KR20070021570A - Rapid thermal processing equipment - Google Patents

Rapid thermal processing equipment Download PDF

Info

Publication number
KR20070021570A
KR20070021570A KR1020050075933A KR20050075933A KR20070021570A KR 20070021570 A KR20070021570 A KR 20070021570A KR 1020050075933 A KR1020050075933 A KR 1020050075933A KR 20050075933 A KR20050075933 A KR 20050075933A KR 20070021570 A KR20070021570 A KR 20070021570A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
heat treatment
furnace
temperature
door
Prior art date
Application number
KR1020050075933A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김성준
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050075933A priority Critical patent/KR20070021570A/en
Publication of KR20070021570A publication Critical patent/KR20070021570A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Abstract

급속 열처리 설비를 제공한다. 개시된 급속 열처리 설비는 일측에 개구부가 형성된 퍼니스와, 상기 퍼니스 내부에 배치되어 공정이 수행되는 공간을 형성하는 공정 튜브와, 상기 공정 튜브 내부를 가열하는 가열 램프와, 상기 공정 튜브 내부에 배치되어 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 트레이와, 상기 웨이퍼의 온도를 측정하는 광학 고온계와, 상기 퍼니스의 개구부를 개폐하는 도어와, 상기 광학 고온계를 통해 측정된 상기 웨이퍼의 온도를 실시간으로 출력하는 디스플레이창, 및 상기 광학 고온계를 통해 측정된 상기 웨이퍼의 온도를 분석하여 공정 에러의 발생 유무를 확인하는 제어부를 구비한다.Provide rapid heat treatment equipment. The disclosed rapid heat treatment equipment includes a furnace having an opening formed at one side thereof, a process tube disposed inside the furnace to form a space in which the process is performed, a heating lamp for heating the inside of the process tube, and a wafer disposed inside the process tube. A wafer tray for supporting the wafer, an optical pyrometer for measuring the temperature of the wafer, a door for opening and closing the opening of the furnace, a display window for outputting the temperature of the wafer measured through the optical pyrometer in real time, and the optical It is provided with a control unit for analyzing the temperature of the wafer measured by the pyrometer to confirm the occurrence of a process error.

열처리, 퍼니스(furnace), 도어, 온도 그래프, 디스플레이창 Heat treatment, furnace, door, temperature graph, display

Description

급속 열처리 설비{RAPID THERMAL PROCESSING EQUIPMENT}Rapid Heat Treatment Facility {RAPID THERMAL PROCESSING EQUIPMENT}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 급속 열처리 설비의 사시도이다.1 is a perspective view of a rapid heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ' 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 1.

도 3은 도 1의 디스플레이창을 통해 실제 출력되는 온도 그래프의 일 예를 나타낸 도면이다.3 is a diagram illustrating an example of a temperature graph actually output through the display window of FIG. 1.

**도면 중 주요 부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **

110 : 퍼니스(furance) 120 : 공정 튜브110: furnace 120: process tube

122 : 가스 유입구 130 : 웨이퍼 트레이122 gas inlet 130 wafer tray

132 : 지지핀 140 : 가열 램프132: support pin 140: heating lamp

150 : 광학 고온계 152 : 광 파이프150: optical pyrometer 152: light pipe

160 : 컴프레션 플레이트(compression plate)160: compression plate

170 : 도어 180 : 디스플레이창170: door 180: display window

192 : LED 램프 194 : 스피커192: LED lamp 194: speaker

200 : 제어부200: control unit

본 발명은 반도체 디바이스의 제조설비에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 디바이스의 제조를 위해 기판인 웨이퍼에 대하여 급속 열처리 공정을 수행하는 급속 열처리 설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a manufacturing facility for a semiconductor device, and more particularly to a rapid heat treatment facility for performing a rapid heat treatment process on a wafer as a substrate for manufacturing a semiconductor device.

