KR20060016259A - Chip on glass typed organic electroluminescent cell - Google Patents

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KR20060016259A KR1020040064639A KR20040064639A KR20060016259A KR 20060016259 A KR20060016259 A KR 20060016259A KR 1020040064639 A KR1020040064639 A KR 1020040064639A KR 20040064639 A KR20040064639 A KR 20040064639A KR 20060016259 A KR20060016259 A KR 20060016259A
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Abstract

본 발명은 픽셀 불량 검출을 위한 더미 라인들을 패드들과 다른 위치에 형성하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀에 관한 것이다. 상기 유기 전계 발광 셀은 애노드에 상응하는 인듐주석산화물층들과 캐소드에 상응하는 금속전극층들이 교차하는 영역에 형성된 복수의 픽셀, 데이터 라인 패드들, 더미 데이터 라인들, 더미 데이터 라인 연결부, 스캔 라인 패드들, 더미 스캔 라인들 및 더미 스캔 라인 연결부를 포함한다. 상기 데이터 라인 패드들은 상기 인듐주석산화물층들의 일단에 각기 결합된다. 상기 더미 데이터 라인들은 상기 인듐주석산화물층들의 타단에 각기 결합되고, 상기 더미 데이터 라인 연결부는 상기 더미 데이터 라인들을 연결한다. 상기 스캔 라인 패드들은 상기 금속전극층들의 일단에 각기 결합된다. 상기 더미 스캔 라인들은 상기 금속전극층들의 타단에 각기 결합되며, 상기 스캔 라인 연결부는 상기 더미 스캔 라인들을 연결한다. 상기 씨오지형 유기 전계 발광 셀은 픽셀 불량 검출을 위한 더미 라인들을 패드들과 다른 위치에 형성하여 픽셀 불량을 검출하므로, 픽셀 불량 검출을 위한 핀들의 수를 줄일 수 있고 스크라이빙 칼날을 이용하여 더미 라인들과 연결부들을 절단할 수 있다. The present invention relates to a seedage-type organic electroluminescent cell that forms dummy lines for pixel defect detection at different positions from the pads. The organic electroluminescent cell includes a plurality of pixels, data line pads, dummy data lines, dummy data line connectors, and scan line pads formed at regions where indium tin oxide layers corresponding to anodes and metal electrode layers corresponding to cathodes cross each other. And dummy scan lines and dummy scan line connections. The data line pads are respectively coupled to one end of the indium tin oxide layers. The dummy data lines are respectively coupled to the other ends of the indium tin oxide layers, and the dummy data line connection unit connects the dummy data lines. The scan line pads are respectively coupled to one end of the metal electrode layers. The dummy scan lines are respectively coupled to the other ends of the metal electrode layers, and the scan line connection unit connects the dummy scan lines. The sea-gauge organic electroluminescent cell detects pixel defects by forming dummy lines for detecting pixel defects at different positions from the pads, thereby reducing the number of pins for pixel defect detection and using a scribing blade. Dummy lines and connections can be cut.

발광 셀, 더미, 패드, 픽셀Glow cell, dummy, pad, pixel

Description

씨오지형 유기 전계 발광 셀{CHIP ON GLASS TYPED ORGANIC ELECTROLUMINESCENT CELL}CIO type organic electroluminescent cell {CHIP ON GLASS TYPED ORGANIC ELECTROLUMINESCENT CELL}

도 1a는 종래의 발광 셀들을 가지는 기판을 도시한 평면도이다. 1A is a plan view showing a substrate having conventional light emitting cells.

도 1b는 도 1a의 A 부분을 확대하여 도시한 평면도이다.FIG. 1B is an enlarged plan view of portion A of FIG. 1A.

도 2a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀들을 포함하는 기판을 도시한 평면도이다.FIG. 2A is a plan view illustrating a substrate including seedage-type organic electroluminescent cells according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2b는 도 2a의 B부분을 확대하여 도시한 평면도이다.FIG. 2B is an enlarged plan view of a portion B of FIG. 2A.

도 2c는 도 2b의 셀부를 도시한 평면도이다.2C is a plan view illustrating the cell unit of FIG. 2B.

도 3은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀을 도시한 평면도이다.3 is a plan view illustrating a seed-edge organic electroluminescent cell according to another exemplary embodiment of the present invention.

본 발명은 씨오지형 유기 전계 발광 셀에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 픽셀 불량 검출을 위한 더미 라인들을 패드들과 다른 위치에 형성하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀에 관한 것이다. The present invention relates to a seedage type organic electroluminescent cell, and more particularly, to a seedage type organic electroluminescent cell in which dummy lines for pixel defect detection are formed at different positions from pads.

유기 전계 발광 셀은 소정 파장의 빛을 발생시키는 셀을 의미한다. 상기 발광 셀은 씨오에프형 유기 전계 발광 셀(Chip On Film typed Organic Electroluminescent cell, COF typed Organic Electroluminescent cell)과 씨오지형 유기 전계 발광 셀(Chip On Glass typed Oraganic Electroluminescent cell, COG typed Organic Electroluminesent cell)을 포함한다. An organic electroluminescent cell means a cell that generates light of a predetermined wavelength. The light emitting cell comprises a Chip On Film typed Organic Electroluminescent cell (COF typed Organic Electroluminescent cell) and a Seagage type Organic Electroluminescent cell (Chip On Glass typed Oraganic Electroluminescent cell, COG typed Organic Electroluminesent cell) Include.

