JP2004276098A - 加熱方法と加熱装置と半田付け方法と半田付け装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半田付けなどの被加工物の複数箇所へ光エネルギーを照射することによって被加工物を加工する際に、照射方法を制御することによって被加工物の加工品質を確保すると共に、被加工物に熱的損傷を与えないようにする。
【解決手段】光エネルギーを照射する光源２と、前記光源からの光エネルギーを被加工物の複数箇所へ導く位置決め手段３と、前記位置決め手段３と前記光源２を制御する制御部１を備え、前記制御部１は、被加工物の複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれ連続的に照射する際に照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくすることによって、被加工物の最大温度上昇をその耐熱温度以下に抑え、被加工物に熱的損傷を与えないようにすることができる。
【選択図】 図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半田付けなどの被加工物の複数箇所へ光エネルギーを照射することによって被加工物を加工する加熱方法と加熱装置と半田付け方法と半田付け装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子部品を基板上に実装する時、被加工物である電子部品の複数箇所を加熱することによって半田付けなどで接合する方法が広く応用されている。加熱方法としては、熱源を接合部と直接に接触させることで接合を行う接触方式（例えば、フロー、半田コテなど）と、熱源を直接に接合部と接触させることなく接合を行う非接触方式（例えば、リフローなど）がある。後者については、基板と電子部品全体を同時に加熱する一括接続と個々の電子部品毎に半田付けする個別接続がある。
【０００３】
一括接続の加熱方法には、熱風を噴射することにより電子部品を加熱する熱風リフローや赤外線を用いて加熱する赤外線リフローなどがある。
【０００４】
また、個別接続の加熱方法には、ヒータを接続部に当てパルス電流を流すパルス・ヒートや、レーザなどの光エネルギーを使う局所レーザリフローなどがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
図２７は局所レーザリフローにおいて、被加工物の複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれ照射する際の光エネルギー及び被加工物の温度の関係を示したものである。
【０００６】
Ａ箇所を加工する時に、光照射と共に被加工部温度は被加工部の予熱温度あるいは室温より上昇し、加工品質保証最低温度を超えて、照射終了時に最も高い温度に達する。照射終了後、Ａ箇所の温度は低下する。
【０００７】
被加工物のＡ箇所とＢ箇所の距離が短い時には、Ｂ箇所の照射が開始すると、その熱エネルギーの影響で、図２７に示すように、Ａ箇所の温度は再び増加する。一方、Ｂ箇所を加工する際には、基本的にＡ箇所と同様の温度上昇傾向を示す。
【０００８】
【特許文献１】
特開平６−２１８５３４号公報（第２−４頁）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年では電子機器の小型化や多機能化に伴い基板上に実装する電子部品が益々複雑になり、高精度が要求されるようになってきた。基板を構成する材料もレーザ照射に対して様々な挙動（例えば、吸収）を示すようになってきた。
【００１０】
光エネルギーを利用した局所レーザリフローでは、光を電子部品などの被加工物の接合部に複数回照射する必要が発生し、そのため、同一被加工物において同一接合部形状であっても、光エネルギーの照射方法によって接合品質にバラツキが発生し、極端な場合は、基板あるいは電子部品に損傷を与える恐れがあった。
【００１１】
特に、図２７に示すように照射時間の増加と共に接合部の温度が上昇し続ける局所レーザリフローでは、接合部の最大温度を電子部品あるいは基板の耐熱温度以内に抑える必要があった。
【００１２】
図２７において、Ａ箇所加工終了後にＢ箇所を加工する際に、Ａ箇所加工時の被加工物に入った熱エネルギーの影響によって、Ｂ箇所の最大温度がＡ箇所より高くなり被加工物耐熱温度を超えてしまうことがある。
【００１３】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、被加工物の複数箇所へ光エネルギーを照射し、被加工物を加工する際に照射方法を制御することによって被加工物の加工品質を確保すると共に、被加工物に熱的損傷を与えない加熱方法と加熱装置と半田付け方法と半田付け装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本発明は、被加工物の複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれ連続的に照射する際に、照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくしたものである。
【００１５】
これによって、被加工物の加工品質を確保し、被加工物の熱的損傷を解消することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
上記の目的を達成するために本発明は、被加工物の複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれ連続的に照射する際に、照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくしたものである。具体的には、徐々に、または段階的に小さくしたものである。
【００１７】
また本発明は、被加工物の複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれパルス状に照射する際に、照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくしたものである。具体的には、徐々に、または段階的に小さくしたものである。
【００１８】
また本発明は、被加工物の複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれパルス状に照射する際に、照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくすると共に、パルスの各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくしたものである。具体的には、徐々に、または段階的に小さくしたものである。
【００１９】
また本発明は、被加工物の複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれパルス状に照射する際に、照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて徐々に小さくすると共に、パルスの各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくしたものである。具体的には、徐々に、または段階的に小さくしたものである。
【００２０】
また本発明は、被加工物の複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれパルス状に照射する際に、照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて段階的に小さくすると共に、パルスの各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくしたものである。具体的には、徐々に、または段階的に小さくしたものである。
【００２１】
また本発明は、被加工物の導電体に半田と電子部品を位置させ、その半田部分に上記の方法によって加熱するものである。
【００２２】
また本発明は、光エネルギーを照射する光源と、前記光源からの光エネルギーを被加工物の複数箇所へ導く位置決め手段と、前記位置決め手段と前記光源を制御する制御部を備え、前記制御部は被加工物の複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれ連続的に照射する際に照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくするように構成したものである。
【００２３】
またその制御部は、照射終了後の光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて徐々に小さくするように構成したものである。
【００２４】
またその制御部は、照射終了後の光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて段階的に小さくするように構成したものである。
【００２５】
また本発明は、光エネルギーを照射する光源と、前記光源からの光エネルギーを被加工物の複数箇所へ導く位置決め手段と、前記位置決め手段と前記光源を制御する制御部を備え、前記制御部は被加工物の複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれパルス状に照射する際に照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくするように構成したものである。
【００２６】
またその制御部は、照射終了後の光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて徐々に小さくするように構成したものである。
【００２７】
またその制御部は、照射終了後の光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて段階的に小さくするように構成したものである。
【００２８】
また本発明は、光エネルギーを照射する光源と、前記光源からの光エネルギーを被加工物の複数箇所へ導く位置決め手段と、前記位置決め手段と前記光源を制御する制御部を備え、前記制御部は被加工物の複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれパルス状に照射する際に、照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくすると共に、パルスの各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくしたものである。具体的には、徐々に、または段階的に小さくしたものである。
【００２９】
またその制御部は、照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて徐々に小さくすると共に、パルスの各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくしたものである。具体的には、徐々に、または段階的に小さくしたものである。
【００３０】
またその制御部は、照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて段階的に小さくすると共に、パルスの各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくしたものである。具体的には、徐々に、または段階的に小さくしたものである。
【００３１】
また本発明は、上記の装置を備え導電体に半田と電子部品を位置させた被加工物を載置するテーブルを設けたものである。
【００３２】
このように照射終了前の所定時間または所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくしたものである。具体的には、徐々に、または段階的に小さくしたものである。これらによって、被加工物の最大温度上昇をその耐熱温度以下に抑え、被加工物に熱的損傷を与えないようにすることができる。
【００３３】
また、加工物の形状に応じて上記の方法を用いると、被加工物における熱的エネルギーの蓄積の影響を抑えて均一な加工品質を得ることができ、熱的損傷を与えないようにすることができる。
【００３４】
（実施の形態１）
図１において、１は制御部、２は光源、３は位置決め手段である。光源２は、制御部１の光エネルギー制御信号に応じた光エネルギーを発生する。位置決め手段３は、被加工物を搭載して、制御部１の位置制御信号を受け、被加工物の位置が光エネルギーの照射位置になるように被加工物の位置を制御する。
【００３５】
制御部１は、位置決め手段３に被加工物の位置制御信号を出力して、それを制御すると共に、被加工物の隣り合う複数箇所に対して光エネルギーをそれぞれ連続的に照射して、被加工物を加工する際に個々の照射において照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくするように、光エネルギー制御信号を発生して、光源２を制御する。
【００３６】
制御部１の制御原理を、図２を以って説明する。図２に示すように、Ａ箇所を加工する時に、加工初期の光エネルギーをＥ１とすると、Ｅ１期間が終了するまでの光照射期間中には、被加工部温度は光照射と共に被加工部の予熱温度あるいは室温より上昇する。
【００３７】
Ｅ１期間が終了して、Ｅ１より光エネルギーの低いＥ２期間になると、被加工部の温度上昇速度がＥ１期間より遅くなる。そのため、照射終了時の被加工部の最大温度は図２７の従来の制御方法と比較して低くなる。
【００３８】
被加工物のＡ箇所とＢ箇所の距離が短い時には、Ｂ箇所の照射が開始すると、その熱エネルギーの影響で、図２に示すように、Ａ箇所の温度は再び増加する。
【００３９】
Ｂ箇所の加工もＡ箇所と同様に、照射終了前の所定時間から光エネルギーをＥ１よりＥ２にすることによって、被加工部の最大温度を被加工物耐熱温度以下に抑えることが可能であり、被加工物に熱的損傷を与えない。
【００４０】
以上の構成により、被加工物の複数箇所に対して光エネルギーをそれぞれ連続的に照射する際に、照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくすることによって、被加工物の最大温度上昇をその耐熱温度以下に抑え、被加工物に熱的損傷を与えないようにすることができる。
【００４１】
なお、図２においてＥ１期間が終了してからの光エネルギーをＥ２にしているが、図３〜図５に示すように、Ｅ１期間が終了してからの光エネルギーを徐々にＥ２にすることも可能である。また図６に示すように、Ｅ１期間が終了してからの光エネルギーを段階的にＥ２にすることも可能である。
【００４２】
また、上記は隣り合う複数箇所の場合について説明したが、隣り合わない箇所については、照射当初の光エネルギーから行うようにする。
【００４３】
（実施の形態２）
図７において、２は光源、３は位置決め手段、４は制御部、５は照射回数設定手段である。光源２は、制御部４の光エネルギー制御信号に応じた光エネルギーを発生する。位置決め手段３は、被加工物を搭載して制御部４の位置制御信号を受け、被加工物の位置が光エネルギーの照射位置になるように被加工物の位置を制御する。制御部４は、照射回数設定手段５の設定信号を入力とするものである。
【００４４】
制御部４は、位置決め手段３に被加工物の位置制御信号を出力して、それを制御すると共に、被加工物の隣り合う複数箇所に対して光エネルギーをそれぞれパルス状に照射して、被加工物を加工する際に、照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくするように、光エネルギー制御信号を発生して、光源２を制御する。
【００４５】
制御部４の制御原理を、図８に示す本発明の制御方法に基づいて説明する。図８に加工時の光エネルギーを示している。図８に示すように、加工初期のＮ１回の照射では、光エネルギーＥ３で被加工物を加工する。
【００４６】
その後、加工終了までの照射では、光エネルギーＥ４で被加工物を加工する。これは、以下のように理解される。通常、被加工物を最初に加工する時に被加工物の温度は図２あるいは図２７に示すように、室温あるいは予熱温度になる。加工時の初期では、被加工部の照射位置近傍にだけ熱的エネルギーが蓄積される。
【００４７】
加工数の増加に従って、被加工物全体に蓄積された熱的エネルギーが伝わる。同一の光エネルギーで加工を継続すると、最後に加工する時の被加工部では温度上昇が過大になる恐れがある。
【００４８】
従って、照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーＥ３と比較して低いレベルのＥ４にすることによって、加工回数の増加に伴う熱的エネルギーの蓄積の影響を低く抑えることが可能である。
【００４９】
以上の構成によれば、被加工物の複数箇所に対して光エネルギーをそれぞれパルス状に照射する際に、照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくすることによって、加工回数の増加に伴う被加工物における熱的エネルギーの蓄積の影響を抑え、均一な加工品質を得ることができる。
【００５０】
なお図８において、Ｅ３期間の照射（Ｎ１回）が終了してからの光エネルギーをＥ４にしているが、図９に示すようにＥ３期間が終了してからの光エネルギーを徐々にＥ４にすることも可能である。また図１０に示すようにＥ３期間が終了してからの光エネルギーを段階的にＥ４にすることも可能である。
【００５１】
また、上記は隣り合う複数箇所の場合について説明したが、隣り合わない箇所については、照射当初の光エネルギーから行うようにする。
【００５２】
また、上記は隣り合う複数箇所の場合について説明したが、隣り合わない箇所については、照射当初の光エネルギーから行うようにする。
【００５３】
（実施の形態３）
図１１において特徴とするところは、被加工物の隣り合う複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれパルス状に照射する際に、照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくすると共に、パルス状の各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくするものである。
【００５４】
以上のような精密な加熱方法によれば、被加工物の最大温度上昇をその耐熱温度以下に抑え被加工物に熱的損傷を与えないようにすることができ、また被加工物における熱的エネルギーの蓄積の影響を抑え、均一な加工品質を得ることができる。
【００５５】
なお本実施の形態では、「照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくすると共に、パルス状の各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくする」としたが、図１２〜１５に示すように、「パルスの照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて徐々にまたは段階的に小さくする」であってもよい。
【００５６】
また、上記は隣り合う複数箇所の場合について説明したが、隣り合わない箇所については、照射当初の光エネルギーから行うようにする。
【００５７】
（実施の形態４）
図１６において特徴とするところは、被加工物の隣り合う複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれパルス状に照射する際に、照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて徐々に小さくすると共に、パルス状の各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくするものである。
【００５８】
以上のような精密な加熱方法によれば、被加工物の最大温度上昇をその耐熱温度以下に抑え被加工物に熱的損傷を与えないようにすることができ、また被加工物における熱的エネルギーの蓄積の影響を抑え、均一な加工品質を得ることができる。
【００５９】
なお本実施の形態では、「照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて徐々に小さくすると共に、パルス状の各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくする」としたが、図１７〜２０に示すように、「パルスの照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて徐々にまたは段階的に小さくする」であってもよい。
【００６０】
また、上記は隣り合う複数箇所の場合について説明したが、隣り合わない箇所については、照射当初の光エネルギーから行うようにする。
【００６１】
（実施の形態５）
図２１において特徴とするところは、被加工物の隣り合う複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれパルス状に照射する際に、照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて段階的に小さくすると共に、パルスの照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくするものである。
【００６２】
以上のような精密な加熱方法によれば、被加工物の最大温度上昇をその耐熱温度以下に抑え被加工物に熱的損傷を与えないようにすることができ、また被加工物における熱的エネルギーの蓄積の影響を抑え、均一な加工品質を得ることができる。
【００６３】
なお本実施の形態では、「照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて段階的に小さくすると共に、パルスの照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくする」としたが、図２２〜２５に示すように、「パルスの照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて徐々にまたは段階的に小さくする」であってもよい。
【００６４】
また、上記は隣り合う複数箇所の場合について説明したが、隣り合わない箇所については、照射当初の光エネルギーから行うようにする。
【００６５】
（実施の形態６）
実施の形態１〜５に示す加熱方法は、基板上導電体に半田と電子部品を位置させ、その半田部分に上記実施の形態に示す加熱方法によって加熱する半田付け方法であってもよい。その時の被加工物の複数箇所とは、図２６においてＡ箇所、Ｂ箇所に示すように基板に実装する部品の隣接する接合箇所を指す。
【００６６】
またその時の被加工物耐熱温度は、被加工物である基板上導電体あるいは電子部品の耐熱温度の最も小さいものである。加工品質保証最低温度は、通常半田の溶融温度より若干高い温度に当たる。なお、前記加熱方法からなる加熱装置は、基板上導電体に半田と電子部品を位置させ、その半田部分に前記実施の形態に示す加熱方法によって加熱する半田付け装置であってもよい。その時の位置決め手段はテーブルであってもよい。
【００６７】
以上の構成により、被加工物の最大温度上昇をその耐熱温度以下に抑え、被加工物に熱的損傷を与えないようにすることができる。
【００６８】
【発明の効果】
本発明によれば、被加工物の複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれ連続的に照射する際に、照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくすることによって、被加工物の最大温度上昇をその耐熱温度以下に抑え、被加工物に熱的損傷を与えないようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における加熱装置を示すブロック図
【図２】同実施の形態１の光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図３】同実施の形態１の光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図４】同実施の形態１の光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図５】同実施の形態１の光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図６】同実施の形態１の光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図７】本発明の実施の形態２における加熱装置を示すブロック図
【図８】同実施の形態２の光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図９】同実施の形態２の光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図１０】同実施の形態２の光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図１１】同実施の形態３の制御方法による光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図１２】同実施の形態３の光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図１３】同実施の形態３の光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図１４】同実施の形態３の光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図１５】同実施の形態３の光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図１６】同実施の形態４の制御方法による光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図１７】同実施の形態４の光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図１８】同実施の形態４の光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図１９】同実施の形態４の光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図２０】同実施の形態４の光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図２１】同実施の形態５の光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図２２】同実施の形態５の光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図２３】同実施の形態５の光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図２４】同実施の形態５の光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図２５】同実施の形態５の光エネルギー及び被加工物の温度関係の一例を示す図
