KR20060037928A

KR20060037928A - 도전성 수지 분말의 제조 방법

Info

Publication number: KR20060037928A
Application number: KR1020040087030A
Authority: KR
Inventors: 곽순종; 황승상; 홍순만; 김정안; 유재웅; 박기홍
Original assignee: 한국과학기술연구원
Priority date: 2004-10-29
Filing date: 2004-10-29
Publication date: 2006-05-03

Abstract

본 발명은 도전성 수지 분말을 제조함에 있어서, 미세한 수지 분말(피도금물)을 진공반응기에 넣고 원하는 도금물질의 금속을 타겟으로 사용하여 피도금물인 수지 분말에 금속층을 코팅하는 것을 포함하는 도전성 수지 분말의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 스퍼터링에 의한 금속 코팅 과정에서 반응기 내부의 수지 분말을 유동시키며, 반응기 내부의 압력, 온도 및 플라즈마를 적정 범위내로 제어함으로써 다량의 수지 분말에 균일한 금속 피막을 형성하며 최적의 도전성 수지 분말을 얻을 수 있다.

도전성 수지 분말, 코팅, 금속 피막, 도전성 필름, 스퍼터링, 플라즈마

Description

도전성 수지 분말의 제조 방법{PREPARATION OF CONDUCTIVE POLYMERIC POWDER}

본 발명은 도전성 수지 분말 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이방 도전성 필름(Anisotropic conductive film) 제조에 사용 가능한 도전성 분말의 제조 방법에 관한 것이다.

평판 표시장치의 발전 및 소형화, 휴대형화 추세에 따라 인쇄회로판(PCB), 반도체 및 표시장치 패널의 회로부가 점점 미세해짐으로 인해 종래의 땜납 연결(solder connector)에 의한 회로부의 연결은 한계점에 이르게 되었다. 따라서, 현재 널리 채택되고 있는 회로부의 전기적 연결 방식은 탄성이 있는 수지에 금속 피막을 형성시킨 후 중합체 수지에 분산시켜 제조한 이방 도전성 필름을 이용하는 것이다.

도전성 수지 분말의 금속 피막형성 방법은 대부분 무전해도금 또는 전해도금 등에 의한 것이며, 현재 상업적으로도 널리 이용되고 있다. 유럽 특허 EP0 242 025 A1호는 무전해 도금법에 의한 도전구의 제조에 있어서 고분자 수지의 전처리 및 친수성 처리를 행한 후에 무전해 도금을 실시하는 방법을 개시하고 있고, 독일 특허 DE 44 05 156 C1호는 폴리머 입자를 하전되도록 한 후 무전해 도금을 행하는 방법에 관한 것이다. 위의 두 방법은 모두 금 도금 공정 전에 니켈 도금 공정 및 팔라듐 활성화 공정을 필수적으로 포함하고 있다.

그러나, 상기 특허들에 개시된 방법을 비롯하여, 현재까지 도전성 수지 분말의 제조 방법으로 알려져 있거나 사용되고 있는 습식 무전해 도금 방법은 도금액 중에서 미세한 수지 분말간의 응집이 일어나 도금 표면이 고르지 못하다는 점, 많은 양의 폐수가 발생된다는 점 및 선택적으로 단면 도금을 실시하기가 어려운 점 등 많은 결점을 가지고 있다.

금속 도금층을 갖는 도전성 수지 분말의 제조 방법은 일본 특허 공개 공보 (소)52-147797호, (소)61-277104호, (소)61-277105호, (소)62-185749호, (소)93-190204호, 평1-225776호 및 평4-147513호 등에 개시되어 있다. 상기 문헌에 개시된 제조 방법은 입경 5000 ㎛ 이상의 비교적 큰 미립자의 도금에 관한 것이며, 일반적으로 배럴 도금장치를 사용하여 배럴 내에 피도금물을 넣고 배럴을 도금액에 침지시킨 상태에서 회전에 의해 배럴 내에서 음극과 피도금물이 접촉하여 전기도금이 수행되는 방법이다.

