KR20060053294A - 웨이퍼 예비 정렬 장치 - Google Patents

웨이퍼 예비 정렬 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20060053294A
KR20060053294A KR1020040092750A KR20040092750A KR20060053294A KR 20060053294 A KR20060053294 A KR 20060053294A KR 1020040092750 A KR1020040092750 A KR 1020040092750A KR 20040092750 A KR20040092750 A KR 20040092750A KR 20060053294 A KR20060053294 A KR 20060053294A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor wafer
preliminary alignment
alignment
unit
chuck
Prior art date
Application number
KR1020040092750A
Other languages
English (en)
Inventor
정실근
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020040092750A priority Critical patent/KR20060053294A/ko
Publication of KR20060053294A publication Critical patent/KR20060053294A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
    • G03F9/7011—Pre-exposure scan; original with original holder alignment; Prealignment, i.e. workpiece with workpiece holder
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection

Abstract

반도체 웨이퍼에 대하여 노광 공정을 수행하기 위하여 상기 반도체 웨이퍼를 예비 정렬(pre-align)시키기 위한 장치에 관한 것이다. 제1예비 정렬부에서 반도체 웨이퍼의 플랫존을 감지하여 일차 정렬하고, 파손 감지 센서를 이용하여 상기 반도체 웨이퍼 에지 부위의 깨짐 등과 같은 파손을 감지한다. 이어서, 상기 반도체 웨이퍼는 제2예비 정렬부로 이송되어 이차 정렬한다. 상기 이차 정렬은 다수의 해머(hammer)들을 이용하여 상기 반도체 웨이퍼를 척 상에 센터링한다. 상기 파손 감지 센서를 이용하여 상기 반도체 웨이퍼의 손상을 해머 동작 전에 감지하여 상기 반도체 웨이퍼 자체가 해머 동작에 의해 깨지는 위험을 방지할 수 있으며, 노광 공정을 수행하기 전에 깨짐 또는 결함을 가지고 있는 반도체 웨이퍼를 제거하여 반도체 제품의 불량을 미연에 방지할 수 있다.

Description

웨이퍼 예비 정렬 장치{Apparatus for pre-aligning a wafer}
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 웨이퍼 예비 정렬 장치를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 2a 및 도 2b는 도 1에 도시된 파손 감지 센서를 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.
도 3은 도 1에 도시된 제1예비 정렬부의 해머를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 이송부를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 제2예비 정렬부를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 6은 도 1에 도시된 예비 정렬 장치를 포함하는 노광 장치를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 제1예비 정렬부 20 : 이송부
30 : 제2예비 정렬부 100 : 회전척
106 : 제1정렬 센서 108 : 파손 감지 센서
110 : 스테이지 112 : 제1해머
116, 118 : 제1가이드 부재들 300 : 척
302 : 제2해머 W : 반도체 웨이퍼
본 발명은 웨이퍼 예비 정렬 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 노광 공정을 수행하기 위하여 반도체 웨이퍼를 예비 정렬시키기 위한 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 상에 회로 패턴을 형성하기 위하여 요구되는 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정은, 반도체 웨이퍼 상에 포토레지스트 막을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트막 내의 용매를 제거하여 균일하고 건조한 포토레지스트 막을 얻기 위하여 상기 반도체 웨이퍼를 소프트 베이킹하는 단계와, 상기 반도체 웨이퍼를 노광하는 단계와, 상기 반도체 웨이퍼를 현상하여 소정의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 패턴을 경화시키기 위해 하드 베이킹 공정을 더 수행한다.
상기 포토레지스트 막이 형성된 반도체 웨이퍼를 소프트 베이킹을 한 후, 상기 반도체 웨이퍼를 노광시키기 위하여 노광 장치로 이송시킨다.
상기 노광 장치로 이송된 반도체 웨이퍼에 노광 공정을 수행하기 전, 반도체 웨이퍼를 정렬하는 것이 선행되어야 한다. 상기 반도체 웨이퍼의 정렬은 상기 반도체 웨이퍼 상에 포토레지스트 패턴을 형성에 큰 영향을 끼치기 때문에 여러 번의 정렬이 수행되어 진다.
