KR100609776B1 - Chip on glass typed organic electroluminescent cell - Google Patents

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Abstract

본 발명은 픽셀 불량 검출시 패드들의 손상을 방지하고 절단부들이 레이저에 의해 절단된 후 단락되는 것을 방지하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀에 관한 것이다. 상기 씨오지형 유기 전계 발광 셀은 인듐주석산화물층들, 금속전극층들, 데이터 라인 집적회로부들, 데이터 라인 절단부들, 데이터 라인 연결부, 스캔 라인 집적회로부들, 스캔 라인 절단부들 및 스캔 라인 연결부들을 포함한다. 상기 인듐주석산화물층들은 상기 금속전극층들에 교차하며, 상기 교차하는 영역들에 발광 픽셀들이 형성된다. 상기 데이터 라인 집적회로부들은 상기 인듐주석산화물층들에 각기 결합된다. 상기 데이터 라인 절단부들은 상기 데이터 라인 집적회로부들에 각기 결합되며, 각기 데이터 라인 도전층과 그 위에 부분적으로 증착된 데이터 라인 절연막을 가진다. 상기 데이터 라인 연결부는 상기 데이터 라인 절단부들을 연결한다. 상기 스캔 라인 집적회로부들은 상기 금속전극층들에 각기 결합된다. 상기 스캔 라인 절단부들은 상기 스캔 라인 집적회로부들에 각기 결합되며, 각기 스캔 라인 도전층과 그 위에 부분적으로 증착된 스캔 라인 절연막을 가진다. 상기 스캔 라인 연결부는 상기 스캔 라인 절단부들을 연결한다. 상기 씨오지형 유기 전계 발광 셀에서, 절단부들이 도전층 위에 절연막을 포함하므로, 상기 절단부들이 레이저에 의해 절단된 후 집적회로칩과 연결되는 경우에도 단락이 발생되지 않는다. The present invention relates to a seedage-type organic electroluminescent cell which prevents damage to pads upon detection of pixel defects and prevents cuts from being shorted after being cut by a laser. The seedage type organic electroluminescent cell includes indium tin oxide layers, metal electrode layers, data line integrated circuit parts, data line cut parts, data line connectors, scan line integrated circuit parts, scan line cut parts, and scan line connections. do. The indium tin oxide layers intersect the metal electrode layers, and light emitting pixels are formed in the intersecting regions. The data line integrated circuit units are respectively coupled to the indium tin oxide layers. The data line cutouts are respectively coupled to the data line integrated circuit parts and each has a data line conductive layer and a data line insulating film partially deposited thereon. The data line connection unit connects the data line cutouts. The scan line integrated circuit units are respectively coupled to the metal electrode layers. The scan line cutouts are respectively coupled to the scan line integrated circuit parts and each has a scan line conductive layer and a scan line insulating film partially deposited thereon. The scan line connection unit connects the scan line cutouts. In the seed-type organic electroluminescent cell, since the cut portions include an insulating layer on the conductive layer, a short circuit does not occur even when the cut portions are cut by the laser and then connected to the integrated circuit chip.

발광 셀, 픽셀, COGLuminous Cells, Pixels, COG

Description

씨오지형 유기 전계 발광 셀{CHIP ON GLASS TYPED ORGANIC ELECTROLUMINESCENT CELL}CIO type organic electroluminescent cell {CHIP ON GLASS TYPED ORGANIC ELECTROLUMINESCENT CELL}

도 1a는 종래의 유기 전계 발광 셀들을 가지는 기판을 도시한 평면도이다. 1A is a plan view showing a substrate having conventional organic electroluminescent cells.

도 1b는 도 1a의 A 부분을 확대하여 도시한 평면도이다.FIG. 1B is an enlarged plan view of portion A of FIG. 1A.

도 2a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀들을 포함하는 기판을 도시한 평면도이다. FIG. 2A is a plan view illustrating a substrate including seedage-type organic electroluminescent cells according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2b는 도 2a의 B 부분을 확대하여 도시한 평면도이다. FIG. 2B is an enlarged plan view of a portion B of FIG. 2A.

도 3a는 도 2b의 데이터 라인 절단부를 도시한 단면도이다. 3A is a cross-sectional view illustrating the data line cutout of FIG. 2B.

도 3b 및 도 3c는 에이씨에프 본딩(ACF bonding) 과정을 도시한 평면도들이다. 3B and 3C are plan views illustrating an ACF bonding process.

도 4는 도 2b의 셀부를 개략적으로 도시한 평면도이다.4 is a plan view schematically illustrating the cell unit of FIG. 2B.

도 5은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀을 도시한 평면도이다. FIG. 5 is a plan view illustrating a seed-edge organic electroluminescent cell according to another exemplary embodiment of the present invention. FIG.

본 발명은 씨오지형 유기 전계 발광 셀에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 픽 셀 불량 검출시 패드들의 손상을 방지하고 절단부들이 레이저에 의해 절단된 후 집적회로칩과 결합시 단락되는 것을 방지하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀에 관한 것이다. The present invention relates to a seedage-type organic electroluminescent cell, and more particularly, a seedage that prevents pads from being damaged when detecting a pixel defect and prevents cuts from being shorted when combined with an integrated circuit chip after being cut by a laser. It relates to a type organic electroluminescent cell.

유기 전계 발광 셀은 소정 파장의 빛을 발생시키는 셀을 의미한다. 상기 유기 전계 발광 셀은 씨오에프형 유기 전계 발광 셀(Chip On Film typed Organic Electroluminescent cell, COF typed Organic Electroluminescent cell)과 씨오지형 유기 전계 발광 셀(Chip On Glass typed Organic Electroluminescent cell, COG typed Organic Electroluminescent cell)을 포함한다. An organic electroluminescent cell means a cell that generates light of a predetermined wavelength. The organic electroluminescent cell includes a chip on film type organic electroluminescent cell (COF typed organic electroluminescent cell) and a seed on organic type electroluminescent cell (cog on glass typed organic electroluminescent cell, cog type organic electroluminescent cell). ).

상기 씨오에프형 유기 전계 발광 셀에서, 상기 셀을 구동시키는 구동 회로를 가지는 집적회로칩(Integrated Circuit chip)이 상기 셀의 외부에서 상기 셀의 패드들과 연결된다. 반면에, 상기 씨오지형 유기 전계 발광 셀에서, 상기 집적회로칩이 상기 셀 상에서 상기 셀의 패드들과 연결된다. 그러므로, 상기 씨오에프형 유기 전계 발광 셀은 상기 씨오지형 유기 전계 발광 셀보다 부피가 크고 제작을 위한 비용이 많이 소요되며, 그래서 씨오지형 유기 전계 발광 셀의 구현이 요구된다. 그러나, 씨오에프형 유기 전계 발광 셀은 이하의 문제로 인하여 개선이 요구되었다. 이에 대한 자세한 설명은 이하 첨부된 도면을 참조하여 상술하겠다. In the CFC type organic electroluminescent cell, an integrated circuit chip having a driving circuit for driving the cell is connected to pads of the cell outside the cell. On the other hand, in the seed-type organic electroluminescent cell, the integrated circuit chip is connected with pads of the cell on the cell. Therefore, the CFP organic electroluminescent cell is bulkier than the CIO type organic electroluminescent cell and requires a lot of cost for fabrication, and thus, implementation of a cergy type organic electroluminescent cell is required. However, CFO type organic electroluminescent cells have been required to be improved due to the following problems. Detailed description thereof will be described below with reference to the accompanying drawings.

도 1a는 종래의 유기 전계 발광 셀들을 가지는 기판을 도시한 평면도이다. 1A is a plan view showing a substrate having conventional organic electroluminescent cells.