일반적으로 반도체 디바이스의 제조를 위한 공정에는 여러 가지 열처리 공정이 포함된다. 최근 반도체 디바이스가 점점 고집적화됨에 따라 요구되는 소자의 크기가 작아지게 되어 제조 공정에서 받는 전체 열다발(thermal budget)을 줄이기 위해 매엽식 급속 열처리(RTP; Rapid Thermal Processing) 설비가 주로 이용되고 있다. Generally, a process for manufacturing a semiconductor device includes various heat treatment processes. In recent years, as semiconductor devices have been increasingly integrated, the size of the required devices has become smaller, so that a rapid thermal processing (RTP) facility is mainly used to reduce the overall thermal budget received in the manufacturing process.

이러한 급속 열처리 설비는 기존의 확산로에서 수행하던 다양한 공정을 대부분 수행할 수 있으며, 웨이퍼에 대한 가열과 냉각이 고속으로 이루어지므로 초고집적 회로(VLSI) 공정에 적합한 불순물 재 확산과 확산로 벽면으로부터 방출되는 오염 등을 방지할 수 있는 장점이 있다. This rapid heat treatment facility can perform most of the various processes performed in the existing diffusion furnace, and since the heating and cooling of the wafer is performed at a high speed, impurity re-diffusion and diffusion from the wall of the diffusion furnace suitable for the VLSI process are performed. There is an advantage that can prevent the contamination.

상기한 급속 열처리 설비를 통해 수행되는 급속 열처리 공정은 퍼니스(Furnace)의 고온을 이용하여 반도체 기판인 웨이퍼를 가열함으로써 반도체 소자의 결정성 회복 및 물성 안정화 등의 목적을 달성할 수 있는 RTA(Rapid Thermal Annealing)공정과, 반응가스의 종류에 따라 나이트라이드막, 산화막 및 실리사이드막 등을 고온 상태에서 열확산에 의해서 성장시키는 RTN(Rapid Thermal Nitridation), RTO(Rapid Thermal Oxidation) 및 RTS(Rapid Thermal Silicide) 등의 박막(薄膜) 형성공정을 포함한다. In the rapid heat treatment process performed through the rapid heat treatment facility, RTA (Rapid Thermal) capable of achieving the purpose of crystallinity recovery and physical property stabilization of a semiconductor device by heating a wafer, which is a semiconductor substrate, by using a high temperature of a furnace. Rapid Thermal Nitridation (RTN), Rapid Thermal Oxidation (RTO), Rapid Thermal Silicide (RTS), etc. to grow nitride film, oxide film and silicide film by thermal diffusion at high temperature Thin film forming process.

한편, 이와 같은 급속 열처리 설비에서 접하게 되는 주된 문제점은 급속 열 처리 공정을 통해 처리되는 웨이퍼에 대한 가열의 균일성이다. 즉, 요구되는 높은 레벨의 디바이스 성능, 수율, 및 처리 반복성 등을 위해서는 웨이퍼의 가열 온도에 대한 완전한 제어가 이루어져야 한다. On the other hand, the main problem encountered in such a rapid heat treatment facility is the uniformity of heating for the wafer processed through the rapid heat treatment process. In other words, complete control over the wafer's heating temperature must be made for the required high levels of device performance, yield, and process repeatability.

예를 들어, RTN 또는 RTO에 의한 CMOS 게이트 유전체 형성의 특정 응용에 있어서, 게이트 유전체의 두께, 성장 온도, 및 균일성은 전체 디바이스 성능 및 제조 수율에 영향을 주는 중요 파라미터이다. 일반적으로 CMOS 디바이스는 두께가 단지 60~80 옹스트롬(Å) 이며, 두께의 균일성이 ±2 옹스트롬(Å) 이내에서 유지되는 유전층으로 만들어지고 있다.For example, in certain applications of CMOS gate dielectric formation by RTN or RTO, the thickness, growth temperature, and uniformity of the gate dielectric are important parameters that affect overall device performance and fabrication yield. Typically, CMOS devices are made of a dielectric layer with a thickness of only 60 to 80 angstroms and a uniformity in thickness maintained within ± 2 angstroms.

또한, 높은 레벨의 온도 균일성은 고온 처리 동안 웨이퍼에 걸쳐 온도 변화가 섭씨 수 도(℃)를 초과하지 않을 것이 요구된다. 고온에서의 온도 불균일성은 응력차를 유발하여 웨이퍼의 결정 슬립 라인을 형성시킴으로써 상기 슬립 라인이 통과하는 임의의 디바이스를 손상시킬 수 있고, 또한, 합금 함량, 입경, 및 불순물 농도와 같은 불균일한 재료 특성을 초래함으로써 회로 소자의 성능을 저하시킬 수 있다.In addition, high levels of temperature uniformity require that the temperature change across the wafer during the high temperature process does not exceed degrees Celsius (° C.). Temperature non-uniformity at high temperatures can cause stress differences to form crystal slip lines of the wafer, thereby damaging any device through which the slip lines pass, and also non-uniform material properties such as alloy content, particle diameter, and impurity concentration. This can reduce the performance of the circuit element.

그런데 종래의 급속 열처리 설비의 경우 열처리 공정의 진행 중 실시간으로 상기한 바와 같은 웨이퍼의 온도 변화에 대한 데이터를 확인할 수 있는 수단이 구비되지 못하여 실제 공정이 요구되는 온도 범위 내에서 제대로 수행되고 있는지 여부를 확인할 수 없었고, 공정이 끝난 이후에야 비로소 저장된 관련 데이터를 불러들여 확인할 수 있었다. 따라서 실제 열처리 공정 진행 중 공정 에러가 발생하더라도 이에 대한 즉각적이 확인 및 그에 따른 대처가 불가능하여 잦은 공정 불량을 야 기하게 됨으로써 반도체 디바이스의 제조 수율에 악영향을 미치는 문제점이 있었다.However, in the case of the conventional rapid heat treatment equipment, a means for checking data on the temperature change of the wafer as described above in real time during the heat treatment process is not provided and it is determined whether the actual process is properly performed within the required temperature range. It was not possible to confirm and only after the end of the process was the stored relevant data imported. Therefore, even if a process error occurs during the actual heat treatment process, it is impossible to immediately check and cope with it, which causes frequent process defects, which adversely affects the manufacturing yield of the semiconductor device.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 단점을 극복하기 위해 안출된 것으로서, 퍼니스(furnace)의 도어에 열처리 공정의 진행에 따른 웨이퍼의 온도 변화를 실시간으로 출력하는 디스플레이창을 마련함으로써 작업자가 이를 통해 공정의 정상적인 진행 유무를 실시간으로 확인할 수 있도록 하여 공정 에러 발생시 신속한 대응이 가능하도록 한 급속 열처리 설비를 제공하는 것을 기술적 과제로 삼고 있다.The present invention has been made to overcome the disadvantages of the prior art as described above, by providing a display window for outputting the temperature change of the wafer in real time on the door of the furnace (furnace) process by the operator through this process It is a technical problem to provide a rapid heat treatment facility that enables a rapid response in the event of a process error by checking the normal progress of the system in real time.

상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 급속 열처리 설비는 일측에 개구부가 형성된 퍼니스와, 상기 퍼니스 내부에 배치되어 공정이 수행되는 공간을 형성하는 공정 튜브와, 상기 공정 튜브 내부를 가열하는 가열 램프와, 상기 공정 튜브 내부에 배치되어 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 트레이와, 상기 웨이퍼의 온도를 측정하는 광학 고온계와, 상기 퍼니스의 개구부를 개폐하는 도어와, 상기 광학 고온계를 통해 측정된 상기 웨이퍼의 온도를 실시간으로 출력하는 디스플레이창, 및 상기 광학 고온계를 통해 측정된 상기 웨이퍼의 온도를 분석하여 공정 에러의 발생 유무를 확인하는 제어부를 포함한다.Rapid heat treatment equipment according to the present invention for achieving the above technical problem is a furnace having an opening formed on one side, a process tube disposed in the furnace to form a space in which the process is performed, and the inside of the process tube A heat lamp, a wafer tray disposed inside the process tube to support the wafer, an optical pyrometer for measuring the temperature of the wafer, a door for opening and closing the opening of the furnace, and the wafer measured through the optical pyrometer A display window for outputting the temperature in real time, and a control unit for checking the occurrence of a process error by analyzing the temperature of the wafer measured by the optical pyrometer.

일 실시예에서 상기 디스플레이창은 상기 도어에 마련될 수 있다.In one embodiment, the display window may be provided in the door.

다른 실시예에서 상기 제어부를 통해 공정 에러 발생이 확인되는 경우 이를 알리는 경고부가 상기 도어에 추가로 마련될 수 있다. 이때, 상기 경고부는 LED 램 프 및 스피커 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.In another embodiment, a warning unit for notifying the occurrence of a process error through the control unit may be further provided in the door. In this case, the warning unit may include at least one of an LED lamp and a speaker.

이러한 본 발명의 실시예들에 따른 급속 열처리 설비는 퍼니스(furnace)의 도어에 열처리 공정의 진행에 따른 웨이퍼의 온도 변화를 실시간으로 출력하는 디스플레이창을 마련함으로써 작업자가 이를 통해 공정의 정상적인 진행 유무를 실시간으로 확인할 수 있도록 하여 공정 에러 발생시 신속한 대응이 가능하도록 한 것을 특징으로 한다.The rapid heat treatment apparatus according to the embodiments of the present invention provides a display window for real-time output of the temperature change of the wafer according to the progress of the heat treatment process on the furnace door (furnace) by the operator through this process whether or not the normal progress of the process It can be confirmed in real time to enable a quick response in the event of a process error.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 급속 열처리 설비에 대해 상세히 설명한다. 이때, 첨부된 도면들에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 위해 다소 과장되어진 것으로 이해되는 것이 바람직하며, 명세서 전반에 걸쳐 동일한 참조부호들은 동일한 구성요소를 나타낸다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a rapid heat treatment equipment according to an embodiment of the present invention. In this case, the shape of the elements in the accompanying drawings and the like are preferably understood to be somewhat exaggerated for clarity, the same reference numerals throughout the specification represent the same components.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 급속 열처리 설비의 사시도이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ' 단면도이며, 도 3은 도 1의 디스플레이창을 통해 실제 출력되는 온도 그래프의 일 예를 나타낸 도면이다.1 is a perspective view of a rapid heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 1, and FIG. 3 is an example of a temperature graph actually output through the display window of FIG. 1. The figure shown.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 급속 열처리 설비는 종래와 같이 퍼니스(110), 공정 튜브(120), 웨이퍼 트레이(130), 가열 램프(140), 및 도어(170)를 포함한다. 1 and 2, the rapid heat treatment apparatus according to the embodiments of the present invention is conventional furnace 110, process tube 120, wafer tray 130, heating lamp 140, and door ( 170).

상기 퍼니스(110)는 상기 급속 열처리 설비의 몸체에 해당하며, 일측에 공정 대상체인 웨이퍼(W)가 유출입되는 개방부가 형성되어 있다. 석영 재질의 상기 공정 튜브(120)는 상기 퍼니스(110) 내부에 배치되어 열처리 공정이 수행되는 공간을 형성하며, 상기 퍼니스(110)와 마찬가지로 일측이 개방되고, 타측에는 공정 가스가 유출입되는 가스 유입구(122)가 형성되어 있다. 상기 공정 튜브(120) 내부에는 상기 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 복수개의 지지핀(132)을 구비한 웨이퍼 트레이(130)가 배치된다.The furnace 110 corresponds to the body of the rapid heat treatment facility, and has an opening formed at one side thereof to allow the wafer W, which is a process object, to flow in and out. The process tube 120 of quartz material is disposed inside the furnace 110 to form a space where a heat treatment process is performed, and the gas inlet through which one side is opened and the process gas flows in and out on the other side as in the furnace 110. 122 is formed. The wafer tray 130 having a plurality of support pins 132 for supporting the wafer W is disposed in the process tube 120.

한편, 상기 공정 튜브(120)의 상부에는 상기 웨이퍼(W)에 대한 열처리를 행하기 위해 상기 공정 튜브(120) 내부를 가열하는 가열 램프(140)가 마련된다. 이러한 가열 램프(140)로는 일반적으로 텅스텐-할로겐 램프나 아크 램프가 사용될 수 있다.On the other hand, a heating lamp 140 for heating the inside of the process tube 120 is provided on the upper portion of the process tube 120 to heat treatment the wafer (W). In general, a tungsten-halogen lamp or an arc lamp may be used as the heating lamp 140.

한편, 상기 도어(170)는 별도의 구동 수단(미도시)을 통해 상하운동을 함으로써 상기 퍼니스(110)의 개구부를 개폐한다. 도 2는 상기 도어(170)가 상기 퍼니스(110)의 개구부 측에 설치된 컴프레션 플레이트(compression plate; 160)와 밀착하여 상기 퍼니스(110)의 내부 공간, 보다 구체적으로는 상기 공정 튜브(120)의 내부 공간을 폐쇄한 상태를 도시하고 있다.On the other hand, the door 170 opens and closes the opening of the furnace 110 by vertical movement through a separate drive means (not shown). 2 shows that the door 170 is in close contact with a compression plate 160 installed at the opening side of the furnace 110, and more specifically, the inner space of the furnace 110, more specifically, the process tube 120. The interior space is closed.

한편, 상기 공정 튜브(120)의 하부에는 상기 웨이퍼(W)의 온도를 측정하는 광학 고온계(150)가 배치된다. 상기 광학 고온계(150)는 상기 웨이퍼(W)의 국부 영역 각각의 온도를 검출하기 위해 상기 공정 튜브(120) 및 웨이퍼 트레이(130)를 관통하여 설치되는 복수개의 광 파이프(152)를 구비한다. 도 2에는 단지 6개의 광 파이프(152) 만이 도시되어 있으나, 그 개수는 증감가능하다. 상기 광 파이프(152)는 상기 웨이퍼(W)의 온도 특성을 나타내는 상기 웨이퍼(W)로부터 방출되는 특정 스펙트럼 함유량 및 세기를 가진 방사선을 검출하기 위한 것이며, 사파이어 광 파이프나 수정섬유 광 파이프 등이 사용될 수 있다.Meanwhile, an optical pyrometer 150 for measuring the temperature of the wafer W is disposed below the process tube 120. The optical pyrometer 150 includes a plurality of light pipes 152 installed through the process tube 120 and the wafer tray 130 to detect the temperature of each local region of the wafer W. Although only six light pipes 152 are shown in FIG. 2, the number is changeable. The light pipe 152 is for detecting radiation having a specific spectral content and intensity emitted from the wafer W, which exhibits temperature characteristics of the wafer W. A sapphire light pipe, a quartz fiber light pipe, or the like may be used. Can be.

한편, 상기 광학 고온계(150)를 통해 측정된 상기 웨이퍼(W)의 국부 영역의 온도는 실시간으로 제어부(200)로 전송된다. 상기 제어부(200)는 미리 설정된 각 열처리 공정, 예를 들어 RTA(Rapid Thermal Annealing)공정, RTN(Rapid Thermal Nitridation)공정, RTO(Rapid Thermal Oxidation)공정 및 RTS(Rapid Thermal Silicide)공정 각각에서 요청되는 표준 온도 범위와 상기 광학 고온계(150)로부터 전송된 상기 웨이퍼(W)의 국부 영역의 온도를 비교분석함으로써 공정 에러의 발생 유무를 확인한다.On the other hand, the temperature of the local region of the wafer W measured by the optical pyrometer 150 is transmitted to the control unit 200 in real time. The control unit 200 is requested in each of a predetermined heat treatment process, for example, a Rapid Thermal Annealing (RTA) process, a Rapid Thermal Nitridation (RTN) process, a Rapid Thermal Oxidation (RTO) process, and a Rapid Thermal Silicide (RTS) process. A comparison between the standard temperature range and the temperature of the local region of the wafer W transmitted from the optical pyrometer 150 is performed to confirm whether or not a process error occurs.

한편, 상기 도어(170)에는 상기 광학 고온계(150)를 통해 측정된 상기 웨이퍼(W)의 온도를 실시간으로 출력하는 디스플레이창(180)이 마련된다. 상기 디스플레이창(180)을 통해 실제 실시간으로 출력되는 상기 웨이퍼(W)의 온도 그래프의 일 예가 도 3에 도시되어 있다. 따라서 작업자는 상기 디스플레이창(180)을 통해 실시간으로 출력되는 상기 웨이퍼(W)의 온도 그래프를 확인함으로써 열처리 공정의 진행 상황을 쉽게 파악할 수 있다.On the other hand, the door 170 is provided with a display window 180 for outputting the temperature of the wafer (W) measured in real time through the optical pyrometer (150). An example of a temperature graph of the wafer W output in real time through the display window 180 is illustrated in FIG. 3. Therefore, the operator can easily grasp the progress of the heat treatment process by checking the temperature graph of the wafer (W) output in real time through the display window 180.

더 나아가 작업자의 편의를 위해 상기 제어부(200)를 통해 공정 에러 발생이 확인되는 경우, 이를 알리는 경고부(190)가 상기 도어(170)에 추가로 마련될 수 있다. 상기 경고부(190)는 작업자가 상기 디스플레이창(180)을 통해 실시간으로 출력되는 상기 웨이퍼(W)의 온도 그래프를 지속적으로 확인할 수 없는 경우 특히 유용한 수단으로 작용할 수 있다.In addition, when the occurrence of a process error is confirmed through the control unit 200 for the convenience of the operator, a warning unit 190 for notifying this may be additionally provided in the door 170. The warning unit 190 may act as a particularly useful means when the operator cannot continuously check the temperature graph of the wafer W output in real time through the display window 180.

이러한 상기 경고부(190)는 적색광을 점멸하는 LED 램프(192)나 경보음을 발생하는 스피커(194) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The warning unit 190 may include at least one of an LED lamp 192 that blinks red light or a speaker 194 that generates an alarm sound.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 따라서 본 발명의 권리 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라, 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As described above, in the detailed description of the present invention has been described with respect to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art to which the present invention pertains various modifications without departing from the scope of the present invention Of course it is possible. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined not only by the claims below, but also by the equivalents of the claims.

상기와 같은 구성을 갖는 본 발명에 의하면, 퍼니스(furnace)의 도어에 마련된 디스플레이창을 통해 열처리 공정의 진행에 따른 웨이퍼의 온도 변화를 실시간으로 파악함으로써 작업자가 보다 용이하게 공정의 정상적인 진행 유무를 실시간으로 확인할 수 있고, 부가적으로 공정 에러 발생시 이를 알리는 경고부를 통해 작업자가 상기 디스플레이창을 지속적으로 확인할 수 없는 경우에라도 공정 에러에 대한 신속한 대응이 가능한 이점이 있다.According to the present invention having the configuration as described above, by real-time to determine the temperature change of the wafer according to the progress of the heat treatment process through the display window provided in the door of the furnace (furnace) in real time to facilitate the normal operation of the process of the operator more easily In addition, even if the operator can not continuously check the display window through the warning unit that informs this when a process error occurs, there is an advantage that can be quickly responded to the process error.

Claims (4)

일측에 개구부가 형성된 퍼니스;Furnace formed with an opening on one side; 상기 퍼니스 내부에 배치되어 공정이 수행되는 공간을 형성하는 공정 튜브;A process tube disposed in the furnace to form a space in which the process is performed; 상기 공정 튜브 내부를 가열하는 가열 램프;A heating lamp for heating the inside of the process tube; 상기 공정 튜브 내부에 배치되어 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 트레이;A wafer tray disposed in the process tube to support a wafer; 상기 웨이퍼의 온도를 측정하는 광학 고온계;An optical pyrometer for measuring the temperature of the wafer; 상기 퍼니스의 개구부를 개폐하는 도어;A door for opening and closing the opening of the furnace; 상기 광학 고온계를 통해 측정된 상기 웨이퍼의 온도를 실시간으로 출력하는 디스플레이창; 및 A display window which outputs the temperature of the wafer measured through the optical pyrometer in real time; And 상기 광학 고온계를 통해 측정된 상기 웨이퍼의 온도를 분석하여 공정 에러의 발생 유무를 확인하는 제어부를 포함하는 급속 열처리 설비.And a controller for analyzing the temperature of the wafer measured by the optical pyrometer to determine whether a process error occurs. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 디스플레이창은 상기 도어에 마련되는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 설비.The display window is a rapid heat treatment facility, characterized in that provided in the door. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제어부를 통해 공정 에러 발생이 확인되는 경우 이를 알리는 경고부가 상기 도어에 추가로 마련되는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 설비.Rapid heat treatment facility, characterized in that the warning unit is further provided on the door when the occurrence of a process error is confirmed through the control unit. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 경고부는 LED 램프 및 스피커 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 설비.The warning unit comprises a rapid heat treatment facility, characterized in that at least one of the LED lamp and the speaker.
KR1020050075933A 2005-08-18 2005-08-18 Rapid thermal processing equipment KR20070021570A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050075933A KR20070021570A (en) 2005-08-18 2005-08-18 Rapid thermal processing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050075933A KR20070021570A (en) 2005-08-18 2005-08-18 Rapid thermal processing equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070021570A true KR20070021570A (en) 2007-02-23

Family

ID=43653569

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050075933A KR20070021570A (en) 2005-08-18 2005-08-18 Rapid thermal processing equipment

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070021570A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210049330A (en) * 2019-10-25 2021-05-06 무진전자 주식회사 Semiconductor process monitoring system
KR20210049329A (en) * 2019-10-25 2021-05-06 무진전자 주식회사 Semiconductor process state management apparatus using wafer surface temperature

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210049330A (en) * 2019-10-25 2021-05-06 무진전자 주식회사 Semiconductor process monitoring system
KR20210049329A (en) * 2019-10-25 2021-05-06 무진전자 주식회사 Semiconductor process state management apparatus using wafer surface temperature

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7313931B2 (en) Method and device for heat treatment
US7756599B2 (en) Substrate processing apparatus, program for performing operation and control method thereof, and computer readable storage medium storing the program
TW201140699A (en) Substrate processing device and substrate processing method thereof
US10340164B2 (en) Substrate processing apparatus, method of measuring temperature of substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium
JPH06310448A (en) Heat treatment device
WO2006049199A1 (en) Insulating film forming method and substrate processing method
JP2824003B2 (en) Substrate temperature measurement device
US7981780B2 (en) Method and apparatus for processing semiconductor wafer after impurity implantation
US8172950B2 (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device producing method
KR20070021570A (en) Rapid thermal processing equipment
JP2003257882A (en) Heat treatment system of semiconductor wafer and heat treating method
JP2000208524A (en) Method for measuring temperature of semiconductor wafer for temperature monitor
JP2004172409A (en) Method for cleaning reaction vessel and film formation device
JP2002164300A (en) Method of manufacturing semiconductor wafer
JPH05299428A (en) Method and apparatus for heat-treatment of semiconductor wafer
US7241672B2 (en) Method and apparatus for rapid cooldown of annealed wafer
JP2008218698A (en) Heat treatment apparatus
JP3770966B2 (en) Method for forming oxynitride film
KR101379149B1 (en) Temperature measuring device, heat treatment device for wafer and method of heat treatment of wafer
JP5145792B2 (en) Single wafer heat treatment apparatus and heat treatment method
KR100484901B1 (en) Cooldown chamber of a rapid thermal processing apparatus
TWI508180B (en) Wafer heat treatment method, silicon wafer manufacturing method, silicon wafer and heat treatment device
JP3671142B2 (en) Light irradiation type heat treatment equipment for substrates
JPH05198653A (en) Monitoring method for lamp annealing temperature
JP2006210768A (en) Heat treatment apparatus and manufacturing method of substrate

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination