KR20060056694A - Mask and method of array panel using the same - Google Patents

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Abstract

균일한 상면을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 마스크 및 이를 이용한 어레이 기판의 제조 방법에 있어서, 마스크는 차광 영역과 노광 영역을 갖는 기판을 포함하고, 상기 기판상의 차광 영역에 형성되어, 상기 기판을 투과하는 광을 차단하는 차광 패턴을 포함한다. 그리고, 상기 기판상의 노광 영역에 형성되어, 상기 기판을 투과하는 광의 일부를 투과시키는 반투과 패턴을 포함하는 구성을 갖는다. 이와 갖은 구성을 갖는 마스크는 상면의 평탄도가 균일하면서 두께가 다른 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는데 적용된다.A mask for forming a photoresist pattern having a uniform upper surface and a method of manufacturing an array substrate using the same, the mask comprises a substrate having a light shielding area and an exposure area, and formed in the light shielding area on the substrate, It includes a light shielding pattern for blocking the transmitted light. And a semi-transmissive pattern formed in the exposure area on the substrate and transmitting a part of the light passing through the substrate. The mask having this configuration is applied to form a photoresist pattern having a uniform thickness on the upper surface and a different thickness.

Description

마스크 및 이를 이용한 어레이 기판의 제조 방법{Mask and Method of array panel using the same}Mask and method of manufacturing array substrate using the same {Mask and Method of array panel using the same}

도 1은 일반적인 슬릿 노광 마스크를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a general slit exposure mask.

도 2는 도 1에 도시된 노광 마스크를 투과한 광의 에너지를 나타내는 에너지 모식도이다.FIG. 2 is an energy schematic diagram showing energy of light transmitted through the exposure mask shown in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시된 슬릿 노광 마스크를 적용하여 형성된 포토레지스트 패턴의 프로파일을 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a profile of a photoresist pattern formed by applying the slit exposure mask illustrated in FIG. 1.

도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 마스크를 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a mask according to a first embodiment of the present invention.

도 5는 도 4에 도시된 마스크를 투과한 광의 에너지를 나타내는 에너지 모식도이다.FIG. 5 is an energy schematic diagram showing energy of light transmitted through the mask shown in FIG. 4.

도 6은 도 5에 도시된 마스크를 적용하여 형성된 포토레지스트 패턴의 프로파일을 나타내는 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a profile of a photoresist pattern formed by applying the mask illustrated in FIG. 5.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 슬릿 노광 마스크를 나타내는 단면도이다.7 is a cross-sectional view illustrating a slit exposure mask according to a second embodiment of the present invention.

도 8 내지 17은 본 발명의 마스크가 적용되는 어레이 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.8 to 17 are process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an array substrate to which the mask of the present invention is applied.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 * Explanation of symbols on the main parts of the drawings                 

50 : 투명 기판 56 : 차광 패턴50: transparent substrate 56: shading pattern

58 : 반투과 패턴 70 : 마스크58: transflective pattern 70: mask

B : 차광 영역 A1 : 전면 노광 영역B: Light shielding area A1: Front exposure area

A2 : 슬릿 노광 영역 200 : 유리 기판A2: slit exposure area 200: glass substrate

204 : 게이트 패드 216a : 소오스 전극204: gate pad 216a: source electrode

216b : 드레인 전극 216c : 데이터 패드216b: drain electrode 216c: data pad

220 : 박막 트랜지스터 228a : 유기막 패턴220: thin film transistor 228a: organic film pattern

230a : 투명 전극 234b : 반사 전극230a: transparent electrode 234b: reflective electrode

본 발명은 마스크 및 이를 이용한 어레이 기판의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 포토레지스트 패턴을 슬릿 노광하는데 적용되는 마스크 및 이를 이용한 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a mask and a method of manufacturing an array substrate using the same, and more particularly, to a mask applied to slit exposure of a photoresist pattern and a method of manufacturing an array substrate using the same.

액정표시장치는 두 장의 기판에 각각 전극이 형성되어 있고 각 전극에 인가되는 전압을 스위칭하는 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT)를 구비하는 장치이며, 상기 박막 트랜지스터는 두 장의 기판 중 하나에 형성되는 것이 일반적이다. 상기 박막 트랜지스터를 이용하는 액정표시장치는 노트북 PC, 모니터 및 TV 뿐만 아니라, 휴대폰과 같은 중소형 제품까지 그 영역이 확대되고 있다.A liquid crystal display device includes a thin film transistor (TFT) that has electrodes formed on two substrates and switches a voltage applied to each electrode, and the thin film transistor is formed on one of the two substrates. Is common. The liquid crystal display device using the thin film transistor has been extended to not only notebook PCs, monitors and TVs but also small and medium products such as mobile phones.

이에 따라, 상기 박막 트랜지스터가 형성된 기판 및 반도체 장치의 집적도 향상을 위한 주요한 기술로서 포토리소그래피(photo lithography) 기술과 같은 미세 가공 기술에 대한 요구가 엄격해지고 있다. 상기 박막 트랜지스터가 형성된 기판 및 반도체 장치는 기판 상에 소정의 막을 형성하고, 상기 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성함으로서 제조된다.Accordingly, the demand for microfabrication techniques such as photolithography is becoming strict as a main technique for improving the integration of the substrate and semiconductor device on which the thin film transistor is formed. The substrate and semiconductor device in which the thin film transistor is formed are manufactured by forming a predetermined film on the substrate and forming the film in a pattern having electrical characteristics.

상기 패턴은 막 형성, 포토리소그래피, 식각 및 이온주입 등과 같은 단위 공정들의 순차적 또는 반복적인 수행에 의해 형성된다. 상기와 같은 단위 공정들 중에서 포토리소그래피 공정은 기판 상에 포토레지스트 도포하여 포토레지스트 막을 형성하고, 이를 경화시키는 공정과 기판 상에 형성된 포토레지스트 막을 원하는 포토레지스트 패턴으로 형성하기 위해 소정 부위를 제거하는 노광 공정 및 현상 공정을 포함한다.The pattern is formed by sequential or repeated performance of unit processes such as film formation, photolithography, etching and ion implantation. Among the above-mentioned unit processes, the photolithography process is a process of forming a photoresist film by applying photoresist on a substrate, curing the photoresist film, and exposing the photoresist film formed on the substrate to remove a predetermined portion to form a desired photoresist pattern. Process and development process.

상기 노광 공정은 노광 마스크를 이용하여 기판 상에 형성된 포토레지스트 막을 선택적으로 노광함으로서 노광된 부분 또는 노광되지 않은 부분의 포토레지스트 막을 다중체(polymer)로 형성하거나 다중체를 끊어주는 공정이다. 상기와 같이 노광된 부분 또는 노광되지 않은 부분의 포토레지스트 막이 이후의 현상 공정에서 제거됨으로서 반도체 기판 상에는 목적하는 포토레지스트 패턴이 형성된다.The exposure process is a process of selectively exposing a photoresist film formed on a substrate using an exposure mask to form a photoresist film of an exposed portion or an unexposed portion into a polymer or to break the multiple body. As described above, the photoresist film of the exposed or unexposed portions is removed in a subsequent development process to form a desired photoresist pattern on the semiconductor substrate.

상기와 같은 포토레지스트 패턴을 형성하는 기술은 박막 트랜지스터 회로 및 반도체 장치의 고집적화에 따라 노광 공정에서 미세 패턴의 형성하기 위한 요소들이 중요한 요인으로 대두되고 있는 실정이다. 상기 요소로는 노광량, 포커싱, 오버레이 및 노광 마스크의 균일도(uniformity)등을 들 수 있다.In the technique of forming a photoresist pattern as described above, elements for forming a fine pattern in an exposure process are emerging as an important factor due to the high integration of a thin film transistor circuit and a semiconductor device. Such factors include exposure dose, focusing, overlay, and uniformity of the exposure mask.

액정표시장치를 제조하기 위해서는 다수의 노광 마스크들이 사용되는데 이 때 사용되는 노광 마스크의 수는 공정 단순화의 척도가 된다. 이는 한 사이클의 사진식각 공정으로 하나의 포토레지스트 패턴이 형성되기 때문에 상기 노광 마스크 수를 하나만 줄이더라도 제조비용의 상당 부분을 절감시킬 수 있기 때문이다.In order to manufacture a liquid crystal display, a plurality of exposure masks are used, wherein the number of exposure masks used is a measure of process simplification. This is because a single photoresist pattern is formed in one cycle of photolithography, so that even if the number of the exposure masks is reduced by one, a significant portion of the manufacturing cost can be saved.

상기 액정표시장치의 제조시 마스크 수를 감소시키기 위한 방법을 살펴보면, 한 번의 사진식각 공정을 수행하여 제2 영역보다 제1영역의 두께가 더 큰 제1 포토레지스트 패턴을 형성한 후 상기 제1 포토레지스트 패턴에 에치백 공정을 수행하여 제1영역에만 잘류 포토레지스트가 존재하는 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 방법이 있다. Referring to the method for reducing the number of masks in manufacturing the LCD, a single photolithography process is performed to form a first photoresist pattern having a larger thickness of the first region than the second region, and then the first photo. There is a method of forming a second photoresist pattern in which a pleated photoresist exists only in the first region by performing an etch back process on the resist pattern.

상술한 바와 같이 두께가 서로 다른 포토레지스트 패턴을 형성하기 위해서는 슬릿 노광 마스크을 이용하여 노광 공정을 수행해야 한다.As described above, in order to form photoresist patterns having different thicknesses, an exposure process may be performed using a slit exposure mask.

도 1은 일반적인 슬릿 노광 마스크를 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 슬릿 노광 마스크를 투과한 광의 에너지를 나타내는 에너지 모식도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view showing a general slit exposure mask, and FIG. 2 is an energy schematic diagram showing energy of light transmitted through the slit exposure mask shown in FIG. 1.

도 1을 참조하면, 슬릿 노광 마스크(20)는 투명기판(10)과 차광 슬릿(slit) 패턴(15) 및 차광 패턴(16)을 포함한다. 여기서, 투명기판(10)은 노광 영역(A1,A2)과 차광 영역(B)을 포함하는 석영 기판이고, 차광 슬릿 패턴(15)과 차광 패턴(16)은 상기 기판으로 제공되는 광을 차단시키는 역할을 하는 크롬막 패턴에 해당한다. 여기서, 상기 노광 영역은 전면 노광 영역(A1)과 슬릿 노광 영역으로 구분된다. Referring to FIG. 1, the slit exposure mask 20 includes a transparent substrate 10, a light blocking slit pattern 15, and a light blocking pattern 16. Here, the transparent substrate 10 is a quartz substrate including the exposure areas A1 and A2 and the light blocking area B, and the light blocking slit pattern 15 and the light blocking pattern 16 block light provided to the substrate. Corresponds to the chrome film pattern that plays a role. The exposure area is divided into a front exposure area A1 and a slit exposure area.

도 2를 참조하면, 상기 도 1에 도시된 노광 마스크(20)를 통과한 광은 차광 슬릿 패턴(15)이 형성되지 않는 전면 노광 영역(A1)에서는 에너지 투과율이 크고, 반면에 차광 슬릿 패턴(16)이 형성된 슬릿 노광 영역(A2)에서는 에너지 투과율이 상대적으로 작다. 이는 차광 슬릿 패턴(15)이 형성된 투명기판(10)의 슬릿 노광 영역(A2)에는 상기 차광 슬릿 패턴에 의해 광이 선택적으로 차단됨과 동시에 차광 슬릿 패턴(15) 사이에 노출된 기판을 투과하면서 회절에 의한 중첩으로 작은 에너지를 갖게된다. 즉, 상기와 같은 에너지를 형성하는 노광 마스크(20)는 차광 슬릿 패턴(15)의 하부측에 대응하는 포토레지스트를 소정의 두께로 잔류시켜 다중 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는데 적용된다.Referring to FIG. 2, the light passing through the exposure mask 20 shown in FIG. 1 has a high energy transmittance in the front exposure area A1 in which the light shielding slit pattern 15 is not formed, whereas the light shielding slit pattern ( In the slit exposure area A2 in which 16) is formed, the energy transmittance is relatively small. This is because the light is selectively blocked by the light blocking slit pattern in the slit exposure area A2 of the transparent substrate 10 on which the light blocking slit pattern 15 is formed, and is diffracted while passing through the substrate exposed between the light blocking slit patterns 15. By superimposing will have a small energy. That is, the exposure mask 20 forming the above energy is applied to form a photoresist pattern having multiple thicknesses by leaving the photoresist corresponding to the lower side of the light shielding slit pattern 15 to a predetermined thickness.

도 3은 도 1에 도시된 슬릿 노광 마스크를 적용하여 형성된 포토레지스트 패턴의 프로파일을 나타내는 단면도이다. 3 is a cross-sectional view illustrating a profile of a photoresist pattern formed by applying the slit exposure mask illustrated in FIG. 1.

도 3을 참조하면, 상기 도 1에 도시된 노광 마스크(20)를 적용하여 형성된 포토레지스트 패턴(25)은 다중 두께를 갖는다. 즉, 차광 영역(B)과 대응되는 곳에서는 포토레지스트가 제거되지 않아 제1 두께를 갖고, 전면 노광 영역(A1)과 대응되는 곳에서는 포토레지스트가 모두 제거되고, 상기 슬릿 노광 영역(A2)에서는 포토레지스트가 일부 제거되어 제2 두께를 갖는다. 그리고, 슬릿 노광 영역(A2)에 대응되는 영역에 해당하는 포토레지스트 패턴(25)은 차광 슬릿 패턴이 형성된 영역과 비형성된 영역의 광량의 차이로 인해 평탄도가 균일하지 못한 특성을 가지고 있다. Referring to FIG. 3, the photoresist pattern 25 formed by applying the exposure mask 20 shown in FIG. 1 has multiple thicknesses. That is, the photoresist is not removed where it corresponds to the light shielding area B and has a first thickness, and where the photoresist is removed where it corresponds to the front exposure area A1, in the slit exposure area A2. The photoresist is partially removed to have a second thickness. The photoresist pattern 25 corresponding to the area corresponding to the slit exposure area A2 has a characteristic in which the flatness is not uniform due to the difference in the amount of light between the region where the light blocking slit pattern is formed and the non-formed area.

즉, 상기 도 3에 도시된 바와 같이 포토레지스트 패턴(25)의 표면이 균일하지 못하면, 이후 상기 포토레지스트 패턴의 에치백 공정시 제2 두께를 갖는 포토레지스트가 완전히 제거되지 않는 문제점이 발생하여 후속 공정의 식각 불량 및 패턴형성 공정의 불량을 초래한다.That is, when the surface of the photoresist pattern 25 is not uniform as shown in FIG. 3, a problem arises in that the photoresist having the second thickness is not completely removed during the etchback process of the photoresist pattern. This results in a poor etching process and a poor pattern forming process.

상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 노광 공정시 평단도가 균일한 표면을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는데 적용되는 마스크를 제공하는데 있다.An object of the present invention for solving the above problems is to provide a mask that is applied to form a photoresist pattern having a uniform flatness in the exposure process.

또한, 본 발명의 다른 목적은 마스크를 이용하여 균일한 표시품질을 갖는 어레이 기판의 제조방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing an array substrate having a uniform display quality using a mask.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크에 있어서, 상기 마스크는 차광 영역과 노광 영역을 갖는 기판을 포함하고, 상기 기판상의 차광 영역에 형성되어, 상기 기판을 투과하는 광을 차단하는 차광 패턴을 포함한다. 그리고, 상기 기판상의 노광 영역에 형성되어, 상기 기판을 투과하는 광의 일부를 투과시키는 반투과 패턴을 포함하는 구성을 갖는다.In the mask according to an embodiment of the present invention for achieving the object of the present invention, the mask comprises a substrate having a light shielding area and an exposure area, is formed in the light shielding area on the substrate, and transmits the substrate It includes a light shielding pattern for blocking light. And a semi-transmissive pattern formed in the exposure area on the substrate and transmitting a part of the light passing through the substrate.

이와 갖은 구성을 갖는 마스크는 그 상면에 잔류 포토레지스트가 존재하지 않아 평탄도가 균일하면서 제1 영역과 제2 영역에서 다중 두께를 갖는 포토레지스트 형성하는데 사용된다.The mask having this configuration is used to form a photoresist having multiple thicknesses in the first region and the second region with uniform flatness because no residual photoresist exists on the upper surface thereof.

상기 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 어레이 기판의 제조 방법에 있어서, 기판상의 화소 영역에 스위칭 소자를 형성한 후 상기 스위칭 소자의 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀과 그 상면이 그루브를 갖는 유기막 패턴을 형성한다. 이어서, 반투과 패턴을 포함하는 마스크를 적용하여 상기 기판 상에 상기 유기막 패턴에 존재하는 제1 부분, 상기 제1 부분 보다 낮은 두께 를 갖는 제2부분, 상기 반투과도전막을 노출시키는 제3 부분을 포함하는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 포토레지스트 패턴에 노출된 상기 투명도전막 및 반투과도전막을 선택적으로 패터닝하여 상기 화소영역에서 분리된 투명전극과 반투과도전막 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 포토레지스트 패턴에 에치백 공정을 수행하여 제1 부분만 존재하는 식각된 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 식각된 포토레지스트 패턴에 노출된 반투과도전막 패턴을 제거하여 상기 유기막 패턴의 상부로부터 공급된 광은 반사시키고, 상기 유기막 패턴의 하부로부터 공급된 광은 투과시키는 반투과 전극을 형성함으로서 어레이 기판을 완성한다.In the method of manufacturing an array substrate according to an embodiment of the present invention for achieving another object of the present invention, after forming the switching element in the pixel region on the substrate and the contact hole for exposing the drain electrode of the switching element and the The upper surface forms the organic film pattern which has a groove. Subsequently, a first portion existing in the organic layer pattern, a second portion having a lower thickness than the first portion, and a third portion exposing the semi-transmissive conductive layer on the substrate by applying a mask including a semi-transmissive pattern. To form a photoresist pattern comprising a. Subsequently, the transparent conductive film and the semi-transparent conductive film exposed to the photoresist pattern are selectively patterned to form a transparent electrode and a semi-transparent conductive film pattern separated in the pixel region. Subsequently, an etch back process is performed on the photoresist pattern to form an etched photoresist pattern having only a first portion. Subsequently, the semi-transmissive conductive film pattern exposed to the etched photoresist pattern is removed to reflect the light supplied from the upper part of the organic film pattern, and to form a transflective electrode for transmitting the light supplied from the lower part of the organic film pattern. Thereby completing the array substrate.

따라서, 상술한 마스크를 이용한 어레이 기판을 형성방법은 슬릿 노광 영역에 균일한 광량을 제공함으로서 상기 기판 상에 형성되는 포토레지스트 패턴의 평탄도를 보장한다. 즉, 상기 포토레지스트 패턴을 적용하여 어레이 기판을 형성하기 위한 대상막을 패터닝할 경우 패터닝 불량 및 상기 식각 대상막들이 오픈되지 않는(not open) 문제점을 미연에 방지할 수 있기 때문에 액정표시장치의 균일한 표시품질을 유지할 수 있다.Therefore, the method of forming the array substrate using the mask described above ensures the flatness of the photoresist pattern formed on the substrate by providing a uniform amount of light in the slit exposure area. That is, when the target layer for forming the array substrate is applied by applying the photoresist pattern, the patterning defect and the problem that the etch target layers are not open can be prevented. The display quality can be maintained.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크를 설명하기 위한 단면도이다.4 is a cross-sectional view for describing a mask according to a first embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크(70)는 기판(50), 차광 패턴(56) 및 반투과 패턴(58)을 포함한다.Referring to FIG. 4, the mask 70 according to the first embodiment of the present invention includes a substrate 50, a light blocking pattern 56, and a transflective pattern 58.

기판(50)은 광을 통과시킬 수 있는 투명한 재질인 석영으로 이루어진 투명기 판이고, 상기 투명기판은 광(light)을 투과시키는 노광 영역과 광 투과가 차단되는 차광 영역(B)으로 구분된다. 또한 상기 노광 영역은 전면 노광 영역(A1)과 슬릿 노광 영역(A2)으로 구분될 수 있다. 즉, 투명 기판(50)의 차광 영역(B)에는 차광 패턴(56)이 형성되고, 상기 투명 기판의 슬릿 노광 영역(A2)에는 반투과 패턴(58)이 형성된다. 슬릿 노광 영역(A2)은 상기 포토레지스트막의 상부만을 선택적으로 노광하는 영역에 해당하고, 전면 노광 영역(A1)은 상기 포토레지스트막의 상부 및 하부를 전부 노광하는 영역에 해당한다.The substrate 50 is a transparent substrate made of quartz, which is a transparent material capable of passing light. The transparent substrate is divided into an exposure region through which light is transmitted and a light blocking region B through which light transmission is blocked. In addition, the exposure area may be divided into a front exposure area A1 and a slit exposure area A2. That is, the light shielding pattern 56 is formed in the light shielding area B of the transparent substrate 50, and the semi-transmissive pattern 58 is formed in the slit exposure area A2 of the transparent substrate 50. The slit exposure area A2 corresponds to an area for selectively exposing only the upper part of the photoresist film, and the front exposure area A1 corresponds to an area for exposing all of the upper and lower parts of the photoresist film.

차광 패턴(56)은 투명기판(50)의 차광 영역(B) 상에서 형성되고, 상기 기판으로 제공되는 광을 차단하여 이에 대응하는 피노광된 포토레지스트막(도시되지 않음)에 상기 광이 조사되지 않도록 하는 크롬 또는 크롬합금으로 형성된 패턴이다.The light blocking pattern 56 is formed on the light blocking area B of the transparent substrate 50, and blocks the light provided to the substrate so that the light is not irradiated on the corresponding exposed photoresist film (not shown). It is a pattern formed of chromium or chromium alloy to prevent.

반투과 패턴(58)은 투명기판(50)의 슬릿 노광 영역(A2) 상에서 형성되고, 상기 반투과 패턴이 존재하지 않은 슬릿 노광 영역(A2)을 투과하는 광을 회절시킴과 동시에 반투과 패턴(58)이 존재하는 슬릿 노광 영역(A2)에서 광을 일부만 선택적으로 투과시키는 슬릿 형상을 갖는다. 보다 구체적으로 반투과 패턴(58)은 실리콘 몰리브덴(MoSi)막을 형성한 후 이를 패터닝하여 형성된 슬릿 형상을 갖는 패턴이다. 또한, 반투과 패턴(58)은 슬릿 노광 영역(A2)에서 적어도 하나이상 구비되고, 바람직하게는 슬릿 노광 영역(A2)으로 제공되는 광 량을 감소시키기 위해 일정한 간격으로 복수개가 배치된다.The semi-transmissive pattern 58 is formed on the slit exposure area A2 of the transparent substrate 50 and diffracts the light passing through the slit exposure area A2 in which the semi-transmissive pattern does not exist. 58 has a slit shape that selectively transmits only part of the light in the slit exposure region A2 in which there is. More specifically, the transflective pattern 58 is a pattern having a slit shape formed by forming a silicon molybdenum (MoSi) film and then patterning it. In addition, at least one transflective pattern 58 is provided in the slit exposure area A2, and a plurality of semi-transmissive patterns 58 are preferably arranged at regular intervals in order to reduce the amount of light provided to the slit exposure area A2.

도 5는 도 4에 도시된 마스크를 투과한 광의 에너지를 나타내는 에너지 모식도이다. FIG. 5 is an energy schematic diagram showing energy of light transmitted through the mask shown in FIG. 4.                     

도 5를 참조하면, 상기 도 4에 도시된 노광 마스크(70)를 투과한 광은 노광 영역중에서 슬릿 형상을 갖는 반투과 패턴(58)이 형성되지 않는 전면 노광 영역(A1)에서 에너지 투과율이 매우 크고, 차광 패턴(56)이 형성된 차광 영역(B)에서는 광이 완전히 차단되어 에너지 투과율이 없다. 반면에 반투과 패턴(58)들 사이에서 노출되는 투명기판을 투과한 광은 에너지 투과율이 전면 노광 영역(A2)에 비해 상대적으로 매우 작다.Referring to FIG. 5, the light transmitted through the exposure mask 70 illustrated in FIG. 4 has a very high energy transmittance in the front exposure area A1 in which the transflective pattern 58 having a slit shape is not formed in the exposure area. In the light shielding area B in which the light shielding pattern 56 is large, light is completely blocked and there is no energy transmittance. On the other hand, the light transmitted through the transparent substrate exposed between the transflective patterns 58 has a relatively small energy transmittance compared to the front exposure area A2.

이는 반투과 패턴(58)들이 형성된 투명기판(50)의 슬릿 노광 영역(A2)에는 상기 반투과 패턴에 의해 투명기판(50)을 투과하는 광이 선택적으로 차단됨과 동시에 반투과 패턴(58)들 사이의 노출된 좁은 공간을 투과하는 광은 회절에 의한 중첩으로 상쇄되어 소정의 파장을 갖는 에너지를 갖기 때문이다.This is because the light passing through the transparent substrate 50 is selectively blocked by the semi-transmissive pattern in the slit exposure area A2 of the transparent substrate 50 on which the semi-transmissive patterns 58 are formed. This is because the light passing through the exposed narrow space between is canceled by the overlap by diffraction and has energy having a predetermined wavelength.

또한, 반투과 패턴(58)은 상기 광을 일정량 이상 투과할 수 있는 물질인 실리콘 몰리브덴(MoSi)으로 이루어져 포토레지스트를 노광할 수 있는 광을 약 25 내지 45%정도 투과시키기 때문이다. 여기서, 상기 반투과 패턴(58)의 광 투과도가 25% 미만이면, 이중 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 슬릿 노광 공정시 슬릿 노광되는 영역의 표면이 균일하지 못한 문제점이 발생한다. 반면에 광 투과도가 45%를 초과하면, 이중두께를 갖는 포토레지스트 패턴(도시되 않음)의 형성이 어렵다. 따라서, 반투과 패턴(58)의 광 투과도는 25 내지 45%를 갖고, 바람직하게는 30 내지 40%의 광 투과도를 갖는다.In addition, the transflective pattern 58 is made of silicon molybdenum (MoSi), which is a material capable of transmitting a predetermined amount or more of the light, and transmits about 25 to 45% of the light capable of exposing the photoresist. Here, when the light transmittance of the semi-transmissive pattern 58 is less than 25%, there is a problem that the surface of the slit exposed area is not uniform in the slit exposure process for forming a photoresist pattern having a double thickness. On the other hand, when the light transmittance exceeds 45%, it is difficult to form a photoresist pattern (not shown) having a double thickness. Therefore, the light transmittance of the transflective pattern 58 is 25 to 45%, and preferably has a light transmittance of 30 to 40%.

도 6은 도 4에 도시된 마스크를 적용하여 형성된 포토레지스트 패턴의 프로파일을 나타내는 단면도이다. 6 is a cross-sectional view illustrating a profile of a photoresist pattern formed by applying the mask illustrated in FIG. 4.                     

도 6을 참조하면, 상기 도 4에 도시된 반투과 패턴(58)을 포함하는 노광 마스크(70)를 적용하여 대상막(100) 상에 포토레지스트 패턴(95)을 형성할 경우 형성되는 포토레지스트 패턴(95)은 다중 두께를 갖는다. 즉, 차광 영역(B)과 대응되는 곳에서는 포토레지스트가 제거되지 않기 때문에 제1 두께를 갖고, 반투과 패턴이 존재하는 않는 전면 노광 영역(A1)과 대응되는 곳에서는 포토레지스트가 완전히 제거되고, 상기 반투과 패턴이 존재하는 슬릿 노광 영역(A2)에서는 포토레지스트가 상부가 일정로 두께로 제거되기 때문에 제2 두께를 갖는다. 즉, 상기 반투과 패턴을 투과한 광에 의해 상기 슬릿 노광 영역에 대응되는 포토레지스트 패턴(95)은 그 상면의 평탄도가 균일해진다. 따라서, 상기와 같이 슬릿 노광 영역(A2)을 투과한 균일한 광량을 갖기 때문에 균일한 평탄도를 갖으면서, 상기 차단 영역(B)과 슬릿 노광 영역(A2)과 대응하는 곳에서 다중 두께를 갖는 포토레지스트 패턴(95)이 형성된다.Referring to FIG. 6, a photoresist formed when the photoresist pattern 95 is formed on the target layer 100 by applying the exposure mask 70 including the transflective pattern 58 illustrated in FIG. 4. Pattern 95 has multiple thicknesses. That is, since the photoresist is not removed where it corresponds to the light shielding area B, the photoresist is completely removed where the photoresist has a first thickness and corresponds to the front exposure area A1 where no transflective pattern exists. In the slit exposure area A2 in which the transflective pattern exists, the photoresist has a second thickness because the upper portion of the photoresist is uniformly removed. That is, the flatness of the upper surface of the photoresist pattern 95 corresponding to the slit exposure region is made uniform by the light transmitted through the transflective pattern. Therefore, since it has a uniform amount of light transmitted through the slit exposure area A2 as described above, it has a uniform flatness, and has multiple thicknesses in a place corresponding to the blocking area B and the slit exposure area A2. The photoresist pattern 95 is formed.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 마스크를 설명하기 위한 단면도이다.7 is a cross-sectional view for describing a mask according to a second embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 마스크는 도 4에 도시된 마스크와 동일한 구조를 갖되 상기 투명기판의 차광 영역(B) 상에서 반투과 패턴(56)과 크롬막 패턴(56)이 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 한다. 여기서, 도 7에 도시된 마스크에 대한 설명은 실실시예 1에서 상세히 설명하였기 때문에 생략한다.Referring to FIG. 7, the mask has the same structure as the mask shown in FIG. 4, but has a structure in which a semi-transmissive pattern 56 and a chrome film pattern 56 are stacked on the light blocking area B of the transparent substrate. It is done. Here, the description of the mask shown in FIG. 7 is omitted since it has been described in detail in the first embodiment.

따라서, 실시예 1 및 실시예 2에서 서술한 슬릿 노광 마스크를 이용하여 포토레지스트막을 노광 및 현상할 경우 상기 포토레지스트막은 다중 두께를 갖으면, 그 상부의 평탄도가 균일한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. Therefore, when exposing and developing the photoresist film using the slit exposure masks described in Examples 1 and 2, if the photoresist film has multiple thicknesses, a flat photoresist pattern having a uniform flatness on top thereof may be formed. Can be.                     

도 8 내지 17은 본 발명의 마스크가 적용되는 어레이 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.8 to 17 are process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an array substrate to which the mask of the present invention is applied.

도 8을 참조하면, 기판(200) 상에 제1금속막을 형성 후 제1 마스크 식각공정을 수행하여 크롬(Cr)/알루미늄-내드뮴(AlNd)으로 이루어진 게이트 배선(202,204)을 형성한다.Referring to FIG. 8, after forming the first metal film on the substrate 200, a first mask etching process is performed to form gate wirings 202 and 204 formed of chromium (Cr) / aluminum- admium (AlNd).

이를 구체적으로 설명하면, 2개의 패드영역과 화소영역을 포함하는 기판(200) 상에 제1 금속막(도시되지 않음)을 형성한 후 게이트 배선의 형성을 정의하는 제1 포토레지스트 패턴(도시되지 않음)을 형성한다. 상기 화소영역은 투과영역과 반사영역으로 구분된다. 이후 상기 제1포토레지스트 패턴에 노출된 상기 제1금속막을 식각하여 게이트 배선을 형성한다. 그리고, 잔류하는 제1 포토레지스트 패턴을 제거한다.Specifically, a first photoresist pattern (not shown) defining a formation of a gate wiring after forming a first metal film (not shown) on a substrate 200 including two pad regions and a pixel region. Not formed). The pixel area is divided into a transmission area and a reflection area. Thereafter, the first metal layer exposed to the first photoresist pattern is etched to form a gate wiring. Then, the remaining first photoresist pattern is removed.

게이트 배선(202)은 게이트 라인으로부터 분기된 박막 트랜지스터(도시되지 안음)의 게이트 전극(202) 및 상기 게이트 라인의 끝단에 연결되어 게이트 전극(102)에 주사 전압을 인가하기 위한 게이트 패드(204)를 포함한다.The gate wiring 202 is connected to a gate electrode 202 of a thin film transistor (not shown) branched from a gate line and a gate pad 204 connected to an end of the gate line to apply a scan voltage to the gate electrode 102. It includes.

도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 게이트 배선이 형성된 기판(200) 상에 질화물로 이루어진 게이트 절연막(210), 비정질실리콘으로 이루어진 액티브막(212), n+로 도핑된 비정질실리콘으로 이루어진 오믹콘택막(214)과 및 소오스/드레인 전극용 제2금속막(216)을 순차적으로 형성한다.9 and 10, a gate insulating film 210 made of nitride, an active film 212 made of amorphous silicon, and an ohmic contact made of amorphous silicon doped with n + are formed on the substrate 200 on which the gate wiring is formed. The film 214 and the second metal film 216 for the source / drain electrodes are sequentially formed.

이후 상기 제2금속막(216) 상에 포토레지스트막(217)을 형성한 후 반투과 패 턴(58)을 포함하는 마스크(M2)를 통해 상기 포토레지스트막을 슬릿/ 전면 노광 및 현상 공정을 수행하여 제2 포토레지스트 패턴(218)으로 형성한다. Thereafter, the photoresist film 217 is formed on the second metal film 216, and then the photoresist film is slit / over-exposed and developed through a mask M2 including a transflective pattern 58. To form a second photoresist pattern 218.

상기 슬릿 노광이 수행되는 슬릿 노광 영역(A2)은 제2 전극막(216)이 소오스 전극 및 드레인 전극으로 분리되는 곳에 해당하고, 상기 전면 노광이 수행되는 전면 노광 영역(A1)은 인접한 박막 트랜지스터와 절연되어야 할 부분 즉 화소영역과 패드영역으로 분리되는 부분이다. 이때, 제2 포토레지스트 패턴(218)은 슬릿 노광되는 곳의 두께가 노광되지 않은 곳에 비하여 얇다. The slit exposure area A2 in which the slit exposure is performed corresponds to a place where the second electrode film 216 is separated into a source electrode and a drain electrode, and the front exposure area A1 in which the front exposure is performed is formed of an adjacent thin film transistor. The part to be insulated, that is, the pixel area and the pad area. In this case, the second photoresist pattern 218 is thinner than the place where the thickness of the slit exposed portion is not exposed.

도 11을 참조하면, 상기 제2포토레지스트 패턴(218)에 노출된 결과물을 식각하여 게이트 절연막(210)을 게이트 절연막 패턴(210a)으로, 액티브막을 액티브막 패턴(212a)으로, 오믹콘택막을 오믹콘택 패턴(214a)으로, 제2금속막을 제2금속막 패턴(216)으로 형성한다.Referring to FIG. 11, the resultant exposed to the second photoresist pattern 218 is etched to etch the gate insulating film 210 into the gate insulating film pattern 210a, the active film into the active film pattern 212a, and the ohmic contact film into ohmic. As the contact pattern 214a, a second metal film is formed as the second metal film pattern 216.

그리고, 상기 제2 포토레지스트 패턴(218)의 전면에 걸쳐 동일한 비율로 식각되는 에치백(etch back) 공정을 수행하여 식각된 제2 포토레지스트 패턴(218a)을 형성한다. 상기 식각된 제2포토레지스트 패턴(218a)은 상기 식각으로 그 두께가 점차 얇아지게 되어 두께가 가장 얇은 부분, 즉, 부분 노광된 부분이 가장 먼저 제거되어 개구된다.In addition, an etch back process may be performed over the entire surface of the second photoresist pattern 218 to form an etched second photoresist pattern 218a. The etched second photoresist pattern 218a is gradually thinned by the etching, so that the thinnest portion, that is, the partially exposed portion is first removed and opened.

도 12를 참조하면, 식각된 제2 포토레지스트 패턴(218b)에 노출된 제2 금속막 패턴(216)을 선택적으로 식각하여 소오스 전극(216a) 및 드레인 전극(216b) 및 데이터 패드(216c)를 형성한다. 상기 소오스/드레인 전극(216a,216b)이 형성됨으로서 박막 트랜지스터(220)가 완성된다. 이후 부분 제거된 제2 포토레지스트 패턴 (218a)을 제거한다.Referring to FIG. 12, the source metal layer 216a, the drain electrode 216b, and the data pad 216c are selectively etched by selectively etching the second metal film pattern 216 exposed to the etched second photoresist pattern 218b. Form. The thin film transistor 220 is completed by forming the source / drain electrodes 216a and 216b. Thereafter, the partially removed second photoresist pattern 218a is removed.

도 13을 참조하면, 박막 트랜지스터(220)가 형성된 기판(100) 상에 보호막(224) 및 유기막(228)을 연속적으로 형성한다. 이후 유기막(228)이 형성된 기판(200) 상에 선택적 부분 노광과 선택적 전면 노광을 수행하기 위한 제3마스크(M3)를 얼라인 한다. 상기 제3 마스크(M3)는 하프-톤 패턴이 형성된 마스크이다.Referring to FIG. 13, the passivation layer 224 and the organic layer 228 are successively formed on the substrate 100 on which the thin film transistor 220 is formed. Thereafter, the third mask M3 for performing selective partial exposure and selective front exposure is aligned on the substrate 200 on which the organic layer 228 is formed. The third mask M3 is a mask on which a half-tone pattern is formed.

도 14를 참조하면, 제3마스크(M3)에 의한 선택적 노광 공정이 수행된 유기막을 현상 및 리플로우시켜 상기 기판의 화소영역에 위치하는 유기막 패턴(228a)을 형성한다. 상기 유기막 패턴(228a)은 상기 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀(H)을 갖고, 그 상부에 그루브(도시되지 않음)가 형성되어 있다. 상기 제3마스크(M3)의 부분 노광 영역은 상기 유기막 패턴의 상부에 그루브가 형성되는 영역에 해당한다.Referring to FIG. 14, an organic layer, on which the selective exposure process is performed by the third mask M3, is developed and reflowed to form an organic layer pattern 228a positioned in the pixel region of the substrate. The organic layer pattern 228a has a contact hole H exposing the drain electrode, and a groove (not shown) is formed thereon. The partial exposure area of the third mask M3 corresponds to an area where a groove is formed on the organic layer pattern.

이어서, 상기 유기막 패턴(228a)이 형성된 기판(200)상기 제3 포토레지스트 패턴(도시되지 안음)을 형성한 후 상기 제3 포토레지스트 패턴에 노출된 결과물을 건식 식각하여 상기 드레인 전극(216a), 게이트 패드(202) 및 데이터 패드(216c)를 선택적으로 노출시킨다. 이후, 제3 포토레지스트 패턴을 제거한다.Subsequently, after the third photoresist pattern (not shown) is formed on the substrate 200 on which the organic layer pattern 228a is formed, the resultant exposed to the third photoresist pattern is dry-etched to form the drain electrode 216a. The gate pad 202 and the data pad 216c are selectively exposed. Thereafter, the third photoresist pattern is removed.

여기서, 상기 제3 포토레지스트 패턴은 제4 마스크를 이용하여 형성되고, 상기 드레인 전극(216b), 게이트 패드(202) 및 데이터 패드(216c)상에 형성된 보호막(224)의 표면을 노출시킬 수 있는 개구부(도시도지 않음)를 포함한다.The third photoresist pattern may be formed using a fourth mask, and may expose surfaces of the passivation layer 224 formed on the drain electrode 216b, the gate pad 202, and the data pad 216c. Openings (not shown).

도 15 및 도 16을 참조하면, 상기 드레인 전극(216b), 게이트 패드(202) 및 데이터 패드(216c)가 노출된 기판 상에 투명막(230) 및 반사막(234)을 연속적으로 형성한다. 이어서, 상기 반사막(234) 상에 반투과 패턴(58)을 포함하는 제5 마스크 (M5)를 이용하여 제4 포토레지스트 패턴(238)을 형성한다.15 and 16, the transparent film 230 and the reflective film 234 are successively formed on the substrate to which the drain electrode 216b, the gate pad 202, and the data pad 216c are exposed. Subsequently, a fourth photoresist pattern 238 is formed on the reflective film 234 using the fifth mask M5 including the transflective pattern 58.

상기 제4 포토레지스트 패턴(238)은 제5 마스크(M5)를 이용하여 형성되고, 차광 영역(B)에 대응되는 제1 부분의 포토레지스트, 슬릿 노광 영역(A2)에 대응되고, 제1 부분 보다 낮은 두께를 갖는 제2 부분의 포토레지스트, 전면 노광 영역(A1)에 대응되는 상기 반사막을 노출시키는 개구부를 포함한다. 상기 제1 부분의 포토레지스트의 높이(h1)는 상기 제2 부분의 포토레지스트의 높이의 약 2배를 갖는다. The fourth photoresist pattern 238 is formed using the fifth mask M5, and corresponds to the photoresist and slit exposure area A2 of the first part corresponding to the light blocking area B, and the first part. And a photoresist of the second portion having a lower thickness, and an opening exposing the reflective film corresponding to the front exposure area A1. The height h 1 of the photoresist of the first portion is about twice the height of the photoresist of the second portion.

상기 제4 포토레지스트 패턴(238)에 노출된 투명막(230)과 반사막(234),보호막(224)을 식각하여 상기 화소영역과 패드영역 사이에서 분리된 투명 전극(230a)과 반사막 패턴(234a)을 형성한다.The transparent film 230, the reflective film 234, and the protective film 224 exposed to the fourth photoresist pattern 238 are etched to separate the transparent electrode 230a and the reflective film pattern 234a between the pixel area and the pad area. ).

이어서, 상기 제4 포토레지스트 패턴(238)의 전이 동일한 비율로 식각될 수 있도록 에치백(etch back)하여 식각된 제4 포토레지스트 패턴(238a)을 형성한다. 즉, 상기 에치백 공정으로 인해 제4 포토레지스트 패턴(238)의 두께가 점차 얇아지게 되고, 그 결과 두께가 가장 얇은 제2 부분이 제거되고 제1 부분만 존재하는 식각된 제4 포토레지스트 패턴(238a)이 형성된다.Subsequently, the fourth photoresist pattern 238a may be etched back to be etched back so that the transition of the fourth photoresist pattern 238 may be etched at the same ratio. That is, the thickness of the fourth photoresist pattern 238 gradually decreases due to the etch back process, and as a result, the etched fourth photoresist pattern (ie, the second portion having the thinnest thickness is removed and only the first portion exists) 238a) is formed.

그리고, 상기 식각된 제4 포토레지스트 패턴(238a)에 노출된 반사막 패턴(234a)을 제거함으로서 투명전극(130a)이 형성된 유기막 패턴(128a) 상에 존재하는 반사전극(234b)을 형성한다. 이후 제4 포토레지스트 패턴을 제거하여 도 17에 도시된 어레이 기판을 형성한다.In addition, the reflective layer pattern 234a exposed to the etched fourth photoresist pattern 238a is removed to form the reflective electrode 234b on the organic layer pattern 128a on which the transparent electrode 130a is formed. Thereafter, the fourth photoresist pattern is removed to form the array substrate illustrated in FIG. 17.

상기와 같은 본 발명에 따른 구성을 갖는 마스크는 그 상부의 평탄도가 균일하면서 제1 영역과 제2 영역에서 다중 두께를 갖는 포토레지스트 형성하는데 적용된다. 즉 상부에 잔류 포토레지스트가 잔류하지 않는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. The mask having the configuration according to the present invention as described above is applied to form a photoresist having multiple thicknesses in the first region and the second region while the flatness thereof is uniform. In other words, it is possible to form a photoresist pattern in which no residual photoresist remains.

또한, 상술한 마스크를 이용한 어레이 기판을 형성방법은 슬릿 노광 영역에 균일한 광량을 제공함으로서 상기 어레이 기판을 형성하는데 적용되는 포토레지스트 패턴의 평탄도를 보장한다. 즉, 상기 포토레지스트 패턴을 적용하여 어레이 기판을 형성하기 위한 대상막을 패터닝할 경우 패터닝 불량 및 상기 대상막들이 낫 오픈(not open)되는 문제점을 미연에 방지할 수 있기 때문에 액정표시장치의 균일한 표시품질을 유지할 수 있다.In addition, the method of forming the array substrate using the mask described above ensures the flatness of the photoresist pattern applied to form the array substrate by providing a uniform amount of light in the slit exposure area. That is, when patterning a target film for forming an array substrate by applying the photoresist pattern, a problem of poor patterning and a problem of not opening the target films may be prevented. Quality can be maintained.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

Claims (8)

차광 영역과 노광 영역을 갖는 기판;A substrate having a light shielding area and an exposure area; 상기 기판상의 차광 영역에 형성되어, 상기 기판을 투과하는 광을 차단하는 차광 패턴; 및 A light shielding pattern formed in the light shielding area on the substrate to block light passing through the substrate; And 상기 기판상의 노광 영역에 형성되어, 상기 기판을 투과하는 광의 일부를 투과시키는 반투과 패턴을 포함하는 마스크.And a semi-transmissive pattern formed in an exposure area on the substrate to transmit a portion of the light passing through the substrate. 제1항에 있어서, 상기 반투과 패턴은 상기 기판을 투과하는 광중 25 내지 45%를 투과시키는 것을 특징으로 하는 마스크.The mask of claim 1, wherein the transflective pattern transmits 25 to 45% of the light passing through the substrate. 제1항에 있어서, 상기 차광 패턴은 크롬 또는 크롬 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크.The mask of claim 1, wherein the light blocking pattern is made of chromium or a chromium alloy. 제1항에 있어서, 상기 반투과 패턴은 실리콘 몰리브덴(MoSi)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크.The mask of claim 1, wherein the transflective pattern is made of silicon molybdenum (MoSi). 제1항에 있어서, 상기 반투과 패턴은 상기 노광 영역에 제공되는 광량을 감소시키기 위해 상기 노광 영역에서 일정한 폭 간격으로 이격된 것을 특징으로 하는 마스크.The mask of claim 1, wherein the transflective pattern is spaced at a predetermined width interval in the exposure area to reduce the amount of light provided to the exposure area. 제1항에 있어서, 상기 차광 패턴과 기판 사이에 상기 차광 패턴과 동일한 크기로 개재된 반투과막 패턴을 더 포함하는 마스크.The mask of claim 1, further comprising a semi-transmissive layer pattern interposed between the light blocking pattern and the substrate in the same size as the light blocking pattern. a) 기판상의 화소 영역에 스위칭 소자를 형성하는 단계;a) forming a switching element in the pixel region on the substrate; b) 상기 스위칭 소자의 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀과 그 상면이 그루브를 갖는 유기막 패턴을 형성하는 단계;b) forming an organic layer pattern having a contact hole exposing a drain electrode of the switching element and a groove on an upper surface thereof; c) 반투과 패턴을 포함하는 노광 마스크를 적용하여 상기 기판 상에 상기 유기막 패턴에 존재하는 제1 부분, 상기 제1 부분 보다 낮은 두께를 갖는 제2 부분, 상기 반투과도전막을 노출시키는 제3 부분을 포함하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;c) a third portion exposing the first portion present in the organic layer pattern, a second portion having a lower thickness than the first portion, and the semi-transmissive conductive film on the substrate by applying an exposure mask including a semi-transmissive pattern; Forming a photoresist pattern comprising portions; d) 상기 포토레지스트 패턴에 노출된 상기 투명도전막 및 반투과도전막을 선택적으로 패터닝하여 상기 화소영역에서 분리된 투명전극과 반투과도전막 패턴을 형성하는 단계;d) selectively patterning the transparent conductive film and the transflective conductive film exposed to the photoresist pattern to form a transparent electrode and a semi-transparent conductive film pattern separated in the pixel region; e) 상기 포토레지스트 패턴의 에치백 공정을 수행하여 제1 부분만 존재하는 식각된 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 e) performing an etch back process of the photoresist pattern to form an etched photoresist pattern having only a first portion; And f) 상기 식각된 포토레지스트 패턴에 노출된 반사막 패턴을 제거하여 반사 전극을 형성하는 단계를 포함하는 어레이 기판의 제조방법.f) forming a reflective electrode by removing the reflective film pattern exposed to the etched photoresist pattern. 제7항에 있어서, 상기 노광 마스크는The method of claim 7, wherein the exposure mask 차광 영역과 노광 영역을 갖는 기판;A substrate having a light shielding area and an exposure area; 상기 기판상의 차광 영역에 형성되어, 상기 기판을 투과하는 광을 차단하는 차광 패턴; 및 A light shielding pattern formed in the light shielding area on the substrate to block light passing through the substrate; And 상기 기판상의 노광 영역에 형성되어, 상기 기판을 투과하는 광의 일부를 투과시키는 반투과 패턴을 포함하는 어레이 기판의 제조방법.And a semi-transmissive pattern formed in an exposure area on the substrate to transmit a portion of the light passing through the substrate.
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