KR20030075921A - Liquid crystal display with a passivation layer of a multi-through hole - Google Patents

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Abstract

PURPOSE:A liquid crystal display having a porous passivation film is provided to remove spots of an organic insulating film generated by topology of a passivation film in embossing the organic insulating film, thereby improving the yield of a liquid crystal panel. CONSTITUTION:A plurality of pixel parts are formed on a transparent substrate. Gate pad parts are extended from one ends of gate lines connected with the pixel parts. Data pad parts are extended from one ends of data lines connected with the pixel parts. A plurality of switching elements are formed of gate electrodes, source and drain electrodes electrically connected with the gate electrodes. A first passivation film(534) covers the switching elements and has a plurality of via holes(534a-534j), to expose the drain electrodes. A first organic insulating film(536) covers the first passivation film and has a plurality of via holes to expose the drain electrodes. The top of the first organic insulating film is embossed. Pixel electrodes are formed on the first organic insulating film corresponding to the drain electrodes and are electrically connected with the drain electrodes through the plurality of via holes.

Description

다공형 패시베이션막을 갖는 액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY WITH A PASSIVATION LAYER OF A MULTI-THROUGH HOLE}Liquid crystal display device having a porous passivation film {LIQUID CRYSTAL DISPLAY WITH A PASSIVATION LAYER OF A MULTI-THROUGH HOLE}

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반사형 또는 반사투과형 액정 표시 장치에서 유기절연막의 얼룩 발생을 감소시키기 위한 다공형 패시베이션막을 갖는 액정 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device having a porous passivation film for reducing the occurrence of unevenness of the organic insulating film in a reflective or reflective transparent liquid crystal display device.

일반적으로 액정 표시 장치는 외부 광원을 이용하여 화상을 표시하는 투사형 액정 표시 장치와, 외부 광원 대신에 자연광을 이용하는 반사형 액정 표시 장치와, 상기한 투사형 액정 표시 장치와 반사형 액정 표시 장치를 결합한 반사/투과형 액정 표시 장치로 구분될 수 있다.In general, a liquid crystal display device includes a projection type liquid crystal display device that displays an image using an external light source, a reflection type liquid crystal display device using natural light instead of an external light source, and a reflection in which the projection type liquid crystal display device and the reflective liquid crystal display device are combined. It may be divided into a transmissive liquid crystal display.

도 1은 일반적인 반사형 액정 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a general reflective liquid crystal display device.

도 1을 참조하면, 일반적인 반사형 액정 표시 장치는 화소가 형성되어 있는 제1 기판(110), 제1 기판(110)에 대향하여 배치된 제2 기판(120), 제1 기판(110)과 제2 기판(120) 사이에 형성된 액정층(130) 그리고 제1 기판(110)과 액정층(130) 사이에 형성된 화소(pixel) 전극인 반사 전극(135)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a general reflective liquid crystal display device includes a first substrate 110 on which pixels are formed, a second substrate 120 and a first substrate 110 disposed to face the first substrate 110. The liquid crystal layer 130 is formed between the second substrate 120 and the reflective electrode 135 is a pixel electrode formed between the first substrate 110 and the liquid crystal layer 130.

제1 기판(110)은 제1 절연 기판(140)과 제1 절연 기판(140)에 형성된 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(TFT)(145)를 포함한다. 박막 트랜지스터(145)는 게이트 전극(150), 게이트 절연막(155), 반도체층(160), 오믹(ohmic) 콘택층(165), 소오스 전극(170) 및 드레인 전극(175)을 포함한다.The first substrate 110 includes a first insulating substrate 140 and a thin film transistor (TFT) 145 which is a switching element formed on the first insulating substrate 140. The thin film transistor 145 includes a gate electrode 150, a gate insulating layer 155, a semiconductor layer 160, an ohmic contact layer 165, a source electrode 170, and a drain electrode 175.

상기 박막 트랜지스터(145)가 형성된 제1 절연 기판(140) 상에는 패시베이션막(177)이 형성되고, 레지스트(resist)와 같은 물질로 이루어진 유기절연막(180)이 적층되며, 이러한 유기절연막(180)에는 박막 트랜지스터(145)의 드레인 전극(175)의 일부를 노출시키는 콘택 홀(185)이 형성된다. 이때 형성되는 콘택 홀(185)은 인접하는 박막 트랜지스터간의 전기적 연결을 차단하기 위함이다.A passivation film 177 is formed on the first insulating substrate 140 on which the thin film transistor 145 is formed, and an organic insulating film 180 made of a material such as a resist is stacked on the organic insulating film 180. A contact hole 185 exposing a portion of the drain electrode 175 of the thin film transistor 145 is formed. The contact hole 185 formed at this time is for blocking electrical connection between adjacent thin film transistors.

상기 콘택 홀(185) 및 유기절연막(180) 상에는 반사 전극(135)이 형성된다. 반사 전극(135)은 콘택 홀(185)을 통하여 드레인 전극(175)에 접속됨으로써, 박막 트랜지스터(145)와 반사 전극(135)이 전기적으로 연결된다.The reflective electrode 135 is formed on the contact hole 185 and the organic insulating layer 180. The reflective electrode 135 is connected to the drain electrode 175 through the contact hole 185, so that the thin film transistor 145 and the reflective electrode 135 are electrically connected to each other.

상기 반사 전극(135)의 상부에는 제1 배향막(orientation film)(200)이 적층된다.A first orientation film 200 is stacked on the reflective electrode 135.

제1 기판(110)에 대향하는 제1 기판(120)은 제2 절연 기판(205), 컬러 필터(210), 공통 전극(215), 제2 배향막(220), 위상차판(225) 및 편광판(230)을 구비한다.The first substrate 120 facing the first substrate 110 may include a second insulating substrate 205, a color filter 210, a common electrode 215, a second alignment layer 220, a retardation plate 225, and a polarizing plate. 230.

제2 절연 기판(205)은 제1 절연 기판(140)과 동일한 물질은 유리 또는 세라믹으로 이루어지며, 상기 위상차판(225) 및 편광판(230)은 제2 절연 기판(205)의 상부에 순차적으로 형성된다. 컬러 필터(210)는 제2 절연 기판(205)의 하부에 배치되며, 컬러 필터(210)의 하부에는 공통 전극(215) 및 제2 배향막(220)이 차례로 형성되어 제2 기판(120)을 구성한다. 제2 배향막(220)은 제1 기판(110)의 제1 배향막(200)과 함께 액정층(130)의 액정 분자들을 소정의 각도로 프리틸팅시키는 기능을 수행한다.The second insulating substrate 205 is made of the same material as the first insulating substrate 140 is made of glass or ceramic, the retardation plate 225 and the polarizing plate 230 are sequentially on the second insulating substrate 205 Is formed. The color filter 210 is disposed under the second insulating substrate 205, and the common electrode 215 and the second alignment layer 220 are sequentially formed under the color filter 210 to form the second substrate 120. Configure. The second alignment layer 220 performs a function of pretilting the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 130 together with the first alignment layer 200 of the first substrate 110 at a predetermined angle.

상기 제1 기판(110)과 제2 기판(120) 사이에는 스페이서(235, 236)가 개재되어 제1 기판(110)과 제2 기판(120) 사이에 소정의 공간이 형성되며, 이와 같은 제1 기판(110)과 제2 기판(120) 사이의 공간에는 액정층(130)이 형성되어 있다.Spacers 235 and 236 are interposed between the first substrate 110 and the second substrate 120 to form a predetermined space between the first substrate 110 and the second substrate 120. The liquid crystal layer 130 is formed in the space between the first substrate 110 and the second substrate 120.

도 2는 일반적인 반사/투과형 액정 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.2 is a diagram for describing a general reflective / transmissive liquid crystal display device.

도 2를 참조하면, 일반적인 반사/투과형 액정 표시 장치는 제1 기판(340)의 상면에는 박막 트랜지스터(320)가 박막 트랜지스터 제조 공정에 의하여 수행된다. 미설명 도면부호 322는 게이트 전극, 328b는 소오스 전극, 328a는 드레인 전극 및 324,326은 액티브 패턴, 323은 게이트 절연막이다.Referring to FIG. 2, in a typical reflective / transmissive liquid crystal display, a thin film transistor 320 is performed on a top surface of a first substrate 340 by a thin film transistor manufacturing process. Reference numeral 322 denotes a gate electrode, 328b a source electrode, 328a a drain electrode, and 324,326 an active pattern, and 323 a gate insulating film.

이후, 박막 트랜지스터(320)와 게이트 절연막(323)의 상면에는 패시베이션막(329)이 형성되고, 투명하면서 후박한 아크릴계 유기절연막(330)이 소정 두께로 도포된다. 이때, 유기절연막(330)의 상면에는 광을 산란시켜 휘도를 향상시키기 위하여 불규칙한 요철 패턴이 형성되고, 유기절연막(330)과 패시베이션막(329)에는 박막 트랜지스터(320)의 드레인 전극(328a)의 일부를 노출시키는 콘택 홀이 형성된다. 이때 형성되는 콘택 홀은 인접하는 박막 트랜지스터간의 전기적 연결을 차단하기 위함이다.Thereafter, a passivation film 329 is formed on the top surface of the thin film transistor 320 and the gate insulating film 323, and a transparent and thick acrylic organic insulating film 330 is coated to a predetermined thickness. In this case, an irregular concave-convex pattern is formed on the top surface of the organic insulating film 330 to scatter light to improve luminance, and the organic insulating film 330 and the passivation film 329 have a drain electrode 328a of the thin film transistor 320. A contact hole is formed that exposes a portion. The contact hole formed at this time is for blocking electrical connection between adjacent thin film transistors.

이후, 아크릴계 유기절연막(330)의 상면에는 액정을 제어하는데 필요한 투과/반사 전극(340,360)이 형성된다. 이때, 투과/반사 전극(340,360)은 광을 투과시키는 투과 전극(340) 및 광을 반사시키는 반사 전극(360)으로 구성되며, 반사 전극(360)의 일부가 개구(365)되어 이 부분을 통하여 광이 투과되도록 한다. 여기서, 반사/투과 전극(340,360)의 투과 전극(340)은 ITO 또는 IZO 물질이 사용되며, 반사 전극(360)으로는 반사율이 뛰어난 알루미늄이나 알루미늄-네오디뮴 합금 등이 주로사용된다.Subsequently, transmissive / reflective electrodes 340 and 360 necessary to control the liquid crystal are formed on the upper surface of the acrylic organic insulating layer 330. In this case, the transmission / reflection electrodes 340 and 360 include a transmission electrode 340 that transmits light and a reflection electrode 360 that reflects light, and a portion of the reflection electrode 360 is opened through the opening 365. Allow light to pass through. Here, the ITO or IZO material is used as the transmission electrode 340 of the reflection / transmission electrodes 340 and 360, and aluminum or aluminum-neodymium alloy having excellent reflectance is mainly used as the reflection electrode 360.

이후, 제1 기판(340)의 상면에는 다시 공통 전극(380)이 형성된 제2 기판(390)이 위치하고, 그 사이에는 액정(370)이 주입되어 반사/투과형 액정표시장치가 제작된다.Subsequently, the second substrate 390 on which the common electrode 380 is formed is positioned on the upper surface of the first substrate 340, and the liquid crystal 370 is injected therebetween to form a reflective / transmissive liquid crystal display device.

이처럼, 반사형 또는 반사/투과형 액정 표시 장치의 제조 공정에서는 반사 영역의 특성을 향상시키기 위해 특정 형태로 유기절연막에 요철을 형성하는 공정은 화질 특성과 직접적인 관계가 있는 가장 중요한 공정이다.As such, in the manufacturing process of the reflective or reflective / transmissive liquid crystal display device, the process of forming irregularities in the organic insulating layer in a specific form in order to improve the characteristics of the reflective region is the most important process having a direct relationship with the image quality characteristics.

그런데, 이러한 유기절연막은 포토 레지스터(PR)와 같은 특성을 지닌 물질로서 노광기의 노광 정도에 따라 패턴 모양에 많은 영향을 받는다. 심지어는 도 3, 4에 도시한 바와 같이 하부막, 특히 패시베이션막의 토폴로지에 의해서 원하지 않는 모양의 얼룩이 유기절연막에 발생하는 문제점이 있다.However, the organic insulating film is a material having the same characteristics as the photoresist PR and is greatly affected by the pattern shape according to the exposure degree of the exposure machine. Even as shown in Figs. 3 and 4, there is a problem that spots of unwanted shape are generated in the organic insulating film due to the topology of the lower film, especially the passivation film.

도 3과 도 4는 일반적인 패시베이션막의 개구부를 설명하기 위한 도면으로, 특히 도 3은 하부막이 단일막일 때 패시베이션막의 개구부를 설명하기 위한 도면이고, 도 4는 하부막이 이중막일 때 패시베이션막의 개구부를 설명하기 위한 도면이다.3 and 4 are views for explaining the openings of a general passivation film, in particular, Figure 3 is a view for explaining the opening of the passivation film when the lower film is a single film, Figure 4 is a view illustrating the opening of the passivation film when the lower film is a double film It is for the drawing.

도시된 바와 같이, 패시베이션막(414, 424)을 크게 하나로 오픈하게 되면 패시베이션막(414, 424) 주변부에 도포되는 유기절연막의 얼룩 범위가 크게 발생하는 문제점이 있다. 이처럼, 유기절연막의 얼룩이 심하게 발생하는 부분은 하부막의 단차가 크게 형성되는 부분과, 하부막 패턴의 크기가 큰 부분에서 얼룩이 심하게 발생하는 문제점이 있다.As shown in the drawing, when the passivation films 414 and 424 are largely opened into one, there is a problem in that a stain range of the organic insulating film applied to the periphery of the passivation films 414 and 424 is large. As such, the areas where the staining of the organic insulating layer is severely generated may have a problem that the spots are severely formed at the portions where the stepped portion of the lower layer is largely formed and the portions where the size of the lower layer pattern is large.

이에 본 발명의 기술과 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 반사형 및 반투과형 액정 표시 장치에서 반사율 향상을 위해 반드시 적용되어야 하는 유기절연막의 엠보싱 공정 진행시 얼룩을 제거하여 액정 패널의 수율을 향상시키기 위한 다공형 패시베이션막을 갖는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, the present invention has been made in an effort to solve such a problem, and an object of the present invention is to remove spots during an embossing process of an organic insulating layer which must be applied to improve reflectance in reflective and semi-transmissive liquid crystal display devices. To provide a liquid crystal display device having a porous passivation film for improving the yield of a liquid crystal panel.

도 1은 일반적인 반사형 액정 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a general reflective liquid crystal display device.

도 2는 일반적인 반사/투과형 액정 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.2 is a diagram for describing a general reflective / transmissive liquid crystal display device.

도 3은 하부막이 단일막일 때 패시베이션막의 개구부를 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining the opening of the passivation film when the lower film is a single film.

도 4는 하부막이 이중막일 때 패시베이션막의 개구부를 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining an opening of a passivation film when the lower film is a double film.

도 5와 본 발명의 일실시예에 따른 유기절연막의 얼룩 개선을 위한 다공형 패시베이션막의 개구부를 설명하기 위한 도면이다.5 and a view for explaining the opening of the porous passivation film for improving the staining of the organic insulating film according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기절연막의 얼룩 개선을 위한 다공형 패시베이션막의 개구부를 설명하기 위한 도면이다.6 is a view for explaining an opening of a porous passivation film for improving the staining of the organic insulating film according to another embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기절연막의 얼룩 개선을 위한 다공형 패시베이션막의 개구부를 설명하기 위한 도면이다.7 is a view for explaining an opening of a porous passivation film for improving the staining of the organic insulating film according to another embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명에 따른 어레이 기판을 설명하기 위한 평면도이다.8 is a plan view illustrating an array substrate according to the present invention.

도 9a 내지 도 9g는 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 공정의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.9A to 9G are cross-sectional views illustrating one example of a manufacturing process of an array substrate for a liquid crystal display device according to the present invention.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 다공형 패시베이션막을 갖는 액정 표시 장치는, 투명 기판 상에 형성된 복수의 화소부와, 상기 화소부와 연결된 게이트 라인의 일단부로부터 신장하여 상기 투명 기판상에 형성된 게이트 패드부와, 상기 화소부와 연결된 데이터 라인의 일단부로부터 신장하여 상기 투명 기판상에 형성된 데이터 패드부를 포함하여 이루어지고,According to an aspect of the present invention, a liquid crystal display device having a porous passivation film includes a plurality of pixel parts formed on a transparent substrate and one end of a gate line connected to the pixel parts. A gate pad portion formed on the transparent substrate and a data pad portion formed on the transparent substrate extending from one end of a data line connected to the pixel portion,

상기 화소부는,The pixel portion,

게이트 전극과 상기 게이트 전극과 전기적으로 연결된 소오스 전극과 드레인 전극으로 이루어지는 스위칭 소자; 상기 스위칭 소자를 커버하고, 상기 드레인 전극이 노출되도록 다수의 비어 홀을 갖는 제1 패시베이션막; 상기 제1 패시베이션막을 커버하고, 상기 드레인 전극이 노출되도록 다수의 비어 홀을 갖는 제1 유기절연막; 및 상기 드레인 전극에 대응하여 상기 제1 유기절연막상에 형성되고, 상기 다수개의 비어홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 접촉된 화소 전극을 포함하여 이루어진다.A switching element comprising a gate electrode, a source electrode and a drain electrode electrically connected to the gate electrode; A first passivation layer covering the switching element and having a plurality of via holes to expose the drain electrode; A first organic insulating layer covering the first passivation layer and having a plurality of via holes to expose the drain electrode; And a pixel electrode formed on the first organic insulating layer corresponding to the drain electrode and electrically contacting the drain electrode through the plurality of via holes.

이러한 다공형 패시베이션막을 갖는 액정 표시 장치에 의하면, 유기절연막의 하부에 위치하는 하부막, 특히 패시베이션막의 토폴로지에 의한 유기절연막 얼룩의 발생을 감소시켜, 실제 화상이 표시되는 부분에서의 얼룩 발생을 감소시킬 수 있다.According to the liquid crystal display device having such a porous passivation film, the occurrence of unevenness of the organic insulating film due to the topology of the lower film, particularly the passivation film, which is located below the organic insulating film, can reduce the occurrence of unevenness in the portion where the actual image is displayed. Can be.

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail the present invention.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 유기절연막의 얼룩 개선을 위한 다공형 패시베이션막의 개구부를 설명하기 위한 도면으로, 특히 하부막이 단일막일 때 패시베이션막의 개구부를 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining the opening of the porous passivation film for improving the staining of the organic insulating film according to an embodiment of the present invention, in particular the view for explaining the opening of the passivation film when the lower film is a single film.

도 5를 참조하면, 일정 면적을 갖는 하부막(512) 상부에 도포되는 패시베이션막(514)은 복수개의 비어 홀(514a, 514b, 514c)을 갖고, 그 상부에 하부막(512)과 동일한 면적으로 적층된 ITO등의 상부 전극(516)을 갖는다. 이때 형성되는 비어 홀(514a, 514b, 514c)은 하부막(512)이 노출되도록 개구된다.Referring to FIG. 5, the passivation film 514 applied over the lower film 512 having a predetermined area has a plurality of via holes 514a, 514b, and 514c, and has the same area as the lower film 512 thereon. The upper electrode 516, such as ITO, is stacked. The via holes 514a, 514b, and 514c formed at this time are opened to expose the lower layer 512.

이상에서 설명한 본 발명의 일실시예에 따르면, 하부막이 단일막이고, 패시베이션막을 오픈할 때 작은 크기로 복수개 오픈하므로써 얼룩의 범위를 현저히 작게 형성되므로 실제 화상이 표시되는 부분에서의 얼룩 발생을 차단할 수 있다.According to one embodiment of the present invention described above, since the lower film is a single film and a plurality of small sizes are opened when the passivation film is opened, the range of the stain is remarkably small, thereby preventing the occurrence of spots on the portion where the actual image is displayed. have.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기절연막의 얼룩 개선을 위한 다공형 패시베이션막의 개구부를 설명하기 위한 도면으로, 특히 하부막이 이중막일 때 패시베이션막의 개구부를 설명하기 위한 도면이다.6 is a view for explaining the opening of the porous passivation film for improving the staining of the organic insulating film according to another embodiment of the present invention, particularly when the lower film is a double film to explain the opening of the passivation film.

도 6을 참조하면, 일정 면적을 갖는 하부막(522) 상부에 도포되는 패시베이션막(524)은 복수개의 비어 홀을 갖는다. 이때 비어 홀은 도포된 패시베이션막중하부막(522)의 일부가 노출되도록 형성되고, 하부막(522)의 일부에 접하면서 하부막(522)의 주변부에 형성되며, 형성된 비어 홀과 패시베이션막의 일부는 ITO 등의 상부 전극(526)에 의해 적층된다.Referring to FIG. 6, the passivation film 524 applied on the lower layer 522 having a predetermined area has a plurality of via holes. In this case, the via hole is formed so that a portion of the applied passivation layer lower layer 522 is exposed, and is formed in the periphery of the lower layer 522 while being in contact with a portion of the lower layer 522. A portion of the formed via hole and the passivation layer is formed. It is laminated by an upper electrode 526 such as ITO.

예를 들어, 하부막(522)의 주변부에 형성되는 제1 및 제2 비어 홀(524a)은 패시베이션막(524)과 일부가 패시베이션막(524)에 의해 개구된 면을 갖는 하부막(522)간에 형성된다.For example, the first and second via holes 524a formed at the periphery of the lower layer 522 may have a lower layer 522 having a passivation layer 524 and a surface partially opened by the passivation layer 524. It is formed in the liver.

이상에서 설명한 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 하부막이 이중 메탈일 경우 패시베이션막의 개구부와 하부 이중 메탈막의 스텝 커버리지를 고려하여 패시베이션 개구부를 하부막 경계부에 걸쳐서 형성되게 된다.According to another embodiment of the present invention described above, when the lower layer is a double metal, the passivation opening is formed over the lower layer boundary in consideration of the opening of the passivation layer and the step coverage of the lower double metal layer.

하지만, 이처럼 다공형 패시베이션 개구부를 적용할 경우 하부막과의 접촉 면적의 감소에 따라 접촉 저항이 증가할 수 있다. 이러한 점에 착안하여 하부 이중 메탈의 패턴을 변경하여 접촉 저항 증가를 방지하는 예를 제안한다.However, when the porous passivation opening is applied as described above, the contact resistance may increase as the contact area with the lower layer decreases. With this in mind, an example of preventing the increase in contact resistance by changing the pattern of the lower double metal is proposed.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기절연막의 얼룩 개선을 위한 다공형 패시베이션막의 개구부를 설명하기 위한 도면으로, 특히 하부막이 이중 메탈일 때 접촉 저항의 감소를 위한 패드의 레이아웃을 도시한다.FIG. 7 is a view for explaining an opening of a porous passivation film for improving staining of an organic insulating film according to another embodiment of the present invention. In particular, FIG. 7 illustrates a layout of a pad for reducing contact resistance, particularly when the lower film is a double metal. .

도 7을 참조하면, 하부막(532)은 내부에 일정 개구부를 구비하여 형성되고, 개구부를 갖지 않는 영역은 연결되는 패턴을 갖는다. 이처럼 내부에 일정 개구부를 갖는 하부막(532)은 상부 전극과의 접촉 면적을 증가하기 위함이다. 일정 개구부를 갖는 하부막(532)의 상부에 패시베이션막(534)이 도포되고, 도포된 패시베이션막(534) 중 하부막(532)의 일부를 노출시키도록 복수개의 비어 홀이 형성된다.Referring to FIG. 7, the lower layer 532 has a predetermined opening therein, and a region having no opening has a pattern to be connected. As such, the lower layer 532 having a predetermined opening therein is intended to increase the contact area with the upper electrode. The passivation film 534 is coated on the lower film 532 having a predetermined opening, and a plurality of via holes are formed to expose a portion of the lower film 532 of the applied passivation film 534.

그러면, 하부막을 노출시키는 복수개의 비어 홀에 대해서 각각의 절단면(Ⅰ-Ⅰ', Ⅱ-Ⅱ', Ⅲ-Ⅲ')을 예로 하여 설명한다.Next, the plurality of via holes exposing the lower film will be described using the respective cut surfaces I-I ', II-II', and III-III 'as an example.

절단면도 Ⅰ-Ⅰ'에 도시한 바와 같이, 제1 및 제2 비어 홀(534a, 534b)은 패시베이션막(534)과 패시베이션막(534)에 의해 일부가 개구된 하부막(532)간에 형성되고, 제3 및 제4 비어 홀(532a, 532b)은 패시베이션막(534)에 의해 개구된 면을 갖는 하부막(532)상에 형성된다.As shown in the cut-away view II ′, the first and second via holes 534a and 534b are formed between the passivation film 534 and the lower film 532 partially opened by the passivation film 534. The third and fourth via holes 532a and 532b are formed on the lower film 532 having a surface opened by the passivation film 534.

또한, 절단면도 Ⅱ-Ⅱ'에 도시한 바와 같이, 제5 비어 홀(534c)은 패시베이션막(534)과 패시베이션막(534)에 의해 일부가 개구된 하부막(532)간에 형성되고, 제6 비어 홀(534d)은 패시베이션막(534)과 패시베이션막(534)에 의해 일부가 개구된 하부막(532)에 형성되며, 제7 비어 홀(534e)은 패시베이션막(534)에 의해 일부가 개구된 하부막(532)간에 형성되고, 제8 비어 홀(534f)은 패시베이션막(534)에 의해 일부가 개구된 하부막(532)과 패시베이션막(534)간에 형성된다.In addition, as shown in the cutaway view II-II ', the fifth via hole 534c is formed between the passivation film 534 and the lower film 532 partially opened by the passivation film 534, and the sixth via hole 534c. The via hole 534d is formed in the lower layer 532, which is partially opened by the passivation film 534 and the passivation film 534, and the seventh via hole 534e is partially opened by the passivation film 534. The eighth via hole 534f is formed between the lower film 532 and the passivation film 534, which are partially opened by the passivation film 534.

또한, 절단면도 Ⅲ-Ⅲ'에 도시한 바와 같이, 제9 비어 홀(534g)은 패시베이션막(534)과 패시베이션막(534)에 의해 일부가 개구된 하부막(532)간에 형성되고, 제10 및 제11 비어 홀(534h, 534i)은 패시베이션막(534)간에 각각 형성되며, 제12 비어 홀(534j)은 패시베이션막(534)에 의해 일부가 개구된 하부막(532)과 패시베이션막(534)간에 형성된다.In addition, as shown in the cutaway view III-III ', the ninth via hole 534g is formed between the passivation film 534 and the lower film 532, which is partially opened by the passivation film 534, and the tenth throughhole. And the eleventh via holes 534h and 534i are formed between the passivation films 534, and the twelfth via holes 534j include the lower film 532 and the passivation film 534 partially opened by the passivation film 534. Is formed in between.

이처럼, 각각 형성된 비어 홀들은 하부막(532)의 일부에 접하면서 하부막(532)의 주변부에 형성된다. 형성된 비어 홀과 패시베이션막(534)의 일부는ITO 등의 상부 전극(536)에 의해 적층된다.As such, the formed via holes are formed in the periphery of the lower layer 532 while contacting a portion of the lower layer 532. A portion of the formed via hole and the passivation film 534 are stacked by an upper electrode 536 such as ITO.

이상에서 설명한 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면 하부 이중 메탈의 패턴을 변경하여 패시베이션막의 개구부와 픽셀 전극 사이의 접촉 면적을 확대하므로써 접촉 저항의 증가를 방지할 수 있다.According to another exemplary embodiment of the present invention described above, an increase in contact resistance can be prevented by changing the pattern of the lower double metal to enlarge the contact area between the opening of the passivation layer and the pixel electrode.

이상에서는 하부막에 접촉하는 패시베이션막을 다공형으로 형성하여 유기절연막의 얼룩 개선을 위한 다양한 실시예를 설명하였고, 특히 하부막과 접촉하는 패드를 일례로 하여 설명하였다. 그러면, 하부막과 접촉하는 게이트 패드나 데이터 패드뿐만 아니라, TFT 소자의 상기한 다공형 패시베이션막을 갖는 액정 표시 장치, 특히 TFT 소자가 배열되는 어레이 기판의 제조 공정을 첨부하는 도면을 참조하여 설명한다.In the above, various embodiments for improving the staining of the organic insulating layer by forming the passivation layer in contact with the lower layer in a porous form have been described. In particular, the pad in contact with the lower layer has been described as an example. Next, a description will be given with reference to the accompanying drawings a manufacturing process of not only a gate pad and a data pad in contact with a lower film, but also a liquid crystal display device having the aforementioned porous passivation film of a TFT element, in particular an array substrate on which the TFT element is arranged.

도 8은 본 발명에 따른 어레이 기판을 설명하기 위한 평면도이고, 도 9a 내지 도 9g는 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 공정의 일 실시예를 나타낸 단면도로서, 특히 상기한 도 8의 게이트 패드, 박막 트랜지스터 및 데이터 패드의 제조 공정을 나타낸다.8 is a plan view illustrating an array substrate according to the present invention, and FIGS. 9A to 9G are cross-sectional views showing one embodiment of a manufacturing process of an array substrate for a liquid crystal display device according to the present invention. In particular, FIG. The manufacturing process of a gate pad, a thin film transistor, and a data pad is shown.

도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 어레이 기판은 투명기판(590)의 동일 평면상에 복수의 게이트 패드(600)로 이루어지는 게이트 패드부와, 상기 게이트 패드부(600)에 게이트 라인(610)을 통해 연결되어 하나의 화소를 형성하는 복수의 TFT 소자를 구비하는 화소부(700)와, 데이터 라인(810)을 통해 화소부(700)와 연결되는 데이터 패드부(800)를 포함하여 이루어진다. 이렇게 제조된 어레이 기판은 액정을 내장하여 컬러 필터 기관과 합체되어 각종 그래픽 컨트롤러로부터 제공되는화상 신호를 디스플레이한다.Referring to FIG. 8, the array substrate according to the present invention includes a gate pad part including a plurality of gate pads 600 on the same plane of the transparent substrate 590, and a gate line 610 on the gate pad part 600. The pixel portion 700 includes a plurality of TFT elements connected to each other to form one pixel, and a data pad portion 800 connected to the pixel portion 700 through a data line 810. The array substrate thus manufactured incorporates liquid crystal and is integrated with a color filter engine to display image signals provided from various graphic controllers.

여기서, 상기한 게이트 패드부(600)를 구성하는 각각의 게이트 패드나 데이터 패드부(800)를 구성하는 각각의 데이터 패드는 하부막과는 다공형 콘택 홀을 통해 연결되고, 화소부(700)에 형성된 TFT 소자의 드레인 전극 역시 하부막과는 다공형 콘택 홀을 통해 연결된다. 이러한 다공형 콘택 홀의 제조 방법은 하기하는 도 9a 내지 도 9g를 참조하여 보다 상세히 설명하다.Here, each of the gate pads constituting the gate pad part 600 or each data pad constituting the data pad part 800 is connected to the lower layer through a porous contact hole and the pixel part 700. The drain electrode of the TFT element formed in the is also connected to the lower layer through the porous contact hole. A method of manufacturing such a porous contact hole will be described in more detail with reference to FIGS. 9A to 9G below.

도 8과 도 9a를 참조하면, 유리 또는 세라믹 등과 같은 비전도성 물질로 이루어진 기판(590)상에 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터를 형성한다.8 and 9A, a thin film transistor is formed as a switching element on a substrate 590 made of a non-conductive material such as glass or ceramic.

보다 상세히는, 기판(590)상에 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 구리(Cu) 또는 텅스텐(W) 등과 같은 메탈을 증착하여 메탈층(611, 711)을 형성한다. 기판(590)은 박막 트랜지스터가 형성되어 화상을 표시하기 위한 화소부(700), 화소부(700)의 주변 영역에 형성되어 게이트측 TCP(미도시)와 접속하는 게이트 패드부(600) 및 화소부(700)의 주변 영역에 형성되어 데이터측 TCP(미도시)와 접속되는 데이터 패드부(800)를 갖는다.In more detail, a metal such as aluminum (Al), molybdenum (Mo), chromium (Cr), tantalum (Ta), titanium (Ti), copper (Cu), or tungsten (W) may be deposited on the substrate 590. Metal layers 611 and 711 are formed. The substrate 590 includes a pixel portion 700 for forming a thin film transistor to display an image, a gate pad portion 600 and a pixel formed in a peripheral region of the pixel portion 700 and connected to a gate side TCP (not shown). And a data pad portion 800 formed in the peripheral area of the portion 700 and connected to the data side TCP (not shown).

메탈층(611, 711)을 통상적인 사진 식각공정에 의해 패터닝(patterning)하여 이미지를 형성하기 위한 화소가 형성되는 화소부(700)에는 기판(590)의 폭 방향을 따라 소정의 간격으로 배열되는 게이트 라인(610) 및 게이트 라인(610)으로부터 분기되는 게이트 전극(711)을 형성한다. 이와 동시에, 화소부(700)에 전기적인 신호를 인가하기 위하여 화소부(700)의 주변 영역에 형성된 게이트 패드부(600)에는 게이트 라인(610)으로부터 연장되어 게이트 패드(611)를 형성한다. 이때, 게이트 패드(611)는 바람직하게는 게이트 전극(711) 및 게이트 라인(610)에 비하여 넓은 면적을 갖도록 형성된다.The metal layers 611 and 711 are arranged at predetermined intervals along the width direction of the substrate 590 in the pixel portion 700 where the pixels for patterning the images are formed by patterning the metal layers 611 and 711 by a conventional photolithography process. A gate electrode 711 branched from the gate line 610 and the gate line 610 is formed. At the same time, in order to apply an electrical signal to the pixel portion 700, the gate pad portion 600 formed in the peripheral area of the pixel portion 700 extends from the gate line 610 to form the gate pad 611. In this case, the gate pad 611 is preferably formed to have a larger area than the gate electrode 711 and the gate line 610.

또한, 게이트 전극(711), 게이트 패드(611) 및 게이트 라인(610)은 각기 알루미늄-구리(Al-Cu)의 합금이나 알루미늄-실리콘-구리(Al-Si-Cu)와 같은 합금을 사용하여 형성될 수도 있다.In addition, the gate electrode 711, the gate pad 611 and the gate line 610 are each made of an alloy of aluminum-copper (Al-Cu) or an alloy such as aluminum-silicon-copper (Al-Si-Cu). It may be formed.

이어 도 9b에 도시한 바와 같이, 게이트 패드(611), 게이트 전극(711) 및 게이트 라인(610)이 형성된 기판(590)의 전면에 질화 실리콘(SixNy)을 플라즈마 화학 기상 증착 방법으로 적층하여 게이트 절연막(613, 713, 813)을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 9B, silicon nitride (SixNy) is stacked on the entire surface of the substrate 590 on which the gate pad 611, the gate electrode 711, and the gate line 610 are formed by a plasma chemical vapor deposition method. The insulating films 613, 713, and 813 are formed.

계속하여, 도 9c에 도시한 바와 같이, 게이트 절연막(713) 상에 아몰퍼스 실리콘막 및 인 시튜(in-situ)로 도핑된 n+아몰퍼스 실리콘막을 플라즈마 화학 기상 증착 방법으로 차례로 적층한다. 이어, 적층된 아몰퍼스 실리콘막 및 n+아몰퍼스 실리콘막을 패터닝하여 게이트 절연막(713) 중, 아래에 게이트 전극(711)이 위치한 부분의 상부에는 반도체층(715) 및 오믹 콘택층(716)을 형성한다. 이때, 아몰퍼스 실리콘막에 소정의 강도를 갖는 레이저를 조사하여 반도체층(715)을 폴리 실리콘층으로 전환시킬 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 9C, an amorphous silicon film and an n + amorphous silicon film doped in-situ are sequentially stacked on the gate insulating film 713 by a plasma chemical vapor deposition method. Subsequently, the stacked amorphous silicon film and the n + amorphous silicon film are patterned to form a semiconductor layer 715 and an ohmic contact layer 716 on an upper portion of the gate insulating film 713 where the gate electrode 711 is located. . At this time, the amorphous silicon film may be irradiated with a laser having a predetermined intensity to convert the semiconductor layer 715 into a polysilicon layer.

계속하여, 결과물이 형성된 기판(590)상에 알루미늄, 몰리브덴, 탄탈륨, 티타늄, 크롬, 텅스텐 또는 구리 등과 같은 메탈로 이루어진 메탈층을 적층한 후, 적층된 메탈층을 패터닝하여 게이트 라인(610)에 직교하는 데이터 라인(810), 데이터 라인(810)으로부터 분기되는 소오스 전극(717)과 드레인 전극(719)을 형성한다. 또한, 데이터 라인(810)의 일단부에 데이터 패드(819)를 형성한다. 이때 데이터 패드(819)는 바람직하게는 데이터 라인(810)에 비하여 넓은 면적을 갖도록 형성된다.Subsequently, a metal layer made of metal such as aluminum, molybdenum, tantalum, titanium, chromium, tungsten, or copper is deposited on the substrate 590 on which the resultant is formed, and then the stacked metal layer is patterned to form a gate line 610. The orthogonal data line 810, the source electrode 717 and the drain electrode 719 branching from the data line 810 are formed. In addition, a data pad 819 is formed at one end of the data line 810. In this case, the data pad 819 is preferably formed to have a larger area than the data line 810.

이에 따라, 기판(590)의 화소부(700)에는 게이트 전극(711), 반도체층(715), 오믹 콘택층(716), 소오스 전극(717) 및 드레인 전극(719)을 포함하는 박막 트랜지스터가 완성된다. 또한, 게이트 패드부(600) 및 데이터 패드부(800)에는 각각 게이트 패드(611)와 데이터 패드(819)가 형성된다. 이때, 데이터 라인(810)과 게이트 라인(610) 사이에는 게이트 절연막(613, 713, 813)이 개재되어 데이터 라인(810)과 게이트 라인(610)사이에 전기적인 단락이 일어나는 것을 방지한다.Accordingly, a thin film transistor including a gate electrode 711, a semiconductor layer 715, an ohmic contact layer 716, a source electrode 717, and a drain electrode 719 is formed in the pixel portion 700 of the substrate 590. Is completed. In addition, a gate pad 611 and a data pad 819 are formed in the gate pad 600 and the data pad 800, respectively. In this case, gate insulating layers 613, 713, and 813 are interposed between the data line 810 and the gate line 610 to prevent an electrical short circuit between the data line 810 and the gate line 610.

계속하여, 도 9d에 도시한 바와 같이, 게이트 패드부(600), 화소부(700) 및 데이터 패드부(800)의 전면에 제1 내지 제3 패시베이션막(621, 721, 821)을 도포한다. 물론 제1 내지 제3 패시베이션막(621, 721, 821)은 동일 시점에 동일 재질로 도포되는 막이나 본 발명의 설명에서는 게이트 패드부(600), 화소부(700), 데이터 패드부(800)의 서로 다른 영역에 도포되므로 별도의 도면 부호를 부여한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 9D, the first to third passivation films 621, 721, and 821 are coated on the entire surface of the gate pad part 600, the pixel part 700, and the data pad part 800. . Of course, the first to third passivation films 621, 721, and 821 may be coated with the same material at the same time, but in the description of the present invention, the gate pad part 600, the pixel part 700, and the data pad part 800 are described. It is applied to different areas of the to give a separate reference numeral.

이어, 도 9e에 도시한 바와 같이, 게이트 패드(611)의 상부에 복수개의 비어 홀(623a, 623b, 623c)을 형성하고, 화소부(700)의 상부, 바람직하게는 드레인 전극의 상부에 복수개의 비어 홀(723a, 723b)을 형성하며, 데이터 패드(800)의 상부에 복수개의 비어 홀(823a, 823b, 823c)을 형성한다. 특히, 게이트 패드부(600)에 형성되는 비어 홀(623a, 623b, 623c)들은 게이트 패드(611)에 적층된 게이트 절연막(613)이 노출되도록 식각 공정을 더 수행한다.Subsequently, as shown in FIG. 9E, a plurality of via holes 623a, 623b, and 623c are formed in the upper portion of the gate pad 611, and the plurality of via holes 623a, 623b and 623c are formed in the upper portion of the pixel portion 700, preferably in the upper portion of the drain electrode. Four via holes 723a and 723b, and a plurality of via holes 823a, 823b and 823c are formed on the data pad 800. In particular, the via holes 623a, 623b, and 623c formed in the gate pad part 600 further perform an etching process to expose the gate insulating layer 613 stacked on the gate pad 611.

계속하여, 도 9f에 도시한 바와 같이, 기판(590)의 화소부(700), 게이트 패드(600) 및 데이터 패드(800)의 전면에는 감광성 유기 레지스트(resist)를 스핀 코팅 방법으로 도포하여 제1 내지 제3 보호막(624, 724, 824)을 형성한다. 여기서, 제1 내지 제3 보호막(624, 724, 824)은 비.씨.디(BCB; bisbenzocyclobutene) 또는 피.에프.씨.비(PFCB; perfluorocyclobutene) 등으로 이루어진 유기 절연 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.Subsequently, as shown in FIG. 9F, a photosensitive organic resist is coated on the entire surface of the pixel portion 700, the gate pad 600, and the data pad 800 of the substrate 590 by spin coating. First to third passivation layers 624, 724, and 824 are formed. Here, it is preferable that the first to third passivation layers 624, 724, and 824 are made of an organic insulating material formed of bisbenzocyclobutene (BCB), perfluorocyclobutene (PFCB), or the like. .

이후, 게이트 패드(611), 화소부(700)의 드레인 전극, 데이터 패드(821)를 노출시키기 위한 마스크를 제1 내지 제3 보호막(624, 724, 824)의 상부에 위치시킨 다음, 소정의 노광량으로 풀 노광 공정을 진행하고, 현상 공정을 통하여 제1 내지 제3 보호막(624, 724, 824)을 부분적으로 제거한다.Subsequently, a mask for exposing the gate pad 611, the drain electrode of the pixel portion 700, and the data pad 821 is positioned on the first to third passivation layers 624, 724, and 824, and then a predetermined mask is exposed. The full exposure process is performed at the exposure amount, and the first to third protective films 624, 724, and 824 are partially removed through the development process.

이러한 공정을 통해 게이트 패드(611)의 일부는 다수의 비어 홀(625a, 625b, 625c)에 노출되고, 화소부(700)에 구비되는 박막 트랜지스터의 드레인 전극의 일부는 다수의 비어 홀(725a, 725b)에 노출되며, 데이터 패드(821)의 일부는 다수의 비어 홀(825a, 825b, 825c)에 노출된다.Through this process, a portion of the gate pad 611 is exposed to the plurality of via holes 625a, 625b, and 625c, and a part of the drain electrode of the thin film transistor provided in the pixel part 700 includes a plurality of via holes 725a, 725b), and a portion of the data pad 821 is exposed to a plurality of via holes 825a, 825b, 825c.

계속하여, 도 9g에 도시한 바와 같이, 제2 보호막(724) 위에는 박막 트랜지스터로부터 화상 신호를 받아 상판(즉, 컬러 필터)의 전극과 함께 전기장을 생성하는 화소 전극(730)이 형성된다. 화소 전극(730)은 알루미늄과 같은 메탈물질 및 ITO 또는 IZO 따위의 투명한 도전 물질로 만들어지며, 다수의 콘택 홀(730a, 730b)을 통하여 드레인 전극(719)과 물리적, 전기적으로 연결되어 화상 신호를 전달받는다.Subsequently, as illustrated in FIG. 9G, a pixel electrode 730 is formed on the second passivation film 724 to receive an image signal from the thin film transistor and generate an electric field together with the electrodes of the upper plate (that is, the color filter). The pixel electrode 730 is made of a metal material such as aluminum and a transparent conductive material such as ITO or IZO. The pixel electrode 730 is physically and electrically connected to the drain electrode 719 through a plurality of contact holes 730a and 730b to provide an image signal. I receive it.

한편, 게이트 패드(611)와 대응하는 제1 보호막(624) 및 다수개의 비어 홀(625a, 625b, 625c)을 통해 노출된 게이트 패드(611) 상에는 제1 도전막(630)이 형성되며, 이러한 제1 도전막(630)은 다수의 콘택 홀(630a, 630b, 630c)을 형성한다. 또한, 데이터 패드(821)와 대응하는 제3 보호막(824) 및 다수개의 비어 홀(823a, 823b, 823c)을 통해 노출된 데이터 패드(251) 상에는 제2 도전막(830)이 형성되며, 이러한 제2 도전막(830)은 다수의 콘택 홀(830a, 830b, 830c)을 형성한다.Meanwhile, a first conductive layer 630 is formed on the first passivation layer 624 corresponding to the gate pad 611 and the gate pad 611 exposed through the plurality of via holes 625a, 625b, and 625c. The first conductive layer 630 forms a plurality of contact holes 630a, 630b, and 630c. In addition, a second conductive layer 830 is formed on the data pad 251 exposed through the third passivation layer 824 and the plurality of via holes 823a, 823b, and 823c corresponding to the data pad 821. The second conductive layer 830 forms a plurality of contact holes 830a, 830b, and 830c.

여기서, 제1 및 제2 도전막(630, 830)은 알루미늄과 같은 메탈 물질 및 ITO 또는 IZO 따위의 투명한 도전 물질로 만들어진다. 이때, 제1 및 제2 도전막(630, 830)은 제1 및 제3 보호막(624, 824) 및 다수개의 비어 홀(630a, 630b, 630c, 830a, 830b, 830c)에 의해 드러난 게이트 및 데이터 패드(611, 821) 상에 균일하게 도포된다.Here, the first and second conductive layers 630 and 830 are made of a metal material such as aluminum and a transparent conductive material such as ITO or IZO. In this case, the first and second conductive layers 630 and 830 may include gates and data exposed by the first and third passivation layers 624 and 824 and the plurality of via holes 630a, 630b, 630c, 830a, 830b, and 830c. It is evenly applied on the pads 611 and 821.

물론 상기한 도 9a 내지 도 9g에는 도시하지 않았으나, 반사 특성의 향상을 위해 화소부의 상부에 도포된 제2 보호막(724)의 상부에 대해서는 엠보싱 처리를 한 후 엠보싱 처리된 전체 표면에 대해 반사 전극(또는 화소 전극)을 형성하고, 형성된 반사 전극은 소정의 콘택홀을 통해 드레인 전극에 접속함으로써, 반사형 액정 표시 장치를 구현할 수 있을 것이다.Of course, although not shown in FIGS. 9A to 9G, the upper part of the second passivation layer 724 coated on the upper part of the pixel part is embossed on the upper part of the pixel part to improve reflection characteristics, Or a pixel electrode), and the formed reflective electrode may be connected to the drain electrode through a predetermined contact hole, thereby implementing a reflective liquid crystal display.

또한, 반사 특성의 향상을 위해 화소부의 상부에 도포된 제2 보호막(724)의 상부에 대해서 엠보싱 처리를 한 후 엠보싱 처리된 일부 표면에 대해 반사 전극(또는 화소 전극)을 형성하고, 형성된 반사 전극은 소정의 콘택홀을 통해 드레인 전극에 접속함으로써, 반사투과형 액정 표시 장치를 구현할 수 있을 것이다.In addition, after the embossing process is performed on the upper portion of the second passivation layer 724 coated on the upper portion of the pixel portion to improve the reflection characteristic, a reflective electrode (or a pixel electrode) is formed on a part of the embossed surface, and the formed reflective electrode The reflective transmissive liquid crystal display device may be realized by connecting to the drain electrode through a predetermined contact hole.

또한, 본 발명의 실시예에서는 패시베이션막과 해당 패시베이션막의 상부에 도포되는 유기절연막을 복수의 비어 홀로 동일하게 개구하는 예를 설명하였으나, 패시베이션막의 개구를 크게하고, 해당 패시베이션막의 상부에 도포되는 유기절연막의 개구를 작게 나누어서 개구시킬 수도 있을 것이다.In addition, in the embodiment of the present invention, an example in which the passivation film and the organic insulating film applied on the passivation film are identically opened with a plurality of via holes is described. However, the opening of the passivation film is increased, and the organic insulating film applied on the passivation film is enlarged. The opening of may be divided into small openings.

이상에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the embodiments, those skilled in the art can be variously modified and changed within the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 반사형 또는 반사/투과형 액정 표시 장치의 제조 공정 중 반사 영역의 특성을 향상시키기 위해 특정 형태로 형성된 요철을 갖는 유기절연막의 엠보싱 공정 진행시 유기 절연막의 얼룩을 제거하여 액정 패널의 수율을 향상시킬 수 있다. 즉, 유기막의 얼룩과 콘택 크기와의 사이에는 선형적인 상관 관계가 존재하므로 콘택의 크기를 줄이므로써 유기막의 얼룩 면적을 줄일 수 있다.As described above, according to the present invention, in order to improve the characteristics of the reflective region during the manufacturing process of the reflective or reflective / transmissive liquid crystal display device, unevenness of the organic insulating film during embossing of the organic insulating film having irregularities formed in a specific shape By removing, the yield of the liquid crystal panel can be improved. That is, since there is a linear correlation between the stain of the organic film and the contact size, the stain area of the organic film can be reduced by reducing the size of the contact.

Claims (5)

투명 기판 상에 형성된 복수의 화소부와, 상기 화소부와 연결된 게이트 라인의 일단부로부터 신장하여 상기 투명 기판상에 형성된 게이트 패드부와, 상기 화소부와 연결된 데이터 라인의 일단부로부터 신장하여 상기 투명 기판상에 형성된 데이터 패드부를 포함하여 이루어지고,A plurality of pixel portions formed on the transparent substrate, a gate pad portion formed on the transparent substrate by extending from one end of a gate line connected to the pixel portion, and extending from one end of a data line connected to the pixel portion, the transparent It comprises a data pad portion formed on the substrate, 상기 화소부는,The pixel portion, 게이트 전극과 상기 게이트 전극과 전기적으로 연결된 소오스 전극과 드레인 전극으로 이루어지는 스위칭 소자;A switching element comprising a gate electrode, a source electrode and a drain electrode electrically connected to the gate electrode; 상기 스위칭 소자를 커버하고, 상기 드레인 전극이 노출되도록 다수의 비어 홀을 갖는 제1 패시베이션막;A first passivation layer covering the switching element and having a plurality of via holes to expose the drain electrode; 상기 제1 패시베이션막을 커버하고, 상기 드레인 전극이 노출되도록 다수의 비어 홀을 갖는 제1 유기절연막; 및A first organic insulating layer covering the first passivation layer and having a plurality of via holes to expose the drain electrode; And 상기 드레인 전극에 대응하여 상기 제1 유기절연막상에 형성되고, 상기 다수개의 비어홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 접촉된 화소 전극을 포함하는 다공형 패시베이션막을 갖는 액정 표시 장치.And a porous passivation layer formed on the first organic insulating layer corresponding to the drain electrode, the pixel electrode being in electrical contact with the drain electrode through the plurality of via holes. 제1항에 있어서, 상기 제1 유기절연막의 상부는 엠보싱 처리되고, 엠보싱 처리된 상기 제1 유기절연막의 상부 전체에 상기 화소 전극이 적층되는 것을 특징으로 하는 다공형 패시베이션막을 갖는 액정 표시 장치.The liquid crystal display of claim 1, wherein an upper portion of the first organic insulating layer is embossed, and the pixel electrode is stacked over the entire upper portion of the embossed first organic insulating layer. 제1항에 있어서, 상기 제1 유기절연막의 상부는 엠보싱 처리되고, 엠보싱 처리된 상기 제1 유기절연막의 상부 일부에 상기 화소 전극이 구비되는 것을 특징으로 하는 다공형 패시베이션막을 갖는 액정 표시 장치.The liquid crystal display of claim 1, wherein an upper portion of the first organic insulating layer is embossed, and the pixel electrode is disposed on a portion of the upper portion of the first organic insulating layer that is embossed. 제1항에 있어서, 상기 게이트 패드부는,The method of claim 1, wherein the gate pad unit, 상기 화소부와 연결된 게이트 라인의 일단부로부터 신장하여 상기 기판상에 형성되고, 패드 영역을 갖는 제1 패드 금속막;A first pad metal layer formed on the substrate and extending from one end of a gate line connected to the pixel portion, the first pad metal layer having a pad region; 상기 제1 패드 금속막을 커버하는 게이트 절연막;A gate insulating layer covering the first pad metal layer; 상기 게이트 절연막을 커버하고, 상기 게이트 절연막이 노출되도록 다수의 비어 홀을 갖는 제2 패시베이션막;A second passivation film covering the gate insulating film and having a plurality of via holes to expose the gate insulating film; 상기 제2 패시베이션막을 커버하고, 상기 게이트 절연막이 노출되도록 다수의 비어 홀을 갖는 제2 유기절연막; 및A second organic insulating film covering the second passivation film and having a plurality of via holes to expose the gate insulating film; And 상기 패드 영역에 대응하여 상기 제2 유기절연막 상에 형성되고, 상기 다수개의 비어홀을 통해 상기 제1 패드 금속막과 전기적으로 접촉된 제1 도전막을 포함하는 것을 특징으로 하는 다공형 패시베이션막을 갖는 액정 표시 장치.And a first conductive layer formed on the second organic insulating layer corresponding to the pad region and electrically contacting the first pad metal layer through the plurality of via holes. Device. 제1항에 있어서, 상기 데이터 패드부는,The method of claim 1, wherein the data pad unit, 상기 기판상에 형성된 데이터 절연막;A data insulating film formed on the substrate; 상기 화소부와 연결된 데이터 라인의 일단부로부터 신장하여 상기 데이터 절연막상에 형성되고, 패드 영역을 갖는 제2 패드 금속막;A second pad metal film extending from one end of the data line connected to the pixel portion and formed on the data insulating film, the second pad metal film having a pad region; 상기 제2 패드 금속막을 커버하고, 상기 제2 패드 금속막이 노출되도록 다수의 비어 홀을 갖는 제3 패시베이션막;A third passivation film covering the second pad metal film and having a plurality of via holes to expose the second pad metal film; 상기 제3 패시베이션막을 커버하고, 상기 제2 패드 금속막이 노출되도록 다수의 비어 홀을 갖는 제3 유기절연막; 및A third organic insulating layer covering the third passivation layer and having a plurality of via holes to expose the second pad metal layer; And 상기 패드 영역에 대응하여 상기 제3 유기절연막상에 형성되고, 상기 다수개의 비어홀을 통해 상기 제2 패드 금속막과 전기적으로 접촉된 제2 도전막을 포함하는 것을 특징으로 하는 다공형 패시베이션막을 갖는 액정 표시 장치.And a second conductive layer formed on the third organic insulating layer corresponding to the pad region, the second conductive layer being in electrical contact with the second pad metal layer through the plurality of via holes. Device.
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