KR20060021500A - Rapid thermal processor for manufacturing semiconductor - Google Patents

Rapid thermal processor for manufacturing semiconductor Download PDF

Info

Publication number
KR20060021500A
KR20060021500A KR1020040070264A KR20040070264A KR20060021500A KR 20060021500 A KR20060021500 A KR 20060021500A KR 1020040070264 A KR1020040070264 A KR 1020040070264A KR 20040070264 A KR20040070264 A KR 20040070264A KR 20060021500 A KR20060021500 A KR 20060021500A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
door
wafer
tube
opening
heat treatment
Prior art date
Application number
KR1020040070264A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
정영권
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020040070264A priority Critical patent/KR20060021500A/en
Publication of KR20060021500A publication Critical patent/KR20060021500A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조를 위한 급속 열처리 장치에 관한 것으로서, 이를 위하여 본 발명은 외부를 커버하는 퍼니스(10)와, 내부로 반응 가스가 도입되면서 웨이퍼(W)를 가공하게 되는 튜브(20)와, 상기 튜브(20)의 내부로 고온의 열을 공급하는 열원(30)과, 상기 튜브(20)의 내부에서 웨이퍼(W)를 안치되게 하는 트레이(40)와, 로봇에 의해 웨이퍼(W)를 상기 튜브(20)로 로딩/언로딩시키기 위해 통과하는 개구(51)를 형성한 도어 컴프레션 플레이트(50)와, 상기 도어 컴프레션 플레이트(50)의 개구(51)를 개폐시키는 도어(60)로 이루어지는 반도체 제조를 위한 급속 열처리 장치에 있어서, 상기 도어(60)와 접하는 상기 도어 컴프레션 플레이트(50)의 외측면에서 개구(51)의 상부와 하부에 서로 마주보게 한 쌍의 감지수단(70)이 구비되도록 함으로써 공정 수행 중 도어 컴프레션 플레이트(50)의 개구(51)가 개방된 상태에서 웨이퍼(W) 또는 이물질이 걸려져 있게 되면 이를 감지수단(70)을 통해 즉각 감지하여 컨트롤러(80)에서 설비의 구동이 중지되도록 함으로써 웨이퍼(W) 브로큰이 방지되게 하는 동시에 도어(60)에 의해 튜브(20)의 내부를 항상 양호한 기밀성이 유지되도록 하여 공정의 안정화와 제품의 수율이 대폭적으로 향상될 수 있도록 하는데 특징이 있다.The present invention relates to a rapid heat treatment apparatus for manufacturing a semiconductor, for this purpose, the present invention is a furnace 10 to cover the outside, the tube 20 to process the wafer (W) while the reaction gas is introduced into the inside, A heat source 30 for supplying high temperature heat into the tube 20, a tray 40 for placing the wafer W inside the tube 20, and a wafer W by a robot. A door compression plate 50 having an opening 51 passing therethrough for loading / unloading into the tube 20 and a door 60 for opening and closing the opening 51 of the door compression plate 50. In the rapid heat treatment apparatus for manufacturing a semiconductor, a pair of sensing means 70 facing each other on the upper and lower portions of the opening 51 in the outer surface of the door compression plate 50 in contact with the door 60 is provided Compress the door during process If the wafer W or the foreign matter is caught in the opening 51 of the plate 50 is immediately detected by the sensing means 70 to stop the operation of the equipment in the controller 80 by the wafer ( W) It is characterized in that the cracks are prevented and at the same time the interior of the tube 20 is maintained by the door 60 at all times to maintain a good airtightness so that the stabilization of the process and the yield of the product can be greatly improved.

급속 열처리, 튜브, 도어 컴프레션 플레이트, 웨이퍼 브로큰Rapid Heat Treatment, Tubes, Door Compression Plates, Wafer Broken

Description

반도체 제조를 위한 급속 열처리 장치{Rapid Thermal Processor for manufacturing semiconductor} Rapid thermal processor for manufacturing semiconductor             

도 1은 종래의 램프 가열식 급속 열처리 장치를 개략적으로 나타낸 단면도,1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional lamp heating rapid heat treatment apparatus,

도 2는 본 발명에 따른 급속 열처리 장치를 개략적으로 나타낸 단면도.Figure 2 is a schematic cross-sectional view of a rapid heat treatment apparatus according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 퍼니스(furnace) 20 : 튜브10: furnace 20: tube

30 : 열원 40 : 트레이30: heat source 40: tray

41 : 리프트 핀 50 : 도어 컴프레션 플레이트41: lift pin 50: door compression plate

51 : 개구 52 : 배기홀51 opening 52 exhaust hole

60 : 도어 70 : 감지수단60: door 70: detection means

80 : 컨트롤러
80: controller

본 발명은 반도체 제조를 위한 급속 열처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상 세하게는 공정 수행 중 웨이퍼의 로딩/언로딩을 위해 개방시키게 되는 도어 컴프레센 플레이트의 개구에 웨이퍼 또는 각종 이물질이 걸려졌는지를 감지하여 이렇게 감지된 신호에 의해 설비 구동이 제어되게 함으로써 웨이퍼 손실을 저감하면서 제품 수율이 향상되도록 하는 동시에 안정된 공정 수행을 제공하게 되는 반도체 제조를 위한 급속 열처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a rapid heat treatment apparatus for semiconductor manufacturing, and more particularly, to detect whether a wafer or various foreign substances are caught in an opening of a door compressor plate which is opened for loading / unloading a wafer during a process. Therefore, the present invention relates to a rapid heat treatment apparatus for manufacturing a semiconductor, in which facility driving is controlled by the sensed signal, thereby improving product yield while reducing wafer loss and providing stable process performance.

일반적으로 반도체 소자를 제조하는데 있어 열처리 공정은 산화, 어닐링, 이온 활성화, 유리층 리플로우(Reflow), 실리사이드(Silicide) 형성, 화학적 기상 증착(CVD : Chemical Vapor Deposition)등 다양한 분야에서 사용된다. In general, in the manufacture of semiconductor devices, heat treatment processes are used in various fields such as oxidation, annealing, ion activation, glass layer reflow, silicide formation, and chemical vapor deposition (CVD).

전통적으로 열처리 공정은 로(Furnace)를 통한 배치 프로세스(Batch process)가 사용되었지만 최근에는 반도체 장치가 점점 고집적화됨에 따라 반도체 소자의 크기 감소로 제조공정의 전체 열이력(Thermal Budget)을 줄이기 위하여 RTP(Rapid Thermal Processor)를 이용하여 열처리를 하려는 경향이 두드러지고 있다.Traditionally, the heat treatment process has used a batch process through a furnace, but in recent years, as semiconductor devices have become increasingly integrated, the size of semiconductor devices has been reduced, so as to reduce the overall thermal budget of the manufacturing process. There is a tendency for heat treatment using Rapid Thermal Processor.

RTP(Rapid Thermal Process)는 가열방식에 따라 크게 두가지로 나뉘어 지는데 할로겐 램프 또는 아아크 램프를 열원으로 이용하는 램프 가열식 급속 열처리 장치와, 저항 가열식 히터를 이용하는 핫 웰(Hot Wall)형 열처리 장치가 있다.Rapid thermal process (RTP) is divided into two types according to the heating method. There are a lamp heating rapid heat treatment apparatus using a halogen lamp or an arc lamp as a heat source, and a hot wall heat treatment apparatus using a resistance heating heater.

도 1은 MATTSON사의 램프 가열식 급속 열처리 장치를 개략적으로 나타낸 단면도로서, 크게 퍼니스(10)와 튜브(20)와 열원(30)과 트레이(40)와 도어 컴프레션 플레이트(50)와 도어(60)로서 이루어지는 구성이다.1 is a schematic cross-sectional view of a lamp heating rapid heat treatment apparatus manufactured by MATTSON, which is largely as a furnace 10, a tube 20, a heat source 30, a tray 40, a door compression plate 50, and a door 60. It is a configuration made.

즉 퍼니스(10)는 외부를 커버하는 구성으로, 특히 상부면과 하부면은 반사경 (11)으로서 이루어지도록 하고 있으며, 이러한 퍼니스(10)의 내부에는 석영 재질인 튜브(20)가 구비되도록 한다.That is, the furnace 10 is configured to cover the outside, in particular the upper surface and the lower surface is to be made as a reflector 11, such that the tube 20 of quartz material is provided inside the furnace 10.

튜브(20)는 내부로 반응 가스를 주입하여 실질적인 웨이퍼 가공이 이루어지도록 하는 공간이며, 이러한 튜브(20)의 내부로 열을 공급하기 위한 열 발생수단으로서 튜브(20)의 상부와 하부로 램프 등의 열원(30)이 구비되도록 하고 있다.The tube 20 is a space for injecting a reaction gas into the inside of the wafer 20 so as to substantially process the wafer. The tube 20 is a heat generating means for supplying heat to the inside of the tube 20. Heat source 30 is provided.

그리고 튜브(20)의 내부로 웨이퍼를 로딩 및 언로딩하도록 하는 트레이(40)를 구비하고, 도어 컴프레션 플레이트(50)와 도어(60)는 급속 열처리 장치의 튜브(20) 내부를 개폐시키도록 하는 단속수단이다.And a tray 40 for loading and unloading the wafer into the tube 20, and the door compression plate 50 and the door 60 open and close the inside of the tube 20 of the rapid heat treatment apparatus. It is a means of enforcement.

이러한 구성의 급속 열처리 장치는 가공하고자 하는 웨이퍼(W)를 개방된 도어 컴프레션 플레이트(50)의 개구(51)를 통해 삽입하여 튜브(20)의 내부에 이미 구비되어 있는 트레이(40)에 안치되도록 한다.The rapid heat treatment apparatus having such a configuration inserts the wafer W to be processed through the opening 51 of the open door compression plate 50 so as to be placed in the tray 40 already provided inside the tube 20. do.

웨이퍼(W)가 트레이(40)에 안치되면 도어 컴프레션 플레이트(50)의 개구(51)가 도어(60)에 의해 닫혀지게 되고, 튜브(20)의 내부로 반응 가스가 주입되는 동시에 튜브(20)의 상부와 하부에서 열원(30)에 의해 튜브(20) 내부가 급속 가열되면서 공정이 수행된다.When the wafer W is placed in the tray 40, the opening 51 of the door compression plate 50 is closed by the door 60, and the reaction gas is injected into the tube 20. The process is performed while the inside of the tube 20 is rapidly heated by the heat source 30 at the top and bottom of the).

그러나 튜브(20)의 내부에서 트레이(40)에 의해 웨이퍼(W)가 안치되게 할 때 트레이(40)에서는 통상 복수의 리프트 핀(41)에 의해 웨이퍼(W)를 지지해주도록 하고 있는 바 공정 수행 중 고온의 열에 의해서 이들 리프트 핀(41)들이 지속적으로 스트레스를 받게 되면 휘어지게 되는 등의 변형 또는 브로큰을 유발시키게 된다.However, when the wafer W is settled by the tray 40 inside the tube 20, the tray 40 generally supports the wafer W by the plurality of lift pins 41. When the lift pins 41 are continuously stressed by high temperature heat during the performance, they cause deformation or cracking such as bending.