상기 정렬에는 반도체 웨이퍼의 결정 구조를 확인하기 위하여 형성된 플랫존 또는 노치를 일 방향으로 정렬하기 위한 예비 정렬(pre-align)과, 상기 예비 정렬 후, 상기 반도체 웨이퍼 상에 포토레지스트 패턴 및 마스크에 따라 미세하게 정렬하는 미세 정렬(fine-align)이 있다.
상기 예비 정렬은 상기 반도체 웨이퍼가 노광 공정을 수행하기 위하여 일시 대기하는 로더(loader)부에서 제1예비 정렬을 수행한다.
상기 로더부는 반도체 웨이퍼를 지지하고 회전시키기 위한 회전척과, 상기 반도체 웨이퍼의 플랫존 및 노치 부위를 감지하는 정렬 센서가 포함되어 있다. 상기 회전척에 지지된 반도체 웨이퍼는 회전하며 상기 정렬 센서에 의해 상기 반도체 웨이퍼의 플랫존 및 노치 부위가 감지되어 상기 반도체 웨이퍼를 정렬시킨다. 이어서, 상기 정렬된 반도체 웨이퍼는 해머(hammer)와 같은 부재를 이용하여 일 측에 물리적 힘을 가하여 상기 회전척 상에 위치한 기 설정된 중심점으로 상기 반도체 웨이퍼의 중심을 위치시킨다.
상기 로더부에서 일차 예비 정렬을 수행한 반도체 웨이퍼는 슬라이드 암(slide are)에 의해 노광 공정을 수행하기 위하여 웨이퍼 스테이지(wafer stage)로 이동한다. 상기 웨이퍼 스테이지 상에 로딩된 반도체 웨이퍼 상에 노광 공정을 수행하기 이전에 상기 웨이퍼 스테이지 상에서 이차 예비 정렬을 수행한다.
상기 웨이퍼 스테이지에는 상기 반도체 웨이퍼를 목적하는 영역에 위치시키기 위하여 다수의 해머들을 이용한다. 상기 다수의 해머들은 기 설정된 지점으로 각각 이동한다. 상기 다수의 해머들의 기 설정된 지점은 상기 반도체 웨이퍼의 기 설정된 영역의 외주를 따라 등간격으로 이격되어 위치한다. 즉, 이차 정렬 후, 상기 반도체 웨이퍼의 외주를 따라 상기 다수의 해머들이 등간격으로 이격하여 위치한다.
상기 로더부 및 웨이퍼 스테이지에서 반도체 웨이퍼에 대하여 예비 정렬을 수행하는 동안, 해머 동작으로 인하여 상기 반도체 웨이퍼가 파손되는 현상이 종종 발생되고 있다.
자세하게, 상기 반도체 웨이퍼는 상기 노광 공정을 수행하기 전 공정들에서 반도체 웨이퍼의 에지 부위에 칩핑 현상이 발생될 수 있으며, 상기와 같이 반도체 웨이퍼의 에지 부위에서 발생된 칩핑에 의해 상기 해머 동작 시, 상기 웨이퍼의 결정 방향으로 웨이퍼가 완전히 파손되는 문제점이 발생될 수 있다.
상기 반도체 웨이퍼가 파손되면서 파티클(particle)이 발생하게 되며, 상기 노광 장치 내부에 잔존하는 파티클은 후속 공정에서 반도체 기판을 오염시키는 원인으로 작용한다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 반도체 웨이퍼의 손상으로 인하여 발생되는 문제점을 미연에 방지하기 위한 기판 예비 정렬 장치를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 반도체 웨이퍼에 대한 소정의 공정을 하기 위하여 상기 반도체 웨이퍼를 일차 정렬하기 위한 제1예 비 정렬부와, 상기 제1예비 정렬부에서 정렬된 상기 반도체 웨이퍼를 이차 정렬하기 위한 제2예비 정렬부와, 상기 반도체 웨이퍼를 제1예비 정렬부에서 상기 제2예비 정렬부로 이송하기 위한 이송부와, 상기 제1예비 정렬부의 일 측에 위치하며 상기 반도체 웨이퍼의 에지 부위의 파손을 감지하기 위한 파손 감지 센서를 포함한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 제1예비 정렬부에서 반도체 웨이퍼의 에지 부위의 손상을 미리 감지하여 상기 제1 및 제2예비 정렬 시 이용되는 해머 동작을 수행할 때 발생할 수 있는 반도체 웨이퍼의 깨짐 현상 등을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 예비 정렬 장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 예비 정렬 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 반도체 웨이퍼(W)를 일차 정렬하기 위한 제1예비 정렬부(10)와, 상기 제1예비 정렬부(10)의 일 측에 위치하며 상기 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위의 파손을 감지하기 위한 파손 감지 센서(108)와, 상기 제1예비 정렬부(10)에서 정렬된 상기 반도체 웨이퍼(W)를 이차 정렬하기 위한 제2예비 정렬부(30)와, 상기 제1예비 정렬부(10) 상에 위치한 반도체 웨이퍼(W)를 상기 제2예비 정렬부(30)로 이동시키기 위한 이송부(20)를 포함한다.
상기 반도체 웨이퍼(W)는 통상적으로 상기 반도체 웨이퍼(W)의 결정 방향을 확인하기 위한 플랫존(flat zone) 및 노치(notch)를 가지고 있다.
제1예비 정렬부(10)는 상기 반도체 웨이퍼(W)를 지지하고 회전시키기 위한 회전척(100)과, 상기 회전척(100)의 하부에 위치하는 스테이지와, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 플랫존을 감지하기 위한 제1정렬 센서(106)와, 상기 반도체 웨이퍼(W) 에지 부위의 파손 여부를 확인하기 위한 파손 감지 센서(108)와, 상기 반도체 웨이퍼(W)가 기 설정된 중심점에 위치되도록 상기 반도체 웨이퍼(W)의 일 측에 물리적 충격을 가하기 위한 제1해머(112)와, 상기 제1해머(112)의 동작에 의해 이동하는 반도체 웨이퍼(W)가 상기 기 설정된 중심점으로 위치하도록 안내하기 위한 다수의 가이드 부재들(114, 116)을 포함한다.
상기 제1정렬 센서(106)는 본 실시예에서는 광을 이용하여 플랫존을 감지하는 광 센서를 사용한다. 상기 제1정렬 센서(106)는 광을 발생시키는 제1발광부(102) 및 상기 제1발광부(102)에서 발생된 광을 검출하기 위한 제1수광부(104)를 포함한다. 상기 제1발광부(102)는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위 상에 배치되어 상기 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위로 상기 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 수직하게 광을 조사하며, 상기 제1수광부(104)는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위 아래에 배치되어 상기 제1발광부(102)로부터 조사된 광을 검출한다. 상기 제1발광부(102) 및 제2발광부의 위치는 상술한 바와 반대의 경우도 가능하다.
상기 제1정렬 센서(106)를 이용하여 플랫존을 검출하는 방법을 살펴보면, 반도체 웨이퍼(W)를 회전척(100) 상에 로딩한 후, 상기 회전척(100)을 제1구동부를 이용하여 회전시킨다. 상기 제1발광부(102)에서 상기 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위를 향하여 수직으로 광을 발생시킨다. 이때, 상기 광은 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위에 의해 상기 제1수광부(104)에서 검출되지 않는다. 그러나 상기 반도체 웨이퍼(W)가 회전하는 동안 상기 반도체 웨이퍼(W)의 플랫존 부위에서 상기 제1발광부(102)에서 발생한 광이 제1수광부(104)에서 검출된다. 따라서, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 플랫존을 감지하여 상기 반도체 웨이퍼(W)를 정렬할 수 있다.
이와는 다르게, 상기 제1발광부(102) 및 제1수광부(104)가 상기 반도체 웨이퍼(W) 에지 상부 또는 하부 일 측에 함께 배치될 수 있다. 상기와 같이 반사형 광 센서를 사용하는 경우, 상기 제1발광부(102)에서 상기 반도체 웨이퍼(W)를 향해 수직으로 발생된 광은 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위에 의해 반사되고, 상기 반사된 광은 제1수광부(104)에 의해 검출된다. 이때, 상기 제1수광부(104)에서 광을 검출하지 못하는 경우, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 플랫존이 상기 제1발광부(102) 및 제1수광부(104)에 위치하여 상기 제1발광부(102)에서 발생한 광은 반도체 웨이퍼(W) 에지 부위와 같은 반사물이 없어 상기 제1수광부(104)에서 검출되지 않는다. 따라서, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 플랫존을 감지하여 상기 반도체 웨이퍼(W)를 정렬할 수 있다.
