KR20060059406A - 구동 주파수 조절에 의한 전자기유도 가속장치 - Google Patents
구동 주파수 조절에 의한 전자기유도 가속장치 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (6)
- 동일한 중심축을 가지는 서로 다른 직경의 원기둥 형상의 면을 따라 형성되어 상기 면 사이의 공간인 채널을 형성하는 내부 및 외부실린더(cylinder);상기 채널의 상측면을 따라 감겨있어 상기 채널에 자기장 및 2차전류를 유도하여 플라즈마(plasma)를 형성하는 방전코일; 및상기 내부실린더의 내측면과 상기 외부실린더의 외측면을 따라 나란하게 감아, 상기 자기장 중 축방향 자기장을 상쇄시켜 상기 플라즈마를 상기 축방향으로 가속시키되 각각 다른 주파수의 전류로 구동되는 적어도 하나의 내부 및 외부코일;을 포함하는 것을 특징으로 하는 구동 주파수 조절에 의한 전자기유도 가속장치.
- 제 1항에 있어서,상기 주파수는, 상기 플라즈마가 가속되는 방향으로 순차적으로 낮아지는 것을 특징으로 하는 구동 주파수 조절에 의한 전자기유도 가속장치.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 주파수는 0.1㎒에서 2.5㎒ 사이에서 선택되는 것을 특징으로 하는 구동 주파수 조절에 의한 전자기유도 가속장치.
- 제 1항에 있어서,상기 방전코일은, 상기 내부 및 외부코일의 주파수 중 가장 높은 주파수를 가진 전류에 의해 구동되는 것을 특징으로 하는 구동 주파수 조절에 의한 전자기유도 가속장치.
- 제 1항에 있어서,상기 내부 및 외부실린더는 유전체인 것을 특징으로 하는 구동 주파수 조절에 의한 전자기유도 가속장치.
- 제 1항의 구동 주파수 조절에 의한 전자기유도 가속장치를 사용하여 건식으로 반도체 칩 제작용 웨이퍼(wafer)를 식각하는 중성 빔(beam) 건식 에칭(etching)장치.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040098487A KR100599092B1 (ko) | 2004-11-29 | 2004-11-29 | 구동 주파수 조절에 의한 전자기유도 가속장치 |
US11/274,247 US7309961B2 (en) | 2004-11-29 | 2005-11-16 | Driving frequency modulation system and method for plasma accelerator |
EP05025265A EP1662847A3 (en) | 2004-11-29 | 2005-11-18 | Driving frequency modulation system and method for plasma accelerator |
JP2005344057A JP4647472B2 (ja) | 2004-11-29 | 2005-11-29 | 電磁誘導加速装置及びドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040098487A KR100599092B1 (ko) | 2004-11-29 | 2004-11-29 | 구동 주파수 조절에 의한 전자기유도 가속장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060059406A true KR20060059406A (ko) | 2006-06-02 |
KR100599092B1 KR100599092B1 (ko) | 2006-07-12 |
Family
ID=35892519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040098487A KR100599092B1 (ko) | 2004-11-29 | 2004-11-29 | 구동 주파수 조절에 의한 전자기유도 가속장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7309961B2 (ko) |
EP (1) | EP1662847A3 (ko) |
JP (1) | JP4647472B2 (ko) |
KR (1) | KR100599092B1 (ko) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060108931A1 (en) * | 2004-11-24 | 2006-05-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electromagnetic accelerator having nozzle part |
KR100599094B1 (ko) * | 2004-11-29 | 2006-07-12 | 삼성전자주식회사 | 코일의 권선수 조절에 의한 전자기 유도 가속장치 |
KR100709354B1 (ko) * | 2005-06-17 | 2007-04-20 | 삼성전자주식회사 | 다채널 플라즈마 가속장치 |
KR100774521B1 (ko) * | 2005-07-19 | 2007-11-08 | 주식회사 디엠에스 | 다중 안테나 코일군이 구비된 유도결합 플라즈마 반응장치 |
KR100835355B1 (ko) * | 2006-07-25 | 2008-06-04 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마를 이용한 이온주입장치 |
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US11510307B1 (en) * | 2021-05-08 | 2022-11-22 | Perriquest Defense Research Enterprises, Llc | Plasma engine using reactive species |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2004
- 2004-11-29 KR KR1020040098487A patent/KR100599092B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-11-16 US US11/274,247 patent/US7309961B2/en active Active
- 2005-11-18 EP EP05025265A patent/EP1662847A3/en not_active Withdrawn
- 2005-11-29 JP JP2005344057A patent/JP4647472B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1662847A2 (en) | 2006-05-31 |
KR100599092B1 (ko) | 2006-07-12 |
JP4647472B2 (ja) | 2011-03-09 |
US20060113182A1 (en) | 2006-06-01 |
US7309961B2 (en) | 2007-12-18 |
EP1662847A3 (en) | 2008-07-09 |
JP2006157018A (ja) | 2006-06-15 |
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Legal Events
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A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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