상기 씨오에프형 유기 전계 발광 셀에서는, 상기 셀을 구동시키는 구동 회로를 가지는 집적회로칩(Intergrated Circuit chip)이 상기 셀의 외부에서 상기 셀과 연결된다. 반면에, 상기 씨오지형 유기 전계 발광 셀에서는, 상기 집적회로칩이 상기 셀 상에서 상기 셀과 연결된다. 그러므로, 상기 씨오에프형 유기 전계 발광 셀은 상기 씨오지형 유기 전계 발광 셀보다 부피가 크고 제작을 위한 비용이 많이 소요되며, 그래서 씨오지형 유기 전계 발광 셀이 나타났다. In the CMOS type organic electroluminescent cell, an integrated circuit chip having a driving circuit for driving the cell is connected to the cell outside of the cell. On the other hand, in the seed-type organic electroluminescent cell, the integrated circuit chip is connected to the cell on the cell. Therefore, the CFP type organic electroluminescent cell is bulkier than the CIO type organic electroluminescent cell and requires a lot of cost for fabrication, and thus, a CIO type organic electroluminescent cell has appeared.

도 1a는 종래의 씨오지형 유기 전계 발광 셀들을 가지는 기판을 도시한 평면도이다. FIG. 1A is a plan view illustrating a substrate having conventional sea geotype organic electroluminescent cells. FIG.

도 1a를 참조하면, 상기 기판은 복수의 발광 셀들을 포함하고, 상기 각 발광 셀들은 인듐주석산화물층들, 금속전극층들, 데이터 라인 패드들 및 스캔 라인 패드들을 포함한다. 이에 대한 자세한 설명은 이하 첨부된 도면을 참조하여 상술하겠다. Referring to FIG. 1A, the substrate includes a plurality of light emitting cells, and each of the light emitting cells includes indium tin oxide layers, metal electrode layers, data line pads, and scan line pads. Detailed description thereof will be described below with reference to the accompanying drawings.

도 1b는 도 1a의 A 부분을 확대하여 도시한 평면도이다.FIG. 1B is an enlarged plan view of portion A of FIG. 1A.

도 1b를 참조하면, 상기 유기 전계 발광 셀은 셀부(10), 데이터 라인 패드들(30), 제 1 스캔 라인 패드들(50) 및 제 2 스캔 라인 패드들(70)을 포함한다. Referring to FIG. 1B, the organic electroluminescent cell includes a cell unit 10, data line pads 30, first scan line pads 50, and second scan line pads 70.

셀부(10)는 복수의 인듐주석산화물층들 및 금속전극층들을 포함하고, 상기 인듐주석산화물층들 및 금속전극층들이 교차하는 영역에 복수의 픽셀들을 가진다. The cell unit 10 includes a plurality of indium tin oxide layers and metal electrode layers, and has a plurality of pixels in a region where the indium tin oxide layers and the metal electrode layers intersect.

데이터 라인 패드들(30)은 상기 인듐주석산화물층들에 각기 결합되고, 픽셀 불량 검출시 불량 검출 장치의 소정 핀들을 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 인듐주석산화물층들에 제공한다. The data line pads 30 are respectively coupled to the indium tin oxide layers, and provide the indium tin oxide layers with a predetermined voltage applied through predetermined pins of the fail detection device when detecting pixel defects.

제 1 스캔 라인 패드들(50)은 상기 금속전극층들 중 일부 금속전극층들에 각기 결합되고, 상기 불량 검출 장치의 소정 핀들을 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 일부 금속전극층들에 제공한다. First scan line pads 50 are respectively coupled to some of the metal electrode layers of the metal electrode layers, and provide a predetermined voltage applied to the some metal electrode layers through predetermined pins of the failure detection apparatus.

제 2 스캔 라인 패드들(70)은 상기 금속전극층들 중 나머지 금속전극층들에 각기 결합되고, 상기 불량 검출 장치의 소정 핀들을 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 나머지 금속전극층들에 제공한다. The second scan line pads 70 are respectively coupled to the remaining metal electrode layers of the metal electrode layers, and provide the remaining metal electrode layers with a predetermined voltage applied through predetermined pins of the failure detection apparatus.

이하 씨오에프형 유기 전계 발광 셀과 씨오지형 유기 전계 발광 셀을 비교하겠다. Hereinafter, the CFO type organic electroluminescent cell and the CIO type organic electroluminescent cell will be compared.

픽셀 불량 검출시, 씨오에프형 유기 전계 발광 셀에서는 패드들을 연결하는 연결부들을 이용함에 의해 픽셀들의 불량이 검출되었다. 이어서, 상기 집적회로칩과 상기 패드들을 연결하기 위하여 상기 패드들의 종단부들을 스크라이빙 칼날을 이용하여 절단하였다. 이는 씨오에프형 유기 전계 발광 셀에서 상기 연결부들이 상기 셀의 외부에 형성되기 때문에 가능하였다. In detecting pixel defects, defects of pixels were detected by using connections connecting pads in the CFC type organic electroluminescent cell. Subsequently, end portions of the pads were cut using a scribing blade to connect the integrated circuit chip and the pads. This was possible because the connecting portions are formed outside of the cell in the CS type organic electroluminescent cell.

반면에, 씨오지형 유기 전계 발광 셀에서는 픽셀 불량 검출을 위하여 패드들 을 연결하는 연결부들을 상기 셀 위에 형성할 수 없었다. 왜냐하면, 상기 패드들을 연결하는 연결부들을 형성하여 픽셀 불량을 검출하는 경우, 픽셀 불량 검출 후 상기 집적회로칩과 상기 패드들을 연결시키기 위하여 상기 패드들의 종단부들이 스크라이빙 칼날을 이용함에 의해 절단되어야 한다. 그러나, 상기 스크라이빙 칼날을 이용한 스크라이빙 공정의 경우, 상기 기판을 가로 전체/세로 전체로 해서 절단해야 하므로, 씨오지형 유기 전계 발광 셀의 구조적 특성상 절단할 수 없었다. 왜냐하면, 상기 씨오지형 유기 전계 발광 셀에서 상기 패드들의 종단부들이 절단될 경우, 스캔 라인들도 함께 절단되기 때문이다. 그 결과, 상기 연결부들이 데이터 라인 패드들(30)과 스캔 라인 패드들(50 및 70) 사이에 형성될 수 없었다. On the other hand, in the seed-type organic electroluminescent cell, connecting parts connecting pads could not be formed on the cell for pixel defect detection. Because, when the pixel defects are detected by forming the connecting portions connecting the pads, the end portions of the pads must be cut by using a scribing blade to connect the integrated circuit chip and the pads after the pixel defect is detected. . However, in the scribing process using the scribing blade, the substrate should be cut in the horizontal and vertical directions, and thus, the structural characteristics of the seed paper-type organic electroluminescent cell could not be cut. This is because when the end portions of the pads are cut in the seed-type organic electroluminescent cell, the scan lines are also cut together. As a result, the connections could not be formed between the data line pads 30 and the scan line pads 50 and 70.

그러므로, 상기 씨오지형 유기 전계 발광 셀에서, 상기 픽셀 불량 검출시 패드들(30, 50 및 70)상에 불량 검출 장치의 핀들이 각기 접촉되어야 했다. 그 결과, 핀들의 낭비가 심하였다. 그러므로, 핀들의 낭비를 줄일 수 있는 유기 전계 발광 셀이 요구된다. Therefore, in the sea-galow organic electroluminescent cell, pins of the failure detection device had to contact each other on the pads 30, 50 and 70 when the pixel failure was detected. As a result, the waste of pins was severe. Therefore, there is a need for an organic electroluminescent cell that can reduce waste of fins.

본 발명의 목적은 픽셀 불량 검출을 위한 핀들의 수를 줄일 수 있는 씨오지형 유기 전계 발광 셀을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a seedage-type organic electroluminescent cell which can reduce the number of pins for pixel defect detection.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀은 애노드에 상응하는 인듐주석산화물층들과 캐소드에 상응하는 금속전극층들이 교차하는 영역에 형성된 복수의 픽셀, 데이터 라인 패드들, 더미 데이터 라인들, 더미 데이터 라인 연결부, 스캔 라인 패드들, 더미 스캔 라인들 및 더미 스캔 라인 연결부를 포함한다. 상기 데이터 라인 패드들은 상기 인듐주석산화물층들의 일단에 각기 결합된다. 상기 더미 데이터 라인들은 상기 인듐주석산화물층들의 타단에 각기 결합되고, 상기 더미 데이터 라인 연결부는 상기 더미 데이터 라인들을 연결한다. 상기 스캔 라인 패드들은 상기 금속전극층들의 일단에 각기 결합된다. 상기 더미 스캔 라인들은 상기 금속전극층들의 타단에 각기 결합되며, 상기 스캔 라인 연결부는 상기 더미 스캔 라인들을 연결한다.In order to achieve the object as described above, the sea-gauge organic electroluminescent cell according to a preferred embodiment of the present invention is a plurality of indium tin oxide layers corresponding to the anode and a plurality of regions formed in the intersection of the metal electrode layers corresponding to the cathode A pixel, data line pads, dummy data lines, dummy data line connectors, scan line pads, dummy scan lines and dummy scan line connectors. The data line pads are respectively coupled to one end of the indium tin oxide layers. The dummy data lines are respectively coupled to the other ends of the indium tin oxide layers, and the dummy data line connection unit connects the dummy data lines. The scan line pads are respectively coupled to one end of the metal electrode layers. The dummy scan lines are respectively coupled to the other ends of the metal electrode layers, and the scan line connection unit connects the dummy scan lines.

본 발명에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀은 픽셀 불량 검출을 위한 더미 라인들을 패드들과 다른 위치에 형성하여 픽셀 불량을 검출하므로, 픽셀 불량 검출을 위한 핀들의 수를 줄일 수 있고 스크라이빙 칼날을 이용하여 더미 라인들과 연결부들을 절단할 수 있다. Since the sea-galow organic electroluminescent cell according to the present invention detects pixel defects by forming dummy lines for pixel defect detection at different positions from the pads, the number of pins for pixel defect detection can be reduced and the scribing blade The dummy lines and the connecting portions may be cut by using.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the sea-gauge organic electroluminescent cell according to the present invention.

도 2a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀들을 포함하는 기판을 도시한 평면도이다.FIG. 2A is a plan view illustrating a substrate including seedage-type organic electroluminescent cells according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2a를 참조하면, 상기 기판은 복수의 유기 전계 발광 셀들을 포함한다. 상기 각 셀은 데이터 라인 패드들, 더미 데이터 라인들, 더미 데이터 라인 연결부, 스캔 라인 패드들, 더미 스캔 라인들, 더미 스캔 라인 연결부들을 포함한다. 이에 대한 자세한 설명은 이하 첨부된 도면을 참조하여 상술하겠다.Referring to FIG. 2A, the substrate includes a plurality of organic electroluminescent cells. Each cell includes data line pads, dummy data lines, dummy data line connectors, scan line pads, dummy scan lines, and dummy scan line connectors. Detailed description thereof will be described below with reference to the accompanying drawings.

도 2b는 도 2a의 B부분을 확대하여 도시한 평면도이다.FIG. 2B is an enlarged plan view of a portion B of FIG. 2A.

도 2b를 참조하면, 본 발명의 씨오지형 유기 전계 발광 셀은 셀부(100), 데이터 라인 패드들(120), 더미 데이터 라인들(140), 더미 데이터 라인 연결부(160), 스캔 라인 패드들(180), 더미 스캔 라인들(200) 및 더미 스캔 라인 연결부(220)를 포함한다. Referring to FIG. 2B, the sea-gauge organic electroluminescent cell of the present invention includes a cell unit 100, data line pads 120, dummy data lines 140, dummy data line connectors 160, and scan line pads. 180, dummy scan lines 200 and dummy scan line connectors 220.

셀부(100)는 인듐주석산화물층들(Indium Tin Oxide Films, 이하 "ITO층들"이라 함)과 금속전극층들을 포함하고, 이들이 교차하는 영역에 형성되는 픽셀들을 가진다. 상기 각 픽셀들은 상기 ITO층, 그 위에 증착된 유기물층 및 상기 유기물층 위에 증착된 상기 금속전극층을 포함한다. 여기서, 상기 유기물층은 순차적으로 증착되는 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL), 정공 수송층(Hole Transporting Layer, HTL), 발광층(Emitting Layer, ETL), 전자 수송층(Electron Transporting Layer, ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer, EIL)을 포함한다. 또는 상기 유기물층은 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층만을 포함한다. The cell unit 100 includes indium tin oxide layers (hereinafter, referred to as “ITO layers”) and metal electrode layers, and has pixels formed in regions where they intersect. Each of the pixels includes the ITO layer, an organic layer deposited thereon, and the metal electrode layer deposited on the organic layer. The organic layer may be a hole injection layer (HIL), a hole transporting layer (HTL), an emission layer (ETL), an electron transporting layer (ETL), and an electron injection, which are sequentially deposited. Layer (Electron Injection Layer, EIL). Alternatively, the organic material layer includes only a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer.

순방향 전압이 인가되는 경우, 상기 각 픽셀들은 소정 파장의 빛을 발생시킨다. 상세하게는, 상기 ITO층에 소정의 양의 전압이 인가되고 상기 금속전극층에 소정의 음의 전압이 인가된 경우, 상기 ITO층은 정공들을 정공 주입층으로 제공하고 상기 전자 주입층은 전자들을 전자 주입층으로 제공한다. 이어서, 상기 정공 주입층은 상기 제공된 정공들을 정공 수송층으로 원활하게 주입시키고, 상기 전자 주입층은 상기 제공된 전자들을 전자 수송층으로 원활하게 주입시킨다. 계속하여, 상기 정공 수송층은 상기 주입된 정공들을 발광층으로 수송하고, 상기 전자 수송층은 상 기 주입된 전자들을 상기 발광층으로 수송한다. 이어서, 상기 수송된 정공들과 전자들이 상기 발광층 내에서 재결합하여 특정 파장의 빛을 발생시킨다. When a forward voltage is applied, each of the pixels generates light of a predetermined wavelength. In detail, when a predetermined positive voltage is applied to the ITO layer and a predetermined negative voltage is applied to the metal electrode layer, the ITO layer provides holes to the hole injection layer and the electron injection layer provides electrons. It serves as an injection layer. The hole injection layer then smoothly injects the provided holes into the hole transport layer, and the electron injection layer smoothly injects the provided electrons into the electron transport layer. Subsequently, the hole transport layer transports the injected holes to the light emitting layer, and the electron transport layer transports the injected electrons to the light emitting layer. Subsequently, the transported holes and electrons recombine in the emission layer to generate light of a specific wavelength.

데이터 라인 패드들(120)은 상기 ITO층들의 일단에 각기 결합되며, 픽셀 불량 검출 후 상기 픽셀들을 구동시키는 구동 회로를 가지는 집적회로칩(Integrated Circuit Chip) 중 애노드(anode)에 상응하는 양극 집적회로칩과 연결된다.Each of the data line pads 120 is coupled to one end of the ITO layers, and corresponds to an anode of an integrated circuit chip having a driving circuit for driving the pixels after pixel defect detection. Connected with the chip.

더미 데이터 라인들(140)은 상기 ITO층들의 타단에 각기 결합되며, 상기 픽셀 불량 검출시 불량 검출 장치로부터 더미 데이터 라인 연결부(160)를 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 ITO층들에 제공한다. 상세하게는, 더미 데이터 라인들(140) 중 하나에 상기 불량 검출 장치로부터 소정의 전압이 인가되고, 상기 인가된 전압은 더미 데이터 라인 연결부(160)를 통하여 나머지 더미 데이터 라인들(140)에 제공된다. 또한, 더미 데이터 라인들(140)은 금속 또는 인듐주석산화물층과 같은 도전체이다. The dummy data lines 140 are respectively coupled to the other ends of the ITO layers, and provide predetermined voltages applied to the ITO layers from the failure detection device through the dummy data line connection unit 160 when the pixel failure is detected. In detail, a predetermined voltage is applied to one of the dummy data lines 140 from the failure detection device, and the applied voltage is provided to the remaining dummy data lines 140 through the dummy data line connection unit 160. do. In addition, the dummy data lines 140 are conductors such as metal or indium tin oxide layers.

더미 데이터 라인들(140)은 그 종단 부분이 상기 픽셀 불량 검출 후 스크라이빙 칼날에 의한 기판의 분리 공정에서 함께 절단된다. The dummy data lines 140 are cut together in the termination process of the substrate by the scribing blade after the end portions thereof detect the pixel defect.

더미 데이터 라인 연결부(160)는 더미 데이터 라인들(140) 중 하나로부터 인가된 전압을 나머지 더미 데이터 라인들(140)에 제공한다. 또한, 더미 데이터 라인 연결부(160)는 도전체이며, 단락(short)되어 있다. The dummy data line connector 160 provides a voltage applied from one of the dummy data lines 140 to the remaining dummy data lines 140. In addition, the dummy data line connector 160 is a conductor and is shorted.

스캔 라인 패드들(180)은 상기 금속전극층들의 일단에 각기 결합되며, 상기 픽셀 불량 검출 후 상기 집적회로칩(Integrated Circuit Chip) 중 캐소드(cathode)에 상응하는 음극 집적회로칩과 연결된다.Scan line pads 180 are respectively coupled to one end of the metal electrode layers, and are connected to a cathode integrated circuit chip corresponding to a cathode of the integrated circuit chip after the pixel defect is detected.

더미 스캔 라인들(200)은 상기 금속전극층들의 타단에 각기 결합되며, 상기 불량 검출 장치로부터 더미 스캔 라인 연결부(220)를 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 금속전극층들에 제공한다. 상세하게는, 더미 스캔 라인들(200) 중 하나에 상기 불량 검출 장치로부터 소정의 전압이 인가되고, 상기 인가된 전압은 더미 스캔라인 연결부(220)를 통하여 나머지 더미 스캔 라인들(200)에 제공된다. 또한, 더미 스캔 라인들(200)은 금속과 같은 도전체이다. The dummy scan lines 200 are respectively coupled to the other ends of the metal electrode layers, and provide predetermined voltages applied to the metal electrode layers from the failure detection apparatus through the dummy scan line connection unit 220. In detail, a predetermined voltage is applied to one of the dummy scan lines 200 from the failure detection device, and the applied voltage is provided to the remaining dummy scan lines 200 through the dummy scan line connection unit 220. do. In addition, the dummy scan lines 200 are conductors such as metal.

더미 스캔 라인들(200)은 그 종단 부분이 상기 픽셀 불량 검출 후 상기 스크라이빙 칼날에 의한 기판의 분리 공정에서 함께 절단된다. The dummy scan lines 200 are cut together in the process of separating the substrate by the scribing blade after the end portion thereof detects the pixel defect.

더미 스캔 라인 연결부(220)는 더미 스캔 라인들(200) 중 하나로부터 인가된 전압을 나머지 더미 스캔 라인들(220)에 제공한다. 또한, 더미 스캔 라인 연결부(220)는 도전체이며, 단락되어 있다. The dummy scan line connector 220 provides a voltage applied from one of the dummy scan lines 200 to the remaining dummy scan lines 220. In addition, the dummy scan line connection part 220 is a conductor and is short-circuited.

본 발명의 씨오지형 유기 전계 발광 셀은 종래 기술과 달리 집적회로칩과 연결되는 패드들(120 및 180)과 픽셀 불량 검출을 위한 더미 라인들(140 및 200) 및 더미 라인 연결부(160 및 220)를 서로 다른 위치에 형성한 후 픽셀들의 불량을 검출한다. 이 경우, 본 발명의 씨오지형 유기 전계 발광 셀에서는, 종래 기술과 달리 더미 데이터 라인들(140) 중 하나와 더미 스캔 라인들(200) 중 하나에 픽셀 불량 검출을 위한 핀들이 접촉된다. 즉, 픽셀 불량 검출을 위하여 2개의 핀이 요구되며, 종래 기술에 비하여 픽셀 불량 검출을 위한 핀들의 수가 감소된다. Unlike the prior art, the sea-gauge organic electroluminescent cell of the present invention has different pads 120 and 180 connected to an integrated circuit chip, dummy lines 140 and 200 and dummy line connectors 160 and 220 for pixel defect detection. ) Are formed at different positions to detect defects of pixels. In this case, unlike the prior art, pins for detecting pixel defects are contacted with one of the dummy data lines 140 and one of the dummy scan lines 200, unlike the prior art. That is, two pins are required for pixel defect detection, and the number of pins for pixel defect detection is reduced compared to the prior art.

도 2c는 도 2b의 셀부를 도시한 평면도이다.2C is a plan view illustrating the cell unit of FIG. 2B.

도 2c를 참조하면, 셀부(100)는 ITO층들(300) 및 금속전극층들(320)을 포함 하고, ITO층들(300)과 금속전극층들(320)이 교차하는 영역에 형성되는 상기 픽셀들을 가진다. Referring to FIG. 2C, the cell unit 100 includes the ITO layers 300 and the metal electrode layers 320, and has the pixels formed in an area where the ITO layers 300 and the metal electrode layers 320 intersect. .

이하에서는 픽셀 불량 검출 과정에 대하여 상술하겠다. Hereinafter, a pixel defect detection process will be described in detail.

우선, 상기 픽셀들의 점등 검사 과정을 상술하겠다. First, the lighting inspection process of the pixels will be described in detail.

더미 데이터 라인들(140) 중 하나에 상기 불량 검출 장치의 제 1 핀이 접촉되어 소정의 양의 전압이 인가되고, 더미 스캔 라인들(200) 중 하나에 상기 불량 검출 장치의 제 2 핀이 접촉되어 소정의 음의 전압이 인가된다. 이어서, 상기 인가된 양의 전압은 더미 데이터 라인 연결부(160)를 통하여 나머지 더미 데이터 라인들(140)에 제공되고, 상기 인가된 음의 전압은 더미 스캔 라인 연결부(220)를 통하여 나머지 더미 스캔 라인들(200)에 제공된다. 계속하여, 상기 양의 전압이 더미 데이터 라인들(140)을 통하여 ITO층들(300)에 제공되고, 상기 음의 전압이 더미 스캔 라인들(200)을 통하여 금속전극층들(320)에 제공된다. 그 결과, ITO층들(300)과 금속전극층들(320)이 교차하는 영역에 형성된 픽셀들이 점등된다. 상기 불량 검출 장치는 상기 점등된 픽셀들을 통하여 상기 픽셀들의 점등 불량 여부를 검출한다. The first pin of the failure detection device is in contact with one of the dummy data lines 140 to apply a predetermined amount of voltage, and the second pin of the failure detection device is in contact with one of the dummy scan lines 200. And a predetermined negative voltage is applied. Subsequently, the applied positive voltage is provided to the remaining dummy data lines 140 through the dummy data line connection unit 160, and the applied negative voltage is applied to the remaining dummy scan lines through the dummy scan line connection unit 220. Field 200 is provided. Subsequently, the positive voltage is provided to the ITO layers 300 through the dummy data lines 140, and the negative voltage is provided to the metal electrode layers 320 through the dummy scan lines 200. As a result, the pixels formed in the region where the ITO layers 300 and the metal electrode layers 320 intersect are turned on. The failure detection device detects whether the pixels are poor in lighting through the lit pixels.

다음으로, 누설 전류(leakage current) 검출 과정을 상술하겠다. Next, the leakage current detection process will be described in detail.

더미 데이터 라인들(140) 중 하나에 상기 불량 검출 장치의 제 1 핀이 접촉되어 소정의 음의 전압이 인가되고, 더미 스캔 라인들(200) 중 하나에 상기 불량 검출 장치의 제 2 핀이 접촉되어 소정의 양의 전압이 인가된다. 이어서, 상기 인가된 음의 전압은 더미 데이터 라인 연결부(160)를 통하여 나머지 더미 데이터 라인들(140)에 제공되고, 상기 인가된 양의 전압은 더미 스캔 라인 연결부(220)를 통하 여 나머지 더미 스캔 라인들(200)에 제공된다. 계속하여, 상기 음의 전압이 더미 데이터 라인들(140)을 통하여 ITO층들(300)에 제공되고, 상기 양의 전압이 더미 스캔 라인들(200)을 통하여 금속전극층들(320)에 제공된다. 이 경우, 상기 픽셀들이 불량하지 않으면, 상기 픽셀들에 역방향 전압이 인가되므로 상기 픽셀들을 통하여 상기 누설 전류가 흐르지 않는다. 다만, 실제적으로는 미세한 전류가 흐른다. 반면에, 상기 픽셀들이 불량한 경우, 예를 들어 상기 픽셀들 중 일부 픽셀이 단락된 경우, 상기 불량을 가진 픽셀들을 통하여 누설 전류가 흐른다. 이 때, 상기 불량 검출 장치는 상기 픽셀들에 흐르는 상기 누설 전류를 측정하여 상기 픽셀들에 불량이 발생되었다고 판단한다. The first pin of the fail detection device is in contact with one of the dummy data lines 140 to apply a predetermined negative voltage, and the second pin of the fail detection device is in contact with one of the dummy scan lines 200. And a predetermined amount of voltage is applied. Subsequently, the applied negative voltage is provided to the remaining dummy data lines 140 through the dummy data line connection 160, and the applied positive voltage is applied to the remaining dummy scan through the dummy scan line connection 220. Lines 200 are provided. Subsequently, the negative voltage is provided to the ITO layers 300 through the dummy data lines 140, and the positive voltage is provided to the metal electrode layers 320 through the dummy scan lines 200. In this case, if the pixels are not bad, a reverse voltage is applied to the pixels so that the leakage current does not flow through the pixels. In reality, however, a minute current flows. On the other hand, when the pixels are bad, for example when some of the pixels are shorted, a leakage current flows through the bad pixels. In this case, the failure detecting apparatus measures the leakage current flowing through the pixels to determine that a failure occurs in the pixels.

상기 픽셀 불량 검출시 상기 불량 검출 장치의 핀들이 연결부들(160 및 220)에 접촉되어 소정의 전압들이 연결부들(160 및 220)을 통하여 더미 데이터 라인들(140) 및 더미 스캔 라인들(200)에 인가될 수 있다. 이 경우, 상기 핀들이 패드들(120 및 180)에 접촉되지 않으므로, 패드들(120 및 180)의 손상이 방지된다. When the pixel failure is detected, pins of the failure detection device contact the connection parts 160 and 220, and predetermined voltages are connected to the dummy data lines 140 and the dummy scan lines 200 through the connection parts 160 and 220. Can be applied to. In this case, since the pins do not contact the pads 120 and 180, damage to the pads 120 and 180 is prevented.

도 3은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀을 도시한 평면도이다.3 is a plan view illustrating a seed-edge organic electroluminescent cell according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 셀은 셀부(100), 데이터 라인 패드들(120), 더미 데이터 라인들(140), 더미 데이터 라인 연결부(160), 데이터 라인 전극부(170), 스캔 라인 패드들(180), 더미 스캔 라인들(200), 더미 스캔 라인 연결부(220) 및 스캔 라인 전극부(230)를 포함한다. Referring to FIG. 3, the organic electroluminescent cell of the present invention includes a cell unit 100, data line pads 120, dummy data lines 140, a dummy data line connection unit 160, and a data line electrode unit 170. The scan line pads 180 may include dummy scan lines 200, dummy scan line connectors 220, and scan line electrode units 230.

전극부들(170 및 230)을 제외한 나머지 구성 요소들은 도 2b의 구성 요소들 과 동일한 기능을 수행하므로, 동일한 참조부호를 사용하고 이하 이에 대한 설명은 생략하겠다.Since the other components except for the electrode parts 170 and 230 perform the same function as the elements of FIG. 2B, the same reference numerals will be used and the description thereof will be omitted.

데이터 라인 전극부(170)는 더미 데이터 라인 연결부(160)에 결합되고, 픽셀 불량 검출시 불량 검출 장치의 제 1 핀이 접촉되어 인가되는 소정의 전압을 더미 데이터 라인 연결부(160) 및 더미 데이터 라인들(140)을 통하여 ITO층들에 제공한다. 여기서, 데이터 라인 전극부(170)는 금속과 같은 도전체이다.The data line electrode unit 170 is coupled to the dummy data line connection unit 160, and the dummy data line connection unit 160 and the dummy data line receive a predetermined voltage applied by contacting the first pin of the failure detection apparatus when the pixel defect is detected. Through the layers 140 to the ITO layers. Here, the data line electrode unit 170 is a conductor such as metal.

스캔 라인 전극부(230)는 더미 스캔 라인 연결부(220)에 결합되고, 상기 불량 검출 장치의 제 2 핀이 접촉되어 인가되는 소정의 전압을 더미 스캔 라인 연결부(220) 및 더미 스캔 라인들(200)을 통하여 금속전극층들에 제공한다. 여기서, 스캔 라인 전극부(230)는 금속과 같은 도전체이다.The scan line electrode unit 230 is coupled to the dummy scan line connection unit 220, and the dummy scan line connection unit 220 and the dummy scan lines 200 receive a predetermined voltage applied by contacting the second pin of the failure detection apparatus. To the metal electrode layers). Here, the scan line electrode unit 230 is a conductor such as metal.

픽셀 불량 검출시 상기 불량 검출 장치의 핀들이 종래 기술과 달리 패드들(120 및 180)에 직접 접촉되지 않고 전극부들(170 및 230)에 접촉되므로, 패드들(120 및 180)의 손상이 방지된다. When the pixel defect is detected, unlike the prior art, the pins of the defect detection apparatus do not directly contact the pads 120 and 180, but contact the electrode portions 170 and 230, thereby preventing damage to the pads 120 and 180. .

또한, 상기 인가된 전압들이 전극부들(170 및 230)을 통하여 더미 데이터 라인들(140) 및 더미 스캔 라인들(200)에 제공되므로, 더미 데이터 라인들(140)에 동일한 전압이 인가되고 더미 스캔 라인들(200)에 동일한 전압이 인가된다. 그러므로, 상기 불량 검출 장치는 종래 기술보다 정확하게 픽셀 불량을 검출할 수 있다. In addition, since the applied voltages are provided to the dummy data lines 140 and the dummy scan lines 200 through the electrode parts 170 and 230, the same voltage is applied to the dummy data lines 140 and the dummy scan is performed. The same voltage is applied to the lines 200. Therefore, the defect detection apparatus can detect pixel defects more accurately than the prior art.

상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양 한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다. Preferred embodiments of the invention described above are disclosed for purposes of illustration, and those skilled in the art having ordinary knowledge of the present invention will be capable of various modifications, changes, additions within the spirit and scope of the present invention, such modifications, changes And additions should be considered to be within the scope of the following claims.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀은 픽셀 불량 검출을 위한 더미 라인들을 패드들과 다른 위치에 형성하여 픽셀 불량을 검출하므로, 픽셀 불량 검출을 위한 핀들의 수를 줄일 수 있고 스크라이빙 칼날을 이용하여 더미 라인들과 연결부들을 절단할 수 있는 장점이 있다.
As described above, the sea geotype organic electroluminescent cell according to the present invention detects pixel defects by forming dummy lines for detecting pixel defects at different positions from the pads, thereby reducing the number of pins for pixel defect detection. And cutting the dummy lines and connections using a scribing blade.

Claims (3)

애노드에 상응하는 인듐주석산화물층들과 캐소드에 상응하는 금속전극층들이 교차하는 영역에 형성된 복수의 픽셀들을 가지는 씨오지형 유기 전계 발광 셀에 있어서, In a seedage type organic electroluminescent cell having a plurality of pixels formed in a region where an indium tin oxide layer corresponding to an anode and a metal electrode layer corresponding to a cathode intersect, 상기 인듐주석산화물층들의 일단에 각기 결합되는 복수의 데이터 라인 패드들;A plurality of data line pads respectively coupled to one end of the indium tin oxide layers; 상기 인듐주석산화물층들의 타단에 각기 결합되는 복수의 더미 데이터 라인들;A plurality of dummy data lines respectively coupled to the other ends of the indium tin oxide layers; 상기 더미 데이터 라인들을 연결하는 더미 데이터 라인 연결부;A dummy data line connection unit connecting the dummy data lines; 상기 금속전극층들의 일단에 각기 결합되는 복수의 스캔 라인 패드들;A plurality of scan line pads respectively coupled to one end of the metal electrode layers; 상기 금속전극층들의 타단에 각기 결합되는 복수의 더미 스캔 라인들; 및A plurality of dummy scan lines respectively coupled to the other ends of the metal electrode layers; And 상기 더미 스캔 라인들을 연결하는 더미 스캔 라인 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀.And a dummy scan line connection unit connecting the dummy scan lines. 제 1 항에 있어서, 상기 더미 데이터 라인 연결부에 결합되며, 픽셀 불량 검출시 불량 검출 장치로부터 인가되는 소정의 전압을 상기 더미 데이터 라인 연결부 및 더미 데이터 라인들을 통하여 상기 인듐주석산화물층들에 제공하는 데이터 라인 전극부; 및The data of claim 1, wherein the data is coupled to the dummy data line connection part and provides a predetermined voltage to the indium tin oxide layers through the dummy data line connection part and the dummy data lines. Line electrode units; And 상기 더미 스캔 라인 연결부에 결합되며, 상기 불량 검출 장치로부터 인가되 는 소정의 전압을 상기 더미 스캔 라인 연결부 및 더미 스캔 라인들을 통하여 상기 금속전극층들에 제공하는 스캔 라인 전극부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀. And a scan line electrode part coupled to the dummy scan line connection part and providing a predetermined voltage applied to the dummy scan line connection part to the metal electrode layers through the dummy scan line connection part and the dummy scan lines. CIO type organic electroluminescent cell. 제 1 항에 있어서, 상기 각 연결부들은 도전체이며, 단락되어 있는 것을 특징으로 하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀. The CIO type organic electroluminescent cell according to claim 1, wherein each of the connection parts is a conductor and is short-circuited.
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