KR20060023391A - 웨이퍼 노광용 마스크 검사 방법 - Google Patents

웨이퍼 노광용 마스크 검사 방법 Download PDF

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Abstract

웨이퍼 노광용 마스크의 검사하기 위하여, 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 영역에서 시뮬레이션된 제1 에이리얼 이미지를 저장한다. 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 영역이 조명기와 오버랩되도록 상기 웨이퍼 노광용 마스크를 이동한다. 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 최대 이동 오차만큼 상기 제1 영역을 확장시켜 제2 영역을 지정한다. 상기 조명기를 사용하여 상기 제2 영역으로 광을 전사시켜 제2 에이리얼 이미지를 측정한다. 상기 제1 에이리얼 이미지와 제2 에이리얼 이미지를 비교하여, 상기 제2 에이리얼 이미지에서 상기 제1 에이리얼 이미지와 가장 유사한 부분과 상기 조명기가 오버랩되도록 상기 스테이지를 이동한다. 이어서, 상기 이동한 위치에서 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 영역을 검사한다. 상기 과정에 의해 웨이퍼 노광용 마스크의 원하는 영역을 정확하게 검사할 수 있다.

Description

웨이퍼 노광용 마스크 검사 방법{Method of mask analysis for using a wafer exposure}
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 노광용 마스크 제작 방법을 설명하기 위한 플로 챠트이다.
도 2는 노광용 마스크에서 동일한 패턴들이 규칙적으로 형성되어 있는 영역에서의 선폭 측정 과정을 설명하기 위한 플로 챠트이다.
도 3은 노광용 마스크 패턴에서 다양한 형상의 패턴들이 비규칙적으로 형성되어 있는 영역에서의 선폭 측정 과정을 설명하기 위한 플로 챠트이다.
도 4는 디램 셀에서의 노광용 마스크의 규칙적인 패턴 형상을 보여준다.
도 5는 코아 페리 영역에 해당하는 노광용 마스크의 불규칙적인 패턴 형상을 보여준다.
도 6은 노광용 마스크의 측정 영역에서 시뮬레이션된 에이리얼 이미지를 보여준다.
본 발명은 웨이퍼 노광용 마스크 검사 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게 는, 웨이퍼 상에 원하는 포토 패턴을 형성하기 위한 웨이퍼 노광용 마스크를 제작할 시에 상기 웨이퍼 노광용 마스크를 검사하는 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 각종 패턴은 막을 증착시키고, 상기 증착된 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 이를 식각 마스크로 사용하여 상기 증착된 막을 식각함으로서 형성된다. 상기 포토레지스트 패턴은 포토레지스트를 스핀 코팅한 후, 웨이퍼 노광용 마스크 또는 레티클을 통과한 빛을 전사하여, 전사된 패턴을 현상하는 일련의 공정으로 이루어진다.
통상적으로, 상기 웨이퍼 노광용 마스크 또는 레티클은 패턴을 전사하고자 하는 부분에 크롬 등과 같은 차광 물질 또는 위상 반전 물질이 형성되어 있다. 그런데, 상기 웨이퍼 노광용 마스크 또는 레티클 상에 형성되어 있는 패턴과 상기 웨이퍼 노광용 마스크 또는 레티클을 사용하여 노광 공정을 수행함으로서 실제로 형성되는 포토레지스트 패턴은 동일한 형상을 갖지는 못한다. 예를 들어, 상기 포토레지스트 패턴의 가장자리 부위는 라운드된다. 또한, 상기 웨이퍼 노광용 마스크 상에 형성되어 있는 마스크 패턴의 선폭이 동일하더라도, 웨이퍼 상에 전사되는 각 영역에서의 패턴 밀집도와 주변에 형성되어 있는 패턴 크기 등에 따라 선폭이 서로 달라진다. 이는, 광의 회절, 산란 및 간섭 등에 의해 패턴의 왜곡 현상이 발생되기 때문이다. 이를 패턴의 근접에 따른 왜곡 현상(optical proximity effect, OPE) 또는 근접 효과라 한다.
상기 근접 효과를 보정하기 위하여, 반도체 장치의 설계자가 원하는 모양의 패턴이 나타나도록 원래의 노광용 마스크 패턴 또는 피쳐(feature)를 인위적으로 변조하여 간섭 무늬가 상쇄되도록 한 웨이퍼 노광용 마스크를 이용하여 노광 공정을 수행하고 있으며, 이를 오피씨(optical proximity correction, OPC)라고 한다.
상기 웨이퍼 노광용 마스크를 제작할 시에, OPC를 수행한 이 후에 상기 OPC가 정확하게 되었는지를 확인하고 보정하기 위한 OPC 검증 과정을 수행하여야 한다. 상기 OPC를 검증하기 위해서 구체적으로, 웨이퍼 노광용 마스크의 중앙 부위의 영역에 수 내지 수백 포인트의 패턴 선폭을 측정함으로서 칩 내의 선폭 편차(variation)를 확인하고, 상기 선폭 편차가 설정된 범위 내에 있는 경우에 상기 웨이퍼 노광용 마스크가 최적화되었다고 판단한다. 상기 선폭은 예를 들어 칼 제이스 사에서 구할 수 있는 AIMS 설비를 사용하여 측정할 수 있다.
그런데, 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 중앙 부위의 국부적인 영역이 웨이퍼 전 영역을 대변할 수는 없기 때문에 OPC의 정확한 검증이 이루어지지 않는다. 특히, 웨이퍼 각 영역별 예를 들어 셀 영역 및 코아/페리 영역별로 노광용 마스크의 재현성 및 균일성 등이 달라지므로 OPC가 정확하게 이루어졌는지를 확인하기는 매우 어렵다. 따라서, 상기 OPC의 정확도를 검증하기 위해서는 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 전체 영역에서 되도록 많은 포인트의 선폭을 측정하여야 선폭 편차를 비교하여야 한다.
그러나, 코아/페리 영역과 같이 반복 패턴이 형성되어 있지 않은 영역에서는 선폭을 측정하기 위한 포인트를 찾아내는 것이 용이하지 않다. 그러므로, 상기 각 포인트를 작업자가 매뉴얼로 찾아내어 선폭을 측정하고 있다. 때문에, 선폭 측정에 소요되는 시간이 매우 많이 소요되고, 많은 포인트의 선폭을 측정하는 것이 거의 불가능하여 OPC검증을 정확하게 수행하는 것이 매우 어렵다.
따라서, 본 발명의 목적은 OPC를 정확하게 검증할 수 있는 노광용 마스크 검사 방법을 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 노광용 마스크 검사 방법은, 우선 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 영역에서 시뮬레이션된 제1 에이리얼 이미지를 저장한다. 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 영역이 조명기와 오버랩되도록 상기 웨이퍼 노광용 마스크를 이동시킨다. 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 최대 이동 오차만큼 상기 제1 영역을 확장시켜 제2 영역을 지정한다. 상기 조명기를 사용하여 상기 제2 영역으로 광을 전사시켜 제2 에이리얼 이미지를 측정한다. 상기 제1 에이리얼 이미지와 제2 에이리얼 이미지를 비교하여, 상기 제2 에이리얼 이미지에서 상기 제1 에이리얼 이미지와 가장 유사한 부분과 상기 조명기가 오버랩되도록 상기 스테이지를 이동한다. 이어서, 상기 이동한 위치에서 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 영역을 검사한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 노광용 마스크 검사 방법은, 웨이퍼 노광용 마스크에서 규칙적인 패턴이 형성되는 제1 영역과 비규칙적으로 패턴이 형성되는 제2 영역을 각각 구분한다. 상기 제1 영역 내에 위치한 제1 부위로 광을 전사시켜 제1 에이리얼 이미지를 측정한다. 상기 제1 에이리얼 이미지를 이용하여 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 부위를 검사한다. 웨이퍼 노광용 마스크의 제2 영역의 제2 부위에서 시뮬레이션된 제2 에이리얼 이미지를 저장한다. 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 제2 부위가 조명기와 오버랩되도록 상기 웨이퍼 노광용 마스크를 이동시킨다. 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 최대 이동 오차만큼 상기 제2 부위를 확장시켜 제3 부위를 지정한다. 상기 조명기를 사용하여 상기 제3 부위에 광을 전사시켜 제3 에이리얼 이미지를 측정한다. 상기 제2 에이리얼 이미지와 제3 에이리얼 이미지를 비교하여, 상기 제3 에이리얼 이미지에서 상기 제2 에이리얼 이미지와 가장 유사한 부분과 상기 조명기가 오버랩되도록 상기 스테이지를 이동한다. 이어서, 상기 이동한 위치에서 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 제2 부위를 검사한다.
상기 검사 방법에 의하면, 검사하고자 하는 부위인 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 영역을 정확하게 찾아낸 후 상기 제1 영역에 대해 검사할 수 있다. 그러므로, 상기 단계들을 수행할 수 있도록 프로그램을 구현함으로서 자동으로 상기 제1 영역에 대해 정확히 검사할 수 있다.
또한, 상기 단계들을 웨이퍼 상의 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 다른 영역에 대해서도 동일하게 수행함으로서, 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 전 영역의 각 포인트들을 손쉽게 검사할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 노광용 마스크 제작 방법을 설명하기 위한 플로 챠트이다.
도 1을 참조하면, 우선 반도체 장치의 패턴을 형성하기 위한 노광용 마스크 를 디자인한다.(S10)
디자인된 노광용 마스크를 실재의 노광 공정에서 사용할 시에 발생할 수 있는 광학적 근접 효과를 보정하기 위하여 OPC를 수행한다.(S12)
상기 OPC기술은 통상적으로 2㎛이내의 범위(range) 내에서 보정이 이루어지고 있으나, 실제로는 패턴의 밀집도에 따른 로딩 효과, 가장자리 부위가 라운드되는 코너링 라운딩 효과, 마스크 재현성 등과 같이 넓은 범위에서 발생되는 효과(long range effect)가 존재하므로 특정 영역에서 OPC가 정확하게 수행되지 못하는 경우가 있다. 상기 OPC를 아무리 최적화하더라도 상기 예측되지 못한 효과들로 인해 노광용 마스크에 에러가 발생될 수 있으며, 이 경우 웨이퍼에 형성되는 포토레지스트 패턴의 선폭 에러가 발생하게 된다. 따라서, 상기 OPC를 정확하게 검증하여 상기 노광용 마스크를 정확하게 보정하는 과정을 수행하여야 한다.
상기 OPC가 정확한 지를 검증하기 위해 상기 노광용 마스크의 각 영역별로 선폭을 측정한다.(S14) 상기 선폭 측정은 실재 웨이퍼 상에 포토레지스트 패턴을 형성한 후 상기 포토레지스트 패턴을 측정하는 것이 아니라, 상기 노광용 마스크에 광을 전사한 후 수득되는 데이터를 이용하여 측정한다. 상기 선폭은 예를 들어 칼 제이스 사에서 구할 수 있는 AIMS 설비를 사용하여 측정할 수 있다. 상기 AIMS 설비에는 시그마 렌즈의 구경들을 현미경의 광학 컬럼 안에 삽입되어 있는 소형 스테퍼를 포함하고 있다. 그러므로, 실재 포토레지스트 패턴을 구현할 시에 사용되는 노광 조건으로 설정할 수 있다. 또한, 상기 노광 조건으로 상기 노광용 마스크를 전사한 후 포착되는 광의 인센시티로부터 공중 이미지(이하, 에이리얼 이미지, aerial image)를 측정할 수 있다. 상기 에어리얼 이미지는 실제로 상기 노광용 마스크를 개재하여 포토레지스트 패턴을 형성하였을 때에 나타나는 이미지와 거의 동일하다. 그리고, 상기 에이리얼 이미지를 통해 선폭을 측정할 수 있다.