도 1a를 참조하면, 상기 기판은 복수의 유기 전계 발광 셀들을 포함하고, 상기 각 유기 전계 발광 셀들은 인듐주석산화물층들, 금속전극층들, 데이터 라인 패 드들 및 스캔 라인 패드들을 포함한다. 이에 대한 자세한 설명은 이하 첨부된 도면을 참조하여 상술하겠다. Referring to FIG. 1A, the substrate includes a plurality of organic electroluminescent cells, and each of the organic electroluminescent cells includes indium tin oxide layers, metal electrode layers, data line pads, and scan line pads. Detailed description thereof will be described below with reference to the accompanying drawings.

도 1b는 도 1a의 A 부분을 확대하여 도시한 평면도이다.FIG. 1B is an enlarged plan view of portion A of FIG. 1A.

도 1b를 참조하면, 상기 유기 전계 발광 셀은 셀부(10), 데이터 라인 패드들(30), 제 1 스캔 라인 패드들(50) 및 제 2 스캔 라인 패드들(70)을 포함한다. Referring to FIG. 1B, the organic electroluminescent cell includes a cell unit 10, data line pads 30, first scan line pads 50, and second scan line pads 70.

셀부(10)는 복수의 인듐주석산화물층들 및 금속전극층들을 포함하고, 상기 인듐주석산화물층들 및 금속전극층들이 교차하는 영역에 복수의 픽셀들을 가진다. The cell unit 10 includes a plurality of indium tin oxide layers and metal electrode layers, and has a plurality of pixels in a region where the indium tin oxide layers and the metal electrode layers intersect.

데이터 라인 패드들(30)은 상기 인듐주석산화물층들에 각기 결합되고, 픽셀 불량 검출시 불량 검출 장치의 소정 핀들을 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 인듐주석산화물층들에 제공한다. The data line pads 30 are respectively coupled to the indium tin oxide layers, and provide the indium tin oxide layers with a predetermined voltage applied through predetermined pins of the fail detection device when detecting pixel defects.

제 1 스캔 라인 패드들(50)은 상기 금속전극층들 중 일부 금속전극층들에 각기 결합되고, 상기 불량 검출 장치의 소정 핀들을 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 일부 금속전극층들에 제공한다. First scan line pads 50 are respectively coupled to some of the metal electrode layers of the metal electrode layers, and provide a predetermined voltage applied to the some metal electrode layers through predetermined pins of the failure detection apparatus.

제 2 스캔 라인 패드들(70)은 상기 금속전극층들 중 나머지 금속전극층들에 각기 결합되고, 상기 불량 검출 장치의 소정 핀들을 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 나머지 금속전극층들에 제공한다. The second scan line pads 70 are respectively coupled to the remaining metal electrode layers of the metal electrode layers, and provide the remaining metal electrode layers with a predetermined voltage applied through predetermined pins of the failure detection apparatus.

이하 씨오에프형 유기 전계 발광 셀과 씨오지형 유기 전계 발광 셀을 비교하겠다. Hereinafter, the CFO type organic electroluminescent cell and the CIO type organic electroluminescent cell will be compared.

픽셀 불량 검출시, 씨오에프형 유기 전계 발광 셀에서는 패드들을 연결하는 연결부들을 이용함에 의해 픽셀들의 불량이 검출되었다. 이어서, 상기 집적회로칩과 상기 패드들을 연결하기 위하여 상기 패드들의 종단부들을 스크라이빙 칼날을 이용하여 절단하였다. 이는 씨오에프형 유기 전계 발광 셀에서 상기 연결부들이 상기 셀의 외부에 형성되기 때문에 가능하였다. In detecting pixel defects, defects of pixels were detected by using connections connecting pads in the CFC type organic electroluminescent cell. Subsequently, end portions of the pads were cut using a scribing blade to connect the integrated circuit chip and the pads. This was possible because the connecting portions are formed outside of the cell in the CS type organic electroluminescent cell.

반면에, 씨오지형 유기 전계 발광 셀에서는 픽셀 불량 검출을 위하여 패드들을 연결하는 연결부들을 상기 셀 위에 형성할 수 없었다. 왜냐하면, 상기 패드들을 연결하는 연결부들을 형성하여 픽셀 불량을 검출하는 경우, 픽셀 불량 검출 후 상기 집적회로칩과 상기 패드들을 연결시키기 위하여 상기 패드들의 종단부들을 스크라이빙 칼날을 이용함에 의해 절단되어야 한다. 그러나, 상기 스크라이빙 칼날을 이용한 스크라이빙 공정의 경우, 상기 기판을 가로 전체/세로 전체로 해서 절단해야 하므로, 씨오지형 유기 전계 발광 셀은 구조적 특성상 상기 스크라이빙 칼날에 의해 절단될 수 없었다. On the other hand, in the seed-type organic electroluminescent cell, connecting parts connecting pads could not be formed on the cell for pixel defect detection. When the pixel defects are detected by forming the connecting portions connecting the pads, the end portions of the pads must be cut by using a scribing blade to connect the integrated circuit chip and the pads after the pixel defect is detected. . However, in the case of the scribing process using the scribing blade, the substrate should be cut into the entire horizontal / vertical whole, and thus the seed paper organic electroluminescent cell may be cut by the scribing blade due to its structural characteristics. There was no.

그래서, 레이저를 이용함에 의해 패드들이 절단되는 유기 전계 발광 셀이 개발되었다. 상세하게는, 상기 유기 전계 발광 셀에서, 데이터 라인 패드들(30)과 스캔 라인 패드들(50 및 70) 사이에 연결부들이 형성되고, 상기 집적회로칩과 결합시 상기 레이저에 의해 패드들(30, 50 및 70)이 절단되었다. 그러나, 이 경우, 상기 레이저에 의한 절단 후 상기 집적회로칩과 패드들(30, 50 및 70)을 연결하는 에이씨에프 본딩(ACF bonding) 과정에서 단락될 수 있었다. 그러므로, 상기 단락을 방지할 수 있는 씨오지형 유기 전계 발광 셀이 요구된다. Thus, an organic electroluminescent cell in which pads are cut by using a laser has been developed. Specifically, in the organic electroluminescent cell, connections are formed between the data line pads 30 and the scan line pads 50 and 70, and the pads 30 are formed by the laser when combined with the integrated circuit chip. , 50 and 70) were cut. However, in this case, a short circuit may occur in an ACF bonding process connecting the integrated circuit chip and the pads 30, 50, and 70 after cutting by the laser. Therefore, there is a need for a seedage organic electroluminescent cell capable of preventing the short circuit.

본 발명의 목적은 레이저에 의해 패드들과 연결부들 사이의 연결이 절단된 후 단락이 방지되는 씨오지형 유기 전계 발광 셀을 제공하는 것이다.  It is an object of the present invention to provide a seedage type organic electroluminescent cell in which a short circuit is prevented after the connection between the pads and the connecting portions is cut by the laser.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀은 인듐주석산화물층들, 금속전극층들, 데이터 라인 집적회로부들, 데이터 라인 절단부들, 데이터 라인 연결부, 스캔 라인 집적회로부들, 스캔 라인 절단부들 및 스캔 라인 연결부들을 포함한다. 상기 인듐주석산화물층들은 상기 금속전극층들에 교차하며, 상기 교차하는 영역들에 발광 픽셀들이 형성된다. 상기 데이터 라인 집적회로부들은 상기 인듐주석산화물층들에 각기 결합된다. 상기 데이터 라인 절단부들은 상기 데이터 라인 집적회로부들에 각기 결합되며, 각기 데이터 라인 도전층과 그 위에 부분적으로 증착된 데이터 라인 절연막을 가진다. 상기 데이터 라인 연결부는 상기 데이터 라인 절단부들을 연결한다. 상기 스캔 라인 집적회로부들은 상기 금속전극층들에 각기 결합된다. 상기 스캔 라인 절단부들은 상기 스캔 라인 집적회로부들에 각기 결합되며, 각기 스캔 라인 도전층과 그 위에 부분적으로 증착된 스캔 라인 절연막을 가진다. 상기 스캔 라인 연결부는 상기 스캔 라인 절단부들을 연결한다.In order to achieve the object as described above, the sea-geo type organic electroluminescent cell according to a preferred embodiment of the present invention is indium tin oxide layers, metal electrode layers, data line integrated circuits, data line cutouts, data lines Connections, scan line integrated circuits, scan line cutouts and scan line connections. The indium tin oxide layers intersect the metal electrode layers, and light emitting pixels are formed in the intersecting regions. The data line integrated circuit units are respectively coupled to the indium tin oxide layers. The data line cutouts are respectively coupled to the data line integrated circuit parts and each has a data line conductive layer and a data line insulating film partially deposited thereon. The data line connection unit connects the data line cutouts. The scan line integrated circuit units are respectively coupled to the metal electrode layers. The scan line cutouts are respectively coupled to the scan line integrated circuit parts and each has a scan line conductive layer and a scan line insulating film partially deposited thereon. The scan line connection unit connects the scan line cutouts.

