 결과는 디스플레이 유닛(160)을 통하여 표시된다.
본 실시예에 따르면, 통합 파라미터를 이용함으로써 결함들을 매우 정확하게 분류할 수 있다. 따라서 불필요한 재검을 줄일 수 있으며, 작업 효율 및 생산성이 극대화될 수 있다. 이하, 본 실시예에 따른 결함 검사 장치를 이용한 결함 검사 방법에 대하여 설명한다.
결함 검사 장치(100) 내부로 반도체 기판(W)을 로딩 한 뒤. 검사 공정을 수행하기 위한 광을 반도체 기판(W) 상에 조사한다. 이어서, 반도체 기판(W)으로부터 반사 또는 산란된 광을 수집한 다음, 수집된 광의 세기에 대응하도록 전류를 생성한다. 상기 전류를 소정의 증폭비로 증폭한 후, 이를 디지털 신호로 변환한다.
상기 디지털 신호로부터 반도체 기판(W) 상에 존재하는 결함들을 검출하고, 검출된 결함들을 분류한다. 이 경우, 검출된 결함들을 통합 파라미터들을 조건으로 분류된다. 검출된 결함들의 분류 기준이 되는 통합 파라미터들은 통합 파라미터 모듈(140)에 저장된다.
통합 파라미터는 대비도, 명암도, 휘도, 사이즈 또는 이들의 둘 이상의 조합들 중에서 둘 이상을 선택하여 이루어진다. 통합 파라미터는 마이크로스코프(microscope), 주사 전자 현미경(SEM), 또는 투과 전자 현미경(TEM)과 같은 검사 장비를 이용하여 결함의 발생 형태를 분석하고, 분석된 결함을 최적으로 나타낼 수 있는 기본 파라미터의 조합으로 설정한다.
통합 파라미터를 조건으로 분류된 분류 결과를 디스플레이 유닛(160)에 나타낸다.
통합 파라미터 모듈(140)은 저장된 기본 파라미터들을 기 설정된 계산식에 따라 통합 파라미터를 생성한다. 하지만, 소정의 계산식으로 생성된 통합 파라미터들을 통합 파라미터 모듈(140)에 저장하고, 이를 로딩(loading)하여 이용할 수 있 다.
도 3에 도시된 바와 같이, 프로세스 모듈(150)은 통합 파라미터 모듈(140) 및 적어도 하나 이상의 결함 검출 모듈들(110a, 110b, 110c, 110d)과 연결된다. 즉, 각기 다른 제조회사에 제작된 결함 검출 모듈들(110a, 110b, 110c, 110d)로부터 제공된 결함들을 동일한 파라미터를 기준으로 하여 결함들을 분류할 수 있다.
마지막으로 검출 및 분류된 결함들의 정보로부터 후속 공정 중지 여부 판단한다. 후속 공정 진행 여부는 반도체 기판(W) 상에 일정 개수 이상의 결함 존재 여부, 및 심각한 수준의 결함 존재 여부에 따라 판단한다. 이는 본 실시예에 따라 검출 및 분류된 검사 결과로부터 용이하게 판단될 수 있다.
후속 공정 중지 여부 판단 결과, 결함의 개수가 일정 개수에 미치지 않거나 공정에 심각한 영향을 미치는 결함이 검출 및 분류되지 않은 경우, 후속 정규 공정을 진행한다. 하지만 결함의 개수가 일정 개수를 넘거나 공정에 심각한 영향을 미칠 것으로 판단되면 후속 공정을 중지하고 해당 공정 설비를 정비한다.
본 실시예에 따르면, 통합 파라미터를 이용함으로써, 결함 검사 공정의 효율을 종래보다 월등히 향상시킬 수 있다. 따라서 종래에 빈번하게 수행되던 재검 공정을 상당부분 생략할 수 있으며, 실질적으로 완전한 검사 공정의 자동화를 달성할 수 있다.
본 발명에 따르면, 서로 다른 검출 장비에서 검출된 결함들을 동일한 통합 파타미터를 이용하여 분류함으로써, 일관성 있게 결함들을 분류할 수 있다. 통합 파라미터도 기준 파라미터들의 복합으로 생성함으로써, 결함들을 매우 정확하게 분류할 수 있다. 따라서 불필요한 재검사(review)에 소요되는 시간 및 비용을 크게 또는 완전히 줄일 수 있다. 또한, 결함 검사 결과의 신뢰성이 크게 향상됨으로 검사 설비의 상당부분을 자동화 시킬 수도 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (7)

  1. 피검체 상에 존재하는 결함들을 검출하는 단계; 및
    대비도(contrast), 명암도(intensity), 휘도(brightness), 사이즈(size) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 둘 이상의 파라미터들로 생성된 통합 파라미터를 조건으로 상기 검출된 결함들을 분류하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 결함들을 검출하는 단계는
    상기 피검체 상에 광을 조사하는 단계;
    상기 피검체로부터 산란된 광을 수집하는 단계;
    상기 수집된 광을 증폭하는 단계; 및
    상기 증폭된 광을 디지털 신호로 변환하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 피검체는 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 결함 검사 방법.
  4. 피검체 상에 존재하는 결함들을 검출하기 위한 결함 검출 모듈;
    대비도(contrast), 명암도(intensity), 휘도(brightness), 사이즈(size) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 둘 이상의 파라미터들로 생성된 통합 파라미터가 저장된 통합 파라미터 모듈; 그리고
    상기 통합 파라이터를 조건으로 상기 검출된 결함들을 분류하는 프로세스 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 프로세스 모듈에는 복수개의 상기 결함 검출 모듈들이 연결되고,
    상기 프로세스 모듈은 상기 복수개의 결함 검출 모듈들로부터 제공된 결함 검출 결과들을 상기 통합 파라미터를 조건으로 분류하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 결함 검출 모듈은,
    피검체 상에 광을 조사하기 위한 광원;
    상기 피검체로부터 산란된 광을 수집하기 위한 디텍터;
    상기 수집된 광을 증폭하기 위한 증폭기; 및
    상기 증폭된 광을 디지털 신호로 변하기 위한 A/D 컨버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 디텍터는 광증배관 또는 CCD(Charge-Coupled Device) 카메라를 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
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