반도체 웨이퍼(W)가 노치 부위를 갖는 경우도, 상기와 같은 광 센서를 이용하여 상기 반도체 웨이퍼(W)의 노치 부위를 감지하여 상기 반도체 웨이퍼(W)를 정렬할 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 도 1에 도시된 파손 감지 센서(108)를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 파손 감지 센서(108)는 반사형 광 센서를 이용 하여 상기 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위의 손상을 감지한다. 상기 파손 감지 센서(108)는 제2발광부(미도시)와 제2수광부(미도시)가 상기 회전척(100)의 일 측에 함께 배치되어, 상기 제2발광부에서 발생된 광이 상기 반도체 웨이퍼(W)의 측면으로부터 반사되고, 상기 반사된 광은 제2수광부에 의해 검출된다.
자세하게, 상기 반도체 웨이퍼(W)를 회전척(100) 상에 로딩한 후, 상기 회전척(100)을 제1구동부를 이용하여 회전시킨다. 상기 제2발광부가 상기 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위를 향하여 수평으로 광을 발생시킨다.
이때, 상기 제2발광부에서 발생된 광이 상기 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위에 반사되어 상기 제2수광부에 검출되면, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위는 손상되지 않았다고 판단한다. 이와는 다르게, 상기 제2발광부에서 발생한 광의 일부만 반사되어 상기 제2수광부에서 검출되면, 즉 제2수광부에서 검출된 반사광의 세기가 기 설정된 세기보다 낮거나, 제2수광부에서 상기 반사광이 검출되지 않는 경우, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 에지가 손상되었다고 판단한다. 상기와 같이 반도체 웨이퍼(W)의 에지 부위가 손상된 경우, 상기 반도체 웨이퍼(W)는 상기 회전척(100)으로부터 제거된다.
상기 스테이지(110)에는 회전척(100)을 수용하기 위한 수용부(미도시)가 형성되어 있으며, 제2구동부(미도시)는 회전척(100)을 상하 방향으로 이동시키기 위하여 구동축을 통해 회전척(100)과 연결되어 있다.
상세히 도시되지는 않았으나, 상기 정렬 센서(106) 및 파손 감지 센서(108)를 지지하기 위한 센서 지지부재는 상기 회전척(100)의 상하 이동과 연동하여 수평 방향으로 이동한다. 구체적으로, 상기 센서 지지부재는 회전척(100)의 상승에 의해 반도체 기판이 스테이지(110)의 상면으로부터 이격되어 위치되는 경우, 반도체 기판의 플랫존 정렬 및 파손 감지를 위해 반도체 기판과 인접한 위치로 이동하며, 이와 반대로 상기 회전척(100)의 하강에 의해 반도체 기판이 스테이지(110) 상으로 하강하는 경우, 회전척(100)으로부터 이격되는 방향으로 이동한다.
도 3은 도 1에 도시된 제1예비 정렬부(10)의 제1해머(112)를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3을 참조하면, 상기 제1해머(112) 및 다수의 가이드 부재들(114, 116)은 스테이지(110) 상에 위치한다. 상기 설명되어진 바와 같이 상기 회전척(100)의 하강에 의해 상기 반도체 웨이퍼(W)는 스테이지(110) 상에 지지된다.
상기 스테이지(110) 상에 위치한 반도체 웨이퍼(W1)를 기 설정된 영역(W2)으로 이동시키기 위하여 해머 동작을 한다. 자세하게, 상기 스테이지(110)에 위치한 제1해머(112)가 상기 반도체 웨이퍼(W)의 일 측에 물리적 충격을 가하여 상기 반도체 웨이퍼(W)의 중심을 기 설정된 중심점으로 이동시킨다. 물리적 충격을 받은 반도체 웨이퍼(W)는 기 설정된 중심으로 안내하는 다수의 가이드 부재들(114, 116)에 의해 상기 기 설정된 중심점으로 위치하게 된다.
도 4는 도 1에 도시된 이송부(20)를 설명하기 위한 평면도이다.
도 4를 참조하면, 상기 제1예비 정렬부(10)에서 일차 예비 정렬 및 반도체 웨이퍼(W)에 에지 부위의 파손 여부를 확인한 후, 반도체 웨이퍼(W)는 이송부(20) 에 의해 제2예비 정렬부(30)로 이송된다. 상기 이송부(20)는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 하부면을 지지하기 위하여 말굽 형태의 이송 암(200, arm)과, 상기 이송 암(200)을 상하 좌우로 구동하기 위한 제3구동부(210)를 포함한다.
상기 이송 암(200)의 형태가 상기 회전척(100)을 감싸는 형태로써, 상기 반도체 웨이퍼(W)를 제1예비 정렬부(10)로부터 언로딩할 수 있다. 자세하게, 상기 회전척(100)을 상승시켜 상기 스테이지(110)로부터 이격된 반도체 웨이퍼(W) 하부로 상기 이송 암(200)을 이송시킨다. 상기 이송 암(200)을 상기 회전척(100)을 감싸게 되고 제3구동부를 이용하여 상기 이송 암(200)을 상승시켜 상기 반도체 웨이퍼(W)를 상기 회전척(100)으로부터 언로딩할 수 있다.
제1예비 정렬부(10)로부터 언로딩된 반도체 웨이퍼(W)는 상기 제3구동부(210)에 의해 상기 제2예비 정렬부(30)로 이동시킨다.
도 5는 도 1에서 도시된 제2예비 정렬부(30)를 설명하기 위한 평면도이다.
도 5를 참조하면, 제2예비 정렬부(30)는 상기 반도체 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 척(300)과, 상기 반도체 웨이퍼(W)를 상기 척(300)에 센터링하기 위하여 상기 척(300)의 중심을 향하여 상기 반도체 웨이퍼(W)를 이동시키기 위한 다수의 제2해머(302)들을 포함한다. 또한, 상기 척(300)을 관통하여 형성되며 상기 반도체 웨이퍼(W)를 로딩 및 언로딩하기 위한 다수의 리프트 핀(미도시)들을 더 포함한다.
상기 반도체 웨이퍼(W)가 상기 이송부(20)를 이용하여 상기 제2예비 정렬부(30)로 이동하면, 상기 다수의 리프트 핀들이 상승한다. 상기 상승한 리프트 핀들 상에 상기 반도체 웨이퍼(W)가 로딩된다. 상기 리프트 핀들은 하강하고 상기 반도 체 웨이퍼(W)는 상기 척(300) 상에 위치한다.
자세하게 도시되어 있지는 않지만 상기 리프트 핀은 적어도 3개이어야 구동이 가능하며, 상기 다수의 리프트 핀들을 구동하기 위한 제4구동부(미도시)와 연결되어 있다.
상기 반도체 웨이퍼(W)가 상기 척(300) 상에 로딩하면, 상기 제2해머(302)들은 각각 상기 척(300) 상에 기 설정된 지점으로 구동한다. 이때, 상기 제2해머(302)들의 기 설정된 지점들은 정렬된 반도체 웨이퍼(W)의 외주를 따라 등 간격으로 위치한다.
상기 반도체 웨이퍼(W1)가 기 설정된 영역(W2)에 위치하지 않은 경우, 상기 제2해머(302)들이 구동하는 동안 상기 반도체 웨이퍼(W)의 일 측에 물리적 충격을 가하게 된다. 상기 충격에 의해 상기 반도체 웨이퍼(W)는 기 설정된 영역에 위치하게 된다.
도 6은 도 1에 도시된 웨이퍼 예비 정렬 장치를 포함하는 노광 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 6을 참조하면, 상기와 같은 구성을 포함하는 노광 장치(40)를 살펴보면, 반도체 웨이퍼(W)에 대해 노광 고정을 수행하기 위하여 일시 대기하고 상기 반도체 웨이퍼(W)에 대해 일차 예비 정렬을 수행하기 위한 로더부(400)와, 상기 반도체 웨이퍼(W)에 대해 이차 예비 정렬을 수행하고 노광 공정을 수행하기 위한 웨이퍼 스테이지(410)와, 상기 반도체 웨이퍼(W)를 로더부(400)에서 웨이퍼 스테이지(410)로 이동시키기 위한 이송부(미도시)를 포함한다. 또한, 노광 공정을 수행하기 위하여 광을 제공하기 위한 조명부(420)와, 상기 반도체 웨이퍼(W) 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 레티클이 위치하기 위한 레티클 로더부(430)와, 상기 레티클을 정렬시키기 위한 레티클 정렬부(440)와, 상기 레티클의 패턴을 축소투영하기 위한 렌즈부(미도시)를 더 포함한다.
상기 로더부(400)는 상기 반도체 웨이퍼(W)를 지지하고 회전시키기 위한 회전척(미도시)과, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 플랫존을 감지하기 위한 제1정렬 센서(미도시)와, 상기 정렬된 반도체 웨이퍼(W)의 일 측을 물리적인 힘을 가하기 위한 제1해머(미도시, hammer)와, 상기 반도체 웨이퍼(W) 에지 부위의 파손 여부를 확인하기 위한 파손 감지 센서(미도시)를 포함한다.
상기 로더부(400)에서 일차 예비 정렬 및 반도체 웨이퍼(W)에 에지 부위의 파손 여부를 확인한 후, 반도체 웨이퍼(W)는 이송부(미도시)에 의해 웨이퍼 스테이지(410)로 이송된다. 상기 이송부(미도시)는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 하부면을 지지하기 위하여 이송 암(미도시, arm)과, 상기 이송 암을 상하 좌우로 구동하기 위한 구동부(미도시)를 포함한다.
상기 웨이퍼 스테이지(410)는 상기 반도체 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 척(미도시)과, 상기 반도체 웨이퍼(W)를 상기 척(미도시)에 센터링하기 위하여 상기 척(미도시)의 중심을 향하여 상기 반도체 웨이퍼(W)를 이동시키기 위한 다수의 해머(미도시)들을 포함한다.
상기와 같은 구성 요소들에 대한 추가적인 상세 설명은 도 1 내지 도 4에 도 시된 반도체 웨이퍼 예비 정렬 장치와 관련하여 이미 설명된 것들과 유사하므로 생략하기로 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 반도체 웨이퍼 에지 부위의 파손을 감지하는 센서를 더 부착함으로써, 상기 반도체 웨이퍼의 에지 부위가 파손되었을 경우, 상기 반도체 웨이퍼를 제거한다. 따라서, 해머를 이용하여 상기 반도체 웨이퍼를 이동시키거나 센터링하는 경우, 상기 반도체 웨이퍼의 에지의 파손에 의해 반도체 웨이퍼 자체가 결정 방향으로 깨지는 위험을 방지할 수 있으며, 노광 공정을 수행하기 전에 깨짐 또는 결함을 가지고 있는 반도체 웨이퍼를 제거하여 반도체 제품의 불량을 미연에 방지할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (4)

  1. 반도체 웨이퍼에 대한 소정의 공정을 하기 위하여 상기 반도체 웨이퍼를 일차 정렬하기 위한 제1예비 정렬부;
    상기 제1예비 정렬부에서 정렬된 상기 반도체 웨이퍼를 이차 정렬하기 위한 제2예비 정렬부;
    상기 반도체 웨이퍼를 제1예비 정렬부에서 상기 제2예비 정렬부로 이송하기 위한 이송부; 및
    상기 제1예비 정렬부의 일 측에 위치하며 상기 반도체 웨이퍼의 에지 부위의 파손을 감지하기 위한 파손 감지 센서를 포함하는 반도체 웨이퍼 예비 정렬 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1예비 정렬부는, 상기 반도체 웨이퍼를 지지하고 회전시키기 위한 회전척과, 상기 회전척에 의해 회전하는 반도체 웨이퍼의 플랫존 또는 노치 부위를 감지하기 위한 정렬 센서와, 상기 정렬 센서에 의해 정렬된 반도체 웨이퍼의 중심이 기 설정된 지점에 위치하도록 상기 반도체 웨이퍼의 일 측에 충격을 가하기 위한 해머를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 예비 정렬 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2예비 정렬부는, 상기 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 척과, 상기 반도체 웨이퍼를 상기 척에 센터링하기 위하여 상기 척의 중심을 향 하여 상기 반도체 웨이퍼를 이동시키기 위한 해머를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 예비 정렬 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 파손 감지 센서는 상기 반도체 웨이퍼의 에지 부위를 향하여 상기 반도체 웨이퍼의 표면과 평행한 방향으로 광을 조사하는 발광부 및 상기 반도체 웨이퍼의 에지 부위로부터 반사된 광을 검출하기 위한 수광부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 예비 정렬 장치.
KR1020040092750A 2004-11-13 2004-11-13 웨이퍼 예비 정렬 장치 KR20060053294A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040092750A KR20060053294A (ko) 2004-11-13 2004-11-13 웨이퍼 예비 정렬 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040092750A KR20060053294A (ko) 2004-11-13 2004-11-13 웨이퍼 예비 정렬 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060053294A true KR20060053294A (ko) 2006-05-22

Family

ID=37150281

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040092750A KR20060053294A (ko) 2004-11-13 2004-11-13 웨이퍼 예비 정렬 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060053294A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100697662B1 (ko) * 2005-09-08 2007-03-20 세메스 주식회사 웨이퍼 에지 노광 장치 및 웨이퍼 가공 방법
US8854614B2 (en) 2011-12-29 2014-10-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of thermally treating a semiconductor wafer
CN109427616A (zh) * 2017-09-05 2019-03-05 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种硅片涂胶及预对准检测装置及方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100697662B1 (ko) * 2005-09-08 2007-03-20 세메스 주식회사 웨이퍼 에지 노광 장치 및 웨이퍼 가공 방법
US8854614B2 (en) 2011-12-29 2014-10-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of thermally treating a semiconductor wafer
CN109427616A (zh) * 2017-09-05 2019-03-05 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种硅片涂胶及预对准检测装置及方法
CN109427616B (zh) * 2017-09-05 2020-08-25 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种硅片涂胶及预对准检测装置及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100492159B1 (ko) 기판 검사 장치
KR101408521B1 (ko) 프리 얼라이먼트 장치 및 프리 얼라이먼트 방법
US11626309B2 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR20060053294A (ko) 웨이퍼 예비 정렬 장치
KR100881631B1 (ko) 전자빔 검사 시스템 및 검사 방법
JPS63141342A (ja) 半導体ウエハ処理方法及びその装置
KR100539404B1 (ko) 마스크 로더를 가진 노광장치
KR100662960B1 (ko) 반도체 제조용 트랙 장비의 냉각 모듈 및 이물질 검출방법
WO2017204101A1 (ja) 投影露光装置及びその投影露光方法
KR20060113158A (ko) 베이크 유니트를 포함하는 스피너
JP5537063B2 (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のギャップ制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法
KR100834222B1 (ko) 반도체 웨이퍼용 노광 장치의 프리 얼라인먼트 방법
KR20060107196A (ko) 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 방법 및 이를 수행하기 위한장치
JP2623495B2 (ja) 不要レジスト除去方法及び装置
KR20040069764A (ko) 반도체 웨이퍼에 코팅된 감광막 표면의 검사장치
KR100621767B1 (ko) 웨이퍼 에지 노광장치
KR200141134Y1 (ko) 웨이퍼 포토 공정용 노광시스템의 웨이퍼 스테이지
TW202217464A (zh) 檢查裝置及基板搬送方法
KR20220162057A (ko) 외주 도포 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체
KR20030016903A (ko) 노광 설비의 웨이퍼 스테이지
KR20230033926A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2017204100A1 (ja) 投影露光装置及びその投影露光方法
JP2002131933A (ja) 整合機構およびその方法ならびに裏面露光装置
KR100542726B1 (ko) 웨이퍼 베이크 장치
JP2011123103A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のギャップ制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination