KR20060050496A - 수지판용 단면 처리 장치 및 도광판 제조 방법 - Google Patents

Abstract

수지판의 다른 부분에는 영향을 주지 않고, 단면의 「버」를 제거할 수 있는 수지판용 단면 처리 장치 및 처리 방법을 제공한다.

본 발명은 대략 직사각형의 수지판(2)의 단면(2b, 2c, 2d)을 용융 처리하는 수지판용 단면 처리 장치(1)로서, 수지판을 소정 위치에 위치 결정하는 위치 결정 핀(5)과, 위치판용 단면 처리 장치(1)로서, 수지판을 소정 위치에 위치 결정하는 위치 결정 핀(5)과, 위치 결정된 수지판의 단면의 소정 부분에 적외선을 조사하여 단면을 가열하는 적외선 조사 장치(18)를 구비하고, 적외선 조사 장치는 적외선을 발생시키는 적외선 램프(20)와, 이 적외선 램프가 발생시킨 적외선을 수지판의 단면의 소정 부분에 집광하는 내열 원통형 미러(22)를 갖는다.

Description

수지판용 단면 처리 장치 및 도광판 제조 방법{END FACE TREATING APPARATUS FOR A RESIN PLATE AND METHOD OF MANUFACTURING A LIGHT GUIDE PLATE}

도 1은 본 발명의 제 1 실시 형태의 수지판용 단면 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도,

도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선을 따른 단면도,

도 3은 본 발명의 제 3 실시 형태에 따른 수지판용 단면 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도,

도 4는 본 발명의 제 3 실시 형태에 따른 수지판용 단면 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도,

도 5는 본 발명의 제 3 실시 형태에 따른 수지판용 단면 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 정면도,

도 6은 본 발명의 제 4 실시 형태에 따른 수지판용 단면 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도,

도 7은 본 발명의 제 4 실시 형태에 따른 수지판용 단면 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 정면도,

도 8은 본 발명의 제 4 실시 형태에 따른 수지판용 단면 처리 장치의 내열성 클램프로 도광판을 클램프하여 전후(Y) 방향에 위치 결정된 상태의 도광판의 전단면의 부분을 도시하는 부분 확대 단면도,

도 9는 본 발명의 제 5 실시 형태에 따른 수지판용 단면 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

1, 30, 40, 70, 90 : 수지판용 단면 처리 장치 2, 42, 72 : 도광판

4 : 지지대 5 : 위치 결정 핀

6 : 절삭 가공 장치 8 : 서보 모터

10 : 나사축 12 : 바이트대

14 : 조도 절삭 바이트 16 : 마무리 절삭 바이트

18, 32, 46, 76 : 적외선 조사 장치 20 : 적외선 램프

22 : 내열 원통형 미러 24 : 슬릿

본 발명은 수지판용 단면 처리 장치에 관한 것으로, 특히 수지판의 단면의 버(burr)를 적외선에 의해 용융 제거하는 수지판용 단면 처리 장치에 관한 것이다.

노트북형 퍼스널 컴퓨터 등의 액정 모니터의 광원에 사용되는 판형상의 광학 부품으로서, 단면으로부터 입사한 광을 전 반사시켜서 표면 전체를 발광시키는 도 광판이 알려져 있다. 이 도광판은 두께가 균일하지 않기 때문에, 제조에 있어서는, 금형내에 네스트(nest)를 배치한 네스트식의 금형을 이용하여 사출 성형된다.

네스트는 금형 본체내에 간극없이 배치되도록 설계되어 있지만, 주입되는 용융 수지의 열 등에 의해, 네스트와 금형 본체 사이에 약간의 간극이 생겨서, 사출 성형시에 이 간극에 침입한 용융 수지가 성형품인 도광판의 단면에 「버」로서 남는 경우가 있다. 이와 같은 단면의 「버」에 의해, 도광판이 백라이트 유닛의 하우징에 수납할 수 없게 되거나, 백라이트에 휘선이 생기는 등의 문제가 생기기 때문에, 사출 성형 후에 도광판의 단면에 생긴 「버」를 제거할 필요가 있다.

또한, 도광판에 한정하지 않고, 다른 수지제의 판에 있어서도, 여러 문제를 발생시키는 「버」를 제거할 필요가 있다.

이러한 사출 성형에 의해 제조된 수지판의 「버」 제거 방법으로서, 예컨대 복사열을 이용하는 방법에 제안되고 있다(특허 문헌 1 참조).

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제 1976-42755 호 공보

그러나, 상술한 버 제거 방법은 수지판의 다른 부분에는 영향을 주지 않고, 단면의 「버」를 제거할 수 없는 문제가 있었다.

따라서, 본 발명은 상술한 종래 기술의 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것이고, 수지판의 다른 부분에는 영향을 주지 않고, 단시간에 단면의 「버」를 제거할 수 있는 생산성이 우수한 수지판용 단면 처리 장치 및 처리 방법을 제공하는 것 을 목적으로 하고 있다.

본 발명에 따르면, 대략 직사각형의 수지판의 단면을 용융 처리하는 수지판용 단면 처리 장치에 있어서, 상기 수지판을 소정 위치에 위치 결정하는 위치 결정 수단과, 위치 결정된 상기 수지판의 단면의 소정 부분에 적외선을 조사하여 상기 단면을 가열하는 적외선 조사 수단을 구비하고, 상기 적외선 조사 수단은 적외선을 발생시키는 적외선원과, 이 적외선원이 발생시킨 적외선을 상기 수지판의 단면의 소정 부분에 집광하는 집광 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 수지판용 단면 처리 장치가 제공된다.

이러한 구성에 따르면, 수지판의 단면의 소정 부분에 적외선이 조사되므로, 수지판의 다른 부분으로의 영향을 최소한으로 억제하면서, 단면의 용융 처리를 실행할 수 있다.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 적외선원과 상기 수지판의 단면 사이에 배치되어서, 상기 적외선의 조사 영역을 제한하는 슬릿을 구비한 조사 영역 제한 수단을 더 구비하고 있다.

이러한 구성에 따르면, 적외선 조사 수단으로부터의 적외선이 수지판의 상하면으로 돌아 들어가지 않고, 수지판의 단면만을 효과적으로 용융 처리할 수 있다.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 위치 결정 수단이 상기 수지판을 소정 각도 회전시키는 회전 수단을 구비하고 있다.

이러한 구성에 따르면, 일단면의 처리가 완료된 후, 수지판을 예컨대 90° 회전시켜서 미처리의 단면의 처리를 실행할 수 있기 때문에, 수지판을 세팅한 채 로, 복수의 단면의 용융 처리를 실행할 수 있다.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 적외선원은 상기 수지판의 용융 처리해야 할 단면과 대향하도록 배열된 적어도 1개의 선형상의 광원이다.

이러한 구성에 따르면, 적외선이 수지판의 단면 전체에 일제히 조사되므로, 단시간에 용융 처리를 실행할 수 있다.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 적외선원은 상기 수지판의 단면에 적외선을 조사하도록 상기 수지판의 하방에 배치된 적어도 1개의 선형상의 광원일 수도 있다.

