KR20060043195A - 촉매 배향 및 합성가스의 제조방법 - Google Patents

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웨이빈 지앙
아데올라 에프 오조
수드하카르 알 제일
사티쉬 에스 탬핸카르
브루스 왈터 울만
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더 비오씨 그룹 인코포레이티드
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Abstract

수소 및 일산화탄소를 제조하는 개선된 탄화수소의 접촉 부분산화방법이 개시되어 있다. 상기 방법은 또한 지지체 위에 지지된 귀금속 또는 전이금속 촉매를 함유하는 연속적으로 배열된 둘 이상의 층을 함유하는 신규한 촉매 배향을 이용한다. 또한, 상기 방법은 탄화수소를 부분적으로 산화시키는 불활성 담체 지지체 위에 분산된 촉매적으로 활성인 금속의 제 1 층만을 사용한다.

Description

촉매 배향 및 합성가스의 제조방법{CATALYST CONFIGURATION AND METHODS FOR SYNGAS PRODUCTION}
도 1은 다층 촉매 배향법의 모식도를 나타낸 것이다.
탄화수소를 수소 및 일산화탄소 함유 가스로 전환시키는 방법은 당업계에 널리 알려져 있다. 예로서 스팀접촉개질공정, 자동 열접촉개질공정, 접촉부분산화공정 및 비접촉부분산화공정과 같은 방법을 들 수 있다. 합성가스로도 알려진 수소와 일산화탄소의 혼합가스를 다양한 비율로 생성하는 데에 있어서 이들 각 공정은 장단점이 있다. 본 발명에서는 접촉 부분산화공정을 이용한다.
부분산화공정 역시 당업계에 잘 알려져 있으며, 이러한 기술로는 각종 접촉 부분산화공정을 들 수 있다. 부분산화공정에서는, 메탄과 같은 탄화수소 가스 및 공기와 같은 산소 함유 가스를 승온에서 촉매와 접촉시켜서 고농도의 수소 및 일산화탄소를 함유하는 반응생성물을 생성하는 발열반응이다. 상기 공정에 사용된 촉 매는 적당한 지지체 위에 백금 또는 로듐과 같은 귀금속, 또는 니켈과 같은 다른 전이금속, 또는 이들 전부를 담지시킨 것이다.
부분산화공정은 천연가스와 같은 탄화수소 함유 가스를 수소, 일산화탄소, 미량의 이산화탄소 및 물로 전환시킨다. 상기 공정은 예열된 탄화수소 및 산소 함유 가스를 연소실에 주입함으로써 전형적으로 실행되며, 이때 연소실에서는 완전연소를 위한 양론량 미만의 산소와의 탄화수소의 산화가 일어난다. 이 반응은 700℃ 초과, 흔하게는 1,000℃ 초과와 같은 매우 고온, 및 150atm 이하의 압력에서에서 수행된다. 일부 반응에 있어서는 스팀 또는 이산화탄소를 연소실에 주입하여 합성가스 생성물을 개질시키고 수소 대 이산화탄소의 비율을 조정한다.
최근에는, 세라믹 단일체식 (거품 또는 벌집체) 지지체에 침착된 금속과 같은 촉매의 존재하에 탄화수소 가스를 산소 함유 가스와 높은 공간속도로 접촉시키는 부분산화공정이 개시되어 있다. 상기 단일체식 지지체는 백금, 팔라듐 또는 로듐과 같은 귀금속, 또는 니켈, 코발트, 크롬 등과 같은 다른 전이금속에 함침시킨다. 전형적으로, 이들 단일체식 지지체는 산화알루미늄, 산화지르코늄, 산화마그네슘 등과 같은 고형의 내화물 또는 세라믹 물질로부터 제조된다. 이러한 반응의 조작도중 탄화수소 공급물 가스 및 산소 함유 가스는 초기에 400℃ 초과, 전형적으로는 600℃ 초과의 온도에서 100,000/hr 초과의 표준가스 시간당 공간속도(GHSV)로 접촉시킨다.
상용화 측면에서 매력적인 조건하의 탄화수소의 접촉부분산화공정에서 사용하기 위한 가장 적당한 고정된 배열의 촉매는 촉매가 그물형 단일체식 구조의 형태 로 유지되는 것임이 밝혀졌다. 이러한 공정에 사용하기 위한 촉매는 내화성 산화물 담체 위에 하나 이상의 촉매적으로 활성인 성분을 포함하며, 상기 담체가 그물형 단일체인 것이다.