상기 특허들에 의한 방법은 5000 ㎛ 이상의 미립자 도금을 실시하기에는 적합하나, 5000 ㎛ 이하의 분말에 도금을 실시하면 미립자가 응집된 상태에서 도금되어 균일한 피도금 입자를 얻을 수 없거나 균일한 도금층이 형성되지 않는다는 문제점이 있다.

국제 특허 공개 공보 WO 95/22639에 의하면 1 ㎛ 내지 100 ㎛ 크기의 양(+) 으로 대전된 표면을 가진 폴리머 극소미립자를 합성하고, 음(-)으로 대전된 금속과 교질용액을 사용하여, 금속-교질용액-미립자의 결합을 이용함으로써 미립자의 표면을 원하는 금속으로 층을 형성하는 방법이 기술되어 있다. 그러나, 상기 방법은 폴리머와 금속의 밀착성을 향상시키기 어렵고, 금속층의 두께 조절이 용이하지 않은 단점이 있다.

국제 특허 공개 공보 WO 98/46811호에 의하면, 수지 분말에 균일한 두께의 도금층을 형성하고 미립자의 응집을 억제하기 위해, 미립자를 음극에 충돌시키며 도금액만 통과시키는 플레이트 형상의 다공체를 사용하는 등 매우 복잡한 구조의 도금장치를 사용하여 도전성 수지 분말을 제조하는 방법이 개시되어 있다. 상기 특허에 의한 방법은 미립자가 접촉 고리에 접촉하기 전에 통전이 개시되면 바이폴라(bipolar) 현상에 의해 도전 바탕층이 용해된 미립자가 발생된다는 문제점이 있다.

한편, 대한민국 특허 공개 제2000-0002829호에 의하면 비록 작은 크기의 구형입자(5-6 ㎛)를 사용하여 이방성 도전 필름용 복합분말을 제조하는 방법을 개시하고 있지만, 습식 무전해 도금 방법만을 기술하고 있다. 또한, 대한민국 특허 공개 제2001-0046335호는 플라스틱에 금속박막을 코팅할 때 밀착성을 향상시키는 방법에 관하여 기술하고 있으며, 대한민국 특허 공개 제2001-0044836호는 고분자 섬유분말의 표면에 무전해도금 등의 방법으로 금속성분을 부여한 도전성 충진제가 첨가된 전자파 차단용 플라스틱수지 조성물에 대해 기술하고 있으나, 본 발명과 같은 스퍼터링 방식에 의해 다량의 수지 분말 상에 금속코팅을 하는 방법에 대해서는 구 체적 언급이 없다.

따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하여 습식 도금 공정에 비해 수지 분말의 표면에 도전성 금속 피막을 균일하게 코팅하고, 피막 두께까지 정확하게 조절할 수 있으며 또한 다량의 수지 분말을 동시에 도금할 수 있는 도전성 수지 분말의 제조 방법을 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는 진공 챔버에 수지 분말을 투입하고, 상기 챔버 내부의 초기 압력을 10^-7 Torr 내지 10^-6 Torr의 진공으로 유지하고, 상기 챔버에 아르곤과 같은 불활성 기체를 분말 제조 공정 동안 지속적으로 주입하고, 피도금 수지 분말을 유동시키면서 플라즈마를 이용하여 금속 타겟으로부터 금속원자를 발생시키는 스퍼터링에 의해 상기 수지 분말 표면 상에 균일한 금속 피막층을 형성시키는 것을 포함하는 도전성 수지 분말 제조 방법을 사용하였다.

본 발명에 따르면, 챔버에 도금할 금속의 타겟을 배치하고, 챔버의 압력은 진공 상태를 유지하며, 도전성 분말의 제조 공정 동안 불활성 기체를 계속 주입한다.

본 발명의 도전성 수지 분말 제조 방법은 스퍼터링 단계 전에 수지 분말의 표면을 산소, 질소, 암모니아, 수소, 물 등의 반응성 기체 플라즈마로 처리하는 단계를 포함할 수 있다.

본 발명에 따르면, 피도금 수지 분말을 유동시키면서 플라즈마를 이용한 스퍼터링에 의해 피도금 수지 분말에 원하는 금속성분의 피막이 균일하게 형성되며, 피막의 두께는 증착 시간에 따라서 정확하게 원하는 수준으로 조절할 수 있다.

또한, 본 발명은 상기 도전성 수지 분말 제조 방법에 의해 제조한 도전성 수지 분말을 제공한다.

추가로, 본 발명은 상기 도전성 수지 분말 제조 방법에 의해 제조한 도전성 수지 분말과 플라스틱 수지 분말을 혼합·성형하여 제조한 이방 도전성 필름을 제공한다.

이하에서 본 발명에 따른 도전성 수지 분말의 제조 방법에 관해 보다 상세하게 설명한다.

본 발명에 사용될 수 있는 금속 타겟으로는 금, 은, 백금, 니켈, 구리 등의 지금까지 알려지거나 사용가능한 모든 금속 타겟을 이용할 수 있다. 이들 중에서도 이방 도전성 필름에 사용될 도전성 수지 분말을 제조하고자 할 때에는 금이 가장 바람직하다. 그러나, 사용되는 금속 타겟을 금으로 제한하는 것은 아니며, 증착될 수 있는 어떠한 금속도 타겟으로 사용할 수 있다.

먼저, 챔버 내부에 피도금 수지 분말을 투입한다. 여기에서 피도금 수지 분말의 입경은 일반적으로 약 0.1 ㎛ 내지 약 100 ㎛, 바람직하게는 약 1 ㎛ 내지 약 50 ㎛이다. 수지 분말의 재질은 중요치 않으나, 일반적으로 폴리에틸렌(PE), 폴리염화비닐(PVC), 폴리염화비닐리덴, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌, 폴리이소부틸렌(PIB), 폴리부타디엔, 폴리이소프렌, 폴리클로로프렌; 스티렌아크릴로니트릴 공중합체; 스티렌부타디엔 공중합체; 디비닐벤젠 형태의 폴리스티렌; 페놀 수지; 페놀포름알데히드 수지; 요소-포름알데히드 수지; 멜라민포름알데히드 수지; 폴리페닐렌설파이드; 폴리벤즈이미다졸; 벤조구아나민, 멜라민, 아세트구아나민, 디시안아미드, 아닐린 등의 아미노 화합물과 포름알데히드, 파라포름알데히드, 아세트알데히드, 글리오살과 같은 알데히드 화합물의 반응물로 이루어지는 아미노계 수지; 멜라민 벤조구아나민 포름알데히드, 함불소 수지, 니트릴계 수지 등을 들 수 있다.

이러한 수지 분말의 형태는 중요한 것은 아니나, 도금의 균일성 등의 이유로 구형이 바람직하며 구형 외에 타원과 같은 구형에 가까운 형상도 포함한다.

수지 분말을 투입한 후 반응기는 진공 상태를 유지하는 데, 기본 압력(base pressure)은 10^-6 Torr 이하의 고진공을 유지해야 하므로 수지 분말의 진공 건조 상태가 매우 중요하다. 스퍼터링에는 헬륨, 네온, 아르곤, 제논, 질소와 같은 불활성 기체를 사용하며, 공정상 아르곤이 바람직하다.

플라즈마 발생은 직류(DC) 뿐만 아니라 라디오 주파수, 마이크로파 등의 교류(AC) 전원을 이용할 수 있으며, 금속 스퍼터링에 있어서 증착 속도가 빠른 직류 전원을 이용하는 것이 바람직하다. DC 스퍼터링의 원리는 금속 타겟에 DC 전원의 음극을 연결하여 플라즈마에서 발생된 양이온(예를 들면, Ar⁺)을 타겟쪽으로 가속, 충돌시킴으로써 타겟의 금속 원자를 방출시키는 것이다. 이때 방출된 금속 원자는 기질에 증착되고, 따라서 기질이 금속으로 코팅된다.

이러한 DC 스퍼터링 공정 조건 중에서 무엇보다 중요한 것은 불활성 기체의 압력인데, 압력이 높을 경우에는 타겟에서 스퍼터링된 원자가 기질에 도달하기 전에 기체와의 충돌에 의해 반응기 벽면 등으로 산란될 확률이 높아지므로 이에 따른 타겟의 손실이 많다. 또한 코팅되는 박막에 불활성 기체가 트래핑(trapping)됨으로써 불활성 기체에 의한 오염 문제가 야기될 수 있다. 따라서, 금속코팅 스퍼터링 공정에서 불활성 기체의 압력을 되도록 낮추는 것이 유리하다. 본 발명에 따른 공정에서는 10 mTorr 미만의 낮은 압력에서 공정 조건을 유지하는 것이 바람직하며, 5 mTorr 미만을 유지하는 것이 보다 바람직하다.

따라서, 전자의 이온화 효율이 매우 높은 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)을 이용하거나 음극에서 발생되는 이차 전자(secondary electron) 이외에 전자의 발생원을 갖고 있는 트리오드 스퍼터링(triode sputtering)을 이용하는 것이 바람직하다. 트리오드 스퍼터링보다는 마그네트론 스퍼터링을 사용하는 것이 공정 단순화 측면에서 유리하다.

이와 같은 방법으로 수지 분말 표면에 스퍼터링에 의해 금속 피막을 형성함에 있어서, 그 금속 피막 두께는 증착 조건에 의해 엄격히 조절될 수 있다. 수지 분말에 코팅되는 금속 피막의 두께는 금속의 증착 속도와 수지 분말이 스퍼터링에 노출되는 시간에 비례해서 증가하게 된다. 따라서, 스퍼터링 전원에 투입되는 전력 조절에 의한 금속 증착 속도의 조절, 반응기에 투입되는 수지 분말의 양 및 증착 시간 등을 조절하여 수지 분말에 코팅되는 금속 피막의 두께를 정확히 조절할 수 있다.

금속 피막의 두께는 금속 코팅된 분말 입자가 최종적으로 갖는 전기 전도도에 따라 결정되지만, 특히 이방 도전성 필름에 사용될 도전성 수지 분말을 제조하고자 할 경우에는, 금속 피막의 두께를 바람직하게는 10 nm 내지 500 nm, 특히 10 nm 내지 100 nm로 하는 것이 가장 바람직하다.

본 발명에 따른 금속 피막을 형성하기 위해 스퍼터링에 사용되는 금속 타겟의 순도는 99.99% 이상이 바람직하다.

또한, 다량의 수지 분말에 균일한 금속 피막층을 형성하기 위해, 피막 형성 공정 중 교반기를 사용하는 방법, 챔버를 진동시키는 방법, 챔버를 회전시키는 방법, 스크류를 이용하는 방법 등 지금까지 알려지거나 이용가능한 분말수지의 혼합 방법에 의하여 상기 수지 분말을 완전히 유동시키는 것이 바람직하다. 본 발명의 실시예에서는 편의를 위해 격벽(baffle)이 설치된 챔버를 회전시키는 방법에 대해서만 개시하였으나 본 발명의 범위가 이에만 제한되는 것은 아니다.

본 발명에 따른 코팅 방법은 수지 분말의 전처리없이 실시하거나 또는 코팅이 보다 잘 되도록 전처리한 후에 실시할 수도 있다. 이러한 전처리는 플라스틱에 금속 박막을 코팅할 때 밀착성을 향상시키는 방법 (대한민국 특허 공개 제2001-0046335호)과 같이 당업계의 숙련자에게 잘 알려진 방법을 포함한다.

금 (Au) 박막과 같이 수지 분말 표면에 직접 스퍼터링 코팅되었을 때 밀착성이 좋지 않은 금속은 수지 분말 표면과 밀착성이 좋은 금속(tie layer)을 먼저 스퍼터링 코팅한 후, 그 위에 금 박막을 코팅하는 것이 바람직하다. 니켈(Ni), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd) 등 일반적으로 고분자 수지와의 밀착성이 우수한 것으로 알려진 금속은 모두 사용 가능하다.

하기 실시예 및 비교예를 통해 본 발명을 보다 상세하게 설명하기로 하되, 본 발명이 하기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.

실시예 1

스퍼터링 방법을 사용하여 5 ㎛의 평균 직경을 갖는 폴리스티렌 분말 입자 표면에 금 박막을 코팅하는 실험을 실린더 타입의 회전식 반응기에서 수행하였다. 사용된 반응기는 서스304(SUS304)로 제작되었고, 직류(DC) 모터에 의하여 최고 속도 60 rpm으로 회전 가능하며 회전 동안에도 10^-7 Torr 이하의 진공도를 유지할 수 있도록 제작되었다. 반응기의 크기는 3000 cc이었고, 폴리스티렌 입자의 교반을 위하여 반응기 내벽에 격벽을 설치하였다. 직사각형 타입의 평판형 마그네트론 스퍼터링(planar magnetron sputtering)을 이용하였고, 99.99%의 순도를 갖는 금 타겟의 크기는 100 x 5 mm이었으며, 직류(DC) 전원(Advanced Energy, MDX 1K)을 이용하여 플라즈마를 형성하였다.

반응기 내에 폴리스티렌 분말 입자 5 g을 넣고 확산 진공 펌프를 작동하여 초기 압력을 10^-6 Torr 이하로 유지하였다. 유량 흐름 조절 장치(MFC)를 사용하여 아르곤 가스를 주입하여 반응기에서의 압력을 3 mTorr로 맞추었다. 회전식 반응기의 회전 속도를 5 rpm으로 하였고, 직류전원을 작동하여 플라즈마를 형성하였다. 타겟의 단위면적당 주입되는 전력은 11 watt/cm²이었으며 이때 반응기를 회전시키지 않은 상태로 평판 실리콘 웨이퍼를 넣어 금박막 코팅을 수행한 결과, 약 20 nm/min의 증착 속도를 갖고 있음을 확인하였다. 이러한 실험조건에서 반응기를 5 rpm으로 회전시키면서 폴리스티렌 입자에 금박막 코팅을 40분 동안 수행한 결과 매우 균일하게 금(Au)박막이 코팅된 폴리스티렌 입자를 얻을 수 있었다. 마이크로톰을 사용하여 폴리스티렌 입자를 절단하여 코팅된 금박막의 두께를 측정한 결과, 평균 40 nm임을 확인할 수 있었다.

실시예 2

실시예 1에서와 같이 스퍼터링 방법을 사용하여 5 ㎛의 평균 직경을 갖는 폴리스티렌 입자 표면에 니켈 및 금을 연속하여 박막 코팅한 입자를 제조하였다.

반응기에 5 ㎛의 평균 직경을 갖는 폴리스티렌 입자 5 g을 넣고 10^-6 Torr의 초기 압력을 유지한 후, Ar 가스를 주입하여 3 mTorr로 유지하였다. Ni 타겟이 장착된 스퍼터링 헤드에 직류 전원을 가하여 플라즈마를 형성하였고, 타겟의 단위면적당 주입되는 전력은 13 watt/cm²로 유지하였다. 그 다음, 반응기를 5 rpm으로 회전시키면서 폴리스티렌 입자에 1시간 동안 Ni 박막 코팅을 수행하였다. 반응기의 진공을 제거하고 타겟을 금으로 교환한 후 다시 진공을 걸어 초기 압력을 10^-6 Torr로 한 후, Ar 가스를 주입하여 3 mTorr를 유지하였다. 그리고 타겟의 단위면적당 주입되는 전력을 11 watt/cm²로 유지하면서 금박막 스퍼터링 코팅을 40분 동안 수행 하였다. 마이크로톰을 사용하여 Ni 및 Au 코팅의 두께를 측정한 결과, Ni은 약 30 nm 내지 40 nm, Au는 평균 40 nm임을 확인할 수 있었다.

비교예 1

무전해 도금법을 이용하여 5 ㎛ 평균 직경을 갖는 폴리스티렌 입자 표면에 니켈 및 금을 연속하여 박막 도금한 입자를 제조하였다.

평균 직경 5 ㎛의 구형 폴리스티렌 입자 20 g을 0.5 g/L 염화팔라듐 수용액 500 mL에 교반하면서 투입하고 10분간 교반하여 폴리스티렌 구형입자를 전처리하였다. 전처리 후 여과를 거쳐 수세를 한 후, 황산니켈 (5 g/L)과 차아인산나트륨 (5 g/L) 및 주석산나트륨 수용액 1 L 중에 투입하여 60℃에서 20분간 교반을 거쳐 니켈 도금을 실시하였다. 그 후 수세 및 건조를 하여 니켈이 도금된 폴리스티렌 입자를 준비하였다.

이어서 EDTA (10 g/L), 구연산 (10 g/L) 및 시안화금칼륨 (3.2 g/L)을 함유한 도금용액을 수산화나트륨 수용액에 의해 pH 6, 온도 60℃로 조정한 후, 위에서 얻어진 니켈 도금된 폴리스티렌 구형입자 10 g을 첨가하여 10분간 금도금을 실시하였다. 도금 공정이 끝난 후, 여과, 수세 및 건조 과정을 거쳐 니켈/금 금속이 도금된 구형의 폴리스티렌 입자를 얻었으며, 마이크로톰을 사용하여 니켈 및 금도금 두께를 측정한 결과 Ni은 약 80 nm 내지 90 nm, Au는 약 50 nm 내지 60 nm 범위임을 확인하였다.

비교예 2

무전해 도금법을 이용하여 약 5 ㎛의 평균 직경을 갖는 폴리스티렌 입자 표면에 니켈 및 금을 연속하여 박막 도금한 입자를 제조하였다. 평균 직경 5 ㎛의 구형 폴리스티렌 입자 20 g을 0.5 g/L 염화팔라듐 수용액 500 mL에 교반하면서 투입하고 10분간 교반하여 폴리스티렌 구형입자를 전처리하였다. 상기 전처리한 입자를 여과 및 수세한 후, 황산니켈 (25 g/L), 피로인산나트륨 (50 g/L), 차아인산나트륨 (25 g/L), 티오요소 (3 ppm/L)를 함유한 니켈 도금 용액 400 mL에 첨가하여 pH 10, 온도 60℃에서 20분간 도금을 실시하였다.

니켈 도금이 끝난 후에는 여과, 수세 및 건조를 하여 니켈이 도금된 폴리스티렌 구형입자를 준비하였다. 이어서 구연산 20 g/L, 구연산암모늄 (10 g/L), 에틸렌디아민 (10 mL/L), EDTA (1 g/L), 아황산칼륨 (40 g/L) 및 시안화금칼륨 (3 g/L)을 함유한 도금용액을 수산화나트륨 수용액에 의해 pH 6, 온도 60℃으로 조정한 후, 위에서 얻어진 니켈 도금된 폴리스티렌 입자 10 g을 첨가하여 10분간 금도금을 실시하였다. 도금 공정이 끝난 후 여과, 수세 및 건조 과정을 거쳐 니켈/금 금속이 도금된 폴리스티렌 입자를 얻었으며, 마이크로톰을 사용하여 Ni 및 Au 도금 두께를 측정한 결과 Ni은 약 70 nm 내지 80 nm, Au는 약 30 nm 내지 40 nm 범위임을 확인하였다.

비교예 3

금(Au) 박막 코팅 두께가 40 nm로 유사한 실시예 2의 도전성 수지 분말과 비 교예 2의 습식 코팅된 분말의 전기 저항치를 측정하여 두 수지 분말의 전기적 특성을 비교하였다.

내경 10 mm의 유리관에 도전성 수지 분말 10 ml을 채우고 양쪽 끝에 금으로 된 원형 전극을 부착하고, 상기 충전된 분말에 3kg의 하중을 갖는 추를 올려놓은 후 저항을 측정한 결과, 실시예 2의 경우 7.5 mΩ, 비교예 2의 경우 8.7 mΩ으로 두 경우 모두 저항값이 10 mΩ 이하 값을 가졌다.

이상의 결과로부터, 실시예 1 및 2에서 건식 제조한 도전성 수지분말은 습식 코팅된 도전성 수지분말보다 우수하거나 유사한 전기적 특성을 가지며, 특히 복잡한 습식 팔라듐 활성화 공정과 습식 니켈 도금 공정 없이, 건식 스퍼터링 공정만을 사용하여 피도금체인 수지분말에 균일한 금속 피막 형성이 가능하고 이것이 우수한 도전성을 나타냄을 알 수 있다.

본 발명에 의해 다량의 미세 수지 분말의 표면에 금속 피막을 습식도금 공정보다 균일하게 도금할 수 있다. 따라서, 본 발명에 의하여 기존 도금 공정에 비하여 제조 방법이 간단하고, 폐수 발생이 전혀 없으며, 목적하는 피막 두께까지 정확하게 조절할 수 있는, 도전성이 우수한 수지 분말의 제조가 가능하다.

Claims

진공 챔버에 수지 분말을 투입하고, 상기 챔버 내부의 초기 압력을 10^-7 Torr 내지 10^-6 Torr의 진공으로 유지하고, 상기 챔버에 불활성 기체를 분말 제조 공정 동안 지속적으로 주입하고, 피도금 수지 분말을 유동시키면서 플라즈마를 이용하여 금속 타겟으로부터 금속원자를 발생시키는 스퍼터링에 의해 상기 수지 분말 표면 상에 균일한 금속 피막층을 형성시키는 것을 포함하는 도전성 수지 분말의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 수지 분말이 폴리에틸렌(PE), 폴리염화비닐(PVC), 폴리염화비닐리덴, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌, 폴리이소부틸렌(PIB), 폴리부타디엔, 폴리이소프렌, 폴리클로로프렌; 스티렌아크릴로니트릴 공중합체; 스티렌부타디엔 공중합체; 디비닐벤젠 형태의 폴리스티렌; 페놀 수지; 페놀포름알데히드 수지; 요소-포름알데히드 수지; 멜라민포름알데히드 수지; 폴리페닐렌설파이드; 폴리벤즈이미다졸; 벤조구아나민, 멜라민, 아세트구아나민, 디시안아미드 또는 아닐린으로부터 선택되는 아미노 화합물과 포름알데히드, 파라포름알데히드, 아세트알데히드 또는 글리오살로부터 선택되는 알데히드 화합물의 반응물로 이루어지는 아미노계 수지; 멜라민 벤조구아나민 포름알데히드, 함불소 수지 및 니트릴계 수지로 이루어지는 군 중에서 선택되는 것인 방법.
제1항에 있어서, 상기 수지 분말의 유동이 교반기 또는 스크류, 챔버 진동 또는 격벽이 설치되거나 설치되지 않은 챔버의 회전에 의해 이루어지는 것인 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 피막층의 두께가 약 10 nm 내지 100 nm인 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스퍼터링 단계 전에, 상기 수지 분말의 표면을 반응성 기체 플라즈마로 처리하는 단계를 더 포함하는 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스퍼터링 단계 전에, 수지 분말 표면에 고밀착성 금속을 먼저 스퍼터링에 의해 코팅하는 단계를 더 포함하는 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 방법으로 제조한 도전성 수지 분말.
제4항의 방법으로 제조한 도전성 수지 분말.
제5항의 방법으로 제조한 도전성 수지 분말.
제6항의 방법으로 제조한 도전성 수지 분말.
제7항의 도전성 수지 분말과 플라스틱 수지 분말을 혼합·성형하여 제조한 이방 도전성 필름.
제8항의 도전성 수지 분말과 플라스틱 수지 분말을 혼합·성형하여 제조한 이방 도전성 필름.
제9항의 도전성 수지 분말과 플라스틱 수지 분말을 혼합·성형하여 제조한 이방 도전성 필름.
제10항의 도전성 수지 분말과 플라스틱 수지 분말을 혼합·성형하여 제조한 이방 도전성 필름.