KR20060058038A - 플라즈마 표시장치 - Google Patents

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Abstract

각 서브필드에 대한 유지 기간에 있어서, 첫번째로 인가되는 유지 펄스를 포함하는 제1 그룹에 속하는 유지 펄스를 제2 전위로 고정하기 위한 시점이, 다른 그룹에 속하는 유지 펄스를 제2 전위로 고정하기 위한 시점에 비해 지연되는 플라즈마 표시장치.

Description

플라즈마 표시장치{PLASMA DISPLAY DEVICE}
도1은 본 발명에 따른 플라즈마 표시장치의 개략 구성을 나타낸 도면이다.
도2는 도1에 나타낸 장치의 표시면측으로부터 본 PDP의 내부 구성을 개략적으로 도시한 정면도이다.
도3은 도2에 나타낸 라인 V3-V3의 단면을 도시한 도면이다.
도4는 도2에 나타낸 라인 W2-W2의 단면을 도시한 도면이다.
도5는 입방 다결정 구조를 갖는 마그네슘 산화물 단결정을 나타낸 도면이다.
도6은 입방 다결정 구조를 갖는 마그네슘 산화물 단결정을 나타낸 도면이다.
도7은 마그네슘 산화물 층을 형성하기 위해 증가된 유전체층 및 유전체층의 표면에 마그네슘 산화물 단결정 파우더를 부착했을 때의 형태를 나타낸 도면이다.
도8은 플라즈마 표시장치에 채용된 발광 어드레싱 순서의 일 예를 나타낸 도면이다.
도9는 플라즈마 표시장치의 발광 패턴을 나타낸 도면이다.
도10은 도8에 보인 발광 어드레스 순서에 따라 PDP에 인가되는 각종 구동 펄스 및 그의 인가 타이밍을 나타낸 도면이다.
도11은 마그네슘 산화물 단결정 파우더의 입경과 CL 발광의 파장 사이의 관계를 나타낸 그래프이다.
도12는 마그네슘 산화물 단결정 파우더의 입경과 235nm에서의 CL 발광 강도 사이의 관계를 나타낸 그래프이다.
도13은, 마그네슘 산화물 층이 표시 셀에 구성되지 않았을 때의 방전 확률, 통상적인 증착에 의해 마그네슘 산화물 층이 구성되었을 때의 방전 확률, 및 다결정 구조의 마그네슘 산화물 층이 표시 셀에 구성되었을 때의 방전 확률을 나타낸 도면이다.
도14는 235nm 피크에서의 CL 발광 강도와 방전 지연 시간 사이의 대응을 나타낸 그래프이다.
도15는 도1에 도시한 장치의 X행 전극 구동회로와 Y행 전극 구동회로의 특정 구성을 나타낸 도면이다.
도16은 도15에 도시한 구동회로에 있어서의 각 전극의 전압 파형과 스위칭 동작을 나타낸 도면이다.
도17은 제1 및 제2 그룹에 있어서의 유지 펄스의 특정 파형과 스위칭 동작을 나타낸 도면이다.
본 발명은 플라즈마 표시 패널을 사용한 플라즈마 표시 장치에 관한 것이다.
근래, 박형 표시장치로서, AC형(교류 방전형) 플라즈마 표시 패널이 상업적으로 입수가능하게 되고 있다. 플라즈마 표시 패널에 있어서는, 2개의 기판, 즉, 전면 유리기판 배면 유리기판이 서로 대향하여 소정 간격으로 배치되어 있다. 표시면으로서 상기 전면 유리기판의 내면(배면 유리 기판에 대향하는 면)에는, 다수의 행전극쌍이 유지 전극쌍으로서 형성되어 있으며, 이들은 서로 쌍으로 되어 평행하게 연장된다. 상기 배면 유리기판상에는, 다수의 열전극쌍이 연장되고 상기 행전극쌍과 교차하여 어드레스 전극으로서 형성되어 있으며, 이들은 형광물질로 코팅되어 있다. 표시면측에서 보았을 때, 화소에 대응하는 표시 셀은 열전극과 행전극쌍의 교차부에 형성된다. 상기 플라즈마 표시 패널에는, 입력 영상 신호에 대응하여 하프톤 표시 휘도를 얻기 위해 서브필드법을 사용한 계조 어드레싱이 실행된다. 상기 서브필드법에 기초한 계조 어드레싱에 있어서는, 복수의 서브필드가 제공된다. 발광을 행하기 위한 시간의 횟수(또는 기간)가 할당되는 각 서브필드에는, 1 필드의 비디오 신호에 대해 디스플레이 어드레싱이 실행된다. 또한, 각 서브필드에 있어서는, 어드레스 스테이지와 서스테인 스테이지가 번갈아 실행된다. 어드레스 스테이지에 있어서는, 입력 영상 신호에 따라, 각 표시 셀에서 행전극과 열전극간에 선택적 방전이 선택적으로 발생되어 소정량의 벽 전하를 형성한다(또는 그를 제거한다). 서스테인 스테이지에 있어서는, 소정량의 벽 전하가 형성되는 표시 셀만 반복적으로 방전되고, 그 방전에 연관되어 발광 상태기 유지된다. 또한, 적어도 선두 서브필드에서는, 어드레스 스테이지에 앞서, 초기화 스테이지가 실행된다. 초기화 스테이지에 있어서는, 모든 표시 셀에 있어서, 상기 쌍으로 되는 행전극간에 리세트 방전이 발생되어, 모든 표시 셀에 잔존하는 벽 전하의 양을 초기화하는 초기화 스테이지를 실행한다.
상기 서스테인 스테이지에 있어서는, 거의 동시에 많은 셀들에 있어서 방전을 발생하도록 많은 표시 셀들이 점등 상태에서 세트되고 유지 펄스가 인가되는 경우에, 다량의 전류가 일시에 흘러 유지 펄스의 전압 파형에 왜곡이 야기된다. 따라서, 방전을 개시하기 위한 시점에 있어서의 약간의 시프트에 따라, 방전시 인가되는 전압치가 각 표시 셀에서 변화되고, 방전 강도의 불균일이 초래되어, 화질이 열화된다.
본 발명의 목적은 화질을 개선하기 위해 각 표시 셀에 있어서의 방전 강도의 변동을 방지할 수 있는 플라즈마 표시장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 표시장치는, 입력 영상 신호에 따라 플라즈마 표시패널상에 화상을 표시하기 위한 장치로서, 상기 플라즈마 표시 패널은, 복수의 행전극쌍과, 이 복수의 행전극쌍과 직교하는 복수의 열전극을 갖고 그 교점에 표시 셀을 각각 형성하며, 상기 입력 영상 신호의 1필드에 대한 표시 기간은, 화상 표시를 위해 어드레스 기간과 유지 기간으로 각각 형성되는 복수의 서브필드로 구성되고, 상기 플라즈마 표시장치는, 상기 어드레스 기간에 있어서의 영상신호에 기초한 화소 데이터에 따라 상기 표시 셀의 각각에 있어서의 어드레스 방전을 선택적으로 발생하기 위한 어드레스 수단; 상기 유지 기간에 상기 각 행전극쌍을 형성하는 행전극들간에 유지 펄스를 인가하기 위한 유지 수단; 및 모든 표시 셀에 리세트 방전을 발생하기 위해 1필드의 표시기간에 있어서의 적어도 하나의 서브필드에 대한 어드레스 기간 전에 상기 행전극쌍을 형성하는 행전극들간에 리세트 펄스를 인가하기 위한 리세트 수단을 포함하고, 상기 유지 수단은, 제1 전위로부터 제2 전위로 각 행전극쌍의 행전극의 전위의 공진 천이를 행하기 위한 제1 천이 수단; 상기 행전극의 전위를 상기 제2 전위로 고정하기 위한 클램프 수단; 및 상기 제2 전위로부터 상기 제1 전위로 상기 행전극의 전위의 공진 천이를 행하기 위한 제2 천이 수단을 포함하고, 상기 제1 전위로부터 상기 제2 전위로 천이를 행하기 위한 제1 스텝, 상기 제2 전위로 고정하는 제2 스텝, 및 상기 제2 전위로부터 상기 제1 전위로 천이를 행하기 위한 제3 스텝은, 상기 유지 펄스를 발생하도록 순차적으로 실행되며, 상기 서브필드의 각각에 대한 유지 기간에서, 첫번째로 인가되는 유지 펄스를 포함하는 제1 그룹에 속하는 적어도 하나의 유지 펄스를 제2 전위로 고정하기 위한 시점은, 다른 그룹에 속하는 유지 펄스를 제2 전위로 고정하기 위한 시점에 비해 지연된다.
이하, 본 발명에 따른 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도1은 본 발명에 따른 플라즈마 표시장치의 개략 구성을 나타낸 도면이다.
도1에 나타낸 바와 같이, 플라즈마 표시장치는, 플라즈마 표시 패널로서의 PDP(50), X행 전극 구동회로(51), Y행 전극 구동회로(53), 열전극 구동회로(55) 및 구동제어회로(56)로 구성된다.
PDP(50)에 있어서, 열전극 D1 내지 Dm은 2차원 화면의 종방향(수직 방향)으로 배열되고, 행전극 X1 내지 XN 및 행전극 Y1 내지 YN 은 그의 횡방향(수평 방향)으 로 배열된다. 행전극 X1 내지 XN 및 행전극 Y1 내지 YN 은, PDP(50)의 제n 표시 라인에 대해 제1 표시 라인으로 작용하고 서로 인접한 것들과 쌍으로 되는 행전극쌍 (X1,Y1), (X2,Y2), (X3,Y3), ..., (Xn,Yn)을 형성한다. 열전극 D1 내지 Dm과 표시 라인의 각 교차부(도1에 점선으로 둘러싸인 영역)에는, 화소로 기능하는 표시 셀(PC)이 형성된다. 보다 구체적으로 설명하면, PDP(50)에 있어서, 제1 표시 라인에 속하는 PC1,1 내지 PC1 ,m, 제2 표시 라인에 속하는 PC2 ,1 내지 PC2 ,m, 및 제n 표시 라인에 속하는 PCn ,1 내지 PCn ,m이 매트릭스 형태로 각각 배치된다.
PDP(50)의 열전극 D1 내지 Dm의 각각은 열전극 구동회로(55)에 접속되고, 행전극 X1 내지 Xn의 각각은 X행 전극 구동회로(51)에 접속되며, 행전극 Y1 내지 Yn의 각각은 Y행 전극 구동회로(53)에 접속된다.
도2는 표시면측으로부터 본 PDP(50)의 내부 구성을 개략적으로 도시한 정면도이다. 도2는 PDP(50)의 제1 표시 라인(Y1, X1) 및 제2 표시 라인(Y2, X2)과 열전극 D1 내지 D3의 각 교차부의 각각을 나타낸다. 도3은 도2에 있어서 라인 V3-V3의 PDP(50)의 단면을 도시한 도면이고, 도4는 도2에서 라인 W2-W2의 PDP(50)의 단면을 도시한 도면이다.
도2에 나타낸 바와 같이, 행전극(X)의 각각은 2차원 화면에서 수평 방향으로 연장되는 버스 전극(Xb) 및 상기 버스 전극(Xb) 상의 각 표시 셀(PC)에 대응하는 위치에 접하도록 형성된 T자형 투명전극(Xa)으로 구성된다. 행전극(Y)의 각각은 2 차원 화면의 수평 방향으로 연장되는 버스 전극(Yb) 및 상기 버스 전극(Yb) 상의 각 표시 셀(PC)에 대응하는 위치에 접하도록 형성된 T자형 투명전극(Ya)으로 구성된다. 상기 투명전극 Xa 및 Ya는 ITO와 같은 투명 도전막으로 형성되고, 상기 버스 전극 Xb 및 Yb는 예컨대 금속막으로 형성된다. 도3에 도시된 바와 같이, 투명전극 Xa 및 버스 전극 Xb로 형성된 행전극(X)에 대해, 또한 투명전극 Ya 및 버스 전극 Yb로 형성된 행전극(Y)에 대해, 그의 전면(前面)이 PDP(50)의 표시면으로 되는 전면(前面) 투명기판(10)의 배면에 형성된다. 각 행전극쌍(X, Y)에 있어서의 투명전극 Xa 및 Ya는 쌍으로 되는 상대 행전극으로 연장되고, 넓어진 부분의 평탄한 상부는 소정 폭의 방전갭(g1)을 통해 서로 대면한다. 또한, 전면 투명기판(10)의 배면상에는, 두 2차원 화면의 수평방향으로 연장되는 흑색 또는 어두운 광흡수층(음영층)(11)이 한쌍의 행전극쌍(X1,Y1)과 이 행전극쌍(X1,Y1)에 인접한 행전극쌍(X2,Y2) 사이에 형성된다. 또한, 전면 투명기판(10)의 배면에는, 행전극쌍(X,Y)을 덮도록 유전체층(12)이 형성된다. 상기 유전체층(12)의 배면(행전극쌍이 접하는 표면에 대향하는 면)에는, 도3에 나타낸 바와 같이 광흡수층(11)과 이 광흡수층(11)에 인접한 버스 전극(Xb, Yb)이 형성되는 영역에 대응하는 부분에 증가된 유전체층(12A)이 형성된다. 상기 유전체층(12)과 상기 증가된 유전체층(12A)의 표면에는, 후술되는, 기상(氣相) 마그네슘 산화물(MgO) 단결정 파우더를 포함하는 마그네슘 산화물 층(13)이 형성된다.
한편, 전면 투명기판(10)과 평행하게 배치된 배면 기판(14)상에는, 각 행전 극(X,Y)에 있어서 투명전극(Xa,Ya)과 면하는 위치에 상기 행전극(X,Y)에 대해 수직인 방향으로 연장되도록 각 열전극(D)이 형성된다. 배면기판(14)에는, 열전극(D)을 피복하는 백색의 열전극 보호층(15)이 더 형성된다. 상기 열전극 보호층(15)상에는, 격벽(16)이 형성된다. 상기 격벽(16)은, 각 행전극(X,Y)의 버스 전극(Xb, Yb)에 대응하는 위치에 상기 두 2차원 화면의 횡 방향으로 연장되는 횡벽(16A)과, 서로 인접한 열전극(D)들 사이의 중간에 상기 두 2차원 화면의 방향으로 연장되는 수직벽(16B)과의 래더 형태로 형성된다. 또한, 도2에 나타낸 바와 같이 래터 형태의 격벽(16)은 PDP(50)의 표시라인마다 형성되고, 도2에 도시한 바와 같이 서로 인접한 격벽(16)들간에는 공간(SL)이 존재한다. 반면에, 래터 형태의 격벽(16)은 방전 공간(S)을 포함하는 표시 셀(PC)을 구획하고, 투명전극 Xa와 Ya 각각은 분리되어 있다. 상기 방전 공간(S)에는 크세논 가스를 포함하는 방전 가스가 충전되어 있다. 표시 셀((PC)의 각각에 있어서의 상기 횡벽(16A)의 측면, 상기 수직벽(16B)의 측면, 및 상기 열전극 보호층(15)의 표면에는, 도3에 도시한 바와 같이 그 전체 면을 덮도록 형광물질층(17)이 형성된다. 상기 형광물질층(17)은 실제로 3가지 형태의 형광물질, 즉, 적색 발광용 형광물질, 녹색 발광용 형광물질, 및 청색 발광용 형광물질로 형성된다. 각 표시 셀(PC)의 방전 공간(S) 및 공간(SL)은 도3에 나타낸 바와 같이 횡벽(16A)에 대해 마그네슘 산화물 층(13)를 당접시킴으로써 서로 근접되어 있다. 다른 한편, 도4에 나타낸 바와 같이, 수직벽(16B)은 마그네슘 산화물 층(13)에 대해 당접되지 않기 때문에, 그 사이에 공간(r1)이 존재한다. 구체적으로 설명하면, 2차원 화면의 황방향으로 서로 인접한 각 표시 셀(PC)의 방전 공간(S)은 공간(r1)을 통해 서로 연통한다.
여기에서, 마그네슘 산화물 층(13)을 형성하는 마그네슘 산화물 결정은, 200 내지 300nm의 파장 범위내(특히, 230 내지 250nm 내의 235nm 근방)에 피크를 갖는 CL 발광을 행하도록 전자 빔을 조사함으로써 여기되는 기상 마그네슘 산화물 결정 등의 마그네슘을 가열함으로써 생성되는 마그네슘 증기의 기상 산화에 의해 얻어지는 단결정을 포함한다. 상기 기상 마그네슘 산화물 결정은, 도5에 도시한 바와 같이 SEM 포토 이미지에 있어서 입방 결정이 서로 합치되는 다결정 구조, 또는 도6에 도시한 바와 같이 SEM 포토 이미지에 있어서의 입방 단결정 구조로 2000 Å 이상의 입경을 갖는 마그네슘 단결정을 포함한다. 상기 마그네슘 단결정은 다른 방법에 의해 생성되는 마그네슘 산화물보다 높은 순도, 보다 미세한 입자, 보다 덜한 입자의 응집성의 특징을 가지며, 이는 방전 지연 등에 있어서의 방전 특성을 향상시키는 데 기여한다. 더욱이, 본 실시예에 있어서, 사용되는 기상 마그네슘 산화물 단결정은 BET법에 의해 측정된 500 Å 이상, 바람직하게는 2000 Å 이상의 평균 입경을 갖는다. 다음, 도7에 나타낸 바와 같이, 마그네슘 산화물 단결정은 스프레이 또는 전자 코팅(electrostatic coating)에 의해 유전체층(12)의 표면에 부착되어 마그네슘 산화물 층을 형성한다. 또한, 마그네슘 산화물 층은, 증착 또는 스퍼터링에 의해 상기 유전체층(12) 및 상기 증가된 유전체층(12A)의 표면에 얇은 마그네슘 산화물 층을 형성시키고 그 위에 기상 마그네슘 산화물 단결정을 부착시킴으로서 형성할 수도 있다.
구동제어회로(56)는 도8에 도시된 바와 같이 서브필드법(서브프레임법)을 사 용한 발광 어드레싱 순서에 따라 상기 구조를 갖는 PDP(50)를 구동하는 각종 제어신호를, X행 전극 구동회로(51), Y행 전극 구동회로(53) 및 열전극 구동회로(55)에 공급한다. 상기 X행 전극 구동회로(51), Y행 전극 구동회로(53) 및 열전극 구동회로(55)는, 도8에 도시된 바와 같은 발광 어드레싱 순서에 따라 PDP(50)에 공급되는 각종 구동펄스를 생성하고 그들을 PDP(50)에 공급한다.
도8에 도시한 발광 어드레싱 순서에 있어서, 1필드(1프레임)에 대한 표시기간은 서브필드 SF1 내지 SF12를 갖고, 어드레스 스테이지 W와 서스테인 스테이지 I는 서브필드 SF1 내지 SF12의 각각에서 실행된다.
또한, 선두 서브필드 SF1에서만, 리세트 R이 어드레스 스테이지 W에 앞서 실행된다. 서브필드 SF1 내지 SF12에 대한 서스테인 스테이지 I의 기간은 SF1 내지 SF12의 순서로 길어진다. 더욱이, 어드레스 스테이지 W가 실행되는 기간은 어드레스 기간이고, 서스테인 스테이지 I가 행해지는 기간은 유지 기간이다.
도9는 도8에 나타낸 발광 어드레싱 순서에 기초하여 실행되는 모든 발광 어드레싱을 도시한 도면이다. 13 계조가 서브필드 SF1 내지 SF12의 발광 어드레싱 순선에 의해 형성된다. 도9에 도시한 바와 같이, 서브필드 SF1 내지 SF12에 있어서의 하나의 서브필드의 어드레스 스테이지에 W에 있어서, 선택적 소거 방전이 각 계조(검은 동그라미로 표시) 마다 표시 셀의 각각에 대해 실행된다. 보다 구체적으로 설명하면, 리세트 스테이지 R을 실행함으로써 PDP(50)의 모든 표시 셀에 형성된 벽 전하는선택적 소거 방전이 실행될 때까지 잔존하며, (하얀 동그라미로 표시된) 그 나머지 기간에 포함된 각 서브필드(SF)의 서스테인 스테이지 I에 있어서의 방전 및 발광을 촉진한다. 각 표시 셀은 선택적 소거 방전이 1필드 기간에 대해 행해지는 동안 발광상태로 되고, 상기 발광 상태의 길이에 의해 13 계조가 얻어질 수 있다.
도10은 PDP(50)의 열전극(D), 및 행전극 X 및 Y에 인가되는 각종 구동 펄스 의 인가 타이밍을 나타낸 도면으로, 서브필드 SF1 내지 SF12로부터 SF1 및 SF2를 추출한 것이다.
선두 서브필드 SF1에서만 어드레스 스테이지 W에 앞서 실행되는 리세트 스테이지 R에 있어서, 행전극 구동회로(51)는 도10에 나타낸 바와 같이 네가티브 리세트 펄스 RPX를 행전극 X1 내지 Xn에 동시 인가한다. 상기 리세트 펄스 RPX는 그 전압치가 시간의 경과에 따라 피크 전압치에 달하도록 서서히 증가되는 펄스 파형을 갖는다. 또한, 리세트 펄스 RPX의 인가와 동시에, 행전극 구동회로(53)는 도10에 나타낸 바와 같이 상기 리세트 펄스 RPX와 유사하게 그 전압치의 시간 경과에 따라 피크 전압치에 달하도록 서서히 증가되는 파형을 갖는 포지티브 리세트 펄스 RPY를 행전극 Y1 내지 Yn에 동시 인가한다. 상기 리세트 펄스 RPX 및 리세트 펄스 RPY의 인가와 동시에, 모든 표시 셀 PC1 ,1 내지 PCn ,m의 각각에 있어서 행전극 X와 Y 사이에 리세트 방전이 발생된다. 리세트 방전이 종료된 후, 상기 각 표시 셀(PC)의 방전 공간(S)에 마그네슘 산화물 층(13)의 표면에 소정량의 벽 전하가 형성된다. 보다 구제척으로 설명하면, 소위 벽 전하란, 정전하가 마그네슘 산화물 층(13)의 표면상의 행전극 X 근방에 형성되고 부전하가 행전극 Y 근방에 형성되도록 형성되는 상태를 말한 다.
기상 마그네슘 산화물 층(13)이 보호층으로서 제공되는 패널상에 있어서는, 방전 확률이 매우 높기 때문에, 약한 벽 전하가 안정적으로 발생된다. 넓은 팁에 있어서 범프, 특히 T자형 전극을 조합함으로써, 리세트 방전이 방전갭 부근에서 국소적으로 일어나며, 이에 따라 모든 행전극에서 발생되는 방전과 같은 갑작스런 리세트 방전이 일어날 가능성이 더욱 억제된다. 따라서, 열전극과 행전극 간에서는 방전이 거의 일어나지 않으며, 안정적이고 약한 리세트 방전이 단시간 동안 발생될 수 있다.
더욱이, 기상 마그네슘 산화물 층(13)이 제공되는 구성에 있어서는, 방전 확률이 상당히 증가되기 때문에, 단일 리세트 펄스의 인가, 즉 1회 리세트 방전은 프라이밍 효과를 지속시키도록 한다. 이에 따라, 리세트 동작 및 선택적 소거 동작이 더욱 안정화될 수 있다. 또한, 리세트 방전을 행하기 위한 시간의 횟수가 최소화되어 콘트라스트를 향상시킨다.
다음, 서브필드 SF1 내지 SF12의 각각에 있어서의 어드레스 스테이지 W에 있어서, Y행 전극 구동회로(53)는 모든 행전극 Y1 내지 Yn에 정(+)전압을 인가하고, 행전극 Y1 내지 Yn의 각각에 부(-)전압을 갖는 주사 펄스 SP를 순차적으로 인가한다. 이것이 행해지는 동안, X행 전극 구동회로(51)는 전극 X1 내지 Xn의 전위를 O V로 변경한다. 상기 열전극 구동회로(55)는 서브필드 SF1에 대응하는 화소 구동 데이터 비트 그룹 DB1을 그의 논리 레벨에 대응하는 펄스전압을 갖는 화소 데이터 펄 스 DP로 변환한다. 예를 들어, 열전극 구동회로(55)는 논리레벨 0의 화소 구동데이터 비트를 포지티브 고전압의 화소 데이터 펄스(DP)로 변환하고, 논리레벨 1의 화소 구동데이터 비트를 저전압(0 V)의 화소 데이터 펄스(DP)로 변환한다. 이때, 열전극 구동회로는 주사 펄스(SP)의 인가 타이밍과 동기화하여 각 표시 라인에 대한 열전극(D1 내지 Dm)에 화소 데이터 펄스(DP)를 인가한다. 보다 구체적으로, 열전극 구동회로(55)는 우선 제1 표시라인에 대응하는 m개 펄스의 화소 데이터 펄스(DP)로 형성된 화소 데이터 펄스 그룹(DP1)을 열전극 D1 내지 Dm에 인가하고, 그리고 나서 제2 표시라인에 대응하는 m개 펄스의 화소 데이터 펄스(DP)로 형성된 화소 데이터 펄스 그룹(DP2)을 열전극 D1 내지 Dm에 인가한다. 네거티브 전압의 주사 펄스(SP) 및 고전압의 화소데이터 펄스(DP)가 동시에 인가되는 표시 셀(PC)에서의 열전극(D)과 행전극(Y) 사이에서, 선택적 소거 방전이 발생하여 표시 셀(PC)에서 형성된 벽 전하를 제거하게 된다. 한편, 주사 펄스(SP) 뿐만 아니라 저전압(0 V)의 화소 데이터 펄스(DP)가 인가되는 표시 셀(PC)에서는 전술한 선택적 소거 방전이 발생하지 않는다. 따라서, 벽 전하를 형성하는 상태는 표시 셀(PC)에서 유지된다. 보다 상세하게는, 벽 전하는 표시 셀(PC)에서 존재할 때의 상태로 존재하는 반면에, 벽 전하를 형성하지 않는 상태는 벽 전하가 존재하지 않을 때 유지된다.
이러한 방식으로, 선택적 소거 어드레스법에 기초한 어드레스 단계(W)에 있어서, 선택적 소거 어드레싱 방전은 서브필드에 대응하는 화소 구동 데이터 비트 그룹에서의 각 데이터 비트에 따라 각 표시 셀에서 선택적으로 발생하고, 벽 전하 는 제거된다. 따라서, 벽 전하가 존재하는 표시 셀(PC)은 발광 상태로 설정되고 변 전하가 제거된 표시 셀(PC)은 비발광 상태로 설정된다.
이어서, 각 서브필드에서의 유지 단계Ⅰ에서, X행 전극 구동회로(51)와 Y행 전극 구동회로(53)는 번갈아 반복적으로 포지티브 유지 펄스(IPx) 및 유지펄스(IPY)를 행전극 X1 내지 Xn 및 행전극 Y1 내지 Yn에 인가한다. 유지 펄스(IPx 및 IPY)를 인가하는 횟수는 각 서브필드에서의 휘도 세기에 의존한다. 유지 펄스(IPx 및 IPY)가 인가되는 각 시간에서, 소정 량의 벽 전하가 형성된 발광상태의 표시 셀(PC)만이 방전을 유지하고, 형광물질층(17)은 이러한 방전과 연관되어 빛을 방출하여 패널 표면에 영상을 형성하게 된다.
전술한 바와 같이, 각 표시 셀(PC) 내에 형성된 마그네슘 산화물 층(13)에 포함된 기상(氣相) 마그네슘 단결정이 전자빔을 조사하여 여기됨으로써, 도11에 도시된 바와 같이 200nm 내지 300nm(특히 230 내지 250nm 내의 235nm 근방)의 파장 범위에서 피크를 갖는 CL 발광을 하게 된다. 도12에 도시된 바와 같이, 각 기상 마그네슘 산화물 결정의 입경이 크게 되면 될수록, CL 발광의 피크 강도도 커지게 된다. 보다 구체적으로, 마그네슘이 기상 마그네슘 산화물 결정을 생성함에 있어서 통상적인 온도보다 높은 온도로 가열될 때, 도5 또는 도6에 도시된 바와 같이 2000Å 이상의 입경을 갖는 비교적 큰 단결정 뿐만 아니라 500Å의 평균 입경을 갖는 기상 마그네슘 산화물 단결정이 형성된다. 마그네슘을 가열하는 온도가 통상보다 높기 때문에, 마그네슘을 산소와 반응시켜 생성되는 불꽃의 길이도 길어진다. 따라 서, 불꽃의 온도와 대기온도와의 차이가 커지게 되고, 따라서 큰 입경을 갖는 기상 마그네슘 산화물 단결정 그룹은 특히 200 내지 300nm(특히 235nm 근방)에 대응하는 고에너지의 단결정을 다수 포함하게 된다.
도13은 방전 확률(가능성)을 도시하는 도표이다: 마그네슘 산화물 층이 표시 셀(PC)에 제공되지 않았을 때의 방전 확률; 마그네슘 산화물 층이 통상의 증착에 의해 구성되었을 때의 방전 확률; 및 전자빔의 조사에 의해 200 내지 300nm(특히 230 내지 250nm 내의 235nm 근방)에서 피크를 갖는 CL 발광을 생성하는 기상 마그네슘 산화물 단결정을 포함하는 마그네슘 산화물 층이 제공되었을 때의 방전 확률. 또한, 도13에서 수평축은 방전 유보 시간, 즉 방전 발생 후 다음 방전까지의 시간 간격이다.
이와 같이, 각 표시 셀(PC) 내의 방전 공간(S)에서, 도5 또는 도6에 도시된 바와 같이 전자빔의 조사에 의해 200 내지 300nm(특히 230 내지 250nm 내의 235nm 근방)에서 피크를 갖는 CL 발광을 생성하는 기상 마그네슘 산화물 단결정을 포함하는 마그네슘 산화물 층(13)이 형성되면, 방전 확률은 통상의 증착에 의해 마그네슘 산화물 층이 형성된 경우보다 높게 된다. 또한, 도14에 도시된 바와 같이 전술한 기상 마그네슘 산화물 단결정의 경우, 전자빔 조사시 235nm에서 특히 피크를 갖는 CL 발광의 강도가 강해질수록 방전 공간(S)에서 발생하는 방전 지연을 짧게 할 수 있다.
따라서, 표시화상과 관련이 없는 리세트 방전과 연관된 발광을 억제하고 콘트라스트를 개선시키기 위해, 도10에 도시된 바와 같이 행 전극에 인가되는 리세트 펄스의 전압 천이가 완만하게 이루어지게 하여 리세트 방전을 약화시킴에도 불구하고, 이러한 약한 리세트 방전은 단시간 동안 안정화될 수 있다. 특히, 각 표시 셀(PC)은, T자형 투명 전극(Xa 및 Ya) 사이의 방전 갭 근처에 국소적인 방전이 발생되는 구조를 채택하고 있기 때문에, 강하면서 갑작스러운 리세트 방전(모든 행전극에서 방전될 수 있음)이 억제될 수 있고, 열전극과 행전극 사이의 에러 방전도 억제될 수 있다.
또한, 증가된 방전 확률(짧아진 방전 지연)은 리세트 단계(R)에서의 리세트 방전에 의한 길고 연속적인 프라이밍(priming) 효과를 나타내기 때문에, 어드레스 단계(W)에서 생성된 어드레스 방전과 유지단계Ⅰ에서 생성된 유지방전은 고속이다. 따라서, 도10에 도시한 바와 같이 어드레스 방전을 생성하기 위해 열전극(D) 및 행전극(Y)에 인가되는 화소 데이터 펄스(DP) 및 주사 펄스(SP)의 펄스폭은 짧아질 수 있다. 그만큼 어드레스 단계(W)에 대한 처리시간이 짧아질 수 있다. 또한, 도10에 도시된 바와 같이 유지 방전을 생성하기 위해 행전극(Y)에 인가되는 유지 펄스(IPY)의 펄스폭은 짧아질 수 있다. 그만큼 유지단계Ⅰ에 대한 처리시간이 짧아질 수 있다.
따라서, 각 어드레스 단계(W) 및 유지단계 Ⅰ에 대해 짧아진 처리시간 만큼, 하나의 필드(또는 하나의 프레임) 표시 기간에서 제공되는 서브필드의 수가 증가될 수 있고, 계조의 수도 증가될 수 있다.
도15는 전극 Xj 및 Yj에 대한 X행 전극 구동 회로(51) 및 Y행 전극 구동 회 로(53)의 특정 구성을 나타내고 있다. 전극 Xj는 전극 X1부터 Xn 중 j번째 라인의 전극이고 전극 Yj는 전극 Y1 부터 Yn 중 j번째 라인의 전극이다. 전극 Xj 및 Yj 사이의 부분은 커패시터 CO로서 기능한다.
X행 전극 구동 회로(51)에는 2개의 전원(B1, B2)이 제공되어 있다. 전원 B1은 전압 Vs, 예를 들어 170 V를 출력하고, 전원 B2는 전압 Vr, 예를 들어 190 V를 출력한다. 전원 B1의 포지티브 단자는 스위칭 소자(S3)를 통해 전극 Xj에 대한 접속 라인(21)에 접속되고, 네거티브 단자는 접지되어 있다. 접속 라인(21)과 접지 사이에서, 스위칭 소자(S4)가 접속되어 있고, 또한 스위칭 소자(S1), 다이오드(D1) 및 코일(L1)로 형성된 직렬회로 뿐만 아니라 코일(L2), 다이오드(D2) 및 스위칭 소자(S2)로 형성된 직렬회로가 공통으로 커패시터(C1)를 통해 접지 측에 접속되어 있다. 또한, 다이오드(D1)는 커패시터(C1)측에 양극을 갖고, 다이오드(D2)는 커패시터(C1)측이 음극으로서 접속되어 있다. 또한, 전원 B2의 네거티브 단자는 스위칭 소자(S8) 및 저항기(R1)를 통해 접속라인(21)에 접속되고, 전원 B2의 포지티브 단자는 접지되어 있다.
Y행 전극 구동회로(53)에는 4개의 전원(B3~B6)이 제공되어 있다. 전원 B3는 전압 Vs, 예를 들어 170 V를 출력하고, 전원 B4는 전압 Vr, 예를 들어 190 V를 출력하며, 전원 B5는 전압 Voff, 예를 들어 140 V를 출력하고, 전원 B6는 전압 Vh, 예를 들어 160V(Vh > Voff)를 출력한다. 전원 B3의 포지티브 단자는 스위칭 소자(S13) 를 통해 스위칭 소자(S15)에 대한 접속라인(22)에 접속되고, 네거티브 단자는 접지되어 있다. 접속 라인(22)과 접지 사이에서, 스위칭 소자(S14)가 접속되어 있고, 또한 스위칭 소자(S11), 다이오드(D3) 및 코일(L3)로 형성된 직렬회로 뿐만 아니라 코일(L4), 다이오드(D4) 및 스위칭 소자(S12)로 형성된 직렬회로가 공통으로 커패시터(C2)를 통해 접지 측에 접속되어 있다. 또한, 다이오드(D3)는 커패시터(C2)측에 양극을 갖고, 다이오드(D4)는 커패시터(C2)측이 음극으로서 접속되어 있다.
접속라인(22)은 스위칭 소자(S15)를 통해 전원 B6의 네거티브 단자에 대한 접속라인(23)에 접속되어 있다. 전원 B5의 포지티브 단자는 접지되어 있고, 전원 B4의 포지티브 단자는 스위칭 소자(S16) 및 저항기(R2)를 통해 접속라인(23)에 접속되어 있다. 전원 B5의 네거티브 단자는 스위칭 소자(S17)를 통해 접속라인(23)에 접속되어 있다.
전원 B6의 포지티브 단자는 스위칭 소자(S21)를 통해 전극 Yj에 대한 접속라인(24)에 접속되어 있고, 접속라인(23)에 접속된 전원 B6의 네거티브 단자는 스위칭 소자(S22)를 통해 접속라인(24)에 접속되어 있다. 다이오드(D5)는 스위칭 소자(S21)와 병렬로 접속되고, 다이오드(D6)는 스위칭 소자(S22)와 병렬로 접속되어 있다. 다이오드(D5)는 접속라인(24)측에 양극을 갖고, 다이오드(D6)는 접속라인(24)측이 음극으로서 접속되어 있다.
구동 제어 회로(56)는 스위칭 소자(S1 내지 S4, S8, S11 내지 S17, S21 및 S22)의 온/오프를 제어한다.
또한, Y행 전극 구동회로(53)에서, 전원 B3, 스위칭 소자(S11 내지 S15), 코일(L3 및 L4), 다이오드(D3 및 D4) 및 커패시터(C2)는 유지 구동부를 구성하고, 전원 B4, 저항기(R2) 및 스위칭 소자(S16)는 리세트 구동부를 구성하며, 나머지 전원 B5 및 B6, 스위칭 소자(S13, S17, S21, S22) 및 다이오드(D5, D6)는 주사 구동부를 구성한다.
다음으로, 상기 구성의 X행 전극 구동 회로(51) 및 Y행 전극 구동 회로(53)의 동작은 도 16에 도시된 타임 챠트를 참조하여 설명한다.
우선, 리세트 단계에서, X행 전극 구동회로(51)의 스위칭 소자(S8)는 온으로되고, Y행 전극 구동회로(53)의 스위칭 소자(S16 및 S22)는 모두 온으로 된다. 다른 스위칭 소자는 오프로 된다. 스위칭 소자 S16 및 S22를 온으로 함으로써, 스위칭 소자(S16), 저항기(R2) 및 스위칭 소자(S22)를 통해 전원 B4의 포지티브 단자로부터 전극 Yj로 전류가 통하게 된다. 또한, 스위칭 소자 S8을 온으로 함으로써, 저항기(R1) 및 스위칭 소자(S8)를 통해 Xj 전극으로부터 전원(B2)의 네거티브 단자로 전류가 통하게 된다. 전극 Xj의 전위는 커패시터(CO) 및 저항기(R1)의 시정수에 따라 점차 감소하고 리세트 펄스(PRx)가 되는 반면에, 전극 Yj의 전위는 커패시터(CO) 및 저항기(R2)의 시정수에 따라 점차 증가하고 리세트 펄스(PRY)가 된다. 리세트 펄스(PRx)는 최종적으로 전압 -Vr이 되고, 리세트 펄스(PRY)는 최종적으로 전압 Vr이 된다. 리세트 펄스(PRx)는 동시에 모든 전극 X1 부터 Xn에 인가되고, 리세트 펄스(PRY)는 Y1 내지 Yn 각 전극에 대해 생성되어 모든 전극 Y1 내지 Yn에 인가된다.
리세트 펄스(PRx 및 PRY)의 동시 인가는 PDP(1)의 모든 표시 셀이 방전되어 하전된 입자를 생성하도록 여기되며, 방전의 종료 후, 소정 량의 벽 전하가 모든 표시 셀의 유전체층 상에 고르게 형성되게 한다.
리세트 펄스(PRx 및 PRY)의 레벨이 포화된 후에, 스위칭 소자(S8 및 S16)는 리세트 단계가 종료되기 전에 오프로 된다. 또한, 이때 스위칭 소자(S4, S14 및 S15)는 온으로 되고 전극 Xj 및 Yj는 모두 접지된다. 따라서, 리세트 펄스(PRx 및 PRY)는 사라지게 된다.
이어서, 어드레스 단계가 개시되면, 동시에 스위칭 소자(S14, S15 및 S22)는 오프로 되고 스위칭 소자(S17)는 온으로 되며 스위칭 소자(S21)는 온으로 된다. 따라서, 전원 B6는 직렬로 전원 B5에 연결되기 때문에 전원 B6의 포지티브 단자의 전위는 Vh-Voff가 된다. 포지티브 전위는 스위칭 소자(S21)를 통해 전극 Yj에 인가된다.
어드레스 단계에서, 열 전극 구동 회로(55)는 영상 신호에 따른 각 화소에 대한 화소 데이터를, 그 논리레벨에 대응하는 전압값을 갖는 화소 데이터 펄스(DP1 내지 DPn)로 변환하고, 이들 펄스를 각 표시 라인에 대한 열전극(D1 내지 Dm)으로 순차적으로 인가한다. 도16에 도시된 바와 같이, 전극 Yj, Yj +1에 대한 화소 데이터 펄스 DPj, DPj +1은 열전극 Di에 인가된다.
Y행 전극 구동 회로(53)는 네거티브 전압의 주사 펄스(SP)를, 각각의 화소 데이터 펄스 그룹(DP1 내지 DPn)의 타이밍에 동기화하여 행전극(Y1 내지 Yn)에 순차적으로 인가한다.
열전극 구동회로(55)로부터의 화소 데이터 펄스(DPj)의 인가와 동기화하여, 스위칭 소자(S21)는 오프로 되고 스위칭 소자(S22)는 온으로 된다. 따라서, 전원 B5의 네거티브 단자의 네거티브 전위 -Voff가, 스위칭 소자(S17) 및 스위칭 소자(S22)를 통한 주사 펄스(SP)로서 전극 Yj에 인가된다. 그리고 나서, 열전극 구동회로(55)로부터의 화소 데이터 펄스(DPj)의 인가 중단과 동기화하여, 스위칭 소자(S21)는 온으로 되고 스위칭 소자(S22)는 오프로 되며, 전원 B6의 포지티브 단자의 전위 Vh-Voff가 스위칭 소자(S21)를 통해 전극 Yj에 인가된다. 그런 다음, 도16에 도시한 바와 같이, 주사펄스(SP)는 전극 Yj의 경우와 유사하게, 열전극 구동회로(55)로부터의 화소 데이터 펄스(DPj +1)의 인가와 동기화하여 전극 Yj +1에 인가된다.
주사 펄스(SP)가 인가된 행전극에 속하고 동시에 포지티브 전압의 화소 데이터 펄스가 추가적으로 인가되는 표시 셀에서 방전이 일어나서 벽 전하의 대부분이 소실되게 된다. 한편, 주사펄스(SP)가 인가되었으나 포지티브 전압의 화소 데이터 펄스가 인가되지 아니한 표시 셀에서는 방전이 발생하지 않으므로 벽 전하가 여전 히 유지된다. 벽 전하가 유지되는 표시 셀은 발광상태이고, 벽 전하가 사라진 표시 셀은 비발광상태이다.
어드레스 단계로부터 유지 단계로의 전환시, 스위칭 소자(S17 및 S21)는 오프로 되고, 대신에 스위칭 소자(S14, S15 및 S22)는 온으로 된다. 스위칭 소자(S4)의 온 상태는 계속된다.
유지 단계에서, X행 전극 구동회로(51)에 있어서 스위칭 소자(S4)를 온으로 함으로써 전극 Xj의 전위는 접지 전위(제1전위)의 거의 0V로 된다. 이어서, 스위칭 소자(S4)는 오프로 되고 스위칭 소자(S1)가 온으로 될 때, 커패시터(C1) 내에 충전된 전하가 코일(L1), 다이오드(D1) 및 스위칭 소자(S1)을 통해 커패시터(CO)로 흐름으로써 전류는 전극 Xj에 도달하고 커패시터(CO)는 충전된다. 이때, 코일(L1)과 커패시터(CO)의 시정수는 도16에 도시된 바와 같이 전극 Xj의 전위를 점차 증가시킨다.
그리고 나서, 스위칭 소자(S3)가 온으로 된다. 따라서, 전원 B1의 포지티브 단자의 전위 Vs(제2 전위)가 전극 Xj에 인가되고, 전극 Xj의 전위는 Vs로 고정된다.
그런 다음, 스위칭 소자(S1 및 S3)는 오프로 되고, 스위칭 소자(S2)는 온으로 되며, 커패시터(CO)내에 충전된 전하가 전극 Xj로부터 코일(L2), 다이오드(D2) 및 스위칭 소자(S2)를 통해 커패시터(C1)로 흐르는 전류가 발생한다. 이때, 코일(L2)과 커패시터(C1)의 시정수는 도16에 도시된 바와 같이 전극 Xj의 전위를 점차 감소시킨다. 전극 Xj의 전위가 거의 0 V에 도달하였을 때, 스위칭 소자(S2)는 오프로 되고 스위칭 소자(S4)는 온으로 된다.
X행 전극 구동 회로(51)에 있어서, 스위칭 소자(S1)가 온으로 되었을 때부터 스위칭 소자(S3)가 온으로 되기 바로 전까지가 제1 단계의 주기이다. 스위칭 소자(S3)의 온 상태 주기가 제2 단계의 주기이다. 스위칭 소자(S2)의 온 상태 주기가 제3 단계의 주기이다.
이러한 동작에 의해, X행 전극 구동회로(51)는 도16에 도시한 바와 같이 전극 Xj에 포지티브 전압의 유지 펄스 IPx를 인가한다.
Y행 전극 구동회로(53)에 있어서, 유지 펄스 IPx가 나가게 되는 스위칭 소자(S4)를 온으로 할 때 동시에, 스위칭 소자(S11)를 온으로 하고 스위칭 소자(S14)를 오프로 한다. 스위칭 소자(S14)가 온으로 되어 있을 때 전극 Yj의 전위는 거의 0V의 접지 전위가 된다. 그러나, 스위칭 소자(S14)가 오프이고 스위칭 소자(S11)가 온으로 되어 있을 때, 커패시터(C2) 내에 충전된 전하가 코일(L3), 다이오드(D3), 스위칭 소자(S11), 스위칭 소자(S15) 및 다이오드(D6)를 통해 커패시터(CO)로 흐름으로써 전류는 전극 Yj에 도달하게 되고, 커패시터(CO)는 충전된다. 이때, 코일(L3)과 커패시터(CO)의 시정수는 도16에 도시된 바와 같이 전극 Yj의 전위를 점차 증가시킨다.
이어서, 스위칭 소자(S13)는 온으로 된다. 따라서, 전원 B3의 포지티브 단자 의 전위 Vs는 스위칭 소자(S13), 스위칭 소자(S15) 및 다이오드(D6)를 통해 전극 Yj에 인가된다.
그 다음, 스위칭 소자(S11 및 S13)는 오프로 되고 스위칭 소자(S12)는 온으로 되며 스위칭 소자(S22)는 온으로 되어, 커패시터(CO)내에 충전된 전하가 전극 Yj로부터 스위칭 소자(S22), 스위칭 소자(S15), 코일(L4), 다이오드(D4) 및 스위칭 소자(S12)를 통해 커패시터(C2)로 흐르는 전류가 발생한다. 이때, 코일(L4)과 커패시터(C2)의 시정수는 도16에 도시된 바와 같이 전극 Yj의 전위를 점차 감소시킨다. 전극 Yj의 전위가 거의 0 V에 도달할 때, 스위칭 소자(S12 및 S22)는 오프로 되고 스위칭 소자(S14)는 온으로 된다.
또한, Y행 전극 구동회로(53)에 있어서, 스위칭 소자(S11)가 온으로 되었을 때부터 스위칭 소자(S13)가 온으로 되기 바로 전까지가 제1 단계의 주기이다. 스위칭 소자(S13)의 온 상태 주기가 제2 단계의 주기이다. 스위칭 소자(S12)의 온 상태 주기가 제3 단계의 주기이다.
이러한 동작에 의해, Y행 전극 구동회로(53)는 도16에 도시한 바와 같이 전극 Yj에 포지티브 전압의 유지 펄스 IPY를 인가한다.
이러한 방식으로 유지 단계에서는, 유지 펄스 IPx 및 유지 펄스 IPY가 번갈아 생성되어 전극(X1 내지 Xn) 및 전극(Y1 내지 Yn)에 번갈아 인가되기 때문에 벽 전하가 여전히 유지되는 표시 셀은 방전 발광을 반복하여 그 발광상태를 유지하게 된 다.
유지 단계에서, 유지 펄스 IPx(IPY)를 Vs로 고정하기 위한 타이밍은 각 서브필드의 제1 유지 펄스 시작을 포함하는 제1 그룹과, 그 이후의 제2 그룹 사이에서 상이하다. X행 전극 구동회로(51)에서, 제1 그룹과 제2 그룹 양자에 있어서의 시간 t0에서 스위칭 소자(S1)가 온으로 되고 스위칭 소자(S4)가 오프로 된다고 가정하면, 도17a에 도시된 바와 같이 제1 그룹에서는 스위칭 소자(S3)가 시간 t2에서 온으로 되는 반면, 도17b에 도시된 바와 같이 제2 그룹에서는 스위칭 소자(S3)가 시간 t2보다 빠른 시간 t1에서 온으로 된다. 따라서, 제2 그룹에서 유지 펄스 IPx는 시간 t1에서 전위 Vs로 고정된다. 보다 상세하게는, 제2 그룹에서의 유지 펄스 IPx는 전위 Vs에 도달하기 전 공진 효과에 의해 Vs로 고정된다. 한편, 제1 그룹에서의 유지 펄스 IPx는 시간 t1 보다 지연된 시간 t2에서 전위 Vs로 고정된다. 시간 t2는 공진 효과에 의해 유지 펄스 IPx의 전위 Vs에 도달된 후의 시간이다.
제1 유지 펄스뿐만 아니라 제2 유지 펄스가 제1 그룹에 속하는 경우, 제2 유지펄스는, 도17a에 도시된 제1 유지 펄스와 같이 전위 Vs로 고정하기 위한 시점에서 생성될 수 있다. 또한, 이는 X행 전극 구동회로(51)에 제한되는 것이 아니고, Y행 전극 구동 회로(53)에서의 유지 펄스 IPY의 경우도 동일하다. 이 경우 다음과 같이 구성될 수 있다: 제1 그룹에서의 제1 유지 펄스의 상승 기간(공진 천이 기간; t0로부터 t2) > 제1 그룹에서의 제2 유지펄스의 상승 기간(공진 천이 기간; t0로부터 t2') > 제2 그룹에서의 유지 펄스의 상승 기간(공진 천이 기간; t0로부터 t1). 또한, 단지 2개의 유지 펄스가 존재하여 유지 기간에 인가되는 서브필드에서의 제1 및 제2 유지 펄스의 상승 기간은, 3개 이상의 유지 펄스가 존재하여 유지 기간에 인가되는 서브필드에서의 유지기간에 있어서 제2 그룹의 유지 펄스의 상승 기간(공진 천이 기간 t0로부터 t1)보다 더 길도록 되어 있다. 즉, 제2전위로 고정되는 시점이 지연된다. 또한, 복수의 서브필드들 중에서 할당되는 유지 펄스의 수가 적은 서브필드에서의 제1 그룹의 유지 펄스의 상승 기간(제2 전위로 고정되는 시점)은, 할당되는 유지 펄스의 수가 많은 서브필드에서의 제1 그룹의 유지 펄스의 상승 기간(제2 전위로 고정되는 시점) 보다 더 길도록(지연되도록) 되어 있다.
공진 전위가 Vs로 도달하기 전에 유지 펄스가 Vs로 고정될 때, 방전 스타트 전압은 증가하고 휘도는 증가될 수 있다. 그러나, 향상된 방전 확률(가능성)을 가진 패널에서는 방전이 다수의 표시 셀에서 동시에 일어나고 큰 전류가 순간적으로 흐르게 되어 전압 파형을 왜곡시키게 된다. 결국, 방전이 약간 지연되거나 빠르게 이루어질 때 방전시 인가되는 전압값은 가변되어 각 셀에 대한 방전 강도가 변화됨으로써 표시 품질을 열화시키는 휘도 변화가 일어나게 된다. 이때, 초기화(점화 촉발) 입자 입자량이 적고 방전이 가변되는 경향이 있는 제1 유지 펄스에서는 Vs로 고정되는 시점이 지연(즉, 전극 전위가 Vs에 도달한 후에 Vs로 고정)되고, 따라서 전압 파형의 링잉(ringing)이 억제될 수 있으며 방전의 불안정성이 억제될 수 있다.
또한, 본 실시예의 PDP(50)의 경우 표시 셀(PC)이 행전극(X) 및 행전극(Y)( 이들은 서로 (X1, Y1), (X2, Y2), (X3, Y3),…,(Xn,Yn)와 같이 쌍으로 되어 있음) 사이에 형성된 구조가 채택된다. 그러나, 표시 셀(PC)이 모든 행 전극들 사이에 형성된 구조가 채택될 수도 있다. 보다 상세하게는 표시 셀(PC)이 행전극 X1과 Y1, 행전극 Y1과 X2, 행전극 X2와 Y2, …, 행전극 Yn -1과 Xn, 행전극 Xn과 Yn 사이에 형성된 구조가 채택될 수 있다.
또한, 본 실시예의 PDP(50)의 경우 행전극(X 및 Y)들이 전면 투명 기판(10)에 형성되고 열전극(D) 및 형광물질층(17)이 배면 기판(14)에 형성된 구조가 채택된다. 그러나, 행전극(X 및 Y)뿐만 아니라 열전극들(D)이 전면 투명 기판(10)에 형성되고 형광물질층(17)이 배면 기판(14)에 형성된 구조가 채택될 수도 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 유지 기간에 있어서 다수의 표시 셀이 발광상태로 설정됨에도 불구하고 각 표시 셀에서의 방전 강도의 변화가 방지되어 표시품질을 향상시킬 수 있다.

Claims (8)

  1. 입력 영상 신호에 따라 플라즈마 표시패널상에 화상을 표시하기 위한 장치로서, 상기 플라즈마 표시 패널은, 복수의 행전극쌍과, 이 복수의 행전극쌍과 직교하는 복수의 열전극을 갖고 그 교점에 표시 셀을 각각 형성하며, 상기 입력 영상 신호의 1필드에 대한 표시 기간은, 화상 표시를 위해 어드레스 기간과 유지 기간으로 각각 형성되는 복수의 서브필드로 구성되고, 상기 플라즈마 표시장치는,
    상기 어드레스 기간에 있어서의 영상신호에 기초한 화소 데이터에 따라 상기 표시 셀의 각각에 있어서의 어드레스 방전을 선택적으로 발생하기 위한 어드레스 수단;
    상기 유지 기간에 상기 각 행전극쌍을 형성하는 행전극들간에 유지 펄스를 인가하기 위한 유지 수단; 및
    모든 표시 셀에 리세트 방전을 발생하기 위해 1필드의 표시기간에 있어서의 적어도 하나의 서브필드에 대한 어드레스 기간 전에 상기 행전극쌍을 형성하는 행전극들간에 리세트 펄스를 인가하기 위한 리세트 수단을 포함하고,
    상기 유지 수단은,
    제1 전위로부터 제2 전위로 각 행전극쌍의 행전극의 전위의 공진 천이를 행하기 위한 제1 천이 수단;
    상기 행전극의 전위를 상기 제2 전위로 고정하기 위한 클램프 수단; 및
    상기 제2 전위로부터 상기 제1 전위로 상기 행전극의 전위의 공진 천이를 행 하기 위한 제2 천이 수단을 포함하고,
    상기 제1 전위로부터 상기 제2 전위로 천이를 행하기 위한 제1 스텝, 상기 제2 전위로 고정하는 제2 스텝, 및 상기 제2 전위로부터 상기 제1 전위로 천이를 행하기 위한 제3 스텝은, 상기 유지 펄스를 발생하도록 순차적으로 실행되며,
    상기 서브필드의 각각에 대한 유지 기간에서, 첫번째로 인가되는 유지 펄스를 포함하는 제1 그룹에 속하는 적어도 하나의 유지 펄스를 제2 전위로 고정하기 위한 시점은, 다른 그룹에 속하는 유지 펄스를 제2 전위로 고정하기 위한 시점에 비해 지연되는, 플라즈마 표시장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유지 수단은, 상기 제1 그룹에 속하는 유지 펄스를 생성할 때 상기 행전극의 전위가 상기 제1 스텝에서 제2 전위에 달하기 전에 제2 스텝으로 이동하고, 또한 상기 다른 그룹에 속하는 유지 펄스를 생성할 때 상기 행전극의 전위가 상기 제1 스텝에서 제2 전위에 도달한 후 제2 스텝으로 이동하는, 플라즈마 표시장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 각 표시 셀에 있어서 상기 방전 공간에 면하는 부분에 형성되고 또한 200 내지 300nm의 파장 범위 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네선스 광을 발하도록 전자빔을 조사함으로써 여기되는 마그네슘 산화물 결정을 포함하는 마그네슘 산화물 층을 구비하는 플라즈마 표시장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 마그네슘 산화물 결정은 2000 Å 이상의 입경을 갖는 단결정을 포함하는 플라즈마 표시장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 마그네슘 산화물 결정은 마그네슘을 가열함으로써 생성되는 마그네슘 증기의 기상 산화에 의해 생성되는 마그네슘 산화물 단결정을 포함하는 플라즈마 표시장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 마그네슘 산화물 결정은 230 내지 250nm의 파장 범위 내에 피크를 갖는 캐소드 루미네선스 광을 발하는 플라즈마 표시장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 마그네슘 산화물 층은 상기 각 행전극쌍을 덮는 유전체층상에 형성되는 플라즈마 표시장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 리세트 수단은 1필드의 선드 서브필드에 대한 어드레스 기간에만 리세트 방전을 발생하고,
    상기 어드레스 수단은 각 표시 셀에 대해 1필드의 서브필드 중 하나에 대한 어드레스 기간에서만 선택적 방전을 실행하는 플라즈마 표시장치.
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