이러한 구성에 따르면, 적외선이 수지판의 단면 전체에 일제히 조사되므로, 단시간에 용융 처리를 실행할 수 있다.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 적외선원이 상기 수지판의 단면에 적외선을 조사하도록 상기 수지판의 비스듬히 하방에 배치되어 있다.

이러한 구성에 따르면, 단면 처리중의 수지판의 처리 단면의 용융 온도를 적당한 온도로 조정할 수 있고, 수지판의 처리 단면이 과열 상태로 되는 것을 방지하는 동시에 수지판의 단면 처리를 효율적으로 실행할 수 있다.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 선형상의 광원은 상기 수지판의 용융 처리해야 할 단면 이상의 길이를 갖는다.

이러한 구성에 따르면, 적외선이 수지판의 단면 전체에 일제히 조사되므로, 단시간에 용융 처리를 실행할 수 있다.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 슬릿이 폐쇄 또는 이동 가 능하게 구성되고, 이 슬릿의 이동에 의해 상기 단면으로의 적외선의 조사가 조정된다.

이러한 구성에 따르면, 적외선원을 온/오프 제어하지 않고, 적외선을 조사, 차단할 수 있기 때문에, 신속한 조사 및 적외선원의 장기 수명화가 가능해진다.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 위치 결정된 상기 수지판을 고정하는 고정 수단을 더 구비하고 있다.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 고정 수단은 단열재로 형성되어 있다.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 고정 수단을 내열성을 갖는다.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 고정 수단은 그 단면이 상기 수지판의 단면과 면이 일치되도록 상기 수지판을 고정한다.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 고정 수단은 냉각 수단을 구비하고 있다.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 적외선원이 점형상의 광원이고, 상기 집광 수단이 상기 적외선을 스폿 형상으로 집광하는 집광 수단이며, 상기 적외선 조사 수단이 용융 처리해야 할 단면을 따라 이동 가능하다.

이러한 구성에 따르면, 적외선 조사 수단의 이동 범위를 변경함으로써, 다른 치수의 수지판에도 대응 가능해진다.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 적외선원에 공급되는 전압, 전류를 제어함으로써, 상기 수지판의 단면의 용융 처리 온도가 조정된다.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 적외선의 일부를 흡수하는 광학 필터가 상기 용융 처리해야 할 단면의 단부와 상기 적외선원 사이에 배치되어 있다.

이러한 구성에 따르면, 과열되기 쉬운 수지판의 각부 부근으로의 적외선의 조사량을 감소시키는 것이 가능해진다.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 수지판이 도광판이다.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 도광판은 한쪽 면이 매트면이고, 다른쪽 면이 프리즘면인 매트 프리즘 도광판이다.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 도광판의 단면을 절삭 처리하는 절삭 수단을 더 구비하고 있다.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 적외선원과 상기 수지판의 단면의 거리를 조정하는 거리 조정 수단을 더 구비하고 있다.

이러한 구성에 의하면, 적외선원으로부터 수지판의 단면의 용융 처리 온도를 조정하는 것이 가능해진다.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 적외선원과 상기 수지판의 연직 방향의 상대 위치를 조정하는 승강 수단을 더 구비하고 있다.

이러한 구성에 따르면, 적외선원으로부터 수지판의 단면의 용융 처리 온도를 조정하는 것이 가능해진다.

본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 상기 어느 수지판용 단면 처리 장치를 이용한 것을 특징으로 하는 도광판 제조 방법이 제공된다.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태의 수지판용 단면 처리 장치에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 제 1 실시 형태의 수지판용 단면 처리 장치(1)의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이고, 도 2는 도 1의 II-II선에 따른 단면도이다.

도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 수지판용 단면 처리 장치(1)는 사출 성형에 의해 제조된 수지판의 단면에 적외선을 조사하고, 단면에 형성된 「버」를 용융함으로써 단면 처리를 실행하는 장치이다. 여기서는 PMMA(폴리메타크릴산 메틸) 수지 등의 재료를 이용하여 사출 성형에 의해 제조한 수지판인 도광판(2)을 예로, 수지판용 단면 처리 장치(1)의 구성 및 작동을 설명하지만, 본 발명은 다른 수지판에도 적용 가능하다.

수지판용 단면 처리 장치(1)는 단면 처리를 실행하는 도광판(2)을 지지하는 지지대(4)를 구비하고 있다. 도광판(2)은 한쪽 면이 블래스트 가공 혹은 매트 가공 등에 의해 처리된 조면(매트)이고, 다른쪽 면이 프리즘으로 이루어지는 매트 프리즘 도광판이다. 도광판(2)은 네스트식의 금형내에서 사출 성형에 의해 제조되어, 이 결과 단면(2a, 2b, 2c, 2d)에는 몇 십 마이크론의 「버」가 부착되어 있다.

또한, 지지대(4)에는 도광판(2)을 지지대(4)상의 소정 위치에 위치 결정하는 복수의 위치 결정 핀(5)이 설치되어 있다.

수지판용 단면 처리 장치(1)는 도광판(2)을 위치 결정 핀(5)에 접촉시켜서 소정 위치에 위치 결정한 후, 클램프(도시하지 않음) 등의 고정 수단에 의해 소정 위치에 고정할 수 있도록 구성되어 있다.

또한, 지지대(4)에는 그 소정 위치에 위치 결정된 도광판(2)을 연직 방향으로 승강시키는 승강 장치를 설치하고, 이 승강 위치 결정 장치에 의해 도광판(2)과 지지대(4)의 연직 방향의 상대 위치를 조정할 수 있도록 구성할 수도 있다.

또한, 수지판용 단면 처리 장치(1)는 절삭 가공 장치(6)를 구비하고, 이 절삭 가공 장치(6)에 의해 지지대(4)상의 소정 위치에 위치 결정된 도광판(2)의 입사면으로 되는 단면(2a)을 입사면에 적절한 조도로 절삭 가공할 수 있도록 구성되어 있다.

절삭 가공 장치(6)는 서보 모터(8)의 구동에 의해 회전하는 나사 축(10)과, 이 나사 축(10)에 나사 결합하는 바이트대(12)를 구비하고, 이 바이트대(12)에는 도광판(2)의 단면(2a)을 흠 절삭하는 다결정 다이아몬드로 이루어지는 흠 절삭 바이트(14)와, 흠 절삭한 후의 단면(2a)을 마무리 절삭하는 다결정 다이아몬드로 이루어지는 처리 절삭 바이트(16)가 장착되어 있다.

서보 모터(8)에 의해 나사 축(10)을 회전시켜서, 바이트 대(12)를 나사 축(10)을 따라 화살표 X 방향으로 이동시킴으로써, 각각의 바이트(l4, 16)에 의해 도광판(2)의 단면(2a)이 절삭 가공된다.

또한, 수지판용 단면 처리 장치(1)는 3대의 가늘고 긴 적외선 조사 장치(18)를 구비하고 있다. 3대의 적외선 조사 장치(18)는 지지대(4)상의 소정 위치에 위 치 결정된 도광판(2)의 단면(2a) 이외의 단면(2b, 2c, 2d)의 각각을 따라 연장되도록 배치되어 있다.

적외선 조사 장치(18)는 적외선원인 가늘고 긴 적외선 램프(20)와 이 적외선 램프(20)의 배후를 덮는 원통형 미러(22)를 구비하고 있다. 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 표시되고 있는 것 같이, 적외선 조사 장치(18)에서는, 원통형 미러(22)의 개구가 도광판(2) 각각의 단면(2b, 2c, 2d)에 대향하도록 배치되어 있다. 적외선 램프(20)가 발생시킨 적외선은 화살표(A)로 표시되도록 도광판(2) 각각의 단면(2b, 2c, 2d)을 향해서 집광된다.

또한, 도 1에 도시하는 바와 같이, 각 적외선 램프(20) 및 원통형 미러(22)는 도광판(2)의 각 단면(2b, 2c, 2d) 이상의 길이를 갖는 형태인 것이 바람직하지만, 각 단면(2b, 2c, 2d)의 길이보다도 짧은 복수의 가늘고 긴 적외 램프 및 원통형 미러를 도광판(2)의 각 단면(2b, 2c, 2d)과 대향하도록 배열할 수도 있다.

여기서, 적외선 램프(20)는 부여되는 전압 또는 전류에 의해 출력이 제어 가능하고, 적외선이 조사되는 도광판(2)의 단면(2b, 2c, 2d)의 가열 온도를 조정할 수 있도록 구성되어 있다.

또한, 각 적외선 조사 장치(18)는 소정 위치에 위치 결정된 도광판(2)의 각 단면(2b, 2c, 2d)의 거리를 조정하는 단면 거리 조정 장치를 구비하고 있을 수도 있다. 이 단면 거리 조정 장치는, 예컨대 각 적외선 조사 장치(18)를 도광판(2)의 각 단면(2b, 2c, 2d)에 대하여 평행하게 슬라이딩시키는 레일과 같은 슬라이드 기구에 의해, 도광판(2)과 각 단면(2b, 2c, 2d)의 거리를 조정할 수 있도록 구성되어 있다.

또한, 적외선 램프(20)와 도광판(2)의 각 단면(2b, 2c, 2d) 사이에는, 적외선 램프(20)를 따라 연장되는 슬릿(24)을 구비한 차폐판(26)이 배치되어 있다. 슬릿(24)의 폭(W)은 도광판(2)의 각 단면(2b, 2c, 2d)에 조사되는 적외선의 조사 영역이 도광판(2)의 단면(2b, 2c, 2d)에 제한되도록 설정되는 것이 바람직하다.

또한, 도광판(2)의 각 단면(2b, 2c, 2d)의 길이 방향 양단부와 적외선 램프(20) 사이에는, 적외선 램프(20)로부터의 조사되는 적외선의 일부를 흡수하는 광학 필터(28)가 배치되어 있다.

다음에, 이러한 구성을 갖는 수지판용 단면 처리 장치(1)의 동작을 설명한다. 우선, 금형으로부터 취출된 도광판(2)이 위치 결정 핀(5)에 의해 지지대(4)상의 소정 위치에 위치 결정되고, 클램프(도시하지 않음) 등의 고정 수단에 의해 소정 위치에 고정되면, 입사면으로 되는 도광판(2)의 단면(2a)이 절삭 가공 장치(6)의 흠 절삭 바이트(14) 및 마무리 절삭 바이트(16)에 의해 입사면으로 함에도 불구하고 적절한 조도로 절삭 가공된다.

그리고, 적외선 램프(20)에 통전함으로써, 슬릿(24)을 통해 적외선 램프(20)로부터의 적외선을 도광판(2)의 다른 단면(2b, 2c, 2d)에 조사하고, 각 단면(2b, 2c, 2d)에 부착되어 있는 「버」를 적외선의 복사열로 용융 제거한다. 또한, 적외선 램프(20)로부터의 적외선 조사량은 적외선 램프(20)로의 통전 시간, 전류, 전압을 제어함으로써 조정된다.

또한, 상술한 단면 거리 조정 장치를 이용하여, 각 적외선 조사 장치(18)와 도광판(2)의 각 단면(2b, 2c, 2d)의 거리를 조정함으로써, 적외선 램프(20)로부터 각 단면(2b, 2c, 2d)의 용융 처리 온도를 조정할 수도 있다.

적외선 램프(20)로부터의 적외선은, 도광판(2)의 상하면으로 돌아 들어가지 않고, 각 단면(2b, 2c, 2d)에 형성되어 있는 「버」를 용융하여 제거한다. 이 때, 도광판(2)의 각부에 조사되는 적외선은 광학 필터(28)에 의해 일부가 흡수되므로, 도광판(2)의 각부가 과열 상태로 되는 것이 방지된다.

또한, 수지판용 단면 처리 장치(1)에 의하면, 입사면으로 되는 도광판(2)의 단면(2a)의 절삭 가공 장치(6)에 의한 절삭 가공과, 다른 단면(2b, 2c, 2d)의 적외선 조사 장치(18)에 의한 트리밍 가공을 병행하여 실행할 수도 있고, 이와 같이 함으로써, 도광판(2)의 단면 처리를 단시간에 실행할 수 있다.

또한, 상술한 본 발명의 제 1 실시 형태의 수지판용 단면 처리 장치(1)는 적외선 램프(20)로의 통전을 온/오프 제어함으로써, 도광판(2)의 단면으로의 적외선 조사를 개시·종료하는 구성이지만, 적외선 램프(20)의 작동을 온/오프 제어하는 대신에, 슬릿(24)을 개폐 제어함으로써, 또는 슬릿(24)을 상하 이동시킴으로써, 도광판(2)의 각 단면(2b, 2c, 2d)으로의 적외선 조사 타이밍을 제어하는 구성일 수도 있다.

또한, 슬릿(24), 차폐판(26)을 생략한 구성일 수도 있다.

다음에, 본 발명의 제 2 실시 형태의 수지판용 단면 처리 장치(30)에 대하여 설명한다.

도 3은 수지판용 단면 처리 장치(30)의 구성을 개략적으로 도시한 도면(1)과 동일한 평면도이다.

도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 제 2 실시 형태의 수지판용 단면 처리 장치(30)는 수지판용 단면 처리 장치(1)와 동일한 기본 구성을 구비하고 있다. 수지판용 단면 처리 장치(1)와의 상이점은 적외선 조사 장치의 구성이며, 이하 상이점에 대하여 설명한다. 따라서, 도 3에는 제 1 실시 형태의 수지판용 단면 처리 장치(1)와 동일 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 그것들의 설명은 생략한다.

도 3에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태의 수지판용 단면 처리 장치(30)는 적외선 조사 장치(32)를 구비하고 있다. 이 적외선 조사 장치(32)는 적외선을 도광판(2)의 각 단면(2b, 2c, 2d)을 향해서 스폿 형상으로 조사 가능한 적외선원(34)과, 이 적외선원(34)을 도광판(2)의 각 단면(2b, 2c, 2d)을 따라 이동시키는 리니어 서보 모터(36)를 구비하고 있다. 따라서, 수지판용 단면 처리 장치(30)에서는, 리니어 서보 모터(36)에 의해 적외선원(34)이 적외선을 조사하면서, 도광판(2)의 각 단면(2b, 2c, 2d)을 따라 화살표 Y 방향으로 이동하도록 구성되어 있다.

