KR20060042246A - Wiring board, method of manufacturing the same, and organic el panel - Google Patents

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KR20060042246A KR1020050015871A KR20050015871A KR20060042246A KR 20060042246 A KR20060042246 A KR 20060042246A KR 1020050015871 A KR1020050015871 A KR 1020050015871A KR 20050015871 A KR20050015871 A KR 20050015871A KR 20060042246 A KR20060042246 A KR 20060042246A
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Abstract

본 발명은 보호층에 관계없이 배선전극의 구조만으로 배선전극간의 마이그레이션을 방지한다.The present invention prevents migration between wiring electrodes only by the structure of the wiring electrodes irrespective of the protective layer.

본 발명은 상호 근접한 적어도 2개의 배선전극(11)을 절연성 기판(10) 위에 형성한 배선기판(1)으로서, 배선전극(11)은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분(11a)과, 저저항 배선부분(11a)에 도통하며 저저항 배선부분(11a)과 다른 배선전극 사이의 기판(10) 위에 형성되는 배선영역(11b)을 가지며, 배선영역{11b(12b∼22b)}은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 재료로 형성되어 있다.The present invention provides a wiring substrate 1 having at least two wiring electrodes 11 adjacent to each other on an insulating substrate 10, wherein the wiring electrodes 11 contain a low resistance wiring portion 11a containing a metal which is likely to cause migration. ) And a wiring region 11b which is connected to the low resistance wiring portion 11a and is formed on the substrate 10 between the low resistance wiring portion 11a and the other wiring electrode, and the wiring region {11b (12b to 22b). } Is formed of a material that does not contain metal that is prone to migration.

배선 기판, 유기 EL 패널, 저저항 배선 부분 Wiring board, organic EL panel, low resistance wiring part

Description

배선기판, 배선기판의 형성 방법, 유기 EL 패널{WIRING BOARD, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ORGANIC EL PANEL}WIRING BOARD, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ORGANIC EL PANEL}

도 1은 본 발명의 일실시형태에 관한 배선기판의 구성예를 도시한 설명도(단면도)이다.1 is an explanatory diagram (sectional view) showing a configuration example of a wiring board according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일실시형태에 관한 배선기판의 구성예를 도시한 설명도(단면도)이다.2 is an explanatory diagram (sectional view) showing a structural example of a wiring board according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일실시형태에 관한 배선기판의 구성예를 도시한 설명도(단면도)이다. 3 is an explanatory diagram (sectional view) showing a structural example of a wiring board according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 실시형태에 관한 배선기판의 작용을 도시한 설명도이다. 4 is an explanatory diagram showing the operation of the wiring board according to the embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일실시형태에 관한 배선기판의 구성예를 도시한 설명도(단면도)이다.5 is an explanatory diagram (sectional view) showing a configuration example of a wiring board according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일실시형태에 관한 배선기판의 구성예를 도시한 설명도(단면도)이다.6 is an explanatory diagram (sectional view) showing a configuration example of a wiring board according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 일실시형태에 관한 배선기판의 구성예를 도시한 설명도(단면도)이다.7 is an explanatory diagram (sectional view) showing a configuration example of a wiring board according to an embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 실시형태에 관한 배선기판을 설명하는 설명도로서, 각 배선전극의 패턴예를 도시한 평면도이다.8 is an explanatory diagram illustrating a wiring board according to an embodiment of the present invention, showing a pattern example of each wiring electrode.

도 9는 본 발명의 실시형태에 관한 배선기판을 설명하는 설명도로서, 각 배선전극의 패턴예를 도시한 평면도이다.Fig. 9 is an explanatory diagram illustrating a wiring board according to the embodiment of the present invention, and is a plan view showing a pattern example of each wiring electrode.

도 10은 본 발명의 실시형태에 관한 배선기판을 설명하는 설명도로서, 각 배선전극의 패턴예를 도시한 평면도이다.Fig. 10 is an explanatory diagram for explaining a wiring board according to the embodiment of the present invention, and is a plan view showing a pattern example of each wiring electrode.

도 11은 본 발명의 실시형태에 있어서의 배선전극간의 전위차 상태를 도시한 선도이다.Fig. 11 is a diagram showing the state of potential difference between wiring electrodes in the embodiment of the present invention.

도 12는 본 발명의 실시형태에 관한 배선기판을 설명하는 설명도로서, 각 배선전극의 패턴예를 도시한 평면도이다.12 is an explanatory diagram illustrating a wiring board according to an embodiment of the present invention, showing a pattern example of each wiring electrode.

도 13은 발명의 실시형태에 관한 배선기판을 설명하는 설명도로서, 각 배선전극의 패턴예를 도시한 평면도이다.Fig. 13 is an explanatory diagram illustrating a wiring board according to an embodiment of the invention, which is a plan view showing a pattern example of each wiring electrode.

도 14는 본 발명의 실시형태에 관한 배선기판을 설명하는 설명도로서, 각 배선전극의 패턴예를 도시한 평면도이다.FIG. 14 is an explanatory diagram illustrating a wiring board according to an embodiment of the present invention, showing a pattern example of each wiring electrode. FIG.

도 15는 본 발명의 실시예에 관한 유기 EL 패널을 설명하는 설명도(단면도)이다.15 is an explanatory diagram (sectional view) for explaining an organic EL panel according to an embodiment of the present invention.

도 16은 본 발명의 실시예에 관한 유기 EL 패널을 설명하는 설명도(단면도)이다.16 is an explanatory diagram (sectional view) for explaining an organic EL panel according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of the drawings>

1: 배선기판1: wiring board

10: 기판10: Substrate

11, 121, 122, 131, 132, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22: 배선전극11, 12 1 , 12 2 , 13 1 , 13 2 , 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22: wiring electrode

11a, 12a, 13a, 14a, 15a, 16a, 17a, 18a, 19a, 20a, 21a, 22a: 저저항 배선부분11a, 12a, 13a, 14a, 15a, 16a, 17a, 18a, 19a, 20a, 21a, 22a: low resistance wiring portion

11b, 12b, 13b, 14b, 15b, 16b, 17b, 18b, 19b, 20b, 21b, 22b: 배선영역11b, 12b, 13b, 14b, 15b, 16b, 17b, 18b, 19b, 20b, 21b, 22b: wiring area

14A, 15A, 16A: 제1 전극층14A, 15A, 16A: first electrode layer

14B, 15B1, 15B2, 16B: 제2 전극층14B, 15B 1 , 15B 2 , and 16B: second electrode layer

S, S1, S2: 접속부 S, S 1 , S 2 : Connection

Ea: 전계 구배Ea: electric field gradient

100: 유기 EL 패널100: organic EL panel

30: 유기 EL 소자30: organic EL element

31: 제1 전극31: first electrode

32: 제2 전극32: second electrode

33: 유기재료층33: organic material layer

34: 절연층34: insulation layer

35: 음극칸막이벽35: cathode partition wall

40: 밀봉부재40: sealing member

40S: 밀봉공간40S: sealed space

41: 접착층41: adhesive layer

42: 건조제42: desiccant

본 발명은 배선기판, 배선기판의 형성 방법, 유기 EL 패널에 관한 것이다.The present invention relates to a wiring board, a method of forming a wiring board, and an organic EL panel.

최근, 전자기기 또는 전자부품의 소형화 및 고성능화의 요구에 부응하기 위하여 배선의 고밀도화, 저저항화가 진행되고 있지만, 이것에 맞추어 마이그레이션에 의한 성능 저하나 고장 문제가 현저하게 대두되어 왔다. 여기서 말하는 마이그레이션이란 배선전극을 형성하는 금속(금속이온)이 인접한 배선전극 사이에 형성되는 전계에 의해서 절연기판의 표면 또는 내부에서 경시적(經時的)으로 이동하여 전기적으로 절연되어 있어야 할 배선전극간을 도통시켜 버리는 현상을 말한다.In recent years, in order to meet the demand for miniaturization and high performance of electronic devices or electronic parts, wiring densification and low resistance have been progressed, but accordingly, problems of performance deterioration and failure due to migration have emerged remarkably. The term migration refers to a wiring electrode which must be electrically insulated from time or time on the surface or inside of the insulating substrate by a metal (metal ion) forming the wiring electrode formed between the adjacent wiring electrodes. Refers to the phenomenon of conducting the liver.

이 마이그레이션은 배선전극간이 근접하여 있고, 저저항재료로서 알려져 있는 은(Ag), 구리(Cu), 주석(Sn), 납(Pb) 등의 금속 또는 이들 금속을 함유하는 합금을 전극재료로서 이용하는 경우에 발생하기 쉽다는 것이 확인되어 있다. 따라서, 배선전극의 고밀도화와 저저항화(고성능화)를 증대시키고자 할 때에, 마이그레이션의 방지는 피하여 지나칠 수 없는 중요한 과제로 되어 있다.This migration uses metals such as silver (Ag), copper (Cu), tin (Sn), lead (Pb), or alloys containing these metals as electrode materials, which are close to each other, and are known as low resistance materials. It is confirmed that it is easy to generate | occur | produce in a case. Therefore, when attempting to increase the density of wiring electrodes and increase the resistance (high performance), preventing migration is an important problem that cannot be avoided.

그리고, 선명도가 높은 화상표시를 목표로 개발이 진행되고 있는 표시장치에 있어서는, 각 화소를 구동하기 위해서 인출된 배선전극을 고밀도화하는 경향에 있다. 또한 특히, 유기 EL 패널과 같은 전류구동의 표시패널에서는, 구동전류의 대소에 따라서 발광특성이 변화되어 버려 표시성능에 큰 영향을 부여하기 때문에, 표시성능을 향상시키기 위해서는 배선전극을 저저항으로 할 필요가 있다. 이 때문에, 유기 EL 패널에 있어서는, 고밀도화된 배선전극에 은팔라듐(AgPd)합금 등의 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 저저항재료의 이용이 이루어지고 있고, 전술한 마이그레이션을 방지하는 것이 유기 EL 패널에 있어서의 중요한 과제로 되어 있다.[0004] In the display device, which is being developed for the purpose of displaying images with high clarity, there is a tendency to increase the density of the drawn wiring electrodes for driving each pixel. In particular, in a display panel of a current drive such as an organic EL panel, the light emission characteristics change depending on the magnitude of the driving current, which greatly affects the display performance. Therefore, in order to improve the display performance, the wiring electrode should be made low resistance. There is a need. For this reason, in an organic EL panel, the use of the low resistance material which is easy to generate | occur | produce migration, such as a silver palladium (AgPd) alloy, is made to the densified wiring electrode, and it is what prevents the migration mentioned above in an organic EL panel. It is an important task.

마이그레이션의 방지책으로서는 각종 제안이 이루어져 있다. 예컨대 하기 특허문헌 1, 2에 있어서는, 배선기판의 상면에 은, 알루미늄 또는 이들 금속의 합금을 함유하는 복수개의 배선도체를 10??m∼100??m의 간격을 둑고 병설함과 동시에, 이들 배선도체를 에폭시수지를 주성분으로 하는 절연성 보호층으로 공통적으로 피복하며, 이 보호층 속에 0.5??m∼5.0??m의 특정수지필러를 특정배분으로 함유시키는 것이 개시되어 있다.Various proposals are made to prevent migration. For example, in the following Patent Documents 1 and 2, a plurality of wiring conductors containing silver, aluminum, or an alloy of these metals are provided on the upper surface of the wiring board at intervals of 10 ?? m to 100 ?? m, and these It is disclosed that the wiring conductor is commonly covered with an insulating protective layer containing epoxy resin as a main component, and the protective layer contains 0.5 ~ m ~ 5.0 ?? m specific resin filler in a specific distribution.

(특허문헌 1) 특허공개2001-237523호공보(Patent Document 1) Patent Publication No. 2001-237523

(특허문헌 2) 특허공개2001-339143호공보(Patent Document 2) Patent Publication No. 2001-339143

전술한 종래 기술에 의하면, 보호층 내에서 특정수지필러를 특정배분으로 함유시킬 필요가 있기 때문에, 보호층의 형성이 번거로운 동시에 고비용으로 되어 버린다고 하는 문제가 있다.According to the above-mentioned prior art, since it is necessary to contain a specific resin filler in a specific distribution in the protective layer, there is a problem that the formation of the protective layer is cumbersome and expensive.

또한, 최근 연구에서는, 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속{은(Ag), 구리(Cu), 주석(Sn), 납(Pb)등}과 절연성재료가 직접 접촉하는 것이 마이그레이션의 발생 요인 중 하나라고 말하여지고 있으며, 절연성 보호층에 의해 배선전극을 덮는 것이 효과적인 마이그레이션의 방지책이 되지 않는다는 것도 염려되고 있다.In addition, recent studies say that direct contact between metals that are susceptible to migration {silver (Ag), copper (Cu), tin (Sn), lead (Pb), etc.) and insulating materials is one of the causes of migration. It is also concerned that covering the wiring electrode with the insulating protective layer does not prevent effective migration.

본 발명은, 이러한 문제에 대처하는 것을 과제의 일례로 하는 것이다. 즉, 번잡한 보호층의 형성을 행하지 않고, 배선전극의 구조만으로 확실하게 배선전극간의 마이그레이션을 방지하는 것, 또한 마이그레이션의 방지에 의해 유기 EL 패널 등의 표시장치의 고성능화를 달성할 수 있는 것 등이 본 발명의 목적이다.This invention makes it an example of a subject to cope with such a problem. That is, it is possible to reliably prevent migration between the wiring electrodes only by the structure of the wiring electrodes without forming a complicated protective layer, and to achieve high performance of display devices such as organic EL panels by preventing the migration. This is an object of the present invention.

이러한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 이하의 각 독립청구항에 관한 구성을 적어도 구비하는 것이다.In order to achieve such an object, the present invention includes at least the configuration of each of the following independent claims.

[청구항 1] 상호 근접한 적어도 2개의 배선전극을 절연성 기판 위에 형성한 배선기판으로서, 상기 배선전극 중 적어도 한 쪽은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분과, 상기 저저항 배선부분에 도통하며 적어도 상기 저저항 배선부분과 다른 배선전극 사이의 상기 기판 위에 형성되는 배선영역을 가지며, 상기 배선영역은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 것을 특징으로 하는 배선기판.Claim 1 A wiring board having at least two wiring electrodes adjacent to each other formed on an insulating substrate, wherein at least one of the wiring electrodes includes a low resistance wiring portion containing a metal that is likely to cause migration and a low resistance wiring portion. And a wiring region that is conductive and is formed on the substrate between at least the low resistance wiring portion and another wiring electrode, wherein the wiring region does not contain a metal that is likely to cause migration.

[청구항 15] 상호 근접한 적어도 2개의 배선전극을 절연성 기판 위에 형성한 배선기판의 형성 방법으로서, 상기 배선전극 중 적어도 한 쪽에는 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분이 형성됨과 동시에, 적어도 상기 저저항 배선부분과 다른 배선전극 사이의 상기 기판 위에 상기 저저항 배선부분에 도통하는 배선영역이 형성되며, 상기 배선영역은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 배선기판의 형성 방법.15. A method of forming a wiring board in which at least two wiring electrodes adjacent to each other are formed on an insulating substrate, wherein at least one of the wiring electrodes is formed with a low resistance wiring portion containing a metal that is likely to cause migration. At least a wiring region conductive to the low resistance wiring portion is formed on the substrate between the low resistance wiring portion and another wiring electrode, and the wiring region is formed of a material that does not contain metal that is likely to cause migration. A method of forming a wiring board.

[청구항 18] 한 쌍의 전극 사이에 유기발광기능층을 포함하는 유기재료층을 유지하여 절연성 기판 위에 복수의 유기 EL 소자를 형성하고, 상기 한 쌍의 전극으로부터 인출된 배선전극을 상기 기판 위에 형성한 유기 EL 패널로서, 상기 배선전극은 상호 근접한 적어도 2개의 배선전극을 가지며, 상기 배선전극 중 적어도 한 쪽은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분과, 상기 저저항 배선부분에 도통하며 적어도 상기 저저항 배선부분과 다른 배선전극 사이의 상기 기판 위에 형성되는 배선영역을 가지며, 상기 배선영역은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 것을 특징으로 하는 유기 EL 패널. [Claim 18] A plurality of organic EL elements are formed on an insulating substrate by holding an organic material layer including an organic light emitting functional layer between a pair of electrodes, and wiring wires drawn from the pair of electrodes are formed on the substrate. An organic EL panel, wherein the wiring electrodes have at least two wiring electrodes adjacent to each other, and at least one of the wiring electrodes is electrically connected to the low resistance wiring portion and the low resistance wiring portion containing a metal that is likely to cause migration. And at least a wiring region formed on the substrate between the low resistance wiring portion and another wiring electrode, wherein the wiring region does not contain a metal that is likely to cause migration.

이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 설명한다. 도 1∼3, 도 5∼7은 본 발명의 일실시형태에 관한 배선기판의 구성예를 도시한 설명도(단면도)이다. 이들 도면에 도시한 배선기판(1)은 상호 근접한 적어도 2개의 배선전극을 절연성 기판(10) 위에 형성한 것이다. 이하의 설명에서는, 2개의 배선전극을 도시하여 설명하고 있는데, 이에 기초하여 다수개의 배선전극을 동일하게 설명할 수 있음은 물론이다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described with reference to drawings. 1-3 and 5-7 are explanatory drawing (sectional drawing) which shows the structural example of the wiring board which concerns on one Embodiment of this invention. In the wiring board 1 shown in these figures, at least two wiring electrodes adjacent to each other are formed on the insulating substrate 10. In the following description, two wiring electrodes are shown and described, and of course, the plurality of wiring electrodes can be described in the same manner.

그리고, 본 발명의 실시형태에서는, 도 1에 도시한 바와 같이, 이 배선기판(1)에 있어서의 배선전극(11, 11) 중 적어도 한 쪽은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속{예컨대, Ag(은), Cu(구리), Sn(주석), Pb(납) 중 하나 또는 복수}이 함유되는 저저항 배선부분(11a)과, 이 저저항 배선부분(11a)에 도통하며 적어도 저저항 배선부분(11a)과 다른 배선전극 사이의 기판(10) 위에 형성되는 배선영역(11b)을 가지며, 이 배선영역(11b)은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 것을 특징으로 한다. 도 1의 실시형태에서는, 양 배선전극(11, 11)에 배 선영역(11b)을 마련하고 있지만, 이것으로 한정되지 않고, 배선전극(11, 11) 중 한 쪽에 배선영역(11b)을 마련한 것이어도 좋다. In the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1, at least one of the wiring electrodes 11 and 11 in the wiring board 1 is formed of a metal that is likely to cause migration {eg, Ag (silver ), Cu (copper), Sn (tin), Pb (lead), or a low resistance wiring portion 11a containing one or more thereof; It has a wiring region 11b formed on the substrate 10 between 11a) and another wiring electrode, and the wiring region 11b is characterized in that it does not contain metal that is likely to cause migration. Although the wiring area | region 11b is provided in the both wiring electrodes 11 and 11 in embodiment of FIG. 1, it is not limited to this, The wiring area | region 11b was provided in one of the wiring electrodes 11,11. It may be.

도 2 및 도 3은 본 발명의 실시형태에 관한 배선기판(1)의 변형예를 도시한 것이다. 본 발명의 실시형태에 관한 배선기판(1)은 도 2에 도시한 바와 같이, 양 배선전극(121, 122)에 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분(12a)과 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 배선영역(12b)을 마련하고, 이 배선영역(12b)을 저저항 배선부분(12a)에 대하여 동일 방향으로 그 한 쪽에만 마련하도록 하여도 좋고, 혹은, 도 3에 도시한 바와 같이, 양 배선전극(131, 132)에 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분(13a)과 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 배선영역(13b)을 마련하고, 이 배선영역(13b)을 저저항 배선부분(13a)에 대하여 다른 쪽 방향으로 한 쪽에만 마련하여, 배선영역(13b)이 2개의 배선전극(131, 132) 사이에서 각각 상호 마주 보게 형성하도록 하여도 좋다. 2 and 3 show a modification of the wiring board 1 according to the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, the wiring board 1 according to the embodiment of the present invention includes the low-resistance wiring portion 12a and the migration, in which both wiring electrodes 12 1 and 12 2 contain a metal that is likely to cause migration. The wiring area 12b which does not contain the metal which is easy to generate | occur | produce this may be provided, and this wiring area | region 12b may be provided only in the one direction in the same direction with respect to the low resistance wiring part 12a, or As shown in Fig. 3, both the wiring electrodes 13 1 and 13 2 contain a low resistance wiring portion 13a containing a metal that is likely to cause migration and a wiring region that does not contain a metal that is likely to cause migration. 13b), and the wiring region 13b is provided only on one side in the other direction with respect to the low resistance wiring portion 13a, so that the wiring region 13b is formed between the two wiring electrodes 13 1 and 13 2 . To form mutually opposite You may also do it.

도 4는 이러한 실시형태에 관한 배선기판(1)의 작용을 도시한 설명도로서, 배선전극(11, 11)간의 전위차상태를 도시한 선도이다. 이러한 실시형태에 관한 배선기판(1)에서는, 도시한 바와 같이, 2개의 배선전극(11, 11)간에 전위차가 발생한 경우에도, 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분(11a)과 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 배선영역(11b)이 동일 전위로 됨으로써 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속의 금속이온(예컨대, Ag+)이 배선전극(11, 11)간의 전계 구배(Ea)에 관계되지 않는다. 따라서, 전계 구배(Ea)에 따른 금속이온의 이동을 억제할 수 있게 되어, 마이그레이션 현상을 효과적으로 방지할 수 있다. 이 작용은, 도 3에 도시한 실시형태에 있어서의 배선전극(131, 132)간에도 마찬가지이다. FIG. 4 is an explanatory diagram showing the action of the wiring board 1 according to this embodiment, which is a diagram showing the potential difference state between the wiring electrodes 11 and 11. In the wiring board 1 according to this embodiment, as shown in the figure, even when a potential difference occurs between the two wiring electrodes 11 and 11, a low resistance wiring portion 11a containing a metal that is likely to cause migration and Since the wiring region 11b which does not contain the metal that is likely to migrate is brought to the same potential, metal ions (eg, Ag +) of the metal that are likely to cause migration are transferred to the electric field gradient Ea between the wiring electrodes 11 and 11. It doesn't matter. Therefore, the movement of the metal ions due to the electric field gradient Ea can be suppressed, and the migration phenomenon can be effectively prevented. This effect also applies to the wiring electrodes 13 1 and 13 2 in the embodiment shown in FIG. 3.

또한, 도 2에 도시한 실시형태와 같이, 2개의 배선전극(121, 122)에 있어서 각 배선전극의 한 쪽에만 배선영역(12b)이 형성되는 경우에 있어서도, 전술한 바와 같은 작용에 의해 적어도 배선전극(121)쪽에서 배선전극(122)쪽으로 이동하는 금속이온을 억제할 수 있기 때문에, 일정한 마이그레이션 방지 효과를 기대할 수 있다. 또한 양 배선전극(121, 122)간의 전위차 상태가 획일적{상당한 비율로 배선전극측(121)이 고전위}인 경우 등에는, 이러한 배선영역(12b)의 배치만으로도 효과적으로 마이그레이션 현상을 방지할 수 있다. Also, as in the embodiment shown in Fig. 2, even in the case where the wiring region 12b is formed in only one side of each wiring electrode in the two wiring electrodes 12 1 and 12 2 , the above-described operation is performed. Since at least the metal ions moving from the wiring electrode 12 1 toward the wiring electrode 12 2 can be suppressed, a certain migration prevention effect can be expected. In addition, in the case where the potential difference between the wiring electrodes 12 1 and 12 2 is uniform (the wiring electrode side 12 1 is at a high ratio at a high ratio), the migration phenomenon can be effectively prevented only by arranging such wiring regions 12b. can do.

도 5∼도 7은 본 발명의 더욱 구체적인 실시형태를 도시한 설명도(단면도)이다. 이들 실시형태에서는, 전술한 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분(14a, 15a, 16a)을 제1 전극층(14A, 15A, 16A)에 형성하고 있고, 전술한 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 배선영역(14b, 15b, 16b)을 제2 전극층(14B, 15B1, 15B2, 16B)에 형성하고 있다. 5-7 is explanatory drawing (sectional drawing) which shows more specific embodiment of this invention. In these embodiments, the low-resistance wiring portions 14a, 15a, and 16a containing the metals that tend to generate the migration described above are formed in the first electrode layers 14A, 15A, and 16A, and the migrations described above are easy to occur. Wiring regions 14b, 15b, and 16b containing no metal are formed in the second electrode layers 14B, 15B 1 , 15B 2 , and 16B.

구체적으로 설명하면, 도 5의 실시형태에 관한 배선기판(1)에서는, 배선전극(14, 14)은 저저항 배선부분(14a)을 형성하는 제1 전극층(14A)과 배선영역(14b)을 형성하는 제2 전극층(14B)을 가지며, 기판(10) 위에 형성된 제2 전극층(14B) 위에 제1 전극층(14A)을 적층하여 형성한 것이다. 또한, 제2 전극층(14B)은 제1 전극층(14A)에 비해서 그 폭을 넓게 형성한 것이다. 도시한 예에서는, 제2 전극층(14B) 위에 직접 제1 전극층(14A)을 적층하고 있지만, 이것으로 한정되지 않고, 제2 전극층(14B)과 제1 전극층(14A) 사이에 다른 층을 매개로 적층한 것이어도 좋다. Specifically, in the wiring board 1 according to the embodiment of FIG. 5, the wiring electrodes 14 and 14 form the first electrode layer 14A and the wiring region 14b forming the low resistance wiring portion 14a. It has the 2nd electrode layer 14B formed, and is formed by laminating | stacking the 1st electrode layer 14A on the 2nd electrode layer 14B formed on the board | substrate 10. FIG. In addition, the width of the second electrode layer 14B is wider than that of the first electrode layer 14A. In the illustrated example, the first electrode layer 14A is directly laminated on the second electrode layer 14B, but is not limited to this, and the second electrode layer 14B is interposed between the second electrode layer 14B and the first electrode layer 14A. It may be a laminate.

또한, 도 6의 실시형태에 관한 배선기판(1)에서는, 배선전극(15, 15)은 기판(10) 위에 형성된 제2 전극층(15B1) 위에 저저항 배선부분(15a)을 형성하는 제1 전극층(15A)을 적층하여 형성한 것까지는 전술한 도 5의 실시형태와 동일하지만, 추가로, 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 제2 전극층(15B2)을 그 위에 적층하여, 제1 전극층(15A)을 제2 전극층(15B2)으로 덮도록 형성하고 있다. In the wiring board 1 according to the embodiment of FIG. 6, the wiring electrodes 15 and 15 are the first to form the low resistance wiring portion 15a on the second electrode layer 15B 1 formed on the substrate 10. an electrode layer (15A) identical to the embodiment of FIG. 5 and up to the lamination to form, but the second electrode layer does not contain the metal easy to cause migration in addition, (15B 2) laminated thereon, the The first electrode layer 15A is formed to cover the second electrode layer 15B 2 .

또한, 도 7의 실시형태에 관한 배선기판(1)에서는, 배선전극(16, 16)은 기판(10) 위에 저저항 배선부분(16a)을 형성하는 제1 전극층(16A)을 형성하고, 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 제2 전극층(16B)을 그 위에 적층하고 있어, 제1 전극층(16A)을 제2 전극층(16B)으로 덮 도록 형성하고 있다. In the wiring board 1 according to the embodiment of FIG. 7, the wiring electrodes 16 and 16 form the first electrode layer 16A forming the low resistance wiring portion 16a on the substrate 10, and migrate. The 2nd electrode layer 16B which does not contain the metal which is easy to generate | occur | produce this is laminated | stacked on it, and the 1st electrode layer 16A is formed so that the 2nd electrode layer 16B may be covered.

이러한 실시형태에서는, 한 쪽 배선전극과 다른 쪽 배선전극에 있어서의 저저항 배선부분(14a, 15a, 16a) 사이의 기판(10) 위에 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 배선영역(14b, 15b, 16b)이 형성되게 되며, 전술한 바와 같이, 양 전극간에 전위차가 발생한 경우에도 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이온의 이동을 억제할 수 있어, 효과적으로 마이그레이션 현상에 의한 배선전극간의 단락 등의 문제점을 방지할 수 있다. In this embodiment, the wiring area 14b which does not contain the metal which tends to generate migration on the board | substrate 10 between the low resistance wiring parts 14a, 15a, and 16a in one wiring electrode and the other wiring electrode. , 15b, and 16b), and as described above, even when a potential difference is generated between the two electrodes, it is possible to suppress the movement of metal ions that are likely to cause migration, and thus, a problem such as short circuit between the wiring electrodes due to migration phenomenon. Can be prevented.

도 8∼10, 도 12∼14는 본 발명의 실시형태에 관한 배선기판을 설명하는 설명도로서, 각 배선전극의 패턴구성을 도시한 평면도이다. 여기에 도시한 배선전극의 패턴구성은, 전술한 배선영역이 전술한 저저항 배선부분을 따라서 형성된 선형패턴을 갖는 구성으로 되어 있지만, 본 발명의 실시형태에서는, 특별히 이것으로 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 나타내는 실시형태의 배선전극은 도 1∼3, 도 5∼7에 도시한 단면구조 중 어느 하나에 따라서 형성할 수 있다. 8 to 10 and 12 to 14 are explanatory views for explaining the wiring board according to the embodiment of the present invention. Although the pattern structure of the wiring electrode shown here has a structure in which the above-mentioned wiring area has the linear pattern formed along the low-resistance wiring part mentioned above, it is not specifically limited to this in embodiment of this invention. In addition, the wiring electrode of embodiment shown below can be formed in accordance with any one of the cross-sectional structures shown to FIGS. 1-3 and FIGS.

도 8에 도시한 실시형태에서는, 배선전극(17)은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분(17a)에 대하여, 이것을 따라서 선형패턴이 형성되고, 이 선형패턴에 의해 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속을 함유하지 않는 배선영역(17b)을 형성하고 있다. 여기서는, 배선영역(17b)이 배선전극(17) 사이에서 상호 마주 보도록, 또한 저저항 배선부분(17a)과 평행하게 형성되어 있다. 더욱이, 하나의 배선영역(17b)은 저저항 배선부분(17a)과의 사이에 간극이 형성되어 있고, 저저항 배선부분(17a)과 부분적으로 접속되는 접속부(S)를 복수 가지고 있다. In the embodiment shown in Fig. 8, the wiring electrode 17 is formed with a linear pattern along this with respect to the low resistance wiring portion 17a containing a metal which is likely to cause migration. The wiring area 17b which does not contain the metal which is easy to make is formed. Here, the wiring region 17b is formed so as to face each other between the wiring electrodes 17 and in parallel with the low resistance wiring portion 17a. Further, one wiring region 17b has a gap formed between the low resistance wiring portion 17a and has a plurality of connection portions S partially connected to the low resistance wiring portion 17a.

도 9에 도시한 실시형태에서는, 배선전극(18)은 도 8의 실시형태와 마찬가지로, 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분(18a)에 대하여, 이것을 따라서 선형패턴이 형성되고, 이 선형패턴에 의해 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속을 함유하지 않는 배선영역(18b)을 형성하고 있다. 또한, 배선 영역(18b)이 배선전극(18) 사이에서 상호 마주 보도록, 또한 저저항 배선부분(18a)과 평행하게 형성되어 있다. 더욱이, 배선영역(18b)은 저저항 배선부분(18a)과의 사이에 간극이 형성되어 있고, 저저항 배선부분(18a)과 부분적으로 접속되는 접속부(S1, S2)를 가지고 있다. 또한, 배선전극(18)의 배열방향으로 상호 인접한 접속부(S1, S2)의 위치가 배선전극(18)을 따르는 동렬(同列) 위치와 나란하지 않도록 형성되어 있다.In the embodiment shown in Fig. 9, the wiring electrode 18 is formed in the same manner as in the embodiment of Fig. 8 with respect to the low resistance wiring portion 18a containing a metal which is likely to cause migration. By this linear pattern, the wiring area 18b which does not contain the metal which tends to generate migration is formed. Further, the wiring region 18b is formed so as to face each other between the wiring electrodes 18 and in parallel with the low resistance wiring portion 18a. Further, the wiring region 18b has a gap formed between the low resistance wiring portion 18a and has connection portions S 1 and S 2 partially connected to the low resistance wiring portion 18a. Further, the positions of the connecting portions S 1 and S 2 adjacent to each other in the arrangement direction of the wiring electrode 18 are formed so as not to be parallel to the same position along the wiring electrode 18.

도 10에 도시한 실시형태에서는, 배선전극(19)은 도 8 및 도 9의 실시형태와 마찬가지로, 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분(19a)에 대하여, 이것을 따라서 선형패턴이 형성되고, 이 선형패턴에 의해 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속을 함유하지 않는 배선영역(19b)을 형성하고 있다. 여기서는, 배선영역(19b)이 배선전극(19) 사이에서 저저항 배선부분(19a)의 한 쪽에만 형성되어 있다. 또한, 배선영역(19b)은 저저항 배선부분(19a)과의 사이에 간극이 형성되어 있고, 저저항 배선부분(19a)과 부분적으로 접속되는 접속부(S)를 가지고 있다. In the embodiment shown in Fig. 10, the wiring electrode 19 is similar to the embodiment of Figs. 8 and 9 with respect to the low-resistance wiring portion 19a containing a metal that is likely to cause migration. The wiring region 19b is formed which does not contain a metal that is likely to cause migration by the linear pattern. Here, the wiring region 19b is formed only on one side of the low resistance wiring portion 19a between the wiring electrodes 19. The wiring region 19b has a gap formed between the low resistance wiring portion 19a and has a connecting portion S that is partially connected to the low resistance wiring portion 19a.

도 11은 이러한 실시형태에 있어서의 배선전극간의 전위차상태를 도시한 선도이다. 이러한 실시형태에 있어서 배선전극간에 전위차가 발생한 경우에는, 예컨대, 도 8에 있어서의 X1-X1선상의 전위차 상태는 도 4에 도시한 상태와 동일하게 되지만, 도 8에 있어서의 X2-X2선상의 전위차 상태는, 도 11(a)와 같이 되며, 도 9에 있어서의 X3-X3선상의 전위차 상태는 도 11(b)와 같이 된다{도 11(a)에 있어서는 좌측의 배선전극이 고전위가 된 상태를 나타내고 있고, 도 11(b)에 있어서는 우측의 배선전극이 고전위가 된 상태를 나타내고 있다.}. Fig. 11 is a diagram showing the potential difference state between wiring electrodes in this embodiment. In this embodiment, when a potential difference occurs between the wiring electrodes, for example, the state of potential difference on the X 1 -X 1 line in FIG. 8 becomes the same as that shown in FIG. 4, but X 2 -in FIG. The potential difference state on the X 2 line is as shown in FIG. 11 (a), and the potential difference state on the X 3 -X 3 line in FIG. 9 is as shown in FIG. 11 (b) (in FIG. The wiring electrode is in a high potential state, and in FIG. 11B, the wiring electrode on the right side is in a high potential state.}.

즉, 이들 부분(X2-X2선상 또는 X3-X3선상)에 있어서의 전위차 상태는, 저저항 배선부분(17a)(또는 18a)과 배선영역(17b)(또는 18b)은 등전위가 되지만, 양자의 간극에 의해 전위의 요철부분이 형성되게 되며, 저저항 배선부분(17a)(또는 18a)에 있어서의 금속이온(예컨대, Ag+)은 이러한 전위차의 요철부분에 의해 이동이 억제되게 된다. 이에 의해 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이온이 배선전극{17(18)}간의 전계 구배(Ea)에 관계되지 않게 되어, 마이그레이션 현상을 효과적으로 방지할 수 있다.In other words, the potential difference between these portions (X 2 -X 2 or X 3 -X 3 ) is equal to that of the low resistance wiring portion 17a (or 18a) and the wiring region 17b (or 18b). However, the gap between both forms an uneven portion of the potential, and the metal ions (eg, Ag +) in the low resistance wiring portion 17a (or 18a) are suppressed by the uneven portion of the potential difference. . Thereby, the metal ion which tends to generate migration becomes irrelevant to the electric field gradient Ea between the wiring electrodes 17 (18), and migration phenomenon can be prevented effectively.

도 8∼도 10에 도시한 실시형태에서는, 모두 저저항 배선부분(17a∼19a)과 배선영역(17b∼19b) 사이에 간격을 형성한 것을 나타내고 있지만, 본 발명의 실시형태에 관한 배선영역의 선형패턴은 이것으로 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 12에 도시한 바와 같이, 배선전극(20)을 저저항 배선부분(20a)과 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속을 함유하지 않는 배선영역(20b)으로 형성하고, 저저항 배선부분(20a)과 배선영역(20b)이 넓은 영역에서 도통하고 있는 것으로 하여도 좋다. 이 경우에는, 저저항 배선부분(20a)이 넓은 범위에서 도 4에서 도시한 작용을 얻을 수 있게 된다.In the embodiment shown in Figs. 8 to 10, all have shown that a gap is formed between the low resistance wiring portions 17a to 19a and the wiring regions 17b to 19b. The linear pattern is not limited to this. For example, as shown in FIG. 12, the wiring electrode 20 is formed of the low resistance wiring portion 20a and the wiring region 20b containing no metal which is likely to cause migration, and the low resistance wiring portion 20a. And wiring region 20b may be conducting in a wide region. In this case, the low-resistance wiring portion 20a can obtain the action shown in Fig. 4 in a wide range.

또한, 도 8∼도 10에 도시한 실시형태에서는, 저저항 배선부분(17a∼19a)과 배선영역(17b∼19b)과의 접속부를 하나의 배선영역에 대하여 복수 형성한 것을 나타내고 있지만, 이것으로 한정되지 않고, 접속부를 하나의 배선영역에 대하여 한군데 마련하는 것이어도 좋다.8 to 10 show that a plurality of connection portions between the low resistance wiring portions 17a to 19a and the wiring regions 17b to 19b are formed in one wiring region. It is not limited, It may provide one connection part with respect to one wiring area.

도 13 및 도 14는 배선전극의 패턴구성에 관한 다른 실시형태를 도시한 설명도이다. 이들 실시형태에서는, 배선전극{21(22)}을 저저항 배선부분{21a(22a)}과 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속을 함유하지 않는 배선영역{21b(22b)}으로 형성하고, 배선영역{21b(22b)}을 선형패턴으로 저저항 배선부분{21a(22a)}을 따라서 형성하고 있다는 점에서는, 전술한 실시형태와 동일하지만, 이 실시형태는, 배선영역{21b(22b)}을 배선전극{21(22)}을 따라서 부분적으로 형성한 것이다.13 and 14 are explanatory views showing another embodiment of the pattern configuration of the wiring electrodes. In these embodiments, the wiring electrode 21 (22) is formed of the low resistance wiring portion 21a (22a) and the wiring region {21b (22b)} which does not contain a metal that is likely to cause migration, and the wiring region { 21b (22b)} is formed in a linear pattern along the low resistance wiring portion 21a (22a), which is the same as the above-described embodiment, but this embodiment wires the wiring area {21b (22b)}. It is formed partially along the electrode {21 (22)}.

즉, 이 실시형태에서는, 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속을 함유하지 않는 배선영역{21b(22b)}을 선택한 부분에만 형성할 수 있으며, 특히 마이그레이션이 발생하기 쉬운 부분을 선택하여 거기에 배선영역{21b(22b)}을 형성할 수 있다. 마이그레이션이 발생하기 쉬운 부분으로서는, 접착제를 사용하는 부분 등을 예로 들 수 있다. 도 13 및 도 14의 예에서는, 배선전극{21(22)}이 형성된 기판 위에 밀봉기판 등을 접합시키는 접착영역(M)의 띠형부분에 맞추어 부분적으로 배선영역{21b(22b)}을 형성한 예를 도시하고 있다. That is, in this embodiment, the wiring area | region {21b (22b)} which does not contain the metal which is easy to generate | occur | produce migration can be formed only in the part which selected, especially the part which is easy to generate | occur | produce migration, and selects the wiring area | region {21b] in it. (22b)} can be formed. As a part which migration is easy to produce, the part using an adhesive agent, etc. are mentioned. In the examples of FIGS. 13 and 14, the wiring regions 21b (22b) are partially formed in accordance with the strip-shaped portions of the bonding regions M for joining the sealing substrate or the like on the substrate on which the wiring electrodes 21 (22) are formed. An example is shown.

또한, 도 13에 도시한 실시형태는, 저저항 배선부분(21a)의 폭을 균일하게 하고, 그 양쪽 또는 한 쪽에 배선영역(21b)을 형성한 예를 도시하고 있고, 도 14에 도시한 실시형태에서는, 배선영역(22b)이 형성되는 부분에 있어서 저저항 배선부분(22a)의 폭을 좁게 하여, 배선전극(22)의 전체에 걸쳐 거의 폭이 균일하게 되도록 형성한 예를 나타내고 있다. 이러한 실시형태에 의하면, 배선영역(22a, 22b)을 형성하기 위한 패터닝영역을 좁게 할 수 있기 때문에 공정의 간략화가 가능하다. 13 shows an example in which the width of the low resistance wiring portion 21a is made uniform, and the wiring region 21b is formed on both or one side thereof, and the embodiment shown in FIG. In the form, the width | variety of the low resistance wiring part 22a is narrowed in the part in which the wiring area | region 22b is formed, and the example formed so that the width | variety may become uniform over the whole wiring electrode 22 is shown. According to this embodiment, since the patterning area for forming the wiring areas 22a and 22b can be narrowed, the process can be simplified.

전술한 본 발명의 실시형태에 관한 배선기판(1)의 형성 방법은 여러가지 방법으로 실시가능하다. 요컨대, 배선전극에 대하여 전술한 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분과 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속을 함유하지 않는 배선영역을 형성하는 방법이라면 어떠한 형성 방법이어도 좋다. The formation method of the wiring board 1 which concerns on embodiment of this invention mentioned above can be implemented by various methods. In other words, any formation method may be used as long as it forms a low-resistance wiring portion containing a metal that is likely to generate migration described above and a wiring region that does not contain a metal that is likely to cause migration.

도 5∼도 7에 도시한 실시형태를 대상으로 하여 형성 방법의 구체예를 설명하면, 저저항 배선부분(14a, 15a, 16a)을 형성하는 제1 전극층(14A, 15A, 16A)을 성막하여 이 저저항 배선부분(14a, 15a, 16a)을 패터닝하는 공정과, 배선영역(14b, 15b, 16b)을 형성하는 제2 전극층(14B, 15B, 16B)을 성막하여 이 배선영역(14b, 15b, 16b)을 패터닝하는 공정을 갖는다.A specific example of the formation method will be described with reference to the embodiments shown in FIGS. 5 to 7 by forming the first electrode layers 14A, 15A, and 16A forming the low resistance wiring portions 14a, 15a, and 16a. Patterning the low resistance wiring portions 14a, 15a, and 16a, and forming the second electrode layers 14B, 15B, and 16B forming the wiring regions 14b, 15b, and 16b to form the wiring regions 14b and 15b. , 16b).

도 5의 실시형태에 있어서는, 기판(10) 위에 제2 전극층(14B)을 성막하여 배선영역(14b)을 패터닝하는 공정 후, 제2 전극층(14B) 위에 직접 또는 다른 층을 매개로 제1 전극층(14A)을 성막하여 저저항 배선부분(14a)을 패터닝함으로써 형성할 수 있다.In the embodiment of FIG. 5, after forming the second electrode layer 14B on the substrate 10 to pattern the wiring region 14b, the first electrode layer is directly on the second electrode layer 14B or via another layer. The film can be formed by forming the low-resistance wiring portion 14a by forming the film 14A.

도 6의 실시형태에 있어서는, 기판(10) 위에 제2 전극층(15B1)을 성막하여 배선영역(15b)을 패터닝하는 공정 후, 제2 전극층(15B1) 위에 직접 또는 다른 층을 매개로 제1 전극층(15A)을 성막하여 저저항 배선부분(15a)을 패터닝하고, 추가로 제2 전극층(15B2)을 성막하여 배선영역(15b)을 패터닝함으로써 형성할 수 있다.In the embodiment of FIG. 6, after forming the second electrode layer 15B 1 on the substrate 10 to pattern the wiring region 15b, the second electrode layer 15B 1 is directly formed on the second electrode layer 15B 1 or via another layer. The low resistance wiring portion 15a is patterned by forming the first electrode layer 15A, and the second wiring layer 15B 2 is formed to form the wiring region 15b.

도 7의 실시형태에 있어서는, 기판(10) 위에 제1 전극층(16A)을 성막하여 저저항 배선부분(16a)을 패터닝하는 공정 후, 이 저저항 배선부분(16a)을 덮도록 제2 전극층(16B)을 성막하여 배선영역(16b)을 패터닝함으로써 형성할 수 있다. In the embodiment of FIG. 7, after forming the first electrode layer 16A on the substrate 10 to pattern the low resistance wiring portion 16a, the second electrode layer ( 16B) can be formed by patterning the wiring region 16b.

<실시예><Example>

이하, 본 발명의 일실시예로서, 전술한 실시형태에 관한 배선기판이 적용되는 유기 EL 패널을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태에 관한 배선기판 또는 그 형성 방법은 이하의 용도로 한정되는 것이 아니라, 다른 전자기기나 전자부품에도 널리 적용가능함은 물론이다. Hereinafter, as an example of the present invention, an organic EL panel to which the wiring board according to the above-described embodiment is applied will be described. However, the wiring board or the method for forming the same according to the embodiment of the present invention is not limited to the following uses, but can be widely applied to other electronic devices and electronic components.

도 15 및 도 16은 본 발명의 실시예에 관한 유기 EL 패널을 설명하는 설명도(단면도)이다. 도 15는 도 16에 있어서의 A2-A2 단면도를 도시하고 있으며, 도 16은 도 15에 있어서의 A1-A1단면도를 도시하고 있다.15 and 16 are explanatory diagrams (sectional views) for explaining an organic EL panel according to an embodiment of the present invention. FIG. 15 is a sectional view taken along the line A 2 -A 2 in FIG. 16, and FIG. 16 is a sectional view taken along the line A 1 -A 1 in FIG. 15.

도면에 있어서, 유기 EL 패널(100)의 기본구성은 제1 전극(31)과 제2 전극(32) 사이에 유기발광기능층을 포함하는 유기재료층(33)을 유지하여 기판(10) 위에 복수의 유기 EL 소자(30)를 형성한 것이다. 도시한 예에서는, 기판(10) 위에 실리콘피복층(10a)을 형성하고 있고, 그 위에 형성되는 제1 전극(31)을 ITO 등의 투명전극으로 이루어지는 양극으로 설정하며, 제2 전극(32)을 Al 등의 금속재료로 이루어지는 음극으로 설정하고, 기판(10)측으로부터 광을 추출하는 하부에미션 방식을 구성하고 있다. 또한, 유기재료층(33)으로서는, 정공수송층(33A), 발광층(33B), 전자수송층(33C)의 3층구조의 예를 나타내고 있다. 그리고, 기판(10)과 밀봉부재(40) 를 접착층(41)을 통해 접합시킴으로써 기판(10) 위에 밀봉공간(40S)을 형성하고, 밀봉공간(40S) 내에 유기 EL 소자(30)로 이루어지는 표시부를 형성하고 있다. In the drawing, the basic configuration of the organic EL panel 100 is maintained on the substrate 10 by holding the organic material layer 33 including the organic light emitting functional layer between the first electrode 31 and the second electrode 32. A plurality of organic EL elements 30 are formed. In the illustrated example, the silicon coating layer 10a is formed on the substrate 10, the first electrode 31 formed thereon is set as an anode made of a transparent electrode such as ITO, and the second electrode 32 is set. The lower emission system which sets it as the cathode which consists of metal materials, such as Al, and extracts light from the board | substrate 10 side, is comprised. As the organic material layer 33, an example of a three-layer structure of the hole transport layer 33A, the light emitting layer 33B, and the electron transport layer 33C is shown. Then, by bonding the substrate 10 and the sealing member 40 through the adhesive layer 41, a sealing space 40S is formed on the substrate 10, and the display portion made of the organic EL element 30 in the sealing space 40S. To form.

유기 EL 소자(40)로 이루어지는 표시부는 도시한 예에서는, 제1 전극(31)을 절연층(34)으로 구획함과 동시에, 제2 전극(32)을 음극 칸막이벽(35)에 의해 절연구획하고 있으며, 구획된 제1 전극(31) 밑에 각 유기 EL 소자(30)에 의한 단위표시영역(30R, 30G, 30B)을 형성하고 있다. 또한, 밀봉공간(40S)을 형성하는 밀봉부재(40)의 내면에는 건조수단(42)이 부착되어 습기에 의한 유기 EL 소자(30)의 열화를 방지하고 있다. In the example shown, the display part which consists of organic electroluminescent element 40 partitions the 1st electrode 31 by the insulating layer 34, and also insulates the 2nd electrode 32 by the cathode partition wall 35. The unit display regions 30R, 30G, and 30B by the organic EL elements 30 are formed under the partitioned first electrode 31. In addition, a drying means 42 is attached to the inner surface of the sealing member 40 forming the sealing space 40S to prevent deterioration of the organic EL element 30 due to moisture.

여기서, 도 15는 음극으로 되는 제2 전극(32)의 인출배선전극을 도시하고 있다{여기서는, 이 인출배선전극에 도 5에 도시한 배선전극(14)을 채용한 예를 도시한다.). 제2 전극(32)의 인출배선전극에는 제1 전극(31)과 동일한 재료, 동일한 공정으로 형성되는 배선영역(14b)(도시생략)을 갖는 제2 전극층(14B)이 제1 전극(31)과는 절연층(34)으로 절연된 상태로 패턴형성되어 있다. 제2 전극층(14B)의 인출부분에는 은팔라듐(AgPd: 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 재료)합금 등을 함유하는 저저항 배선부분(14a)을 형성하는 제1 전극층(14A)이 형성되어 있고, 그 위에 추가로, 필요에 따라서 IZO 등의 보호피막(14C)이 형성되고, 제2 전극층(14B), 제1 전극층(14A), 보호피막(14C)으로 이루어지는 배선전극(14)이 형성되어 있다. 그리고, 밀봉공간(40S)의 내측 단부에서 제2 전극(32)의 단부(32a)가 배선전극(14)에 접속되어 있다. Here, FIG. 15 shows the lead-out wiring electrode of the second electrode 32 serving as the cathode (here, an example in which the lead-out wiring electrode 14 shown in FIG. 5 is employed for this lead-out wiring electrode). In the lead-out wiring electrode of the second electrode 32, the second electrode layer 14B having the wiring material 14b (not shown) formed by the same material and the same process as the first electrode 31 is the first electrode 31. The fruit is patterned in the state insulated by the insulating layer 34. At the lead portion of the second electrode layer 14B, a first electrode layer 14A for forming a low resistance wiring portion 14a containing an alloy of silver palladium (AgPd: a material containing a metal that is likely to cause migration) is formed. In addition, a protective film 14C such as IZO is formed thereon, and a wiring electrode 14 made of the second electrode layer 14B, the first electrode layer 14A, and the protective film 14C is formed thereon. It is. The end 32a of the second electrode 32 is connected to the wiring electrode 14 at the inner end of the sealing space 40S.

한편, 도 16은 양극으로 되는 제1 전극(31)의 인출배선전극을 도시하고 있 다. 제1 전극(31)의 인출배선전극에서는, 제1 전극(31)을 연장하여 밀봉공간(40S) 밖으로 인출함으로써 배선전극(31a)을 형성하고 있다. 여기서는, 양극측의 인출배선전극에만 본 발명의 실시형태에 관한 배선전극을 채용하고 있지만, 음극측의 인출배선전극에만 본 발명의 실시형태에 관한 배선전극을 채용하여도 좋고, 양극측, 음극측 모두에 채용하여도 좋다. 또한, 이들 인출배선전극 중에서 특정한 배선전극을 선택하여 본 발명의 실시형태에 관한 배선전극을 채용하여도 좋다. On the other hand, FIG. 16 shows the lead-out wiring electrode of the first electrode 31 serving as an anode. In the lead-out wiring electrode of the first electrode 31, the wiring electrode 31a is formed by extending the first electrode 31 and drawing it out of the sealing space 40S. Here, the wiring electrode according to the embodiment of the present invention is used only for the lead-out wiring electrode on the anode side, but the wiring electrode according to the embodiment of the present invention may be adopted only for the lead-out wiring electrode on the cathode side, and the anode side and the cathode side. You may employ | adopt for all. In addition, a specific wiring electrode may be selected from these lead-out wiring electrodes, and the wiring electrode according to the embodiment of the present invention may be adopted.

또한, 전술한 바와 같이, 배선전극(14)에 있어서의 배선영역(14b)은 1개의 배선전극(14)의 전체 영역에 형성할 수도 있고, 예컨대, 접착영역(M)과 같은 특정부분에만 부분적으로 형성할 수도 있다. In addition, as described above, the wiring region 14b of the wiring electrode 14 may be formed in the entire region of one wiring electrode 14, for example, only partially in a specific portion such as the adhesive region M. FIG. It can also be formed.

이러한 본 발명의 실시예에 관한 유기 EL 패널(100)에 의하면, 음극측(또는, 양극측)으로부터 인출된 배선전극(14)이 근접배치되고, 배선전극(14)의 저저항화를 도모하기 위해서 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분(14a)이 형성된 경우에도, 배선전극(14)의 둘레에 발생한 금속이온(은이온 Ag+)이 이웃하는 배선전극을 향하는 전계 구배 위에 편승하는 일이 없기 때문에, 마이그레이션에 의한 배선전극간의 단락 또는 배선전극에 흐르는 전류의 변동 등의 문제점을 미연에 회피할 수 있다. According to the organic EL panel 100 according to the embodiment of the present invention, the wiring electrodes 14 drawn out from the cathode side (or the anode side) are arranged in close proximity, and the wiring electrode 14 can be reduced in resistance. Even when the low-resistance wiring portion 14a containing a metal that is susceptible to migration is formed, the metal ions (silver ions Ag +) generated around the wiring electrode 14 are piggybacked on the electric field gradient toward the neighboring wiring electrode. Since there is no work, problems such as a short circuit between the wiring electrodes due to migration or a change in the current flowing through the wiring electrodes can be avoided in advance.

이하, 본 발명의 실시예에 관한 유기 EL 패널(100)의 각 구성요소에 관해서 더욱 구체적인 구성을 설명한다. Hereinafter, each component of the organic EL panel 100 according to the embodiment of the present invention will be described in more detail.

a. 기판; a. Board;

유기 EL 패널(100)의 기판(10)으로서는, 투명성을 갖는 평판형, 필름형인 것 이 바람직하며, 재질로서는 유리 또는 플라스틱 등을 이용할 수 있다. As the board | substrate 10 of the organic electroluminescent panel 100, it is preferable that it is flat form and film form which have transparency, and glass, plastic, etc. can be used as a material.

b. 전극; b. electrode;

전술한 실시예에서는, 제1 전극(31)을 양극, 제2 전극(32)을 음극으로 하고, 제1 전극(31)측에서부터 정공수송층(33A), 발광층(33B), 전자수송층(33C)을 적층시키고 있는데, 본질적으로는, 제1 전극(31), 제2 전극(32) 중 어느 쪽을 음극 또는 양극으로 설정하여도 상관없다. 전극재료로서는, 양극은 음극보다 일함수가 높은 재료로 구성되며, 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 백금(Pt) 등의 금속막이나 ITO, IZO 등의 산화금속막 등의 투명도전막이 이용된다. 반대로 음극은 양극보다 일함수가 낮은 재료로 구성되며, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 등의 금속막, 도핑된 폴리아닐린이나 도핑된 폴리페닐렌비닐렌 등의 비정질반도체, Cr2O3, NiO, Mn2O5 등의 산화물을 사용할 수 있다. 또한, 제1 전극(31), 제2 전극(32) 모두 투명한 재료에 의해 구성한 경우에는, 광의 방출측과 반대의 전극측에 반사막을 설치한 구성으로 한다.In the above-described embodiment, the first electrode 31 is the anode, the second electrode 32 is the cathode, and the hole transport layer 33A, the light emitting layer 33B, and the electron transport layer 33C from the first electrode 31 side. In this embodiment, either of the first electrode 31 and the second electrode 32 may be set as a cathode or an anode. As the electrode material, the anode is made of a material having a higher work function than the cathode, and a metal film such as chromium (Cr), molybdenum (Mo), nickel (Ni), platinum (Pt), or a metal oxide film such as ITO, IZO, or the like. The transparent conductive film of is used. On the contrary, the negative electrode is composed of a material having a lower work function than the positive electrode, and includes a metal film such as aluminum (Al) and magnesium (Mg), an amorphous semiconductor such as doped polyaniline or doped polyphenylenevinylene, Cr 2 O 3 and NiO. And oxides such as Mn 2 O 5 can be used. In addition, when both the 1st electrode 31 and the 2nd electrode 32 are comprised by the transparent material, it is set as the structure which provided the reflecting film in the electrode side opposite to the emission side of light.

c. 유기재료층;c. Organic material layer;

유기재료층(33)은 전술한 실시예와 같이, 정공수송층(33A), 발광층(33B), 전자수송층(33C)의 조합이 일반적이지만, 정공수송층(33A), 발광층(33B), 전자수송층(33C)은 각각 1층만이 아니라 복수층 적층하여 마련하여도 좋고, 정공수송층(33A), 전자수송층(33C)에 대해서는, 어느 한 쪽 층을 생략하여도, 양쪽 층을 생략하여도 상관없다. 또한, 정공주입층, 전자주입층 등의 유기재료층을 용도에 따라서 삽입하 는 것도 가능하다. 정공수송층(33A), 발광층(33B), 전자수송층(33C)은 종래부터 사용되고 있는 재료(고분자재료, 저분자재료에 관계없이)를 적절하게 선택할 수 있다. The organic material layer 33 is a combination of the hole transport layer 33A, the light emitting layer 33B, and the electron transport layer 33C as in the above-described embodiment, but the hole transport layer 33A, the light emitting layer 33B, the electron transport layer ( 33C) may be provided not only in one layer but also in plural layers, respectively. For the hole transport layer 33A and the electron transport layer 33C, either layer may be omitted or both layers may be omitted. It is also possible to insert organic material layers such as a hole injection layer and an electron injection layer depending on the application. The hole transport layer 33A, the light emitting layer 33B, and the electron transport layer 33C can be appropriately selected from conventionally used materials (regardless of a high molecular material or a low molecular material).

또한, 발광층(33B)을 형성하는 발광재료로서는, 일중항 여기상태에서 기저(基底)상태로 되돌아갈 때의 발광(형광)을 나타내는 재료, 삼중항 여기상태에서 기저상태로 되돌아갈 때의 발광(인광)을 나타내는 재료 중 어떠한 것이라도 상관없다. As the light emitting material forming the light emitting layer 33B, a material showing light emission (fluorescence) when returning from the singlet excited state to the ground state, and light emission when returning to the ground state from the triplet excited state ( Any of materials exhibiting phosphorescence) may be used.

d. 밀봉부재; d. Sealing member;

유기 EL 패널(100)에 있어서, 유기 EL 소자(30)를 기밀하게 밀봉하기 위한 밀봉부재(40)로서는, 금속제, 유리제, 플라스틱제 등에 의한 판형부재 또는 용기형부재를 이용할 수 있다. 유리제의 밀봉기판에 프레스성형, 에칭, 블러스트처리 등의 가공에 의해 밀봉용 오목부(1단 홈파기, 2단 홈파기에 상관없이)를 형성한 것을 이용할 수도 있고, 또는 평판유리를 사용하여 유리(플라스틱이어도 좋다)제의 스페이서에 의해 기판(10)과의 사이에 밀봉공간(40S)을 형성할 수도 있다. In the organic EL panel 100, a plate member or a container member made of metal, glass, plastic, or the like can be used as the sealing member 40 for hermetically sealing the organic EL element 30. What formed the sealing recessed part (regardless of 1-stage grooving or 2-stage grooving) on glass sealing board by press molding, etching, blasting process, etc., or using flat glass The sealing space 40S can also be formed between the board | substrate 10 with the spacer made of glass (it may be plastic).

e. 접착층; e. Adhesive layer;

유기 EL 패널(100)에 있어서의 접착층(41)을 형성하는 접착제는, 열경화형, 화학경화형(2액 혼합), 광(자외선)경화형 등을 사용할 수 있으며, 재료로서 아크릴수지, 에폭시수지, 폴리에스테르, 폴리올레핀 등을 이용할 수 있다. 특히, 가열처리가 필요없고 순간경화성이 높은 자외선경화형의 에폭시수지제 접착제의 사용이 바람직하다. As the adhesive for forming the adhesive layer 41 in the organic EL panel 100, a thermosetting type, a chemical curing type (2 liquid mixture), a light (ultraviolet) curing type, or the like can be used. As a material, an acrylic resin, an epoxy resin, a poly Ester, polyolefin, etc. can be used. In particular, it is preferable to use an ultraviolet curing epoxy resin adhesive having no heat treatment and high instant curing property.

f. 건조수단; f. Drying means;

건조수단(42)은, 제올라이트, 실리카겔, 카본, 카본나노튜브 등의 물리적건조제, 알칼리금속산화물, 금속할로겐화물, 과산화염소 등의 화학적건조제, 유기금속착체를 톨루엔, 크실렌, 지방족유기용제 등의 석유계용매에 용해한 건조제, 건조제입자를 투명성을 갖는 폴리에틸렌, 폴리이소프렌, 폴리비닐신나에이트 등의 바인더에 분산시킨 건조제에 의해 형성할 수 있다. Drying means 42 is a physical drying agent such as zeolite, silica gel, carbon, carbon nanotube, chemical drying agent such as alkali metal oxide, metal halide, chlorine peroxide, organic metal complexes such as toluene, xylene, aliphatic organic solvents, etc. The desiccant and the desiccant particle | grains melt | dissolved in the system solvent can be formed with the desiccant disperse | distributed to binders, such as polyethylene, polyisoprene, and polyvinyl cinnanate which have transparency.

g. 유기 EL 표시패널의 각종 방식 등; g. Various methods of the organic EL display panel;

본 발명의 실시예가 되는 유기 EL 패널(100)로서는, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 각종 설계변경이 가능하다. 예컨대, 유기 EL 소자(30)의 발광형태는 전술한 실시예와 같이 기판(10)측으로부터 광을 추출하는 하부에미션 방식이어도, 기판(10)과는 반대측으로부터 광을 추출하는 상부에미션 방식이어도 상관없다. 또한, 본 발명의 실시예에 관한 유기 EL 패널(100)은 단색표시이어도 복수색 표시이어도 좋고, 복수색 표시를 실현하기 위해서는, 구분도포 방식을 포함하는 것은 물론이거나와, 백색이나 청색 등의 단색 발광기능층에 칼러 필터나 형광재료에 의한 색변환층을 조합시킨 방식(CF방식, CCM 방식), 단색 발광기능층의 발광영역에 전자파를 조사하거나 하여 복수 발광을 실현하는 방식{포토블리칭(photobleaching) 방식}, 2색 이상의 단위표시영역을 세로로 적층하여 하나의 단위표시영역을 형성한 방식{SOLED(transparent Stacked OLED)방식} 등을 채용할 수 있다. As the organic EL panel 100 serving as an embodiment of the present invention, various design changes can be made without departing from the gist of the present invention. For example, the light emitting form of the organic EL element 30 may be a lower emission method for extracting light from the substrate 10 side as in the above-described embodiment, but an upper emission method for extracting light from the opposite side to the substrate 10. It does not matter. In addition, the organic EL panel 100 according to the embodiment of the present invention may be a monochromatic display or a plural color display. In order to realize the plural color display, the organic EL panel 100 may include a division coating method or a single color such as white or blue. A method in which a color filter or a color conversion layer made of a fluorescent material is combined with a light emitting functional layer (CF method, CCM method), or a method of realizing multiple light emission by irradiating an electromagnetic wave to a light emitting region of a monochromatic light emitting function layer {Photobleaching ( photobleaching), a method in which one unit display region is formed by vertically stacking two or more unit display regions {SOLED (transparent stacked OLED) scheme), and the like.

본 발명의 각 실시형태 또는 실시예의 특징을 정리하면, 이하와 같다(이하의 부호는, 도 1∼도 16의 각 도면에 대응하고 있다. ). The features of each embodiment or example of the present invention are summarized as follows (the following symbols correspond to the drawings of FIGS. 1 to 16).

한편으로는, 상호 근접한 적어도 2개의 배선전극{11(12∼22)}을 절연성 기판(10) 위에 형성한 배선기판(1)으로서, 배선전극{11(12∼22)} 중 적어도 한 쪽은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)}과, 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)}에 도통하며 적어도 상기 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)과 다른 배선전극 사이의 기판(10) 위에 형성되는 배선영역{11b(12b∼22b)}을 가지며, 상기 배선영역{11b(12b∼22b)}은 마이그레이션를 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 것을 특징으로 한다. On the other hand, as the wiring board 1 in which at least two wiring electrodes 11 (12 to 22) adjacent to each other are formed on the insulating substrate 10, at least one of the wiring electrodes 11 (12 to 22) The low resistance wiring portions 11a (12a to 22a) containing metals that tend to cause migration and the low resistance wiring portions 11a (12a to 22a) are connected to at least the low resistance wiring portions 11a (12a to 22a). ) And wiring area | regions 11b (12b-22b) formed on the board | substrate 10 between other wiring electrodes, and the said wiring area | regions 11b (12b-22b) do not contain the metal which is easy to produce migration. It features.

이에 의하면, 근접된 배선전극{11(12∼22)}간에 전위차가 발생한 경우에도, 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)}과 배선영역{11b(12b∼22b)}이 동일 전위로 되어 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)} 주변에 전계 구배(Ea)를 형성하지 않기 때문에, 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)}에 있어서의 금속이온이 배선전극{11(12∼22)}사이의 전계 구배(Ea)에 관계되어 이동하는 일이 없다. 따라서, 배선전극{11(12∼22)}간이 어떠한 전위차 상태로 되더라도 배선영역(11b)이 형성된 배선전극측으로부터 다른 배선전극을 향한 금속이온의 이동을 저지할 수 있다. 이에 의해, 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)}을 포함한 배선전극{11(12∼22)}을 고밀도로 배선한 경우에도, 배선전극의 구조만으로 효과적으로 마이그레이션의 발생을 억제할 수 있다. As a result, even when a potential difference occurs between the adjacent wiring electrodes 11 (12 to 22), the low resistance wiring portions 11a (12a to 22a) and the wiring regions 11b (12b to 22b) become the same potential. Since the electric field gradient Ea is not formed around the low resistance wiring portions 11a (12a to 22a), the metal ion in the low resistance wiring portions 11a (12a to 22a) is the wiring electrode 11 (12 to 12a). 22)} there is no movement relative to the electric field gradient (Ea). Therefore, even when the wiring electrodes 11 (12 to 22) are in any potential difference state, the movement of metal ions from the wiring electrode side on which the wiring region 11b is formed to the other wiring electrodes can be prevented. As a result, even in the case where the wiring electrodes 11 (12 to 22) including the low resistance wiring portions 11a (12a to 22a) containing metals that are likely to migrate are formed at high density, the structure of the wiring electrodes can be effectively used. The occurrence of migration can be suppressed.

또 한편으로는, 전술한 배선기판(1)에 있어서, 배선영역{11b(12b∼22b)}은 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)}을 따라서 형성된 선형패턴을 갖는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 전술한 작용과 더불어, 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)}을 따 라서 형성된 선형패턴의 영역에서 효과적으로 마이그레이션의 발생을 억제할 수 있다. On the other hand, in the above-described wiring board 1, the wiring regions 11b (12b to 22b) have a linear pattern formed along the low resistance wiring portions 11a (12a to 22a). According to this, in addition to the above-described action, it is possible to effectively suppress the occurrence of migration in the region of the linear pattern formed along the low resistance wiring portions 11a (12a to 22a).

또 한편으로는, 전술한 배선기판(1)에 있어서, 배선영역(11b(12b∼22b)}은 2개의 배선전극{11(12∼22)}의 각각에 상호 마주 보도록 형성되는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 전술한 작용과 더불어, 배선전극{11(12∼22)}간의 전위차 상태가 어떻게 되더라도, 한 쪽으로부터 다른 쪽(다른 쪽으로부터 한 쪽)을 향하는 금속이온의 이동을 저지할 수 있기 때문에, 효과적으로 마이그레이션의 발생을 방지할 수 있다. On the other hand, in the above-described wiring board 1, the wiring regions 11b (12b to 22b) are formed so as to face each other of the two wiring electrodes 11 (12 to 22). According to this, in addition to the above-described operation, even if the potential difference state between the wiring electrodes 11 (12 to 22) is changed, the movement of metal ions from one side to the other (one side from the other) can be prevented. Therefore, migration can be prevented effectively.

또 한편으로는, 전술한 배선기판(1)에 있어서, 배선영역{11b(12b∼22b)}은 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)}의 양측에 형성되는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 전술한 작용과 더불어, 소정의 배선전극{11(12∼22)}의 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)}으로부터 그 양측에 배치된 배선전극을 향하는 금속이온의 이동을 효과적으로 저지할 수 있다. On the other hand, in the above-described wiring board 1, the wiring regions 11b (12b to 22b) are formed on both sides of the low resistance wiring portions 11a (12a to 22a). According to this, in addition to the above-described action, the movement of metal ions from the low resistance wiring portions 11a (12a to 22a) of the predetermined wiring electrodes 11 (12 to 22a) toward the wiring electrodes arranged on both sides thereof is effectively performed. You can stop it.

또 한편으로는, 전술한 배선기판(1)에 있어서, 배선영역{17b(18b, 19b, 21b, 22b)}은 저저항 배선부분{17a(18a, 19a, 21a, 22a)}과 부분적으로 접속되는 접속부{S(S1, S2)}를 갖는 것을 특징으로 한다. On the other hand, in the wiring board 1 described above, the wiring regions 17b (18b, 19b, 21b, 22b) are partially connected to the low resistance wiring portions 17a (18a, 19a, 21a, 22a). which it is characterized by having the connecting {S (S 1, S 2 )}.

이에 의하면, 전술한 작용과 더불어, 배선영역{17b(18b, 19b, 21b, 22b)}과 저저항 배선부분{17a(18a, 19a, 21a, 22a)}이 접속되어 있지 않은 부분에는 양자사이에 간극이 형성되게 되며, 이 간극에 의해 배선전극간에 전위차가 발생한 경우에 전위차의 요철부분이 형성되게 된다. 이 전위차의 요철부분에 의해 저저항 배선부분{17a(18a, 19a, 21a, 22a)}에 있어서의 금속이온의 이동을 효과적으로 저지할 수 있다. According to this, in addition to the above-described operation, the portions where the wiring regions 17b (18b, 19b, 21b, 22b) and the low resistance wiring portions 17a (18a, 19a, 21a, 22a) are not connected are connected between the two. A gap is formed, whereby an uneven portion of the potential difference is formed when a potential difference occurs between the wiring electrodes. By the uneven portion of the potential difference, the movement of the metal ions in the low resistance wiring portions 17a (18a, 19a, 21a, 22a) can be effectively prevented.

또 한편으로는, 전술한 배선기판(1)에 있어서, 접속부는 배선전극(18)의 배열방향으로 상호 인접한 접속부(S1, S2)의 위치가 배선전극(18)을 따르는 동렬 위치와 나란하지 않도록 형성되는 것을 특징으로 한다. On the other hand, in the above-mentioned wiring board 1, the connection part is parallel with the same position along the wiring electrode 18 in the position of the connection parts S 1 and S 2 adjacent to each other in the arrangement direction of the wiring electrode 18. Characterized in that not to be formed.

이에 의하면, 접속부가 동렬로 나란하게 된 경우에는, 그 접속부를 연결한 선상에서는 저저항 배선부분(18a)과 배선영역(18b) 사이의 간극이 형성되지 않게 되며, 이 간극에 의한 금속이온이동 저지효과를 얻을 수 없게 되지만, 접속부가 동렬로 나란하게 되는 것을 피함으로써 저저항 배선부분(18a)과 배선영역(18b) 사이의 간극을 유효하게 형성할 수 있다. According to this, in the case where the connecting portions are arranged side by side, the gap between the low resistance wiring portion 18a and the wiring region 18b is not formed on the line connecting the connecting portions, and the metal ion movement is prevented by the gap. Although the effect cannot be obtained, the gap between the low resistance wiring portion 18a and the wiring region 18b can be effectively formed by avoiding the connecting portions in parallel with each other.

또 한편으로는, 전술한 배선기판(1)에 있어서, 접속부(S(S1, S2)}는 하나의 배선영역{17b(18b, 19b, 21b, 22b)}에 대하여 복수 형성되는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 저저항 배선부분{17a(18a, 19a, 21a, 22a)}과 배선영역{17b(18b, 19b, 21b, 22b)}을 확실하게 동일 전위로 할 수 있어, 저저항 배선부분{17a(18a, 19a, 21a, 22a)} 주변에 전계 구배(Ea)가 형성되지 않는다. 따라서, 전술한 바와 같이, 효과적으로 마이그레이션의 발생을 방지할 수 있다. On the other hand, in the above-described wiring board 1, a plurality of connecting portions S (S 1 , S 2 ) are formed for one wiring area 17b (18b, 18b, 19b, 21b, 22b). As a result, the low resistance wiring portions 17a (18a, 19a, 21a, 22a) and the wiring regions 17b (18b, 19b, 21b, 22b) can be reliably set at the same potential, and the low resistance wiring The electric field gradient Ea is not formed around the portion 17a (18a, 19a, 21a, 22a), therefore, as described above, the occurrence of migration can be effectively prevented.

또 한편으로는, 전술한 배선기판(1)에 있어서, 배선영역{21b(22b)}은 배선전극{21(22)}을 따라서 부분적으로 형성되는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 특히 마이그레이션이 발생하기 쉬운 부분에 부분적으로 배선영역{21b(22b)}을 형성할 수 있기 때문에, 효과적으로 마이그레이션을 방지할 수있음과 동시에, 배선영역{22a(22b)}을 형성하기 위한 패터닝영역을 좁게 할 수 있게 되기 때문에 공정의 간략화가 가능하다. On the other hand, in the above-described wiring board 1, the wiring area 21b (22b) is partially formed along the wiring electrode 21 (22). According to this, in particular, since the wiring region 21b (22b) can be formed in a part where migration is likely to occur, the migration can be effectively prevented and the wiring region 22a (22b) is formed. Since the patterning area can be narrowed, the process can be simplified.

또 한편으로는, 전술한 배선기판(1)에 있어서, 배선전극{14(15, 16)}은 저저항 배선부분{14a(15a, 16a)}을 형성하는 제1 전극층{14A(15A, 16A)}과 배선영역{14b(15b, 16b)}을 형성하는 제2 전극층{14B(15B1, 15B2, 16B)}을 갖는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 전술한 배선전극{14(15, 16)}을 제1 전극층{14A(15A, 16A)}과 제2 전극층{14B(15B1, 15B2, 16B)}의 적층에 의해 형성할 수 있어 형성이 비교적 용이하다. On the other hand, in the above-described wiring board 1, the wiring electrodes 14 (15, 16) are formed of the first electrode layers 14A (15A, 16A) forming the low resistance wiring portions 14a (15a, 16a). ) And second electrode layers 14B (15B 1 , 15B 2 , 16B) forming wiring regions 14b (15b, 16b). According to this, the wiring electrode 14 (15, 16) described above can be formed by stacking the first electrode layer 14A (15A, 16A) and the second electrode layer 14B (15B 1 , 15B 2 , 16B). It is relatively easy to form.

또 한편으로는, 전술한 배선기판(1)에 있어서, 배선전극{15(16)}은 제1 전극층{15A(16A)}을 제2 전극층{15B2(16B)}으로 덮도록 형성되는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 저저항 배선부분{15a(16a)}과 배선영역{15b(16b)}의 접촉 면적을 넓게 할 수 있게 되기 때문에, 저저항 배선부분{15a(16a)}과 동일 전위의 배선영역{15b(16b)}을 확실하게 형성할 수 있어, 저저항 배선부분{15a(16a)} 주변에 전계 구배(Ea)가 형성되지 않는다. On the other hand, in the above-described wiring board 1, the wiring electrode 15 (16) is formed so as to cover the first electrode layer 15A (16A) with the second electrode layer 15B 2 (16B). It features. As a result, the contact area between the low resistance wiring portion 15a (16a) and the wiring region 15b (16b) can be widened, so that the wiring region having the same potential as the low resistance wiring portion 15a (16a) { 15b (16b)} can be reliably formed, and the electric field gradient Ea is not formed around the low resistance wiring portion 15a (16a).

또 한편으로는, 전술한 배선기판(1)에 있어서, 배선전극{14(15)}은 기판(10) 위에 형성된 제2 전극층{14B(15B1)} 위에 직접 또는 다른 층을 매개로 상기 제1 전극층{14A(15A)}을 적층하여 형성하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 저저항 배 선부분{14a(15a)}과 배선영역{14b(15b)}을 갖는 배선전극{14(15)}을 비교적 용이하게 형성할 수 있다. On the other hand, in the above-described wiring board 1, the wiring electrode 14 (15) is formed on the second electrode layer 14B (15B 1 ) formed on the substrate 10 directly or via another layer. 1 electrode layer 14A (15A) is laminated | stacked and formed, It is characterized by the above-mentioned. According to this, the wiring electrode 14 (15) having the low resistance wiring portion 14a (15a) and the wiring region 14b (15b) can be formed relatively easily.

또 한편으로는, 전술한 배선기판(1)에 있어서, 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속은, Ag(은), Cu(구리), Sn(주석), Pb(납) 중 하나 또는 복수이며, 또한, 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)}에는 은팔라듐(AgPd)합금이 함유되어 있는 것을 특징으로 한다. 이들 금속을 함유하는 저저항 배선부분{11a(12a∼22a)}을 갖는 배선전극{11(12∼22)}에 의해 저저항이며 마이그레이션을 잘 발생시키지 않는 배선기판(1)을 얻을 수 있다. On the other hand, in the above-mentioned wiring board 1, the metal which is easy to generate | occur | produce migration is one or more of Ag (silver), Cu (copper), Sn (tin), Pb (lead), The low resistance wiring portions 11a (12a to 22a) are characterized by containing silver palladium (AgPd) alloy. By the wiring electrodes 11 (12 to 22) having the low resistance wiring portions 11a (12a to 22a) containing these metals, the wiring board 1 having low resistance and hardly causing migration can be obtained.

또한, 전술한 배선기판(1)을 형성하는 형성 방법에 의하면, 저저항배선전극을 고밀도로 배선하면서 마이그레이션에 의한 문제점이 잘 발생하지 않는 배선기판을 형성할 수 있기 때문에, 제조품질을 향상시킬 수 있다. In addition, according to the formation method for forming the wiring board 1 described above, it is possible to form a wiring board which does not easily cause problems due to migration while wiring the low resistance wiring electrode at high density, thereby improving the manufacturing quality. have.

또한, 전술한 배선기판(1)을 형성하는 형성 방법에 있어서, 저저항 배선부분{14a(15a, 16a)}을 형성하는 제1 전극층{14A(15A, 16A)}을 성막하여 저저항 배선부분{14a(15a, 16a)}을 패터닝하는 공정과, 배선영역{14b(15b, 16b)}을 형성하는 제2 전극층{14B(15B1, 15B2, 16B)}을 성막하여 배선영역{14b(15b, 16b)}을 패터닝하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하며, 또한, 기판(10) 위에 배선영역{14b(15b)}을 형성하는 제2 전극층{14B(15B1)}을 성막하여 배선영역{14b(15b)}을 패터닝하는 공정 후, 제2 전극층{14B(15B1)} 위에 직접 또는 다른 층을 매개로 저저항 배선부분{14a(15a)}을 형성하는 제1 전극층{14A(15A)}을 성막하여 저저항 배선부분 {14a(15a)}을 패터닝하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 종래부터 행해지고 있는 성막과 패터닝에 의해 배선전극{14(15)}을 형성할 수 있기 때문에, 종래 공정을 활용한 경제적인 제법에 의해 마이그레이션 방지효과가 높은 배선기판을 형성할 수 있다. In the formation method for forming the wiring board 1 described above, the first electrode layer 14A (15A, 16A) forming the low resistance wiring portions 14a (15a, 16a) is formed to form a low resistance wiring portion. Patterning the {14a (15a, 16a)}, and forming the second electrode layer 14B (15B 1 , 15B 2 , 16B) forming the wiring regions {14b (15b, 16b)} to form a wiring region {14b ( 15b, 16b)}, and a second electrode layer 14B (15B 1 ) forming the wiring region 14b (15b) on the substrate 10 to form a wiring region { 14b (15b)}, after the process of patterning, the first electrode layer 14A (15A) forming the low resistance wiring portion 14a (15a)} directly or via another layer on the second electrode layer 14B (15B 1 )}. } And the low resistance wiring portion {14a (15a)} is patterned. According to this, since the wiring electrode 14 (15) can be formed by film-forming and patterning conventionally performed, the wiring board with a high migration prevention effect can be formed by the economic manufacturing method using a conventional process.

또한, 전술한 배선기판(1)을 채용한 유기 EL 패널(100)에 의하면, 저저항의 배선전극을 이용함으로써 유기 EL 소자(30)의 발광특성의 고품질화를 도모할 수 있으며, 고밀도의 배선전극을 이용함으로써 선명도가 높은 화상표시와 패널의 컴팩트화를 실현할 수 있다. 그리고, 이러한 성능향상을 도모한 유기 EL 패널(100)에 있어서도 마이그레이션에 의한 전극간 단락 등의 문제점을 해소할 수 있다.In addition, according to the organic EL panel 100 employing the wiring board 1 described above, the light emitting characteristics of the organic EL element 30 can be improved in quality by using a low resistance wiring electrode, and the wiring electrode having a high density. By using this, image display with high definition and compactness of the panel can be realized. Also in the organic EL panel 100 which has such an improvement in performance, problems such as short circuit between electrodes due to migration can be solved.

본 발명은 보호층에 관계없이 배선전극의 구조만으로 배선전극간의 마이그레이션을 방지한다. The present invention prevents migration between wiring electrodes only by the structure of the wiring electrodes irrespective of the protective layer.

Claims (18)

상호 근접한 적어도 2개의 배선전극을 절연성 기판 위에 형성한 배선기판으로서,A wiring board comprising at least two wiring electrodes adjacent to each other on an insulating substrate, 상기 배선전극 중 적어도 한 쪽은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분과, 상기 저저항 배선부분에 도통하며 적어도 상기 저저항 배선부분과 다른 배선전극 사이의 상기 기판 위에 형성되는 배선영역을 가지며, 상기 배선영역은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 것을 특징으로 하는 배선기판.At least one of the wiring electrodes includes a low resistance wiring portion containing a metal which is susceptible to migration, and a wiring area that is connected to the low resistance wiring portion and is formed on the substrate between at least the low resistance wiring portion and another wiring electrode. And wherein the wiring area does not contain a metal that is prone to migration. 제1항에 있어서, 상기 배선영역은 상기 저저항 배선부분을 따라서 형성된 선형패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 배선기판.The wiring board according to claim 1, wherein the wiring region has a linear pattern formed along the low resistance wiring portion. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 배선영역은 상기 2개의 배선전극의 각각에 상호 마주 보도록 형성되는 것을 특징으로 하는 배선기판.The wiring board according to claim 1 or 2, wherein the wiring area is formed to face each other of the two wiring electrodes. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배선영역은 상기 저저항 배선부분의 양측에 형성되는 것을 특징으로 하는 배선기판.The wiring board according to any one of claims 1 to 3, wherein the wiring area is formed on both sides of the low resistance wiring portion. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배선영역은 상기 저저항 배 선부분과 부분적으로 접속되는 접속부를 갖는 것을 특징으로 하는 배선기판.The wiring board according to any one of claims 1 to 4, wherein the wiring area has a connection part that is partially connected to the low resistance wiring part. 제5항에 있어서, 상기 접속부는 상기 배선전극의 배열방향으로 상호 인접한 접속부의 위치가 상기 배선전극을 따르는 동렬(同列) 위치와 나란하지 않도록 형성되는 것을 특징으로 하는 배선기판.6. The wiring board according to claim 5, wherein the connection portion is formed such that positions of adjacent connection portions adjacent to each other in the arrangement direction of the wiring electrode are not aligned with the same position along the wiring electrode. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 접속부는 하나의 상기 배선영역에 대하여 복수개가 형성되는 것을 특징으로 하는 배선기판.7. The wiring board according to claim 5 or 6, wherein a plurality of connecting portions are formed for one wiring area. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배선영역은 상기 배선전극을 따라서 부분적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 배선기판.8. The wiring board according to any one of claims 1 to 7, wherein the wiring area is partially formed along the wiring electrode. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배선전극은 상기 저저항 배선부분을 형성하는 제1 전극층과 상기 배선영역을 형성하는 제2 전극층을 갖는 것을 특징으로 하는 배선기판.The wiring board according to any one of claims 1 to 8, wherein the wiring electrode has a first electrode layer forming the low resistance wiring portion and a second electrode layer forming the wiring region. 제9항에 있어서, 상기 배선전극은 상기 제1 전극층을 상기 제2 전극층으로 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 배선기판.The wiring board of claim 9, wherein the wiring electrode is formed to cover the first electrode layer with the second electrode layer. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 배선전극은 상기 기판 위에 형성된 상기 제2 전극층 위에 직접 또는 다른 층을 매개로 상기 제1 전극층을 적층하여 형성하는 것을 특징으로 하는 배선기판.The wiring board according to claim 9 or 10, wherein the wiring electrode is formed by stacking the first electrode layer directly or via another layer on the second electrode layer formed on the substrate. 제11항에 있어서, 상기 제2 전극층은 상기 제1 전극층에 비해서 폭이 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는 배선기판.12. The wiring board according to claim 11, wherein the second electrode layer is formed to be wider than the first electrode layer. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속은 Ag(은), Cu(구리), Sn(주석), Pb(납) 중 하나 또는 복수인 것을 특징으로 하는 배선기판.The metal according to any one of claims 1 to 12, wherein the metal that is likely to generate migration is one or a plurality of Ag (silver), Cu (copper), Sn (tin), and Pb (lead). Wiring board. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 저저항 배선부분에는 은팔라듐(AgPd) 합금이 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 배선기판.The wiring board according to any one of claims 1 to 13, wherein the low resistance wiring portion contains a silver palladium (AgPd) alloy. 상호 근접한 적어도 2개의 배선전극을 절연성 기판 위에 형성한 배선기판의 형성 방법으로서,A method of forming a wiring board in which at least two wiring electrodes adjacent to each other are formed on an insulating substrate, 상기 배선전극 중 적어도 한 쪽에는 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분이 형성됨과 동시에, 적어도 상기 저저항 배선부분과 다른 배선전극 사이의 상기 기판 위에 상기 저저항 배선부분에 도통하는 배선영역이 형성되며, 상기 배선영역은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 배선기판의 형성 방법.At least one of the wiring electrodes is formed with a low resistance wiring portion containing a metal that is likely to cause migration, and at least one of the wirings is connected to the low resistance wiring portion on the substrate between the low resistance wiring portion and another wiring electrode. And a wiring region is formed of a material that does not contain a metal that is likely to cause migration. 제15항에 있어서, 상기 저저항 배선부분을 형성하는 제1 전극층을 성막하여 상기 저저항 배선부분을 패터닝하는 공정과, 상기 배선영역을 형성하는 제2 전극층을 성막하여 상기 배선영역을 패터닝하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 배선기판의 형성 방법.The process of claim 15, further comprising: forming a first electrode layer forming the low resistance wiring portion to pattern the low resistance wiring portion, and forming a second electrode layer forming the wiring region to pattern the wiring region. Forming a wiring board, characterized in that having a. 제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 기판 위에 상기 배선영역을 형성하는 제2 전극층을 성막하여 상기 배선영역을 패터닝하는 공정 후, 상기 제2 전극층 위에 직접 또는 다른 층을 매개로 상기 저저항 배선부분을 형성하는 제1 전극층을 성막하여 상기 저저항 배선부분을 패터닝하는 것을 특징으로 하는 배선전극의 형성 방법.The low resistance wiring according to claim 15 or 16, wherein after forming the second electrode layer forming the wiring region on the substrate and patterning the wiring region, the low resistance wiring is directly on the second electrode layer or via another layer. And forming the first electrode layer forming the portion to pattern the low resistance wiring portion. 한 쌍의 전극 사이에 유기발광기능층을 포함하는 유기재료층을 유지하여 절연성 기판 위에 복수의 유기 EL 소자를 형성하고, 상기 한 쌍의 전극으로부터 인출된 배선전극을 상기 기판 위에 형성한 유기 EL 패널로서,An organic EL panel in which a plurality of organic EL elements are formed on an insulating substrate by holding an organic material layer including an organic light emitting functional layer between the pair of electrodes, and wiring wires drawn from the pair of electrodes formed on the substrate. as, 상기 배선전극은 상호 근접한 적어도 2개의 배선전극을 가지며, 상기 배선전극 중 적어도 한 쪽은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되는 저저항 배선부분과, 상기 저저항 배선부분에 도통하며 적어도 상기 저저항 배선부분과 다른 배선전극 사이의 상기 기판 위에 형성되는 배선영역을 가지며, 상기 배선영역은 마이그레이션을 발생시키기 쉬운 금속이 함유되어 있지 않는 것을 특징으로 하는 유 기 EL 패널.The wiring electrode has at least two wiring electrodes in close proximity to each other, and at least one of the wiring electrodes has a low resistance wiring portion containing a metal that is likely to cause migration, and at least the low resistance wiring conductive to the low resistance wiring portion. An organic EL panel comprising a wiring region formed on the substrate between a portion and another wiring electrode, wherein the wiring region does not contain a metal that is likely to cause migration.
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