KR100519541B1 - Particle evaluation method of electrostatic chuck and method of evaluation of cleaning chemical transfer effect - Google Patents
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Abstract
본 발명은 공정 챔버 내의 정전기 척으로부터 웨이퍼로 전사되는 파티클을 후속 공정을 수행하는 데 미치는 영향의 한 요인으로 반영하지 않는다는 점을 감안하여 제안된 것으로, 이는 배어(bare) 웨이퍼나 패턴을 갖는 웨이퍼를 공정 챔버 내의 정전기 척에 반전시켜 로딩/언로딩한 후 이 웨이퍼 이면에 잔류하는 파티클의 유형이나 성분을 분석하여 세정공정과 같은 후속공정에서의 영향성을 파악할 수 있는 것이다.The present invention has been proposed in consideration of the fact that the particles transferred to the wafer from the electrostatic chuck in the process chamber are not reflected as a factor in the effect of performing the subsequent process, which is a bare wafer or a wafer having a pattern. After inverting and loading / unloading the electrostatic chuck in the process chamber, the type or composition of particles remaining on the back of the wafer can be analyzed to determine the influence of subsequent processes such as cleaning.
Description
본 발명은 반도체 장치 제조설비의 공정 챔버 내에서 웨이퍼를 고정하는 정전기 척에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 정전기 척의 파티클이 웨이퍼나 다른 웨이퍼에 전사되어 미치게 되는 영향을 파악할 수 있도록 정전기 척에 잔류하는 파티클의 유형과 성분을 평가할 수 있도록 하는 정전기 척의 파티클 평가방법(particle judgement method of electrostatic chuck)과 세정 케미컬 처리 전사영향 평가방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrostatic chuck that holds a wafer in a process chamber of a semiconductor device manufacturing facility. More particularly, the present invention relates to a particle remaining in an electrostatic chuck so that particles of the electrostatic chuck can be transferred to a wafer or another wafer. Particle evaluation method (electrostatic chuck) of the electrostatic chuck and cleaning chemical treatment transcriptional impact evaluation method that can evaluate the type and composition of the.
반도체 장치 제조공정에서 여러 가지 플라즈마공정은 막질을 확산하거나 에칭하는 데 사용되고 있다. 이러한 공정에서 웨이퍼를 척킹(chucking)하기 위해서 가장 보편적으로 사용되는 것으로는 정전기 척(electrostatic chuck)을 들 수 있다.In the semiconductor device manufacturing process, various plasma processes are used to diffuse or etch film quality. Electrostatic chucks are the most commonly used to chuck wafers in this process.
정전기 척은 전도성 전극과 그 위에 유전 웨이퍼 지원층(dielectric wafer support layer)로 이루어져 있는 데, 전극에 높은 DC 전원을 인가하면 양전하와 음전하가 전극과 웨이퍼에 각각 생성되면서 쿨롬의 힘이 전극과 웨이퍼 사이에 발생하여 웨이퍼가 정전기 척 위에 고정되게 된다.The electrostatic chuck consists of a conductive electrode and a dielectric wafer support layer thereon. When high DC power is applied to the electrode, the positive and negative charges are generated on the electrode and the wafer, respectively, and the coulomb force is applied between the electrode and the wafer. Is generated and the wafer is fixed on the electrostatic chuck.
공정이 끝나고 나서 전극에 공급되던 RF 파워 및 DC 전원을 제거하여 웨이퍼를 언로딩(unloading)한다.After the process is completed, the wafer is unloaded by removing the RF power and the DC power supplied to the electrode.
이러한 정전기 척의 적용으로 기존의 척을 사용할 때에 비해 챔버 내의 파티클 감소 및 에지 칩(edge chipping) 개선, 에지의 에칭 균일성의 개선으로 인한 수율향상의 효과를 거둘 수 있다.The application of the electrostatic chuck can improve the yield due to the reduction of particles in the chamber, the improvement of edge chipping (edge chipping), the improvement of the etching uniformity of the edge compared to the conventional chuck.
그러나, 웨이퍼를 언로딩시 정전기 척에 남아있는 전하(charge)에 의해 챔버 내 부유하던 파티클이 외부로 배출되지 않고 정전기 척에 흡착되거나, 정전기 척의 표면의 유전재질 상의 문제로 인하여 발생되는 파티클 등 여러 가지 파티클이 정전기 척에 존재하게 된다. However, due to the charge remaining in the electrostatic chuck when the wafer is unloaded, particles suspended in the chamber are adsorbed to the electrostatic chuck without being discharged to the outside, or particles generated due to problems in the dielectric material of the surface of the electrostatic chuck. Branch particles are present in the electrostatic chuck.
이러한 파티클로 인하여 이면에 리크(leak)가 유발되어 웨이퍼의 온도 조절에 문제가 생기게 되며, 또한 웨이퍼 이면(backside)을 오염시켜 후속 세정공정에서 다른 웨이퍼의 앞면으로 전사되어 공정불량 및 수율 저하의 원인이 된다.These particles cause leaks on the back surface, which causes problems in the temperature control of the wafer, and also contaminates the backside of the wafer, which is transferred to the front of other wafers in subsequent cleaning processes, causing process defects and yield reduction. Becomes
이러한 문제를 해결하기 위해서는 웨이퍼 이면의 상태를 충분히 알아야 하나, 실제로 어느 정도로 웨이퍼 이면에 파티클이 오염되는지, 파티클의 성분이 무엇인지, 이러한 파티클은 후속 세정공정에서 얼마나 제거되고 다른 웨이퍼 표면으로 얼마나 전사되는지에 대한 평가가 이루어지지 않는다.In order to solve this problem, it is necessary to fully understand the state of the backside of the wafer, but to what extent the particles are contaminated on the backside of the wafer, what is the composition of the particles, how much of these particles are removed in the subsequent cleaning process and how much are transferred to the other wafer surface. Is not evaluated.
이를 위해서 기존에는 웨이퍼 앞면에 부착되어 있는 파티클의 개수나 성분 등을 분석하게 되나, 웨이퍼 이면에 부착되는 파티클의 개수와 성분을 분석하지 않아 웨이퍼 이면에 부착된 파티클에 의한 후속공정의 영향이 평가되지 못하는 결점이 있다.To this end, conventionally, the number and composition of particles attached to the front of the wafer are analyzed, but the number and composition of particles attached to the back of the wafer are not analyzed. There is a flaw that can't be done.
상기한 바와 같은 결점을 해결하기 위해서 제안된 본 발명의 목적은 정전기 척의 이면에 부착된 파티클의 유형 및 성분을 평가하는 한편, 정전기 척의 이면에 부착된 파티클이 후속 세정공정에서 제거되고 웨이퍼의 이면에서 다른 웨이퍼 표면으로 전사되는 과정을 평가할 수 있도록 하는 정전기 척의 파티클 평가방법과 세정 케미컬 처리 전사영향 평가방법을 제공함에 있다.The object of the present invention proposed to solve the above drawbacks is to evaluate the type and composition of particles attached to the backside of the electrostatic chuck, while the particles attached to the backside of the electrostatic chuck are removed in a subsequent cleaning process and at the backside of the wafer. An object of the present invention is to provide a method for evaluating particles of an electrostatic chuck and a method for evaluating the transfer chemical effects of cleaning chemicals, which can evaluate the process of transferring to another wafer surface.
즉, 본 발명은 공정 중에 챔버에서 발생되는 파티클을 규명하고 공정이나 설비를 개선하기 위한 기초자료로 활용 가능하며 파티클의 제거방법 및 후속 공정에서의 영향성을 파악할 수 있도록 하는 것이다. That is, the present invention can identify the particles generated in the chamber during the process and can be used as basic data for improving the process or equipment, and to grasp the particle removal method and the influence in the subsequent process.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 정전기 척의 파티클 평가방법은 패턴 웨이퍼 혹은 배어 웨이퍼 등의 피측정용 웨이퍼를 공정챔버 내의 정전기 척에 반전시켜 로딩/언로딩하는 제1단계와, 파티클 측정기기로 피측정용 웨이퍼 이면의 파티클을 체크하여 정전기 척의 패턴의 존재여부를 판정하는 제2단계와, 이 정전기 척의 패턴의 존재여부에 따라 인-라인 SEM을 이용한 에너지 분산 분석으로 피측정용 웨이퍼 이면에 잔류하는 파티클의 유형과 성분을 분석하는 제3단계와, 이 파티클의 유형과 성분이 정전기 척과 관련이 있는지를 확인하는 제4단계와, 이 정전기 척의 관련여부에 따라 정전기 척의 파티클의 유형과 성분을 분석하거나, 파티클 발생원을 추척하는 제5단계를 수행함을 특징으로 한다.Particle evaluation method of the electrostatic chuck of the present invention for achieving the above object is a first step of loading / unloading the wafer to be measured, such as pattern wafer or bare wafer to the electrostatic chuck in the process chamber, and the particle measuring device The second step of determining the presence of the pattern of the electrostatic chuck by checking the particles on the back surface of the measuring wafer, and the energy remaining on the back of the wafer to be measured by the energy dispersion analysis using in-line SEM according to the presence of the pattern of the electrostatic chuck. A third step of analyzing the type and composition of the particles; a fourth step of determining whether the type and composition of the particles are related to the electrostatic chuck; and analyzing the type and composition of the particles of the electrostatic chuck, To perform the fifth step of tracking particle sources. It shall be.
여기서, 이 제1단계는 피측정용 웨이퍼를 캐리어에 뒤집어 넣는 단계와, 이 피측정용 웨이퍼를 공정 챔버의 정전기 척에 로딩하는 단계와, 정전기 척에 DC 전원을 공급하는 단계와, 정전기 척에 공급되는 DC 전원을 차단하는 단계와, 공정 챔버의 정전기 척의 웨이퍼를 언로딩하는 단계로 이루어진다.Here, the first step includes placing the wafer under measurement in a carrier, loading the wafer under measurement into an electrostatic chuck in the process chamber, supplying DC power to the electrostatic chuck, and It cuts off the DC power supply, and unloads the wafer of the electrostatic chuck of a process chamber.
이 제3단계에서 인-라인 SEM은 정전기 척의 패턴이 있으면 영역 파티클을 포함하여 파티클의 유형과 성분을 분석하고, 정전기 척의 패턴이 없으면 통계적으로 파티클의 유형과 성분을 분석하는 것이 바람직하다.In this third step, the in-line SEM analyzes the type and composition of the particles including the area particles if there is a pattern of the electrostatic chuck, and statistically analyzes the type and composition of the particles if there is no pattern of the electrostatic chuck.
또한, 본 발명의 목적을 달성하기 위한 세정 케미컬 처리 전사영향 평가방법은 각 웨이퍼에서 50개의 이하의 파티클이 검출되기까지 측정하고자 하는 피측정용 웨이퍼를 세정하는 제1단계와, 정전기 척에 피측정용 웨이퍼를 반전시켜 로딩/언로딩한 후 파티클을 측정하는 제2단계와, 이 피측정용 웨이퍼를 다른 웨이퍼와 마주보게 케미컬 세정배스에 투입하는 제3단계와, 세정 완료후 각각의 웨이퍼에 잔류하는 파티클의 유형과 성분을 측정하는 제4단계와, 이 파티클의 유형과 성분에 의해 파티컬의 제거율과 전사정도를 평가하는 제5단계를 수행하도록 이루어짐을 특징으로 한다.In addition, the cleaning chemical treatment transfer effect evaluation method for achieving the object of the present invention is the first step of cleaning the wafer to be measured to be measured until 50 or fewer particles are detected on each wafer, and the electrostatic chuck to be measured Inverting the wafer for loading and unloading, the second step of measuring the particles, the third step of putting the wafer to be measured in the chemical cleaning bath facing the other wafer, and remaining on each wafer after cleaning is completed And a fourth step of measuring the type and composition of the particles, and a fifth step of evaluating the removal rate and the degree of transfer of the particles by the type and composition of the particles.
여기서, 이 제2단계는 피측정용 웨이퍼를 캐리어에 뒤집어 넣는 단계와, 이 피측정용 웨이퍼를 공정 챔버의 정전기 척에 로딩하는 단계와, 정전기 척에 DC 전원을 공급하는 단계와, 정전기 척에 공급되는 DC 전원을 차단하는 단계와, 공정 챔버의 정전기 척의 웨이퍼를 언로딩하는 단계와, 파티클 측정기기로 피측정용 웨이퍼 이면에 잔류하는 파티클의 유형과 성분을 분석하는 단계를 수행하도록 이루어진다.Here, the second step includes placing the wafer under measurement in a carrier, loading the wafer under measurement into an electrostatic chuck in the process chamber, supplying DC power to the electrostatic chuck, and Interrupting the supplied DC power supply, unloading the wafer of the electrostatic chuck of the process chamber, and analyzing the type and composition of particles remaining on the back surface of the wafer to be measured by the particle measuring device.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 예시도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a specific embodiment of the present invention will be described in more detail.
먼저, 구체적인 설명에 앞서 피측정용 웨이퍼로 사용되는 웨이퍼에 대하여 살펴보면, 액티브 ACI 패턴 웨이퍼(active after cleaning inspection patterned wafer)를 피측정용 웨이퍼로 사용하는 이유로는 패턴이 없을 경우 측정기기 및 SEM의 관찰이 어렵고, 특히 성분 분석설비에서 파티클을 찾을 수 없어서 성분분석이 안되기 때문이다.First of all, prior to the detailed description, the wafer used as the wafer to be measured is observed. The reason for using the active ACI pattern wafer (active after cleaning inspection patterned wafer) as the wafer to be measured is that the observation of the measuring device and the SEM when there is no pattern This is difficult, especially because the particles cannot be found in the component analysis equipment, so the component analysis is not possible.
유형 및 성분분석이 진행되지 않으면 파티클 발생원을 찾기 어렵게 되므로 이 패턴 웨이퍼는 라인에서 발생하는 리젝트 웨이퍼를 사용할 수 있으며, 테스트 웨이퍼로 사용할 수 있다.Particle source can be difficult to find if type and composition analysis is not performed, so this pattern wafer can use reject wafer generated in line and can be used as test wafer.
통상적으로, ESC에 반전 로딩시 5000개 이상 파티클이 발생하므로 전 측정기기의 체크가 필요없는 많다. 단, G-폴리 패턴과 같이 단차가 심한 경우에는 반전 로딩시에 패턴이 뭉그러지는 현상이 발생할 수 있으며, 표면의 막질이 어느 정도 견고해야 한다. Typically, more than 5000 particles are generated during inverting loading on the ESC, so there is no need to check all the measuring devices. However, in the case of a severe step such as a G-poly pattern, the pattern may clump during reverse loading, and the film quality of the surface should be firm to some extent.
또한, 제작하기 편한 패턴이면 더욱 좋은 데, 이러한 면을 모두 충족시키는 패턴 웨이퍼로는 액티브 ACI 패턴 웨이퍼를 들 수 있으며, 이 패턴 웨이퍼는 제작이 용이하며 표면에 질화막이 확산되어 있어 척킹 힘에 의해 패턴이 뭉그러지는 현상이 발생되지 않는다.In addition, it is better to use a pattern that is easy to manufacture, and a pattern wafer that satisfies all of these aspects is an active ACI pattern wafer, which is easy to fabricate, and a nitride film is diffused on the surface, and the pattern wafer is patterned by chucking force. This crushing phenomenon does not occur.
도1을 참조하면, 정전기 척의 잔류 전하효과에 의한 공정 챔버 내의 정전기 척의 표면에 흡착현상의 과정과 유형을 평가하기 위하여 피측정용 웨이퍼를 캐리어에 뒤집어 넣는다. 그리고 나서, 미도시된 로봇 아암을 작동시켜 캐리어에 장착된 피측정용 웨이퍼를 공정 챔버의 정전기 척에 로딩한다. Referring to Figure 1, the wafer to be measured is placed upside down on the carrier to evaluate the process and type of adsorption phenomenon on the surface of the electrostatic chuck in the process chamber due to the residual charge effect of the electrostatic chuck. The robot arm, not shown, is then operated to load the wafer to be measured mounted on the carrier into the electrostatic chuck of the process chamber.
이어서, 정전기 척에 DC전원을 공급하여 로딩된 피측정용 웨이퍼가 정전기 척에 장착되어 정전기 척의 이면에 잔류하던 파티클이 피측정용 웨이퍼의 이면에 묻도록 한 후 정전기 척에 공급되던 DC 전원을 차단하고 이 정전기 척에 장착되었던 웨이퍼를 언로딩한다(S11).Then, DC power is supplied to the electrostatic chuck so that the loaded wafer under measurement is mounted on the electrostatic chuck so that particles remaining on the back of the electrostatic chuck are buried on the back of the wafer under measurement, and then the DC power supplied to the electrostatic chuck is cut off. And unload the wafer mounted on the electrostatic chuck (S11).
측정기기를 이용하여 정전기 척에 로딩되었다 언로딩된 피측정용 웨이퍼에 잔류하는 파티클을 측정(S12)하여 정전기 척에 패턴이 있는가를 판단하게 된다(S13).Particles remaining on the unloaded wafer to be loaded and loaded on the electrostatic chuck using the measuring device are measured (S12) to determine whether there is a pattern on the electrostatic chuck (S13).
정전기 척의 패턴의 존재여부에 따라 인-라인 SEM을 이용한 에너지 분산 분석으로 피측정용 웨이퍼 이면에 잔류하는 파티클의 유형과 성분을 분석하되, 정전기 척의 패턴이 있으면 영역 파티클을 포함하여 파티클의 유형과 성분을 분석하고, 정전기 척의 패턴이 없으면 통계적으로 파티클의 유형과 성분을 분석하게 된다(S14)(S15)(S16).The type and composition of particles remaining on the back of the wafer to be measured are analyzed by energy dispersion analysis using an in-line SEM according to the presence or absence of the pattern of the electrostatic chuck. If there is no pattern of the electrostatic chuck to analyze the type and composition of the particles statistically (S14) (S15) (S16).
그리고, 이 파티클의 유형과 성분이 정전기 척과 관련이 있는지를 확인하여, 관련이 있는 경우에는 정전기 척의 파티클의 유형과 성분을 분석하여 평가(S18)하거나, 관련이 없는 경우에는 파티클 발생원을 추척하게 된다(S19).If the type and composition of the particles are related to the electrostatic chuck, the type and composition of the particles of the electrostatic chuck are analyzed and evaluated (S18), or if the particles are not related, the particle source is traced. (S19).
또한, 파티클을 전사상태의 평가는 도2에서와 같이, 먼저 측정하고자 하는 피측정용 웨이퍼를 50개 이하의 파티클이 검출되기까지 세정하게 된다(S21).In addition, evaluation of the transfer state of the particles is performed by first cleaning the wafer to be measured to be measured until 50 or fewer particles are detected as shown in FIG. 2 (S21).
세정이 완료된 후에는 그 중 하나의 웨이퍼를 정전기 척에 반전시켜 로딩/언로딩한 후 파티클을 측정한다(S22)(S23)(S24)(S25). After the cleaning is completed, one of the wafers is inverted in the electrostatic chuck to be loaded / unloaded and particles are measured (S22) (S23) (S24) (S25).
보다 상세하게는 피측정용 웨이퍼를 캐리어에 뒤집어 넣는다. 그리고 나서, 미도시된 로봇 아암을 작동시켜 캐리어에 장착된 피측정용 웨이퍼를 공정 챔버의 정전기 척에 로딩한다. 이어서, 정전기 척에 DC전원을 공급하여 로딩된 피측정용 웨이퍼가 정전기 척에 장착되어 정전기 척의 이면에 잔류하던 파티클이 피측정용 웨이퍼의 이면에 묻도록 한 후 정전기 척에 공급되던 DC 전원을 차단하고 이 정전기 척에 장착되었던 웨이퍼를 언로딩하고, 측정기기를 이용하여 정전기 척에 로딩되었다 언로딩된 피측정용 웨이퍼에 잔류하는 파티클을 측정하는 것이다.More specifically, the wafer to be measured is placed upside down in a carrier. The robot arm, not shown, is then operated to load the wafer to be measured mounted on the carrier into the electrostatic chuck of the process chamber. Then, DC power is supplied to the electrostatic chuck so that the loaded wafer under measurement is mounted on the electrostatic chuck so that particles remaining on the back of the electrostatic chuck are buried on the back of the wafer under measurement, and then the DC power supplied to the electrostatic chuck is cut off. Then, the wafer which was mounted on the electrostatic chuck is unloaded, and the particles remaining on the unloaded wafer to be measured which are loaded on the electrostatic chuck using the measuring device are measured.
그리고 나서, 피측정용 웨이퍼를 다른 웨이퍼와 마주보게 케미컬 세정배스에 투입하여 세정(S26)하고, 각각의 웨이퍼에 잔류하는 파티클의 유형과 성분을 측정하게 된다(S27).Then, the wafer to be measured is placed in a chemical cleaning bath to face the other wafer (S26), and the type and composition of particles remaining on each wafer are measured (S27).
이렇게 정전기 척에 로딩/언로딩되었던 피측정용 웨이퍼와 케미컬 배스 내에서 이 피측정용 배스와 맞주보게 장착되었던 웨이퍼에 잔류하는 파티클의 유형과 성분을 구하고, 이를 근거로 정전기 척에 로딩되었다 언로딩된 웨이퍼로부터 파티컬이 제거되는 제거율과, 이 파티클이 케미컬 배스 내에 있는 다른 웨이퍼로 전사되는 전사정도를 평가하게 된다(S28). The type and composition of particles remaining on the wafer to be loaded / unloaded in the electrostatic chuck and the wafer mounted to match the bath to be measured are calculated and loaded on the electrostatic chuck. The removal rate at which the particles are removed from the wafer is evaluated, and the degree of transfer of the particles to another wafer in the chemical bath is evaluated (S28).
따라서, 본 발명에 의하면 패턴 웨이퍼나 배어 웨이퍼를 반전시켜 공정 챔버 내의 정전기 척에 로딩/언로딩한 후 웨이퍼에 잔류하는 파티클의 유형과 성분을 분석함으로써, 정전기 척에 잔류하는 파티클의 유형이나 성분을 파악할 수 있는 것이다. Therefore, according to the present invention, by inverting the pattern wafer or bare wafer and loading / unloading the electrostatic chuck in the process chamber and analyzing the type and component of the particles remaining on the wafer, I can figure it out.
또한, 공정 챔버 내의 정전기 척에 잔류하는 파티클이 공정을 수행하는 중에 다른 웨이퍼로 전사되는 상태를 파악함으로써, 공정이나 설비를 개선의 기초자료로 사용할 수 있거나, 후속되는 공정에서 끼치는 영향을 감안하여 후속공정을 조절할 수 있는 것이다. In addition, by grasping the state of the particles remaining in the electrostatic chuck in the process chamber transferred to another wafer during the process, the process or equipment can be used as a basis for improvement, or in consideration of the effects of subsequent processes You can control the process.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.
도1은 본 발명에 따른 정전기 척의 파티클 평가방법을 수행하는 과정을 나타내는 흐름도이다.1 is a flowchart illustrating a process of performing a particle evaluation method of an electrostatic chuck according to the present invention.
도2는 본 발명에 따른 세정 케미컬 처리 전사영향 평가방법을 수행하는 과정을 나타내는 흐름도이다.2 is a flowchart illustrating a process of performing a cleaning chemical treatment transcriptional impact evaluation method according to the present invention.
Claims (10)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-1998-0042828A KR100519541B1 (en) | 1998-10-13 | 1998-10-13 | Particle evaluation method of electrostatic chuck and method of evaluation of cleaning chemical transfer effect |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-1998-0042828A KR100519541B1 (en) | 1998-10-13 | 1998-10-13 | Particle evaluation method of electrostatic chuck and method of evaluation of cleaning chemical transfer effect |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000025668A KR20000025668A (en) | 2000-05-06 |
| KR100519541B1 true KR100519541B1 (en) | 2005-11-25 |
Family
ID=19553926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-1998-0042828A KR100519541B1 (en) | 1998-10-13 | 1998-10-13 | Particle evaluation method of electrostatic chuck and method of evaluation of cleaning chemical transfer effect |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100519541B1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100445457B1 (en) | 2002-02-25 | 2004-08-21 | 삼성전자주식회사 | Apparatus and method for inspecting wafer backside |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07140084A (en) * | 1993-11-17 | 1995-06-02 | Sony Corp | Wafer surface inspection method and inspection equipment |
| JPH10163284A (en) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Shibaura Eng Works Co Ltd | Surface inspection method for semiconductor wafer and semiconductor device manufacturing device |
| JPH10256358A (en) * | 1997-03-06 | 1998-09-25 | Ngk Insulators Ltd | Wafer chucking apparatus and manufacture thereof |
-
1998
- 1998-10-13 KR KR10-1998-0042828A patent/KR100519541B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07140084A (en) * | 1993-11-17 | 1995-06-02 | Sony Corp | Wafer surface inspection method and inspection equipment |
| JPH10163284A (en) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Shibaura Eng Works Co Ltd | Surface inspection method for semiconductor wafer and semiconductor device manufacturing device |
| JPH10256358A (en) * | 1997-03-06 | 1998-09-25 | Ngk Insulators Ltd | Wafer chucking apparatus and manufacture thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000025668A (en) | 2000-05-06 |
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