따라서 공정 수행이 완료된 직후 로봇에 의해 웨이퍼(W)를 언로딩시키고자 할 때 도어 컴프레션 플레이트(50)의 개구(51)측 퍼니스(10)의 내주면에 웨이퍼(W)가 걸리면서 충돌을 일으키게 되어 웨이퍼 브로큰 및 공정 불량을 초래하게 되는 심각한 문제점이 있다.
Therefore, when the wafer W is to be unloaded by the robot immediately after the process is completed, the wafer W is caught on the inner circumferential surface of the furnace 10 on the opening 51 side of the door compression plate 50, thereby causing a collision. There is a serious problem that leads to broken and poor process.

따라서 본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점들을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 본 발명의 목적은 도어에 의해 개폐되는 개구를 형성한 도어 컴프레션 플레이트의 도어가 있다.
Accordingly, the present invention has been invented to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is a door of a door compression plate having an opening opened and closed by a door.

이와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 외부를 커버하는 퍼니스와, 내부로 반응 가스가 도입되면서 웨이퍼를 가공하게 되는 튜브와, 상기 튜브의 내부로 고온의 열을 공급하는 열원과, 상기 튜브의 내부에서 웨이퍼를 안치되게 하는 트레이와, 로봇에 의해 웨이퍼를 상기 튜브로 로딩/언로딩시키기 위해 통과하는 개구를 형성한 도어 컴프레션 플레이트와, 상기 도어 컴프레션 플레이트의 개구를 개폐시키는 도어로 이루어지는 반도체 제조를 위한 급속 열처리 장치에 있어서, 상기 도어와 접하는 상기 도어 컴프레션 플레이트의 외측면에서 개구의 상부와 하부에 서로 마주보게 한 쌍의 감지수단이 구비되도록 하는 것이다.In order to achieve the above object, the present invention provides a furnace for covering the outside, a tube for processing a wafer while the reaction gas is introduced into the inside, a heat source for supplying high temperature heat to the inside of the tube, and the inside of the tube. For a semiconductor manufacturing method comprising a tray for placing a wafer in a wafer, a door compression plate having an opening through which a wafer passes through the robot for loading / unloading the wafer, and a door for opening and closing the opening of the door compression plate. In the rapid heat treatment apparatus, a pair of sensing means facing each other is provided at the upper and lower portions of the opening on the outer surface of the door compression plate in contact with the door.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.                     

특히 본 발명에서 종전과 동일한 구성에는 동일 부호를 적용하기로 한다.In particular, the same reference numerals apply to the same configuration as before.

본 발명의 급속 열처리 장치는 도 2에서와 같이 크게 퍼니스(10)와 튜브(20)와 열원(30)과 트레이(40)와 도어 컴프레션 플레이트(50)와 도어(60)로서 이루어지는 구성은 종전과 대동소이하다.The rapid heat treatment apparatus of the present invention is composed of the furnace 10, the tube 20, the heat source 30, the tray 40, the door compression plate 50 and the door 60 as shown in FIG. It's quite the same.

즉 퍼니스(10)는 급속 열처리 장치의 외부를 커버하도록 구비되는 구성이며, 특히 상부와 하부는 반사경(11)으로서 이루어지도록 하고, 하부측 반사경(1)에는 웨이퍼의 온도를 측정하기 위한 파이로미터(12)가 장착되도록 한다.That is, the furnace 10 is configured to cover the outside of the rapid heat treatment apparatus, and in particular, the upper and lower portions are formed as reflectors 11, and the lower reflector 1 has a pyrometer for measuring the temperature of the wafer. (12) to be mounted.

튜브(20)는 퍼니스(10)의 내부에서 일측으로부터는 반응 가스가 도입되고, 다른 일측에서는 웨이퍼(W)가 로봇에 의해서 로딩/언로딩되게 소정의 크기로 개방되도록 하고 있다.In the tube 20, a reaction gas is introduced from one side of the furnace 10, and on the other side, the wafer W is opened to a predetermined size so that the wafer W is loaded / unloaded by a robot.

열원(30)은 튜브(20)의 내부로 고온의 열을 공급하기 위한 열 발생수단으로서, 이러한 열원(30)으로는 램프가 가장 바람직하다.The heat source 30 is heat generating means for supplying high temperature heat to the inside of the tube 20, and a lamp is most preferable as the heat source 30.

트레이(40)는 튜브(20)의 내부에서 로딩되는 웨이퍼(W)가 안전하게 안치되도록 하는 구성으로, 이러한 트레이(40)에는 통상 복수의 리프트 핀(41)이 소정의 높이로 구비된다. 즉 트레이(40)에서 이들 복수의 리프트 핀(41)들에 웨이퍼(W)가 안치된다.The tray 40 is configured to safely seat the wafer W loaded inside the tube 20. The tray 40 is typically provided with a plurality of lift pins 41 to a predetermined height. That is, the wafer W is placed in the plurality of lift pins 41 in the tray 40.

도어 컴프레션 플레이트(50)는 퍼니스(10)의 웨이퍼(W)가 로딩/언로딩하도록 개방시킨 부위에 결합되면서 웨이퍼 로딩/언로딩을 위한 개구(51)를 형성하고, 하부측으로는 퍼니스(10) 내부의 가스가 개구(51)를 통해 배출되지 않도록 하는 배기홀(52)을 형성하고 있다. The door compression plate 50 is coupled to a portion where the wafer W of the furnace 10 is opened for loading / unloading to form an opening 51 for wafer loading / unloading, and the furnace 10 at the lower side. An exhaust hole 52 is formed to prevent the gas inside from being discharged through the opening 51.                     

한편 도어(60)는 도어 컴프레션 플레이트(50)의 전방에서 개구(51)를 개폐시키도록 구비되는 구성이며, 이때의 도어(60)는 도시한 바와 같이 A→B 방향으로 닫혀지게 하고, 그와 반대 방향으로 개방되게 한다.On the other hand, the door 60 is configured to open and close the opening 51 in front of the door compression plate 50, the door 60 at this time to be closed in the direction A → B as shown, Allow it to open in the opposite direction.

상기와 같은 구성은 종전의 급속 열처리 장치와 대동소이하다.Such a configuration is similar to the conventional rapid heat treatment apparatus.

다만 본 발명은 도어 컴프레션 플레이트(50)의 외측면에서 개구(51)의 상부와 하부에 서로 마주보게 한 쌍의 감지수단(70)이 구비되도록 하는데 가장 두드러진 특징이 있다.However, the present invention has the most prominent feature of having a pair of sensing means 70 facing each other on the upper and lower portions of the opening 51 on the outer surface of the door compression plate 50.

이러한 한 쌍의 감지수단(70)은 발광 센서와 수광 센서로서 이루어지는 구성으로 구비되도록 하며, 개구(51)의 상부와 하부에서 개구(51)의 중간 부위에 위치되게 하는 것이 가장 바람직하다.The pair of sensing means 70 is provided to have a configuration consisting of a light emitting sensor and a light receiving sensor, it is most preferable to be located in the middle portion of the opening 51 in the upper and lower portions of the opening (51).

한 쌍의 감지수단(70)은 개구(51)의 외측단부에 웨이퍼(W) 또는 그 외에 로봇이나 다른 이물질들이 걸쳐지는지를 감지하게 되는 것이다.The pair of sensing means 70 is to detect whether the wafer (W) or other robots or other foreign material is applied to the outer end of the opening (51).

한편 감지수단(70)은 컨트롤러(80)와 연결되고, 컨트롤러(80)는 설비의 메인 컨트롤러(미도시)와 연결된다.On the other hand, the sensing means 70 is connected to the controller 80, the controller 80 is connected to the main controller (not shown) of the facility.

이때 컨트롤러(80)에서는 감지수단(70)을 통해 감지되는 신호를 체크하여 감지수단(70)을 통해 감지되는 신호에 따라 설비의 메인 컨트롤러(미도시)에 의해 설비의 구동 및 도어(60)의 개폐 구동을 단속하도록 한다.At this time, the controller 80 checks the signal detected by the sensing means 70 and drives the equipment by the main controller (not shown) of the equipment according to the signal detected by the sensing means 70. Interrupt the opening and closing drive.

이와 같이 구성된 본 발명에 의한 작용에 대해서 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the present invention configured as described above is as follows.

본 발명에서 웨이퍼 가공은 로봇에 의해 튜브(20)의 내부로 웨이퍼(W)를 로딩시켜 튜브(20) 내부의 트레이(40)에 구비되는 복수의 리프트 핀(41)들 상부에 웨 이퍼가 안치되도록 한 다음 로봇이 튜브(20)로부터 벗어나게 하여 도어(60)에 의해서 도어 컴프레션 플레이트(50)의 개구(51)가 폐쇄되도록 한다.In the present invention, wafer processing loads the wafer W into the inside of the tube 20 by a robot so that the wafer is placed on the plurality of lift pins 41 provided on the tray 40 inside the tube 20. The robot is then disengaged from the tube 20 so that the opening 51 of the door compression plate 50 is closed by the door 60.

이와 같은 상태에서 튜브(20)의 내부로 반응 가스를 주입함과 동시에 튜브(20) 외측으로부터 열원(30)을 통해 고온의 열을 튜브(20)의 내부에 공급한다.In this state, the reaction gas is injected into the inside of the tube 20, and at the same time, high temperature heat is supplied to the inside of the tube 20 from the outside of the tube 20 through the heat source 30.

공정 수행이 완료되면 튜브(20) 내부의 잔류 가스는 도어 컴프레션 플레이트(50)의 하부로 형성시킨 배기홀(52)을 통해서 배출된다.When the process is completed, the remaining gas in the tube 20 is discharged through the exhaust hole 52 formed in the lower portion of the door compression plate 50.

공정 수행을 위해 또는 공정 수행이 완료된 직후 웨이퍼(W)를 로봇에 의해 로딩/언로딩을 하기 위해서 반드시 도어(60) 구동에 의해서 도어 컴프레션 플레이트(50)의 개구(51)를 개폐시키게 된다.The opening 51 of the door compression plate 50 is opened and closed by driving the door 60 to perform the process or immediately load / unload the wafer W by the robot immediately after the process is completed.

이때 도어(60)가 밀착되는 도어 컴프레션 플레이트(50)의 개구(51)측 외주면의 상부와 하부에는 감지수단(70)이 구비되므로 개구(51)가 개방된 상태에서 개구(51)의 바깥측 단부에 웨이퍼(W)나 다른 이물질들이 걸쳐져 있게 되는 경우 이를 감지수단(70)이 즉시 감지하여 이를 컨트롤러(80)에서 체크되게 한 후 컨트롤러(80)에서는 체크되는 신호에 따라 설비의 구동을 정지시키도록 하는 신호를 메인 컨트롤러에 전달하여 공정 수행이 일시 정지되도록 한다.At this time, the sensing means 70 is provided on the upper and lower portions of the outer circumferential surface of the opening 51 side of the door compression plate 50 to which the door 60 is in close contact. If the wafer (W) or other foreign matter is caught at the end, the sensing means 70 immediately detects it and checks it in the controller 80, and then the controller 80 stops driving the equipment according to the checked signal. A signal is sent to the main controller to pause the process.

만일 감지수단(70)에서 어떠한 것도 걸쳐져 있지 않으면 컨트롤러(80)에서는 아무런 신호도 메인 컨트롤러에 전달하지 않으므로 정상적인 공정 수행을 진행하게 된다.If nothing is detected in the sensing means 70, the controller 80 does not transmit any signal to the main controller, thereby performing normal process performance.

이와 같이 공정 수행을 위해 또는 공정 수행 직후 웨이퍼(W)를 튜브(20)의 트레이(40)로부터 로딩/언로딩시키게 될 때 도어 컴프레션 플레이트(50)의 개방된 개구(51)에 리프트 핀(41)의 변형 또는 브로큰에 의해서 웨이퍼(W)가 걸려져 웨이퍼 브로큰을 유발하거나 다른 이물질들이 끼면서 튜브(20)의 내부에 리크가 발생되게 하는 일련의 공정 불량을 예방할 수가 있게 된다.As such, the lift pins 41 in the open openings 51 of the door compression plate 50 when the wafer W is loaded / unloaded from the tray 40 of the tube 20 for or immediately after the process. The wafer (W) is caught by the deformation or the broken), which can prevent a series of process defects that cause the wafer to break or cause leakage of the inside of the tube 20 while other foreign substances are caught.

한편 상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다는 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. On the other hand, while many matters have been described in detail in the above description, they should be construed as illustrative of preferred embodiments rather than to limit the scope of the invention.

따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
Therefore, the scope of the present invention should not be defined by the described embodiments, but should be determined by the technical spirit described in the claims.

상술한 바와 같이 도어 컴프레션 플레이트(50)의 외측면 상부와 하부에 서로 마주보게 하여 한 쌍의 감지수단(70)이 구비되도록 하는 본 발명에 의하면 공정 수행 중 도어 컴프레션 플레이트(50)에서의 개구(51)가 개방된 상태일 때 개구(51)의 외측단부에 웨이퍼(W) 또는 이물질이 걸려져 있게 되면 이를 감지수단(70)을 통해 즉각 감지하여 컨트롤러(80)에서 설비의 구동이 중지되도록 하여 웨이퍼(W) 브로큰이 방지되게 하는 동시에 도어(60)에 의해 튜브(20)의 내부를 항상 양호한 기밀성이 유지되도록 하여 공정의 안정화와 제품의 수율이 대폭적으로 향상될 수 있도록 하는 이점이 있다.According to the present invention in which the pair of sensing means 70 are provided to face each other on the top and bottom of the outer surface of the door compression plate 50 as described above, the opening in the door compression plate 50 during the process ( When the wafer (W) or foreign matter is caught in the outer end of the opening 51 when the 51 is open, it is immediately detected by the sensing means 70 so that the controller 80 stops driving the equipment. The wafer W is prevented from being broken and at the same time, the inside of the tube 20 is maintained by the door 60 so that the airtightness is always maintained, thereby stabilizing the process and greatly improving the yield of the product.

Claims (5)

외부를 커버하는 퍼니스와, 내부로 반응 가스가 도입되면서 웨이퍼를 가공하게 되는 튜브와, 상기 튜브의 내부로 고온의 열을 공급하는 열원과, 상기 튜브의 내부에서 웨이퍼를 안치되게 하는 트레이와, 로봇에 의해 웨이퍼를 상기 튜브로 로딩/언로딩시키기 위해 통과하는 개구를 형성한 도어 컴프레션 플레이트와, 상기 도어 컴프레션 플레이트의 개구를 개폐시키는 도어로 이루어지는 반도체 제조를 위한 급속 열처리 장치에 있어서, A furnace covering the outside, a tube for processing the wafer while the reaction gas is introduced therein, a heat source for supplying high temperature heat to the inside of the tube, a tray for placing the wafer inside the tube, and a robot; A rapid heat treatment apparatus for manufacturing a semiconductor comprising a door compression plate having an opening therethrough for loading / unloading a wafer into the tube by a door, and a door which opens and closes the opening of the door compression plate. 상기 도어와 접하는 상기 도어 컴프레션 플레이트의 외측면에서 개구의 상부와 하부에 서로 마주보게 한 쌍의 감지수단이 구비되도록 하는 반도체 제조를 위한 급속 열처리 장치.And a pair of sensing means facing each other at upper and lower portions of the opening on the outer surface of the door compression plate in contact with the door. 제 1 항에 있어서, 상기 트레이에는 복수의 리프트 핀이 구비되는 반도체 제조를 위한 급속 열처리 장치.The rapid heat treatment apparatus of claim 1, wherein the tray is provided with a plurality of lift pins. 제 1 항에 있어서, 상기 열원은 램프로 이루어지는 반도체 제조를 위한 급속 열처리 장치.The rapid heat treatment apparatus of claim 1, wherein the heat source comprises a lamp. 제 1 항에 있어서, 상기 감지수단은 발광 센서와 수광 센서로 이루어지는 반도체 제조를 위한 급속 열처리 장치.The rapid heat treatment apparatus of claim 1, wherein the sensing unit comprises a light emitting sensor and a light receiving sensor. 제 1 항에 있어서, 상기 감지수단은 감지된 신호를 체크하여 메인 컨트롤러에 설비 구동 신호를 전달하는 컨트롤러에 연결되도록 하는 반도체 제조를 위한 급속 열처리 장치.The rapid heat treatment apparatus of claim 1, wherein the sensing unit is connected to a controller that checks a sensed signal and transmits a facility driving signal to a main controller.
KR1020040070264A 2004-09-03 2004-09-03 Rapid thermal processor for manufacturing semiconductor KR20060021500A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040070264A KR20060021500A (en) 2004-09-03 2004-09-03 Rapid thermal processor for manufacturing semiconductor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040070264A KR20060021500A (en) 2004-09-03 2004-09-03 Rapid thermal processor for manufacturing semiconductor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060021500A true KR20060021500A (en) 2006-03-08

Family

ID=37128312

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040070264A KR20060021500A (en) 2004-09-03 2004-09-03 Rapid thermal processor for manufacturing semiconductor

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060021500A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102460938B1 (en) * 2021-05-10 2022-10-31 하나옵트로닉스 주식회사 Selective Oxidation Apparatus Capable of Forming a Current Injection Port with a Preset Diameter in the VCSEL

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102460938B1 (en) * 2021-05-10 2022-10-31 하나옵트로닉스 주식회사 Selective Oxidation Apparatus Capable of Forming a Current Injection Port with a Preset Diameter in the VCSEL

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI469237B (en) A mounting apparatus, a processing apparatus, and a temperature control method
KR100887445B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US9748122B2 (en) Thermal processing apparatus and method of controlling the same
US7313931B2 (en) Method and device for heat treatment
KR100228254B1 (en) Oxidation/diffusion processing apparatus
US20130062035A1 (en) Substrate cooling device, substrate cooling method and heat treatment apparatus
JP4896039B2 (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP4744112B2 (en) Heat treatment equipment
KR20060021500A (en) Rapid thermal processor for manufacturing semiconductor
JP2003133249A (en) Heat treatment equipment
JPH0729838A (en) Vertical furnace for semiconductor fabrication system
JP5403984B2 (en) Substrate heat treatment equipment
JPH07147257A (en) Heat treatment method and device therefor
JP4783029B2 (en) Heat treatment apparatus and substrate manufacturing method
KR20070041204A (en) Semiconductor manufacturing equipment
JP3671142B2 (en) Light irradiation type heat treatment equipment for substrates
JP2005235962A (en) Heating furnace
JPH10223722A (en) Semiconductor treatment apparatus
KR20070021570A (en) Rapid thermal processing equipment
JP2006245491A (en) Equipment and method for heat treating substrate
JP2006186189A (en) Gas processing and manufacturing apparatus and method therefor
KR200264226Y1 (en) Rapid thermal processing system for manufacturing semiconductor device
CN116936399A (en) Method for improving first wafer effect in high-temperature etching process
JPH04280419A (en) Heat treatment device
JP2004319695A (en) Substrate treatment equipment

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination