KR20060042246A - Wiring board, method of manufacturing the same, and organic el panel - Google Patents
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Abstract
본 발명은 보호층에 관계없이 배선전극의 구조만으로 배선전극간의 마이그레이션을 방지한다.The present invention prevents migration between wiring electrodes only by the structure of the wiring electrodes irrespective of the protective layer.
본 발명은 상호 근접한 적어도 2개의 배선전극(11)을 절연성 기판(10) 위에 형성한 배선기판(1)으로서, 배선전극(11)은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분(11a)과, 저저항 배선부분(11a)에 도통하며 저저항 배선부분(11a)과 다른 배선전극 사이의 기판(10) 위에 형성되는 배선영역(11b)을 가지며, 배선영역{11b(12b∼22b)}은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 재료로 형성되어 있다.The present invention provides a wiring substrate 1 having at least two wiring electrodes 11 adjacent to each other on an insulating substrate 10, wherein the wiring electrodes 11 contain a low resistance wiring portion 11a containing a metal which is likely to cause migration. ) And a wiring region 11b which is connected to the low resistance wiring portion 11a and is formed on the substrate 10 between the low resistance wiring portion 11a and the other wiring electrode, and the wiring region {11b (12b to 22b). } Is formed of a material that does not contain metal that is prone to migration.
배선 기판, 유기 EL 패널, 저저항 배선 부분 Wiring board, organic EL panel, low resistance wiring part
Description
도 1은 본 발명의 일실시형태에 관한 배선기판의 구성예를 도시한 설명도(단면도)이다.1 is an explanatory diagram (sectional view) showing a configuration example of a wiring board according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 일실시형태에 관한 배선기판의 구성예를 도시한 설명도(단면도)이다.2 is an explanatory diagram (sectional view) showing a structural example of a wiring board according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 일실시형태에 관한 배선기판의 구성예를 도시한 설명도(단면도)이다. 3 is an explanatory diagram (sectional view) showing a structural example of a wiring board according to an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 실시형태에 관한 배선기판의 작용을 도시한 설명도이다. 4 is an explanatory diagram showing the operation of the wiring board according to the embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 일실시형태에 관한 배선기판의 구성예를 도시한 설명도(단면도)이다.5 is an explanatory diagram (sectional view) showing a configuration example of a wiring board according to an embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 일실시형태에 관한 배선기판의 구성예를 도시한 설명도(단면도)이다.6 is an explanatory diagram (sectional view) showing a configuration example of a wiring board according to an embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 일실시형태에 관한 배선기판의 구성예를 도시한 설명도(단면도)이다.7 is an explanatory diagram (sectional view) showing a configuration example of a wiring board according to an embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 실시형태에 관한 배선기판을 설명하는 설명도로서, 각 배선전극의 패턴예를 도시한 평면도이다.8 is an explanatory diagram illustrating a wiring board according to an embodiment of the present invention, showing a pattern example of each wiring electrode.
도 9는 본 발명의 실시형태에 관한 배선기판을 설명하는 설명도로서, 각 배선전극의 패턴예를 도시한 평면도이다.Fig. 9 is an explanatory diagram illustrating a wiring board according to the embodiment of the present invention, and is a plan view showing a pattern example of each wiring electrode.
도 10은 본 발명의 실시형태에 관한 배선기판을 설명하는 설명도로서, 각 배선전극의 패턴예를 도시한 평면도이다.Fig. 10 is an explanatory diagram for explaining a wiring board according to the embodiment of the present invention, and is a plan view showing a pattern example of each wiring electrode.
도 11은 본 발명의 실시형태에 있어서의 배선전극간의 전위차 상태를 도시한 선도이다.Fig. 11 is a diagram showing the state of potential difference between wiring electrodes in the embodiment of the present invention.
도 12는 본 발명의 실시형태에 관한 배선기판을 설명하는 설명도로서, 각 배선전극의 패턴예를 도시한 평면도이다.12 is an explanatory diagram illustrating a wiring board according to an embodiment of the present invention, showing a pattern example of each wiring electrode.
도 13은 발명의 실시형태에 관한 배선기판을 설명하는 설명도로서, 각 배선전극의 패턴예를 도시한 평면도이다.Fig. 13 is an explanatory diagram illustrating a wiring board according to an embodiment of the invention, which is a plan view showing a pattern example of each wiring electrode.
도 14는 본 발명의 실시형태에 관한 배선기판을 설명하는 설명도로서, 각 배선전극의 패턴예를 도시한 평면도이다.FIG. 14 is an explanatory diagram illustrating a wiring board according to an embodiment of the present invention, showing a pattern example of each wiring electrode. FIG.
도 15는 본 발명의 실시예에 관한 유기 EL 패널을 설명하는 설명도(단면도)이다.15 is an explanatory diagram (sectional view) for explaining an organic EL panel according to an embodiment of the present invention.
도 16은 본 발명의 실시예에 관한 유기 EL 패널을 설명하는 설명도(단면도)이다.16 is an explanatory diagram (sectional view) for explaining an organic EL panel according to an embodiment of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of the drawings>
1: 배선기판1: wiring board
10: 기판10: Substrate
11, 121, 122, 131, 132, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22: 배선전극11, 12 1 , 12 2 , 13 1 , 13 2 , 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22: wiring electrode
11a, 12a, 13a, 14a, 15a, 16a, 17a, 18a, 19a, 20a, 21a, 22a: 저저항 배선부분11a, 12a, 13a, 14a, 15a, 16a, 17a, 18a, 19a, 20a, 21a, 22a: low resistance wiring portion
11b, 12b, 13b, 14b, 15b, 16b, 17b, 18b, 19b, 20b, 21b, 22b: 배선영역11b, 12b, 13b, 14b, 15b, 16b, 17b, 18b, 19b, 20b, 21b, 22b: wiring area
14A, 15A, 16A: 제1 전극층14A, 15A, 16A: first electrode layer
14B, 15B1, 15B2, 16B: 제2 전극층14B, 15B 1 , 15B 2 , and 16B: second electrode layer
S, S1, S2: 접속부 S, S 1 , S 2 : Connection
Ea: 전계 구배Ea: electric field gradient
100: 유기 EL 패널100: organic EL panel
30: 유기 EL 소자30: organic EL element
31: 제1 전극31: first electrode
32: 제2 전극32: second electrode
33: 유기재료층33: organic material layer
34: 절연층34: insulation layer
35: 음극칸막이벽35: cathode partition wall
40: 밀봉부재40: sealing member
40S: 밀봉공간40S: sealed space
41: 접착층41: adhesive layer
42: 건조제42: desiccant
본 발명은 배선기판, 배선기판의 형성 방법, 유기 EL 패널에 관한 것이다.The present invention relates to a wiring board, a method of forming a wiring board, and an organic EL panel.
최근, 전자기기 또는 전자부품의 소형화 및 고성능화의 요구에 부응하기 위하여 배선의 고밀도화, 저저항화가 진행되고 있지만, 이것에 맞추어 마이그레이션에 의한 성능 저하나 고장 문제가 현저하게 대두되어 왔다. 여기서 말하는 마이그레이션이란 배선전극을 형성하는 금속(금속이온)이 인접한 배선전극 사이에 형성되는 전계에 의해서 절연기판의 표면 또는 내부에서 경시적(經時的)으로 이동하여 전기적으로 절연되어 있어야 할 배선전극간을 도통시켜 버리는 현상을 말한다.In recent years, in order to meet the demand for miniaturization and high performance of electronic devices or electronic parts, wiring densification and low resistance have been progressed, but accordingly, problems of performance deterioration and failure due to migration have emerged remarkably. The term migration refers to a wiring electrode which must be electrically insulated from time or time on the surface or inside of the insulating substrate by a metal (metal ion) forming the wiring electrode formed between the adjacent wiring electrodes. Refers to the phenomenon of conducting the liver.
이 마이그레이션은 배선전극간이 근접하여 있고, 저저항재료로서 알려져 있는 은(Ag), 구리(Cu), 주석(Sn), 납(Pb) 등의 금속 또는 이들 금속을 함유하는 합금을 전극재료로서 이용하는 경우에 발생하기 쉽다는 것이 확인되어 있다. 따라서, 배선전극의 고밀도화와 저저항화(고성능화)를 증대시키고자 할 때에, 마이그레이션의 방지는 피하여 지나칠 수 없는 중요한 과제로 되어 있다.This migration uses metals such as silver (Ag), copper (Cu), tin (Sn), lead (Pb), or alloys containing these metals as electrode materials, which are close to each other, and are known as low resistance materials. It is confirmed that it is easy to generate | occur | produce in a case. Therefore, when attempting to increase the density of wiring electrodes and increase the resistance (high performance), preventing migration is an important problem that cannot be avoided.
그리고, 선명도가 높은 화상표시를 목표로 개발이 진행되고 있는 표시장치에 있어서는, 각 화소를 구동하기 위해서 인출된 배선전극을 고밀도화하는 경향에 있다. 또한 특히, 유기 EL 패널과 같은 전류구동의 표시패널에서는, 구동전류의 대소에 따라서 발광특성이 변화되어 버려 표시성능에 큰 영향을 부여하기 때문에, 표시성능을 향상시키기 위해서는 배선전극을 저저항으로 할 필요가 있다. 이 때문에, 유기 EL 패널에 있어서는, 고밀도화된 배선전극에 은팔라듐(AgPd)합금 등의 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 저저항재료의 이용이 이루어지고 있고, 전술한 마이그레이션을 방지하는 것이 유기 EL 패널에 있어서의 중요한 과제로 되어 있다.[0004] In the display device, which is being developed for the purpose of displaying images with high clarity, there is a tendency to increase the density of the drawn wiring electrodes for driving each pixel. In particular, in a display panel of a current drive such as an organic EL panel, the light emission characteristics change depending on the magnitude of the driving current, which greatly affects the display performance. Therefore, in order to improve the display performance, the wiring electrode should be made low resistance. There is a need. For this reason, in an organic EL panel, the use of the low resistance material which is easy to generate | occur | produce migration, such as a silver palladium (AgPd) alloy, is made to the densified wiring electrode, and it is what prevents the migration mentioned above in an organic EL panel. It is an important task.
마이그레이션의 방지책으로서는 각종 제안이 이루어져 있다. 예컨대 하기 특허문헌 1, 2에 있어서는, 배선기판의 상면에 은, 알루미늄 또는 이들 금속의 합금을 함유하는 복수개의 배선도체를 10??m∼100??m의 간격을 둑고 병설함과 동시에, 이들 배선도체를 에폭시수지를 주성분으로 하는 절연성 보호층으로 공통적으로 피복하며, 이 보호층 속에 0.5??m∼5.0??m의 특정수지필러를 특정배분으로 함유시키는 것이 개시되어 있다.Various proposals are made to prevent migration. For example, in the following
(특허문헌 1) 특허공개2001-237523호공보(Patent Document 1) Patent Publication No. 2001-237523
(특허문헌 2) 특허공개2001-339143호공보(Patent Document 2) Patent Publication No. 2001-339143
전술한 종래 기술에 의하면, 보호층 내에서 특정수지필러를 특정배분으로 함유시킬 필요가 있기 때문에, 보호층의 형성이 번거로운 동시에 고비용으로 되어 버린다고 하는 문제가 있다.According to the above-mentioned prior art, since it is necessary to contain a specific resin filler in a specific distribution in the protective layer, there is a problem that the formation of the protective layer is cumbersome and expensive.
또한, 최근 연구에서는, 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속{은(Ag), 구리(Cu), 주석(Sn), 납(Pb)등}과 절연성재료가 직접 접촉하는 것이 마이그레이션의 발생 요인 중 하나라고 말하여지고 있으며, 절연성 보호층에 의해 배선전극을 덮는 것이 효과적인 마이그레이션의 방지책이 되지 않는다는 것도 염려되고 있다.In addition, recent studies say that direct contact between metals that are susceptible to migration {silver (Ag), copper (Cu), tin (Sn), lead (Pb), etc.) and insulating materials is one of the causes of migration. It is also concerned that covering the wiring electrode with the insulating protective layer does not prevent effective migration.
본 발명은, 이러한 문제에 대처하는 것을 과제의 일례로 하는 것이다. 즉, 번잡한 보호층의 형성을 행하지 않고, 배선전극의 구조만으로 확실하게 배선전극간의 마이그레이션을 방지하는 것, 또한 마이그레이션의 방지에 의해 유기 EL 패널 등의 표시장치의 고성능화를 달성할 수 있는 것 등이 본 발명의 목적이다.This invention makes it an example of a subject to cope with such a problem. That is, it is possible to reliably prevent migration between the wiring electrodes only by the structure of the wiring electrodes without forming a complicated protective layer, and to achieve high performance of display devices such as organic EL panels by preventing the migration. This is an object of the present invention.
이러한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 이하의 각 독립청구항에 관한 구성을 적어도 구비하는 것이다.In order to achieve such an object, the present invention includes at least the configuration of each of the following independent claims.
[청구항 1] 상호 근접한 적어도 2개의 배선전극을 절연성 기판 위에 형성한 배선기판으로서, 상기 배선전극 중 적어도 한 쪽은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분과, 상기 저저항 배선부분에 도통하며 적어도 상기 저저항 배선부분과 다른 배선전극 사이의 상기 기판 위에 형성되는 배선영역을 가지며, 상기 배선영역은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 것을 특징으로 하는 배선기판.Claim 1 A wiring board having at least two wiring electrodes adjacent to each other formed on an insulating substrate, wherein at least one of the wiring electrodes includes a low resistance wiring portion containing a metal that is likely to cause migration and a low resistance wiring portion. And a wiring region that is conductive and is formed on the substrate between at least the low resistance wiring portion and another wiring electrode, wherein the wiring region does not contain a metal that is likely to cause migration.
[청구항 15] 상호 근접한 적어도 2개의 배선전극을 절연성 기판 위에 형성한 배선기판의 형성 방법으로서, 상기 배선전극 중 적어도 한 쪽에는 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분이 형성됨과 동시에, 적어도 상기 저저항 배선부분과 다른 배선전극 사이의 상기 기판 위에 상기 저저항 배선부분에 도통하는 배선영역이 형성되며, 상기 배선영역은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 배선기판의 형성 방법.15. A method of forming a wiring board in which at least two wiring electrodes adjacent to each other are formed on an insulating substrate, wherein at least one of the wiring electrodes is formed with a low resistance wiring portion containing a metal that is likely to cause migration. At least a wiring region conductive to the low resistance wiring portion is formed on the substrate between the low resistance wiring portion and another wiring electrode, and the wiring region is formed of a material that does not contain metal that is likely to cause migration. A method of forming a wiring board.
[청구항 18] 한 쌍의 전극 사이에 유기발광기능층을 포함하는 유기재료층을 유지하여 절연성 기판 위에 복수의 유기 EL 소자를 형성하고, 상기 한 쌍의 전극으로부터 인출된 배선전극을 상기 기판 위에 형성한 유기 EL 패널로서, 상기 배선전극은 상호 근접한 적어도 2개의 배선전극을 가지며, 상기 배선전극 중 적어도 한 쪽은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분과, 상기 저저항 배선부분에 도통하며 적어도 상기 저저항 배선부분과 다른 배선전극 사이의 상기 기판 위에 형성되는 배선영역을 가지며, 상기 배선영역은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 것을 특징으로 하는 유기 EL 패널. [Claim 18] A plurality of organic EL elements are formed on an insulating substrate by holding an organic material layer including an organic light emitting functional layer between a pair of electrodes, and wiring wires drawn from the pair of electrodes are formed on the substrate. An organic EL panel, wherein the wiring electrodes have at least two wiring electrodes adjacent to each other, and at least one of the wiring electrodes is electrically connected to the low resistance wiring portion and the low resistance wiring portion containing a metal that is likely to cause migration. And at least a wiring region formed on the substrate between the low resistance wiring portion and another wiring electrode, wherein the wiring region does not contain a metal that is likely to cause migration.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 설명한다. 도 1∼3, 도 5∼7은 본 발명의 일실시형태에 관한 배선기판의 구성예를 도시한 설명도(단면도)이다. 이들 도면에 도시한 배선기판(1)은 상호 근접한 적어도 2개의 배선전극을 절연성 기판(10) 위에 형성한 것이다. 이하의 설명에서는, 2개의 배선전극을 도시하여 설명하고 있는데, 이에 기초하여 다수개의 배선전극을 동일하게 설명할 수 있음은 물론이다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described with reference to drawings. 1-3 and 5-7 are explanatory drawing (sectional drawing) which shows the structural example of the wiring board which concerns on one Embodiment of this invention. In the
그리고, 본 발명의 실시형태에서는, 도 1에 도시한 바와 같이, 이 배선기판(1)에 있어서의 배선전극(11, 11) 중 적어도 한 쪽은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속{예컨대, Ag(은), Cu(구리), Sn(주석), Pb(납) 중 하나 또는 복수}이 함유되는 저저항 배선부분(11a)과, 이 저저항 배선부분(11a)에 도통하며 적어도 저저항 배선부분(11a)과 다른 배선전극 사이의 기판(10) 위에 형성되는 배선영역(11b)을 가지며, 이 배선영역(11b)은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 것을 특징으로 한다. 도 1의 실시형태에서는, 양 배선전극(11, 11)에 배 선영역(11b)을 마련하고 있지만, 이것으로 한정되지 않고, 배선전극(11, 11) 중 한 쪽에 배선영역(11b)을 마련한 것이어도 좋다. In the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1, at least one of the
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시형태에 관한 배선기판(1)의 변형예를 도시한 것이다. 본 발명의 실시형태에 관한 배선기판(1)은 도 2에 도시한 바와 같이, 양 배선전극(121, 122)에 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분(12a)과 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 배선영역(12b)을 마련하고, 이 배선영역(12b)을 저저항 배선부분(12a)에 대하여 동일 방향으로 그 한 쪽에만 마련하도록 하여도 좋고, 혹은, 도 3에 도시한 바와 같이, 양 배선전극(131, 132)에 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분(13a)과 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 배선영역(13b)을 마련하고, 이 배선영역(13b)을 저저항 배선부분(13a)에 대하여 다른 쪽 방향으로 한 쪽에만 마련하여, 배선영역(13b)이 2개의 배선전극(131, 132) 사이에서 각각 상호 마주 보게 형성하도록 하여도 좋다. 2 and 3 show a modification of the
도 4는 이러한 실시형태에 관한 배선기판(1)의 작용을 도시한 설명도로서, 배선전극(11, 11)간의 전위차상태를 도시한 선도이다. 이러한 실시형태에 관한 배선기판(1)에서는, 도시한 바와 같이, 2개의 배선전극(11, 11)간에 전위차가 발생한 경우에도, 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분(11a)과 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 배선영역(11b)이 동일 전위로 됨으로써 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속의 금속이온(예컨대, Ag+)이 배선전극(11, 11)간의 전계 구배(Ea)에 관계되지 않는다. 따라서, 전계 구배(Ea)에 따른 금속이온의 이동을 억제할 수 있게 되어, 마이그레이션 현상을 효과적으로 방지할 수 있다. 이 작용은, 도 3에 도시한 실시형태에 있어서의 배선전극(131, 132)간에도 마찬가지이다. FIG. 4 is an explanatory diagram showing the action of the
또한, 도 2에 도시한 실시형태와 같이, 2개의 배선전극(121, 122)에 있어서 각 배선전극의 한 쪽에만 배선영역(12b)이 형성되는 경우에 있어서도, 전술한 바와 같은 작용에 의해 적어도 배선전극(121)쪽에서 배선전극(122)쪽으로 이동하는 금속이온을 억제할 수 있기 때문에, 일정한 마이그레이션 방지 효과를 기대할 수 있다. 또한 양 배선전극(121, 122)간의 전위차 상태가 획일적{상당한 비율로 배선전극측(121)이 고전위}인 경우 등에는, 이러한 배선영역(12b)의 배치만으로도 효과적으로 마이그레이션 현상을 방지할 수 있다. Also, as in the embodiment shown in Fig. 2, even in the case where the
도 5∼도 7은 본 발명의 더욱 구체적인 실시형태를 도시한 설명도(단면도)이다. 이들 실시형태에서는, 전술한 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분(14a, 15a, 16a)을 제1 전극층(14A, 15A, 16A)에 형성하고 있고, 전술한 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 배선영역(14b, 15b, 16b)을 제2 전극층(14B, 15B1, 15B2, 16B)에 형성하고 있다. 5-7 is explanatory drawing (sectional drawing) which shows more specific embodiment of this invention. In these embodiments, the low-
구체적으로 설명하면, 도 5의 실시형태에 관한 배선기판(1)에서는, 배선전극(14, 14)은 저저항 배선부분(14a)을 형성하는 제1 전극층(14A)과 배선영역(14b)을 형성하는 제2 전극층(14B)을 가지며, 기판(10) 위에 형성된 제2 전극층(14B) 위에 제1 전극층(14A)을 적층하여 형성한 것이다. 또한, 제2 전극층(14B)은 제1 전극층(14A)에 비해서 그 폭을 넓게 형성한 것이다. 도시한 예에서는, 제2 전극층(14B) 위에 직접 제1 전극층(14A)을 적층하고 있지만, 이것으로 한정되지 않고, 제2 전극층(14B)과 제1 전극층(14A) 사이에 다른 층을 매개로 적층한 것이어도 좋다. Specifically, in the
또한, 도 6의 실시형태에 관한 배선기판(1)에서는, 배선전극(15, 15)은 기판(10) 위에 형성된 제2 전극층(15B1) 위에 저저항 배선부분(15a)을 형성하는 제1 전극층(15A)을 적층하여 형성한 것까지는 전술한 도 5의 실시형태와 동일하지만, 추가로, 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 제2 전극층(15B2)을 그 위에 적층하여, 제1 전극층(15A)을 제2 전극층(15B2)으로 덮도록 형성하고 있다. In the
또한, 도 7의 실시형태에 관한 배선기판(1)에서는, 배선전극(16, 16)은 기판(10) 위에 저저항 배선부분(16a)을 형성하는 제1 전극층(16A)을 형성하고, 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 제2 전극층(16B)을 그 위에 적층하고 있어, 제1 전극층(16A)을 제2 전극층(16B)으로 덮 도록 형성하고 있다. In the
이러한 실시형태에서는, 한 쪽 배선전극과 다른 쪽 배선전극에 있어서의 저저항 배선부분(14a, 15a, 16a) 사이의 기판(10) 위에 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 배선영역(14b, 15b, 16b)이 형성되게 되며, 전술한 바와 같이, 양 전극간에 전위차가 발생한 경우에도 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이온의 이동을 억제할 수 있어, 효과적으로 마이그레이션 현상에 의한 배선전극간의 단락 등의 문제점을 방지할 수 있다. In this embodiment, the
도 8∼10, 도 12∼14는 본 발명의 실시형태에 관한 배선기판을 설명하는 설명도로서, 각 배선전극의 패턴구성을 도시한 평면도이다. 여기에 도시한 배선전극의 패턴구성은, 전술한 배선영역이 전술한 저저항 배선부분을 따라서 형성된 선형패턴을 갖는 구성으로 되어 있지만, 본 발명의 실시형태에서는, 특별히 이것으로 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 나타내는 실시형태의 배선전극은 도 1∼3, 도 5∼7에 도시한 단면구조 중 어느 하나에 따라서 형성할 수 있다. 8 to 10 and 12 to 14 are explanatory views for explaining the wiring board according to the embodiment of the present invention. Although the pattern structure of the wiring electrode shown here has a structure in which the above-mentioned wiring area has the linear pattern formed along the low-resistance wiring part mentioned above, it is not specifically limited to this in embodiment of this invention. In addition, the wiring electrode of embodiment shown below can be formed in accordance with any one of the cross-sectional structures shown to FIGS. 1-3 and FIGS.
도 8에 도시한 실시형태에서는, 배선전극(17)은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분(17a)에 대하여, 이것을 따라서 선형패턴이 형성되고, 이 선형패턴에 의해 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속을 함유하지 않는 배선영역(17b)을 형성하고 있다. 여기서는, 배선영역(17b)이 배선전극(17) 사이에서 상호 마주 보도록, 또한 저저항 배선부분(17a)과 평행하게 형성되어 있다. 더욱이, 하나의 배선영역(17b)은 저저항 배선부분(17a)과의 사이에 간극이 형성되어 있고, 저저항 배선부분(17a)과 부분적으로 접속되는 접속부(S)를 복수 가지고 있다. In the embodiment shown in Fig. 8, the
도 9에 도시한 실시형태에서는, 배선전극(18)은 도 8의 실시형태와 마찬가지로, 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분(18a)에 대하여, 이것을 따라서 선형패턴이 형성되고, 이 선형패턴에 의해 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속을 함유하지 않는 배선영역(18b)을 형성하고 있다. 또한, 배선 영역(18b)이 배선전극(18) 사이에서 상호 마주 보도록, 또한 저저항 배선부분(18a)과 평행하게 형성되어 있다. 더욱이, 배선영역(18b)은 저저항 배선부분(18a)과의 사이에 간극이 형성되어 있고, 저저항 배선부분(18a)과 부분적으로 접속되는 접속부(S1, S2)를 가지고 있다. 또한, 배선전극(18)의 배열방향으로 상호 인접한 접속부(S1, S2)의 위치가 배선전극(18)을 따르는 동렬(同列) 위치와 나란하지 않도록 형성되어 있다.In the embodiment shown in Fig. 9, the
도 10에 도시한 실시형태에서는, 배선전극(19)은 도 8 및 도 9의 실시형태와 마찬가지로, 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분(19a)에 대하여, 이것을 따라서 선형패턴이 형성되고, 이 선형패턴에 의해 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속을 함유하지 않는 배선영역(19b)을 형성하고 있다. 여기서는, 배선영역(19b)이 배선전극(19) 사이에서 저저항 배선부분(19a)의 한 쪽에만 형성되어 있다. 또한, 배선영역(19b)은 저저항 배선부분(19a)과의 사이에 간극이 형성되어 있고, 저저항 배선부분(19a)과 부분적으로 접속되는 접속부(S)를 가지고 있다. In the embodiment shown in Fig. 10, the
도 11은 이러한 실시형태에 있어서의 배선전극간의 전위차상태를 도시한 선도이다. 이러한 실시형태에 있어서 배선전극간에 전위차가 발생한 경우에는, 예컨대, 도 8에 있어서의 X1-X1선상의 전위차 상태는 도 4에 도시한 상태와 동일하게 되지만, 도 8에 있어서의 X2-X2선상의 전위차 상태는, 도 11(a)와 같이 되며, 도 9에 있어서의 X3-X3선상의 전위차 상태는 도 11(b)와 같이 된다{도 11(a)에 있어서는 좌측의 배선전극이 고전위가 된 상태를 나타내고 있고, 도 11(b)에 있어서는 우측의 배선전극이 고전위가 된 상태를 나타내고 있다.}. Fig. 11 is a diagram showing the potential difference state between wiring electrodes in this embodiment. In this embodiment, when a potential difference occurs between the wiring electrodes, for example, the state of potential difference on the X 1 -X 1 line in FIG. 8 becomes the same as that shown in FIG. 4, but X 2 -in FIG. The potential difference state on the X 2 line is as shown in FIG. 11 (a), and the potential difference state on the X 3 -X 3 line in FIG. 9 is as shown in FIG. 11 (b) (in FIG. The wiring electrode is in a high potential state, and in FIG. 11B, the wiring electrode on the right side is in a high potential state.}.
즉, 이들 부분(X2-X2선상 또는 X3-X3선상)에 있어서의 전위차 상태는, 저저항 배선부분(17a)(또는 18a)과 배선영역(17b)(또는 18b)은 등전위가 되지만, 양자의 간극에 의해 전위의 요철부분이 형성되게 되며, 저저항 배선부분(17a)(또는 18a)에 있어서의 금속이온(예컨대, Ag+)은 이러한 전위차의 요철부분에 의해 이동이 억제되게 된다. 이에 의해 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이온이 배선전극{17(18)}간의 전계 구배(Ea)에 관계되지 않게 되어, 마이그레이션 현상을 효과적으로 방지할 수 있다.In other words, the potential difference between these portions (X 2 -X 2 or X 3 -X 3 ) is equal to that of the low
도 8∼도 10에 도시한 실시형태에서는, 모두 저저항 배선부분(17a∼19a)과 배선영역(17b∼19b) 사이에 간격을 형성한 것을 나타내고 있지만, 본 발명의 실시형태에 관한 배선영역의 선형패턴은 이것으로 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 12에 도시한 바와 같이, 배선전극(20)을 저저항 배선부분(20a)과 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속을 함유하지 않는 배선영역(20b)으로 형성하고, 저저항 배선부분(20a)과 배선영역(20b)이 넓은 영역에서 도통하고 있는 것으로 하여도 좋다. 이 경우에는, 저저항 배선부분(20a)이 넓은 범위에서 도 4에서 도시한 작용을 얻을 수 있게 된다.In the embodiment shown in Figs. 8 to 10, all have shown that a gap is formed between the low
또한, 도 8∼도 10에 도시한 실시형태에서는, 저저항 배선부분(17a∼19a)과 배선영역(17b∼19b)과의 접속부를 하나의 배선영역에 대하여 복수 형성한 것을 나타내고 있지만, 이것으로 한정되지 않고, 접속부를 하나의 배선영역에 대하여 한군데 마련하는 것이어도 좋다.8 to 10 show that a plurality of connection portions between the low
도 13 및 도 14는 배선전극의 패턴구성에 관한 다른 실시형태를 도시한 설명도이다. 이들 실시형태에서는, 배선전극{21(22)}을 저저항 배선부분{21a(22a)}과 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속을 함유하지 않는 배선영역{21b(22b)}으로 형성하고, 배선영역{21b(22b)}을 선형패턴으로 저저항 배선부분{21a(22a)}을 따라서 형성하고 있다는 점에서는, 전술한 실시형태와 동일하지만, 이 실시형태는, 배선영역{21b(22b)}을 배선전극{21(22)}을 따라서 부분적으로 형성한 것이다.13 and 14 are explanatory views showing another embodiment of the pattern configuration of the wiring electrodes. In these embodiments, the wiring electrode 21 (22) is formed of the low
즉, 이 실시형태에서는, 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속을 함유하지 않는 배선영역{21b(22b)}을 선택한 부분에만 형성할 수 있으며, 특히 마이그레이션이 발생하기 쉬운 부분을 선택하여 거기에 배선영역{21b(22b)}을 형성할 수 있다. 마이그레이션이 발생하기 쉬운 부분으로서는, 접착제를 사용하는 부분 등을 예로 들 수 있다. 도 13 및 도 14의 예에서는, 배선전극{21(22)}이 형성된 기판 위에 밀봉기판 등을 접합시키는 접착영역(M)의 띠형부분에 맞추어 부분적으로 배선영역{21b(22b)}을 형성한 예를 도시하고 있다. That is, in this embodiment, the wiring area | region {21b (22b)} which does not contain the metal which is easy to generate | occur | produce migration can be formed only in the part which selected, especially the part which is easy to generate | occur | produce migration, and selects the wiring area | region {21b] in it. (22b)} can be formed. As a part which migration is easy to produce, the part using an adhesive agent, etc. are mentioned. In the examples of FIGS. 13 and 14, the
또한, 도 13에 도시한 실시형태는, 저저항 배선부분(21a)의 폭을 균일하게 하고, 그 양쪽 또는 한 쪽에 배선영역(21b)을 형성한 예를 도시하고 있고, 도 14에 도시한 실시형태에서는, 배선영역(22b)이 형성되는 부분에 있어서 저저항 배선부분(22a)의 폭을 좁게 하여, 배선전극(22)의 전체에 걸쳐 거의 폭이 균일하게 되도록 형성한 예를 나타내고 있다. 이러한 실시형태에 의하면, 배선영역(22a, 22b)을 형성하기 위한 패터닝영역을 좁게 할 수 있기 때문에 공정의 간략화가 가능하다. 13 shows an example in which the width of the low
전술한 본 발명의 실시형태에 관한 배선기판(1)의 형성 방법은 여러가지 방법으로 실시가능하다. 요컨대, 배선전극에 대하여 전술한 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분과 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속을 함유하지 않는 배선영역을 형성하는 방법이라면 어떠한 형성 방법이어도 좋다. The formation method of the
도 5∼도 7에 도시한 실시형태를 대상으로 하여 형성 방법의 구체예를 설명하면, 저저항 배선부분(14a, 15a, 16a)을 형성하는 제1 전극층(14A, 15A, 16A)을 성막하여 이 저저항 배선부분(14a, 15a, 16a)을 패터닝하는 공정과, 배선영역(14b, 15b, 16b)을 형성하는 제2 전극층(14B, 15B, 16B)을 성막하여 이 배선영역(14b, 15b, 16b)을 패터닝하는 공정을 갖는다.A specific example of the formation method will be described with reference to the embodiments shown in FIGS. 5 to 7 by forming the first electrode layers 14A, 15A, and 16A forming the low
도 5의 실시형태에 있어서는, 기판(10) 위에 제2 전극층(14B)을 성막하여 배선영역(14b)을 패터닝하는 공정 후, 제2 전극층(14B) 위에 직접 또는 다른 층을 매개로 제1 전극층(14A)을 성막하여 저저항 배선부분(14a)을 패터닝함으로써 형성할 수 있다.In the embodiment of FIG. 5, after forming the
도 6의 실시형태에 있어서는, 기판(10) 위에 제2 전극층(15B1)을 성막하여 배선영역(15b)을 패터닝하는 공정 후, 제2 전극층(15B1) 위에 직접 또는 다른 층을 매개로 제1 전극층(15A)을 성막하여 저저항 배선부분(15a)을 패터닝하고, 추가로 제2 전극층(15B2)을 성막하여 배선영역(15b)을 패터닝함으로써 형성할 수 있다.In the embodiment of FIG. 6, after forming the second electrode layer 15B 1 on the
도 7의 실시형태에 있어서는, 기판(10) 위에 제1 전극층(16A)을 성막하여 저저항 배선부분(16a)을 패터닝하는 공정 후, 이 저저항 배선부분(16a)을 덮도록 제2 전극층(16B)을 성막하여 배선영역(16b)을 패터닝함으로써 형성할 수 있다. In the embodiment of FIG. 7, after forming the
<실시예><Example>
이하, 본 발명의 일실시예로서, 전술한 실시형태에 관한 배선기판이 적용되는 유기 EL 패널을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태에 관한 배선기판 또는 그 형성 방법은 이하의 용도로 한정되는 것이 아니라, 다른 전자기기나 전자부품에도 널리 적용가능함은 물론이다. Hereinafter, as an example of the present invention, an organic EL panel to which the wiring board according to the above-described embodiment is applied will be described. However, the wiring board or the method for forming the same according to the embodiment of the present invention is not limited to the following uses, but can be widely applied to other electronic devices and electronic components.
도 15 및 도 16은 본 발명의 실시예에 관한 유기 EL 패널을 설명하는 설명도(단면도)이다. 도 15는 도 16에 있어서의 A2-A2 단면도를 도시하고 있으며, 도 16은 도 15에 있어서의 A1-A1단면도를 도시하고 있다.15 and 16 are explanatory diagrams (sectional views) for explaining an organic EL panel according to an embodiment of the present invention. FIG. 15 is a sectional view taken along the line A 2 -A 2 in FIG. 16, and FIG. 16 is a sectional view taken along the line A 1 -A 1 in FIG. 15.
도면에 있어서, 유기 EL 패널(100)의 기본구성은 제1 전극(31)과 제2 전극(32) 사이에 유기발광기능층을 포함하는 유기재료층(33)을 유지하여 기판(10) 위에 복수의 유기 EL 소자(30)를 형성한 것이다. 도시한 예에서는, 기판(10) 위에 실리콘피복층(10a)을 형성하고 있고, 그 위에 형성되는 제1 전극(31)을 ITO 등의 투명전극으로 이루어지는 양극으로 설정하며, 제2 전극(32)을 Al 등의 금속재료로 이루어지는 음극으로 설정하고, 기판(10)측으로부터 광을 추출하는 하부에미션 방식을 구성하고 있다. 또한, 유기재료층(33)으로서는, 정공수송층(33A), 발광층(33B), 전자수송층(33C)의 3층구조의 예를 나타내고 있다. 그리고, 기판(10)과 밀봉부재(40) 를 접착층(41)을 통해 접합시킴으로써 기판(10) 위에 밀봉공간(40S)을 형성하고, 밀봉공간(40S) 내에 유기 EL 소자(30)로 이루어지는 표시부를 형성하고 있다. In the drawing, the basic configuration of the
유기 EL 소자(40)로 이루어지는 표시부는 도시한 예에서는, 제1 전극(31)을 절연층(34)으로 구획함과 동시에, 제2 전극(32)을 음극 칸막이벽(35)에 의해 절연구획하고 있으며, 구획된 제1 전극(31) 밑에 각 유기 EL 소자(30)에 의한 단위표시영역(30R, 30G, 30B)을 형성하고 있다. 또한, 밀봉공간(40S)을 형성하는 밀봉부재(40)의 내면에는 건조수단(42)이 부착되어 습기에 의한 유기 EL 소자(30)의 열화를 방지하고 있다. In the example shown, the display part which consists of
여기서, 도 15는 음극으로 되는 제2 전극(32)의 인출배선전극을 도시하고 있다{여기서는, 이 인출배선전극에 도 5에 도시한 배선전극(14)을 채용한 예를 도시한다.). 제2 전극(32)의 인출배선전극에는 제1 전극(31)과 동일한 재료, 동일한 공정으로 형성되는 배선영역(14b)(도시생략)을 갖는 제2 전극층(14B)이 제1 전극(31)과는 절연층(34)으로 절연된 상태로 패턴형성되어 있다. 제2 전극층(14B)의 인출부분에는 은팔라듐(AgPd: 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 재료)합금 등을 함유하는 저저항 배선부분(14a)을 형성하는 제1 전극층(14A)이 형성되어 있고, 그 위에 추가로, 필요에 따라서 IZO 등의 보호피막(14C)이 형성되고, 제2 전극층(14B), 제1 전극층(14A), 보호피막(14C)으로 이루어지는 배선전극(14)이 형성되어 있다. 그리고, 밀봉공간(40S)의 내측 단부에서 제2 전극(32)의 단부(32a)가 배선전극(14)에 접속되어 있다. Here, FIG. 15 shows the lead-out wiring electrode of the
한편, 도 16은 양극으로 되는 제1 전극(31)의 인출배선전극을 도시하고 있 다. 제1 전극(31)의 인출배선전극에서는, 제1 전극(31)을 연장하여 밀봉공간(40S) 밖으로 인출함으로써 배선전극(31a)을 형성하고 있다. 여기서는, 양극측의 인출배선전극에만 본 발명의 실시형태에 관한 배선전극을 채용하고 있지만, 음극측의 인출배선전극에만 본 발명의 실시형태에 관한 배선전극을 채용하여도 좋고, 양극측, 음극측 모두에 채용하여도 좋다. 또한, 이들 인출배선전극 중에서 특정한 배선전극을 선택하여 본 발명의 실시형태에 관한 배선전극을 채용하여도 좋다. On the other hand, FIG. 16 shows the lead-out wiring electrode of the
또한, 전술한 바와 같이, 배선전극(14)에 있어서의 배선영역(14b)은 1개의 배선전극(14)의 전체 영역에 형성할 수도 있고, 예컨대, 접착영역(M)과 같은 특정부분에만 부분적으로 형성할 수도 있다. In addition, as described above, the
이러한 본 발명의 실시예에 관한 유기 EL 패널(100)에 의하면, 음극측(또는, 양극측)으로부터 인출된 배선전극(14)이 근접배치되고, 배선전극(14)의 저저항화를 도모하기 위해서 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분(14a)이 형성된 경우에도, 배선전극(14)의 둘레에 발생한 금속이온(은이온 Ag+)이 이웃하는 배선전극을 향하는 전계 구배 위에 편승하는 일이 없기 때문에, 마이그레이션에 의한 배선전극간의 단락 또는 배선전극에 흐르는 전류의 변동 등의 문제점을 미연에 회피할 수 있다. According to the
이하, 본 발명의 실시예에 관한 유기 EL 패널(100)의 각 구성요소에 관해서 더욱 구체적인 구성을 설명한다. Hereinafter, each component of the
a. 기판; a. Board;
유기 EL 패널(100)의 기판(10)으로서는, 투명성을 갖는 평판형, 필름형인 것 이 바람직하며, 재질로서는 유리 또는 플라스틱 등을 이용할 수 있다. As the board |
b. 전극; b. electrode;
전술한 실시예에서는, 제1 전극(31)을 양극, 제2 전극(32)을 음극으로 하고, 제1 전극(31)측에서부터 정공수송층(33A), 발광층(33B), 전자수송층(33C)을 적층시키고 있는데, 본질적으로는, 제1 전극(31), 제2 전극(32) 중 어느 쪽을 음극 또는 양극으로 설정하여도 상관없다. 전극재료로서는, 양극은 음극보다 일함수가 높은 재료로 구성되며, 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 백금(Pt) 등의 금속막이나 ITO, IZO 등의 산화금속막 등의 투명도전막이 이용된다. 반대로 음극은 양극보다 일함수가 낮은 재료로 구성되며, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 등의 금속막, 도핑된 폴리아닐린이나 도핑된 폴리페닐렌비닐렌 등의 비정질반도체, Cr2O3, NiO, Mn2O5 등의 산화물을 사용할 수 있다. 또한, 제1 전극(31), 제2 전극(32) 모두 투명한 재료에 의해 구성한 경우에는, 광의 방출측과 반대의 전극측에 반사막을 설치한 구성으로 한다.In the above-described embodiment, the
c. 유기재료층;c. Organic material layer;
유기재료층(33)은 전술한 실시예와 같이, 정공수송층(33A), 발광층(33B), 전자수송층(33C)의 조합이 일반적이지만, 정공수송층(33A), 발광층(33B), 전자수송층(33C)은 각각 1층만이 아니라 복수층 적층하여 마련하여도 좋고, 정공수송층(33A), 전자수송층(33C)에 대해서는, 어느 한 쪽 층을 생략하여도, 양쪽 층을 생략하여도 상관없다. 또한, 정공주입층, 전자주입층 등의 유기재료층을 용도에 따라서 삽입하 는 것도 가능하다. 정공수송층(33A), 발광층(33B), 전자수송층(33C)은 종래부터 사용되고 있는 재료(고분자재료, 저분자재료에 관계없이)를 적절하게 선택할 수 있다. The
또한, 발광층(33B)을 형성하는 발광재료로서는, 일중항 여기상태에서 기저(基底)상태로 되돌아갈 때의 발광(형광)을 나타내는 재료, 삼중항 여기상태에서 기저상태로 되돌아갈 때의 발광(인광)을 나타내는 재료 중 어떠한 것이라도 상관없다. As the light emitting material forming the
d. 밀봉부재; d. Sealing member;
유기 EL 패널(100)에 있어서, 유기 EL 소자(30)를 기밀하게 밀봉하기 위한 밀봉부재(40)로서는, 금속제, 유리제, 플라스틱제 등에 의한 판형부재 또는 용기형부재를 이용할 수 있다. 유리제의 밀봉기판에 프레스성형, 에칭, 블러스트처리 등의 가공에 의해 밀봉용 오목부(1단 홈파기, 2단 홈파기에 상관없이)를 형성한 것을 이용할 수도 있고, 또는 평판유리를 사용하여 유리(플라스틱이어도 좋다)제의 스페이서에 의해 기판(10)과의 사이에 밀봉공간(40S)을 형성할 수도 있다. In the
e. 접착층; e. Adhesive layer;
유기 EL 패널(100)에 있어서의 접착층(41)을 형성하는 접착제는, 열경화형, 화학경화형(2액 혼합), 광(자외선)경화형 등을 사용할 수 있으며, 재료로서 아크릴수지, 에폭시수지, 폴리에스테르, 폴리올레핀 등을 이용할 수 있다. 특히, 가열처리가 필요없고 순간경화성이 높은 자외선경화형의 에폭시수지제 접착제의 사용이 바람직하다. As the adhesive for forming the
f. 건조수단; f. Drying means;
건조수단(42)은, 제올라이트, 실리카겔, 카본, 카본나노튜브 등의 물리적건조제, 알칼리금속산화물, 금속할로겐화물, 과산화염소 등의 화학적건조제, 유기금속착체를 톨루엔, 크실렌, 지방족유기용제 등의 석유계용매에 용해한 건조제, 건조제입자를 투명성을 갖는 폴리에틸렌, 폴리이소프렌, 폴리비닐신나에이트 등의 바인더에 분산시킨 건조제에 의해 형성할 수 있다. Drying means 42 is a physical drying agent such as zeolite, silica gel, carbon, carbon nanotube, chemical drying agent such as alkali metal oxide, metal halide, chlorine peroxide, organic metal complexes such as toluene, xylene, aliphatic organic solvents, etc. The desiccant and the desiccant particle | grains melt | dissolved in the system solvent can be formed with the desiccant disperse | distributed to binders, such as polyethylene, polyisoprene, and polyvinyl cinnanate which have transparency.
g. 유기 EL 표시패널의 각종 방식 등; g. Various methods of the organic EL display panel;
본 발명의 실시예가 되는 유기 EL 패널(100)로서는, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 각종 설계변경이 가능하다. 예컨대, 유기 EL 소자(30)의 발광형태는 전술한 실시예와 같이 기판(10)측으로부터 광을 추출하는 하부에미션 방식이어도, 기판(10)과는 반대측으로부터 광을 추출하는 상부에미션 방식이어도 상관없다. 또한, 본 발명의 실시예에 관한 유기 EL 패널(100)은 단색표시이어도 복수색 표시이어도 좋고, 복수색 표시를 실현하기 위해서는, 구분도포 방식을 포함하는 것은 물론이거나와, 백색이나 청색 등의 단색 발광기능층에 칼러 필터나 형광재료에 의한 색변환층을 조합시킨 방식(CF방식, CCM 방식), 단색 발광기능층의 발광영역에 전자파를 조사하거나 하여 복수 발광을 실현하는 방식{포토블리칭(photobleaching) 방식}, 2색 이상의 단위표시영역을 세로로 적층하여 하나의 단위표시영역을 형성한 방식{SOLED(transparent Stacked OLED)방식} 등을 채용할 수 있다. As the
본 발명의 각 실시형태 또는 실시예의 특징을 정리하면, 이하와 같다(이하의 부호는, 도 1∼도 16의 각 도면에 대응하고 있다. ). The features of each embodiment or example of the present invention are summarized as follows (the following symbols correspond to the drawings of FIGS. 1 to 16).
한편으로는, 상호 근접한 적어도 2개의 배선전극{11(12∼22)}을 절연성 기판(10) 위에 형성한 배선기판(1)으로서, 배선전극{11(12∼22)} 중 적어도 한 쪽은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)}과, 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)}에 도통하며 적어도 상기 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)과 다른 배선전극 사이의 기판(10) 위에 형성되는 배선영역{11b(12b∼22b)}을 가지며, 상기 배선영역{11b(12b∼22b)}은 마이그레이션를 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 것을 특징으로 한다. On the other hand, as the
이에 의하면, 근접된 배선전극{11(12∼22)}간에 전위차가 발생한 경우에도, 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)}과 배선영역{11b(12b∼22b)}이 동일 전위로 되어 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)} 주변에 전계 구배(Ea)를 형성하지 않기 때문에, 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)}에 있어서의 금속이온이 배선전극{11(12∼22)}사이의 전계 구배(Ea)에 관계되어 이동하는 일이 없다. 따라서, 배선전극{11(12∼22)}간이 어떠한 전위차 상태로 되더라도 배선영역(11b)이 형성된 배선전극측으로부터 다른 배선전극을 향한 금속이온의 이동을 저지할 수 있다. 이에 의해, 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)}을 포함한 배선전극{11(12∼22)}을 고밀도로 배선한 경우에도, 배선전극의 구조만으로 효과적으로 마이그레이션의 발생을 억제할 수 있다. As a result, even when a potential difference occurs between the adjacent wiring electrodes 11 (12 to 22), the low
또 한편으로는, 전술한 배선기판(1)에 있어서, 배선영역{11b(12b∼22b)}은 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)}을 따라서 형성된 선형패턴을 갖는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 전술한 작용과 더불어, 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)}을 따 라서 형성된 선형패턴의 영역에서 효과적으로 마이그레이션의 발생을 억제할 수 있다. On the other hand, in the above-described
또 한편으로는, 전술한 배선기판(1)에 있어서, 배선영역(11b(12b∼22b)}은 2개의 배선전극{11(12∼22)}의 각각에 상호 마주 보도록 형성되는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 전술한 작용과 더불어, 배선전극{11(12∼22)}간의 전위차 상태가 어떻게 되더라도, 한 쪽으로부터 다른 쪽(다른 쪽으로부터 한 쪽)을 향하는 금속이온의 이동을 저지할 수 있기 때문에, 효과적으로 마이그레이션의 발생을 방지할 수 있다. On the other hand, in the above-described
또 한편으로는, 전술한 배선기판(1)에 있어서, 배선영역{11b(12b∼22b)}은 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)}의 양측에 형성되는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 전술한 작용과 더불어, 소정의 배선전극{11(12∼22)}의 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)}으로부터 그 양측에 배치된 배선전극을 향하는 금속이온의 이동을 효과적으로 저지할 수 있다. On the other hand, in the above-described
또 한편으로는, 전술한 배선기판(1)에 있어서, 배선영역{17b(18b, 19b, 21b, 22b)}은 저저항 배선부분{17a(18a, 19a, 21a, 22a)}과 부분적으로 접속되는 접속부{S(S1, S2)}를 갖는 것을 특징으로 한다. On the other hand, in the
이에 의하면, 전술한 작용과 더불어, 배선영역{17b(18b, 19b, 21b, 22b)}과 저저항 배선부분{17a(18a, 19a, 21a, 22a)}이 접속되어 있지 않은 부분에는 양자사이에 간극이 형성되게 되며, 이 간극에 의해 배선전극간에 전위차가 발생한 경우에 전위차의 요철부분이 형성되게 된다. 이 전위차의 요철부분에 의해 저저항 배선부분{17a(18a, 19a, 21a, 22a)}에 있어서의 금속이온의 이동을 효과적으로 저지할 수 있다. According to this, in addition to the above-described operation, the portions where the
또 한편으로는, 전술한 배선기판(1)에 있어서, 접속부는 배선전극(18)의 배열방향으로 상호 인접한 접속부(S1, S2)의 위치가 배선전극(18)을 따르는 동렬 위치와 나란하지 않도록 형성되는 것을 특징으로 한다. On the other hand, in the above-mentioned
이에 의하면, 접속부가 동렬로 나란하게 된 경우에는, 그 접속부를 연결한 선상에서는 저저항 배선부분(18a)과 배선영역(18b) 사이의 간극이 형성되지 않게 되며, 이 간극에 의한 금속이온이동 저지효과를 얻을 수 없게 되지만, 접속부가 동렬로 나란하게 되는 것을 피함으로써 저저항 배선부분(18a)과 배선영역(18b) 사이의 간극을 유효하게 형성할 수 있다. According to this, in the case where the connecting portions are arranged side by side, the gap between the low
또 한편으로는, 전술한 배선기판(1)에 있어서, 접속부(S(S1, S2)}는 하나의 배선영역{17b(18b, 19b, 21b, 22b)}에 대하여 복수 형성되는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 저저항 배선부분{17a(18a, 19a, 21a, 22a)}과 배선영역{17b(18b, 19b, 21b, 22b)}을 확실하게 동일 전위로 할 수 있어, 저저항 배선부분{17a(18a, 19a, 21a, 22a)} 주변에 전계 구배(Ea)가 형성되지 않는다. 따라서, 전술한 바와 같이, 효과적으로 마이그레이션의 발생을 방지할 수 있다. On the other hand, in the above-described
또 한편으로는, 전술한 배선기판(1)에 있어서, 배선영역{21b(22b)}은 배선전극{21(22)}을 따라서 부분적으로 형성되는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 특히 마이그레이션이 발생하기 쉬운 부분에 부분적으로 배선영역{21b(22b)}을 형성할 수 있기 때문에, 효과적으로 마이그레이션을 방지할 수있음과 동시에, 배선영역{22a(22b)}을 형성하기 위한 패터닝영역을 좁게 할 수 있게 되기 때문에 공정의 간략화가 가능하다. On the other hand, in the above-described
또 한편으로는, 전술한 배선기판(1)에 있어서, 배선전극{14(15, 16)}은 저저항 배선부분{14a(15a, 16a)}을 형성하는 제1 전극층{14A(15A, 16A)}과 배선영역{14b(15b, 16b)}을 형성하는 제2 전극층{14B(15B1, 15B2, 16B)}을 갖는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 전술한 배선전극{14(15, 16)}을 제1 전극층{14A(15A, 16A)}과 제2 전극층{14B(15B1, 15B2, 16B)}의 적층에 의해 형성할 수 있어 형성이 비교적 용이하다. On the other hand, in the above-described
또 한편으로는, 전술한 배선기판(1)에 있어서, 배선전극{15(16)}은 제1 전극층{15A(16A)}을 제2 전극층{15B2(16B)}으로 덮도록 형성되는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 저저항 배선부분{15a(16a)}과 배선영역{15b(16b)}의 접촉 면적을 넓게 할 수 있게 되기 때문에, 저저항 배선부분{15a(16a)}과 동일 전위의 배선영역{15b(16b)}을 확실하게 형성할 수 있어, 저저항 배선부분{15a(16a)} 주변에 전계 구배(Ea)가 형성되지 않는다. On the other hand, in the above-described
또 한편으로는, 전술한 배선기판(1)에 있어서, 배선전극{14(15)}은 기판(10) 위에 형성된 제2 전극층{14B(15B1)} 위에 직접 또는 다른 층을 매개로 상기 제1 전극층{14A(15A)}을 적층하여 형성하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 저저항 배 선부분{14a(15a)}과 배선영역{14b(15b)}을 갖는 배선전극{14(15)}을 비교적 용이하게 형성할 수 있다. On the other hand, in the above-described
또 한편으로는, 전술한 배선기판(1)에 있어서, 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속은, Ag(은), Cu(구리), Sn(주석), Pb(납) 중 하나 또는 복수이며, 또한, 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)}에는 은팔라듐(AgPd)합금이 함유되어 있는 것을 특징으로 한다. 이들 금속을 함유하는 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)}을 갖는 배선전극{11(12∼22)}에 의해 저저항이며 마이그레이션을 잘 발생시키지 않는 배선기판(1)을 얻을 수 있다. On the other hand, in the above-mentioned
또한, 전술한 배선기판(1)을 형성하는 형성 방법에 의하면, 저저항배선전극을 고밀도로 배선하면서 마이그레이션에 의한 문제점이 잘 발생하지 않는 배선기판을 형성할 수 있기 때문에, 제조품질을 향상시킬 수 있다. In addition, according to the formation method for forming the
또한, 전술한 배선기판(1)을 형성하는 형성 방법에 있어서, 저저항 배선부분{14a(15a, 16a)}을 형성하는 제1 전극층{14A(15A, 16A)}을 성막하여 저저항 배선부분{14a(15a, 16a)}을 패터닝하는 공정과, 배선영역{14b(15b, 16b)}을 형성하는 제2 전극층{14B(15B1, 15B2, 16B)}을 성막하여 배선영역{14b(15b, 16b)}을 패터닝하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하며, 또한, 기판(10) 위에 배선영역{14b(15b)}을 형성하는 제2 전극층{14B(15B1)}을 성막하여 배선영역{14b(15b)}을 패터닝하는 공정 후, 제2 전극층{14B(15B1)} 위에 직접 또는 다른 층을 매개로 저저항 배선부분{14a(15a)}을 형성하는 제1 전극층{14A(15A)}을 성막하여 저저항 배선부분 {14a(15a)}을 패터닝하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 종래부터 행해지고 있는 성막과 패터닝에 의해 배선전극{14(15)}을 형성할 수 있기 때문에, 종래 공정을 활용한 경제적인 제법에 의해 마이그레이션 방지효과가 높은 배선기판을 형성할 수 있다. In the formation method for forming the
또한, 전술한 배선기판(1)을 채용한 유기 EL 패널(100)에 의하면, 저저항의 배선전극을 이용함으로써 유기 EL 소자(30)의 발광특성의 고품질화를 도모할 수 있으며, 고밀도의 배선전극을 이용함으로써 선명도가 높은 화상표시와 패널의 컴팩트화를 실현할 수 있다. 그리고, 이러한 성능향상을 도모한 유기 EL 패널(100)에 있어서도 마이그레이션에 의한 전극간 단락 등의 문제점을 해소할 수 있다.In addition, according to the
본 발명은 보호층에 관계없이 배선전극의 구조만으로 배선전극간의 마이그레이션을 방지한다. The present invention prevents migration between wiring electrodes only by the structure of the wiring electrodes irrespective of the protective layer.
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