KR20060026355A - Semiconductor manufacturing equipment - Google Patents

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KR20060026355A
KR20060026355A KR1020040075236A KR20040075236A KR20060026355A KR 20060026355 A KR20060026355 A KR 20060026355A KR 1020040075236 A KR1020040075236 A KR 1020040075236A KR 20040075236 A KR20040075236 A KR 20040075236A KR 20060026355 A KR20060026355 A KR 20060026355A
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gas
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semiconductor manufacturing
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KR1020040075236A
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김정남
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삼성전자주식회사
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    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract

개시된 반도체 제조설비는 반응가스가 내부로 공급되는 기스공급유로와 반응가스가 배기되는 가스배기유로가 형성된 본체와 본체 내부에 설치되어 내부에 공간을 갖는 내측튜브와 내측튜브 외측으로 설치되되 내측튜브로 부터 배기된 반응가스를 안내하여 상기 가스배기유로로 배기되도록 설치되는 외측튜브와 내측튜브 내에 장착되어 반응가스에 의해 막질이 형성되는 다수매의 웨이퍼가 적재되는 보트 및 내측튜브의 상부에는 가스공급유로를 통해 유입된 반응가스가 점진적으로 배기되도록 다수개의 홀이 형성된 캡을 구비한다. 여기서, 내측튜브 내면에는 반응가스가 내측튜브 내부 중앙부로 산란될 수 있도록 내측튜브 내부 중앙부측으로 돌출되도록 된 링과 돌기등의 산란수단을 구비한다.The disclosed semiconductor manufacturing equipment is installed inside the main body and the inner tube having a gas supply passage through which the reaction gas is supplied and a gas exhaust passage through which the reaction gas is exhausted, and having a space therein. The gas supply flow path is mounted on the upper side of the boat and the inner tube on which a plurality of wafers are mounted in the outer tube and the inner tube which are installed to exhaust the reaction gas exhausted from the gas exhaust passage and the film is formed by the reaction gas. It is provided with a cap formed with a plurality of holes to gradually exhaust the reaction gas introduced through. Here, the inner tube inner surface is provided with scattering means such as rings and protrusions that protrude toward the inner center portion of the inner tube so that the reaction gas can be scattered to the inner portion of the inner tube.

반응로, 튜브, 막질Reactor, tube, membrane

Description

반도체 제조설비{Semiconductor Manufacturing Equipment}Semiconductor Manufacturing Equipment

도 1은 본 발명의 반도체 제조설비를 개략적으로 보여주는 단면도,1 is a cross-sectional view schematically showing a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention;

도 2는 도 1에 도시된 캡을 보여주는 사시도,2 is a perspective view showing the cap shown in FIG.

도 3은 도 1에 도시된 내측튜브의 산란수단을 보여주는 부분절개사시도,3 is a partial cutaway perspective view showing the scattering means of the inner tube shown in FIG.

도 4는 도 2에 도시된 산란수단의 또다른 실시예를 보여주는 절개사시도이다.4 is a cutaway perspective view showing another embodiment of the scattering means shown in FIG.

** 도면의 주요부분에 대한 부호설명 **** Explanation of Signs of Major Parts of Drawings **

100 : 반응로 110 : 본체100: reactor 110: main body

200 : 내측튜브 210 : 링200: inner tube 210: ring

220 : 돌기 300 : 캡220: projection 300: cap

310 : 캡 몸체 311 : 홀310: cap body 311: hole

본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 막질이 형성되는 웨이퍼 상에 충분한 양의 반응가스를 머물도록 한 확산로등의 반응로를 갖는 반도체 제조설비에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to a semiconductor manufacturing equipment having a reaction furnace such as a diffusion furnace in which a sufficient amount of reaction gas stays on a wafer on which a film is formed.                         

일반적으로, 웨이퍼 상에 질화막 또는 산화막등의 막질을 형성하는 반도체 제조설비에는 수평형 또는 수직형의 확산로를 사용하고 있다.In general, a horizontal or vertical diffusion path is used for a semiconductor manufacturing facility that forms a film quality such as a nitride film or an oxide film on a wafer.

또한, 저압 화학기상증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)등의 공정에서는 높은 생산성, 공정의 신뢰성등의 장점을 가지고 있는 수직형(Vertical) 반응로를 일반적으로 사용한다.In addition, in a process such as low pressure chemical vapor deposition, a vertical reactor, which has advantages of high productivity and process reliability, is generally used.

종래의 반도체 제조용 반응로는 본체 내에 특정공간이 형성된 외측튜브(Outer Tube)와, 외측튜브 내측에 설치되되, 특정공간이 형성되도록 내측튜브(Inner Tube)가 설치된다.The conventional reactor for manufacturing a semiconductor is provided with an outer tube in which a specific space is formed in the main body and an inner tube, and an inner tube is installed so that a specific space is formed.

그리고, 내측튜브는 상방으로 개방된 형태이고, 외측튜브 상방은 밀폐된 상태이며, 내측튜브측으로 실란가스등의 반응가스를 공급할 수 있도록 본체 외부와 연통되는 가스공급유로가 형성되고, 가스공급유로를 통해 공급된 반응가스가 내측튜브를 통해 외측튜브측으로 이동하여 배기되도록 본체 일측에 가스배기유로가 형성된다.The inner tube is open upward, the upper tube is closed, and a gas supply passage is formed in communication with the outside of the main body so as to supply reaction gas such as silane gas to the inner tube side, and through the gas supply passage. A gas exhaust passage is formed at one side of the main body so that the supplied reaction gas moves to the outer tube side through the inner tube and is exhausted.

상기와 같은 구조를 갖는 반응로의 내측튜브 공간에 다수매의 웨이퍼가 적재된 보트(Boat)가 위치되어 가스공급유로를 통해 공급되는 실란가스 및 산화질소가스가 화학반응하여 보트에 적재된 웨이퍼 상에 증착됨으로써 특정 막질을 형성한다.In the inner tube space of the reactor having a structure as described above, a boat in which a plurality of wafers are loaded is positioned so that silane gas and nitrogen oxide gas supplied through a gas supply passage are chemically reacted on the wafer loaded on the boat. It is deposited on the to form a certain film quality.

그러나, 내측튜브 하측에서 공급되는 반응가스가 내측튜브 상부로 이동시 그 흐름속도가 매우 빠름에 따라, 즉, 공정이 진행될 웨이퍼 상에 머무는 시간이 충분하지 않게 되어 충분한 양의 반응가스를 공급하지 못하게 됨으로써 웨이퍼 상에 형 성되는 막질의 두께가 불균일하게 되는 문제점이 있다.However, when the reaction gas supplied from the lower side of the inner tube moves to the upper side of the inner tube, the flow rate is very high, that is, the time for staying on the wafer to be processed is not sufficient, thereby not supplying a sufficient amount of reaction gas. There is a problem that the thickness of the film formed on the wafer becomes uneven.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로써, 본 발명의 목적은 반응로 내부로 공급되는 반응가스의 흐름 속도를 줄임과 아울러 웨이퍼 상에서 충분히 화학반응을 유도할 수 있도록 반응가스의 양과 반응시간을 충분하게 함으로써 웨이퍼 상에 형성되는 질화막 또는 산화막의 균일도를 향상시키는 반도체 제조설비를 제공하는 데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to reduce the flow rate of the reaction gas supplied into the reactor and to sufficiently induce a chemical reaction on the wafer The present invention provides a semiconductor manufacturing facility that improves the uniformity of a nitride film or an oxide film formed on a wafer by providing a sufficient amount and a reaction time.

본 발명의 반도체 제조설비는 소정의 반응가스가 내부로 공급되는 기스공급유로와, 상기 반응가스가 배기되는 가스배기유로가 형성된 본체와; 상기 본체 내부에 설치되어 내부에 공간을 갖는 내측튜브와; 상기 내측튜브 외측으로 설치되되, 상기 내측튜브로 부터 배기된 반응가스를 안내하여 상기 가스배기유로로 배기되도록 설치되는 외측튜브; 상기 내측튜브 내에 장착되어 반응가스에 의해 막질이 형성되는 다수매의 웨이퍼가 적재되는 보트; 및 상기 내측튜브의 상부에는 상기 가스공급유로를 통해 유입된 반응가스가 점진적으로 배기되도록 다수개의 홀이 형성된 캡을 포함한다.The semiconductor manufacturing apparatus of the present invention comprises: a main body having a gas supply passage through which a predetermined reaction gas is supplied and a gas exhaust passage through which the reaction gas is exhausted; An inner tube installed inside the main body and having a space therein; An outer tube installed outside the inner tube and installed to exhaust the reaction gas exhausted from the inner tube to the gas exhaust passage; A boat mounted in the inner tube to load a plurality of wafers in which film quality is formed by a reaction gas; And a cap having a plurality of holes formed in the upper portion of the inner tube to gradually exhaust the reaction gas introduced through the gas supply passage.

여기서, 상기 내측튜브 내면에는 상기 반응가스가 상기 내측튜브 내부 중앙부로 산란될 수 있도록 상기 내측튜브 내부 중앙부측으로 돌출되도록 된 산란수단을 포함하는 것이 바람직하다.Here, the inner tube inner surface preferably includes scattering means protruding toward the inner central portion of the inner tube so that the reaction gas can be scattered to the inner central portion of the inner tube.

그리고, 상기 산란수단은 상기 내측튜브의 내면 하부에서 상부로 소정간격 이격되어 설치된 다수개의 링인 것이 바람직하다.In addition, the scattering means is preferably a plurality of rings spaced apart from the inner surface of the inner tube by a predetermined interval from the top.

또한, 상기 산란수단은 상기 내측튜브의 내면 하부에서 상부로 소정간격 이격되어 형성된 다수개의 돌기일 수도 있다.In addition, the scattering means may be a plurality of protrusions formed spaced apart from the inner surface of the inner tube from the upper by a predetermined interval.

그리고, 상기 산란수단은 상기 내측튜브 내면에 소정간격을 형성하여 굴곡되도록 형성될 수도 있다.The scattering means may be formed to bend by forming a predetermined interval on the inner surface of the inner tube.

여기서, 상기 산란수단의 하면은 상측으로 경사지도록 경사면이 형성되는 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the inclined surface is formed so that the lower surface of the scattering means is inclined upward.

이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명에 따르는 반도체 제조 설비의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따르는 반도체 제조설비를 보여주고 있다.Figure 1 shows a semiconductor manufacturing equipment according to the present invention.

본 발명의 반도체 제조설비는 실란가스 및 산화질소가스등의 반응가스가 내부로 공급되는 가스공급유로(111)와, 가스공급유로(111)를 통해 유입된 상기 반응가스를 배기하는 가스배기유로(112)가 형성된 본체(110)와, 본체(110) 내부에 설치되어 가스공급유로(111)를 통해 반응가스가 유입되는 원통형의 내측튜브(200)와, 내측튜브(200) 상부에 설치된 캡(300)의 다수개의 홀(311)을 통해 반응가스가 배기되도록 가스배기유로(112)로 안내하되, 내측튜브(200) 외측으로 설치되는 상부가 밀폐된 외측튜브(120)와, 내측튜브(200) 내에 장착되어 반응가스에 의해 막질이 형성되도록 다수매의 웨이퍼(W)를 적재한 보트(140)가 장착되는 반응로(100)로 구성된다.The semiconductor manufacturing apparatus of the present invention includes a gas supply passage 111 through which reactive gases such as silane gas and nitrogen oxide gas are supplied, and a gas exhaust passage 112 through which the reaction gas introduced through the gas supply passage 111 is exhausted. ) Is formed in the main body 110, the inner tube 200 is a cylindrical inner tube 200, the reaction gas is introduced through the gas supply passage 111 and the cap 300 is installed on the upper inner tube 200 Guide to the gas exhaust passage 112 so that the reaction gas is exhausted through a plurality of holes 311 of the), the outer tube 120 and the inner tube 200, the upper portion is installed to the outside of the inner tube 200, the inner tube 200 It is composed of a reactor (100) mounted inside the boat 140, which is loaded with a plurality of wafers (W) so that the film quality is formed by the reaction gas.

여기서, 캡(300)은 내측튜브(200) 내부를 밀폐하도록 상측에 설치되되, 캡 몸체(310)에는 내측튜브(200) 내의 반응가스가 배기되도록 다수개의 홀(311)이 규칙적으로 형성된다.Here, the cap 300 is installed on the upper side to seal the inside of the inner tube 200, a plurality of holes 311 are regularly formed in the cap body 310 to exhaust the reaction gas in the inner tube 200.

그리고, 내측튜브(200) 내면에는 반응가스가 내측튜브(200) 내부 중앙부로 산란될 수 있도록 상기 내측튜브(200) 내부 중앙부측으로 돌출되도록 된 산란수단을 포함한다.In addition, the inner surface of the inner tube 200 includes scattering means which protrudes toward the inner central portion of the inner tube 200 so that the reaction gas can be scattered to the inner central portion of the inner tube 200.

도 3을 참조하면, 산란수단은 상기 내측튜브(200)의 내면 하부에서 상부로 소정간격 이격되어 설치된 다수개의 링(210)일 수도 있다.Referring to FIG. 3, the scattering means may be a plurality of rings 210 installed at a predetermined interval from a lower portion of an inner surface of the inner tube 200 to an upper portion thereof.

도 4를 참조하면, 산란수단은 내측튜브(200)의 내면 하부에서 상부로 소정간격 이격되어 형성된 다수개의 돌기(220)일 수도 있다.Referring to FIG. 4, the scattering means may be a plurality of protrusions 220 formed to be spaced apart from the bottom of the inner surface of the inner tube 200 by a predetermined interval.

그리고, 도면에 도시되지는 않았지만, 산란수단은 상기 내측튜브(200) 내면에 소정간격을 형성하여 굴곡되도록 굴곡면이 형성될 수도 있다.And, although not shown in the figure, the scattering means may be formed to bend to bend by forming a predetermined interval on the inner surface of the inner tube (200).

한편, 상기 내측튜브(200)와 캡(300)과, 내측튜브(200) 내면에 형성된 산란수단의 석영재질로 형성되는 것이 바람직하다.
On the other hand, the inner tube 200 and the cap 300, and the inner tube 200 is preferably formed of a quartz material of the scattering means formed on the inner surface.

다음은 상기와 같이 구성되는 본 발명의 반도체 제조설비의 작용 및 효과를 좀 더 구체적으로 설명하도록 한다.Next will be described in more detail the operation and effect of the semiconductor manufacturing equipment of the present invention configured as described above.

도 1을 참조 하면, 보트(140)에 장착된 다수매의 웨이퍼(W) 상에 막질을 형성시키기 위한 반응가스가 가스공급유로(111)를 통해 내측튜브(200) 내측으로 유입되도록 된다.Referring to FIG. 1, a reaction gas for forming a film quality on a plurality of wafers W mounted on the boat 140 is introduced into the inner tube 200 through the gas supply passage 111.

내측튜브(200) 내로 유입된 반응가스는 웨이퍼(W) 상에 막질을 형성한 후, 내측튜브(200) 상부를 통해 배기될 경우, 내측튜브(200) 상부에 설치된 캡(300)을 통해 배기되는 반응가스의 유동양이 상대적으로 적게되어 내측튜브(200) 내에 머무는 시간이 길어지게 된다.After the reaction gas introduced into the inner tube 200 forms a film on the wafer W and is exhausted through the upper portion of the inner tube 200, the reactant gas is exhausted through the cap 300 installed on the inner tube 200. The flow amount of the reactant gas is relatively small, so that the time for staying in the inner tube 200 becomes long.

따라서, 내측튜브(200) 내에서 미반응한 가스가 방출되는 것을 최대한 억제되도록 함과 아울러 상기와 같이 반응가스의 지체 시간을 증가시킴으로써 웨이퍼(W) 상에 형성되는 막질의 상태를 좋게 할 수 있고, 막질을 형성하는 웨이퍼(W) 가공시간을 단축시킬 수 있다.Therefore, the state of the film formed on the wafer W can be improved by maximally suppressing the release of unreacted gas in the inner tube 200 and increasing the delay time of the reaction gas as described above. The processing time of the wafer W for forming the film quality can be shortened.

상기와 같이 웨이퍼(W) 상에 막질을 형성한 후, 반응가스는 그 유동에 의해 캡 몸체(310)에 형성된 다수개의 홀(311)을 통해 배기되며, 배기되는 반응가스는 외측튜브(120) 내측으로 안내되어 본체(110)와 외측튜브(120) 내부와 연통되도록 설치된 가스배기유로(112)를 통해 배기된다.After forming the film on the wafer (W) as described above, the reaction gas is exhausted through a plurality of holes 311 formed in the cap body 310 by the flow, the reaction gas is exhausted to the outer tube 120 It is guided inward and is exhausted through the gas exhaust passage 112 installed to communicate with the body 110 and the outer tube 120 inside.

도 2를 참조 하면, 내측튜브(200) 내에 투입되어 공정을 마친 반응가스는 일정량으로 배기되도록 캡 몸체(310)에 홀(311)이 규칙적으로 형성된다.Referring to FIG. 2, holes 311 are regularly formed in the cap body 310 so that the reaction gas injected into the inner tube 200 and finished with the process is exhausted in a predetermined amount.

그리고, 내측튜브(200)와, 내측튜브(200) 내면에 형성되는 산란수단과, 내측튜브 상측에 설치되는 캡(300)은 공정 진행시 발생하는 온도와 반응가스에 의해 파손되지 않도록 석영재질로 형성되는 것이 좋다.In addition, the inner tube 200, the scattering means formed on the inner surface of the inner tube 200, and the cap 300 installed on the upper side of the inner tube 200 are made of quartz so as not to be damaged by the temperature and reaction gas generated during the process. It is good to be formed.

한편, 도 1을 참조하면, 상기와 같이 웨이퍼(W) 상에 막질을 형성하기 위해 유입된 반응가스가 보트(140)에 적재된 다수매의 웨이퍼(W)들 사이에 균일하게 머물수 있도록 내측튜브(200) 내면에 다수개의 산란수단이 형성된다.On the other hand, referring to Figure 1, the inner tube so that the reaction gas introduced to form a film on the wafer (W) as described above to be uniformly between the plurality of wafers (W) loaded on the boat 140 A plurality of scattering means is formed on the inner surface (200).

도 3을 참조하면, 산란수단의 위치는 웨이퍼(W)들 사이에 돌출되도록 형성되 며, 내측튜브(200) 내면에 형성되되, 다수개의 링(210)을 내측튜브(200) 내면에 장착하여, 내측튜브(200) 내부 중앙부로 향하게 하여 돌출되도록 형성하는 것이 바람직하다.Referring to Figure 3, the position of the scattering means is formed to protrude between the wafer (W), is formed on the inner surface of the inner tube 200, by mounting a plurality of rings 210 on the inner surface of the inner tube 200, The inner tube 200 is preferably formed to protrude toward the inner central portion.

따라서, 내측튜브(200) 하측으로 유입된 반응가스가 상측으로 유동되면서 상기 산란수단인 링(210)에 간섭되어, 링(210)과 링(210)사이에 일정량이 지체되어 링(210)과 링(210)사이에 위치된 웨이퍼(W) 상에 균일한 막질을 형성할 수 있도록 한다.Therefore, the reaction gas introduced into the lower side of the inner tube 200 flows upward, interferes with the ring 210 as the scattering means, and a certain amount is delayed between the ring 210 and the ring 210 so that the ring 210 and It is possible to form a uniform film on the wafer (W) located between the rings (210).

또한, 도 4를 참조하면, 내측튜브(200) 내면에 형성된 산란수단은 내측튜브(200) 중앙부를 향하여 돌출되도록 형성된 링(Ring) 형상의 돌기(220)가 내측튜브(200) 내면에 형성될 수도 있다.In addition, referring to FIG. 4, the scattering means formed on the inner surface of the inner tube 200 may have a ring-shaped protrusion 220 formed to protrude toward the center of the inner tube 200 on the inner surface of the inner tube 200. It may be.

그리고, 도면에 도시되지는 않았지만, 내측튜브(200) 내에 설치된 산란수단은 웨이퍼(W)들 사이에 돌출되도록 내측튜브(200) 내면에 굴곡지게 형성된 굴곡면이 형성 될 수도 있다.And, although not shown in the figure, the scattering means installed in the inner tube 200 may be formed bent surface formed to be bent on the inner surface of the inner tube 200 so as to project between the wafer (W).

여기서, 내측튜브(200) 내면에 형성된 굴곡면은 돌출된 면이 웨이퍼(W)들 사이에 위치되도록 형성된다.Here, the curved surface formed on the inner surface of the inner tube 200 is formed so that the protruding surface is located between the wafers (W).

한편, 도면에는 도시되지 않았지만, 다수개의 링(210)과 돌기(220)와 굴곡면등의 산란수단의 하면은 내측튜브(200) 하부에서 유입되어 상부로 유동하는 반응가스가 내측튜브(200) 중앙부로 산란될 수 있도록 하측에서 상측으로 경사지는 경사면이 형성되는 것이 바람직할 것이다.On the other hand, although not shown in the drawing, a plurality of rings 210, the projections 220 and the lower surface of the scattering means such as the curved surface is the reaction gas flowing from the lower side of the inner tube 200 flows to the inner tube 200 It may be desirable to form an inclined surface that is inclined upwardly from the lower side to be scattered to the center portion.

따라서, 본 발명의 반도체 제조설비에 의하면 내측튜브 내에 공급되는 반응가스가 웨이퍼 상에 막질을 형성하는 반응시간이 충분하게 되도록 내측튜브 상측에 다수개의 홀이 형성된 캡을 추가로 설치함으로써, 웨이퍼 상에 형성되는 막질의 균일함을 확보함과 아울러 막질 형성공정 시간을 단축시킴으로써 단위시간당 제품 생산량을 증가시킬 수 있는 효과가 있다. Therefore, according to the semiconductor manufacturing equipment of the present invention, a cap having a plurality of holes formed on the inner tube is further provided on the wafer so that the reaction time supplied in the inner tube is sufficient to form a film on the wafer. In addition to ensuring the uniformity of the formed film quality, there is an effect that can increase the product yield per unit time by shortening the film forming process time.

그리고, 내측튜브 내면에 다수개의 링이나, 돌출부나, 굴곡면을 형성함으로써 내측튜브 내부로 유입된 반응가스가 산란되게 하여 웨이퍼들 사이에 균일하게 공급되게 함으로써 웨이퍼 상에 형성되는 막질의 균일도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, by forming a plurality of rings, protrusions, or curved surfaces on the inner tube, the reaction gas introduced into the inner tube is scattered to be uniformly supplied between the wafers, thereby improving the uniformity of the film formed on the wafer. It can be effected.

본 발명은 상기에 기술된 구체적인 예에 대해서만 설명되었지만, 본 발명의 기술사상 범위내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described only with respect to the specific examples described above, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical spirit of the present invention, and such modifications and variations belong to the appended claims. .

Claims (5)

소정의 반응가스가 내부로 공급되는 기스공급유로와, 상기 반응가스가 배기되는 가스배기유로가 형성된 본체;A main body having a gas supply passage through which a predetermined reaction gas is supplied and a gas exhaust passage through which the reaction gas is exhausted; 상기 본체 내부에 설치되어 내부에 공간을 갖는 내측튜브;An inner tube installed inside the main body and having a space therein; 상기 내측튜브 외측으로 설치되되, 상기 내측튜브로 부터 배기된 반응가스를 안내하여 상기 가스배기유로로 배기되도록 설치되는 외측튜브;An outer tube installed outside the inner tube and installed to exhaust the reaction gas exhausted from the inner tube to the gas exhaust passage; 상기 내측튜브 내에 장착되어 반응가스에 의해 막질이 형성되는 다수매의 웨이퍼가 적재되는 보트; 및A boat mounted in the inner tube to load a plurality of wafers in which film quality is formed by a reaction gas; And 상기 내측튜브의 상부에는 상기 가스공급유로를 통해 유입된 반응가스가 점진적으로 배기되도록 다수개의 홀이 형성된 캡을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.And a cap having a plurality of holes formed in the upper portion of the inner tube to gradually exhaust the reaction gas introduced through the gas supply passage. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 내측튜브 내면에는 상기 반응가스가 상기 내측튜브 내부 중앙부로 산란될 수 있도록 상기 내측튜브 내부 중앙부측으로 돌출되도록 된 산란수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.The inner tube inner surface comprises a scattering means protruding toward the inner central portion of the inner tube so that the reaction gas is scattered to the inner central portion of the inner tube. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 산란수단은 상기 내측튜브의 내면 하부에서 상부로 소정간격 이격되어 설치된 다수개의 링인 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.The scattering means is a semiconductor manufacturing equipment, characterized in that a plurality of rings spaced apart from the inner surface of the inner tube by a predetermined interval from the top. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 산란수단은 상기 내측튜브의 내면 하부에서 상부로 소정간격 이격되어 형성된 다수개의 돌기인 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.The scattering means is a semiconductor manufacturing equipment, characterized in that the plurality of protrusions formed spaced apart from the inner surface of the inner tube by a predetermined interval. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 산란수단은 상기 내측튜브 내면에 소정간격을 형성하여 굴곡되도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.The scattering means is a semiconductor manufacturing equipment, characterized in that formed to be bent by forming a predetermined interval on the inner surface of the inner tube.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8377206B2 (en) 2008-09-16 2013-02-19 Samsung Electronics Co., Ltd Apparatus and method of forming semiconductor devices
KR101524519B1 (en) * 2012-09-26 2015-06-01 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer readable recording medium
US9666459B2 (en) 2013-03-12 2017-05-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for processing wafers
CN108061295A (en) * 2017-07-14 2018-05-22 新能能源有限公司 A kind of buck oxygen-eliminating device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8377206B2 (en) 2008-09-16 2013-02-19 Samsung Electronics Co., Ltd Apparatus and method of forming semiconductor devices
KR101523357B1 (en) * 2008-09-16 2015-05-28 삼성전자주식회사 Apparatus and method for forming semiconductor devices
KR101524519B1 (en) * 2012-09-26 2015-06-01 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer readable recording medium
US9666459B2 (en) 2013-03-12 2017-05-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for processing wafers
CN108061295A (en) * 2017-07-14 2018-05-22 新能能源有限公司 A kind of buck oxygen-eliminating device

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