KR20060018634A - Method for sanding probe tip of semiconductor device test apparatus - Google Patents

Method for sanding probe tip of semiconductor device test apparatus Download PDF

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    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor

Abstract

본 발명은 효과적으로 프로브 팁에 묻어 있는 이물질을 제거할 수 있는 반도체 소자 테스트 장치의 프로브 팁의 샌딩 방법에 관한 것으로, 웨이퍼를 프로브 팁을 사용하여 테스트하는 단계와; 샌딩용 웨이퍼를 제공하는 단계와; 상기 샌딩용 웨이퍼로 상기 프로브 팁을 샌딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 샌딩주기시 DLC 웨이퍼를 넣어 프로브 팁을 샌딩함으로써 프로브 팁에 묻어 있는 이물질을 효과적으로 제거할 수 있게 된다. 따라서, 프로브 팁에 묻어 있는 이물질에 의한 접촉저항 증가, 오픈 사고, 전기적 신호의 왜곡 등의 문제점이 해결되는 효과가 있다.The present invention relates to a method for sanding a probe tip of a semiconductor device test apparatus capable of effectively removing foreign matter from a probe tip, comprising: testing a wafer using a probe tip; Providing a wafer for sanding; And sanding the probe tip with the sanding wafer. According to the present invention, by inserting the DLC wafer during the sanding cycle and sanding the probe tip, it is possible to effectively remove foreign substances on the probe tip. Therefore, there is an effect that problems such as an increase in contact resistance, an open accident, distortion of an electrical signal, and the like caused by foreign substances on the probe tip are solved.

Description

반도체 소자 테스트 장치의 프로브 팁의 샌딩 방법{METHOD FOR SANDING PROBE TIP OF SEMICONDUCTOR DEVICE TEST APPARATUS}Sanding method of the probe tip of the semiconductor device test device {METHOD FOR SANDING PROBE TIP OF SEMICONDUCTOR DEVICE TEST APPARATUS}

도 1은 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치의 프로브 팁의 샌딩 방법을 구현할 수 있는 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an apparatus capable of implementing a sanding method of a probe tip of a semiconductor device test apparatus according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치의 프로브 팁의 샌딩 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.2 is a flowchart illustrating a sanding method of the probe tip of the semiconductor device test apparatus according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100; DLC 웨이퍼 200; 프로브 스테이션100; DLC wafer 200; Probe station

300; 테스트 헤드 400; 프로브 카드300; Test head 400; Probe card

450; 프로브 팁450; Probe tip

본 발명은 반도체 소자 테스트 장치의 프로브 팁의 샌딩 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 보다 효과적으로 프로브 팁을 샌딩할 수 있는 반도체 소자 테스트 장치의 프로브 팁의 샌딩 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a sanding method of the probe tip of the semiconductor device test apparatus, and more particularly, to a sanding method of the probe tip of the semiconductor device test apparatus capable of sanding the probe tip more effectively.

주지된 바와 같이, EDS(Electrical Die Sorting) 테스트는 패키지 테스트와 달리 아직 완벽한 반도체 소자의 형태를 갖추지 않은 웨이퍼 레벨에서 행해지는 반도체 소자의 테스트이다. 따라서, EDS 테스트에는 프로브 팁(Probe Tip)이 달린 프로브 카드(Probe Card)라는 매개체가 사용된다. EDS 테스트 중 프로브 팁에 묻은 이물질이나 콘택 저항을 작게하여 샌드 페이퍼(Sand Paper)를 이용하여 프로브 팁을 클리닝하는 것을 샌딩(Sanding)이라 한다. 이러한 샌딩을 하지 않을 경우 오픈 및 기능 손상(function fail)이 발생하여 더이상의 테스트를 진행할 수 없게 된다. 따라서, 일정 주기로 또는 일정 테스트 진행 후마다 프로브 팁을 샌딩하여야 한다.As is well known, the EDS (Electrical Die Sorting) test is a test of a semiconductor device that is performed at the wafer level which, unlike the package test, is not yet in the form of a complete semiconductor device. Therefore, the EDS test uses a medium called a probe card with a probe tip. Sanding is the process of cleaning the probe tip using sand paper to reduce the foreign matter or contact resistance on the probe tip during the EDS test. Failure to do this sanding will result in open and function failures that prevent further testing. Therefore, the probe tip should be sanded at regular intervals or after every test run.

이에 본 발명은 종래 기술상의 요구와 필요에 의하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 효과적으로 프로브 팁에 묻어 있는 이물질을 제거할 수 있는 반도체 소자 테스트 장치의 프로브 팁의 샌딩 방법을 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made in accordance with the requirements and needs of the prior art, an object of the present invention is to provide a sanding method of the probe tip of the semiconductor device test apparatus that can effectively remove the foreign matter on the probe tip.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치의 프로브 팁의 샌딩 방법은 샌딩 주기에 DLC 웨이퍼를 넣어 프로브 팁을 샌딩하는 것을 특징으로 한다.Sanding method of the probe tip of the semiconductor device test apparatus according to the present invention for achieving the above object is characterized in that the sanding of the probe tip by putting the DLC wafer in the sanding cycle.

상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치의 프로브 팁의 샌딩 방법은 웨이퍼를 프로브 팁을 사용하여 테스트하는 단계와; 샌딩용 웨이퍼를 제공하는 단계와; 상기 샌딩용 웨이퍼로 상기 프로브 팁을 샌딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Sanding method of the probe tip of the semiconductor device test apparatus according to an embodiment of the present invention that can implement the above features comprises the steps of testing the wafer using the probe tip; Providing a wafer for sanding; And sanding the probe tip with the sanding wafer.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 샌딩용 웨이퍼로 상기 프로브 팁을 샌 딩하는 단계는 상기 웨이퍼를 상기 프로브 팁을 사용하여 테스트하는 단계 사이에 진행된다.In one embodiment of the invention, the sanding of the probe tip with the sanding wafer proceeds between testing the wafer with the probe tip.

본 발명의 일 실시에에 있어서, 상기 샌딩용 웨이퍼를 상기 프로브 팁을 샌딩하는 단계는 상기 웨이퍼를 상기 프로브 팁을 사용하여 테스트하는 단계 이후에 진행된다.In one embodiment of the present invention, the sanding of the probe tip with the sanding wafer is performed after testing the wafer with the probe tip.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 샌딩용 웨이퍼는 디이.엘.씨이(Diamond Like Carbon)가 코팅된 DLC 웨이퍼이다.In one embodiment of the present invention, the sanding wafer is a DLC wafer coated with D.L.C (Diamond Like Carbon).

상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치의 프로브 팁의 샌딩 방법은, 프로브 팁이 구비된 프로브 카드를 고정시키는 테스트 헤드와, 상기 프로브 팁이 접촉되는 대상물이 놓여지는 프로브 스테이션을 포함하는 장치를 사용하여 상기 프로브 팁을 샌딩하는 방법에 있어서, 상기 프로브 스테이션에 테스트용 웨이퍼를 로딩하여 상기 프로브 팁을 사용하여 상기 테스트용 웨이퍼를 검사하는 단계와; 상기 프로브 스테이션에 표면이 디이.엘.씨이(Diamond Like Carbon)가 코팅된 웨이퍼를 로딩하는 단계와; 상기 디이.엘.씨이(DLC) 웨이퍼에 상기 프로브 팁을 접촉시켜 상기 프로브 팁에 묻어 있는 이물질을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for sanding a probe tip of a semiconductor device test apparatus, wherein a test head for fixing a probe card having a probe tip and an object to which the probe tip contacts are placed. A method of sanding the probe tip using an apparatus comprising a probe station, comprising: loading a test wafer into the probe station to inspect the test wafer using the probe tip; Loading a wafer coated with a Diamond Like Carbon surface to the probe station; And contacting the probe tip with the DLC wafer to remove foreign substances from the probe tip.

본 발명에 의하면, 반도체 소자의 EDS 테스트시 프로브 팁에 묻어 있는 이물질을 효과적으로 제거할 수 있게 되어 이물질에 의한 접촉저항 증가, 오픈 사고, 전기적 신호의 왜곡 등의 문제점이 해결된다.According to the present invention, it is possible to effectively remove the foreign matter on the probe tip during the EDS test of the semiconductor device to solve the problems such as increased contact resistance, open accident, distortion of the electrical signal due to the foreign matter.

이하, 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치의 프로브 팁의 샌딩 방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a sanding method of the probe tip of the semiconductor device test apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

종래 기술과 비교한 본 발명의 이점은 첨부된 도면을 참조한 상세한 설명과 특허청구범위를 통하여 명백하게 될 것이다. 특히, 본 발명은 특허청구범위에서 잘 지적되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명은 첨부된 도면과 관련해서 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다. 도면에 있어서 동일한 참조부호는 다양한 도면을 통해서 동일한 구성요소를 나타낸다.Advantages of the present invention over prior art will become apparent from the detailed description and claims with reference to the accompanying drawings. In particular, the present invention is well pointed out and claimed in the claims. However, the present invention may be best understood by reference to the following detailed description in conjunction with the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements throughout the various drawings.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치의 프로브 팁의 샌딩 방법을 구현할 수 있는 장치의 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치의 프로브 팁의 샌딩 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.1 is a cross-sectional view of a device capable of implementing a sanding method of a probe tip of a semiconductor device test apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a flowchart illustrating a sanding method of the probe tip of a semiconductor device test apparatus according to the present invention.

도 1을 참조하면, 샌딩용 웨이퍼(100)가 프로브 스테이션(200) 상에 로딩되어 고정되어 있고, 샌딩용 웨이퍼(100) 상부면에는 복수개의 프로브 팁(450)이 접촉되어 샌딩이 진행된다.Referring to FIG. 1, a sanding wafer 100 is loaded and fixed on the probe station 200, and a plurality of probe tips 450 are in contact with the top surface of the sanding wafer 100 to perform sanding.

프로브 팁(450)은 전기적으로 연결되어 있는 프로브 카드(400)에 고정되어 있으며, 프로브 카드(400)는 테스트 프로그램의 전기적 신호를 인가하는 테스트 헤드(300)에 고정되어 있다.The probe tip 450 is fixed to a probe card 400 that is electrically connected, and the probe card 400 is fixed to a test head 300 that applies an electrical signal of a test program.

프로브 스테이션(200)은 샌딩용 웨이퍼(100)를 로딩 및 언로딩하는 역할을 수행하고, 테스트 헤드(300)는 프로브 팁(450)을 샌딩용 웨이퍼(100)에 접촉시키는 역할을 수행한다.The probe station 200 serves to load and unload the sanding wafer 100, and the test head 300 serves to contact the probe tip 450 with the sanding wafer 100.

이하에선 상기와 같이 구성된 장치를 이용한 반도체 소자 테스트 장치의 프로브 팁의 샌딩 방법을 설명한다. Hereinafter, a sanding method of the probe tip of the semiconductor device test apparatus using the apparatus configured as described above will be described.                     

도 1 및 도 2를 참조하면, 테스트할 칩들이 형성된 웨이퍼(미도시)를 프로브 스테이션(200)에 로딩하여 EDS 테스트를 실시한다(S100). 이때, 프로브 팁(450)은 테스트용 웨이퍼의 금속 패드와 직접적으로 접촉하여 전기적으로 연결됨으로써 칩들을 테스트한다. 프로브 스테이션(200)은 칩이 테스트 되도록 칩 크기만큼 칩을 이동시킨다. 1 and 2, an EDS test is performed by loading a wafer (not shown) on which the chips to be tested are formed on the probe station 200 (S100). At this time, the probe tip 450 is in direct contact with the metal pad of the test wafer to be electrically connected to test the chips. The probe station 200 moves the chip by the chip size so that the chip is tested.

이러한 EDS 테스트를 수회 반복하게 되면 프로브 팁(450)에 이물질이 묻어 있을 수 있게 된다. 프로브 팁(450)에 묻어 있는 이물질은 EDS 테스트에 방해 요인이 되므로 EDS 테스트 과정 사이 또는 수회의 EDS 테스트 이후에 다음과 같은 일련의 과정을 거쳐 제거한다.If the EDS test is repeated several times, foreign matter may be deposited on the probe tip 450. Foreign matter on the probe tip 450 is a disturbance to the EDS test, so it is removed through the following series of steps between the EDS test process or after several EDS tests.

먼저, 테스트용 웨이퍼로부터 프로브 팁을 떼어놓은 다음 프로브 스테이션(200)으로부터 테스트용 웨이퍼를 언로딩시킨다. 그런다음, 프로브 스테이션(200)에 샌딩용 웨이퍼 가령 표면이 DLC 로 코팅된 DLC 웨이퍼(100)를 로딩한다(S200).First, the probe tip is removed from the test wafer, and then the test wafer is unloaded from the probe station 200. Then, the sanding wafer, for example, the surface of the DLC coated DLC wafer 100 is loaded on the probe station 200 (S200).

DLC는 비결정질의 탄소계 막으로서 플라즈마 중의 탄소 이온이나 활성화된 탄화수소 분자를 전기적으로 가속하여 높은 운동에너지로 웨이퍼에 충돌시킴으로써 생성되는 박막 형태의 물질이다. 이러한 DLC는 경도, 내부식성, 내마모성의 물성이 다이아몬드와 흡사해 "Diamond Like Carbon" 이라는 명칭으로 불리운다.DLC is an amorphous carbon-based film, which is a thin film-like material produced by electrically accelerating carbon ions or activated hydrocarbon molecules in plasma and impinging on a wafer with high kinetic energy. DLC is called "Diamond Like Carbon" because its hardness, corrosion resistance and wear resistance are similar to diamonds.

프로브 팁(450)을 DLC 웨이퍼(100)에 접촉시키거나 문지르면서 이물질을 프로브 팁(450)으로부터 떨어지게 한다(S300). 이와 같은 샌딩으로써 프로브 팁(450)에 묻은 이물질로 인한 접촉저항 증가, 오픈 패일(open fail), 전기적 신호의 왜곡(distortion) 등과 같은 현상이 미연에 방지된다. The foreign substance is separated from the probe tip 450 by touching or rubbing the probe tip 450 to the DLC wafer 100 (S300). Such sanding prevents a phenomenon such as an increase in contact resistance, an open fail, and a distortion of an electrical signal due to a foreign matter on the probe tip 450.                     

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. And, it is possible to change or modify within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the written description, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments are for explaining the best state in carrying out the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the present invention. Various changes are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 샌딩주기시 DLC 웨이퍼를 넣어 프로브 팁을 샌딩함으로써 프로브 팁에 묻어 있는 이물질을 효과적으로 제거할 수 있게 된다. 따라서, 프로브 팁에 묻어 있는 이물질에 의한 접촉저항 증가, 오픈 사고, 전기적 신호의 왜곡 등의 문제점이 해결되는 효과가 있다.As described above in detail, by inserting the DLC wafer during the sanding cycle and sanding the probe tip, it is possible to effectively remove foreign substances on the probe tip. Therefore, there is an effect that problems such as an increase in contact resistance, an open accident, distortion of an electrical signal, and the like caused by foreign substances on the probe tip are solved.

Claims (5)

웨이퍼를 프로브 팁을 사용하여 테스트하는 단계와;Testing the wafer using a probe tip; 샌딩용 웨이퍼를 제공하는 단계와;Providing a wafer for sanding; 상기 샌딩용 웨이퍼로 상기 프로브 팁을 샌딩하는 단계;Sanding the probe tip with the sanding wafer; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 팁의 샌딩 방법.Sanding method of the probe tip comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 샌딩용 웨이퍼로 상기 프로브 팁을 샌딩하는 단계는,Sanding the probe tip with the sanding wafer, 상기 웨이퍼를 상기 프로브 팁을 사용하여 테스트하는 단계 사이에 진행되는 것을 특징으로 하는 프로브 팁의 샌딩 방법.Sanding method of the probe tip, characterized in that between the step of testing the wafer using the probe tip. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 샌딩용 웨이퍼를 상기 프로브 팁을 샌딩하는 단계는,Sanding the probe tip of the sanding wafer, 상기 웨이퍼를 상기 프로브 팁을 사용하여 테스트하는 단계 이후에 진행되는 것을 특징으로 하는 프로브 팁의 샌딩 방법.Sanding the probe tip after the step of testing the wafer using the probe tip. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 샌딩용 웨이퍼는 디이.엘.씨이(Diamond Like Carbon)가 코팅된 것을 특징으로 하는 프로브 팁의 샌딩 방법.The sanding wafer is a sanding method of the probe tip, characterized in that D.L.C (Diamond Like Carbon) is coated. 프로브 팁이 구비된 프로브 카드를 고정시키는 테스트 헤드와, 상기 프로브 팁이 접촉되는 대상물이 놓여지는 프로브 스테이션을 포함하는 장치를 사용하여 상기 프로브 팁을 샌딩하는 방법에 있어서,In the method for sanding the probe tip using a device comprising a test head for holding a probe card having a probe tip, and a probe station on which an object to which the probe tip contacts is placed. 상기 프로브 스테이션에 테스트용 웨이퍼를 로딩하여 상기 프로브 팁을 사용하여 상기 테스트용 웨이퍼를 검사하는 단계와;Loading the test wafer into the probe station to inspect the test wafer using the probe tip; 상기 프로브 스테이션에 표면이 디이.엘.씨이(Diamond Like Carbon)가 코팅된 웨이퍼를 로딩하는 단계와;Loading a wafer coated with a Diamond Like Carbon surface to the probe station; 상기 디이.엘.씨이(DLC) 웨이퍼에 상기 프로브 팁을 접촉시켜 상기 프로브 팁에 묻어 있는 이물질을 제거하는 단계;Contacting the probe tip with the DLC wafer to remove debris from the probe tip; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 팁의 샌딩 방법.Sanding method of the probe tip comprising a.
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