수지판용 단면 처리 장치(30)에서는 적외선원(34)으로부터 도광판(2)의 단면을 향해서 스폿 형상으로 조사되는 적외선은 차폐판(26)에 형성된 슬릿(24)을 통해 도광판(2)의 단면(2b, 2c, 2d)에 이르지만, 슬릿(24), 차폐판(26)을 설치하지 않는 구성일 수도 있다.

리니어 서보 모터(36)는 가동식 적외선원(34)의 이동 속도를 변경할 수 있도록 구동 제어된다. 구체적으로는, 리니어 서보 모터(36)는 가동식 적외선원(34)이 도광판(2)의 단면(2b, 2c, 2d)의 길이 방향 양단부 부근에 적외선을 조사할 때에 는, 가동식 적외선원(34)이 단면(2b, 2c, 2d)의 길이 방향 중앙부에 적외선을 조사할 때보다도 고속으로 이동하도록 구동 제어된다.

이러한 구성을 갖는 수지판용 단면 처리 장치(30)에서는, 적외선원(34)이 리니어 서보 모터(36)에 의해 도광판(2)의 단면(2b, 2c, 2d)을 따라 이동하면서 도광판(2)의 단면(2b, 2c, 2d)을 향해서 적외선을 조사하고, 도광판(2)의 단면(2b, 2c, 2d)에 부착된 「버」를 용융 제거한다.

이 때, 도광판(2)의 단면(2b, 2c, 2d)의 길이 방향 양단부 부근에 적외선을 조사할 때의 적외선원(34)의 이동 속도는 각 단면(2b, 2c, 2d)의 길이 방향 중앙부에 적외선을 조사할 때의 이동 속도보다도 고속으로 설정되어 있기 때문에, 가열되기 쉬운 도광판(2)의 각부가 적외선원(34)으로부터의 적외선으로 과열 상태로 되는 것이 억제된다.

다음에, 본 발명의 제 3 실시 형태의 수지판용 단면 처리 장치(40)에 대하여 설명한다.

도 4는 수지판용 단면 처리 장치(40)의 구성을 개략적으로 도시한 도 1 및 도 3과 동일한 평면도이고, 도 5는 수지판용 단면 처리 장치(40)의 구성을 개략적으로 도시하는 정면도이다.

도 4 및 도 5에 도시되어 있는 바와 같이, 제 3 실시 형태의 수지판용 단면 처리 장치(40)는 로봇(도시하지 않음) 등에 의해 금형으로부터 취출된 사출 성형후의 도광판(42)을 지지하는 도광판 지지 장치(44)와, 이 도광판 지지 장치(44)상에 배치된 도광판(42)의 단면(42a)에 적외선을 조사하는 적외선 조사 장치(46)를 구비 하고 있다.

또한, 도광판(42)에 있어서는, 상술한 제 1 및 제 2 실시 형태에서 설명한 매트 프리즘 도광판(2)과 같이 PMMA(폴리 메타크릴산 메틸) 수지 등의 재료를 이용하여 사출 성형에 의해 제조한 수지판이지만, 다른 수지판에도 적용 가능하다.

도광판 지지 장치(44)는, 연직 위치 조정 장치(48)와, 이 연직 위치 조정 장치(48)상에 장착되고 또한 수평 방향으로 판형상으로 연장되는 수평 위치 조정 장치(50)와, 이 수평 위치조정 장치(50)상에 고정되고 또한 도광판(42)이 배치되는 단열 플레이트(52)와, 수평 위치 조정 장치(50)에 대하여 그 길이 방향으로 이동 가능하게 설치된 가압판(54)과, 수평 위치 조정 장치(50) 사이에 형성된 가변 슬릿(55)의 폭(W')을 조정하는 슬릿 폭 조정 장치(56)로 구성되어 있다.

또한, 수지판용 단면 처리 장치(40)는 수직 방향으로 승강 가능한 위치 결정 핀(도시하지 않음)과, 단열재로 형성되어 있는 단열 클램프(58)를 더 구비하고 있다. 이 위치 결정 핀(도시하지 않음)은 단면 처리의 준비 단계로서 도광판(42)이 단열 플레이트(52)상에 가령 배치되면, 장치(40)의 상방으로부터 단열 플레이트(52)의 단면(52a) 또는 이것에 인접한 소정 위치로 강하하도록 되어 있다. 또한, 위치 결정핀(도시하지 않음)이 상기 소정 위치에 강하하면, 가압판(54)이 이동하여 도광판(42)의 단면(42b)에 접촉하도록 구성되어 있다.

또한, 가압판(54)은 도광판(42)의 단면(42b)에 접촉한 후, 단면 처리할 「버」가 부착된 도광판(42)의 단면(42a)이 위치 결정 핀(도시하지 않음)에 접촉할 때까지 도광판(42)의 단면(42b)을 가압하도록 구성되어 있다.

또한, 도광판(42)의 단면(42a)이 위치 결정 핀(도시하지 않음)에 접촉하면, 가압판(54)이 정지하고, 장치(40)의 상방으로부터 도광판(42)상에 단열 클램프(58)가 강하하도록 되어 있다. 이 단열 클램프(58)에 의해, 도광판(42)이 단열 플레이트(52)와 단열 클램프(58)에 삽입되어서 고정되도록 구성되어 있다.

여기서, 도광판(42)이 단열 플레이트(52)상에 고정된 상태에서는, 단열 플레이트(52)의 단면(52a)과 단열 클램프(58)의 단면(58a)이 거의 동일 평면내에 있고, 도광판(42)의 단면(42a)은 단열 플레이트(52)의 단면(52a) 및 단열 클램프(58)의 단면(58a)보다도 100㎛ 정도 돌출된 위치에 있다.

또한, 위치 결정 핀(도시하지 않음)은 도광판(42)이 단열 플레이트(52)상에 고정되면 상승하여 퇴피하도록 구성되어 있다.

또한, 연직 위치 조정 장치(48)는 수평 위치 조정 장치(50)를 연직 방향으로 상승시켜서, 단열 플레이트(52)상에 고정된 도광판(42)이 적외선 조사 장치(46)의 연직 방향의 상대 위치를 조정하기 위한 것이다.

한편, 수평 위치 조정 장치(50)는 단열 플레이트(52)상에 고정된 도광판(42)과 적외선 조사 장치(46)의 수평 방향의 상대 위치를 조정하기 위한 것이다.

또한, 본 실시 형태의 적외선 조사 장치(46)는 상술한 제 1 실시 형태의 적외선 조사 장치(18)와 같이 가늘고 긴 적외선 램프(20)와 이 적외선 램프(20)를 덮는 원통형 미러(22)를 구비하고 있지만, 도 5에 도시하는 바와 같이, 적외선 조사 장치(46)가 가변 슬릿(55)의 하방에 배치되고, 가변 슬릿(55)을 통해 도광판(42)의 단면(42a)을 향해서 적외선을 상방으로 조사하도록 구성되어 있는 점에서 제 1 실 시 형태의 적외선 조사 장치(18)의 구성과는 상이하다.

또한, 슬릿 폭 조정 장치(56)는 연직 위치 조정 장치(48)에 의해, 수평 위치 조정 장치(50)와 일체로 승강할 수 있도록 구성되어 있다.

또한, 도 5에 도시되어 있는 바와 같이, 가변 슬릿(55)은 슬릿 폭 조정 장치(56)의 차폐판(64)과 수평 위치 조정 장치(50)의 스테이지(60)의 단부(62)에 의해 형성되어 있고, 슬릿 폭 조정 장치(56)의 차폐판(64)을 스테이지(60)의 단부(62)에 대하여 수평 방향으로 이동시킴으로써, 가변 슬릿(55)의 폭(W')을 0㎜ 내지 30㎜의 범위에서 변경할 수 있도록 구성되어 있다.

또한, 가변 슬릿(55)의 폭(W')을 조정함으로써, 적외선 조사 장치(46)로부터 조사되는 적외선의 조사 영역이, 「버」가 부착된 도광판(42)의 단면(42a)에 인접한 영역에 제한되도록 구성되어 있다.

또한, 수지판용 단면 처리 장치(40)는 적외선 조사 장치(46)에 의한 도광판(42)의 일단면(42a)의 「버」의 용융 처리가 종료하면, 단열 클램프(58)가 상승하고, 로봇(도시하지 않음) 등에 의해, 도광판(42)의 미처리의 단면이 슬릿(55)측에 위치하도록 도광판(42)의 방향을 변경할 수 있도록 구성되어 있다. 방향이 변경된 도광판(42)의 슬릿(55)측에 위치하는 미 처리의 단면은, 도광판(42)의 일단면(42a)이 단면 처리될 때까지의 공정과 동일한 공정으로 단면 처리가 실행되도록 구성되어 있다.

다음에, 이러한 구성을 갖는 수지판용 단면 처리 장치(40)의 동작을 설명한다.

우선, 로봇(도시하지 않음) 등에 의해 금형으로부터 취출된 사출 성형후의 도광판(42)이 도광판 지지 장치(44)의 단열 플레이트(52)상에 가령 배치되면, 위치 결정 핀(도시하지 않음)이 장치(40)의 상방으로부터 단열 플레이트(52)의 단면(52a) 또는 이것에 인접한 소정 위치로 강하한다.

그리고, 가압판(54)이 이동하여 도광판(42)의 단면(42b)에 접촉하고, 단면 처리가 실행되는 도광판(42)의 단면(42a)이 위치 결정 핀(도시하지 않음)에 접촉할 때까지 도광판(42)의 단면(42b)을 가압한다.

도광판(42)의 단면(42a)이 위치 결정 핀(도시하지 않음)에 접촉하면, 가압판(54)이 정지하고, 장치(40)의 상방으로부터 도광판(42)상에 단열 클램프(58)가 강하하고, 도광판(42)이 단열 플레이트(52)와 단열 클램프(58)에 삽입되어 고정된다. 그 후, 위치 결정 핀(도시하지 않음)은 상승하여 퇴피한다.

다음에, 연직 위치 조정 장치(48)에 의해, 단열 플레이트(52)상에 고정된 도광판(42)과 적외선 조사 장치(46)의 연직 방향의 상대 위치가 조정되고, 수평 위치 조정 장치(50)에 의해, 도광판(42)과 적외선 조사 장치(46)의 수평 방향의 상대 위치가 조정된다. 그 후, 슬릿 폭 조정 장치(56)의 차폐판(64)이 스테이지(60)의 단부(62)에 대하여 수평 방향으로 이동하고, 가변 슬릿(55)의 폭(W')이 설정된다.

또한, 적외선 조사 장치(46)가 슬릿(55)을 향해 적외선을 조사하고, 슬릿(55)을 통과한 적외선의 복사열에 의해, 단열 플레이트(52)의 단면(52a) 및 단열 클램프(58)의 단면(58a)으로부터 조금 돌출된 도광판(42)의 단면(42a)에 부착되는 「버」가 용융 제거되고, 도광판(42)의 일단면(42a)의 단면 처리 공정이 종료한다.

또한, 도광판(42)의 일단면(42a)의 「버」의 용융 처리가 종료하면, 단열 클램프(58)가 상승하고, 로봇(도시하지 않음) 등에 의해, 도광판(42)의 미처리의 단면이 슬릿(55)측에 위치하도록 도광판(42)의 방향을 변경할 수 있다. 방향이 변경된 도광판(42)의 슬릿(55)측에 위치하는 미처리 단면은, 도광판(42)의 일단면(42a)이 단면 처리될 때까지의 상술한 공정과 동일한 공정으로 단면 처리가 실행된다.

여기서, 적외선 조사 장치(46)로부터의 적외선 조사량은, 제 1 실시 형태와 같이, 적외선 조사 장치(46)의 적외선 램프(도시하지 않음)로의 통전 시간, 전류, 전압을 제어함으로써 조정된다. 또한, 도광판(42)의 단면(42a)의 용융 온도를 조정할 때에는, 연직 위치 조정 장치(48)나 수평 위치 조정 장치(50)에 의해, 도광판(42)의 단면(42a)과 적외선 조사 장치(46)의 상대 거리를 적절히 조정하거나, 슬릿 폭 조정 장치(56)에 의해, 가변 슬릿(55)의 폭(W')을 적절히 조정한다.

수지판용 단면 처리 장치(40)에 따르면, 위치 결정 핀(도시하지 않음) 및 가압판(54)에 의해, 단면 처리할 도광판(42)을 수평 위치 조정 장치(50)의 단열 플레이트(52)상에 도광판(42)의 단면(42a)이 단열 플레이트(52)의 단면(52a) 및 단열 클램프(58)의 단면(58a)보다도 100㎛ 정도 돌출하도록 정확하게 위치 결정할 수 있다. 또한, 단열 클램프(58)에 의해, 수평 위치 조정 장치(50)의 단열 플레이트(52)상에 위치 결정된 도광판(42)을 확실하게 고정할 수 있다.

수지판용 단면 처리 장치(40)에 의하면, 단면 처리할 도광판(42)의 단면(42a)이 단열 플레이트(52)의 단면(52a) 및 단열 클램프(58L)의 단면(58a)보다도 100㎛ 정도 돌출하도록 단열 클램프(58)가 도광판(42)을 단열 플레이트(52)로 삽입 하여 고정하고 있기 때문에, 적외선 조사 장치(46)로부터의 적외선이 단열 클램프(58)보다 우측에 위치하는 도광판(42)의 상면 부분으로 돌아 들어가지 않는다. 따라서, 단열 클램프(58)보다 우측에 위치하는 도광판(42)의 상면 부분이 적외선의 복사열에 의해 가열되는 것을 방지할 수 있고, 돌출된 도광판(42)의 단면(42a)만을 효과적으로 용융 처리할 수 있다.

또한, 수지판용 단면 처리 장치(40)에 따르면, 슬릿(55)에 의해 적외선 조사 장치(46)로부터 조사되는 적외선의 조사 영역이 도광판(42)의 단면(42a)에 인접한 영역에 제한되고 있기 때문에, 슬릿(55) 주위에 배치되어 있는 수지판용 단면 처리 장치(40)의 관련 요소가 적외선의 복사열에 의해 가열되는 것을 방지할 수 있다.

또한, 수지판용 단면 처리 장치(40)에 따르면, 연직 위치 조정 장치(48) 및 수평 위치 조정 장치(50)에 의해, 단열 플레이트(52)상에 고정된 도광판(42)과 적외선 조사 장치(46)의 연직 방향 및 수평 방향의 상대 거리를 각각 적절히 조정할 수 있으며, 슬릿 폭 조정 장치(56)에 의해, 가변 슬릿(55)의 폭(W')을 적절히 조정할 수 있다. 이 결과, 단면 처리 중의 도광판(42)의 단면(42a)의 용융 온도를 적절한 온도로 조정할 수 있고, 도광판(42)의 처리 단면(42a)이 과열 상태로 되는 것을 방지하는 동시에 도광판(42)의 단면 처리를 효율적으로 실행할 수 있다.

다음에, 본 발명의 제 4 실시 형태의 수지판용 단면 처리 장치(70)에 대하여 설명한다.

도 6은 수지판용 단면 처리 장치(70)의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이고, 도 7은 수지판용 단면 처리 장치(70)의 구성을 개략적으로 도시하는 정면도 이다.

도 6 및 도 7에 도시되어 있는 바와 같이, 제 4 실시 형태의 수지판용 단면 처리 장치(70)는 도광판(72)을 지지하는 도광판 지지 장치(74)와, 이 도광판 지지 장치(74)상에 배치된 도광판(72)의 단면(72a)에 적외선을 조사하도록 도광판(72)의 비스듬히 하방에 배치된 적외선 소자 장치(76)를 구비하고 있다. 이 적외선 조사 장치(76)의 배치 각도(θ)(연직 방향에 대한 각도)는 30∼60°로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 40∼50°이다.

또한, 도광판(72)은 상술한 제 1 내지 제 3 실시 형태에서 설명한 도광판(2, 42)과 동일하게, PMMA(폴리메타크릴산 메틸) 수지 등의 재료를 이용하여 사출 성형에 의해 제조한 수지판이지만, 본 실시 형태의 수지판용 단면 처리 장치(70)는 다른 수지판에도 적용 가능하다.

도광판 지지 장치(74)는 도광판(72)의 하면에 접촉하여 도광판(72)을 수평으로 지지하는 복수의 핀(P)과, 핀(P)으로 수평으로 지지된 도광판(72)과 동일 평면에 배치된 가압판(78)과, 측방 가압판(80, 82)과, 위치 결정 핀(84, 86)을 구비하고 있다.

가압판(78)과 위치 결정 핀(84, 86)은 핀(P)상에 수평으로 지지된 도광판(72)의 측면에 접촉하고, 도광판(72)과 동일 평면내에서 전후 방향(Y 방향)으로 이동하여, 도광판 지지 장치(74)상에서의 도광판(72)의 전후 방향 위치 결정을 실행할 수 있도록, 구성되며, 핀(P)으로 수평으로 지지되는 도광판(72)의 전후에 각각 배치되어 있다.

또한, 측방 가압판은 도광판(72)과 동일 평면내에서 횡방향(X 방향)으로 이동하여, 도광판 지지 장치(74)상에서의 도광판(72)의 횡방향의 위치 결정을 실행할 수 있도록 구성되며, 핀(P)으로 수평으로 지지되는 도광판(72)의 측방에 배치되어 있다.

핀(P)은 단면 형상이 쐐기형인 도광판 등을 소정 위치에 지지할 수 있도록, 개별적으로 상하 위치가 조정 가능하게 되어 있다.

도광판 지지 장치(74)는 또한 유리나 세라믹 등의 무기 재료, 테프론이나 폴리불화비닐리덴 등의 불소계 수지 등의 재질로 표면이 구성된 내열성 플램프(88, 89)를 구비하고 있다. 내열성 클램프(88, 89)는 상하 방향으로 이동 가능하게 구성되고, 핀(P)상에 지지되어 있는 도광판(72)의 전단부의 상면 및 하면에 접촉하여, 상하의 내열 클램프(88, 89) 사이에서 도광판(72)을 협지하여, 도광판(72)을 도광판 지지 장치(74)상에서 고정하도록 구성되어 있다. 또한, 내열성 클램프(88, 89)는 내부를 냉각수가 순환하도록 구성되어 있다.

적외선 조사 장치(76)는 상술한 제 1 실시 형태의 적외선 조사 장치(18)와 동일하게 가늘고 긴 적외선 램프(20)와, 적외선 램프(76a)의 후방에 배치된 원통형 미러(76b)와, 적외선 램프(76a)의 전방에 적외선 램프(76a)로부터 조사되는 적외선의 양을 조절하는 셔터 기구(76c)를 구비하고 있다.

본 실시 형태에서는, 적외선 조사 장치(76)는 내열성 클램프(88, 89)로 고정된 도광판(72)의 전단면(72a)에 대하여 비스듬히 하방 45°로부터 적외선을 조사하는 위치에 고정되어 있다. 또한, 이 조사 위치는 비스듬히 하방 45°에 한정되는 것이 아니고, 예컨대 비스듬히 하방 30° 내지 60°의 범위로 적절하게 설정할 수도 있다.

또한, 적외선 조사 장치(76)를 내열성 클램프(88, 89)로 고정된 도광판(72)의 단면(72a)의 중심선(O)을 회전축으로 하여 회전 가능하게 하여, 도광판(72)의 단면(72a)에 대한 적외선의 조사 각도를 변경할 수 있는 구성일 수도 있다.

다음에, 수지판용 단면 처리 장치(70)의 동작을 설명한다. 우선, 로봇 아암 들에 의해 단면 처리를 실행하는 도광판(수지판)(72)이 도광판 지지 장치(74)의 핀(P)상에 배치된다(도 6 및 도 7).

각 위치 결정 핀(84, 86)은 선단면(84a, 86)이 내열성 클램프(88)의 전단면(88a)으로부터 도광판(72)의 전면(72a)으로부터 떨어진 방향으로 소정 거리만큼 후퇴한 위치에 배치되어 있다. 소정 거리는 도광판(72)의 단면(72a)에 형성되어 있는 버의 길이(크기)에 따라 적절히 설정되고, 본 실시 형태에서는 100㎛로 되어 있다.

도광판(72)이 핀(P)상에 배치되면, 측방 가압판(80, 82)이 측단면(72b, 72c)에 접촉하면서 X 방향으로 이동하여, 도광판(72)의 측단면(72b, 72c)을 소정 위치에 배치함으로써, 도광판 지지 장치(74)상에 있어서의 도광판(72)의 횡(X) 방향의 위치 결정을 실행한다.

다음에, 가압판(78)이 도광판(72)의 후단면(72d)에 접촉하면서 위치 결정 핀(84, 86) 방향으로 이동하여, 도광판(72)의 전단면(72a) 정확하게는 전단면(72a)에 형성되어 있는 「버」의 선단을 위치 결정 핀(84, 86)의 각 단면(84a, 86a)에 접촉 시킴으로써, 도광판 지지 장치(74)상에 있어서의 도광판(72)의 전후(Y) 방향의 위치 결정을 실행한다.

도광판(72)의 횡(X) 방향 및 전후(Y) 방향의 위치 결정이 완료된 상태에서 상방의 내열성 클램프(88)를 강하, 하방의 내열성 클램프(89)를 승강시키고, 내열성 클램프(88, 89)를 도광판(72)의 전단부의 상면에 접촉시키며, 도광판(72)을 클램프한다.

도 8은 내열성 클램프(88, 89)로 클램프하여 전후(Y) 방향으로 위치 결정된 상태의 도광판(72)의 전단면(72a)의 부분을 도시하는 부분 확대 단면도이다. 도 8 중의 B는, 도광판(72)의 전단면(72a)에 부착되어 있는 「버」를 지시하고 있다. 또한, 버(B)는, 약 100㎛ 길이의 버를 과장하여 도시하고 있다.

도 8에 도시하는 바와 같이, 전후 (Y) 방향에 위치 결정된 상태에서는, 도광판(72)은 전단면(72a)에 형성되어 있는 버(B)의 선단이, 위치 결정 핀(84, 86)의 각 단면(84a, 86a)에 접촉되어 있고, 또한 각 위치 결정 핀(84, 86)은 선단면(84a, 86a)이 내열성 클램프(88)의 단면(88a)로부터 Y 방향으로 버(B)의 길이에 상당하는 소정 거리 100㎛ 만큼 후퇴한 위치에 배치되어 있기 때문에, 단열 클램프(88)는 전단면(88a)이 도광판(72)의 전단면(72a)과 상하 방향으로 정렬된 상태에서, 도광판(72)을 클램프하게 된다. 즉, 도광판(72)은 단열 클램프(88, 89)로 클램프되어 있는 부분으로부터 버(B)만이 전방으로 돌출한 상태에서 클램프된다.

클램프가 완료하면, 위치 결정 핀(84, 86)이 도광판(72)의 단면(72a)으로부터 멀어지는 방향으로 후퇴한다.

이어서, 적외선 램프(76a)를 점등시키고, 셔터 기구(76c)를 개방함으로써, 도광판(72)의 단면(72a)에 적외선 조사 장치(76)로부터 적외선이 조사되고, 전단면(72a)에 형성된 있던 버(B)가 용융되고, 도광판(72)의 일단면이 용융 처리된다. 적외선의 조사 시간 및 강도는 버의 크기, 도광판의 두께, 도광판까지의 거리 등을 감안하여 적절히 설정된다.

또한, 적외선 램프(76a)를 항상 점등하고, 셔터 기구(76a)가 폐쇄되어 있는 비조사시에는 출력이 낮아지고, 셔터 기구(76a)가 개방되는 적외선 조사시에 소정 출력으로 되도록 제어하는 구성일 수도 있다.

용융 처리가 완료하면 상방의 내열성 클램프(88)가 상승하고, 하방의 내열 클램프(89)가 하강하여 도광판(72)의 클램프가 해제되고, 로봇(도시하지 않음) 등에 의해, 도광판(72)이 도광판 지지 장치(74)로부터 제거되어, 다음 처리 공정으로 운반된다.

또한, 로봇 등에 의해, 일단면의 처리가 완료된 도광판(72)을 미처리 단면이 적외선 조사 장치(76)측에 위치하도록 회전시키고, 도광판 지지 장치(74)상에 다시 배치하며, 미처리 단면을 동일하게 용융 처리하는 구성일 수도 있다.

상술한 수지판용 단면 처리 장치(70)에 의하면, 위치 결정 핀(84, 86), 가압판(78), 측방 가압판(80, 82)에 의해, 도광판(72)의 용융 처리를 실시하는 전단면(72a)이 내열성 클램프(88)의 적외선 조사측의 단면(88a)과 면이 일치되도록 정확하게 위치 결정할 수 있기 때문에, 도광판(72)은 버(B)만이 돌출된 상태에서, 내열성 클램프(88, 89)에 의해 클램프된다. 이 때문에, 적외선 조사 장치(76)로부터 의 적외선 복사열에 의해 버(B)만을 확실하게 용융할 수 있다.

또한, 내열성 클램프(88, 89)에는 내부에 냉각수의 순환 기구를 설치하는 등의 냉각 수단을 설치함으로써, 내열성 클램프(88, 89)가 적외선의 복사열에 의해 가열되고, 도광판(72)의 전단면 이외의 부분이 이 열에 노출되는 것을 방지할 수 있다.

또한, 수지판용 단면 처리 장치(70)에 따르면, 적외선 조사 장치(72)가 도광판(72)의 단면(72a)에 적외선을 조사하도록 도광판(72)의 비스듬히 하방에 배치되어 있기 때문에, 단면 처리를 실행하는 도광판(72)의 전단면(72a)에 확실히 적외선을 조사할 수 있다.

다음에, 본 발명의 제 5 실시 형태의 수지판용 단면 처리 장치(90)에 대하여 설명한다.

도 9는 수지판용 단면 처리 장치(70)의 구성을 개략적으로 도시하는 도 6과 동일한 평면도이다. 여기서, 도 9에 있어서, 도 6과 동일한 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 그들의 설명을 생략한다.

도 9에 도시하는 바와 같이, 제 5 실시 형태의 수지판용 단면 처리 장치(90)는 도광판(72)이 대향하는 2개의 단면을 동시에 용융 처리할 수 있도록, 제 4 실시 형태의 수지판용 단면 처리 장치(70)의 적외선 조사 장치(76), 위치 결정 핀(84, 86), 내열성 클램프(88, 89)가 장치의 양측에 2조 설치되어 있다.

또한, 도광판 지지 장치(92)에는 회전 기구(도시하지 않음)가 설치되어 있고, 이 회전 기구에 의해, 도광판 지지 장치(92)상의 도광판(72)을 소정 각도(예컨 대 90°) 회전시킬 수 있도록 구성되어 있다.

또한, 각 적외선 조사 장치(76), 위치 결정 핀(84, 86), 내열성 클램프(88, 89)는 도광판(72)의 치수와 방향을 맞추어서 Y 방향의 위치를 조정할 수 있도록 구성되어 있다.

다음에, 본 실시 형태의 수지판용 단면 처리 장치(90)의 동작을 설명한다. 먼저, 도광판(72)이 도광판 지지 장치(92)상에 배치되면, 측방 가압판(80, 82)이 이동하여, 도광판(72)의 횡(X) 방향의 위치 결정이 실행된다.

다음에, 위치 결정 핀(84, 86)이 Y 방향으로 이동하여 도광판(72)의 각 단면(72d)의 버(B)에 접촉시킨 상태에서, 양측의 내열성 클램프(88)가 강하시키고, 도광판(72)을 클램프한다. 이 때, 내열성 클램프(88)의 적외선 조사측의 단면(88a)은 도광판(72)의 각 단면(72a, 72d)과 면이 일치한 상태로 되어 있다. 이어서, 위치 결정 핀(84, 86)을 도광판(72)의 단면(72a, 72d)으로부터 멀어지는 방향으로 후퇴시킨다.

이어서, 도광판(72)의 단면(72a, 72d)에 적외선 조사 장치(76)로부터 적외선이 소정 시간 조사되어서, 도광판(72)이 대향하는 2개의 단면(72a, 72)에 형성되어 있던 버(B)를 용융시킨다.

