KR20060039862A - Adaptable processing element for a processing system and a method of making the same - Google Patents

Adaptable processing element for a processing system and a method of making the same Download PDF

Info

Publication number
KR20060039862A
KR20060039862A KR1020057023247A KR20057023247A KR20060039862A KR 20060039862 A KR20060039862 A KR 20060039862A KR 1020057023247 A KR1020057023247 A KR 1020057023247A KR 20057023247 A KR20057023247 A KR 20057023247A KR 20060039862 A KR20060039862 A KR 20060039862A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processing
shield
coupled
detachable
processing element
Prior art date
Application number
KR1020057023247A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
존 로슨
로져 에커슨
마이클 랜디스
Original Assignee
동경 엘렉트론 주식회사
도쿄 일렉트론 아리조나 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US10/454,747 external-priority patent/US7306707B2/en
Priority claimed from US10/454,381 external-priority patent/US20040245089A1/en
Application filed by 동경 엘렉트론 주식회사, 도쿄 일렉트론 아리조나 인코포레이티드 filed Critical 동경 엘렉트론 주식회사
Publication of KR20060039862A publication Critical patent/KR20060039862A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065Plasma etching; Reactive-ion etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458Vessel
    • H01J37/32477Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623Mechanical discharge control means
    • H01J37/32651Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

An adaptable processing element (50,150- 156) having multiple configurations is provided for use in a processing system. The processing element comprises a primary component (182, 200, 202, 230) and at least one detachable component (184, 208, 232). The detachable component can be retained for one configuration and removed for another configuration. The detachable component may include a punch- out or knock-out (210, 214, 216) located, for example on its right-hand side or its left-hand side in order to permit access of a gas supply line to a processing chamber for either a right-hand orientation or a left- hand orientation, respectively. Additionally, for example, the detachable component can be retained or removed to permit flexible use with different size processing chambers. A method of making the processing element having these components is also provided. The method may provide a roughening of one or more exposed surfaces on the processing element to improve the adhesion of materials on these surfaces during processing. The roughening procedure may comprise belt sanding the one or more exposed surfaces to produce surface roughness. The roughness may, for example, be about or in excess of Ra=250 mil.

Description

처리 시스템용의 개조 가능한 처리 요소와 그 제조 방법{ADAPTABLE PROCESSING ELEMENT FOR A PROCESSING SYSTEM AND A METHOD OF MAKING THE SAME}ADAPTABLE PROCESSING ELEMENT FOR A PROCESSING SYSTEM AND A METHOD OF MAKING THE SAME

본 발명은 반도체 웨이퍼 처리 기계 등의 진공 처리 기계용 처리 요소, 특히 처리 중에 그러한 기계의 처리 챔버의 내측면을 증착물로부터 보호하는 보호 챔버 실드 등의 처리 요소에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 처리 중에 개선된 막 부착을 위한 그러한 처리 요소의 표면 처리에 관한 것이다. The present invention relates to processing elements for vacuum processing machines such as semiconductor wafer processing machines, in particular processing elements such as protective chamber shields which protect the inner surface of the processing chamber of such machines from deposits during processing. More specifically, the present invention relates to the surface treatment of such treatment elements for improved film adhesion during treatment.

반도체 산업에 있어서 집적 회로(IC)의 제조는 통상적으로 기판에서 재료를 제거하고 기판 상에 재료를 증착하는 데에 필요한 플라즈마 리액터 내에 표면 화합물을 생성하고 보조하도록 플라즈마를 채용하고 있다. 예컨대, 플라즈마는 타겟으로부터 재료를 스퍼터링하고 스퍼터링된 흡착 원자(adatom)를 기판 상에 증착하는 물리적 기상 증착법(PVD), 기판 상에 증착하기에 적합한 화학적 성분을 생성하는 화학적 기상 증착법(CVD) 또는 기판의 표면으로부터 특정 재료를 제거하기에 적합한 화학적 성분을 생성하는 건식 플라즈마 식각법에 이용될 수 있다. In the semiconductor industry, the manufacture of integrated circuits (ICs) typically employs plasma to create and assist surface compounds in the plasma reactors needed to remove material from and deposit material on the substrate. For example, a plasma may be a physical vapor deposition method (PVD) that sputters material from a target and deposits sputtered adsorption atoms onto a substrate, a chemical vapor deposition method (CVD) or a substrate that produces a chemical component suitable for depositing on the substrate. It can be used in a dry plasma etching method to produce a chemical component suitable for removing a specific material from the surface of the.

일반적으로, 전술한 공정들에서와 같은 플라즈마 처리 중에, PVD 시스템에서 스퍼터링된 과도한 흡착 원자, CVD 시스템에서의 과도한 증착 화합물 또는 과도한 식각 화합물 및/또는 식각 시스템에서 식각 찌꺼기는 공정 시스템 표면 상에 증착 되어 공정 간에 축적될 수 있다. 따라서, 그러한 시스템은 일반적으로 보다 고가의 처리 구성요소의 하지면을 보호하고, 증착물이 없게 세정 또는 재생된 보호 요소나 새로운 보호 요소와 주기적으로 교체될 수 있는 보호 요소 또는 라이너를 구비하고 있다. 통상, 보호 요소의 교체 빈도는 공정 타입 및 보호 요소의 노출된 표면에 축적되는 재료 또는 막의 물성에 의해 결정된다. 따라서, 보호 요소를 저가로 제공하는 것이 추가적으로 절대로 필요하다. 또한, 과도한 재료의 부착을 용이하게 처리 환경과 접촉하는 표면을 제공하고, 예컨대, 표면의 입자 박리 등에 의한 나중 공정의 오염물을 적시에 감소시켜, 보호 요소의 교체 사이클을 연장시키는 것이 절대적으로 필요하다. In general, during plasma processing, such as in the processes described above, excessive adsorption atoms sputtered in PVD systems, excessive deposition compounds or excessive etching compounds in CVD systems and / or residues in etching systems are deposited on the process system surface. Can accumulate between processes. Thus, such systems generally have a protective element or liner that protects the underside of more expensive processing components and that can be periodically replaced with a new protective element that has been cleaned or regenerated without deposits. Typically, the frequency of replacement of the protective element is determined by the process type and the physical properties of the material or film that accumulate on the exposed surfaces of the protective element. Therefore, it is absolutely further necessary to provide a protection element at low cost. In addition, it is absolutely necessary to provide a surface that easily contacts the processing environment with excessive material adhesion, and to timely reduce contaminants of a later process such as, for example, particle detachment of the surface, to prolong the replacement cycle of the protective element. .

또한, 처리 시스템의 수명 동안에 처리 시스템 구성의 점진적 변화(즉, 처리 챔버, 펌핑 시스템 등의 크기 변화)와 조우하는 것은 드물지 않다. 통상, 제조품으로서 처리 시스템의 계속되는 점진적 변화는 특별한 구성에 특정한 보호 요소, 각 요소 또는 요소 세트의 목록을 필요로 하였다. 따라서, 다중 형태를 갖는 처리 시스템에 사용하기에 충분한 융통성을 갖는, 저가의 교체 가능한 보호 요소를 제공하는 것이 또한 절대적으로 필요하다. In addition, it is not uncommon to encounter gradual changes in the processing system configuration (ie, changes in size of processing chambers, pumping systems, etc.) over the lifetime of the processing system. In general, the continuous gradual change of the processing system as an article of manufacture required a list of protective elements, each element or set of elements specific to a particular configuration. Thus, it is also absolutely necessary to provide a low cost replaceable protection element with sufficient flexibility for use in a multi-form processing system.

본 발명의 목적은 반도체 웨이퍼 처리 공정에 사용되는 진공 처리 챔버의 내표면을 보호하도록 이용되는 저가의 요소와, 그 요소를 제조하는 저가의 방법을 제공하는 것이다. 특별한 목적은 처리 챔버의 표면과 이 챔버 내의 기계 구성요소를 처리 중에 증착물로부터 보호하는 챔버 실드와, 이 챔버 실드를 제조하는 방법을 제공하는 것이다. It is an object of the present invention to provide a low cost element used to protect the inner surface of a vacuum processing chamber used in a semiconductor wafer processing process and a low cost method of manufacturing the element. It is a particular object to provide a chamber shield that protects the surface of the processing chamber and the mechanical components in the chamber from deposits during processing, and a method of manufacturing the chamber shield.

본 발명의 보다 특별한 목적은 챔버 내에서 수행되는 공정과 처리되는 기판을 오염시키는 입자의 발생을, 예컨대 이들 요소 상에 축적되는 증착물의 박리를 방지함으로써 저지하는 표면 특성을 갖는 그러한 요소를 제공하는 것이다. A more particular object of the present invention is to provide such elements with surface properties that inhibit the process carried out in the chamber and the generation of particles that contaminate the substrate being treated, for example by preventing the deposition of deposits accumulating on these elements. .

본 발명의 다른 목적은 상이한 여러 기계의 형태 및 용례에 적합한 형태의 요소를 제공함으로써, 상이한 크기 또는 형태의 요소들이 제조될 필요가 없어 그러한 각 기계 형태 또는 용례를 위한 목록을 만들 필요가 없게 하는 것이다. Another object of the present invention is to provide elements of a type suitable for different types and applications of different machines, so that elements of different sizes or shapes do not need to be manufactured and there is no need to make a list for each such machine type or application. .

본 발명은 처리 시스템에 사용하기 위한 개조 가능한 처리 요소와 그 제조 방법을 제공하는 것이다. The present invention provides a convertible treatment element for use in a treatment system and a method of making the same.

특히, 본 발명의 특정 실시예는, 2개 이상의 상이한 형태 또는 용례를 갖는 처리 시스템에 사용하기 위해, 특히 챔버 실드와 챔버 실드 조립체로 구현되는 처리 요소를 제공한다. 그러한 처리 요소는 일차 구성요소와, 이 일차 구성요소에 결합되는 분리 가능한 구성요소를 포함할 수 있고, 상기 처리 요소는 분리 가능한 구성요소가 일차 구성요소 내에 유지되는 경우에, 제1 형태의 처리 시스템에 사용하도로 구성되며, 상기 처리 요소는 분리 가능한 구성요소가 제거되는 경우에, 제2 형태의 처리 시스템에 사용하도록 구성된다. 예시된 실시예에 있어서, 챔버 실드를 상이한 형태의 기계에 적합하게 하도록 그 구성요소들로부터 제거될 수 있는 구성요소들을 갖는 챔버 실드가 제공된다. In particular, certain embodiments of the present invention provide processing elements, in particular implemented as chamber shields and chamber shield assemblies, for use in processing systems having two or more different forms or applications. Such a processing element may comprise a primary component and a detachable component coupled to the primary component, wherein the processing element is of the first type of processing system when the detachable component is retained within the primary component. And the processing element is configured for use in a second type of processing system when the detachable component is removed. In the illustrated embodiment, a chamber shield is provided having components that can be removed from the components to make the chamber shield suitable for different types of machines.

또한, 본 발명의 특정 실시예에 따르면, 처리 시스템에 사용하기 위한 처리 키트가 제공된다. 처리 키트는, 상부 챔버부와 하부 챔버부를 갖는 처리 챔버와, 상기 처리 시스템에 결합되는 타겟 조립체와, 처리 챔버에 결합되는 기판을 지지하는 기판 홀더와, 펌핑 시스템과, 처리 챔버에 펌핑 시스템을 결합시키는 펌핑 덕트를 포함하는 처리 시스템에 유용하다. 예시된 실시예에 있어서, 처리 키트는 처리 챔버의 상부 챔버부에 결합되는 도어 실드를 포함하고, 분리 가능한 링을 갖도록 구성된다. 분리 가능한 링은 제1 타겟 조립체 형태에 도어 실드의 사용을 용이하게 하도록 유지되고, 제2 타겟 조립체 형태에 도어 실드의 사용을 용이하게 하도록 제거된다. 유사하게, 처리 챔버의 하부 챔버부에 결합될 수 있고, 포드 실드의 우측에 결합되는 분리 가능한 제1 가스 분사 천공부와, 포드 실드의 좌측에 결합되는 분리 가능한 제2 가스 분사 천공부를 갖도록 구성되는 포드 실드가 제공된다. 분리 가능한 제1 가스 분사 천공부와 분리 가능한 제2 가스 분사 천공부는 처리 시스템의 좌측 방위에 포드 실드의 사용을 용이하게 하도록 제거된다. 별법으로서, 기계에 가스 유입 링이 존재하지 않는 경우에 어느쪽 천공부도 제거되지 않는다. 유사하게, 펌핑 덕트에 결합되고 분리 가능한 실드 연장부를 갖도록 구성되는 펌핑 덕트 실드가 제공된다. 분리 가능한 실드 연장부는 제1 크기의 펌핑 덕트에 펌핑 덕트 실드의 사용을 용이하게 하도록 유지되고, 제2 크기의 펌핑 덕트에 펌핑 덕트 실드의 사용을 용이하게 하도록 제거된다. In addition, according to certain embodiments of the present invention, a treatment kit for use in a treatment system is provided. The processing kit includes a processing chamber having an upper chamber portion and a lower chamber portion, a target assembly coupled to the processing system, a substrate holder supporting a substrate coupled to the processing chamber, a pumping system, and a pumping system to the processing chamber. It is useful for treatment systems that include pumping ducts. In the illustrated embodiment, the processing kit includes a door shield coupled to the upper chamber portion of the processing chamber and is configured to have a detachable ring. The detachable ring is retained to facilitate the use of the door shield in the form of the first target assembly and is removed to facilitate the use of the door shield in the form of the second target assembly. Similarly, it may be coupled to the lower chamber portion of the processing chamber and configured to have a removable first gas injection aperture coupled to the right side of the pod shield and a removable second gas injection aperture coupled to the left side of the pod shield. Ford shields are provided. The detachable first gas jet perforation and the detachable second gas jet perforation are removed to facilitate the use of the pod shield in the left orientation of the processing system. Alternatively, no perforations are removed if there is no gas inlet ring in the machine. Similarly, a pumping duct shield is provided that is coupled to the pumping duct and configured to have a detachable shield extension. The detachable shield extension is maintained to facilitate the use of the pumping duct shield in the pumping duct of the first size and is removed to facilitate the use of the pumping duct shield in the pumping duct of the second size.

또한, 처리 시스템에 사용하기 위한 처리 요소의 제조 방법이 제공된다. 상기 방법은 일차 구성요소로부터 제거 가능한 구성요소의 제거를 용이하게 하도록 시트 금속 실드에 스탬핑되거나 레이저 절단된 천공부, 또는 다른 타입의 약화된 부재를 구성함으로써 전술한 처리 요소를 제조하는 것을 포함한다. Also provided is a method of making a processing element for use in a processing system. The method includes manufacturing the aforementioned processing element by constructing a stamped or laser cut aperture, or other type of weakened member, in the sheet metal shield to facilitate removal of the removable component from the primary component.

또한, 전술한 2개 이상의 형태를 갖는 처리 시스템에 처리 요소를 사용하기 위한 방법이 제공된다. 이 방법은 전술한 처리 요소를 제공하고, 어떤 형태의 처리 시스템에 사용하도록 제거 가능한 요소를 유지시키고 다른 형태의 처리 시스템에 사용하도록 제거 가능한 요소를 제거함으로써 처리 요소를 사용하는 것을 포함한다. 상기 방법은 처리 요소가 제1 형태의 처리 시스템에 사용하기 위한 것인지 그리고 처리 요소가 제2 형태의 처리 시스템에 사용하기 위한 것인지를 결정하는 단계와, 제1 형태의 처리 시스템에 처리 요소의 사용을 용이하게 하도록 분리 가능한 구성요소를 유지하는 단계와, 제2 형태의 처리 시스템에 처리 요소의 사용을 용이하게 하도록 분리 가능한 구성요소를 제거하는 단계를 포함한다. Also provided is a method for using a processing element in a processing system having two or more forms described above. The method includes providing a processing element as described above and using the processing element by maintaining the removable element for use in some form of processing system and removing the removable element for use in another form of processing system. The method includes determining whether a processing element is for use with a first type of processing system and whether the processing element is for use with a second type of processing system and using the processing element with a first type of processing system. Retaining the detachable component to facilitate and removing the detachable component to facilitate the use of the processing element in a second type of processing system.

또한, 공정 중에 재료의 부착력을 촉진시키도록 처리 요소의 하나 이상의 표면을 벨트 연마함으로써, 처리 중에 처리 시스템에서의 공정에 노출되는 하나 이상의 표면을 갖는 처리 요소를 처리 시스템에 사용하기 위해 제조하는 방법이 제공된다. In addition, a method of manufacturing a processing element for use in a processing system having one or more surfaces exposed to a process in the processing system during processing, by belt polishing one or more surfaces of the processing element to promote adhesion of the material during processing. Is provided.

또한, 처리 시스템에 하나 이상의 처리 요소를 제공하여, 공정 중에 처리 시스템을 보호하고, 공정과 기판을 오염물로부터 보호함으로써, 처리 시스템에서 기판을 처리하는 방법이 제공된다. 바람직한 실시예에 있어서, 공정에 노출되는 하나 이상의 표면이 벨트 연마에 의해 변경되는 하나 이상의 처리 요소가 제공된다. 상기 공정은 벨트 연마된 처리 요소를 갖는 처리 시스템에 기판을 배치하고, 기판을 공정에 노출시키는 것을 포함한다. Also provided is a method of treating a substrate in the processing system by providing one or more processing elements to the processing system to protect the processing system during the process and to protect the process and the substrate from contaminants. In a preferred embodiment, one or more processing elements are provided in which one or more surfaces exposed to the process are modified by belt polishing. The process includes placing a substrate in a processing system having a belt polished processing element and exposing the substrate to the process.

공정 중에 처리 시스템에서의 공정에 노출되고 벨트 연마에 의해 변경되는 하나 이상의 표면을 갖는, 처리 시스템에 사용하기 위한 처리 요소가 개시된다. 여기서 개시된 실시예에 있어서, 처리 요소는 웨이퍼 처리 기계, 특히 반도체 처리용 증착 및 식각 기계의 내표면을 보호하는 실드이다. A processing element for use in a processing system is disclosed that has one or more surfaces exposed to the process in the processing system and modified by belt polishing during the process. In the embodiment disclosed herein, the processing element is a shield that protects the inner surface of a wafer processing machine, in particular a deposition and etching machine for semiconductor processing.

챔버 실드 요소를 제조하는 방법의 실시예가 특히 제공된다. 그러한 특정 방법은 바람직하게는 시트 금속, 예컨대 스펀 금속으로부터 실드를 제조하는 것을 포함하고, 본 발명에 따라 거칠게 되어 금속 시트로부터 일체형 재료 시트를 스피닝 가공함으로써 형성되는 립 영역과 플랜지 영역을 갖는 링으로 제조되는 실드를 포함할 수 있다. In particular an embodiment of a method of manufacturing a chamber shield element is provided. Such particular method preferably comprises the manufacture of a shield from a sheet metal, such as a spun metal, and is made of a ring having a lip region and a flange region which are roughened according to the invention and formed by spinning an integral material sheet from a metal sheet. It may include a shield to be.

본 발명의 이들 및 다른 목적과 이점은 도면의 상세한 설명으로부터 보다 쉽게 명백할 것이다. These and other objects and advantages of the present invention will be more readily apparent from the detailed description of the drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 처리 시스템의 개략도.1 is a schematic diagram of a processing system according to an embodiment of the present invention;

도 2a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 처리 시스템의 개략적인 측면도.2A is a schematic side view of a processing system according to another embodiment of the present invention.

도 2b는 도 2a에 도시된 처리 시스템의 개략적인 평면도.FIG. 2B is a schematic plan view of the processing system shown in FIG. 2A;

도 3a는 도 2a와 도 2b에 도시된 처리 시스템의 상부 챔버부에 결합되는 처리 키트의 조립도.3A is an assembly view of a processing kit coupled to the upper chamber portion of the processing system shown in FIGS. 2A and 2B.

도 3b는 도 2a와 도 2b에 도시된 처리 시스템의 하부 챔버부에 결합되는 처리 키트의 추가 조립도.FIG. 3B is a further assembly view of the processing kit coupled to the lower chamber portion of the processing system shown in FIGS. 2A and 2B.

도 4a는 본 발명의 실시예에 따른 도어 실드의 평면도.4A is a plan view of a door shield according to an embodiment of the present invention.

도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 도어 실드의 측면도.4B is a side view of a door shield in accordance with an embodiment of the present invention.

도 4c는 도 4a에 도시된 도어 실드의 팽창된 평면도.4C is an exploded top view of the door shield shown in FIG. 4A.

도 4d는 도 4a에 도시된 도어 실드의 팽창된 다른 평면도.4D is another inflated plan view of the door shield shown in FIG. 4A.

도 4e는 도 4a에 도시된 도어 실드의 팽창된 또 다른 평면도.4E is another expanded plan view of the door shield shown in FIG. 4A.

도 5a는 본 발명의 실시예에 따른 포드 실드의 평면도.5A is a top view of a pod shield in accordance with an embodiment of the present invention.

도 5b는 본 발명의 실시예에 따른 포드 실드의 측면도.5B is a side view of a pod shield in accordance with an embodiment of the present invention.

도 5c는 도 5a에 도시된 포드 실드의 팽창된 평면도.5C is an exploded top view of the pod shield shown in FIG. 5A.

도 5d는 도 5a에 도시된 포드 실드의 팽창된 다른 평면도.FIG. 5D is another inflated plan view of the pod shield shown in FIG. 5A. FIG.

도 5e는 도 5a에 도시된 포드 실드의 팽창된 또 다른 평면도.5E is another expanded plan view of the pod shield shown in FIG. 5A.

도 6a는 본 발명의 실시예에 따른 좌측 가스 분사 링의 평면도.6A is a plan view of a left gas injection ring in accordance with an embodiment of the present invention.

도 6b는 본 발명의 실시예에 따른 우측 가스 분사 링의 측면도.6B is a side view of the right gas injection ring in accordance with an embodiment of the present invention.

도 6c는 본 발명의 실시예에 따른 우측 가스 분사 링의 평면도.6C is a plan view of a right gas injection ring in accordance with an embodiment of the present invention.

도 6d는 본 발명의 실시예에 따른 우측 가스 분사 링의 측면도.6D is a side view of the right gas injection ring in accordance with an embodiment of the present invention.

도 7a는 본 발명의 실시예에 따른 펌핑 덕트 실드의 측면도.7A is a side view of a pumped duct shield in accordance with an embodiment of the present invention.

도 7b는 본 발명의 실시예에 따른 펌핑 덕트 실드의 평면도.7B is a plan view of a pumping duct shield in accordance with an embodiment of the present invention.

도 7c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 펌핑 덕트 실드의 평면도.7C is a plan view of a pumping duct shield according to another embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 실시예에 따른 처리 요소의 표면 처리 패턴을 도시하는 도면.8 illustrates a surface treatment pattern of a treatment element according to an embodiment of the invention.

도 9는 본 발명의 실시예에 따른 처리 요소의 제조 방법을 나타내는 도면.9 shows a method of manufacturing a processing element according to an embodiment of the invention.

도 10a는 본 발명의 실시예에 따른 처리 요소의 제조 방법을 나타내는 도면.10A illustrates a method of making a processing element in accordance with an embodiment of the present invention.

도 10b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 처리 요소의 제조 방법을 나타내는 도면.10B illustrates a method of making a processing element according to another embodiment of the present invention.

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 처리 시스템에 처리 요소를 장착하는 방법을 나타내는 도면.11 illustrates a method of mounting a processing element in a processing system in accordance with another embodiment of the present invention.

도 12a는 본 발명의 실시예에 따른 다크 스페이스 실드의 평면도.12A is a top view of a dark space shield in accordance with an embodiment of the present invention.

도 12b는 도 12a에 도시된 다크 스페이스 실드의 횡단면도.12B is a cross-sectional view of the dark space shield shown in FIG. 12A.

도 12c는 도 12b에 도시된 다크 스페이스 실드의 횡단면도의 확대도.FIG. 12C is an enlarged cross-sectional view of the dark space shield shown in FIG. 12B. FIG.

도 13a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 다크 스페이스 실드의 평면도.13A is a top view of a dark space shield in accordance with another embodiment of the present invention.

도 13b는 도 13a에 도시된 다크 스페이스 실드의 횡단면도.FIG. 13B is a cross-sectional view of the dark space shield shown in FIG. 13A.

도 13c는 도 13b에 도시된 다크 스페이스 실드의 횡단면도의 확대도.FIG. 13C is an enlarged cross-sectional view of the dark space shield shown in FIG. 13B.

도 14a는 본 발명의 실시예에 따른 링 실드의 평면도.14A is a plan view of a ring shield in accordance with an embodiment of the present invention.

도 14b는 도 13a에 도시된 링 실드의 횡단면도.14B is a cross-sectional view of the ring shield shown in FIG. 13A.

본 발명의 실시예에 따르면, 도 1에 도시된 처리 시스템(15)은 처리 챔버(16)와, 기판(25)을 지지하는 기판 홀더(20)와, 펌핑 시스템(45)에 결합되어 처리 챔버(16) 내에 처리 영역(30)의 압력을 변경시키는 펌핑 덕트(40)를 구비한다. 예컨대, 처리 챔버(16)는 상승된 압력, 대기압 또는 감소된(진공) 압력에서 기판(25)의 처리를 용이하게 할 수 있다. 또한, 예컨대 처리 챔버(16)는 기판(25)에 인접한 처리 영역(30)에서 처리 플라즈마의 형성을 용이하게 할 수 있다. 처리 시스템(15)은 다양한 기판(즉, 100 mm, 200 mm, 300 mm 또는 그 이상의 기판)을 처리하도록 구성될 수 있다. According to an embodiment of the invention, the processing system 15 shown in FIG. 1 is coupled to the processing chamber 16, the substrate holder 20 supporting the substrate 25, and the pumping system 45. The pumping duct 40 which changes the pressure of the process area | region 30 in 16 is provided. For example, the processing chamber 16 may facilitate processing of the substrate 25 at elevated pressure, atmospheric pressure, or reduced (vacuum) pressure. Also, for example, the processing chamber 16 may facilitate the formation of a processing plasma in the processing region 30 adjacent to the substrate 25. Processing system 15 may be configured to process a variety of substrates (ie, 100 mm, 200 mm, 300 mm or more substrates).

바람직하게는, 처리 시스템(15)은 물리적 기상 증착(PVD) 시스템 등의 증착 시스템을 구비한다. 다른 실시예에 있어서, 처리 시스템(15)은 화학적 기상 증착(CVD) 시스템을 구비한다. 또 다른 실시예에 있어서, 처리 시스템(15)은 플라즈마 화학적 기상 증착(PECVD) 시스템을 구비한다. 별법으로서, 처리 시스템(15)은 식각 시스템을 구비한다. Preferably, treatment system 15 includes a deposition system, such as a physical vapor deposition (PVD) system. In another embodiment, processing system 15 includes a chemical vapor deposition (CVD) system. In yet another embodiment, the processing system 15 includes a plasma chemical vapor deposition (PECVD) system. Alternatively, the processing system 15 includes an etching system.

도 1을 참조하면, 처리 시스템(15)은 처리 챔버(16)에 결합되어, 이 처리 챔버(16)의 하나 이상의 귀중한 표면을 보호하도록 구성된 하나 이상의 처리 요소(50)를 더 구비한다. 또한, 하나 이상의 처리 요소(50)는 처리 영역(30)의 처리 환경에 노출되거나 그 처리 환경과 접촉하는 하나 이상의 노출된 표면(70)을 구비한다. 상기 하나 이상의 처리 요소(50)는, 예컨대 전체가 또는 일부가 주기적으로 교체될 수 있는 처리 키트를 구성한다. 하나 이상의 처리 요소(50)는 알루미늄, 스테인레스강 등의 금속과, 세라믹 등의 비금속(예컨대, 알루미나, 석영, 탄화규소 등)을 비롯하여 다양한 재료로 제조될 수 있다. 그 후, 하나 이상의 처리 요소(50)의 하나 이상의 노출된 표면(70)은 표면 거칠기를 증가시키도록 처리되어 처리 중에 재료의 부착력을 향상시킨다. 일실시예에 있어서, 하나 이상의 노출된 표면(70)은 벨트 연마 장치를 이용하여, 예컨대 Ra=250 mil(즉 6.3 미크론)을 초과하는 평균 거칠기로 거칠게 된다. 벨트 연마법은, 예컨대 적어도 2 방향으로 홈을 형성하여 이 홈이 교차 패턴을 형성하게 함으로써, 실드를 형성하는 시트 금속의 스피닝 가공 전에 수행될 수 있다. Referring to FIG. 1, the processing system 15 further includes one or more processing elements 50 coupled to the processing chamber 16 and configured to protect one or more precious surfaces of the processing chamber 16. In addition, the one or more processing elements 50 have one or more exposed surfaces 70 that are exposed to or in contact with the processing environment of the processing region 30. The one or more treatment elements 50 constitute a treatment kit, for example, which may be replaced in whole or in part periodically. One or more processing elements 50 may be made of various materials, including metals such as aluminum, stainless steel, and nonmetals such as ceramics (eg, alumina, quartz, silicon carbide, etc.). Thereafter, one or more exposed surfaces 70 of one or more processing elements 50 are treated to increase surface roughness to improve adhesion of the material during processing. In one embodiment, the one or more exposed surfaces 70 are roughened using a belt polishing apparatus, for example, with an average roughness exceeding Ra = 250 mil (ie 6.3 microns). The belt polishing method can be carried out before the spinning processing of the sheet metal forming the shield, for example, by forming grooves in at least two directions so that the grooves form cross patterns.

부착력 향상을 위해 표면을 거칠게 하는 데에 벨트 연마법을 사용하면, 종래 에 사용된 기법, 예컨대 그릿 블라스팅(grit blasting)에 비해 제조 비용이 상당히 감소된다(50% 이상의 감소). 예컨대, 조립 전에, 시트 금속을 제1의 통과를 위해 벨트 연마 장치를 통해 인발한 다음, 90도 회전시켜 제2의 통과를 위해 벨트 연마 장치를 통해 인발할 수 있다. 그렇게 하면, 그물눈 패턴이 형성될 수 있다. 벨트 연마 장치는, 예컨대 40 그릿, 50-60 그릿 또는 80-100 그릿의 연마면을 구비할 수 있다. 시트 금속으로 처리 요소(50)를 제조하면 벨트 연마법을 사용할 수 있어, 실드에 필요한 형태로 형성되기 전에 시트 금속이 평탄할 때 벨트 연마 공정을 적용할 수 있다. 종래의 기계 가공된 실드의 경우, 보다 고가의 거칠기 공정을 이용해야 했다. The use of belt polishing to roughen the surface to improve adhesion results in a significant reduction in manufacturing costs (more than 50%) compared to conventional techniques such as grit blasting. For example, prior to assembly, the sheet metal may be drawn through the belt polishing apparatus for the first pass and then rotated 90 degrees through the belt polishing device for the second pass. In doing so, a mesh pattern can be formed. The belt polishing apparatus may have, for example, a polishing surface of 40 grit, 50-60 grit or 80-100 grit. The manufacture of the processing element 50 from the sheet metal allows the belt polishing method to be used, so that the belt polishing process can be applied when the sheet metal is flat before it is formed into the shape required for the shield. In the case of conventional machined shields, a more expensive roughness process had to be used.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 도 2a와 도 2b는 각각 처리 챔버(110)와, 기판(125)을 지지하는 기판 홀더(120)와, 스퍼터 타겟 조립체(135)와, 펌핑 시스템(145)에 결합되어 처리 챔버(110) 내에 처리 영역(130)의 압력을 변경시키는 펌핑 덕트(140)를 구비하는 물리적 기상 증착(PVD) 처리 시스템(101)의 측면도와 평면도이다. 예컨대, 처리 챔버(110)는 감소된(진공) 압력에서 기판(125)의 처리를 용이하게 할 수 있다. 더욱이, 처리 챔버(110)는 기판(125)과 스퍼터 타겟 조립체(135)에 인접한 처리 영역(130) 내에서 처리 플라즈마의 형성을 용이하게 할 수 있다. 처리 플라즈마는 스퍼터 타겟과 상호 작용하도록 구성되고 스퍼터 타겟의 물리적 이온 충격을 통해 스퍼터링된 흡착 원자를 기판(125) 상에 증착하도록 처리 영역(130)으로 도입시키는 희귀 가스(예컨대, 아르곤) 등의 화학적 불활성 종으로 형성될 수 있다. 예컨대, 스퍼터 타겟 조립체는 전기 바이어스(직류, DC; 교류, AC 또는 RF)가 인가되는 구리 타겟을 구비할 수 있다. 스퍼터 타겟 조립체(135)는 자석 시스템을 더 구비하거나 구비하지 않아도 좋다. According to another embodiment of the present invention, FIGS. 2A and 2B show a processing chamber 110, a substrate holder 120 supporting a substrate 125, a sputter target assembly 135, and a pumping system 145, respectively. Is a side view and a plan view of a physical vapor deposition (PVD) processing system 101 having a pumping duct 140 coupled to and changing the pressure of the processing region 130 in the processing chamber 110. For example, processing chamber 110 may facilitate processing of substrate 125 at reduced (vacuum) pressure. Furthermore, the processing chamber 110 may facilitate the formation of a processing plasma in the processing region 130 adjacent to the substrate 125 and the sputter target assembly 135. The treatment plasma is configured to interact with the sputter target and chemicals such as rare gases (eg, argon), such as argon, which introduce the sputtered adsorbed atoms onto the substrate 125 through the physical ion bombardment of the sputter target to deposit onto the substrate 125. It may be formed of inert species. For example, the sputter target assembly may have a copper target to which an electrical bias (direct current, DC; alternating current, AC or RF) is applied. The sputter target assembly 135 may or may not have further magnet systems.

도 2a와 도 2b를 참조하면, 처리 시스템(101)은 처리 챔버(110)에 결합되어, 처리 챔버(110)의 하나 이상의 귀중한 표면을 보호하도록 구성된 하나 이상의 처리 요소(150)를 더 구비한다. 또한, 하나 이상의 처리 요소(150)는 처리 영역(130)의 처리 환경에 노출되거나 그 처리 환경과 접촉하도록 노출되는 하나 이상의 노출된 표면(170)을 구비한다. 하나 이상의 처리 요소(150)는, 예컨대 전체가 또는 일부가 주기적으로 교체될 수 있는 처리 키트를 구성할 수 있다. 2A and 2B, the processing system 101 further includes one or more processing elements 150 coupled to the processing chamber 110 and configured to protect one or more precious surfaces of the processing chamber 110. In addition, the one or more processing elements 150 have one or more exposed surfaces 170 that are exposed to or in contact with the processing environment of the processing region 130. One or more processing elements 150 may constitute, for example, a treatment kit, which may be replaced in whole or in part periodically.

예컨대, 처리 챔버(110)는 하부 챔버부(112)(또는 포드)와, 상부 챔버부(114)(또는 포드 도어)를 구비할 수 있다. 상부 챔버부(114)는, 예컨대 힌지(도시 생략)를 사용하여 하부 챔버부(112)에 결합될 수 있어, 처리 챔버(110)를 개방시키고 그 내부에 접근할 수 있는 챔버 도어로서 기능할 수 있다. 도 3a와 도 3b는 미국 특허 제4,915,564호에 개시된 타입의 처리 장치용으로 구성된 타입의 챔버 실드 조립체 형태의 처리 요소를 개시하고 있다. 이 처리 장치용의 종래 기술의 실드 및 다른 실드는 2003년 1월 23일자로 출원되고 본 명세서에 참고로 명백히 합체되는 미국 특허 출원 제10/349,661호에 상세히 설명되어 있다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 처리 키트(151)는 상부 챔버부(114)에 결합된 처리 요소를 구비할 수 있고, 이 처리 키트(151)는 도어 실드(152), 어댑터 실드(152A) 및 다크 스페이스 실드(152B)를 구비한다. 다크 스페이스 실드(152B)와 어댑터 실드(152A)는 포드 도어에서 캐소드 조립체를 지지하는 스퍼터링 캐소드 어댑터에 적합하도록 구성된다. 그러한 어댑터 및 실드의 구성은 본 명세서에 참고로 명백히 합체되는 미국 특허 출원 제10/438,304호에 상세히 논의되어 있다. 또한, 도 3b를 참조하면, 처리 키트(151)는 하부 챔버부(112)에 결합되는 처리 요소를 더 구비할 수 있고, 상기 처리 키트(151)는 포드 실드(154), 선택적인 가스 분사 링(155), 가스 링 실드(155A), 링 실드(155B), 기판 홀더 실드(155C), 플레넘 실드(155D), (선택적인) 히터 실드(155E) 및 펌핑 덕트 실드(156)를 구비한다. 상기 열거된 각각의 처리 요소는 교체 가능하고 처리 챔버(110)의 귀중한 표면(160)을 보호하도록 기능한다. For example, the processing chamber 110 may include a lower chamber portion 112 (or pod) and an upper chamber portion 114 (or pod door). The upper chamber portion 114 may be coupled to the lower chamber portion 112 using, for example, a hinge (not shown), and may serve as a chamber door to open the processing chamber 110 and access therein. have. 3A and 3B disclose a processing element in the form of a chamber shield assembly of the type configured for a processing device of the type disclosed in US Pat. No. 4,915,564. Prior art shields and other shields for this processing device are described in detail in US patent application Ser. No. 10 / 349,661, filed Jan. 23, 2003, which is expressly incorporated herein by reference. As shown in FIG. 3A, the treatment kit 151 may have a treatment element coupled to the upper chamber portion 114, which may include a door shield 152, an adapter shield 152A, and And a dark space shield 152B. The dark space shield 152B and the adapter shield 152A are configured to fit a sputtering cathode adapter that supports the cathode assembly at the pod door. The construction of such adapters and shields is discussed in detail in US patent application Ser. No. 10 / 438,304, which is expressly incorporated herein by reference. Also, referring to FIG. 3B, the treatment kit 151 may further include a treatment element coupled to the lower chamber portion 112, wherein the treatment kit 151 includes a pod shield 154, an optional gas injection ring. 155, gas ring shield 155A, ring shield 155B, substrate holder shield 155C, plenum shield 155D, (optional) heater shield 155E and pumping duct shield 156. . Each processing element listed above is replaceable and functions to protect the valuable surface 160 of the processing chamber 110.

도 4a와 도 4b는 각각 상부 챔버부(114)에 결합되는 도어 실드(152)의 평면도와 측면도를 도시한다. 도어 실드(152)는 처리 챔버(110) 내의 처리 영역(130)으로 압력 감지 장치 등의 측정 도구를 접근시킬 수 있도록 하나 이상의 접근 주요부(180)를 구비할 수 있다. 예컨대, 각 접근 주요부는 3개의 관통홀의 클러스터를 구비할 수 있고, 측정 장치는 상기 클러스터의 중심 후방에 위치될 수 있어, 처리 재료가 측정 장치 상에 과도하게 증착하는 것을 방지할 수 있다. 4A and 4B show top and side views, respectively, of the door shield 152 coupled to the upper chamber portion 114. The door shield 152 may have one or more access mains 180 to allow access to a measurement tool, such as a pressure sensing device, to the processing region 130 in the processing chamber 110. For example, each access main part may have a cluster of three through holes, and the measuring device may be located behind the center of the cluster to prevent excessive deposition of processing material onto the measuring device.

또한, 도어 실드(152)는 타겟 조립체(135) 내에 수용되는 타겟을 위해 상이한 크기를 수용하도록 제조될 수 있다. 도 4a에 도시된 바와 같이, 도어 실드(152)는 제1 타겟 크기에 적합한 일차 구성요소(182)와, 제2 크기에 적합한 분리 가능한 구성요소(184)를 구비한다. 일차 구성요소(182)는 분리 가능한 구성요소(184)가 일부가 되는 동일한 금속 시트의 일부이다. 일차 구성요소(182)는 분리 가능한 구성요소(184)가 제거될 때, 분리편(182a, 182b, 182c)을 포한한다. 그러나, 분리편(182a, 182b, 182c)은 챔버 내에 장착될 때 그 공간 관계를 유지하는데, 그 이유는 각 분리편이 챔버의 구조에 분리 가능하게 고정되기 때문이다. 분리 가능한 구성요소(184)가 제거되면, 일차 구성요소(182)[이하, 집합적으로 3개의 분리편(182a, 182b, 182c)이라 칭함]는 12 인치 직경의 타겟을 수용하도록 상부 챔버부(114)에 결합될 수 있고, 분리 가능한 구성요소(184)가 제거되지 않으면, 일차 구성요소(182)는 분리 가능한 구성요소(184)와 함께 10 인치 직경의 타겟을 수용하도록 상부 챔버부(114)에 결합될 수 있다. 도어 실드(152)는 도어 실드(152)를 상부 챔버부(114)에 결합시키도록 제1 타겟 크기에 이용되는 제1 세트의 장착 주요부(186)와, 도어 실드(152)를 상부 챔버부(114)에 결합시키도록 제2 타겟 크기에 이용되는 제2 세트의 장착 주요부(188)와, 도어 실드(152)를 상부 챔버부(114)에 결합시키도록 모든 타겟 크기에 공통적인 제3 세트의 장착 주요부(190)를 더 구비한다. 각 장착 주요부(186, 188, 190)는, 예컨대 볼트 등의 파스너를 통과시켜, 탭핑된 주요부에 파스너를 수용할 때 도어 실드(152)를 처리 챔버(110)에 고정시킨다. In addition, door shield 152 may be manufactured to accommodate different sizes for targets received within target assembly 135. As shown in FIG. 4A, the door shield 152 has a primary component 182 suitable for the first target size and a detachable component 184 suitable for the second size. Primary component 182 is part of the same metal sheet on which detachable component 184 is part. Primary component 182 includes separation pieces 182a, 182b, 182c when detachable component 184 is removed. However, the separation pieces 182a, 182b, and 182c maintain their spatial relationship when mounted in the chamber because each separation piece is separably fixed to the structure of the chamber. Once the detachable component 184 is removed, the primary component 182 (hereinafter collectively referred to as three separate pieces 182a, 182b, 182c) is defined by an upper chamber portion (10) to accommodate a 12 inch diameter target. Upper component 114 to accommodate a 10 inch diameter target with detachable component 184, unless the detachable component 184 is removed. Can be coupled to. The door shield 152 includes a first set of mounting main parts 186 used for the first target size to couple the door shield 152 to the upper chamber portion 114, and the door shield 152 to the upper chamber portion ( A second set of mounting mains 188 used for the second target size to couple to 114 and a third set of common to all target sizes to couple the door shield 152 to the upper chamber portion 114. It further includes a mounting main portion 190. Each mounting main portion 186, 188, 190 passes through a fastener such as a bolt, for example, to secure the door shield 152 to the processing chamber 110 when receiving the fastener in the tapped main portion.

도 4c는 분리 가능한 구성요소를 갖는 도어 실드(152)의 확대도이고, 도 4d와 도 4e는 분리 가능한 구성요소(184)와 일차 구성요소(182) 사이의 커플링의 확대도이다. 도 4d와 도 4e에 도시된 바와 같이, 도어 실드(152) 내에는 하나 이상의 부착 주요부(194)를 남겨두고 좁은 절취부(195)가 이루어질 수 있어, 일차 구성요소(182)와 분리 가능한 구성요소(184)의 윤곽을 형성하고, 분리 가능한 구성요소(184)는 분리 가능한 링을 구비한다. 좁은 절취부(195)는, 예컨대 레이저 절단 시스템을 이용하여 달성될 수 있고, 절취부의 폭은, 예컨대 약 10 내지 80 mil(예컨 대, 30 mil)일 수 있다. 또한, 하나 이상의 부착 주요부의 길이는, 예컨대 약 10 내지 160 mil(예컨대, 60 mil)일 수 있다. 하나 이상의 부착 주요부(194)를 유지하는 미소량은 일차 구성요소(182)로부터 분리 가능한 구성요소(184)의 분리(예컨대, 2 부재를 손으로 구부린 후에 딱하고 부러뜨림)를 간단하게 할 수 있다. 따라서, 상이한 크기의 타겟과 함께 사용하는 융통성을 제공하는 동시에, 단일의 처리 요소를 제조할 수 있다. 4C is an enlarged view of door shield 152 having a detachable component, and FIGS. 4D and 4E are enlarged views of coupling between detachable component 184 and primary component 182. As shown in FIGS. 4D and 4E, a narrow cutout 195 may be made in the door shield 152 leaving one or more attachment major portions 194, so that the component is separable from the primary component 182. Contoured 184, the detachable component 184 has a detachable ring. The narrow cutout 195 can be achieved using a laser cutting system, for example, and the width of the cutout can be, for example, about 10 to 80 mils (eg, 30 mils). In addition, the length of one or more attachment principals may be, for example, about 10 to 160 mils (eg, 60 mils). The microscopic amount holding one or more attachment major portions 194 can simplify the separation of the detachable component 184 from the primary component 182 (eg, stiffening and breaking after bending two members by hand). . Thus, a single processing element can be manufactured while providing flexibility for use with targets of different sizes.

도 5a와 도 5b는 하부 챔버부(112)에 결합되는 포드 실드(154)의 측면도와 평면도를 각각 도시한다. 포드 실드(154)는, 예컨대 바닥부(200)와 벽부(112)로부터 제조될 수 있고, 바닥부(200)는 복수 개의 부착 요소(204)를 이용하여 벽부(202)에 결합된다. 예컨대, 부착 요소(204)는 바닥부(200)를 벽부(202)에 용접하기 위한 탭을 구비할 수 있다. 또한, 포드 실드(154)는 포드 실드(154)를 처리 챔버(110)의 하부 챔버부(112)에 결합하기 위한 복수 개의 장착 주요부(206)를 구비한다. 각 장착 주요부(206)는, 예컨대 볼트 등의 파스너를 통과시켜 탭핑된 주요부 내에 파스너의 수용시 포드 실드(154)를 처리 챔버(110)에 고정시킬 수 있다. 5A and 5B show side and top views, respectively, of the pod shield 154 coupled to the lower chamber portion 112. Pod shield 154 may be manufactured, for example, from bottom 200 and wall 112, which bottom 200 is coupled to wall 202 using a plurality of attachment elements 204. For example, the attachment element 204 may have a tab for welding the bottom 200 to the wall 202. The pod shield 154 also includes a plurality of mounting mains 206 for coupling the pod shield 154 to the lower chamber portion 112 of the processing chamber 110. Each mounting main portion 206 may secure the pod shield 154 to the processing chamber 110 upon receipt of the fastener in the tapped main portion, for example, through a fastener such as a bolt.