그러나, 부분산화공정은 그물형 단일체 촉매를 사용하여 그 공정을 수행하는 경우 문제가 발생할 수 있는 것으로 밝혀졌다. 구체적으로, 내화성 단일체 촉매 구조는 접촉부분산화공정에서 우세적으로 나타나는 열 충격 및 고온에 대해 상당히 민감하여, 그 구조의 취화 및 궁극적으로는 촉매 붕괴를 초래할 수 있으며, 특히 공기보다는 산소를 사용하는 경우 그러한 문제점이 심하게 나타난다. 따라서, 본 발명의 목적은 고온에서 촉매의 높은 선택도 및 높은 수준의 구조적 안정성 유지하는 동시에 고온에서의 촉매 구조 안정성과 높은 수준의 탄소 전환율이 조합된 접촉부분산화방법을 제공하고자 하는 것이다.
발명의 요약
본 발명에 따라, 촉매가 열 충격 및 고온에 대해 약한 조건하에서 탄화수소 공급원료 및 산소 함유 가스를 포함하는 공급물을 촉매와 접촉시키는 것을 포함하는 탄화수소 공급원료의 접촉부분산화방법이 제공되며, 상기 촉매는 여전히 구조적 일체성 및 성능을 유지한다. 특히, 본 발명은 반응기 내에 신규한 다층 구조의 촉매 배향에 관한 것으로, 이에 따라 부분산화에서 특히 흔한 극도의 조건하에서도 촉매의 열적 기계적 안정성이 탁월하다.
본 발명에 사용된 다층 촉매 배향은 각각의 층이 단일체 구조에 지지된 귀금속 또는 전이금속 촉매를 함유하는 연속적으로 배열된 둘 이상의 층을 포함한다. 일반적으로 촉매 배향의 전방 층은 전방 층에서의 발열반응 기여후 흡열적 개절방응이 있기 때문에 언제나 후속 층보다 높은 온도로 유지된다.
공급물 가스에 이용되는 탄화수소는 일반적으로는 탄소수 1 내지 약 4의 알칸이다. 바람직하게는, 탄화수소는 천연가스 및 메탄으로 구성되는 그룹으로부터 선택된다.
메탄 및 다른 탄화수소의 부분산화는 발열반응이며 이상적인 조건하에서 하기 반응식 1의 양론비로 실행되어 1100℃ 미만의 평형 온도에서 H2와 CO의 비율이 2:1인 합성가스 혼합물을 배출한다.
CH4 + 1/2 O2 →CO + 2H2
또한, 접촉 부분산화층에서는 층 길이의 처음 수 mm에서 부분산화반응이 일어나는 것으로 제안되었다 (힉만 및 슈미트, 백금 단일체 상에서의 메탄의 직접 산화에 의한 합성가스 제조, 138 J. Catalysis 267, 275 (1992) 참조). 따라서, 반응을 촉매화시키는데는 촉매층 내의 극히 일부분만이 필요하다는 것을 추론할 수 있다.
하지만, 본 발명의 발명자들은 접촉 부분산화반응에서 처음 수 mm에서는 실제 온도가 생각했던 것보다 훨씬 높다는 것을 발견하였다. 실시예 1에 나타나 있듯이, 근청석(cordierite, 菫靑石) 물질은 융점은 1450℃로 예상 반응온도인 1100℃에 비해 훨씬 높음에 불구하고 순전히 산소만 이용하는 접촉 부분산화반응의 담체로 사용될 때 용융됨을 발견하였다.
촉매층의 처음 수 mm에서 산소 전환이 거의 완전히 이루어지고 촉매층의 길이가 늘어날수록 반응성이 향상된다는 것도 밝혀졌다. 실시예 2에 나타나 있듯이, 그물형 단일체 촉매를 대기공(large-pore) 벌집형 촉매층 밑에 퇴적시키면 탄화수소의 전환율 및 합성가스의 선택도가 높아진다.
상기 관측사실에 의거, 직접적인 부분산화는 연소, 부분산화, 스팀 및 CO2 개질, 및 물-가스 이동반응의 복합적인 효과로 해석된다. 반응구역의 첫 부분, 즉 원료가스가 촉매층과 처음으로 접촉하는 곳, 아마도 촉매층의 처음 수 mm에서 하기 반응식 2의 연소반응과 같은 산화반응과 상기 반응식 1에 나타난 바와 같은 부분산화반응이 서로 경쟁하여 거의 완전한 산소 전환을 유발시킨다.
CH4 + 2 O2 →CO2 + 2H2O
발열반응에 의해 방출된 열은 연소반응에서 생성된 스팀 또는 CO2를 갖는 미반응 탄화수소 종을 하기 반응식 5의 일부 물-가스 이동반응 또는 역 물-가스 이동 반응과 함께 반응식 3 및 4의 흡열적 스팀 및 CO2 개질반응을 통해 합성가스로 추가적으로 전환시킬 수 있다.
CH4 + H2O → CO + 3H2
CH4 + CO2 →2CO2 + 2H2
H2O + CO →CO2 + H2
이것은 전방층에서 극히 높은 온도를 유발시키는 1450℃를 상회하는 반응구역의 전방에서의 과량의 열량을 설명한다. 개질반응의 흡열성은 후속적인 촉매층을 1100℃ 미만으로 급격히 냉각시킨다. 이에 따라, 촉매층의 온도는 전방 층에서는 극히 높아진 후 저온의 다운스트림으로 된다.
부분산화공정에 있어서 그물형 단일체식 촉매를 사용할 때 1450℃를 상회하는 고온에서 심각한 문제가 발생할 수 있으며, 본 발명의 발명자들은 부분 안정화된 산화지르코늄(PSZ) 또는 Al2O3로 제조된 것과 같은 그물형 단일체식 지지체가 고온 및 열 충격에 매우 약하며, 궁극적으로는 촉매 불안정성 및 취화를 야기한다는 것을 발견하였다. 그물형 단일체 구조의 취화에 기여하는 잠재적인 몇가지 이유가 있을 수 있다. 가령 속이 빈 거미줄 형태의 구조는 본질적으로 고온 및 PSZ 물질 의 상전이 등에 약하다. 하지만, 반응 온도가 1100℃ 미만으로 조절된다면, 부분 안정화된 산화지르코늄 (PSZ) 또는 Al2O3로 제조된 것과 같은 그물형 단일체식 지지체는 그 기계적 강도를 유지할 수 있으며, 우수한 반응성을 나타낸다.
이 문제를 해결하기 위해 노력하던 와중에, 본 발명의 발명자들은 동일한 열 특성의 Al2O3와 같은 물질을 그물형 구조로 구성함에 있어서 두꺼운 벽을 가진 벌집형 지지체로 구성하면 구조적 강도가 강해진다는 사실도 발견하였다. 비록 반응성은 떨어지지만, 반응 후의 기계적 강도는 양호하게 유지된다. 벌집형 촉매를 통과한 후의 가스의 온도는 1100℃ 미만으로 강하된다.
따라서, 이 문제를 해결하기에 가장 좋은 방법은 구조적으로 더욱 강하고 열적으로 안정한 물질, 예를 들어 두꺼운 벽을 갖는 벌집형 촉매를 전방에 배향시켜서 고온을 차단시키는 것이다. 흡열반응에 의해 촉매 온도가 1100℃ 미만으로 강하되는 경우 이어서 촉매 물질을 갖는 그물형 단일체식 지지체를 배치하여 높은 선택도와 높은 수준의 촉매 안정성과 함께 높은 수준의 합성가스로의 탄화수소의 전환율을 보장한다.
고온 조작을 위한 총괄적인 촉매 안정성을 향상시키기 위한 상이한 열적, 기계적 및 물리적 특성을 보유하는 기재를 사용한 다층 배향의 촉매층을 개시한다. 층의 전방 말단에서의 제 1 촉매층은 후속적인 층보다 높은 온도에서의 개선된 열충격 내성 및 안정성을 보유하게 된다. 상응하는 탄소 전환율 및 합성가스 선택도는 높지 않을 수도 있다.
공급물 측에 있어서 제 1 층에 사용하기에 바람직한 촉매 기재로는 입자로서, 예를 들어 구형, 펠렛형, 고리형, 차륜형, 쎄인트-고바인 노프로스 타이팩(Saint-Gabain Norpro's Ty-Pak(등록상표)), 헥스팩(HexPak(등록상표)), 스노우플레이크(Snowflake(등록상표)) 매체, 노튼(Norton(등록상표)) 안장형, 거즈 와이어(gauze wire), 벌집형 단일체 또는 본원에 기술된 것중 적합한 형태로 된 어떠한 지지체라도 문제가 없으며, 기계적 강도를 향상시키는 그물형 단일체 역시 사용할 수 있다. 본원에서 사용된 "기계적 강도"란 표현은 "분쇄 강도"라 표현될 수도 있으며 이는 분쇄하중이 가해졌을 때 물질이 견딜 수 있는 최대 응력을 의미한다. 분쇄하중이란 촉매 기재를 부수거나 납작하게 하는 중량 및/또는 압력을 말한다. 본원의 촉매 기재는 탄화수소의 부분산화공정에 있어서의 통상 조작 조건을 견딜 수 있는 분쇄 강도를 가진다. 따라서, 본 발명의 촉매 기재는 탄화수소의 부분산화공정을 통상적으로 수행하는 데에 있어서 그 분쇄 강도를 잃지 않을 것이다. 생성물이 배출되는 측부에 배향된 촉매층들은 부분산화에 도움을 주기도 하나, 주로 개질반응 및 물-가스 이동반응을 촉진시켜 탄소전환율 및 합성가스 선택도를 높여준다. 그물형 구조의 단일체는 이들 후속적인 층, 특히 최후 층으로서 아주 적합한 구조이다.
두 개 이상의 층이 사용될 시에는 첫 번째 층이 열 충격 및 1100℃를 넘는 고온에 더 안정하고 후속 층들에서는 탄소의 합성가스 전환율이 더 높기만 하면 어떤 순서로 배향되든지 상관없다. 단일체의 기공구조 및 입자들의 크기는 층간 압력차가 너무 크지 않도록 하는 선에서 결정된다. 미국특허출원 2003/0083198 A1에 서는 좀더 낳은 흐름의 분배를 위해 일렬로 쌓아 배향한 제 1 구역과 제 2 구역을 포함하는 고정층 촉매 시스템을 개시하며, 여기서 제 1 구역(업스트림)은 제 2 구역(다운스트림)에 비해 유동저항이 더 큰 것으로 나타난다. 하지만, 본 발명에서는 제 1 층(업스트림)이 제 2 층에 비해 유동저항이 낮아도 문제될 것이 없으며, 실제 제 1 층에 그물형 단일체 대신에 대기공을 지닌 벌집형 촉매를 이용할 수도 있다. 촉매 불활성인 기재를 각 촉매층들 사이에 넣어 가스의 분포를 개선할 수도 있다.
고온으로 인한 활성 금속의 소결이나 기계적 강도의 약화로부터 그물형 단일체 촉매를 보호하기 위해 제 1층을 연소 촉매로 사용하여 고온을 차단할 수 있다. 이러한 다층 촉매 발명의 개념은 도 1에 잘 나타나 있으며 여기서 NG는 천연가스를 지칭한다.
제 1 촉매층
제 1 촉매층은 바람직하게는 약 1000 내지 약 1800℃의 온도범위에 걸쳐 현저한 불활성화 없이 산화 및 환원 환경에서 효과적으로 작동될 수 있어야 한다. 제 1 촉매층은 바람직하게는 불활성 담체에 분산된 촉매적으로 활성인 금속을 포함한다. 본 발명의 촉매에 사용되는 금속은 니켈, 코발트, 철, 백금, 팔라듐, 이리듐, 레늄, 루테늄, 로듐, 오스뮴 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 귀금속과 전이금속으로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다. 바람직하게는 촉매적으로 활성인 금속은 니켈 및/또는 로듐이다.
상기 그룹 중 가장 바람직한 금속은 로듐이다. 금속은 환원되기 전에 금속, 금속 산화물, 금속 할로겐화물 또는 다름 금속 염의 형태로 지지체 위에 존재할 수 있다. 일단 환원이 되면, 금속들은 후술하는 바와 같이 실질적으로 금속 형태로 된다. 일반적으로 금속은 약 0.1 내지 8 중량%가 지지체 상에 침착된다. 선택적으로는, Rh/Pt 거즈 촉매를 발열반응 촉매로서 사용될 수 있다.
미국특허출원 2003/0198592 A1에는 탄화수소 및 산소를 공급하여 합성가스를 생성하기 위한 복수의 직렬로 배열된 반응구역과 복수의 탄화수소 공급물이 개시되어 있다. 제 1 반응구역에서는 탄화수소 원료의 순수 부분산화반응이 촉진되고, 후속적인 구역에서는 물-가스 이동반응, 순수 부분산화반응, 스팀 또는 건조 개질반응이 촉진된다. 가장 선택성이 높은, 예를 들어 Rh와 같은 촉매 중 일부는 열을 견딜 수 없어 소결 및 탄소 형성에 대한 내성의 한계와 같은 문제로 인해 그 활성이 상실된다. 반면 본 발명은 혼합 금속 산화물이나, 첨정석 또는 페로브스카이트와 같은 안정한 결정구조물(crystalline structure); 더 바람직하게는 CoCrOxide; 가장 바람직하게는 산화 알루미늄 또는 산화지르코늄, 바람직하게는 부분 안정화 산화지르코늄(PSZ)과 같은 내화성 지지체 상에 지지된 Co0.2Cr0.8Oxide 9.9중량%/Rh 1중량%/Yb 6.1중량%의 비율을 가지는 촉매들과 함께 열적으로 안정한 촉매를 반응기의 전방 말단에 배향하는 바 우수하다.
본 발명에 따른 공정에서는, 제 1 촉매층과 접촉하는 즉시 반응이 거의 완료된다. 후속적인 층들의 주된 기능은 흡열 개질반응을 효과적으로 수행하려는 데에 있다. "순수 부분산화반응" 촉매 구역은 연소 촉매층 및 흡열 촉매층의 두개 층으 로 생각된다. PSZ 그물형 구조 물질이 고온에서의 그 고유한 상변화 때문에 선호되지 않으며, Al2O3에 코팅한 Rh의 경우 제 1층에서 7개월 이상을 연속으로 사용하였음에도 불구하고 안정성이 유지되었다는 사실은 주목할 만하다.
바람직한 형태의 불활성 담체는 고온에서 충분한 기계적 강도를 보유하면서 그 형상을 유지할 수 있는 내화성을 가지고, 실질적으로 불활성이며, 강성인 물질이다. 일반적으로, 열팽창계수가 낮고, 열충격에 대한 내성이 강하며 융점이 높은 물질이 지지체로 선택된다. 예를 들어, 순전히 산소만 이용하는 부분산화반응에 있어서 근청석(cordierite, 菫靑石) 물질은 융점이 약 1450℃로 너무 낮아 전방 층의 담체로 사용되기에 적합하지 않다.
이러한 담체를 구성하기 위한 여러가지 일반적인 유형의 물질이 알려져 있다. 벌집형 일체식 지지체는 다양한 크기와 모양으로 상용화되어 있다. 또한, 펠렛 또는 과립형 촉매도 다양한 크기와 형태로 상용화되어 있다. 일반적으로 산화 알루미늄, 멀라이트, 산화지르코늄, 부분 안정화 산화지르코늄, 산화세륨, 실리카, 실리콘 카바이드, 실리콘 나이트라이드, Sialon(등록상표; 알루미늄 산화물이 약간 첨가된 실리콘 나이트라이드 세라믹), 알루미늄 나이트라이드, 보론 나이트라이드, 알루미노실리케이트, 마그네슘 알루미노실리케이트 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 내화성 또는 세라믹 물질을 이용하여 위 두 가지 형태의 지지체를 제작한다. 담체는 몰딩, 프레싱, 사출, 분무 건조 또는 다이 스탬핑 등 어떠한 공정을 통해 만들어지든 상관이 없다. 불활성 지지체는 또한 고온에서 소결된 금속의 입자 또는 금속 폼(metal foam)으로 제작된 금속 단일체를 포함한다. 가장 바람직한 불활성 지지체는 안정화 산화 알루미늄, 실리콘 카바이드 또는 부분 안정화 산화지르코늄이 벌집형, 구형, 펠렛형, 고리형, 차륜형, 쎄인트-고바인 노프로스 타이팩(Saint-Gabain Norpro's Ty-Pak(등록상표)), 헥스팩(HexPak(등록상표)), 스노우플레이크(Snowflake(등록상표)) 매체, 노튼(Norton(등록상표)) 안장형태 또는 과립형으로 된 것이다. 바람직하게는, 지지체의 표면적은 비교적 좁은 약 0.1 내지 약 50.0 m2/g이다.
후속적인 촉매층
제 1 촉매층의 하부에 위치한 후속적인 촉매층에서는 약 1100℃ 미만의 온도범위에 걸쳐 현저한 불활성화 없이 산화 및 환원환경에서 효과적으로 작동될 수 있어야 한다. 흡열반응 촉매로는 상기 용도로 알려진 임의의 접촉 금속 촉매를 포함한다. 본 발명에서 사용되는 금속 촉매는 산화세륨으로 세척코팅되고 귀금속, 전이금속 또는 이들의 조합에 함침시킨 부분 안정화 산화지르코늄으로 주로 구성되는 일체식 지지체 구조이다. 본원에서 사용되는 용어 "금속 촉매"란 금속, 무기금속 산화물 세척코팅 물질 및 일체식 지지체/기재를 포함하는 전체 촉매 구조를 총괄하여 지칭한다. 본 발명 촉매에서 사용되는 촉매적으로 활성인 금속은 니켈, 코발트, 철, 백금, 팔라듐, 이리듐, 레늄, 루테늄, 로듐, 오스뮴 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 귀금속과 전이금속으로 구성된 그룹으로부터 선택된다. 바람직하게는 활성 금속은 로듐 및/또는 니켈이다.
단일체식 지지체는 일반적으로 세라믹 폼과 유사한 구조 또는 기공 구조를 가지며 그 통로 간 간격이 균일하거나 불균일한 단일 구조 유닛으로부터 만들어진다. 바람직하게는 통로 간 간격이 불균일한 세라믹 폼 구조가 단일체식 지지체로 사용된다. 일반적으로 산화 알루미늄, 멀라이트, 산화지르코늄, 부분 안정화 산화지르코늄, 산화세륨, 실리카, 실리콘 카바이드, 실리콘 나이트라이드, Sialon(등록상표; 알루미늄 산화물이 약간 첨가된 실리콘 나이트라이드 세라믹), 알루미늄 나이트라이드, 보론 나이트라이드, 알루미노실리케이트, 마그네슘 알루미노실리케이트 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 내화성 또는 세라믹 물질을 이용하여 지지체 구조물을 제작한다. 금속 폼 형태로 제작된 금속 단일체 역시 이용 가능하다. 가장 바람직하게는 부분 안정화 산화지르코늄 도는 실리콘 카바이드이다.
촉매적으로 활성인 금속의 표면적을 넓게 하여 총괄적인 촉매 효능 및 성능을 개선하는 것이 바람직하다. 표면적이 넓은 γ-산화알루미늄이나 산화세륨 같은 무기금속 산화물을 함침, 세척코팅, 흡착, 이온-교환, 침전, 공침, 침착침전, 졸-겔 방법, 슬러리 딥-코팅, 마이크로웨이브 가열 등과 같은 방법으로 침착하여 담체의 표면적을 늘릴 수 있다. 무기금속 산화물로 기재를 코팅하는 방법은 기재를 금속 산화물 전구체와 접촉시키는 공정, 상기 전구체로 코팅된 상기 기재에서 코팅이 안정하게 조절되도록 환경을 바람직하게 유지시키는 공정, 그리고 상기 전구체를 산화하여 금속 산화물을 함유하는 기재를 형성하는 공정을 포함한다. 분해 가능한 유기 물질을 세척코팅 물질에 첨가하고 산화 환경에서 고온으로 이를 분해하여 거 대기공(macropores)을 갖도록 하는 것이 바람직하다.
세척코팅에 사용될 수 있는 표면적이 큰 안정한 무기금속 산화물은 원소주기율표 상의 IA족 원소, IIA족 원소, IIIA족 원소, IVA족 원소 및 전이금속 원소, 바람직하게는 IA족 원소, IIA족 원소, IIIA족 원소, IIIB족 원소, IVA족 원소, IVB족 원소 및 란탄족 원소, 더욱 바람직하게는 세륨, 알루미늄, 란탄, 지르코늄 및 바륨, 그리고 이들의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 원소의 양이온을 포함하는 산화물에서 선택되지만 이에 한정되지는 않는다. 하나 이상의 무기 산화물의 경우 폼(foam)에 이들을 동시에 함께 또는 차례로 함침할 수 있다.
함침 매체로는 바람직하게는 무기 산화물 입자들의 수용액 또는 유기 용매, 슬러리, 졸, 겔, 서스펜션 또는 분산이며, 바람직하게는 무기 산화물 입자 콜로이드의 졸이다. 이들 세척코팅물의 전구체로는 열 분해에 의해 산화물로 분해될 수 있는 한 어떠한 형태라도 무방하다. 안정화제로서 알칼리 산화물 또는 희토류 산화물이 세척코팅 물질에 첨가 가능하여 반응 또는 전처리 중에 세척코팅 물질의 소결을 막아준다.
약 5 내지 약 30% 무기금속 산화물, 가장 바람직하게는 산화세륨으로 세척코팅한 부분 안정화 산화지르코늄 폼 단일체가 담체로 가장 바람직하다. 부가적으로, 세라믹 벌집체 또는 귀금속으로 코팅한 금속 단일체 역시 흡열반응 촉매로 사용가능하다.
본 발명의 한 측면에서는 탄화수소 함유 공급물 및 산소 함유 공급물을 1 내지 20atm에서 약 5,000 내지 약 500,000/hr의 가스 평균 공간속도 그리고 약 0.2 내지 약 50.0 m/s의 선 속도로 촉매 활성화된 다층 구조에 접촉시키는 공정을 포함하는 탄화수소 부분산화공정을 제공하며 이에 따라 수소 및 일산화탄소를 생산할 수 있다. 스팀 및/또는 CO2도 공급물 혼합물에 포함될 수 있다. 반응가스 혼합물을 약 10 내지 약 450℃의 온도로 예열하는 것도 가능하다.
본 발명의 대체적인 양태에서는, 불활성 담체에 촉매적으로 활성인 금속을 분산시킨 제 1 촉매층만을 사용하여도 탄화수소의 부분산화반응을 효과적으로 수행할 수 있다는 것을 본 발명의 발명자들은 발견해 내었다.
실시예 1
평방 인치당 400개의 셀(400cells/in2)을 갖는 직경 1in 및 두께 4in의 근청석(cordierite, 菫靑石) 벌집형 단일체를 2중량%의 로듐에 함침시켰다. 메탄 64부피% 및 산소 36부피%를 함유하는 공급물 혼합물을 150,000/hr의 공간속도로 상기 촉매를 함유하는 반응기에 통과시켰다. 개시시점으로부터 10분 이내에 CH4 슬립은 1% 내지 5%로 증가하였고, 산소 슬립은 관측되지 않았다. 생성물 온도는 900 내지 1200℃로 상승하였다. 반응후 촉매 검사에서 근청석의 전방 층은 용융을 나타내었다. 이것은 발열반응으로 인하여 전방이 보다 높은 온도로 된다는 본 발명자들의 이해와 일치한다.
실시예 2
반응기작을 추가적으로 이해하기 위해서 직경 1in 및 두께 1in의 대기공 크기의 1/4in의 α-Al2O3 벌집체를 'HC-1'로 표지된 3중량%의 로듐 금속(Rh/Al2O3)에 함침시켰다. 메탄 64부피% 및 산소 36부피%를 함유하는 공급물 혼합물을 반응기에 통과시켰다. 공급물 혼합물의 총량은 실시예 1에서와 같이 유지시켰다. 5시간의 연속적인 조작에 대해 반응 성능의 불활성화는 없었다. 그물형 단일체만에 대해 전형적으로 관측된 900℃에 비해 높은 생성물 온도, 약 1200℃가 70%의 탄소 전환율 및 단지 75%의 합성가스 선택도에 대해 관측되었다. 산소 슬립은 검출되지 않았다. 사용된 샘플은 900 lb 초과의 분쇄강도로 여전히 매우 강하다.
다층 배향의 효과를 비교하기 위해서, 베서비우스 하이-테크 세라믹스(Vesuvius Hi-Tech Ceramics)로부터 입수한 1in당 45개의 기공을 갖는 직경 1in 및 두께 0.4in의 부분 안정화된 산화지르코늄 단일체를 20% 산화세륨으로 제 1 세척코팅한 다음, 2중량%의 로듐 금속에 함침시켜서 금속 촉매를 제조하였다. 이것을 'ST-1'로 표지하였다. 이어서 하나의 ST-1 그물형 단일체를 대기공 벌집형 촉매 HC-1 아래에 퇴적(stacking)시켰다. 즉, 제 1 층은 공급물 혼합물과 직접 접촉하는 HC-1이었고 제 2 층은 그물형 ST-1 촉매이었다.
사전에 메탄 64부피% 및 산소 36부피%를 함유하는 공급물 혼합물을 반응기에 통과시켰다. 공급물 혼합물의 총량은 실시예 1에서와 같이 유지시켰다. 5시간의 연속적인 조작후 반응성능의 불활성화는 없었다. 전형적으로는 그물형 단일체만에 대해 관측한 것과 유사한 낮은 생성물 온도 약 900℃가 관측되었다. 선택도는 약 94%의 훨씬 높은 합성가스를 갖는 95%로 증가하였다. 산소 슬립은 검출되지 않았다. 사용된 샘플들은 둘 다 하기 표에 나타낸 바대로 신선하게 제조된 샘플과 유사한 것으로 나타난다.
Figure 112005010339139-PAT00001
위에서 나타낸 바와 같이, 제 1 층으로서 하나만을 갖는 보다 열적으로 및 구조적으로 안정한 촉매물질(HC-1)은 비교적 불량한 반응성능을 제공한다. 그것이 그물형 촉매(ST-1)와 결합되는 경우 탄소 전환율 및 합성가스를 효과적으로 개선시킬 수 있다. 촉매의 전방온도는 공급물 유동방향에서 후속층보다 높았다. 제 1 층에서의 거의 완전한 O2의 전환은 흡열 개질반응후 발열반응에 기인하여 전방에서의 높은 온도에 대한 본 발명자들의 이해를 강력하게 지지한다.
비교 실시예 2A
반응이 H2 주입으로 개시된 후에만 메탄 64부피% 및 산소 36부피%를 함유하는 공급물 혼합물을 ST-1 그물형 촉매를 함유하는 반응기에 통과시켰다. 공급물 혼합물의 총량은 실시예 2에서와 같이 150,000/hr의 공간속도에 상응하게 유지시켰다. 약 900℃의 생성물 온도 및 탄소전환율 92% 및 합성가스 선택도 93%을 갖는 안정한 성능으로 5시간의 연속적으로 조작한 후 반응성능의 상당한 불활성화는 없었다.
Figure 112005010339139-PAT00002
실시예 3
저표면적(0.25m2/g)의 1/4in α-Al2O3 펠렛을 4중량%의 로듐 금속에 함침시켰다. 다층 배향에 대한 장기간 효과를 비교하기 위해 천연가스 및 산소를 1.73의 탄소 대 산소비로 함유하는 공급물 혼합물을, 두께 0.4in Al2O3 펠렛의 제 1 촉매층 및 이어서 실시예 2에서와 같은 길이 1in의 ST-1 단일체의 제 2 촉매층의 배향을 갖는 반응기에 통과시켰다. 그물형 촉매 단일체만을 기준으로 했을 때 공간속도(S.V)는
150,000/hr이었다. 6개월동안의 연속적인 조작에서 촉매 배향이 유지되었다. 촉매 성능이나 기계적 강도에 대한 상당한 감소는 없었다. 반응기 출구온도는 800℃ 미만으로 유지되었다.
Figure 112005010339139-PAT00003
실시예 4
다층 배향에 대한 정률 증가(scale-up) 효과를 연구하기 위해 베서비우스 하이-테크 세라믹스로부터 입수한 1in당 45개의 기공을 갖는 직경 10in 및 두께 1in의 부분적으로 안정화된 산화지르코늄 그물형 단일체 하나를 20% 산화세륨으로 세척코팅시키고, 이어서 2중량%의 로듐 금속에 함침시켜서 "ST-10"으로 피지된 금속 촉매를 제조하였다.
1/4in의 기공 크기를 갖는 직경 10in 및 두께 1in의 4개의 α-Al2O3 벌집체를 3중량%의 로듐에 함침시켰다. NG 및 산소를 1.85의 탄소 대 산소비로 함유하는 공급물 혼합물을, "HC-10"이라 불리우는 두께 1in의 3개의 Rh/Al2O3 벌집체의 제 1 층 및 이어서 10in의 ST-10 단일체의 제 2 층의 촉매 배향을 갖는 반응기에 통과시켰다. 그물형 촉매 단일체만을 기준으로 했을 때 공간속도(S.V)는 120,000/hr이었다. 반응기 출구온도는 850℃ 미만으로 유지되었다. 95% 초과의 탄소 전환율, 대략 95%의 CO 및 H2 선택도로 5시간동안 연속적으로 조작한 후 벌집체 및 "10in의 ST-10 단일체 촉매는 모두 신선하게 제조된 것 만큼 강했다.
Figure 112005010339139-PAT00004
본 발명에 따라 배향된 촉매는 열 충격 및 고온에 대해 약한 조건하에서도 구조적 일체성 및 성능을 유지하며, 특히 부분산화반응에서 접하는 극도의 조건하에서도 탁월한 열적 기계적 안정성을 나타낸다.
상기 실시예에 의해 본 발명이 제한되지 않는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명의 범주는 이의 등가물을 포함하는 것으로 의도된다.
본 발명은 이의 특정한 양태와 관련하여 기술되었지만, 본 발명의 다수의 다른 형태 및 변형태는 당해 기술분야의 숙련가들에게 자명할 것임이 명백하다. 첨부된 청구범위 및 본 발명은 일반적으로 본 발명의 진정한 정신 및 범주를 벗어나지 않는 한 모든 자명한 형태 및 변형태를 포괄하는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (15)

  1. 불활성 담체 지지체 위에 분산된 촉매적으로 활성인 금속(catalytically active metal)의 제 1 층; 및
    지지체 위에서 세척코팅(washcoated)된 안정한 무기금속 산화물 위에 또는 안에 지지된 전이금속으로 본질적으로 구성되는 환원된 금속 촉매의 제 2 층을 포함하는, 촉매 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 촉매적으로 활성인 금속이 니켈, 코발트, 철, 백금, 팔라듐, 이리듐, 레늄, 루테늄, 로듐, 오스뮴 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 촉매 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 촉매적으로 활성인 금속이 상기 불활성 담체 지지체 위에 약 0.1 내지 약 8.0 중량%로 침착되어 있는 촉매 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 불활성 담체 지지체가 벌집형, 구형, 펠렛형, 고리형, 차륜형, 안장형 또는 과립형으로 구성된 그룹으로부터 선택된 형상을 갖는 것인 촉매 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 불활성 담체 지지체의 표면적이 약 0.1 내지 약 50.0 m2/g인 촉매 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지체가 세라믹 폼 단일체, 벌집형 단일체 및 금속 단일체로 구성된 그룹으로부터 선택되는 촉매 조성물.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지체가 부분 안정화된 산화지르코늄 단일체식 지지체에 세척코팅된 산화세륨을 포함하는 촉매 조성물.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 전이금속이 니켈, 코발트, 철, 백금, 팔라듐, 이리듐, 레늄, 루테늄, 로듐, 오스뮴 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는 촉매 조성물.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 안정한 무기금속 산화물이 원소주기율표 상의 IA족 원소, IIA족 원소, IIIA족 원소, IVA족 원소, 전이금속원소 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 양이온을 포함하는 산화물 그룹으로부터 선택되는 촉매 조성물.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 양이온이 산화세륨인 촉매 조성물.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 층 및 제 2 층이 연속적으로 배열된 촉매 조성물.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 층 하나 이상 및 제 2 층 하나 이상을 포함하는 촉매 조성물.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 층과 제 2 층 사이에 촉매적으로 불활성인 기재를 추가적으로 포함하는 촉매 조성물.
  14. 탄화수소 함유 공급물 가스와 산소 함유 공급물 가스의 혼합물을 제 1 항에서 정의된 촉매 조성물과 접촉시킴으로써 수소 및 일산화탄소를 제조하는 탄화수소의 부분산화방법.
  15. 탄화수소 함유 공급물 가스와 산소 함유 공급물 가스의 혼합물을 제 1 항에서 정의 된 촉매 조성물의 제 1 층과 접촉시킴으로써 수소 및 일산화탄소를 제조하는 탄화수소의 부분산화방법.
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