도광판(72)의 2개의 단면(72a, 72d)의 단면 처리가 종료하면, 회전 기구에 의해 도광판(72)이 90°회전되고, 도광판(72)의 미처리 단면(72b, 72c)이 적외선 조사 장치(76)측에 위치하도록 도광판(72)이 도광판 지지 장치(74)상에 배치된다. 이어서, 도광판(72)의 미처리 단면(72b, 72c)은 단면(72a, 72b)과 동일하게 단면 처리된다.

상술한 수지판용 단면 처리 장치(90)에 따르면, 2조의 적외선 조사 장치(76), 위치 결정 핀(84, 86), 내열성 클램프(88)와 회전 기구를 이용함으로써, 도광판의 단면의 2면씩 동시에 용융 처리할 수 있기 때문에, 효율이 양호하다.

또한, 상술한 제 5 실시 형태의 수지판용 단면 처리 장치(90)에서는, 적외선 조사 장치(76), 위치 결정 핀(84, 86), 내열성 클램프(88, 89)를 2조 구비하고, 각 조가 서로 대향하도록 배치한 구성을 갖는 형태에 대하여 설명했지만, 이와 같은 형태에 한정되지 않는다. 예컨대, 다른 형태로서, 도광판 지지 장치(92)상에 배치한 도광판(72)의 3개의 단면을 동시에 용융 처리할 수 있도록, 적외선 조사 장치(76), 위치 결정 핀(84, 86), 내열성 클램프(88)를 3조 구비한 수지판용 단면 처리 장치일 수도 있다. 또한, 상술한 회전 장치(도시하지 않음)를 구비하지 않고, 도광판 지지 장치(92)상에 배치한 도광판(72)의 4개의 모든 단면을 동시에 용융 처리할 수 있도록, 적외선 조사 장치(76), 위치 결정 핀(84, 86), 내열성 클램프(88, 89)를 4조 구비한 수지판용 단면 처리 장치일 수도 있다.

본 발명의 상기 실시 형태에 한정되지 않고, 특허 청구의 범위에 기재된 기술적 사상의 범위내에서 각종 변경, 변형이 가능하다.

상술한 본 발명의 제 1 내지 제 5 실시 형태에서는, 도광판의 단면을 처리하는 경우를 예로 본원 발명을 설명했지만, 본원 발명은 이와 같은 형태에 한정되지 않고, 도광판 이외에도, 아크릴 수지 등으로 이루어지는 다른 수지판의 단면으로부터 버를 제거하는 경우에는 적용 가능하다.

본 발명의 수지판용 단면 처리 장치에 따르면, 수지판의 다른 부분에는 영향을 주지 않고, 단시간에 단면의 「버」를 제거할 수 있는 생산성이 우수한 수지판용 단면 처리 장치 및 처리 방법이 제공된다.

Claims (22)

1. 대략 직사각형의 수지판의 단면(端面)을 용융 처리하는 수지판용 단면 처리 장치에 있어서,

   상기 수지판을 소정 위치에 위치 결정하는 위치 결정 수단과,

   위치 결정된 상기 수지판의 단면의 소정 부분에 적외선을 조사하여 상기 단면을 가열하는 적외선 조사 수단을 구비하며,

   상기 적외선 조사 수단은 적외선을 발생시키는 적외선원과, 상기 적외선원이 발생시킨 적외선을 상기 수지판의 단면의 소정 부분에 집광하는 집광 수단을 갖는 것을 특징으로 하는

   수지판용 단면 처리 장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 적외선원과 상기 수지판의 단면 사이에 배치되고, 상기 적외선의 조사 영역을 제한하는 슬릿을 구비한 조사 영역 제한 수단을 더 구비하고 있는

   수지판용 단면 처리 장치.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   상기 위치 결정 수단이 상기 수지판을 소정 각도 회전시키는 회전 수단을 구비하고 있는

   수지판용 단면 처리 장치.
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 적외선원은 상기 수지판의 용융 처리해야 할 단면과 대향하도록 배열된 적어도 1개의 선형상의 광원인

   수지판용 단면 처리 장치.
5. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,

   상기 적외선원은 상기 수지판의 단면에 적외선을 조사하도록 상기 수지판의 하방에 배치된 적어도 하나의 선형상의 광원인

   수지판용 단면 처리 장치.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 적외선원은 상기 수지판의 단면에 적외선을 조사하도록 상기 수지판의 경사 하방에 배치되어 있는

   수지판용 단면 처리 장치.
7. 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 선형상의 광원은 상기 수지판의 용융 처리해야 할 단면 이상의 길이를 갖는

   수지판용 단면 처리 장치.
8. 제 2 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 슬릿이 폐쇄 또는 이동 가능하게 구성되고, 이 슬릿의 이동에 의해 상기 단면으로의 적외선의 조사가 조정되는

   수지판용 단면 처리 장치.
9. 제 1 항에 있어서,

   상기 위치 결정된 상기 수지판을 고정하는 고정 수단을 더 구비하고 있는

   수지판용 단면 처리 장치.
10. 제 9 항에 있어서,

    상기 고정 수단은 적어도 표면이 단열재로 형성되어 있는

    수지판용 단면 처리 장치.
11. 제 9 항에 있어서,

    상기 고정 수단은 내열성을 갖는

    수지판용 단면 처리 장치.
12. 제 11 항에 있어서,

    상기 고정 수단은 그 단면이 상기 수지판의 단면과 면이 일치되도록 상기 수지판을 고정하는

    수지판용 단면 처리 장치.
13. 제 12 항에 있어서,

    상기 고정 수단은 냉각 수단을 구비하고 있는

    수지판용 단면 처리 장치.
14. 제 1 항에 있어서,

    상기 적외선원이 점형상의 광원이고,

    상기 집광 수단이 상기 적외선을 스폿 형상으로 집광하는 집광 수단이며,

    상기 적외선 조사 수단이 용융 처리해야 할 단면을 따라 이동 가능한

    수지판용 단면 처리 장치.
15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 적외선원에 공급되는 전압, 전류를 제어함으로써, 상기 수지판의 단면의 용융 처리 온도가 조정되는

    수지판용 단면 처리 장치.
16. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 적외선의 일부를 흡수하는 광학 필터가 상기 용융 처리해야 할 단면의 단부와 상기 적외선원 사이에 배치되어 있는

    수지판용 단면 처리 장치.
17. 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 수지판이 도광판인

    수지판용 단면 처리 장치.
18. 제 17 항에 있어서,

    상기 도광판은 한쪽 면이 매트면이고, 다른쪽 면이 프리즘면인 매트 프리즘 도광판인

    수지판용 단면 처리 장치.
19. 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,

    상기 도광판의 단면을 절삭 처리하는 절삭 수단을 더 구비하고 있는

    수지판용 단면 처리 장치.
20. 제 1 항에 있어서,

    상기 적외선원과 상기 수지판의 단면의 거리를 조정하는 거리 조정 수단을 더 구비하고 있는

    수지판용 단면 처리 장치.
21. 제 1 항에 있어서,

    상기 적외선원과 상기 수지판의 연직 방향의 상대 위치를 조정하는 승강 수단을 더 구비하고 있는

    수지판용 단면 처리 장치.
22. 제 1 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 기재된 수지판용 단면 처리 장치를 이용한 것을 특징으로 하는

    도광판 제조 방법.

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