【図２６】同実施の形態６の加工箇所の一例を示す図
【図２７】従来の制御方法による光エネルギー及び被加工物の温度を示すブロック図
【符号の説明】
１ 制御部
２ 光源
３ 位置決め手段
４ 制御部
５ 照射回数設定手段

Claims (44)

1. 被加工物の隣り合う複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれ連続的に照射する際に、照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくする加熱方法。
2. 照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくする請求項１記載の加熱方法。
3. 照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて徐々に小さくする請求項２記載の加熱方法。
4. 照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて段階的に小さくする請求項２記載の加熱方法。
5. 被加工物の隣り合う複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれパルス状に照射する際に、照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくする加熱方法。
6. 照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくする請求項５記載の加熱方法。
7. 照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて徐々に小さくする請求項６記載の加熱方法。
8. 照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて段階的に小さくする請求項６記載の加熱方法。
9. 被加工物の隣り合う複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれパルス状に照射する際に、照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくすると共に、パルス状の各照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくする加熱方法。
10. 照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくすると共に、パルス状の各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくする請求項９記載の加熱方法。
11. パルス状の各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて徐々に小さくする請求項１０記載の加熱方法。
12. パルス状の各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて段階的に小さくする請求項１０記載の加熱方法。
13. 被加工物の隣り合う複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれパルス状に照射する際に、照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて徐々に小さくすると共に、パルス状の各照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくする加熱方法。
14. 照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて徐々に小さくすると共に、パルス状の各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくする請求項１３記載の加熱方法。
15. パルス状の各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて徐々に小さくする請求項１４記載の加熱方法。
16. パルス状の各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて段階的に小さくする請求項１４記載の加熱方法。
17. 被加工物の隣り合う複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれパルス状に照射する際に、照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて段階的に小さくすると共に、パルス状の各照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくする加熱方法。
18. 照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて段階的に小さくすると共に、パルス状の各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくする請求項１７記載の加熱方法。
19. パルス状の各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて徐々に小さくする請求項１８記載の加熱方法。
20. パルス状の各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて段階的に小さくする請求項１８記載の加熱方法。
21. 隣り合わない箇所は、照射当初の光エネルギーから行う請求項１から２０のいずれかに記載の加熱方法。
22. 被加工物の導電体に半田と電子部品を位置させ、その半田部分を請求項１〜２１のいずれか１項に記載した加熱方法によって加熱する半田付け方法。
23. 光エネルギーを照射する光源と、前記光源からの光エネルギーを被加工物の複数箇所へ導く位置決め手段と、前記位置決め手段と前記光源を制御する制御部を備え、前記制御部は被加工物の隣り合う複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれ連続的に照射する際に照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくするように構成した加熱装置。
24. 照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくするように構成した請求項２３記載の加熱装置。
25. 照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて徐々に小さくするように構成した請求項２４記載の加熱装置。
26. 照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて段階的に小さくするように構成した請求項２４記載の加熱装置。
27. 光エネルギーを照射する光源と、前記光源からの光エネルギーを被加工物の複数箇所へ導く位置決め手段と、前記位置決め手段と前記光源を制御する制御部を備え、前記制御部は被加工物の隣り合う複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれパルス状に照射する際に照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくするように構成した加熱装置。
28. 照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくするように構成した請求項２７記載の加熱装置。
29. 照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて徐々に小さくするように構成した請求項２８記載の加熱装置。
30. 照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて段階的に小さくするように構成した請求項２８記載の加熱装置。
31. 光エネルギーを照射する光源と、前記光源からの光エネルギーを被加工物の複数箇所へ導く位置決め手段と、前記位置決め手段と前記光源を制御する制御部を備え、前記制御部は被加工物の隣り合う複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれパルス状に照射する際に、照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくすると共に、パルス状の各照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくするように構成した加熱装置。
32. 照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくすると共に、パルス状の各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくするように構成した請求項３１記載の加熱装置。
33. 制御部はパルス状の各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより徐々に小さくする請求項３２記載の加熱装置。
34. 制御部はパルス状の各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより段階的に小さくする請求項３２記載の加熱装置。
35. 光エネルギーを照射する光源と、前記光源からの光エネルギーを被加工物の複数箇所へ導く位置決め手段と、前記位置決め手段と前記光源を制御する制御部を備え、前記制御部は被加工物の隣り合う複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれパルス状に照射する際に、照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて徐々に小さくすると共に、パルス状の各照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくするように構成した加熱装置。
36. 照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて徐々に小さくすると共に、パルス状の各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくするように構成した請求項３５記載の加熱装置。
37. 制御部はパルス状の各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて徐々に小さくする請求項３６記載の加熱装置。
38. 制御部はパルス状の各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて段階的に小さくする請求項３６記載の加熱装置。
39. 光エネルギーを照射する光源と、前記光源からの光エネルギーを被加工物の複数箇所へ導く位置決め手段と、前記位置決め手段と前記光源を制御する制御部を備え、前記制御部は被加工物の隣り合う複数箇所に対応して光エネルギーをそれぞれパルス状に照射する際に、照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて段階的に小さくすると共に、パルス状の各照射終了前の光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくするように構成した加熱装置。
40. 照射終了前の所定回数から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて段階的に小さくすると共に、パルス状の各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーより小さくするように構成した請求項３９記載の加熱装置。
41. 制御部はパルス状の各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて徐々に小さくする請求項４０記載の加熱装置。
42. 制御部はパルス状の各照射終了前の所定時間から光エネルギーを照射初期の光エネルギーに比べて段階的に小さくする請求項４０記載の加熱装置。
43. 隣り合わない箇所は、照射当初の光エネルギーから行う請求項２３から４２のいずれかに記載の加熱装置。
44. 請求項２３から４３のいずれかに記載した加熱装置を備え、導電体に半田と電子部品を位置させた被加工物を載置するテーブルを設けた半田付け装置。

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