상기 노광용 마스크의 전 영역에 대해 다수의 부위에서 모니터링(즉, 선폭 측정)이 이루어져야만 상기 노광용 마스크의 OPC를 정확하게 검증할 수 있다. 그런데, 메모리 셀 부위는 반복적으로 패턴이 형성되기 때문에 각 셀 주변으로의 패턴 형상이나 밀집도가 실질적으로 동일하다. 때문에, 메모리 셀의 각 영역별로 설정된 다수의 포인트에서 상기 선폭을 측정하여 상기 측정된 각 선폭이 타겟 범위를 벗어나지 않는 경우 다른 부위의 OPC도 정확하다고 가정할 수 있다.
그러나, 메모리 셀과 페리/코아 영역의 경계부위 및 페리/코아 영역의 경우에는 패턴이 반복적으로 형성되어 있지 않고 다양한 패턴 형상을 가지며 밀집도도 매우 불균일하다. 때문에, 주변 패턴 형상이나 밀집도에 따라 실재 포토레지스트 패턴이 전혀 다르게 형성될 가능성이 크고, 상기 포토레지스트 패턴이 원하는 설계 대로 형성되지 않는 경우 공정 불량이 발생하게될 뿐 아니라 상기 공정 불량을 찾아내는것도 매우 어렵다. 따라서, 상기 메모리 셀과 페리/코아 영역의 경계부위 및 페리/코아 영역와 같이 패턴이 반복적으로 형성되어 있지 않는 부위에서의 정확한 OPC검증이 매우 중요하게 다루어진다.
또한, 상기 메모리 셀 부위는 반복되는 패턴으로 형성되기 때문에, 상기 AIMS 설비에서 측정하고자 하는 부위를 정확하게 찾아가지 않더라도 측정 부위와 동일한 패턴에서 선폭을 측정할 수가 있다.
그러나, 상기 메모리 셀과 페리/코아 영역의 경계부위 및 페리/코아 영역과 같이 다양한 패턴 형상을 갖기 때문에, 상기 AIMS 설비에서 측정하고자 하는 부위를 정확하게 찾아가지 않는 경우에는 원하지 않는 패턴에서 선폭을 측정하게 되므로 상기 측정 부위에서의 선폭 불량을 검사해낼 수가 없다. 따라서, 상기 측정 부위를 정확히 찾아서 원하는 패턴에서 선폭을 측정하는 것이 매우 중요하다.
이하에서는, 노광용 마스크의 선폭 측정 과정을 좀 더 상세하게 설명한다.
도 2는 노광용 마스크에서 동일한 패턴들이 규칙적으로 형성되어 있는 영역에서의 선폭 측정 과정을 설명하기 위한 플로 챠트이다. 도 3은 노광용 마스크 패턴에서 다양한 형상의 패턴들이 비규칙적으로 형성되어 있는 영역에서의 선폭 측정 과정을 설명하기 위한 플로 챠트이다. 도 4는 디램 셀에서의 노광용 마스크의 규칙적인 패턴 형상을 보여준다. 또한, 도 5는 코아 페리 영역에 해당하는 노광용 마스크의 불규칙적인 패턴 형상을 보여준다.
노광용 마스크 패턴에서 동일한 패턴들이 규칙적으로 형성되어 있는 영역과 다양한 형상의 패턴들이 비규칙적으로 형성되어 있는 영역을 각각 구분한다.
다음에, 상기 동일한 패턴이 규칙적으로 형성되어 있는 영역에서 선폭을 측정한다. 도 2를 참조로 하여 구체적으로 설명한다.
도 2를 참조하면, 상기 노광용 마스크의 상기 동일한 패턴이 규칙적으로 형성되어 있는 영역 내에서 OPC 검증이 요구되는 제1 포인트를 지정하고, 상기 제1 포인트에 해당하는 좌표를 저장한다.(S100) 또한, 상기 제1 포인트를 중심으로 하여 0.5 내지 4㎛의 반경을 갖는 제1 영역을 지정한다. 상기 제1 영역은 측정 장비( 즉, AIMS 장비)의 조명계를 이용하여 에이리얼 이미지를 정상적으로 수득할 수 있는 범위 내의 영역이면 가능하고, 바람직하게는 1 내지 2㎛의 반경을 갖도록 지정한다. 그리고, 웨이퍼 상에 형성되어야 할 포토레지스트 패턴의 타겟 선폭 범위 및 노광 조건 등을 저장한다.
상기 웨이퍼 노광용 마스크를 스테이지에 로딩시킨다. 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 포인트의 좌표로 상기 스테이지를 이동시켜, 상기 제1 영역과 조명계가 오버랩되도록 한다.(S102) 이 때, 상기 스테이지의 이동 오차에 의해 상기 스테퍼 렌즈들을 통해 광이 상기 노광용 마스크의 제1 영역에 정확히 전사되지 않을 수도 있다.
즉, 도 4에 도시된 것과 같이, 상기 제1 영역(200)으로부터 수 ㎛정도 벗어난 영역(201)을 전사할 수 있다. 예를 들어, 상기 AIMS 장비의 경우 1 내지 2㎛ 정도의 스테이지 이동 오차가 있다. 그러나, 상기 제1 영역(200) 및 상기 제1 영역 주변에는 동일한 패턴이 규칙적으로 형성되어 있기 때문에 상기 오차가 크게 문제되지 않는다.
상기 측정 장비 내의 조명계를 통해 실재 사진 공정에서 사용되는 조건과 동일한 조건의 광을 상기 노광용 마스크로 전사하여, 포착되는 광의 인센시티로부터 제1 에이리얼 이미지를 측정한다.(S104)
상기 제1 에이리얼 이미지를 통해 선폭을 측정한다.(S106)
상기 과정을 측정 포인트를 변경해가면서 상기 S100 내지 S106 단계를 반복적으로 수행함으로서, 상기 동일한 패턴이 규칙적으로 형성되어 있는 영역 내에서 의 다수의 포인트에서 선폭을 측정할 수 있다.
또 다른 방법으로, 상기 S100 단계에서 다수의 포인트를 지정하고 상기 S102 내지 S106 단계를 각 측정 포인트를 변경하면서 반복적으로 수행함으로서 선폭을 측정할 수 있다.
다음에, 상기 다양한 형상의 패턴들이 비규칙적으로 형성되어 있는 영역에서 선폭을 측정한다. 도 3을 참조로 하여 구체적으로 설명한다.
도 3을 참조하면, 노광용 마스크의 다양한 형상의 패턴들이 비규칙적으로 형성되어 있는 영역 내에서 OPC 검증이 요구되는 제2 포인트를 지정하고, 상기 제2 포인트에 해당하는 좌표를 저장한다. 그리고, 웨이퍼 상에 형성되어야 할 포토레지스트 패턴의 타겟 선폭 범위 및 노광 조건 등을 저장한다. 다음에, 상기 제2 포인트를 중심으로 하여 0.5 내지 4㎛의 반경을 갖는 제2 영역을 지정한다. 바람직하게는, 상기 제2 영역은 1 내지 2㎛의 반경을 갖도록 지정한다.
상기 노광용 마스크에는 OPC에 의해 코너 라운딩 방지용 패턴, 스케터링 바 등의 부가적 패턴이 구비되어 있기 때문에, 측정 장치에 의해 측정된 에이리얼 이미지와 상기 노광용 마스크 내의 패턴 형상과는 상당한 차이가 있다. 따라서, 상기 노광용 마스크 내의 패턴과 상기 측정된 에어리얼 이미지를 단순 비교함으로서 좌표를 찾아가기는 매우 어렵다. 그러므로, 다음의 방법으로 좌표를 찾아간다.
상기 지정된 제2 영역을 시뮬레이션하여 노광용 마스크의 제2 영역에 대한 제2 에이리얼 이미지를 저장한다. 상기 제2 에이리얼 이미지는 상기 저장되어 있는 노광 조건 및 노광용 마스크를 이용하여 계산에 의해 추출된 이미지이다. 도 6은 시뮬레이션에 의해 수득된 제2 에이리얼 이미지(300)를 보여준다.
스테이지 상에 상기 노광용 마스크를 로딩한다.
상기 웨이퍼 노광용 마스크의 제2 포인트의 좌표로 상기 스테이지를 이동시켜 상기 제2 영역과 측정 장치의 조명계가 서로 오버랩되도록 한다.
그러나, 도 5에 도시된 것과 같이, 상기 제2 포인트(301)의 좌표로 상기 스테이지를 이동시키더라도 상기 조명계를 통해 광이 상기 마스크의 제2 영역(304)에 정확히 전사되지 않고 오차 한계 이내의 다른 영역(302)로 이동될 수 있다. 이는 상기 스테이지의 이동 오차가 발생되기 때문이다. 그런데, 상기 제2 영역(304) 주변에 형성되어 있는 패턴들이 동일하지 않고 비규칙적이기 때문에, 상기 제2 영역(304)에 광이 정확하게 전사되지 않는 경우에는 원하는 에이리얼 이미지를 측정할 수가 없다.
따라서, 도 5에 도시된 것과 같이, 상기 웨이퍼 노광용 마스크와 상기 조명계 간에 발생될 수 있는 오버랩 최대 오차만큼 상기 제3 영역(310)을 확장시켜 제3 영역(310)을 지정한다. 이 경우, 상기 스테이지의 이동 오차가 발생되더라도 상기 제3 영역(310) 내에는 측정하고자하는 실제의 제2 영역(304)이 반드시 포함된다.
상기 스테퍼에 포함되어 있는 조명계를 통해 실재 사진 공정에서 사용되는 조건과 동일한 조건의 광을 상기 노광용 마스크의 제3 영역(310)으로 전사하여 포착되는 광의 인센시티로부터 제3 에이리얼 이미지를 측정한다.
상기 제2 에이리얼 이미지(300)와 제3 에이리얼 이미지를 비교하여 상기 제3 에이리얼 이미지에서 상기 제2 에이리얼 이미지(300)와 가장 유사한 부분에 상기 조명계가 중첩되도록 상기 스테이지를 미소 이동한다. 이 경우, 상기 조명계가 상기 노광용 마스크의 제2 영역(304)과 정확하게 중첩된다.
다음에, 상기 제2 영역(304)에서 선폭을 측정한다.
상기 과정을 측정 포인트를 변경해가면서 반복적으로 수행함으로서, 상기 다양한 패턴이 비규칙적으로 형성되어 있는 영역 내에서의 다수의 포인트에서 선폭을 측정할 수 있다.
상기 각 포인트에서 측정된 선폭을 검사하여 상기 노광용 마스크에 에러가 발견될 시에는 상기 노광용 마스크를 재보정한다.(S16)
최종적으로, 상기 재보정된 노광용 마스크를 사용하여 포토레지스트 패턴을 형성하고 이를 검사한다.(S18)
상기 과정에 의하면, 다양한 패턴이 비규칙적으로 형성되어 있는 영역 내의 다수의 포인트에서 선폭을 자동으로 정확하게 측정할 수 있다. 따라서, 작업자가 매뉴얼로 선폭을 측정할 경우에 비해 더 많은 포인트에서 선폭을 측정할 수 있으며, 측정 시간도 매우 단축된다. 그러므로, 노광용 마스크의 OPC를 더욱 정확하게 검증할 수 있다.
또 다른 방법으로, 상기 S100 단계에서 다수의 포인트를 지정하고 상기 S102 내지 S106 단계를 각 측정 포인트를 변경하면서 반복적으로 수행함으로서 선폭을 측정할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 노광용 마스크의 전 영역에 걸쳐 다수 의 포인트에서 정확하게 선폭을 측정할 수 있으므로, OPC검증을 정확하게 수행할 수 있다. 때문에, 상기 노광용 마스크의 불량에 의해 발생할 수 있는 공정 불량을 감소시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (7)

  1. i)웨이퍼 노광용 마스크의 제1 영역에서 시뮬레이션된 제1 에이리얼 이미지를 저장하는 단계;
    ii)상기 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 영역이 조명기와 오버랩되도록 상기 웨이퍼 노광용 마스크를 이동시키는 단계;
    iii)상기 웨이퍼 노광용 마스크의 최대 이동 오차만큼 상기 제1 영역을 확장시켜 제2 영역을 지정하는 단계;
    iv)상기 조명기를 사용하여 상기 제2 영역으로 광을 전사시켜 제2 에이리얼 이미지를 측정하는 단계;
    v)상기 제1 에이리얼 이미지와 제2 에이리얼 이미지를 비교하여, 상기 제2 에이리얼 이미지에서 상기 제1 에이리얼 이미지와 가장 유사한 부분과 상기 조명기가 오버랩되도록 상기 스테이지를 이동하는 단계; 및
    vi)상기 이동한 위치에서 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 영역을 검사하는 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 노광용 마스크 검사 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 영역은 검사를 수행하기 위한 지점의 좌표를 중심으로 하여 0.1 내지 4㎛의 반경으로 지정하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 노광용 마스크 검사 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 에이리얼 이미지는 상기 웨이퍼 노광용 마스크 에 대한 정보 및 노광 조건들을 이용하여 계산되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 노광용 마스크 검사 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2 에이리얼 이미지는 상기 제2 영역를 통해 전사된 광의 인텐시티를 측정함으로서 수득되는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크 검사 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 영역을 검사하는 단계는,
    상기 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 영역 내에 포함되는 패턴의 선폭을 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크 검사 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 영역을 변경시키면서 상기 i) 내지 vi) 단계를 반복 수행하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크 검사 방법.
  7. i)웨이퍼 노광용 마스크에서 규칙적인 패턴이 형성되는 제1 영역과 비규칙적으로 패턴이 형성되는 제2 영역을 각각 구분하는 단계;
    ii)상기 제1 영역 내에 위치한 제1 부위로 광을 전사시켜 제1 에이리얼 이미지를 측정하는 단계;
    iii)상기 제1 에이리얼 이미지를 이용하여 웨이퍼 노광용 마스크의 제1 부위 를 검사하는 단계;
    iv)웨이퍼 노광용 마스크의 제2 영역의 제2 부위에서 시뮬레이션된 제2 에이리얼 이미지를 저장하는 단계;
    v)상기 웨이퍼 노광용 마스크의 제2 부위가 조명기와 오버랩되도록 상기 웨이퍼 노광용 마스크를 이동시키는 단계;
    vi)상기 웨이퍼 노광용 마스크의 최대 이동 오차만큼 상기 제2 부위를 확장시켜 제3 부위를 지정하는 단계;
    vii)상기 조명기를 사용하여 상기 제3 부위에 광을 전사시켜 제3 에이리얼 이미지를 측정하는 단계;
    viii)상기 제2 에이리얼 이미지와 제3 에이리얼 이미지를 비교하여, 상기 제3 에이리얼 이미지에서 상기 제2 에이리얼 이미지와 가장 유사한 부분과 상기 조명기가 오버랩되도록 상기 스테이지를 이동하는 단계; 및
    iv)상기 이동한 위치에서 상기 웨이퍼 노광용 마스크의 제2 부위를 검사하는 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 노광용 마스크 검사 방법.
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JP2017058397A (ja) * 2015-09-14 2017-03-23 大日本印刷株式会社 フォトマスクの転写特性評価方法と転写特性評価システムおよびフォトマスクの製造方法

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