도 5a와 도 5b를 다시 참조하면, 포드 실드(154)는 바닥부(200)와 벽부(202)를 구비하는 일차 구성요소에 결합되는 하나 이상의 분리 가능한 구성요소(208)를 더 구비한다. 예컨대, 하나 이상의 분리 가능한 구성요소(208)는 포드 실드(154)의 반대측에 배치되는 분리 가능한 가스 분사 천공부(210)를 구비할 수 있다. 분리 가능한 가스 분사 천공부는 처리 가스가 처리 챔버(110) 우측의 처리 영역(130)에 진입하는 우측 시스템 또는 처리 가스가 처리 챔버(110) 좌측의 처리 영역(130) 에 진입하는 좌측 시스템 중 어느 하나에 포드 실드(154)를 사용하는 것을 용이하게 할 수 있다. 도 5c에 도시된 바와 같이, 처리 요소(154)의 벽부(202) 내에는 하나 이상의 부착 주요부(212)를 남겨두고 좁은 절취부(213)가 이루어질 수 있어, 벽부(202)와 바닥부(200)를 구비하는 일차 구성요소와, 분리 가능한 가스 분사 천공부(210)의 윤곽을 형성한다. 좁은 절취부(213)는, 예컨대 레이저 절단 시스템을 이용하여 달성될 수 있고, 절취부의 폭은, 예컨대 약 10 내지 80 mil(예컨대, 30 mil)일 수 있다. 또한, 하나 이상의 부착 주요부의 길이는, 예컨대 약 10 내지 160 mil(예컨대, 60 mil)일 수 있다. 하나 이상의 부착 주요부(212)를 유지하는 미소량은 일차 구성요소로부터 분리 가능한 가스 분사 천공부(210)의 분리를 간단하게 할 수 있다. 따라서, 필요에 따라, 상이한 처리 챔버 방위, 예컨대 가스 분사 방위에 사용하는 융통성을 제공하는 동시에, 단일의 처리 요소를 제조할 수 있다. Referring again to FIGS. 5A and 5B, the pod shield 154 further includes one or more separable components 208 coupled to the primary component having the bottom 200 and the wall 202. For example, the one or more separable components 208 may have a detachable gas injection aperture 210 disposed opposite the pod shield 154. The detachable gas injection perforation is either a right side system into which the processing gas enters the processing region 130 on the right side of the processing chamber 110 or a left side system into which the processing gas enters the processing region 130 on the left side of the processing chamber 110. The use of pod shield 154 may be facilitated. As shown in FIG. 5C, a narrow cutout 213 can be made in the wall 202 of the processing element 154, leaving one or more attachment major portions 212, such that the wall 202 and the bottom 200 can be formed. And a primary component having a cross-section, and a detachable gas injection perforation 210. The narrow cutout 213 may be achieved using a laser cutting system, for example, and the width of the cutout may be, for example, about 10 to 80 mils (eg, 30 mils). In addition, the length of one or more attachment principals may be, for example, about 10 to 160 mils (eg, 60 mils). The minute amount holding one or more attachment major portions 212 may simplify the separation of the gas injection apertures 210 that are separable from the primary component. Thus, if desired, a single processing element can be manufactured while providing flexibility for use in different processing chamber orientations, such as gas injection orientations.

또한, 예컨대 하나 이상의 분리 가능한 구성요소(208)는 도 6a와 6b(각각 좌측 가스 분사 링의 평면도 및 측면도) 및 도 6c와 6d(각각 우측 가스 분사 링의 측면도 및 평면도)에 도시된 선택적인 가스 분사 링(240)을 수용하도록 분리 가능한 간극 천공부(214)와 분리 가능한 가스 분사 라인 간극 천공부(216)를 구비할 수 있다. 예컨대, 선택적인 가스 분사 링(240, 240')은 분배 링(241, 241')과, 가스 진입구(242, 242') 및 복수 개의 장착 구조(244, 244')를 구비한다. 도 5d에 도시된 바와 같이, 포드 실드(154)의 바닥부(200) 내에는 하나 이상의 부착 주요부(218)를 남겨두고 좁은 절취부(219)가 이루어질 수 있어, 벽부(202)와 바닥부(200)를 구비 하는 일차 구성요소와, 분리 가능한 간극 천공부(214)의 윤곽을 형성한다. 분리 가능한 간극 천공부는 일단 제거되면 가스 분사 링(240, 240')을 기판 홀더 실드(155c)에 고정하도로 사용되는 복수 개의 장착 구조(244)를 위한 간극을 제공할 수 있다. 더욱이, 도 5e에 도시된 바와 같이, 포드 실드(154)의 바닥부(200) 내에는 하나 이상의 부착 주요부(220)를 남겨두고 좁은 절취부(221)가 이루어질 수 있어, 벽부(202)와 바닥부(200)를 구비하는 일차 구성요소와, 분리 가능한 가스 분사 라인 간극 천공부(216)의 윤곽을 형성한다. 분리 가능한 가스 분사 라인 간극 천공부(216)는 일단 제거되면 가스 공급부(도시 생략)를 가스 분사 링(240, 240')의 가스 진입구(242, 242')에 결합하기 위한 가요성 가스 라인(도시 생략)을 위한 간극을 제공할 수 있다. 좁은 절취부(219, 221)는, 예컨대 레이저 절단 시스템을 이용하여 달성될 수 있고, 절취부의 폭은, 예컨대 약 10 내지 80 mil(예컨대, 30 mil)일 수 있다. 또한, 하나 이상의 부착 주요부의 길이는, 예컨대 약 10 내지 160 mil(예컨대, 60 mil)일 수 있다. 하나 이상의 부착 주요부(212)를 유지하는 미소량은 일차 구성요소로부터 분리 가능한 간극 천공부(214)와 분리 가능한 가스 분사 라인 간극 천공부(216)의 분리를 간단하게 할 수 있다. 따라서, 상이한 선택적인 가스 분사 링 방위에 사용하는 융통성을 제공하는 동시에, 단일의 처리 요소를 제조할 수 있다. Also, for example, the one or more separable components 208 may include optional gas shown in FIGS. 6A and 6B (top and side views of the left gas injection ring, respectively) and FIGS. 6C and 6D (side and top views of the right gas injection ring, respectively). A detachable gap aperture 214 and a removable gas injection line gap aperture 216 may be provided to receive the injection ring 240. For example, optional gas injection rings 240, 240 ′ have distribution rings 241, 241 ′, gas inlets 242, 242 ′ and a plurality of mounting structures 244, 244 ′. As shown in FIG. 5D, a narrow cutout 219 may be made within the bottom 200 of the pod shield 154 leaving one or more attachment major portions 218, such that the wall 202 and the bottom portion ( A primary component having 200 and a removable gap aperture 214 are contoured. Once removed, the detachable gap perforations can provide gaps for the plurality of mounting structures 244 that are used to secure the gas injection rings 240, 240 'to the substrate holder shield 155c. Furthermore, as shown in FIG. 5E, a narrow cutout 221 may be made in the bottom 200 of the pod shield 154 leaving one or more attachment major portions 220, such that the wall 202 and the bottom are formed. The primary component with section 200 and the removable gas injection line gap aperture 216 are contoured. The detachable gas injection line gap aperture 216, once removed, is a flexible gas line (not shown) for coupling a gas supply (not shown) to the gas inlets 242, 242 'of the gas injection rings 240, 240'. Gap may be provided). The narrow cutouts 219, 221 can be achieved, for example, using a laser cutting system, and the width of the cutout can be, for example, about 10 to 80 mils (eg, 30 mils). In addition, the length of one or more attachment principals may be, for example, about 10 to 160 mils (eg, 60 mils). The minute amount holding one or more attachment major portions 212 can simplify separation of the detachable gap aperture 214 and the detachable gas injection line gap aperture 216 from the primary component. Thus, a single treatment element can be manufactured while providing flexibility for use in different optional gas injection ring orientations.

도 7a는 처리 시스템(110)의 펌핑 덕트(140)에 결합되는 펌핑 덕트 실드(156)의 측면도이다. 펌핑 덕트 실드(156)는 일차 구성요소(230)와, 이 일차 구성요소에 결합되는 분리 가능한 구성요소(232)를 구비한다. 예컨대, 도 7a에 도시된 바와 같이, 펌핑 덕트 실드(156)는 상이한 크기의 2개의 상이한 펌핑 덕트(즉, 상이한 직경의 펌핑 덕트) 내에 끼워질 수 있다. 도 7b는 제1 크기의 펌핑 덕트를 위한 형태를 도시하고 있는데, 분리 가능한 구성요소(232)는 제거되지 않았다. 도 7c는 제2 크기의 펌핑 덕트를 위한 형태를 도시하고 있는데, 분리 가능한 구성요소(232)는 제거되었다. 또한, 펌핑 덕트 실드(156)는 이 펌핑 덕트 실드(156)가 펌핑 덕트(140) 내에 끼워지면 각 탭이 펌핑 덕트(140) 내에 펌핑 덕트 실드(156)를 유지하도록 반경 방향 외측으로 만곡될 수 있는 하나 이상의 탭(236)을 선택적으로 구비할 수 있다. 도 7a에 도시된 바와 같이, 펌핑 덕트 실드(156) 내에는 하나 이상의 부착 주요부(234)를 남겨두고 좁은 절취부가 이루어질 수 있어, 분리 가능한 구성요소(232)로부터 일차 구성요소(230)의 윤곽을 형성하고, 이 분리 가능한 구성요소(232)는 분리 가능한 실드 연장부를 구비한다. 좁은 절취부는, 예컨대 레이저 절단 시스템을 이용하여 달성될 수 있고, 절취부의 폭은, 예컨대 약 10 내지 80 mil(예컨대, 30 mil)일 수 있다. 또한, 하나 이상의 부착 주요부의 길이는, 예컨대 약 10 내지 160 mil(예컨대, 60 mil)일 수 있다. 하나 이상의 부착 주요부(234)를 유지하는 미소량은 일차 구성요소로부터 분리 가능한 구성요소의 분리를 간단하게 할 수 있다. 따라서, 상이한 크기의 펌핑 덕트에 사용하는 융통성을 제공하는 동시에, 단일의 처리 요소를 제조할 수 있다. 7A is a side view of pumping duct shield 156 coupled to pumping duct 140 of processing system 110. Pumping duct shield 156 has a primary component 230 and a detachable component 232 coupled to the primary component. For example, as shown in FIG. 7A, the pumping duct shield 156 may be fitted into two different pumping ducts of different sizes (ie, pumps of different diameters). FIG. 7B shows a form for the pumping duct of the first size, with the detachable component 232 not removed. FIG. 7C shows a form for a pumping duct of a second size, with detachable component 232 removed. In addition, the pumping duct shield 156 may be curved radially outward so that each tab retains the pumping duct shield 156 in the pumping duct 140 when the pumping duct shield 156 is fitted in the pumping duct 140. One or more tabs 236 may optionally be provided. As shown in FIG. 7A, a narrow cutout may be made in the pumping duct shield 156 leaving one or more attachment major portions 234, thereby delineating the primary component 230 from the detachable component 232. And the detachable component 232 has a detachable shield extension. Narrow cuts can be achieved, for example, using a laser cutting system, and the width of the cuts can be, for example, about 10 to 80 mils (eg, 30 mils). In addition, the length of one or more attachment principals may be, for example, about 10 to 160 mils (eg, 60 mils). The minute amount holding one or more attachment major portions 234 can simplify the separation of separable components from the primary components. Thus, a single treatment element can be manufactured while providing flexibility for use in pumping ducts of different sizes.

하나 이상의 처리 요소(152, 154, 156)는 알루미늄 등의 금속을 비롯하여 다양한 재료로부터 제조될 수 있다. 전술한 바와 같이, 하나 이상의 처리 요소(150, 예컨대 152, 154, 156) 상의 하나 이상의 노출된 표면은 표면 거칠기를 증가시키도 록 처리되어 재료의 부착력을 향상시킨다. 일시예에 있어서, 하나 이상의 노출된 표면(170)은 벨트 연마 장치를 이용하여, 예컨대 Ra=250 mil(즉 6.3 미크론)을 초과하는 거칠기로 거칠게 된다. 또한, 예컨대, 하나 이상의 노출된 표면의 거칠기 처리는 도 8에 도시된 교차형 패턴(250)을 형성하도록 적용될 수 있다. 예컨대, 조립 전에, 시트 금속을 제1의 통과를 위해 벨트 연마 장치를 통해 인발한 다음, 90도 회전시켜 제2의 통과를 위해 벨트 연마 장치를 통해 인발할 수 있다. 그렇게 하면, 교차형 패턴이 형성될 수 있다. 벨트 연마 장치는, 예컨대 36 그릿(탄화규소)의 연마면을 포함할 수 있다. 별법으로서, 벨트 연마 장치는, 예컨대 40 그릿, 50-60 그릿 또는 80-100 그릿의 연마면을 구비할 수 있다. One or more processing elements 152, 154, 156 can be made from a variety of materials, including metals such as aluminum. As noted above, one or more exposed surfaces on one or more processing elements 150 (eg, 152, 154, 156) are treated to increase surface roughness to improve adhesion of the material. In one embodiment, the one or more exposed surfaces 170 are roughened using a belt polishing apparatus, for example, with roughness in excess of Ra = 250 mil (ie, 6.3 microns). Also, for example, the roughening of one or more exposed surfaces can be applied to form the intersecting pattern 250 shown in FIG. 8. For example, prior to assembly, the sheet metal may be drawn through the belt polishing apparatus for the first pass and then rotated 90 degrees through the belt polishing device for the second pass. In doing so, an intersecting pattern can be formed. The belt polishing apparatus may include, for example, 36 grits (silicon carbide) polishing surfaces. Alternatively, the belt polishing apparatus may have a polishing surface of 40 grit, 50-60 grit or 80-100 grit, for example.

도 9는 도 1, 도 2a 및 도 2b에 도시된 것과 같은 처리 시스템에 사용하기 위한 처리 요소의 제조 방법을 나타낸다. 흐름도(300)는 처리 요소를 제조하는 310에서 개시한다. 처리 요소는, 예컨대 챔버 라이너, 증착 실드, 기구 실드, 배플 플레이트 등을 포함할 수 있다. 또한, 예컨대 처리 요소는 도 4a 내지 도 4e에 도시된 도어 실드, 도 5a 내지 도 5e에 도시된 포드 실드 및 도 7a 내지 도 7c에 도시된 펌핑 덕트 실드를 포함할 수 있다. 처리 요소는 시트 금속 또는 스펀 금속으로부터 형성된다. 예컨대, 처리 요소의 제조는 기계 가공, 주조, 연삭, 단조 및 연마 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 전술한 각 처리 요소는 기계 인발에 규정된 명세에 따라 제조될 수 있다. 9 shows a method of making a processing element for use in a processing system such as that shown in FIGS. 1, 2A and 2B. Flowchart 300 begins at 310 manufacturing a processing element. Processing elements may include, for example, chamber liners, deposition shields, instrument shields, baffle plates, and the like. Also, for example, the processing element may include a door shield shown in FIGS. 4A-4E, a pod shield shown in FIGS. 5A-5E, and a pumping duct shield shown in FIGS. 7A-7C. The processing element is formed from sheet metal or spun metal. For example, the manufacture of the processing element may further comprise at least one of machining, casting, grinding, forging and polishing. Each of the aforementioned processing elements can be manufactured according to the specifications defined in the machine drawing.

320에서, 처리 중에 처리 환경에 노출될 처리 요소의 하나 이상의 표면은 벨트 연마법을 이용하여 250 mil(즉, 6.3 미크론)을 초과하는 평균 거칠기(Ra)로 거 칠게 된다. 벨트 연마법은, 예컨대 교차형 패턴을 갖는 처리 요소의 하나 이상의 노출된 표면을 거칠게 하는 것을 더 포함할 수 있다. At 320, one or more surfaces of the processing elements to be exposed to the processing environment during processing are subjected to an average roughness Ra exceeding 250 mils (ie, 6.3 microns) using belt polishing. Belt polishing may further comprise, for example, roughening one or more exposed surfaces of the processing element having a cross-sectional pattern.

각 처리 요소의 제조는 하나 이상의 표면 상에 표면 양극 산화를 제공하는 것, 하나 이상의 표면 상에 스프레이 코팅을 제공하는 것 또는 하나 이상의 표면을 플라즈마 전해질 산화를 받게 하는 것 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 예컨대, 스프레이 코팅은 Al2O3, 이트리아(Yttria)(Y2O3), Sc2O3, Sc2F3, YF3, La2O3, CeO2, Eu2O3 및 DyO3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 알루미늄 구성요소를 양극 산화시키고 스프레이 코팅을 피복하는 방법은 표면 재료 처리 분야의 숙련자들에게 널리 알려져 있다. The manufacture of each processing element may further comprise one or more of providing surface anodization on one or more surfaces, providing a spray coating on one or more surfaces, or subjecting one or more surfaces to plasma electrolyte oxidation. have. For example, the spray coating may be Al 2 O 3 , Yttria (Y 2 O 3 ), Sc 2 O 3 , Sc 2 F 3 , YF 3 , La 2 O 3 , CeO 2 , Eu 2 O 3 and DyO 3 It may include at least one of. Methods of anodizing aluminum components and coating spray coatings are well known to those skilled in the surface material treatment arts.

도 10a는 도 1, 도 2a 및 도 2b에 도시된 것과 같은 처리 시스템에 사용하기 위한 처리 요소의 제조 방법을 나타낸다. 흐름도(400)는 처리 요소를 제조하는 410에서 개시하는데, 처리 요소는 일차 구성요소를 구비한다. 420에서, 적어도 하나의 분리 가능한 구성요소는 일차 구성요소에 형성된다. 처리 요소는, 예컨대 챔버 라이너, 증착 실드, 기구 실드, 배플 플레이트, 덕트 라이너 등을 포함할 수 있다. 또한, 예컨대 처리 요소는 도 4a 내지 도 4e에 도시된 도어 실드, 도 5a 내지 도 5e에 도시된 포드 실드 및 도 7a 내지 도 7c에 도시된 펌핑 덕트 실드를 포함할 수 있다. 처리 요소는 시트 금속 또는 스펀 금속으로부터 형성된다. 예컨대, 처리 요소의 제조는 기계 가공, 주조, 연삭, 단조 및 연마 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 전술한 각 처리 요소는 기계 인발에 규정된 명세에 따라 제조될 수 있다. 10A shows a method of making a processing element for use in a processing system such as that shown in FIGS. 1, 2A, and 2B. Flowchart 400 begins at 410 where a processing element is manufactured, the processing element having a primary component. At 420, at least one separable component is formed in the primary component. Processing elements may include, for example, chamber liners, deposition shields, instrument shields, baffle plates, duct liners, and the like. Also, for example, the processing element may include a door shield shown in FIGS. 4A-4E, a pod shield shown in FIGS. 5A-5E, and a pumping duct shield shown in FIGS. 7A-7C. The processing element is formed from sheet metal or spun metal. For example, the manufacture of the processing element may further comprise at least one of machining, casting, grinding, forging and polishing. Each of the aforementioned processing elements can be manufactured according to the specifications defined in the machine drawing.

분리 가능한 구성요소는 하나 이상의 부착 주요부를 통해 일차 구성요소에 결합될 수 있다. 예컨대, 부착 주요부는 일차 구성요소와 분리 가능한 구성요소의 윤곽을 형성하는 라인 또는 곡선을 따라 레이저 절단 시스템으로부터 얻어지는 좁은 절취부를 제공함으로써 형성될 수 있다. 각 부착 주요부는, 예컨대 폭이 10 내지 80 mil(즉, 30 mil)이고 길이가 10 내지 160 mil(즉, 60 mil)일 수 있다. 분리 가능한 구성요소는, 예컨대 도어 실드 등의 처리 요소에 결합되어, 다양한 크기의 타겟 조립체에 도어 실드를 융통성 있게 사용할 수 있다. 또한, 예컨대 분리 가능한 구성요소는 천공부(녹아웃부)를 구비할 수 있고 포드 실드 등의 처리 요소에 결합될 수 있어, 상이한 방위의 가스 분사 시스템(즉, 우측 시스템 대 좌측 시스템)을 갖는 포드 실드를 융통성 있게 사용할 수 있다. 또한, 예컨대 분리 가능한 구성요소는 펌핑 덕트 실드에 결합될 수 있어, 다양한 크기의 펌핑 덕트에 펌핑 덕트 실드를 융통성 있게 사용할 수 있다. The detachable component can be coupled to the primary component via one or more attachment principals. For example, the attachment major portion can be formed by providing a narrow cut obtained from the laser cutting system along a line or curve that outlines the separable component with the primary component. Each attachment major portion may be, for example, 10 to 80 mils (ie 30 mils) wide and 10 to 160 mils (ie 60 mils) long. Detachable components can be coupled to processing elements, such as door shields, for example, allowing the flexible use of door shields in target assemblies of various sizes. Also, for example, the detachable component may have perforations (knockouts) and may be coupled to processing elements, such as pod shields, such that pod shields with gas injection systems of different orientations (ie right to left systems). Can be used flexibly. Also, for example, the detachable component can be coupled to the pumping duct shield, allowing for flexible use of the pumping duct shield in pumping ducts of various sizes.

도 10b는 도 1, 도 2a 및 도 2b에 도시된 것과 같은 처리 시스템에 사용하기 위한 처리 요소의 다른 제조 방법을 나타낸다. 흐름도(430)는 처리 요소를 제조하는 410에서 개시하는데, 처리 요소는 일차 구성요소를 구비하고, 420에서 상기 일차 구성요소에 적어도 하나의 분리 가능한 구성요소를 형성한다. 440에서, 각 처리 요소의 제조는 하나 이상의 표면 상에 표면 양극 산화를 제공하는 것, 하나 이상의 표면 상에 스프레이 코팅을 제공하는 것 또는 하나 이상의 표면을 플라즈마 전해질 산화를 받게 하는 것 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 예컨대, 스프레 이 코팅은 Al2O3, 이트리아(Yttria)(Y2O3), Sc2O3, Sc2F3, YF3, La2O3, CeO2, Eu2O3 및 DyO3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 알루미늄 구성요소를 양극 산화시키고 스프레이 코팅을 피복하는 방법은 표면 재료 처리 분야의 숙련자들에게 널리 알려져 있다. FIG. 10B shows another method of making a processing element for use in a processing system such as that shown in FIGS. 1, 2A, and 2B. Flowchart 430 begins at 410 for manufacturing a processing element, the processing element having a primary component, and forming at least one separable component in the primary component at 420. At 440, the manufacture of each processing element further comprises one or more of providing surface anodization on one or more surfaces, providing a spray coating on one or more surfaces, or subjecting one or more surfaces to plasma electrolyte oxidation. It may include. For example, the spray coating may be Al 2 O 3 , Yttria (Y 2 O 3 ), Sc 2 O 3 , Sc 2 F 3 , YF 3 , La 2 O 3 , CeO 2 , Eu 2 O 3 and DyO It may include at least one of three . Methods of anodizing aluminum components and coating spray coatings are well known to those skilled in the surface material treatment arts.

도 11은 도 1, 도 2a 및 도 2b에 도시된 것과 같은 처리 시스템에 사용하기 위한 처리 요소의 제조 방법을 나타낸다. 흐름도(500)는 처리 요소를 제조하는 510에서 개시하는데, 처리 요소는 일차 구성요소와 적어도 하나의 분리 가능한 구성요소를 구비한다. 처리 요소는, 예컨대 챔버 라이너, 증착 실드, 기구 실드, 배플 플레이트, 덕트 라이너 등을 포함할 수 있다. 또한, 예컨대 처리 요소는 도 4a 내지 도 4e에 도시된 도어 실드, 도 5a 내지 도 5e에 도시된 포드 실드 및 도 7a 내지 도 7c에 도시된 펌핑 덕트 실드를 포함할 수 있다. 11 shows a method of making a processing element for use in a processing system such as that shown in FIGS. 1, 2A and 2B. Flowchart 500 begins at 510 of manufacturing a processing element, wherein the processing element has a primary component and at least one separable component. Processing elements may include, for example, chamber liners, deposition shields, instrument shields, baffle plates, duct liners, and the like. Also, for example, the processing element may include a door shield shown in FIGS. 4A-4E, a pod shield shown in FIGS. 5A-5E, and a pumping duct shield shown in FIGS. 7A-7C.

520에 있어서는, 적어도 하나의 제거 가능한 구성요소 중 하나 또는 그 이상을 제거하는 것이 결정된다. 적어도 하나의 제거 가능한 구성요소 중 하나 또는 그 이상을 제거하는 경우에, 이들 구성요소는 제거되어 530에서 폐기되고, 처리 요소는 540에서 처리 챔버 내에서 설치된다. 그렇지 않으면, 이들 구성요소는 적어도 하나의 제거 가능한 구성요소 중 하나 또는 그 이상을 제거하지 않고 처리 챔버에 설치된다. At 520, it is determined to remove one or more of the at least one removable component. In the case of removing one or more of the at least one removable component, these components are removed and discarded at 530, and the processing element is installed in the processing chamber at 540. Otherwise, these components are installed in the processing chamber without removing one or more of the at least one removable component.

예로서, 처리 요소는 도어 실드(도 4 참조)이다. 처리 시스템이 직경 10 인치의 스퍼터 타겟을 포함하는 경우에, 도 4a 내지 도 4e에 도시된 제거 가능한 구 성요소는 설치 이전에 제거되지 않는다. 그러나, 처리 시스템이 직경 12 인치의 스퍼터 타겟을 포함하는 경우에는, 도 4a 내지 도 4e에 도시된 제거 가능한 구성요소가 설치 전에 제거된다. 다른 예로서, 처리 요소는 포드 실드(도 5a 참조)이다. 처리 시스템이 우측 방위를 갖는 가스 분사 시스템을 포함하는 경우에, 포드 실드의 우측에 위치된 제거 가능한 가스 분사 펀칭부(도 5c 참조)가 설치 이전에 제거된다. 다른 한편으로, 처리 시스템이 좌측 방위를 갖는 가스 분사 시스템을 포함하는 경우에, 포드 실드의 좌측에 위치하고 있는 제거 가능한 가스 분사 펀칭부가 설치 이전에 제거된다. 또한, 선택적인 가스 분사 링을 채용하는 경우에, 제거 가능한 간극 펀칭부(도 5d 참조)는 설치 이전에 제거된다. 또한, 처리 시스템이 우측 방위를 갖는 가스 분사 시스템을 포함하는 경우에, 제거 가능한 가스 분사 라인의 간극 천공부(도 5e 참조)는 설치 이전에 제거된다. 다른 한편으로, 처리 시스템이 좌측 방위를 갖는 가스 분사 시스템을 포함하는 경우에, 제거 가능한 가스 분사 라인의 간극 천공부(도 5e 참조)는 설치 이전에 제거된다. 또 다른 예에서, 처리 요소는 펌핑 덕트 실드이다. 펌핑 덕트 실드에 보다 작은 직경의 펌핑 덕트가 장착되는 경우에, 제거 가능한 구성요소는 설치 이전에 제거된다. 그러나, 펌핑 덕트 실드에 보다 큰 직경의 펌핑 덕트가 장착되는 경우에는, 제거 가능한 구성요소가 설치 이전에 제거되지 않는다. By way of example, the processing element is a door shield (see FIG. 4). If the processing system includes a sputter target of 10 inches in diameter, the removable components shown in FIGS. 4A-4E are not removed prior to installation. However, if the processing system includes a sputter target 12 inches in diameter, the removable components shown in FIGS. 4A-4E are removed prior to installation. As another example, the processing element is a pod shield (see FIG. 5A). If the processing system includes a gas injection system with a right orientation, the removable gas injection punching portion (see FIG. 5C) located on the right side of the pod shield is removed prior to installation. On the other hand, when the processing system comprises a gas injection system with a left orientation, the removable gas injection punching portion located on the left side of the pod shield is removed before installation. In addition, when employing an optional gas injection ring, the removable gap punching portion (see FIG. 5D) is removed prior to installation. In addition, in the case where the processing system includes a gas injection system having a right orientation, the gap perforations (see FIG. 5E) of the removable gas injection line are removed before installation. On the other hand, in the case where the treatment system includes a gas injection system with a left orientation, the gap perforation of the removable gas injection line (see FIG. 5E) is removed before installation. In another example, the processing element is a pumping duct shield. If the pumping duct shield is equipped with a smaller diameter pumping duct, the removable component is removed prior to installation. However, if the pumping duct shield is equipped with a larger diameter pumping duct, the removable component is not removed prior to installation.

이제 도 12a 및 도 12b를 참조하면, 다크 스페이스 실드(152B)의 평면도 및 단면도가 도시되어 있다. 다크 스페이스 실드(152B))는 타겟 조립체에 결합되는 실드 조립체의 부재일 수 있으며, 이 실드 조립체는 타겟 조립체 내에 장착된 스퍼 터 타겟의 둘레 에지를 둘러싸서 보호하도록 구성되어 있다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 실드 조립체는 예컨대 어댑터 실드(152A)를 더 구비할 수 있다. 다크 스페이스 실드(152B)는 플랜지 영역(600)과 이 영역에 결합된 립 영역(610)을 구비한다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 다크 스페이스 실드(152B)는 다크 스페이스 실드(152B)의 체결 구멍(620)을 통하여 연장되는 도시된 바와 같은 파스너를 이용하여 타겟 조립체에 결합되어 있고, 스퍼터 타겟(도시 생략)을 둘러싸도록 구성되어 있다. 타겟 조립체(135)에 결합된 상태로 스퍼터 타겟의 둘레 에지를 둘러쌈으로써, 다크 스페이스 실드(152B)의 립 영역(610)의 내면(625)과 타겟의 외부 에지 사이에 간극 공간이 형성되어 있다. 이 공간은, 플라즈마가 그 공간을 통과하는 것을 방지하고 스퍼터 타겟의 둘레 에지를 부식시키는 것을 방지하도록 예컨대 1 mm 미만일 수 있다. 도 12c는 립 영역(610)과 내면(625)의 확대도를 도시하고 있다. Referring now to FIGS. 12A and 12B, a plan view and a cross-sectional view of dark space shield 152B is shown. Dark space shield 152B may be a member of a shield assembly coupled to the target assembly, the shield assembly configured to surround and protect a circumferential edge of a sputter target mounted within the target assembly. As shown in FIG. 3A, the shield assembly may further include, for example, an adapter shield 152A. Dark space shield 152B has a flange region 600 and a lip region 610 coupled to the region. As shown in FIG. 3A, the dark space shield 152B is coupled to the target assembly using a fastener as shown extending through the fastening hole 620 of the dark space shield 152B, and the sputter target (not shown). Is omitted). By enclosing the circumferential edge of the sputter target in a coupled state with the target assembly 135, a gap space is formed between the inner surface 625 of the lip region 610 of the dark space shield 152B and the outer edge of the target. . This space can be, for example, less than 1 mm to prevent the plasma from passing through the space and to corrode the peripheral edge of the sputter target. 12C shows an enlarged view of the lip region 610 and the inner surface 625.

변형예에 있어서, 이제 도 13a 및 도 13b를 참고하면, 다크 스페이스 실드(700)의 평면도 및 단면도가 제시되어 있다. 다크 스페이스 실드(700)는 타겟 조립체에 결합되는 실드 조립체의 부재일 수 있고, 이 실드 조립체는 타겟 조립체 내에 장착된 스퍼터 타겟의 둘레 에지를 둘러싸서 보호하도록 구성되어 있어서, 통상의 다크 스페이스 실드와 어댑터 실드 모두를 합체한다. 다크 스페이스 실드(700)는 플랜지 영역(710)과, 립 영역(720), 여기에 결합된 어댑터 영역(730)을 구비한다. 어댑터 영역(730)은 별개의 어댑터 실드의 기능을 실행한다. 다크 스페이스 실드(700)는 다크 스페이스 실드(700)의 체결 구멍(740)을 통하여 연장되는 도시된 바와 같은 파스너를 이용하여 타겟 조립체에 결합되어 있고, 스퍼터 타겟(도시 생 략)을 둘러싸도록 구성되어 있다. 타겟 조립체(135)에 결합된 상태로 스퍼터 타겟의 둘레 에지를 둘러쌓음으로써, 다크 스페이스 실드(700)의 립 영역(720)의 내면(745)과 타겟의 외부 에지 사이에 간극 공간이 형성되어 있다. 이 공간은 플라즈마가 그 공간을 통과하는 것을 방지하고 스퍼터 타겟의 둘레 에지를 부식시키는 것을 방지하도록 예컨대 1 mm 미만일 수 있다. 도 13c는 립 영역(720)과 내면(745)의 확대도를 도시하고 있다. In a variant, referring now to FIGS. 13A and 13B, a plan view and a cross-sectional view of the dark space shield 700 are shown. Dark space shield 700 may be a member of a shield assembly coupled to a target assembly, the shield assembly configured to surround and protect a circumferential edge of a sputter target mounted within the target assembly, thereby providing a conventional dark space shield and adapter. Incorporate all shields. Dark space shield 700 has a flange region 710, a lip region 720, and an adapter region 730 coupled thereto. Adapter area 730 performs the function of a separate adapter shield. The dark space shield 700 is coupled to the target assembly using a fastener as shown extending through the fastening hole 740 of the dark space shield 700, and is configured to surround the sputter target (not shown). have. By enclosing the circumferential edge of the sputter target in a coupled state with the target assembly 135, a gap space is formed between the inner surface 745 of the lip region 720 of the dark space shield 700 and the outer edge of the target. . This space can be, for example, less than 1 mm to prevent the plasma from passing through the space and to corrode the peripheral edge of the sputter target. 13C shows an enlarged view of the lip region 720 and the inner surface 745.

이제 도 14a 및 도 14b를 참고하면, 링 실드(155B)의 평면도 및 단면도가 도시되어 있다. 링 실드(155B)는 기판 홀더를 보호하기 위한 실드 조립체의 부재일 수 있다. 링 실드(155B)는 플랜지 영역(630)과 이 영역에 결합된 립 영역(640)을 포함한다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 링 실드(155B)는 체결 구멍(650)을 통하여 연장되는 도시된 바와 같은 파스너를 이용하여 기판 홀더 실드(155C)에 결합되어 있고, 포드 실드(154)와 기판 홀더 실드(155C)를 보호하도록 구성되어 있다. 또한, 링 실드(155B)는 선택적인 가스 분사 링(155)을 결합할 수 있도록 간극 노치(655)를 더 포함할 수 있다. Referring now to FIGS. 14A and 14B, top and cross-sectional views of ring shield 155B are shown. The ring shield 155B may be a member of the shield assembly to protect the substrate holder. Ring shield 155B includes a flange region 630 and a lip region 640 coupled to the region. As shown in FIG. 3B, the ring shield 155B is coupled to the substrate holder shield 155C using a fastener as shown extending through the fastening hole 650, and the pod shield 154 and the substrate holder. It is configured to protect the shield 155C. In addition, the ring shield 155B may further include a gap notch 655 to engage the optional gas injection ring 155.

도 12a 내지 도 12c, 도 13a 내지 도 13c, 도 14a 및 도 14b에 도시된 바와 같이, 다크 스페이스 실드(152B)와 링 실드(155B)는 스펀 메탈로 제조된다. 스펀 메탈은 예컨대 알루미늄을 포함할 수 있다. 이러한 제조 공정은 50% 이상의 비용 경감을 유도할 수 있다. 전술한 다크 스페이스 실드 또는 링 실드 중 어느 것은 직경 200 mm, 300 mm 또는 그 이상의 시스템용으로 제조될 수 있다. 또한, 다크 스페이스 실드(152B)와 링 실드(155B)의 제조 방법은 하나 이상의 표면에 대하여 표면 양극 산화를 실시하는 것과, 하나 이상의 표면에 스프레이 코팅을 실시하는 것과, 하나 이상의 표면을 플라즈마 전해질 산화시키는 것 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 스프레이 코팅은 Al2O3, 이트리아(Yttria)(Y2O3), Sc2O3, Sc2F3, YF3, La2O3, CeO2, Eu2O3 및 DyO3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 알루미늄 성분을 양극 산화하고 스프레이 코팅을 도포하는 방법은 표면 재료 처리 분야의 당업자에게 널리 알려져 있다. As shown in FIGS. 12A-12C, 13A-13C, 14A, and 14B, the dark space shield 152B and the ring shield 155B are made of spun metal. The spun metal may comprise aluminum for example. This manufacturing process can lead to cost reductions of 50% or more. Any of the dark space shields or ring shields described above can be manufactured for systems with a diameter of 200 mm, 300 mm or more. In addition, the method of manufacturing the dark space shield 152B and the ring shield 155B may include surface anodizing one or more surfaces, spray coating one or more surfaces, and plasma electrolyte oxidation of one or more surfaces. It may further include at least one of the. For example, the spray coating may be Al 2 O 3 , Yttria (Y 2 O 3 ), Sc 2 O 3 , Sc 2 F 3 , YF 3 , La 2 O 3 , CeO 2 , Eu 2 O 3 and DyO 3 It may include at least one of. Methods of anodizing aluminum components and applying spray coatings are well known to those skilled in the art of surface material treatment.

본 발명의 단지 특정의 예시적인 실시예를 위에서 상세하게 설명하였지만, 당업자는 본 발명의 신규한 교시 및 이점을 물질적으로 벗어나지 않으면서 예시적인 실시예에 대한 많은 변형이 가능하다는 것을 쉽게 이해할 것이다. 이들 모든 변형은 본 발명의 사상 내에 포함되는 것으로 의도된다. Although only certain exemplary embodiments of the invention have been described in detail above, those skilled in the art will readily appreciate that many modifications to the exemplary embodiments are possible without materially departing from the novel teachings and advantages of the invention. All these modifications are intended to be included within the spirit of the invention.

Claims (65)

2개 이상의 형태 중 임의의 하나의 처리 시스템에 사용하기 위한 처리 요소로서, A processing element for use in any one of two or more forms of processing systems, 일차 구성요소와,The primary component, 상기 일차 구성요소에 결합되는 분리 가능한 구성요소Detachable component coupled to the primary component 를 구비하고, 상기 처리 요소는 상기 분리 가능한 구성요소가 일차 구성요소에 의해 유지될 때, 제1 형태의 처리 시스템에 사용하도록 구성되고, 상기 처리 요소는 상기 분리 가능한 구성요소가 제거될 때, 제2 형태의 처리 시스템에 사용하도록 구성되는 것인 처리 요소.Wherein the processing element is configured for use in a first type of processing system when the separable component is held by the primary component, wherein the processing element is configured to be removed when the detachable component is removed. A processing element configured for use with two types of processing systems. 제1항에 있어서, 상기 분리 가능한 구성요소는 하나 이상의 부착 주요부에 의해 상기 일차 구성요소에 결합되고, 상기 부착 주요부는 이 부착 주요부의 지점을 제외하고 상기 일차 구성요소로부터 분리 가능한 구성요소의 윤곽을 형성하도록 소정 곡선을 따라 처리 요소를 절단함으로써 형성되는 것인 처리 요소.The detachable component of claim 1, wherein the detachable component is coupled to the primary component by one or more attachment principals, wherein the attachment principal defines the contour of the detachable component from the primary component except for the point of the attachment principal. Wherein the processing element is formed by cutting the processing element along a predetermined curve to form. 제2항에 있어서, 상기 절단은 레이저 절단 시스템을 이용하여 수행되는 것인 처리 요소.The processing element of claim 2, wherein the cutting is performed using a laser cutting system. 제2항에 있어서, 상기 하나 이상의 부착 주요부는 소정의 폭과 길이를 갖고, 상기 폭은 10 내지 80 mil이고, 상기 길이는 10 내지 160 mil인 것인 처리 요소.The processing element of claim 2, wherein the at least one attachment major portion has a predetermined width and length, the width is from 10 to 80 mils, and the length is from 10 to 160 mils. 제1항에 있어서, 상기 처리 시스템은 물리적 기상 증착 시스템, 화학적 기상 증착 시스템 및 식각 시스템 중 하나 이상을 포함하는 것인 처리 요소.The processing element of claim 1, wherein the processing system comprises one or more of a physical vapor deposition system, a chemical vapor deposition system, and an etching system. 제5항에 있어서, 상기 처리 시스템은 물리적 기상 증착 시스템을 포함하고, 상기 처리 시스템은 상부 챔버부와 하부 챔버부를 갖는 처리 챔버와, 상기 처리 챔버에 결합되는 타겟 조립체와, 상기 처리 챔버에 결합되는 기판을 지지하는 기판 홀더와, 펌핑 시스템과, 상기 펌핑 시스템을 처리 챔버에 결합시키는 펌핑 덕트를 구비하는 것인 처리 요소.6. The processing system of claim 5, wherein the processing system comprises a physical vapor deposition system, the processing system having a top chamber portion and a bottom chamber portion, a target assembly coupled to the processing chamber, and coupled to the processing chamber. A substrate holder for supporting a substrate, a pumping system, and a pumping duct to couple the pumping system to a processing chamber. 제6항에 있어서, 상기 처리 요소는 상기 처리 챔버의 상부 챔버부에 결합되는 도어 실드와, 상기 처리 챔버의 하부 챔버부에 결합되는 포드 실드와, 상기 펌핑 덕트에 결합되는 펌핑 덕트 실드 중 하나 이상을 구비하는 것인 처리 요소.The method of claim 6, wherein the processing element comprises at least one of a door shield coupled to an upper chamber portion of the treatment chamber, a pod shield coupled to a lower chamber portion of the treatment chamber, and a pumping duct shield coupled to the pumping duct. And a processing element. 제7항에 있어서, 상기 분리 가능한 구성요소는 상기 도어 실드에 결합되는 분리 가능한 링을 포함하고, 상기 분리 가능한 링은 제1 크기의 타겟 조립체를 갖는 도어 실드를 사용할 때 유지되고, 상기 분리 가능한 링은 제2 크기의 타겟 조립체를 갖는 도어 실드를 사용할 때 제거되는 것인 처리 요소.8. The detachable ring of claim 7 wherein the detachable component includes a detachable ring coupled to the door shield, the detachable ring being retained when using a door shield having a target assembly of a first size, the detachable ring Is removed when using a door shield having a target assembly of a second size. 제8항에 있어서, 상기 제1 크기는 290 mm 미만의 기판 직경에 대한 타겟 조립체이고, 상기 제2 크기는 290 mm 이상의 기판 직경에 대한 타겟 조립체인 것인 처리 요소.The processing element of claim 8, wherein the first size is a target assembly for a substrate diameter of less than 290 mm and the second size is a target assembly for a substrate diameter of at least 290 mm. 제7항에 있어서, 상기 하나 이상의 분리 가능한 구성요소는 하나 이상의 부착 주요부를 이용하여 포드 실드에 착탈 가능하게 결합되는 분리 가능한 제1 가스 분사 천공부와 분리 가능한 제2 가스 분사 천공부를 구비하고, 상기 제1 가스 분사 천공부는 포드 실드의 우측에 결합되며 상기 제2 가스 분사 천공부는 포드 실드의 좌측에 결합되는 것인 처리 요소.8. The method of claim 7, wherein the one or more separable components includes a detachable first gas jet perforation and a detachable second gas jet perforation detachably coupled to the pod shield using one or more attachment principals, Wherein the first gas injection perforation is coupled to the right side of the pod shield and the second gas injection perforator is coupled to the left side of the pod shield. 제7항에 있어서, 선택적인 가스 분사 링을 더 구비하고, 상기 하나 이상의 분리 가능한 구성요소는 상기 선택적인 가스 분사 링을 처리 시스템에 장착하기 위한 간극을 제공하는 하나 이상의 분리 가능한 간극 천공부와, 상기 처리 시스템의 우측 방위에 가스 분사 라인을 위한 간극을 제공하는 분리 가능한 제1 가스 분사 라인 간극 천공부와, 상기 처리 시스템의 좌측 방위에 가스 분사 라인을 위한 간극을 제공하는 분리 가능한 제2 가스 주입 라인 간극 천공부를 구비하는 것인 처리 요소.8. The system of claim 7, further comprising an optional gas injection ring, wherein the one or more separable components comprise one or more separable gap apertures providing a gap for mounting the optional gas injection ring in the processing system; A first detachable gas injection line gap perforator that provides a gap for the gas injection line in the right orientation of the processing system and a second detachable gas injection that provides a gap for the gas injection line in the left orientation of the processing system And a line gap aperture. 제7항에 있어서, 상기 하나 이상의 분리 가능한 구성요소는 상기 펌핑 덕트 실드에 결합되는 분리 가능한 실드 연장부를 구비하고, 상기 분리 가능한 실드 연 장부는 상기 제1 형태의 펌핑 덕트에서 펌핑 덕트 실드를 사용하도록 유지되고, 상기 분리 가능한 실드 연장부는 상기 제2 형태의 펌핑 덕트에 펌핑 덕트 실드를 사용하도록 제거되는 것인 처리 요소.8. The method of claim 7, wherein the at least one separable component has a separable shield extension coupled to the pumping duct shield, wherein the detachable shield extension is adapted to use a pumping duct shield in the pump duct of the first type. And the detachable shield extension is removed to use a pumping duct shield for the pumping duct of the second type. 제1항에 있어서, 상기 처리 요소 상의 하나 이상의 표면에 피복되는 코팅을 더 구비하는 것인 처리 요소.The processing element of claim 1, further comprising a coating coated on at least one surface on the processing element. 제13항에 있어서, 상기 코팅은 표면 양극 산화, 스프레이 코팅 및 플라즈마 전해질 산화 코팅 중 하나 이상을 포함하는 것인 처리 요소.The processing element of claim 13, wherein the coating comprises at least one of surface anodization, spray coating, and plasma electrolyte oxidation coating. 처리 시스템에 사용하기 위한 처리 키트에 있어서, 상기 처리 시스템은 상부 챔버부와 하부 챔버부를 갖는 처리 챔버와, 상기 처리 챔버에 결합되는 타겟 조립체와, 상기 처리 챔버에 결합되는 기판을 지지하는 기판 홀더와, 펌핑 시스템과, 상기 펌핑 시스템을 처리 챔버에 결합하는 펌핑 덕트를 구비하는 것인 처리 키트로서, A processing kit for use in a processing system, the processing system comprising: a processing chamber having an upper chamber portion and a lower chamber portion, a target assembly coupled to the processing chamber, and a substrate holder supporting a substrate coupled to the processing chamber; A process kit comprising a pumping system and a pumping duct coupling the pumping system to a processing chamber, 상기 처리 챔버의 상부 챔버부에 결합되도록 구성되고, 분리 가능한 링을 구비하는 도어 실드로서, 상기 분리 가능한 링의 유지는 제1 타겟 조립체 형태를 갖는 도어 실드의 사용을 용이하게 하고, 상기 분리 가능한 링의 제거는 제2 타겟 조립체 형태를 갖는 도어 실드의 사용을 용이하게 하는 것인 도어 실드와,A door shield configured to be coupled to an upper chamber portion of the processing chamber, the door shield having a detachable ring, wherein the maintenance of the detachable ring facilitates use of the door shield in the form of a first target assembly and wherein the detachable ring The removal of the door shield facilitates use of the door shield in the form of a second target assembly; 상기 처리 챔버의 하부 챔버부에 결합되도록 구성되는 포드 실드로서, 상기 포드 실드의 우측에 부착 주요부를 사용하여 결합되는 분리 가능한 제1 가스 분사 천공부와, 상기 포드 실드의 좌측에 부착 주요부를 사용하여 결합되는 분리 가능한 제2 가스 분사 천공부를 갖도록 구성되며, 상기 분리 가능한 제1 가스 분사 천공부의 제거는 상기 처리 시스템의 우측 방위에 포드 실드의 사용을 용이하게 하고, 상기 분리 가능한 제2 가스 분사 천공부의 제거는 상기 처리 시스템의 좌측 방위에 포드 실드의 사용을 용이하게 하는 것인 포드 실드와,A pod shield configured to be coupled to a lower chamber portion of the processing chamber, using a detachable first gas injection punched portion coupled to the right side of the pod shield using an attachment major portion, and an attachment major portion to the left side of the pod shield; Configured to have a second detachable gas injection aperture, wherein the removal of the first detachable gas injection aperture facilitates use of the pod shield in the right orientation of the processing system, and the second detachable gas injection The removal of the perforations is to facilitate the use of the pod shield in the left orientation of the processing system; 상기 펌핑 덕트에 결합되도록 구성되는 펌핑 덕트 실드로서, 상기 펌핑 덕트 실드에 부착 주요부를 이용하여 결합되는 분리 가능한 실드 연장부를 구비하고, 상기 분리 가능한 실드 연장부의 유지는 제1 크기의 펌핑 덕트에 펌핑 덕트 실드의 사용을 용이하게 하며, 상기 분리 가능한 실드 연장부의 제거는 제2 크기의 펌핑 덕트에 펌핑 덕트 실드의 사용을 용이하게 하는 것인 펌핑 덕트 실드A pumping duct shield configured to be coupled to said pumping duct, said pumping duct shield having a detachable shield extension coupled to said pumping duct shield using a major portion, said retaining of said detachable shield extension being pumped to a pumping duct of a first size Pumping duct shield, which facilitates the use of the shield and the removal of the detachable shield extension facilitates the use of the pumping duct shield in a pumping duct of a second size. 를 구비하는 처리 키트.Treatment kit comprising a. 제15항에 있어서, 상기 처리 챔버에 결합되는 선택적인 가스 분사 링을 더 구비하는 것인 처리 키트.The process kit of claim 15, further comprising an optional gas injection ring coupled to the process chamber. 제16항에 있어서, 상기 포드 실드는 하나 이상의 부착 수단을 이용하여 상기 포드 실드에 결합되는 하나 이상의 분리 가능한 간극 천공부와, 하나 이상의 부착 수단을 이용하여 상기 포드 실드에 결합되는 분리 가능한 제1 가스 분사 라인 간극 천공부와, 상기 하나 이상의 부착 수단을 이용하여 상기 포드 실드에 결합되는 분 리 가능한 제2 가스 분사 라인 간극 천공부를 갖도록 추가로 구성되고, 상기 하나 이상의 분리 가능한 간극 천공부의 제거는 상기 처리 챔버에 대한 선택적인 가스 분사 링의 장착을 용이하게 하며, 상기 분리 가능한 제1 가스 분사 라인 간극 천공부의 제거는 상기 선택적인 가스 분사 링의 우측 방위에서의 사용을 용이하게 하고, 상기 분리 가능한 제2 가스 분사 라인 간극 천공부의 제거는 상기 선택적인 가스 분사 링의 좌측 방위에서의 사용을 용이하게 하는 것인 처리 키트.17. The method of claim 16, wherein the pod shield has one or more separable gap apertures coupled to the pod shield using one or more attachment means, and the first detachable gas coupled to the pod shield using one or more attachment means. Further comprising a spray line gap aperture and a separable second gas injection line gap aperture coupled to the pod shield using the one or more attachment means, wherein the removal of the one or more detachable gap apertures Facilitate mounting of an optional gas injection ring to the processing chamber, and removal of the detachable first gas injection line gap aperture facilitates use in the right orientation of the optional gas injection ring, and the separation Possible removal of the second gas injection line gap perforation is to the left orientation of the optional gas injection ring Treatment kits to facilitate the use of the document. 제15항에 있어서, 상기 도어 실트, 포드 실드 및 펌핑 덕트 실드 중 하나 이상은 코팅을 더 구비하는 것인 처리 키트.16. The treatment kit of claim 15, wherein at least one of the door seal, pod shield and pumping duct shield further comprises a coating. 제18항에 있어서, 상기 코팅은 표면 양극 산화, 스프레이 코팅 및 플라즈마 전해질 산화 코팅 중 하나 이상을 포함하는 것인 처리 키트.19. The treatment kit of claim 18, wherein the coating comprises at least one of surface anodization, spray coating, and plasma electrolyte oxidation coating. 처리 시스템에 사용하기 위한 처리 요소의 제조 방법으로서, A method of making a processing element for use in a processing system, 일차 구성요소와, 상기 일차 구성요소에 결합되는 하나 이상의 분리 가능한 구성요소를 구비하는 상기 처리 요소를 제조하는 단계Manufacturing the processing element having a primary component and one or more separable components coupled to the primary component 를 포함하고, 상기 하나 이상의 분리 가능한 구성요소는 제1 형태의 처리 시스템에 처리 요소의 사용을 용이하게 하도록 유지되고, 상기 하나 이상의 분리 가능한 구성요소는 제2 형태의 처리 시스템에 처리 요소의 사용을 용이하게 하도록 제거될 수 있는 것인 처리 요소의 제조 방법.Wherein the one or more separable components are maintained to facilitate the use of the processing elements in the first type of processing system, wherein the one or more separable components permit the use of the processing elements in the second type of processing system. A method of making a processing element that can be removed to facilitate. 제20항에 있어서, 상기 처리 요소의 하나 이상의 표면을 코팅하는 단계를 더 포함하는 것인 처리 요소의 제조 방법.21. The method of claim 20, further comprising coating at least one surface of the treatment element. 제21항에 있어서, 상기 코팅은 표면 양극 산화, 스프레이 코팅 및 플라즈마 전해질 산화 코팅 중 하나 이상을 도포하는 것을 포함하는 것인 처리 요소의 제조 방법.The method of claim 21, wherein the coating comprises applying at least one of surface anodization, spray coating, and plasma electrolyte oxidation coating. 2개 이상의 형태를 갖는 처리 시스템에 처리 요소를 사용하기 위한 방법으로서, A method for using a processing element in a processing system having two or more forms, 일차 구성요소와, 상기 일차 구성요소에 부착 주요부를 이용하여 결합되는 하나 이상의 분리 가능한 구성요소를 구비하는 처리 요소를 제조하는 단계와,Manufacturing a processing element having a primary component and at least one separable component coupled to the primary component using attachment principals; 상기 처리 요소가 제1 형태의 처리 시스템에 사용되는지와, 상기 처리 요소가 제2 형태의 처리 시스템에 사용되는지를 결정하는 단계와,Determining whether the processing element is used in a first type of processing system and whether the processing element is used in a second type of processing system; 상기 처리 요소를 제1 형태의 처리 시스템에 사용하는 것을 용이하게 하도록 상기 분리 가능한 구성요소를 유지하는 단계와,Maintaining the detachable component to facilitate use of the processing element in a first type of processing system; 상기 처리 요소를 제2 형태의 처리 시스템에 사용하는 것을 용이하게 하도록 상기 분리 가능한 구성요소를 제거하는 단계Removing the separable component to facilitate use of the processing element in a second type of processing system. 를 포함하는 처리 요소의 사용 방법.Method of using a processing element comprising a. 제23항에 있어서, 상기 처리 요소의 하나 이상의 표면을 코팅하는 단계를 더 포함하는 것인 처리 요소의 사용 방법.The method of claim 23, further comprising coating at least one surface of the treatment element. 제24항에 있어서, 상기 코팅은 표면 양극 산화, 스프레이 코팅 및 플라즈마 전해질 산화 코팅 중 하나 이상을 도포하는 것을 포함하는 것인 처리 요소의 제조 방법.The method of claim 24, wherein the coating comprises applying at least one of surface anodization, spray coating, and plasma electrolyte oxidation coating. 물리적 기상 증착 시스템에 사용하기 위한 도어 실드에 있어서, 상기 물리적 기상 증착 시스템은 상부 챔버부와 하부 챔버부를 갖는 처리 챔버와, 상기 처리 챔버에 결합되는 타겟 조립체와, 상기 처리 챔버에 결합되는 기판을 지지하는 기판 홀더와, 펌핑 시스템과, 상기 펌핑 시스템을 처리 챔버에 결합하는 펌핑 덕트를 구비하는 것인 도어 실드로서, A door shield for use in a physical vapor deposition system, the physical vapor deposition system supporting a processing chamber having an upper chamber portion and a lower chamber portion, a target assembly coupled to the processing chamber, and a substrate coupled to the processing chamber. A door shield comprising a substrate holder, a pumping system, and a pumping duct for coupling the pumping system to a processing chamber. 상기 상부 챔버부에 결합되도록 구성되는 일차 구성요소로서, 거의 직사각형이고, 제1 만곡 단부와 제2 만곡 단부를 포함하며, 상기 제2 만곡 단부는 상기 타겟 조립체를 둘러싸도록 구성되는 것인 일차 구성요소와,A primary component configured to couple to the upper chamber portion, wherein the primary component is substantially rectangular and includes a first curved end and a second curved end, the second curved end configured to surround the target assembly. Wow, 상기 일차 구성요소에 결합되는 분리 가능한 구성요소로서, 거의 원형이고, 하나 이상의 부착 주요부를 이용하여 상기 분리 가능한 구성요소의 주변 가장자리에서 일차 구성요소에 결합되도록 구성되는 것인 분리 가능한 구성요소A detachable component coupled to the primary component, wherein the detachable component is substantially circular and configured to couple to the primary component at the peripheral edge of the detachable component using one or more attachment principals. 를 구비하고, 상기 도어 실드는 이 도어 실드가 상기 일차 구성요소와 상기 분리 가능한 구성요소를 구비하는 경우에, 제1 크기의 타겟 조립체에 사용하도록 구성되고, 상기 도어 실드는 이 도어 실드가 일차 구성요소를 구비하는 경우에, 제2 크기의 타겟 조립체에 사용하도록 구성되는 것인 도어 실드.Wherein the door shield is configured for use in a target assembly of a first size when the door shield has the primary component and the separable component, the door shield being configured as a primary configuration. The door shield, when provided with an element, configured for use in a target assembly of a second size. 제26항에 있어서, 상기 도어 실드의 하나 이상의 표면에 도포되는 코팅을 더 구비하는 도어 실드. 27. The door shield of claim 26, further comprising a coating applied to one or more surfaces of the door shield. 제27항에 있어서, 상기 코팅은 표면 양극 산화, 스프레이 코팅 및 플라즈마 전해질 산화 코팅 중 하나 이상을 포함하는 것인 도어 실드.The door shield of claim 27, wherein the coating comprises at least one of surface anodization, spray coating, and plasma electrolyte oxidation coating. 제26항에 있어서, 상기 제1 크기는 290 mm 미만의 기판 직경에 대한 타겟 조립체인 것인 도어 실드.27. The door shield of claim 26, wherein the first size is a target assembly for a substrate diameter of less than 290 mm. 제26항에 있어서, 상기 제2 크기는 290 mm 이상의 기판 직경에 대한 타겟 조립체인 것인 도어 실드.27. The door shield of claim 26, wherein the second size is a target assembly for a substrate diameter of at least 290 mm. 물리적 기상 증착 시스템에 사용하기 위한 포드 실드에 있어서, 상기 물리적 기상 증착 시스템은 상부 챔버부와 하부 챔버부를 갖는 처리 챔버와, 상기 처리 챔버에 결합되는 타겟 조립체와, 상기 처리 챔버에 결합되는 기판을 지지하는 기판 홀더와, 펌핑 시스템과, 상기 펌핑 시스템을 처리 챔버에 결합하는 펌핑 덕트를 구비하는 것인 포드 실드로서, A pod shield for use in a physical vapor deposition system, the physical vapor deposition system supporting a processing chamber having an upper chamber portion and a lower chamber portion, a target assembly coupled to the processing chamber, and a substrate coupled to the processing chamber. A pod shield having a substrate holder, a pumping system, and a pumping duct for coupling the pumping system to a processing chamber, 상기 하부 챔버부에 결합되도록 구성되는 일차 구성요소로서, 바닥부와, 이 바닥부에 결합되는 벽부를 구비하고, 상기 일차 구성요소의 제1 단부는 상기 펌핑 덕트와 결합하도록 구성된 제1 개구를 포함하며 제2 단부는 상기 기판 홀더와 결합하도록 구성되는 제2 개구를 포함하는 것인 일차 구성요소와,A primary component configured to couple to the lower chamber portion, the primary component having a bottom portion and a wall portion coupled to the bottom portion, the first end of the primary component including a first opening configured to engage the pumping duct And the second end includes a second opening configured to engage the substrate holder; 상기 일차 구성요소의 벽부에 하나 이상의 부착 주요부를 이용하여 결합되는 제1 분리 가능한 구성요소와,A first separable component coupled to the wall portion of the primary component using one or more attachment principals; 상기 제1 분리 가능한 구성요소의 반대측에 위치하고, 상기 일차 구성요소의 벽부에 하나 이상의 부착 주요부를 이용하여 결합되는 제2 분리 가능한 구성요소A second separable component located opposite the first separable component and coupled to the wall of the primary component using one or more attachment principals; 를 구비하고, 상기 포드 실드는 상기 제1 분리 가능한 구성요소가 유지되는 경우에, 포드 실드의 제1 측부에 접근할 수 있는 제1 가스 분사 구성이 없이 사용하도록 구성되고, 상기 포드 실드는 상기 제1 분리 가능한 구성요소가 제거된 경우에, 포드 실드의 제1 측부에 접근할 수 있는 제1 가스 분사 구성과 함께 사용하도록 구성되며, 상기 포드 실드는 상기 제2 분리 가능한 구성요소가 유지되는 경우에, 포드 실드의 제2 측부에 접근할 수 있는 제2 가스 분사 구성이 없이 사용하도록 구성되고, 상기 포드 실드는 상기 제2 분리 가능한 구성요소가 제거된 경우에, 포드 실드의 제2 측부에 접근할 수 있는 제2 가스 분사 구성과 함께 사용하도록 구성되는 것인 포드 실드. Wherein the pod shield is configured for use without a first gas injection configuration accessible to the first side of the pod shield, when the first detachable component is retained. When the first detachable component is removed, it is configured for use with a first gas injection configuration accessible to the first side of the pod shield, wherein the pod shield is retained when the second detachable component is retained. And without a second gas injection configuration accessible to the second side of the pod shield, wherein the pod shield has access to the second side of the pod shield when the second detachable component is removed. A pod shield that is configured for use with a second gas injection configuration. 제31항에 있어서, 상기 포드 실드의 하나 이상의 표면에 도포되는 코팅을 더 구비하는 포드 실드. 32. The pod shield of claim 31 further comprising a coating applied to one or more surfaces of the pod shield. 제32항에 있어서, 상기 코팅은 표면 양극 산화, 스프레이 코팅 및 플라즈마 전해질 산화 코팅 중 하나 이상을 포함하는 것인 포드 실드.33. The pod shield of claim 32, wherein the coating comprises at least one of surface anodization, spray coating, and plasma electrolyte oxidation coating. 물리적 기상 증착 시스템에 사용하기 위한 펌핑 덕트 실드에 있어서, 상기 물리적 기상 증착 시스템은 상부 챔버부와 하부 챔버부를 갖는 처리 챔버와, 상기 처리 챔버에 결합되는 타겟 조립체와, 상기 처리 챔버에 결합되는 기판을 지지하는 기판 홀더와, 펌핑 시스템과, 상기 펌핑 시스템을 처리 챔버에 결합하는 펌핑 덕트를 구비하는 것인 펌핑 덕트 실드로서, A pumping duct shield for use in a physical vapor deposition system, the physical vapor deposition system comprising a processing chamber having an upper chamber portion and a lower chamber portion, a target assembly coupled to the processing chamber, and a substrate coupled to the processing chamber. A pumping duct shield having a substrate holder for supporting, a pumping system, and a pumping duct for coupling the pumping system to a processing chamber, comprising: 거의 직사각형인 일차 구성요소와,A nearly rectangular primary component, 거의 직사각형인 분리 가능한 구성요소Nearly rectangular detachable component 를 구비하고, 상기 분리 가능한 구성요소는 하나 이상의 부착 주요부를 이용하여 상기 일차 구성요소의 단부에 결합되는 것인 펌핑 덕트 실드.Wherein the detachable component is coupled to an end of the primary component using one or more attachment principals. 제34항에 있어서, 상기 펌핑 덕트 실드의 하나 이상의 표면에 도포되는 코팅을 더 구비하는 펌핑 덕트 실드. 35. The pumped duct shield of claim 34, further comprising a coating applied to at least one surface of the pumped duct shield. 제35항에 있어서, 상기 코팅은 표면 양극 산화, 스프레이 코팅 및 플라즈마 전해질 산화 코팅 중 하나 이상을 포함하는 것인 펌핑 덕트 실드.36. The pumped duct shield of claim 35, wherein the coating comprises at least one of surface anodization, spray coating, and plasma electrolyte oxidation coating. 처리 시스템에 사용되고, 처리 중에 상기 처리 시스템에서의 공정에 노출되는 하나 이상의 표면을 갖는 처리 요소의 제조 방법으로서, A method of making a treatment element having at least one surface used in a treatment system and exposed to a process in the treatment system during treatment, 소정 재료를 가공하여 하나 이상의 표면을 위에 갖는 처리 요소의 형태로 성형하는 단계와,Processing the desired material to form it into the form of a processing element having at least one surface thereon; 상기 공정에서 상기 하나 이상의 재료 상에 재료의 부착을 촉진시키도록 하나 이상의 표면을 벨트 연마하는 단계Belt polishing one or more surfaces to promote adhesion of material onto the one or more materials in the process 를 포함하는 처리 요소의 제조 방법. Method of producing a processing element comprising a. 제37항에 있어서, 상기 하나 이상의 표면의 벨트 연마는 하나 이상의 표면의 형태로 재료를 가공하기 전에 수행되는 것인 처리 요소의 제조 방법.The method of claim 37, wherein the belt polishing of the one or more surfaces is performed prior to processing the material in the form of one or more surfaces. 제37항에 있어서, 상기 재료는 시트 금속 재료이고, 상기 하나 이상의 표면의 벨트 연마는 처리 요소의 형태로 시트 금속 재료를 가공하기 전에 수행되는 것인 처리 요소의 제조 방법.38. The method of claim 37, wherein the material is a sheet metal material and belt polishing of the one or more surfaces is performed prior to processing the sheet metal material in the form of a processing element. 제37항에 있어서, 상기 재료에 적용되는 하나 이상의 표면의 벨트 연마는 교차형을 포함하는 패턴을 연마하는 것을 포함하는 것인 처리 요소의 제조 방법.38. The method of claim 37, wherein the belt polishing of one or more surfaces applied to the material comprises polishing a pattern comprising an intersecting shape. 제37항에 있어서, 상기 처리 요소는 공정의 증착물로부터 처리 시스템의 내표면을 보호하기 위한 착탈 가능한 실드인 것인 처리 요소의 제조 방법.38. The method of claim 37, wherein the processing element is a removable shield to protect the inner surface of the processing system from deposits in the process. 제37항에 있어서, 상기 처리 시스템은 물리적 기상 증착 시스템, 화학적 기상 증착 시스템 및 식각 시스템 중 하나 이상을 포함하는 것인 처리 요소의 제조 방법.38. The method of claim 37, wherein the processing system comprises at least one of a physical vapor deposition system, a chemical vapor deposition system, and an etching system. 제42항에 있어서, 상기 처리 시스템은 물리적 기상 증착 시스템을 포함하고, 상기 처리 시스템은 상부 챔버부와 하부 챔버부를 갖는 처리 챔버와, 상기 처리 챔버에 결합되는 타겟 조립체와, 상기 처리 챔버에 결합되는 기판을 지지하는 기판 홀더와, 펌핑 시스템과, 상기 펌핑 시스템을 처리 챔버에 결합하는 펌핑 덕트를 구비하는 것인 처리 요소의 제조 방법.43. The processing system of claim 42, wherein the processing system comprises a physical vapor deposition system, the processing system coupled to the processing chamber, a target assembly coupled to the processing chamber, a processing chamber having an upper chamber portion and a lower chamber portion. A substrate holder for supporting a substrate, a pumping system, and a pumping duct for coupling the pumping system to a processing chamber. 제43항에 있어서, 상기 처리 요소는 공정의 증착물로부터 처리 시스템의 내표면을 보호하는 착탈 가능한 실드인 것인 처리 요소의 제조 방법.The method of claim 43, wherein the processing element is a removable shield that protects the inner surface of the processing system from deposits in the process. 제44항에 있어서, 상기 처리 요소는 상기 처리 챔버의 상부 챔버부에 결합되는 도어 실드와, 상기 처리 챔버의 하부 챔버부에 결합되는 포드 실드와, 상기 펌핑 덕트에 결합되는 펌핑 덕트 실드 중 하나 이상을 구비하는 것인 처리 요소의 제조 방법.45. The method of claim 44, wherein the processing element comprises at least one of a door shield coupled to an upper chamber portion of the treatment chamber, a pod shield coupled to a lower chamber portion of the treatment chamber, and a pumping duct shield coupled to the pumping duct. Method of producing a processing element comprising a. 제37항에 있어서, 상기 처리 요소의 하나 이상의 표면을 코팅하는 단계를 더 포함하는 처리 요소의 제조 방법.38. The method of claim 37, further comprising coating at least one surface of the treatment element. 제46항에 있어서, 상기 코팅은 표면 양극 산화, 스프레이 코팅 및 플라즈마 전해질 산화 코팅 중 하나 이상을 피복하는 것을 포함하는 처리 요소의 제조 방법.47. The method of claim 46, wherein the coating comprises coating at least one of surface anodization, spray coating, and plasma electrolyte oxidation coating. 제37항에 있어서, 상기 벨트 연마는 36 그릿 연마면을 적용하는 것을 포함하는 처리 요소의 제조 방법.38. The method of claim 37 wherein the belt polishing comprises applying a 36 grit polishing surface. 제37항에 있어서, 상기 가공은, 거의 평탄한 환형의 플랜지 영역과, 상기 플랜지 영역의 내경에 인접한 시트 금속 재료로부터 뒤집힌 거의 원통형의 립 영역을 갖는 링 형태로 상기 처리 요소를 형성하도록 시트 금속 재료를 스피닝 가공하는 것을 포함하는 것인 처리 요소의 제조 방법.38. The sheet metal material of claim 37, wherein the processing comprises forming the sheet metal material to form the processing element in the form of a ring having an approximately flat annular flange area and a substantially cylindrical lip area inverted from the sheet metal material adjacent the inner diameter of the flange area. A method of making a processing element comprising spinning. 처리 시스템에서 기판을 처리 하는 기판 처리 방법으로서, A substrate processing method for processing a substrate in a processing system, 상기 처리 시스템에서의 공정으로부터 처리 시스템을 보호하도록 상기 처리 시스템에 하나 이상의 처리 요소를 마련하는 단계와,Providing at least one processing element in the processing system to protect the processing system from a process in the processing system; 상기 기판을 처리 시스템에 배치하는 단계와,Placing the substrate in a processing system; 상기 기판을 상기 공정에 노출시키는 단계Exposing the substrate to the process 를 포함하고, 상기 하나 이상의 처리 요소는 상기 공정에 노출되는 하나 이상의 표면을 포함하고, 상기 하나 이상의 표면 중 적어도 하나는 벨트 연마 적용에 의해 변경되는 것인 기판 처리 방법.Wherein the one or more processing elements comprise one or more surfaces exposed to the process, wherein at least one of the one or more surfaces is modified by belt polishing application. 제49항에 있어서, 상기 벨트 연마 적용은 소정 패턴을 포함하고, 상기 패턴은 교차형을 포함하는 것인 기판 처리 방법.50. The method of claim 49, wherein the belt polishing application comprises a predetermined pattern and the pattern comprises an intersecting shape. 제49항에 있어서, 상기 처리 시스템은 물리적 기상 증착 시스템, 화학적 기상 증착 시스템 및 식각 시스템 중 하나 이상을 포함하는 것인 기판 처리 방법.The method of claim 49, wherein the processing system comprises one or more of a physical vapor deposition system, a chemical vapor deposition system, and an etching system. 제51항에 있어서, 상기 처리 시스템은 물리적 기상 증착 시스템을 포함하고, 상기 처리 시스템은 상부 챔버부와 하부 챔버부를 갖는 처리 챔버와, 상기 처리 챔버에 결합되는 타겟 조립체와, 상기 처리 챔버에 결합되는 기판을 지지하는 기판 홀더와, 펌핑 시스템과, 상기 펌핑 시스템을 처리 챔버에 결합하는 펌핑 덕트를 구비하는 것인 기판 처리 방법.The processing system of claim 51, wherein the processing system comprises a physical vapor deposition system, the processing system having a top chamber portion and a bottom chamber portion, a target assembly coupled to the processing chamber, and coupled to the processing chamber. A substrate holder for supporting a substrate, a pumping system, and a pumping duct for coupling the pumping system to a processing chamber. 제52항에 있어서, 상기 처리 요소는 상기 처리 챔버의 상부 챔버부에 결합되는 도어 실드와, 상기 처리 챔버의 하부 챔버부에 결합되는 포드 실드와, 상기 펌핑 덕트에 결합되는 펌핑 덕트 실드 중 하나 이상을 구비하는 것인 기판 처리 방법.53. The system of claim 52, wherein the processing element comprises at least one of a door shield coupled to an upper chamber portion of the treatment chamber, a pod shield coupled to a lower chamber portion of the treatment chamber, and a pumping duct shield coupled to the pumping duct. Substrate processing method comprising a. 제49항에 있어서, 상기 처리 요소의 하나 이상의 표면 중 적어도 하나를 코 팅하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.50. The method of claim 49, further comprising coating at least one of the one or more surfaces of the processing element. 제54항에 있어서, 상기 코팅은 표면 양극 산화, 스프레이 코팅 및 플라즈마 전해질 산화 코팅 중 하나 이상을 피복하는 것을 포함하는 기판 처리 방법.55. The method of claim 54, wherein the coating comprises coating at least one of surface anodization, spray coating, and plasma electrolyte oxidation coating. 제49항에 있어서, 상기 벨트 연마 적용은 36 그릿 연마면을 적용하는 것을 포함하는 기판 처리 방법.50. The method of claim 49, wherein the belt polishing application comprises applying a 36 grit polishing surface. 상부 챔버부와 하부 챔버부를 갖는 처리 챔버와, 상기 처리 챔버에 결합되는 타겟 조립체와, 상기 처리 챔버에 결합되는 기판을 지지하는 기판 홀더와, 펌핑 시스템과, 상기 펌핑 시스템을 처리 챔버에 결합하는 펌핑 덕트를 구비하는 처리 시스템에 사용하기 위한 개선된 처리 요소로서, A processing chamber having an upper chamber portion and a lower chamber portion, a target assembly coupled to the processing chamber, a substrate holder supporting a substrate coupled to the processing chamber, a pumping system, and a pumping coupling the pumping system to the processing chamber. An improved treatment element for use in a treatment system having a duct, 공정 중에 상기 처리 시스템에서의 그 공정에 노출되는 하나 이상의 표면을 포함하고, 상기 하나 이상의 표면 중 적어도 하나는 벨트 연마 적용에 의해 변경되는 것인 처리 요소.And at least one surface exposed to the process in the treatment system during the process, wherein at least one of the one or more surfaces is modified by belt polishing application. 제57항에 있어서, 상기 벨트 연마 적용은 소정 패턴을 포함하고, 상기 패턴은 교차형을 포함하는 것인 처리 요소.58. The processing element of claim 57 wherein the belt polishing application comprises a predetermined pattern and the pattern comprises an intersecting shape. 제57항에 있어서, 상기 처리 시스템은 물리적 기상 증착 시스템, 화학적 기 상 증착 시스템 및 식각 시스템 중 하나 이상을 더 포함하는 것인 처리 요소.59. The processing element of claim 57, wherein the processing system further comprises one or more of a physical vapor deposition system, a chemical vapor deposition system, and an etching system. 제57항에 있어서, 상기 처리 요소는 상기 처리 챔버의 상부 챔버부에 결합되는 도어 실드와, 상기 처리 챔버의 하부 챔버부에 결합되는 포드 실드와, 상기 펌핑 덕트에 결합되는 펌핑 덕트 실드 중 하나 이상을 구비하는 것인 처리 요소.58. The system of claim 57, wherein the processing element comprises at least one of a door shield coupled to an upper chamber portion of the treatment chamber, a pod shield coupled to a lower chamber portion of the treatment chamber, and a pumping duct shield coupled to the pumping duct. And a processing element. 제57항에 있어서, 상기 처리 요소의 하나 이상의 표면 중 적어도 하나에 코팅을 더 포함하는 처리 요소.58. The processing element of claim 57 further comprising a coating on at least one of the one or more surfaces of the processing element. 제61항에 있어서, 상기 코팅은 표면 양극 산화, 스프레이 코팅 및 플라즈마 전해질 산화 코팅 중 하나 이상을 피복하는 것을 포함하는 처리 요소.62. The processing element of claim 61 wherein the coating comprises coating at least one of surface anodization, spray coating and plasma electrolyte oxidation coating. 제57항에 있어서, 상기 벨트 연마 적용은 36 그릿 연마면을 적용하는 것을 포함하는 처리 요소.58. The processing element of claim 57 wherein said belt polishing application comprises applying a 36 grit polishing surface. 제57항에 있어서, 상기 처리 요소는 립 영역과, 이 립 영역에 결합되는 플랜지 영역을 갖는 링을 구비하고, 처리 요소는 스펀 금속으로부터 제조되는 것인 처리 요소. 58. The processing element of claim 57 wherein the processing element has a lip region and a ring having a flange region coupled to the lip region, wherein the processing element is made from spun metal.
KR1020057023247A 2003-06-04 2004-05-03 Adaptable processing element for a processing system and a method of making the same KR20060039862A (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/454,747 US7306707B2 (en) 2003-06-04 2003-06-04 Adaptable processing element for a processing system and a method of making the same
US10/454,381 US20040245089A1 (en) 2003-06-04 2003-06-04 Method of surface treating a processing element in a processing system
US10/454,381 2003-06-04
US10/454,747 2003-06-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060039862A true KR20060039862A (en) 2006-05-09

Family

ID=33513849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057023247A KR20060039862A (en) 2003-06-04 2004-05-03 Adaptable processing element for a processing system and a method of making the same

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2007525820A (en)
KR (1) KR20060039862A (en)
WO (1) WO2004108982A2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090194414A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Nolander Ira G Modified sputtering target and deposition components, methods of production and uses thereof
JP2018181966A (en) * 2017-04-06 2018-11-15 サムコ株式会社 Preventing plate and plasma processing apparatus having the same
EP3738136A4 (en) * 2018-01-08 2021-10-06 LAM Research Corporation Components and processes for managing plasma process byproduct materials

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4915564A (en) * 1986-04-04 1990-04-10 Materials Research Corporation Method and apparatus for handling and processing wafer-like materials
US4964617A (en) * 1989-09-22 1990-10-23 Lawrence W Edward Removable extension for a hydraulic floor jack
US5803977A (en) * 1992-09-30 1998-09-08 Applied Materials, Inc. Apparatus for full wafer deposition
US5403459A (en) * 1993-05-17 1995-04-04 Applied Materials, Inc. Cleaning of a PVD chamber containing a collimator

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007525820A (en) 2007-09-06
WO2004108982A2 (en) 2004-12-16
WO2004108982A3 (en) 2005-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6699375B1 (en) Method of extending process kit consumable recycling life
US7147749B2 (en) Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system
KR100625928B1 (en) Method and apparatus for processing semiconductor substrates
US7566368B2 (en) Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system
US7163585B2 (en) Method and apparatus for an improved optical window deposition shield in a plasma processing system
US7166166B2 (en) Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
KR100704069B1 (en) Method and apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system
US20040245098A1 (en) Method of fabricating a shield
JP4627659B2 (en) Apparatus for improved bellows shield in plasma processing systems
JP7333780B2 (en) Components and processes for managing plasma processing byproducts
KR101992702B1 (en) High purity aluminum coating hard anodization
JP2006501647A (en) Method and apparatus for improved baffle plates in a plasma processing system
US6998033B2 (en) Sputtering cathode adapter assembly and method
EP0853331A2 (en) Back sputtering shield
US20040245089A1 (en) Method of surface treating a processing element in a processing system
JP2000228398A5 (en) Processing equipment, manufacturing methods for semiconductor equipment using this, components of semiconductor manufacturing equipment, and focus rings
US7306707B2 (en) Adaptable processing element for a processing system and a method of making the same
JPH0855841A (en) Immediate disconnection type process kit
KR20060039862A (en) Adaptable processing element for a processing system and a method of making the same
JP2023523434A (en) Method and apparatus for reducing defects in preclean chamber
CN215496622U (en) Plasma cleaning device
CN114975052A (en) Plasma cleaning device

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid