KR20060018636A - Apparatus for sanding probe tips used for semiconductor devices test and mehtod for sanding probe tips using the same - Google Patents

Apparatus for sanding probe tips used for semiconductor devices test and mehtod for sanding probe tips using the same Download PDF

Info

Publication number
KR20060018636A
KR20060018636A KR1020040067114A KR20040067114A KR20060018636A KR 20060018636 A KR20060018636 A KR 20060018636A KR 1020040067114 A KR1020040067114 A KR 1020040067114A KR 20040067114 A KR20040067114 A KR 20040067114A KR 20060018636 A KR20060018636 A KR 20060018636A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sanding
probe tip
probe
wafer
test
Prior art date
Application number
KR1020040067114A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이관성
체르니약
김정선
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020040067114A priority Critical patent/KR20060018636A/en
Publication of KR20060018636A publication Critical patent/KR20060018636A/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

본 발명은 효과적으로 프로브 팁에 묻어 있는 이물질을 제거할 수 있는 반도체 소자 테스트에 이용되는 프로브 팁의 샌딩 장치 및 이를 이용한 샌딩 방법에 관한 것으로, 프로브 팁이 구비된 프로브 카드를 고정시키는 테스트 헤드와, 상기 프로브 팁이 접촉되는 대상물이 놓여지는 프로브 스테이션과, 상기 프로브 스테이션에 놓여지는 대상물을 향해 초음파를 발생시키는 초음파 발생기를 포함하는 프로브 팁의 샌딩 장치를 이용하여 샌딩용 DLC 웨이퍼와 초음파를 이용하여 프로브 팁을 샌딩하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 샌딩주기시 DLC 웨이퍼를 넣어 프로브 팁을 샌딩함으로써 프로브 팁에 묻어 있는 이물질을 효과적으로 제거할 수 있게 된다. 따라서, 프로브 팁에 묻어 있는 이물질에 의한 접촉저항 증가, 오픈 사고, 전기적 신호의 왜곡 등의 문제점이 해결되는 효과가 있다.The present invention relates to a sanding apparatus of a probe tip used in a semiconductor device test that can effectively remove foreign substances on the probe tip, and to a sanding method using the same, comprising: a test head for fixing a probe card having a probe tip; A probe tip using a sanding DLC wafer and an ultrasonic wave by using a sanding device of a probe tip including a probe station on which an object to which a probe tip contacts is placed, and an ultrasonic generator generating ultrasonic waves toward an object placed on the probe station. Sanding is characterized in that. According to the present invention, by inserting the DLC wafer during the sanding cycle and sanding the probe tip, it is possible to effectively remove foreign substances on the probe tip. Therefore, there is an effect that problems such as an increase in contact resistance, an open accident, distortion of an electrical signal, and the like caused by foreign substances on the probe tip are solved.

Description

반도체 소자 테스트에 이용되는 프로브 팁의 샌딩 장치 및 이를 이용한 샌딩 방법{APPARATUS FOR SANDING PROBE TIPS USED FOR SEMICONDUCTOR DEVICES TEST AND MEHTOD FOR SANDING PROBE TIPS USING THE SAME}Sanding device for probe tip used in semiconductor device testing and sanding method using the same {APPARATUS FOR SANDING PROBE TIPS USED FOR SEMICONDUCTOR DEVICES TEST AND MEHTOD FOR SANDING PROBE TIPS USING THE SAME}

도 1은 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트에 이용되는 프로브 팁의 샌딩 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a sanding apparatus of a probe tip used in the semiconductor device test according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트에 이용되는 프로브 팁의 샌딩 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.2 is a flowchart illustrating a sanding method of the probe tip used in the semiconductor device test according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100; DLC 웨이퍼 200; 프로브 스테이션100; DLC wafer 200; Probe station

300; 테스트 헤드 400; 프로브 카드300; Test head 400; Probe card

450; 프로브 팁 500; 초음파 발생기450; Probe tip 500; Ultrasonic generator

본 발명은 반도체 소자 테스트에 이용되는 프로브 팁의 샌딩 장치 및 이를 이용한 샌딩 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 보다 효과적으로 프로브 팁을 샌딩할 수 있는 프로브 팁의 샌딩 장치 및 이를 이용한 샌딩 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a sanding apparatus for a probe tip used in a semiconductor device test and a sanding method using the same, and more particularly, to a sanding apparatus for a probe tip capable of sanding the probe tip more effectively and a sanding method using the same.                         

주지된 바와 같이, EDS(Electrical Die Sorting) 테스트는 패키지 테스트와 달리 아직 완벽한 반도체 소자의 형태를 갖추지 않은 웨이퍼 레벨에서 행해지는 반도체 소자의 테스트이다. 따라서, EDS 테스트에는 프로브 팁(Probe Tip)이 달린 프로브 카드(Probe Card)라는 매개체가 사용된다. EDS 테스트 중 프로브 팁에 묻은 이물질이나 콘택 저항을 작게하여 샌드 페이퍼(Sand Paper)를 이용하여 프로브 팁을 클리닝하는 것을 샌딩(Sanding)이라 한다. 이러한 샌딩을 하지 않을 경우 오픈 및 기능 손상(function fail)이 발생하여 더이상의 테스트를 진행할 수 없게 된다. 따라서, 일정 주기로 또는 일정 테스트 진행 후마다 프로브 팁을 샌딩하여야 한다.As is well known, the EDS (Electrical Die Sorting) test is a test of a semiconductor device that is performed at the wafer level which, unlike the package test, is not yet in the form of a complete semiconductor device. Therefore, the EDS test uses a medium called a probe card with a probe tip. Sanding is the process of cleaning the probe tip using sand paper to reduce the foreign matter or contact resistance on the probe tip during the EDS test. Failure to do this sanding will result in open and function failures that prevent further testing. Therefore, the probe tip should be sanded at regular intervals or after every test run.

이에 본 발명은 종래 기술상의 요구와 필요에 의하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 효과적으로 프로브 팁에 묻어 있는 이물질을 제거할 수 있는 반도체 소자 테스트 장치의 프로브 팁의 샌딩 장치 및 이를 이용한 샌딩 방법을 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made in accordance with the requirements and needs of the prior art, an object of the present invention to provide a sanding device of the probe tip of the semiconductor device test apparatus that can effectively remove the foreign matter on the probe tip and a sanding method using the same. Is in.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트에 이용되는 프로브 팁의 샌딩 장치 및 샌딩 방법은 샌딩 주기에 샌딩용 웨이퍼를 넣고 초음파를 이용하여 프로브 팁을 샌딩하는 것을 특징으로 한다.Sanding apparatus and method of sanding the probe tip used in the semiconductor device test according to the present invention for achieving the above object is characterized in that the sanding wafer in the sanding cycle and sanding the probe tip using ultrasonic waves.

상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 테스트에 이용되는 프로브 팁의 샌딩 장치는, 프로브 팁이 구비된 프로브 카드를 고정시키는 테스트 헤드와; 상기 프로브 팁이 접촉되는 대상물이 놓여지는 프로브 스테이션과; 상기 프로브 스테이션에 놓여지는 대상물을 향해 초음파를 발생시키는 초음파 발생기를 포함하는 것을 특징으로 한다.Sanding apparatus of the probe tip used in the semiconductor device test according to an embodiment of the present invention that can implement the above features, a test head for fixing a probe card having a probe tip; A probe station on which an object to which the probe tip contacts is placed; And an ultrasonic generator for generating ultrasonic waves toward an object placed on the probe station.

본 발명의 실시예에 따른 프로브 팁의 샌딩 장치에 있어서, 상기 샌딩용 웨이퍼는 디이.엘.씨이(Diamond Like Carbon)가 코팅된 것을 특징으로 한다.In the sanding apparatus of the probe tip according to an embodiment of the present invention, the sanding wafer is characterized in that the D.L.C (Diamond Like Carbon) is coated.

본 발명의 실시예에 따른 프로브 팁의 샌딩 장치에 있어서, 상기 초음파 발생기는 상기 프로브 스테이션 측면에 적어도 1기 설치되는 것을 특징으로 한다.In the sanding apparatus of the probe tip according to an embodiment of the present invention, the ultrasonic generator is characterized in that at least one installed on the side of the probe station.

본 발명의 실시예에 따른 프로브 팁의 샌딩 장치에 있어서, 상기 초음파 발생기는 상기 프로브 스테이션 측면에 고정 설치되거나, 또는 상기 프로브 스테이션의 주위를 회전할 수 있도록 동작 가능하게 설치되는 것을 특징으로 한다.In the sanding device of the probe tip according to an embodiment of the present invention, the ultrasonic generator is fixed to the side of the probe station, or is operable to be installed so as to be able to rotate around the probe station.

상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 테스트에 이용되는 프로브 팁의 샌딩 방법은, 웨이퍼를 프로브 팁을 사용하여 테스트하는 단계와; 샌딩용 웨이퍼를 제공하는 단계와; 초음파를 발생시키는 단계와; 상기 샌딩용 웨이퍼와 상기 초음파를 이용하여 상기 프로브 팁을 샌딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Sanding method of the probe tip used in the semiconductor device test according to an embodiment of the present invention that can implement the above features comprises the steps of: testing the wafer using the probe tip; Providing a wafer for sanding; Generating an ultrasonic wave; And sanding the probe tip by using the sanding wafer and the ultrasonic wave.

본 발명의 실시예에 따른 프로브 팁의 샌딩 방법에 있어서, 상기 샌딩용 웨이퍼와 상기 초음파를 이용하여 상기 프로브 팁을 샌딩하는 단계는, 상기 웨이퍼를 상기 프로브 팁을 사용하여 테스트하는 단계 사이에 진행되는 것을 특징으로 한다.In the sanding method of the probe tip according to an embodiment of the present invention, the sanding of the probe tip using the sanding wafer and the ultrasonic wave is performed between the testing of the wafer using the probe tip. It is characterized by.

본 발명의 실시예에 따른 프로브 팁의 샌딩 방법에 있어서, 상기 샌딩용 웨이퍼와 상기 초음파를 이용하여 상기 프로브 팁을 샌딩하는 단계는, 상기 웨이퍼를 상기 프로브 팁을 사용하여 테스트하는 단계 이후에 진행되는 것을 특징으로 한다. In the sanding method of the probe tip according to the embodiment of the present invention, the sanding of the probe tip using the sanding wafer and the ultrasonic wave is performed after testing the wafer using the probe tip. It is characterized by.                     

본 발명의 실시예에 따른 프로브 팁의 샌딩 방법에 있어서, 상기 샌딩용 웨이퍼는 디이.엘.씨이(Diamond Like Carbon)가 코팅된 것을 특징으로 한다.In the sanding method of the probe tip according to an embodiment of the present invention, the sanding wafer is characterized in that the D.L.C (Diamond Like Carbon) is coated.

본 발명에 의하면, 반도체 소자의 EDS 테스트시 프로브 팁에 묻어 있는 이물질을 DLS 웨이퍼와 초음파를 이용하여 효과적으로 제거할 수 있게 되어 이물질에 의한 접촉저항 증가, 오픈 사고, 전기적 신호의 왜곡 등의 문제점이 해결된다.According to the present invention, it is possible to effectively remove the foreign matter on the probe tip by using the DLS wafer and ultrasonic waves during the EDS test of the semiconductor device to solve the problems such as increased contact resistance, open accidents, distortion of the electrical signal, etc. do.

이하, 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트에 이용되는 프로브 팁의 샌딩 장치 및 이를 이용한 샌딩 방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a sanding apparatus of a probe tip used in a semiconductor device test according to the present invention and a sanding method using the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

종래 기술과 비교한 본 발명의 이점은 첨부된 도면을 참조한 상세한 설명과 특허청구범위를 통하여 명백하게 될 것이다. 특히, 본 발명은 특허청구범위에서 잘 지적되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명은 첨부된 도면과 관련해서 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다. 도면에 있어서 동일한 참조부호는 다양한 도면을 통해서 동일한 구성요소를 나타낸다.Advantages of the present invention over prior art will become apparent from the detailed description and claims with reference to the accompanying drawings. In particular, the present invention is well pointed out and claimed in the claims. However, the present invention may be best understood by reference to the following detailed description in conjunction with the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements throughout the various drawings.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트에 이용되는 프로브 팁의 샌딩 장치의 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치의 프로브 팁의 샌딩 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.1 is a cross-sectional view of a sanding device of the probe tip used in the semiconductor device test according to the present invention, Figure 2 is a flow chart illustrating a sanding method of the probe tip of the semiconductor device test device according to the present invention.

도 1을 참조하면, 샌딩용 웨이퍼(100)가 프로브 스테이션(200) 상에 로딩되어 고정되어 있고, 샌딩용 웨이퍼(100) 상부면에는 복수개의 프로브 팁(450)이 접촉되어 샌딩이 진행된다.Referring to FIG. 1, a sanding wafer 100 is loaded and fixed on the probe station 200, and a plurality of probe tips 450 are in contact with the top surface of the sanding wafer 100 to perform sanding.

프로브 팁(450)은 전기적으로 연결되어 있는 프로브 카드(400)에 고정되어 있으며, 프로브 카드(400)는 테스트 프로그램의 전기적 신호를 인가하는 테스트 헤 드(300)에 고정되어 있다.The probe tip 450 is fixed to the probe card 400 which is electrically connected, and the probe card 400 is fixed to the test head 300 for applying an electrical signal of the test program.

프로브 스테이션(200)은 샌딩용 웨이퍼(100)를 로딩 및 언로딩하는 역할을 수행하고, 테스트 헤드(300)는 프로브 팁(450)을 샌딩용 웨이퍼(100)에 접촉시키는 역할을 수행한다.The probe station 200 serves to load and unload the sanding wafer 100, and the test head 300 serves to contact the probe tip 450 with the sanding wafer 100.

그리고, 초음파를 발생시킬 수 있는 초음파 발생기(500)가 프로브 스테이션(200)의 측면에 배치된다. 초음파는 인간의 가청주파수 범위(20Hz ~ 20kHz)보다 높은 주파수의 음파로서, 초음파 발생기(500)의 초음파가 전달하는 에너지를 이용하는 장치이다. 초음파 발생기(500)는 적어도 1기 설치된다. 초음파 발생기(500)는 프로브 발생기(500) 측면에 고정 설치되거나, 또는 프로브 스테이션(200)의 주위를 회전할 수 있도록 동작가능하게 설치될 수 있다.In addition, an ultrasonic generator 500 capable of generating ultrasonic waves is disposed on the side of the probe station 200. The ultrasonic wave is a sound wave of a frequency higher than the human audio frequency range (20 Hz to 20 kHz), and is an apparatus using energy transmitted by the ultrasonic wave of the ultrasonic generator 500. At least one ultrasonic generator 500 is installed. The ultrasonic generator 500 may be fixedly installed at the side of the probe generator 500 or may be operably installed to rotate around the probe station 200.

이하에선 상기와 같이 구성된 장치를 이용한 반도체 소자 테스트 장치의 프로브 팁의 샌딩 방법을 설명한다.Hereinafter, a sanding method of the probe tip of the semiconductor device test apparatus using the apparatus configured as described above will be described.

도 1 및 도 2를 참조하면, 테스트할 칩들이 형성된 웨이퍼(미도시)를 프로브 스테이션(200)에 로딩하여 EDS 테스트를 실시한다(S100). 이때, 프로브 팁(450)은 테스트용 웨이퍼의 금속 패드와 직접적으로 접촉하여 전기적으로 연결됨으로써 칩들을 테스트한다. 프로브 스테이션(200)은 칩이 테스트 되도록 칩 크기만큼 칩을 이동시킨다. 1 and 2, an EDS test is performed by loading a wafer (not shown) on which the chips to be tested are formed on the probe station 200 (S100). At this time, the probe tip 450 is in direct contact with the metal pad of the test wafer to be electrically connected to test the chips. The probe station 200 moves the chip by the chip size so that the chip is tested.

이러한 EDS 테스트를 수회 반복하게 되면 프로브 팁(450)에 이물질이 묻어 있을 수 있게 된다. 프로브 팁(450)에 묻어 있는 이물질은 EDS 테스트에 방해 요인이 되므로 EDS 테스트 과정 사이 또는 수회의 EDS 테스트 이후에 다음과 같은 일련 의 과정을 거쳐 제거한다.If the EDS test is repeated several times, foreign matter may be deposited on the probe tip 450. Foreign material on the probe tip 450 is a disturbance to the EDS test, so it is removed through the following series of steps between the EDS test process or after several EDS tests.

먼저, 테스트용 웨이퍼로부터 프로브 팁을 떼어놓은 다음 프로브 스테이션(200)으로부터 테스트용 웨이퍼를 언로딩시킨다. 그런다음, 프로브 스테이션(200)에 샌딩용 웨이퍼 가령 표면이 DLC 로 코팅된 DLC 웨이퍼(100)를 로딩한다(S200).First, the probe tip is removed from the test wafer, and then the test wafer is unloaded from the probe station 200. Then, the sanding wafer, for example, the surface of the DLC coated DLC wafer 100 is loaded on the probe station 200 (S200).

DLC는 비결정질의 탄소계 막으로서 플라즈마 중의 탄소 이온이나 활성화된 탄화수소 분자를 전기적으로 가속하여 높은 운동에너지로 웨이퍼에 충돌시킴으로써 생성되는 박막 형태의 물질이다. 이러한 DLC는 경도, 내부식성, 내마모성의 물성이 다이아몬드와 흡사해 "Diamond Like Carbon" 이라는 명칭으로 불리운다.DLC is an amorphous carbon-based film, which is a thin film-like material produced by electrically accelerating carbon ions or activated hydrocarbon molecules in plasma and impinging on a wafer with high kinetic energy. DLC is called "Diamond Like Carbon" because its hardness, corrosion resistance and wear resistance are similar to diamonds.

프로브 팁(450)을 DLC 웨이퍼(100)에 접촉시키거나 문지르면서 이물질을 프로브 팁(450)으로부터 떨어지게 하고, 이와 병행하여 초음파 발생기(500)를 동작시켜 초음파의 진동에너지에 의하여 이물질을 프로브 팁(450)으로부터 떨어지게 한다(S300). 이와 같은 초음파 샌딩으로써 프로브 팁(450)에 묻은 이물질로 인한 접촉저항 증가, 오픈 패일(open fail), 전기적 신호의 왜곡(distortion) 등과 같은 현상이 미연에 방지된다.While contacting or rubbing the probe tip 450 to the DLC wafer 100, foreign matters are separated from the probe tip 450, and in parallel thereto, the ultrasonic generator 500 is operated to detect the foreign matter by the vibration energy of ultrasonic waves. 450) (S300). Such ultrasonic sanding prevents a phenomenon such as an increase in contact resistance, an open fail, or an distortion of an electrical signal due to a foreign matter on the probe tip 450.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는 데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. And, it is possible to change or modify within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the written description, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments are intended to illustrate the best state in carrying out the present invention, the practice in other states known in the art for using other inventions such as the present invention, and the specific fields of application and uses of the invention. Various changes are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 샌딩주기시 DLC 웨이퍼를 넣고 초음파를 발생시켜 프로브 팁을 샌딩함으로써 프로브 팁에 묻어 있는 이물질을 효과적으로 제거할 수 있게 된다. 따라서, 프로브 팁에 묻어 있는 이물질에 의한 접촉저항 증가, 오픈 사고, 전기적 신호의 왜곡 등의 문제점이 해결되는 효과가 있다.As described in detail above, by inserting the DLC wafer during the sanding cycle and generating ultrasonic waves to sand the probe tip, it is possible to effectively remove foreign substances on the probe tip. Therefore, there is an effect that problems such as an increase in contact resistance, an open accident, distortion of an electrical signal, and the like caused by foreign substances on the probe tip are solved.

Claims (8)

웨이퍼를 프로브 팁을 사용하여 테스트하는 단계와;Testing the wafer using a probe tip; 샌딩용 웨이퍼를 제공하는 단계와;Providing a wafer for sanding; 초음파를 발생시키는 단계와;Generating an ultrasonic wave; 상기 샌딩용 웨이퍼와 상기 초음파를 이용하여 상기 프로브 팁을 샌딩하는 단계;Sanding the probe tip using the sanding wafer and the ultrasonic wave; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 팁의 샌딩 방법.Sanding method of the probe tip comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 샌딩용 웨이퍼와 상기 초음파를 이용하여 상기 프로브 팁을 샌딩하는 단계는,Sanding the probe tip using the sanding wafer and the ultrasonic wave, 상기 웨이퍼를 상기 프로브 팁을 사용하여 테스트하는 단계 사이에 진행되는 것을 특징으로 하는 프로브 팁의 샌딩 방법.Sanding method of the probe tip, characterized in that between the step of testing the wafer using the probe tip. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 샌딩용 웨이퍼와 상기 초음파를 이용하여 상기 프로브 팁을 샌딩하는 단계는,Sanding the probe tip using the sanding wafer and the ultrasonic wave, 상기 웨이퍼를 상기 프로브 팁을 사용하여 테스트하는 단계 이후에 진행되는 것을 특징으로 하는 프로브 팁의 샌딩 방법.Sanding the probe tip after the step of testing the wafer using the probe tip. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 샌딩용 웨이퍼는 디이.엘.씨이(Diamond Like Carbon)가 코팅된 것을 특징으로 하는 프로브 팁의 샌딩 방법.The sanding wafer is a sanding method of the probe tip, characterized in that D.L.C (Diamond Like Carbon) is coated. 프로브 팁이 구비된 프로브 카드를 고정시키는 테스트 헤드와;A test head for fixing a probe card having a probe tip; 상기 프로브 팁이 접촉되는 대상물이 놓여지는 프로브 스테이션과;A probe station on which an object to which the probe tip contacts is placed; 상기 프로브 스테이션에 놓여지는 대상물을 향해 초음파를 발생시키는 초음파 발생기;An ultrasonic generator for generating ultrasonic waves toward an object placed on the probe station; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 팁의 샌딩 장치.Sanding device of the probe tip comprising a. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 샌딩용 웨이퍼는 디이.엘.씨이(Diamond Like Carbon)가 코팅된 것을 특징으로 하는 프로브 팁의 샌딩 장치.The sanding wafer is a sanding device of the probe tip, characterized in that D.L.C (Diamond Like Carbon) is coated. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 초음파 발생기는 상기 프로브 스테이션 측면에 적어도 1기 설치되는 것을 특징으로 하는 프로브 팁의 샌딩 장치.Sanding device of the probe tip, characterized in that at least one ultrasonic generator is installed on the side of the probe station. 제5항 또는 제7항에 있어서,The method according to claim 5 or 7, 상기 초음파 발생기는 상기 프로브 스테이션 측면에 고정 설치되거나, 또는 상기 프로브 스테이션의 주위를 회전할 수 있도록 동작 가능하게 설치되는 것을 특징으로 하는 프로브 팁의 샌딩 장치.The ultrasonic generator is fixed to the side of the probe station, or the sanding device of the probe tip, characterized in that operatively installed to be able to rotate around the probe station.
KR1020040067114A 2004-08-25 2004-08-25 Apparatus for sanding probe tips used for semiconductor devices test and mehtod for sanding probe tips using the same KR20060018636A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040067114A KR20060018636A (en) 2004-08-25 2004-08-25 Apparatus for sanding probe tips used for semiconductor devices test and mehtod for sanding probe tips using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040067114A KR20060018636A (en) 2004-08-25 2004-08-25 Apparatus for sanding probe tips used for semiconductor devices test and mehtod for sanding probe tips using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060018636A true KR20060018636A (en) 2006-03-02

Family

ID=37126231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040067114A KR20060018636A (en) 2004-08-25 2004-08-25 Apparatus for sanding probe tips used for semiconductor devices test and mehtod for sanding probe tips using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060018636A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6777966B1 (en) Cleaning system, device and method
US6056627A (en) Probe cleaning tool, probe cleaning method and semiconductor wafer testing method
JP5627354B2 (en) Test probe cleaning material
JP3188935B2 (en) Inspection device
WO2005106511A1 (en) Cleaning system, device and method
TWI268569B (en) Apparatus and method for cleaning test probes
JP6397896B2 (en) Apparatus and method for acoustic monitoring and control of Si through electrode exposure process
US6488569B1 (en) Method and apparatus for detecting micro-scratches in semiconductor wafers during polishing process
US7254861B2 (en) Device for cleaning tip and side surfaces of a probe
US20050034743A1 (en) Apparatus and method for cleaning probe card contacts
KR101148917B1 (en) Manufacturing method and wafer unit for testing
US20210151317A1 (en) System and method for cleaning contact elements and support hardware using functionalized surface microfeatures
JP2023502068A (en) Systems and methods for cleaning contact elements and supporting hardware or wire bonders using functionalized surface microfeatures
JP2015072158A (en) Semiconductor test jig, transportation jig thereof, and foreign substance removing method using the same
KR20060018636A (en) Apparatus for sanding probe tips used for semiconductor devices test and mehtod for sanding probe tips using the same
JP2009206272A (en) Inspection method of semiconductor device and probing apparatus
US20010035196A1 (en) Method of and system for cleaning probes
KR20060018634A (en) Method for sanding probe tip of semiconductor device test apparatus
KR101398180B1 (en) The repairing method of test board for semiconductor device
JP2004140013A (en) Method for cleaning probe card
JP2023184380A (en) Cleaning method for probe tip portion, conical shape forming method, and device
JP6301243B2 (en) Semiconductor evaluation apparatus and semiconductor evaluation method
US20010002594A1 (en) Method and device for removing deposits from the ends of contacting needles of semiconductor test devices and use of a substrate for this purpose
KR20040038387A (en) Probe needle cleaning device
JP2004327852A (en) Probe device and its testing method

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination