KR20060055062A - Thin film transistor and method for fabricating the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 희생층을 도입하여 유기물 잔사를 제거한 박막트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 게이트 절연막 상부에 희생층을 도입하여 상기 희생층 상부에 남아 있는 유기물 잔사를 완전히 없애 불량이 발생되지 않도록 한 기술이다.The present invention relates to a thin film transistor in which organic residues are removed by introducing a sacrificial layer, and a method of manufacturing the same. A technique of introducing a sacrificial layer over a gate insulating layer to completely remove organic residues remaining on the sacrificial layer to prevent defects from occurring. to be.
Description
도 1은 종래의 따른 박막트랜지스터를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional thin film transistor.
도 2는 종래에 따른 박막트랜지스터의 유기물 잔사가 남겨진 단면도이다.2 is a cross-sectional view of the organic residue of the thin film transistor according to the related art.
도 3a 내지 도 3c은 본 발명의 제 1실시예에 따른 박막트랜지스터의 제조 공정을 개략적으로 도시한 단면도이다.3A to 3C are cross-sectional views schematically illustrating a manufacturing process of a thin film transistor according to a first embodiment of the present invention.
도 4a 내지 도 4d은 본 발명의 제 2실시예에 따른 박막트랜지스터의 제조 공정을 개략적으로 도시한 단면도이다.4A to 4D are cross-sectional views schematically illustrating a manufacturing process of a thin film transistor according to a second embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10, 110 : 기판 20, 120 : 버퍼층 10, 110:
30, 130 : 반도체층 패턴 40, 140 : 게이트 절연막 30 and 130:
50 : 게이트 전극 150 : 금속막 패턴 50
60, 160 : 층간 절연막 70, 170 : 콘텍홀 60, 160: interlayer
80, 180 : 소스/드레인 전극 90 : 포토레지스트 잔사 80, 180: source / drain electrode 90: photoresist residue
190 : 포토 레지스트 패턴 200 : 희생층 190: photoresist pattern 200: sacrificial layer
205 : 희생층 패턴 210 : LDD 영역 205: sacrificial layer pattern 210: LDD region
본 발명은 희생층을 도입한 유기물 잔사제거 기법으로 제조된 박막트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 희생층을 형성하고 포토 레지스트를 마스크로 하여 폴리 실리콘막을 이온 도핑한 후, 포토 레지스트 제거시 발생되는 포토 레지스트 잔사를 완전히 없애기 위한 박막트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film transistor prepared by the organic residue removal technique incorporating a sacrificial layer, and more particularly, to a photoresist after forming a sacrificial layer and ion doping a polysilicon film using a photoresist as a mask. The present invention relates to a thin film transistor for completely eliminating photoresist residues generated during removal and a method of manufacturing the same.
최근, 박막트랜지스터(이하에서는 'TFT's라고 칭함)는 기판 상에 어레이(array)의 상태로 형성되어, 액티브-매트릭스형 기판(active-matrix substrate)으로서 액정 표시 장치(liquid crystal dispaly device), 유기전계 발광소자(organic electroluminescent elemnets)를 사용한 표시 장치에 널리 이용된다. TFT는 일반적으로 기판 상에 형성된 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극을 포함하여 구성된다. TFT는 게이트 전극에서 제공된 전계(electro field)를 이용하는 비정질 실리콘(a-Si), 다결정 실리콘(p-Si) 또는 단결정 실리콘과 같은 활성 재료내에 캐리어를 이동시켜서 스위칭 동작을 실행한다.Recently, thin film transistors (hereinafter referred to as' TFT's) are formed in an array on a substrate to form an active-matrix substrate as a liquid crystal display device (liquid crystal dispaly device), an organic field It is widely used in display devices using organic electroluminescent elemnets. The TFT generally includes a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode formed on a substrate. The TFT performs a switching operation by moving a carrier in an active material such as amorphous silicon (a-Si), polycrystalline silicon (p-Si), or monocrystalline silicon using an electric field provided at the gate electrode.
도 1은 종래의 박막트랜지스터의 단면도를 도시한 것이다.1 is a cross-sectional view of a conventional thin film transistor.
도 1을 참조하면, 종래의 박막트랜지스터는 먼저, 절연 기판(10) 및 버퍼층(20) 상부에 소정의 위치에 비정질 실리콘막(a-Si)을 도포한 후 결정화시킨 다음, 패터닝하여 폴리 실리콘막(p-Si)을 형성한다.Referring to FIG. 1, a conventional thin film transistor is first coated with an amorphous silicon film (a-Si) at a predetermined position on an
이 후, 상기 폴리 실리콘막과 버퍼층(20) 상부에 게이트 절연막(40)을 형성하고 상기 게이트 절연막(40)의 기판 전면에 걸쳐 포토 레지스트를 형성하고 사진 식각을 통해 패터닝된 포토 레지스트를 도핑 마스크로 하여 상기 박막트랜지스터의 폴리 실리콘막을 이온 도핑함으로써, 소스 영역, 드레인 영역을 정의하고 채널 영역을 포함하는 반도체층 패턴(30)을 형성한다.Thereafter, a gate
이 후, 상기 포토 레지스트를 산소 플라즈마(plasma)로 제거하고 상기 폴리 실리콘막의 채널 영역과 대응되는 부분에 게이트 전극 물질을 증착하고 패터닝하여 게이트 전극(50)을 형성하고 상기 기판 전면에 걸쳐 층간 절연막(60)을 형성한 다음 상기 게이트 절연막(40)과 층간 절연막(60)을 관통시켜 상기 반도체층 패턴(30)의 소스 영역과 드레인 영역의 소정의 부분이 노출되도록 콘텍홀(70)을 형성한다.Thereafter, the photoresist is removed by an oxygen plasma, and a gate electrode material is deposited and patterned on a portion corresponding to the channel region of the polysilicon film to form a
이 후, 상기 콘텍홀(70)을 통하여 층간 절연막 상부에 반도체층 패턴(30)의 소스/드레인 영역과 각각 연결되어지도록 소스/드레인 전극(80) 물질을 적층한 후, 패턴하여 소스/드레인 전극(80)을 형성한다. Thereafter, a source /
상기한 바와 같은 구조를 갖는 종래의 박막트랜지스터의 제조 방법과 이에 따른 문제점은 다음과 같다.The manufacturing method and the problems according to the conventional thin film transistor having the structure as described above are as follows.
도 2는 종래에 따른 박막트랜지스터의 게이트 절연막 상부에 포토 레지스트 잔사가 남겨진 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of a photoresist residue remaining on an upper portion of a gate insulating layer of a thin film transistor according to the related art.
도 2를 참조하면, 상기 폴리 실리콘막을 이온 도핑한 다음, 게이트 절연막(40) 상부에 상기 반도체층의 채널영역과 대응되도록 패터닝된 포토 레지스트를 플 라즈마 애싱하여 포토 레지스트를 제거하는 경우 유기물인 포토 레지스트가 모두 제거되지 않고 포토 레지스트 잔사(90), 즉 유기물 잔사가 게이트 절연막 상에 남게 되어 박막트랜지스터의 불량이 발생한다는 문제점이 있다.Referring to FIG. 2, when the photoresist is removed by ion doping the polysilicon layer and plasma ashing the patterned photoresist on the
본 발명의 목적은 폴리 실리콘막을 포토 레지스트를 사용하여 이온 도핑한 후, 게이트 절연막 상부에 형성된 포토 레지스트를 플라즈마 애싱를 통해 제거하더라도 게이트 절연막 상부에 포토 레지스트 잔사가 제거되어 유기물 잔사로 인한 불량이 생기지 않는 박막트랜지스터 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다. An object of the present invention is that after ion doping a polysilicon film using a photoresist, even if the photoresist formed on the gate insulating film is removed through plasma ashing, the photoresist residue is removed on the gate insulating film so that a defect due to organic residue does not occur. The present invention provides a thin film transistor and a method of manufacturing the same.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 1실시예에 따른 박막트랜지스터의 제조 방법은In order to achieve the above object, the manufacturing method of the thin film transistor according to the first embodiment of the present invention
기판이 제공되는 단계와;Providing a substrate;
상기 기판 상에 폴리 실리콘막 패턴이 형성되는 단계와;Forming a polysilicon film pattern on the substrate;
기판 전면에 걸쳐 상기 폴리 실리콘막 패턴 상부에 게이트 절연막이 형성되는 단계와;Forming a gate insulating film on the polysilicon film pattern over the entire substrate;
상기 게이트 절연막 상부에 희생층이 형성되는 단계와;Forming a sacrificial layer on the gate insulating film;
상기 폴리 실리콘막 패턴에 형성된 채널 영역에 대응되도록 포토 레지스트 패턴이 상기 희생층 상부에 형성되는 단계와;Forming a photoresist pattern on the sacrificial layer to correspond to the channel region formed on the polysilicon layer pattern;
상기 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 폴리 실리콘막 패턴에 이온 도핑하여 소스/드레인 영역이 정의되는 단계와;Ion doping the polysilicon layer pattern using the photoresist pattern as a mask to define a source / drain region;
상기 포토 레지스트 패턴이 제거되는 단계와;Removing the photoresist pattern;
상기 희생층을 제거하고, 상기 채널 영역에 대응되도록 금속막 패턴이 형성되는 단계를 포함하는 제조 방법인 것을 특징으로 한다.And removing the sacrificial layer and forming a metal film pattern to correspond to the channel region.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 2실시예에 따른 박막트랜지스터의 구조는In order to achieve the above object, the structure of the thin film transistor according to the second embodiment of the present invention is
기판과;A substrate;
상기 기판 상부에 소스/드레인 영역 및 채널 영역을 구비하는 반도체층 패턴과;A semiconductor layer pattern having a source / drain region and a channel region over the substrate;
기판 전면에 걸쳐 상기 반도체층 패턴 상부에 형성되는 게이트 절연막과;A gate insulating film formed over the semiconductor layer pattern over the entire substrate;
상기 채널 영역에 대응되며 상기 게이트 절연막 상부에 형성되는 희생층 패턴과;A sacrificial layer pattern corresponding to the channel region and formed on the gate insulating layer;
상기 희생층 패턴 상부에 형성되는 금속막 패턴과;A metal film pattern formed on the sacrificial layer pattern;
다수 개의 콘텍홀을 구비하며 상기 금속막 패턴 상부에 형성되는 층간 절연막 및 상기 콘텍홀을 통하여 상기 소스/드레인 영역과 콘텍하는 소스/드레인 전극이 형성된 것을 특징으로 한다.The semiconductor device may include a plurality of contact holes and a source / drain electrode contacting the source / drain region through the interlayer insulating layer formed on the metal layer pattern and the contact hole.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 2실시예에 따른 박막트랜지스터의 제조 방법은In order to achieve the above object, a method of manufacturing a thin film transistor according to a second embodiment of the present invention
기판이 제공되는 단계와;Providing a substrate;
상기 기판 상에 폴리 실리콘막 패턴이 형성되는 단계와;Forming a polysilicon film pattern on the substrate;
기판 전면에 걸쳐 상기 폴리 실리콘막 패턴 상부에 게이트 절연막이 형성되는 단계와;Forming a gate insulating film on the polysilicon film pattern over the entire substrate;
상기 게이트 절연막 상부에 희생층이 형성되는 단계와;Forming a sacrificial layer on the gate insulating film;
상기 폴리 실리콘막 패턴에 형성될 채널 영역에 대응되도록 금속막 패턴이 형성되는 단계와;Forming a metal film pattern so as to correspond to a channel region to be formed in the polysilicon film pattern;
기판 전면에 걸쳐 포토 레지스트를 적층한 후 상기 금속막 패턴 상부에 포토 레지스트 패턴이 형성되고 나머지 포토 레지스트는 제거되는 단계와;Stacking photoresist over the entire substrate and then forming a photoresist pattern on the metal film pattern and removing the remaining photoresist;
상기 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 폴리 실리콘막 패턴에 이온 도핑하여 소스/드레인 영역이 정의되는 단계와;Ion doping the polysilicon layer pattern using the photoresist pattern as a mask to define a source / drain region;
상기 포토 레지스트 패턴이 제거되고, 상기 금속막 패턴 하부의 상기 희생층을 제외한 나머지 희생층은 제거되는 단계를 포함하는 제조 방법인 것을 특징으로 한다.The photoresist pattern is removed, and the remaining sacrificial layer except for the sacrificial layer under the metal layer pattern is characterized in that the manufacturing method comprising the step of removing.
이하, 본 발명의 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, described in detail with reference to the accompanying drawings of the present invention.
도 3a내지 도 3c은 본 발명의 제 1실시예에 따른 박막트랜지스터의 제조 공정을 순서적으로 도시한 단면도이다.3A to 3C are cross-sectional views sequentially illustrating a manufacturing process of a thin film transistor according to a first embodiment of the present invention.
먼저, 도 3a에서 보는 바와 같이 상기 박막트랜지스터는 절연 기판(110)과 상기 기판(110) 상부로부터 유출되는 불순물을 막아 주기 위해 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막/질화막(SiO2/SiNx)의 적층막 중에 하나를 선택하여 버퍼층(120)을 형성한다.First, as shown in FIG. 3A, the thin film transistor includes a silicon oxide film (SiO 2), a silicon nitride film (SiN x), a silicon oxide film / nitride film (SiO 2) to prevent impurities from flowing out of the
상기 버퍼층(120)은 반드시 형성되어야 하는 것은 아니며, 선택적으로 형성 하는 것이 바람직하다.The
그리고 나서, 상기 버퍼층(120) 상부에 비정질 실리콘막을 도포하고 결정화시킨 후, 패터닝하여 폴리 실리콘막을 형성하고 상기 폴리 실리콘막과 버퍼층(120) 상부 전면에 걸쳐 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막/질화막(SiO2/SiNx)의 적층막 중에 하나를 선택하여 게이트 절연막(140)을 형성한다. 이어서, 상기 게이트 절연막(140) 상부에 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx) 중에 하나를 선택하여 희생층(200)을 형성한다. Then, an amorphous silicon film is coated and crystallized on the
단, 여기서 상기 희생층(200)은 게이트 절연막(140) 하부에 형성되어 접하게 됨에 따라 서로 다른 물질을 사용한다. 예를 들면, 상기 게이트 절연막(140) 물질이 실리콘 산화막(SiO2)이면 희생층(200) 물질은 실리콘 질화막(SiNx)으로, 실리콘 질화막(SiNx)이면 실리콘 산화막(SiO2)으로 희생층(200)이 선택된다.However, as the
다음, 도 3b에서 보는 바와 같이 상기 희생층(200) 전면에 걸쳐 포토 레지스트를 형성하고 사진 식각을 통해 패터닝된 포토 레지스트를 도핑 마스크로 하여 상기 박막트랜지스터의 폴리 실리콘막을 이온 도핑함으로써, 소스 영역, 드레인 영역을 정의하고 채널 영역을 포함하는 반도체층 패턴(130)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 3B, a photoresist is formed over the entire
여기서, 상기 폴리 실리콘막을 이온 도핑을 실시한 후, 상기 포토 레지스트를 산소 플라즈마(plasma)로 제거한다. 이 때, 유기물인 포토 레지스트가 모두 제거되지않고 상기 희생층 상부에 포토 레지스트 잔사가 남을 수 있다. 따라서, 이러한 포토 레지스트 잔사를 제거하기 위하여 HF를 포함하는 식각액인 DHF 또는 BOE으로 상기 희생층(200) 물질을 습식 식각 방법을 통해 제거한다.In this case, after the polysilicon film is ion-doped, the photoresist is removed by an oxygen plasma. At this time, all of the organic photoresist may not be removed and a photoresist residue may remain on the sacrificial layer. Therefore, in order to remove the photoresist residue, the
또한, 상기 희생층(200) 물질을 PE(plasma etch), ICP(inductively coupled plasma)모드를 사용한 건식 식각 방법을 통해서 제거할 수 있다.In addition, the
다음, 도 3c에서 보는 바와 같이 상기 희생층(200)을 제거한 게이트 절연막 상부에 박막트랜지스터를 형성하기 위한 게이트 전극 물질을 증착 및 패터닝하여 금속막 패턴(150)을 형성하고 상기 기판 전면에 걸쳐 층간 절연막(160)을 형성하고 상기 층간 절연막(160)과 게이트 절연막(140)을 관통시켜, 상기 반도체층 패턴(130)의 소스 영역과 드레인 영역의 소정 부분이 노출되도록 콘텍홀(170)을 형성하고 상기 박막트랜지스터의 콘텍홀(170)을 통하여 상기 층간 절연막(160) 상부에 소스/드레인 영역이 각각 연결되도록 소스/드레인 전극(180) 물질을 증착하고 패터닝하여 소스/드레인 전극(180)을 형성한다. Next, as illustrated in FIG. 3C, a gate electrode material for forming a thin film transistor is deposited and patterned on the gate insulating layer from which the
여기서, 게이트 전극 물질은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 또는 알루미늄(Al)과 같은 금속 물질을 포함하는 합금(alloy)으로 형성하고, 소스/드레인 전극 물질은 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 또는 알루미늄(Al)과 같은 금속 물질을 포함하는 합금(alloy)으로 형성한다. Here, the gate electrode material is formed of an alloy including a metal material such as chromium (Cr), molybdenum (Mo), or aluminum (Al), and the source / drain electrode material is tungsten (W) and molybdenum (Mo). Or an alloy including a metal material such as aluminum (Al).
도 4a내지 도 4d은 본 발명의 제 2실시예에 따른 박막트랜지스터의 제조 공정을 순서적으로 도시한 단면도이다.4A through 4D are cross-sectional views sequentially illustrating a manufacturing process of a thin film transistor according to a second embodiment of the present invention.
먼저, 도 4a에서 보는 바와 같이 상기 박막트랜지스터는 유리나 합성 수지 등으로 이루어진 절연 기판(110)과 상기 기판(110) 상부로부터 유출되는 불순물을 막아 주기 위해 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막/질화막(SiO2/SiNx)의 적층막 중에 하나를 선택하여 버퍼층(120)을 형성한다.First, as shown in FIG. 4A, the thin film transistor includes an insulating
상기 버퍼층(120)은 반드시 형성되어야 하는 것은 아니며, 선택적으로 형성하는 것이 바람직하다.The
그리고 나서, 상기 버퍼층(120) 상부에 비정질 실리콘막을 도포하고 결정화시킨 후, 패터닝하여 폴리 실리콘막을 형성하고 상기 폴리 실리콘막과 버퍼층(120) 상부 전면에 걸쳐 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx) 중에 하나를 선택하여 게이트 절연막(140)을 형성한다. 이어서, 상기 게이트 절연막(140) 상부에 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx) 중에 하나를 선택하여 희생층(200)을 형성한다. Then, an amorphous silicon film is coated and crystallized on the
단, 여기서 상기 희생층(200)은 게이트 절연막(140) 하부에 형성되어 접하게 됨에 따라 서로 다른 물질을 사용한다. 예를 들면, 상기 게이트 절연막(140) 물질이 실리콘 산화막(SiO2)이면 희생층(200) 물질은 실리콘 질화막(SiNx)으로, 실리콘 질화막(SiNx)이면 실리콘 산화막(SiO2)으로 희생층(200)이 선택된다. However, as the
다음, 도 4b에서 보는 바와 같이 상기 박막트랜지스터에 정의된 폴리 실리콘막의 채널 영역과 대응되는 위치인 상기 희생층(200) 상부에 게이트 전극 물질을 증착 및 패터닝하여 금속막 패턴(150)을 형성하고 상기 금속막 패턴(150) 상부에 사진 식각을 통해 패터닝된 포토 레지스트 패턴(190)를 도핑 마스크로 하여 상기 박막트랜지스터의 폴리 실리콘막을 이온 도핑함으로써, 소스 영역, 드레인 영역을 정의하고 채널 영역을 포함하는 반도체층 패턴(130)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 4B, a
여기서, 상기 게이트 전극 물질은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 또는 알루미늄(Al)과 같은 금속 물질을 포함하는 합금(alloy)으로 형성한다.The gate electrode material may be formed of an alloy including a metal material such as chromium (Cr), molybdenum (Mo), or aluminum (Al).
다음, 도 4c에서 보는 바와 같이 상기 폴리 실리콘막을 이온 도핑을 실시한 후, 상기 포토 레지스트 패턴(190)를 산소 플라즈마(plasma)로 제거하고 상기 금속막 패턴(150)의 하부에 정의된 희생층 패턴(205)을 제외한 기판 전면에 걸쳐 HF를 포함하는 식각액인 DHF 또는 BOE으로 상기 희생층(200) 물질을 습식 식각 방법을 통해 제거하여 포토 레지스트 잔사가 없도록 완전히 제거한다.Next, as shown in FIG. 4C, after the polysilicon layer is ion-doped, the
한편, 상기 반도체층 패턴(130)에 LDD(lightly doped drain)영역(210)을 형성하는 경우에는 포토 레지스트 패턴(190)을 게이트 전극(150)을 둘러싸도록 형성하여 우선, 이온 도핑을 실시하여 소소/드레인 영역을 정의하고 이어서, 상기 포토 레지스트 패턴을 제거한 후 저농도 이온 도핑을 실시한다. 이때, 포토 레지스트 패턴(190)을 앞에 설명한 방법과 동일한 방법으로 제거하게 된다. 또한 상기 포토 레지스트가 모두 제거되지 않고 희생층(200) 상부에 포토 레지스트 잔사가 남을 수 있으므로 상기 금속막 패턴 하부의 희생층 패턴(205)만은 제외하고 나머지 희생층(200)은 제거된다. On the other hand, when the lightly doped drain (LDD)
여기서, 상기 희생층(200) 물질을 PE(plasma etch), ICP(inductively coupled plasma)모드를 사용한 건식 식각 방법을 통해서 제거할 수도 있다.The
다음, 도 4d에서 보는 바와 같이 상기 금속막 패턴(150) 상부에 기판 전면에 걸쳐 층간 절연막(160)을 형성하고 상기 층간 절연막(160)과 게이트 절연막(140)을 관통시켜, 상기 반도체층 패턴(130)의 소스 영역과 드레인 영역의 소정 부분이 노출되도록 콘텍홀(170)을 형성하고 상기 박막트랜지스터의 콘텍홀(170)을 통하여 상기 층간 절연막 상부에 소스/드레인 영역이 각각 연결되도록 소스/드레인 전극 물 질을 증착하고 패터닝하여 소스/드레인 전극(180)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 4D, an
여기서, 소스/드레인 전극 물질은 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 또는 알루미늄(Al)과 같은 금속 물질을 포함하는 합금(alloy)으로 형성한다.Here, the source / drain electrode material is formed of an alloy including a metal material such as tungsten (W), molybdenum (Mo), or aluminum (Al).
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.
상기 게이트 절연막 상부에 희생층을 도입하여 소스/드레인 영역 및 채널 영역을 구비한 반도체층 패턴을 형성한 후, 포토 레지스트를 산소 플라즈마로 제거하고 HF를 포함하는 용액으로 희생층을 제거하여 상기 희생층 상부에 남아 있는 유기물 잔사를 완전히 없애 불량이 발생되지 않도록 하는 것을 특징으로 한다.A sacrificial layer is formed on the gate insulating layer to form a semiconductor layer pattern including a source / drain region and a channel region. Then, the photoresist is removed by oxygen plasma and the sacrificial layer is removed by a solution containing HF. It is characterized by completely eliminating the organic residue remaining on the top so that no defect occurs.
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