본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀은 인듐주석산화물층들, 금속전극층들, 데이터 라인 집적회로부들, 데이터 라인 절단부들, 데이터 라인 연결부, 제 1 스캔 라인 집적회로부들, 제 1 스캔 라인 절단부들, 제 1 스캔 라인 연결부, 제 2 스캔 라인 집적회로부들, 제 2 스캔 라인 절단부들 및 제 2 스캔 라인 연결부를 포함한다. 상기 인듐주석산화물층들과 상기 금속층들은 교차하며, 상기 교차하는 영역에 발광 픽셀들이 형성된다. 상기 데이터 라인 집적회로부들은 상기 인듐주석산화물층들에 각기 결합된다. 상기 데이터 라인 절단부들은 상기 데이터 라인 집적회로부들에 각기 결합되며, 각기 데이터 라인 도전층과 그 위에 부분적으로 증착된 데이터 라인 절연막을 가진다. 상기 데이터 라인 연결부는 상기 데이터 라인 집적회로부들을 연결한다. 상기 제 1 스캔 라인 집적회로부들은 상기 금속전극층들 중 일부에 각기 결합된다. 상기 제 1 스캔 라인 절단부들은 상기 제 1 스캔 라인 집적회로부들에 각기 결합되며, 각기 제 1 스캔 라인 도전층과 그 위에 부분적으로 증착된 제 1 스캔 라인 절연막을 가진다. 상기 제 1 스캔 라인 연결부는 상기 제 1 스캔 라인 절단부들을 연결한다. 상기 제 2 스캔 라인 집적회로부들은 상기 금속전극층들 중 나머지 금속전극층들에 각기 결합된다. 상기 제 2 스캔 라인 절단부들은 상기 제 2 스캔 라인 집적회로부들에 각기 결합되며, 각기 제 2 스캔 라인 도전층과 그 위에 부분적으로 증착된 제 2 스캔 라인 절연막을 가진다. 상기 제 2 스캔 라인 연결부는 상기 제 2 스캔 라인 절단부들을 연결한다. According to another preferred embodiment of the present invention, the sea-gauge organic electroluminescent cell may include indium tin oxide layers, metal electrode layers, data line integrated circuit units, data line cutting units, data line connectors, first scan line integrated circuit units, And first scan line cutouts, first scan line cutouts, second scan line integrated circuits, second scan line cutouts, and second scan line cutouts. The indium tin oxide layers and the metal layers intersect, and light emitting pixels are formed in the intersecting regions. The data line integrated circuit units are respectively coupled to the indium tin oxide layers. The data line cutouts are respectively coupled to the data line integrated circuit parts and each has a data line conductive layer and a data line insulating film partially deposited thereon. The data line connection unit connects the data line integrated circuit units. The first scan line integrated circuit units are respectively coupled to some of the metal electrode layers. The first scan line cutouts are respectively coupled to the first scan line integrated circuit portions, each having a first scan line conductive layer and a first scan line insulating film partially deposited thereon. The first scan line connection unit connects the first scan line cutouts. The second scan line integrated circuit units are respectively coupled to the remaining metal electrode layers of the metal electrode layers. The second scan line cutouts are respectively coupled to the second scan line integrated circuit portions and each has a second scan line conductive layer and a second scan line insulating film partially deposited thereon. The second scan line connection unit connects the second scan line cutouts.

본 발명에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀에서, 절단부들이 도전층 위에 절연막을 포함하므로, 상기 절단부들이 레이저에 의해 절단된 후 집적회로칩과 연결되는 경우에도 단락이 발생되지 않는다. In the seed-type organic electroluminescent cell according to the present invention, since the cutouts include an insulating film on the conductive layer, a short circuit does not occur even when the cutouts are cut by the laser and then connected to the integrated circuit chip.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀의 바람직한 실시예들을 자세히 설명하도록 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail preferred embodiments of the sea-gauge organic electroluminescent cell according to the present invention.

도 2a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀들을 포함하는 기판을 도시한 평면도이다. FIG. 2A is a plan view illustrating a substrate including seedage-type organic electroluminescent cells according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2a를 참조하면, 상기 기판은 복수의 셀들을 포함하고, 상기 각 셀들은 셀부, 데이터 라인 패드들, 데이터 라인 연결부, 데이터 라인 전극부, 제 1 스캔 라인 패드들, 제 1 스캔 라인 연결부, 제 1 스캔 라인 전극부, 제 2 스캔 라인 패드들, 제 2 스캔 라인 연결부 및 제 2 스캔 라인 전극부를 포함한다. 이에 대한 자세한 설명은 이하 첨부된 도면을 참조하여 상술하겠다. Referring to FIG. 2A, the substrate includes a plurality of cells, wherein each of the cells includes a cell unit, data line pads, data line connectors, data line electrode units, first scan line pads, first scan line connectors, and a first cell. And a first scan line electrode part, second scan line pads, a second scan line connection part, and a second scan line electrode part. Detailed description thereof will be described below with reference to the accompanying drawings.

도 2b는 도 2a의 B 부분을 확대하여 도시한 평면도이다. FIG. 2B is an enlarged plan view of a portion B of FIG. 2A.

도 2b를 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 셀은 셀부(110), 데이터 라인 패드들(130), 데이터 라인 연결부(150), 데이터 라인 전극부(170), 제 1 스캔 라인 패드들(190), 제 1 스캔 라인 연결부(210), 제 1 스캔 라인 전극부(230), 제 2 스캔 라인 패드들(250), 제 2 스캔 라인 연결부(270) 및 제 2 스캔 라인 전극부(290)를 포함한다. Referring to FIG. 2B, the organic electroluminescent cell of the present invention includes the cell unit 110, the data line pads 130, the data line connection unit 150, the data line electrode unit 170, and the first scan line pads 190. ), The first scan line connection unit 210, the first scan line electrode unit 230, the second scan line pads 250, the second scan line connection unit 270, and the second scan line electrode unit 290. Include.

셀부(110)는 인듐주석산화물층들(Indium Tin Oxide Films, 이하 "ITO층들"이라 함)과 금속전극층들이 교차하는 영역에 형성되는 픽셀들을 포함한다. The cell unit 110 includes pixels formed in a region where indium tin oxide layers (hereinafter, referred to as “ITO layers”) and the metal electrode layers intersect.

상기 각 픽셀들은 순차적으로 적층된 상기 ITO층, 유기물층 및 상기 금속전극층을 포함하고, 상기 ITO층에 양의 전압이 인가되고 상기 금속전극층에 음의 전압이 인가된 경우 소정 파장의 빛을 발생시킨다. Each of the pixels includes the ITO layer, the organic material layer, and the metal electrode layer, which are sequentially stacked, and generate light having a predetermined wavelength when a positive voltage is applied to the ITO layer and a negative voltage is applied to the metal electrode layer.

상기 유기물층은 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL), 정송 수송층(Hole Transporting Layer, HTL), 발광층(Emitting Layer, ETL), 전자 수송층(Electron Transporting Layer, ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer, EIL)을 포함한다. 또는, 상기 유기물층은 상기 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층만을 포함한다. The organic layer may include a hole injection layer (HIL), a hole transporting layer (HTL), an emission layer (ETL), an electron transporting layer (ETL), and an electron injection layer (ETL). EIL). Alternatively, the organic material layer includes only the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer.

데이터 라인 패드들(130)은 데이터 라인 집적회로부들(130a) 및 데이터 라인 절단부들(130b)을 포함한다. The data line pads 130 include data line integrated circuit units 130a and data line cutouts 130b.

데이터 라인 집적회로부들(130a)은 상기 ITO층들에 결합되고, 픽셀 불량 검출시 외부의 불량 검출 장치로부터 데이터 라인 전극부(170), 데이터 라인 연결부(150) 및 데이터 라인 절단부들(130b)을 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 ITO층들에 제공한다. 그 결과, 상기 전압이 양의 전압인 경우, 상기 ITO층들은 정공들을 상기 유기물층에 제공한다. 또한, 데이터 라인 집적회로부들(130a)은 구동 회로를 가지는 집적회로칩(Intergrated Circuit Chip)과 연결된다. 다만, 본 발명의 발광 셀이 씨오지형 유기 전계 발광 셀(Chip On Glass typed Organic Electroluminescent cell, COG typed Organic Electroluminescent cell)이므로, 상기 집적회로칩이 씨오에프형 셀(Chip On Film typed Organic Electroluminescent cell, COF typed Organic Electroluminescent cell)과 달리 상기 유기 전계 발광 셀 위에서 데이터 라인 접적회로부들(130a)과 연결된다. The data line integrated circuit units 130a are coupled to the ITO layers, and the data line integrated circuit units 130a are connected to the ITO layers through the data line electrode unit 170, the data line connection unit 150, and the data line cutouts 130b from an external defect detection device. Provide a predetermined voltage applied to the ITO layers. As a result, when the voltage is a positive voltage, the ITO layers provide holes to the organic material layer. In addition, the data line integrated circuit units 130a are connected to an integrated circuit chip having a driving circuit. However, since the light emitting cell of the present invention is a chip on glass type organic electroluminescent cell (COG typed organic electroluminescent cell), the integrated circuit chip is a chip on film type organic electroluminescent cell, Unlike the COF typed organic electroluminescent cell, the organic light emitting cell is connected to the data line integrated circuit units 130a.

데이터 라인 절단부들(130b)은 데이터 라인 집적회로부들(130a)과 데이터 라인 연결부(150) 사이에 결합되고, 도전체인 데이터 라인 도전층과 그 위에 부분적 으로 증착된 데이터 라인 절연막들을 포함하며, 픽셀 불량 검출 후 상기 데이터 라인 절연막들 사이 부분이 레이저에 의해 절단된다. 이에 대한 자세한 설명은 이하 첨부된 도면을 참조하여 상술하겠다. 또한, 데이터 라인 절단부들(130b)은 상기 불량 검출 장치로부터 데이터 라인 전극부(170) 및 데이터 라인 연결부(150)를 통하여 인가된 전압을 데이터 라인 집적회로부들(130a)에 제공한다. 그러므로, 데이터 라인 절단부들(130b) 중 절단되는 부분은 레이저에 의해 절단이 잘 되는 물질, 데이터 라인 절단부들(130b)은 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 또는 몰리브덴(Mo) 등과 같은 금속 또는 인듐주석산화물층으로 이루어진다. The data line cutouts 130b are coupled between the data line integrated circuit units 130a and the data line connectors 150 and include a data line conductive layer, which is a conductor, and data line insulating films partially deposited thereon, and have pixel defects. After detection, portions between the data line insulating films are cut by the laser. Detailed description thereof will be described below with reference to the accompanying drawings. In addition, the data line cutouts 130b provide the data line integrated circuit units 130a with a voltage applied from the failure detection device through the data line electrode unit 170 and the data line connection unit 150. Therefore, the cut portion of the data line cutouts 130b is a material that is easily cut by the laser, and the data line cutouts 130b are made of metal or indium such as chromium (Cr), aluminum (Al), or molybdenum (Mo). It consists of a tin oxide layer.

데이터 라인 연결부(150)는 데이터 라인 패드들(130)을 연결하고, 도전체로서 단락(short)되어 있다. 그러므로, 데이터 라인 연결부(150)는 상기 불량 검출 장치로부터 데이터 라인 전극부(170)를 통하여 인가된 전압을 데이터 라인 패드들(130)에 동일하게 제공한다. The data line connector 150 connects the data line pads 130 and is shorted as a conductor. Therefore, the data line connector 150 equally provides the data line pads 130 with the voltage applied from the failure detection device through the data line electrode unit 170.

데이터 라인 전극부(170)는 픽셀 불량 검출시 그 위에 상기 불량 검출 장치의 소정 핀이 접촉되어 소정의 전압이 인가되고, 상기 인가된 전압을 데이터 라인 연결부(150) 및 데이터 라인 패드들(130)을 통하여 상기 ITO층들에 제공한다. 그러므로, 데이터 라인 전극부(170)는 도전체로서, 예를 들어 금속이다. When the data line electrode unit 170 detects a pixel defect, a predetermined pin of the defect detection apparatus contacts the predetermined pin to apply a predetermined voltage, and the applied voltage is applied to the data line connection unit 150 and the data line pads 130. It is provided to the ITO layer through. Therefore, the data line electrode portion 170 is a conductor, for example, metal.

제 1 스캔 라인 패드들(190)은 제 1 스캔 라인 집적회로부들(190a) 및 제 1 스캔 라인 절단부들(190b)을 포함한다. The first scan line pads 190 include first scan line integrated circuit units 190a and first scan line cutouts 190b.

제 1 스캔 라인 집적회로부들(190a)은 상기 금속전극층들 중 일부 금속전극층들에 결합되고, 픽셀 불량 검출시 상기 불량 검출 장치로부터 제 1 스캔 라인 전 극부(230), 제 1 스캔 라인 연결부(210) 및 제 1 스캔 라인 절단부들(190b)을 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 일부 금속전극층들에 제공한다. 그 결과, 상기 전압이 음의 전압인 경우, 상기 일부 금속전극층들은 전자들을 상기 유기물층에 제공한다. 또한, 제 1 스캔 라인 집적회로부들(190a)은 구동 회로를 가지는 집적회로칩과 연결된다. The first scan line integrated circuit parts 190a are coupled to some of the metal electrode layers of the metal electrode layers, and the first scan line electrode 230 and the first scan line connector 210 are connected to the first scan line electrode 230 from the failure detection device when pixel defects are detected. ) And a predetermined voltage applied through the first scan line cutouts 190b to the metal electrode layers. As a result, when the voltage is a negative voltage, the some metal electrode layers provide electrons to the organic layer. In addition, the first scan line integrated circuit units 190a are connected to an integrated circuit chip having a driving circuit.

제 1 스캔 라인 절단부들(190b)은 제 1 스캔 라인 집적회로부들(190a)과 제 1 스캔 라인 연결부(210) 사이에 결합되고, 도전체인 제 1 스캔 라인 도전층과 그 위에 부분적으로 증착된 제 1 스캔 라인 절연막들을 포함하며, 픽셀 불량 검출 후 상기 제 1 스캔 라인 절연막들 사이 부분이 레이저에 의해 절단된다. 이에 대한 자세한 설명은 이하 첨부된 도면을 참조하여 상술하겠다. 또한, 제 1 스캔 라인 절단부들(190b)은 상기 불량 검출 장치로부터 제 1 스캔 라인 전극부(230)를 통하여 인가된 전압을 제 1 스캔 라인 집적회로부들(190a)에 제공한다. 그러므로, 제 1 스캔 라인 절단부들(190b) 중 절단되는 부분은 레이저에 의해 절단이 잘 되는 물질, 예를 들어 제 1 스캔 라인 절단부들(190b)은 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 또는 몰리브덴(Mo) 등과 같은 금속 또는 인듐주석산화물층으로 형성된다. The first scan line cutouts 190b are coupled between the first scan line integrated circuit units 190a and the first scan line connection unit 210, and have a first scan line conductive layer, which is a conductor, and a partially deposited thereon. 1 scan line insulating films, wherein a portion between the first scan line insulating films is cut by a laser after pixel defect detection. Detailed description thereof will be described below with reference to the accompanying drawings. In addition, the first scan line cutouts 190b provide the first scan line integrated circuit units 190a with a voltage applied from the failure detection apparatus through the first scan line electrode unit 230. Therefore, a portion of the first scan line cutouts 190b that is cut may be a material that is easily cut by a laser, for example, the first scan line cuts 190b may include chromium (Cr), aluminum (Al), or molybdenum ( It is formed of a metal or indium tin oxide layer such as Mo).

제 1 스캔 라인 연결부(210)는 제 1 스캔 라인 패드들(190)을 연결하고, 도전체로서 단락되어 있다. 그러므로, 제 1 스캔 라인 연결부(210)는 상기 불량 검출 장치로부터 제 1 스캔 라인 전극부(230)를 통하여 인가된 전압을 제 1 스캔 라인 패드들(190)에 동일하게 제공한다. The first scan line connector 210 connects the first scan line pads 190 and is short-circuited as a conductor. Therefore, the first scan line connection unit 210 equally provides the first scan line pads 190 with the voltage applied from the failure detection device through the first scan line electrode unit 230.

제 1 스캔 라인 전극부(230)는 픽셀 불량 검출시 그 위에 상기 불량 검출 장 치의 소정 핀이 접촉되어 소정의 전압이 인가되고, 상기 인가된 전압을 제 1 스캔 라인 연결부(210) 및 제 1 스캔 라인 패드들(190)을 통하여 상기 일부 금속전극층들에 제공한다. 그러므로, 제 1 스캔 라인 전극부(230)는 도전체로서, 예를 들어 금속이다. When the first scan line electrode unit 230 detects a pixel defect, a predetermined pin of the defect detection device contacts the predetermined pin to apply a predetermined voltage, and the applied voltage is applied to the first scan line connection unit 210 and the first scan. The metal pads may be provided to the metal electrode layers through line pads 190. Therefore, the first scan line electrode portion 230 is a conductor, for example, metal.

제 2 스캔 라인 패드들(250)은 제 2 스캔 라인 집적회로부들(250a) 및 제 2 스캔 라인 절단부들(250b)을 포함한다.  The second scan line pads 250 include second scan line integrated circuit portions 250a and second scan line cutouts 250b.

제 2 스캔 라인 집적회로부들(250a)은 상기 금속전극층들 중 나머지 금속전극층들에 결합된다. 예를 들어, 제 1 스캔 라인 패드들(190)이 상기 금속전극층들 중 홀수번째 금속전극층들에 결합되는 경우, 제 2 스캔 라인 집적회로부들(250a)은 상기 금속전극층들 중 짝수번째 금속전극층들에 결합된다. 또한, 제 2 스캔 라인 집적회로부들(250a)은 픽셀 불량 검출시 상기 불량 검출 장치로부터 제 2 스캔 라인 전극부(290), 제 2 스캔 라인 연결부(270) 및 제 2 스캔 라인 절단부들(250b)을 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 나머지 금속전극층들에 제공한다. 그 결과, 상기 전압이 음의 전압인 경우, 상기 나머지 금속전극층들은 전자들을 상기 유기물층에 제공한다. 게다가, 제 2 스캔 라인 집적회로부들(250a)은 구동 회로를 가지는 집적회로칩과 연결된다. The second scan line integrated circuit units 250a are coupled to the remaining metal electrode layers of the metal electrode layers. For example, when the first scan line pads 190 are coupled to odd-numbered metal electrode layers of the metal electrode layers, the second scan line integrated circuit units 250a may be even-numbered metal electrode layers of the metal electrode layers. Is coupled to. In addition, the second scan line integrated circuit units 250a may include the second scan line electrode unit 290, the second scan line connection unit 270, and the second scan line cutouts 250b from the defect detection apparatus when the pixel defect is detected. Predetermined voltage applied through the remaining metal electrode layers is provided. As a result, when the voltage is a negative voltage, the remaining metal electrode layers provide electrons to the organic layer. In addition, the second scan line integrated circuit units 250a are connected to an integrated circuit chip having a driving circuit.

제 2 스캔 라인 절단부들(250b)은 제 2 스캔 라인 집적회로부들(250a)과 제 2 스캔 라인 연결부(270) 사이에 결합되고, 도전체인 제 2 스캔 라인 도전층과 그 위에 부분적으로 증착된 제 2 스캔 라인 절연막들을 포함하며, 픽셀 불량 검출 후 상기 제 2 스캔 라인 절연막들 사이 부분이 레이저에 의해 절단된다. 이에 대한 자 세한 설명은 이하 첨부된 도면을 참조하여 상술하겠다. 또한, 제 2 스캔 라인 절단부들(250b)은 상기 불량 검출 장치로부터 제 2 스캔 라인 전극부(290)를 통하여 인가된 전압을 제 2 스캔 라인 집적회로부들(250a)에 제공한다. 그러므로, 제 2 스캔 라인 절단부들(250b) 중 절단되는 부분이 레이저에 의해 절단이 잘 되는 물질, 예를 들어 제 2 스캔 라인 절단부들(250b)은 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 또는 몰리브덴(Mo) 등과 같은 금속 또는 인듐주석산화물층으로 형성된다. The second scan line cutouts 250b are coupled between the second scan line integrated circuit portions 250a and the second scan line connection 270, and have a second scan line conductive layer, which is a conductor, and a partially deposited thereon. 2 scan line insulating films, wherein a portion between the second scan line insulating films is cut by a laser after pixel defect detection. Detailed description thereof will be described below with reference to the accompanying drawings. In addition, the second scan line cutouts 250b provide the second scan line integrated circuit units 250a with a voltage applied from the failure detection apparatus through the second scan line electrode unit 290. Therefore, a material in which the cut portion of the second scan line cut portions 250b is easily cut by the laser, for example, the second scan line cut portions 250b may be formed of chromium (Cr), aluminum (Al), or molybdenum ( It is formed of a metal or indium tin oxide layer such as Mo).

제 2 스캔 라인 연결부(270)는 제 2 스캔 라인 패드들(250)을 연결하고, 도전체로서 단락되어 있다. 그러므로, 제 2 스캔 라인 연결부(270)는 상기 불량 검출 장치로부터 제 2 스캔 라인 전극부(290)를 통하여 인가된 전압을 제 2 스캔 라인 패드들(250)에 동일하게 제공한다. The second scan line connector 270 connects the second scan line pads 250 and is shorted as a conductor. Therefore, the second scan line connector 270 equally provides the second scan line pads 250 with the voltage applied from the failure detection device through the second scan line electrode part 290.

제 2 스캔 라인 전극부(290)는 픽셀 불량 검출시 그 위에 상기 불량 검출 장치의 소정 핀이 접촉되어 소정의 전압이 인가되고, 상기 인가된 전압을 제 2 스캔 라인 연결부(270) 및 제 2 스캔 라인 패드들(250)을 통하여 상기 금속전극층들에 제공한다. 그러므로, 제 2 스캔 라인 전극부(290)는 도전체로서, 예를 들어 금속이다. When the second scan line electrode unit 290 detects a pixel defect, a predetermined pin of the defect detection apparatus contacts the predetermined pin to apply a predetermined voltage, and the applied voltage is applied to the second scan line connection unit 270 and the second scan. The metal pads may be provided to the metal electrode layers through line pads 250. Therefore, the second scan line electrode portion 290 is a conductor, for example, metal.

본 발명의 절단부들(130b, 190b 및 250b)이 상기 절연막들을 포함하고 상기 절연막들 사이 부분이 레이저에 의하여 절단되므로, 절단된 부분이 단락되지 않는다. Since the cutouts 130b, 190b, and 250b of the present invention include the insulating films and a portion between the insulating films is cut by a laser, the cut portions are not shorted.

도 3a는 도 2b의 데이터 라인 절단부를 도시한 단면도이고, 도 3b 및 도 3c는 에이씨에프 본딩(ACF bonding) 과정을 도시한 평면도들이다. 3A is a cross-sectional view illustrating a cut line of the data line of FIG. 2B, and FIGS. 3B and 3C are plan views illustrating an ACF bonding process.

도 3a를 참조하면, 데이터 라인 절단부(130b)는 데이터 라인 도전층(140a) 및 데이터 라인 절연막들(140b)을 포함한다. Referring to FIG. 3A, the data line cutout 130b may include a data line conductive layer 140a and data line insulating layers 140b.

데이터 라인 절연막들(140b)은 데이터 라인 도전층(140a) 위에 증착되고, 데이터 라인 절연막들(140b) 사이 부분이 픽셀 불량 검출 후 레이저에 의해 절단된다. 이어서, 데이터 라인 집적회로부(130a)와 상기 집적회로칩을 연결하기 위해서 상기 ACF 본딩이 행해진다. The data line insulating layers 140b are deposited on the data line conductive layer 140a, and a portion between the data line insulating layers 140b is cut by the laser after pixel defect detection. Subsequently, the ACF bonding is performed to connect the data line integrated circuit unit 130a and the integrated circuit chip.

도 3b 및 도 3c를 참조하면, 상기 ACF 본딩을 위해 ACF 테이프가 데이터 라인 패드들(130), 데이터 라인 연결부(150) 및 데이터 라인 전극부(170)의 위에 형성된다. 상기 ACF 테이프는 도 3b에 도시된 바와 같이 원형의 도전용 볼들을 가진다. 데이터 라인 패드들(130)과 상기 집적회로칩이 연결될 때, 열과 압력에 의해 도전용 볼들이 도 3c에 도시된 바와 같이 타원형으로 변형된다. 이 경우, 도 3c에 도시된 바와 같이 절단된 부분들이 상기 도전용 볼들에 의해 연결될 수 있다. 본 발명의 데이터 라인 절단부(130b)가 데이터 라인 절연막들(140b)을 포함하지 않았다면, 데이터 라인 패드들과 데이터 라인 연결부가 연결되어, 즉 단락되어 레이저에 의한 절단 효과가 발생되지 않을 수 있었다. 그러나, 본 발명의 데이터 라인 절단부(130b)가 데이터 라인 절연막들(140b)을 포함하므로, 도 3c에 도시된 바와 같이 상기 도전용 볼들이 연결된 경우에도 절연막에 의해 전기적 연결이 차단된다. 그 결과, 레이저에 의한 절단 효과가 계속 유지된다. 3B and 3C, an ACF tape is formed on the data line pads 130, the data line connectors 150, and the data line electrode units 170 for the ACF bonding. The ACF tape has circular conductive balls as shown in FIG. 3B. When the data line pads 130 and the integrated circuit chip are connected, the conductive balls are deformed into ellipses as shown in FIG. 3C by heat and pressure. In this case, the cut portions may be connected by the conductive balls as shown in FIG. 3C. If the data line cutout 130b of the present invention did not include the data line insulating layers 140b, the data line pads and the data line connection part were connected, that is, shorted, so that the cutting effect by the laser could not occur. However, since the data line cutout 130b of the present invention includes the data line insulating layers 140b, the electrical connection is blocked by the insulating layer even when the conductive balls are connected as shown in FIG. 3C. As a result, the cutting effect by the laser is maintained.

제 1 및 제 2 스캔 라인 절단부들(190b 및 250b)은 데이터 라인 절단부들(130b)와 동일하게 도전층 위에 절연막들이 증착된다. The first and second scan line cutouts 190b and 250b are deposited on the conductive layer in the same manner as the data line cutouts 130b.

도 4는 도 2b의 셀부를 개략적으로 도시한 평면도이다.4 is a plan view schematically illustrating the cell unit of FIG. 2B.

도 4를 참조하면, 셀부(110)는 ITO층들(300) 및 금속전극층들(320)을 포함한다. Referring to FIG. 4, the cell unit 110 includes ITO layers 300 and metal electrode layers 320.

ITO층들(300)과 금속전극층들(320)은 서로 교차하며, 상기 교차하는 영역에 픽셀들이 형성된다. The ITO layers 300 and the metal electrode layers 320 cross each other, and pixels are formed in the crossing regions.

이하에서는 픽셀 불량 검출 과정에 대하여 상술하겠다. Hereinafter, a pixel defect detection process will be described in detail.

우선, 상기 유기 전계 발광 셀의 점등 검사 과정을 상술하겠다. First, the lighting inspection process of the organic electroluminescent cell will be described in detail.

데이터 라인 패드들(130)에 소정의 양의 전압이 인가되고, 제 1 스캔 라인 패드들(190)에 소정의 음의 전압이 인가되며, 제 2 스캔 라인 패드들(250)에 상기 음의 전압이 인가된다. 이어서, 데이터 라인 패드들(130)은 상기 인가된 양의 전압을 ITO층들(300)에 제공하고, 제 1 스캔 라인 패드들(190)은 상기 인가된 음의 전압을 도 2c에 도시된 바와 같이 홀수번째 금속전극층들에 제공하며, 제 2 스캔 라인 패드들(250)은 상기 인가된 음의 전압을 짝수번째 금속전극층들에 제공한다. 그 결과, ITO층들(300)과 금속전극층들(320)이 교차하는 영역에 형성된 픽셀들이 점등된다. 상기 불량 검출 장치는 상기 점등된 픽셀들을 통하여 상기 픽셀들의 점등 불량 여부를 검출한다. 특히, 데이터 라인 연결부(150)를 통하여 데이터 라인 패드들(130)에 동일한 양의 전압이 인가되고 제 1 및 2 스캔 라인 연결부(210 및 270)를 통하여 제 1 및 2 스캔 라인 패드들(190 및 250)에 동일한 음의 전압이 인가되므로, 상기 불량 검출 장치는 상기 픽셀들의 점등 불량을 정확하게 검출할 수 있다. A predetermined positive voltage is applied to the data line pads 130, a predetermined negative voltage is applied to the first scan line pads 190, and the negative voltage is applied to the second scan line pads 250. Is applied. The data line pads 130 then provide the applied positive voltage to the ITO layers 300, and the first scan line pads 190 provide the applied negative voltage as shown in FIG. 2C. The second scan line pads 250 provide the applied negative voltage to the even-numbered metal electrode layers. As a result, the pixels formed in the region where the ITO layers 300 and the metal electrode layers 320 intersect are turned on. The failure detection device detects whether the pixels are poor in lighting through the lit pixels. In particular, the same amount of voltage is applied to the data line pads 130 through the data line connector 150 and the first and second scan line pads 190 and the first and second scan line connectors 210 and 270. Since the same negative voltage is applied to 250, the failure detection apparatus can accurately detect a lighting failure of the pixels.

다음으로, 누설 전류(leakage current) 검출 과정을 상술하겠다. Next, the leakage current detection process will be described in detail.

데이터 라인 패드들(130)에 소정의 음의 전압이 인가되고, 제 1 및 2 스캔 라인 패드들(190 및 250)에 소정의 양의 전압이 인가된다. 이어서, 데이터 라인 패드들(130)은 상기 인가된 음의 전압을 ITO층들(300)에 제공하고, 제 1 및 2 스캔 라인 패드들(190 및 250)은 상기 인가된 양의 전압을 각기 홀수번째 금속전극층들 및 짝수번째 금속전극층들에 제공한다. 이 경우, 상기 픽셀들이 불량하지 않으면, 상기 픽셀들에 역방향 전압이 인가되므로 상기 픽셀들을 통하여 상기 누설 전류가 흐르지 않는다. 다만, 실제적으로는 미세한 전류가 흐른다. 반면에, 상기 픽셀들이 불량한 경우, 예를 들어 상기 픽셀들 중 일부 픽셀이 단락된 경우, 상기 불량을 가진 픽셀들을 통하여 누설 전류가 흐른다. 이어서, 상기 불량 검출 장치는 상기 누설 전류를 측정하여 상기 픽셀들에 불량이 발생되었다고 판단한다. A predetermined negative voltage is applied to the data line pads 130, and a predetermined positive voltage is applied to the first and second scan line pads 190 and 250. Subsequently, the data line pads 130 provide the applied negative voltage to the ITO layers 300, and the first and second scan line pads 190 and 250 respectively supply the applied positive voltage to an odd number. Metal electrode layers and even metal electrode layers. In this case, if the pixels are not bad, a reverse voltage is applied to the pixels so that the leakage current does not flow through the pixels. In reality, however, a minute current flows. On the other hand, when the pixels are bad, for example when some of the pixels are shorted, a leakage current flows through the bad pixels. Subsequently, the failure detecting apparatus measures the leakage current to determine that a failure occurs in the pixels.

도 5는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 셀을 도시한 평면도이다. 5 is a plan view illustrating an organic electroluminescent cell according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 5을 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 셀은 셀부(400), 데이터 라인 패드들(420), 데이터 라인 연결부(440), 데이터 라인 전극부(460), 스캔 라인 패드들(480), 스캔 라인 연결부(500) 및 스캔 라인 전극부(520)를 포함한다. Referring to FIG. 5, the organic electroluminescent cell of the present invention includes a cell unit 400, data line pads 420, data line connection unit 440, data line electrode unit 460, scan line pads 480, The scan line connection part 500 and the scan line electrode part 520 are included.

셀부(400)는 복수의 ITO층들과 복수의 금속전극층들을 포함하고, 상기 ITO층들과 상기 금속전극층들이 교차하는 영역에 형성되는 복수의 픽셀들을 가진다. The cell unit 400 includes a plurality of ITO layers and a plurality of metal electrode layers, and has a plurality of pixels formed in an area where the ITO layers and the metal electrode layers intersect.

데이터 라인 패드들(420)은 데이터 라인 집적회로부들(420a) 및 데이터 라인 절단부들(420b)을 포함한다. The data line pads 420 include data line integrated circuit portions 420a and data line cutouts 420b.

데이터 라인 집적회로부들(420a)은 상기 ITO층들에 결합되고, 픽셀 불량 검 출시 외부의 불량 검출 장치로부터 데이터 라인 전극부(460), 데이터 라인 연결부(440) 및 데이터 라인 절단부들(420b)을 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 ITO층들에 제공한다. 그 결과, 상기 전압이 양의 전압인 경우, 상기 ITO층들은 정공들을 상기 유기물층에 제공한다. 또한, 데이터 라인 집적회로부들(420a)은 구동 회로를 가지는 집적회로칩과 연결된다. The data line integrated circuit units 420a are coupled to the ITO layers, and are connected to the ITO layers through the data line electrode unit 460, the data line connection unit 440, and the data line cutouts 420b from a failure detection apparatus outside the pixel defect detection system. Provide a predetermined voltage applied to the ITO layers. As a result, when the voltage is a positive voltage, the ITO layers provide holes to the organic material layer. In addition, the data line integrated circuit units 420a are connected to an integrated circuit chip having a driving circuit.

데이터 라인 절단부들(420b)은 데이터 라인 집적회로부들(420a)과 데이터 라인 연결부(440) 사이에 결합되고, 도전체인 데이터 라인 도전층과 그 위에 부분적으로 증착된 데이터 라인 절연막들을 포함하며, 픽셀 불량 검출 후 상기 데이터 라인 절연막들 사이 부분이 레이저에 의해 절단된다. 또한, 데이터 라인 절단부들(420b)은 상기 불량 검출 장치로부터 데이터 라인 전극부(460) 및 데이터 라인 연결부(440)를 통하여 인가된 전압을 데이터 라인 집적회로부들(420a)에 제공한다. 그러므로, 데이터 라인 절단부들(420b) 중 절단되는 부분은 레이저에 의해 절단이 잘 되는 물질, 예를 들어, 데이터 라인 절단부들(420b)은 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 또는 몰리브덴(Mo) 등과 같은 금속 또는 인듐주석산화물층으로 형성된다. The data line cutouts 420b are coupled between the data line integrated circuits 420a and the data line connectors 440, and include a data line conductive layer, which is a conductor, and data line insulating films partially deposited thereon, and have pixel defects. After detection, portions between the data line insulating films are cut by the laser. In addition, the data line cutouts 420b provide the data line integrated circuit units 420a with a voltage applied from the failure detection device through the data line electrode unit 460 and the data line connection unit 440. Therefore, the cut portion of the data line cut portions 420b is a material that is easily cut by a laser, for example, the data line cut portions 420b may be formed of chromium (Cr), aluminum (Al), molybdenum (Mo), or the like. It is formed of the same metal or indium tin oxide layer.

데이터 라인 연결부(440)는 데이터 라인 패드들(420)을 연결하고, 도전체로서 단락되어 있다. 그러므로, 데이터 라인 연결부(440)는 상기 불량 검출 장치로부터 데이터 라인 전극부(460)를 통하여 인가된 전압을 데이터 라인 패드들(420)에 동일하게 제공한다. The data line connector 440 connects the data line pads 420 and is shorted as a conductor. Therefore, the data line connection part 440 provides the data line pads 420 with the voltage applied from the failure detection device through the data line electrode part 460.

데이터 라인 전극부(460)는 픽셀 불량 검출시 그 위에 상기 불량 검출 장치의 소정 핀이 접촉되어 소정의 전압이 인가되고, 상기 인가된 전압을 데이터 라인 연결부(440) 및 데이터 라인 패드들(420)을 통하여 상기 ITO층들에 제공한다. 그러므로, 데이터 라인 전극부(460)는 도전체로서, 예를 들어 금속이다. In the data line electrode unit 460, when a pixel defect is detected, a predetermined pin of the defect detection apparatus contacts the predetermined pin to apply a predetermined voltage, and the applied voltage is applied to the data line connection unit 440 and the data line pads 420. It is provided to the ITO layer through. Therefore, the data line electrode portion 460 is a conductor, for example, metal.

스캔 라인 패드들(480)은 스캔 라인 집적회로부들(480a) 및 스캔 라인 절단부들(480b)을 포함한다. Scan line pads 480 include scan line integrated circuit portions 480a and scan line cutouts 480b.

스캔 라인 집적회로부들(480a)은 상기 금속전극층들에 결합되고, 픽셀 불량 검출시 상기 불량 검출 장치로부터 스캔 라인 전극부(520), 스캔 라인 연결부(500) 및 스캔 라인 절단부들(480b)을 통하여 인가된 소정의 전압을 상기 금속전극층들에 제공한다. 그 결과, 상기 전압이 음의 전압인 경우, 상기 금속전극층들은 전자들을 상기 유기물층에 제공한다. 또한, 스캔 라인 집적회로부들(480a)은 구동 회로를 가지는 집적회로칩과 연결된다. Scan line integrated circuit units 480a are coupled to the metal electrode layers, and the scan line electrode unit 520, the scan line connection unit 500, and the scan line cutouts 480b are provided from the defect detection apparatus when the pixel defect is detected. The applied predetermined voltage is applied to the metal electrode layers. As a result, when the voltage is a negative voltage, the metal electrode layers provide electrons to the organic material layer. In addition, the scan line integrated circuit units 480a are connected to an integrated circuit chip having a driving circuit.

스캔 라인 절단부들(480b)은 스캔 라인 집적회로부들(480a)과 스캔 라인 연결부(500) 사이에 결합되며, 도전체인 스캔 라인 도전층과 그 위에 부분적으로 증착된 스캔 라인 절연막들을 포함하며, 픽셀 불량 검출 후 상기 스캔 라인 절연막들 사이 부분이 레이저에 의해 절단된다. 또한, 스캔 라인 절단부들(480b)은 상기 불량 검출 장치로부터 스캔 라인 전극부(520) 및 스캔 라인 연결부(500)를 통하여 인가된 전압을 스캔 라인 집적회로부들(480a)에 제공한다. 그러므로, 스캔 라인 절단부들(480b) 중 절단되는 부분은 레이저에 의해 절단이 잘 되는 물질, 예를 들어, 스캔 라인 절단부들(480b)은 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 또는 몰리브덴(Mo) 등과 같은 금속 또는 인듐주석산화물층으로 형성된다. The scan line cutouts 480b are coupled between the scan line integrated circuit units 480a and the scan line connectors 500, and include scan line conductive layers, which are conductors, and scan line insulating films partially deposited thereon, and have pixel defects. After detection, portions between the scan line insulating films are cut by a laser. In addition, the scan line cutoff parts 480b provide the scan line integrated circuit parts 480a with a voltage applied from the failure detection apparatus through the scan line electrode part 520 and the scan line connection part 500. Therefore, a portion of the scan line cutouts 480b may be cut by a laser material, for example, the scan line cutouts 480b may be formed of chromium (Cr), aluminum (Al), or molybdenum (Mo). It is formed of the same metal or indium tin oxide layer.

스캔 라인 연결부(500)는 스캔 라인 패드들(480)을 연결하고, 도전체로서 단 락되어 있다. 그러므로, 스캔 라인 연결부(500)는 상기 불량 검출 장치로부터 스캔 라인 전극부(520)를 통하여 인가된 전압을 스캔 라인 패드들(480)에 동일하게 제공한다. The scan line connection unit 500 connects the scan line pads 480 and is shorted as a conductor. Therefore, the scan line connection unit 500 equally provides the scan line pads 480 with the voltage applied from the failure detection apparatus through the scan line electrode unit 520.

스캔 라인 전극부(520)는 픽셀 불량 검출시 그 위에 상기 불량 검출 장치의 소정 핀이 접촉되어 소정의 전압이 인가되고, 상기 인가된 전압을 스캔 라인 연결부(500) 및 스캔 라인 패드들(480)을 통하여 상기 금속전극층들에 제공한다. 그러므로, 스캔 라인 전극부(520)는 도전체로서, 예를 들어 금속이다. When the scan line electrode 520 detects a pixel defect, a predetermined pin of the defect detection apparatus contacts the predetermined pin to apply a predetermined voltage, and the scan line connection part 500 and the scan line pads 480 are applied to the scan line electrode part 520. It provides to the metal electrode layers through. Therefore, the scan line electrode portion 520 is a conductor, for example, metal.

상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다. Preferred embodiments of the present invention described above are disclosed for purposes of illustration, and those skilled in the art having ordinary knowledge of the present invention will be able to make various modifications, changes, additions within the spirit and scope of the present invention, such modifications, changes and Additions should be considered to be within the scope of the following claims.

이상에서 설명한 바와 같이, 발명에 따른 씨오지형 유기 전계 발광 셀에서, 절단부들이 도전층 위에 절연막을 포함하므로, 상기 절단부들이 레이저에 의해 절단된 후 집적회로칩과 연결되는 경우에도 단락이 발생되지 않는 장점이 있다. As described above, in the sea-gauge organic electroluminescent cell according to the present invention, since the cutouts include an insulating layer on the conductive layer, a short circuit does not occur even when the cutouts are cut by a laser and connected to an integrated circuit chip. There is an advantage.

Claims (7)

애노드에 상응하는 인듐주석산화물층들 및 캐소드에 상응하는 금속전극층들이 교차하는 영역들에 형성되는 발광 픽셀들을 포함하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀에 있어서,In a seedage type organic electroluminescent cell comprising light emitting pixels formed in regions where indium tin oxide layers corresponding to an anode and metal electrode layers corresponding to a cathode intersect, 상기 인듐주석산화물층들에 각기 결합되는 복수의 데이터 라인 집적회로부들;A plurality of data line integrated circuit units respectively coupled to the indium tin oxide layers; 상기 데이터 라인 집적회로부들에 각기 결합되며, 각기 데이터 라인 도전층과 그 위에 부분적으로 증착된 데이터 라인 절연막을 가지는 복수의 데이터 라인 절단부들;A plurality of data line cutoff portions coupled to the data line integrated circuit portions, each having a data line conductive layer and a data line insulating film partially deposited thereon; 상기 데이터 라인 절단부들을 연결하는 데이터 라인 연결부;A data line connection unit connecting the data line cutting units; 상기 금속전극층들에 각기 결합되는 복수의 스캔 라인 집적회로부들;A plurality of scan line integrated circuit units respectively coupled to the metal electrode layers; 상기 스캔 라인 집적회로부들에 각기 결합되며, 각기 스캔 라인 도전층과 그 위에 부분적으로 증착된 스캔 라인 절연막을 가지는 복수의 스캔 라인 절단부들; 및A plurality of scan line cutoff portions respectively coupled to the scan line integrated circuit portions, each scan line conductive portion having a scan line conductive layer and a scan line insulating film partially deposited thereon; And 상기 스캔 라인 절단부들을 연결하는 스캔 라인 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀.And a scan line connection unit connecting the scan line cutouts to each other. 제 1 항에 있어서, 상기 데이터 라인 연결부에 결합되고, 픽셀 불량 검출시 불량 검출 장치의 소정 핀이 접촉되어 소정의 전압이 인가되는 데이터 라인 전극 부; 및The display device of claim 1, further comprising: a data line electrode part coupled to the data line connection part and configured to contact a predetermined pin of the failure detection device when a pixel failure is detected and apply a predetermined voltage; And 상기 스캔 라인 연결부에 결합되고, 상기 불량 검출 장치의 소정 핀이 접촉되어 소정의 전압이 인가되는 스캔 라인 전극부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀. And a scan line electrode unit coupled to the scan line connection unit and contacting a predetermined pin of the failure detection device to apply a predetermined voltage. 제 1 항에 있어서, 상기 데이터 라인 도전층들 및 스캔 라인 도전층들은 금속 또는 인듐주석산화물층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀.The CIO type organic electroluminescent cell of claim 1, wherein the data line conductive layers and the scan line conductive layers are formed of a metal or an indium tin oxide layer. 제 1 항에 있어서, 픽셀 불량 검출 후 상기 절단부들 중 도전층으로만 이루어진 부분은 레이저에 의해서 각기 절단되는 것을 특징으로 하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀.The seaside type organic electroluminescent cell according to claim 1, wherein after the pixel defect is detected, portions of the cut portions formed only of the conductive layer are respectively cut by a laser. 애노드에 상응하는 인듐주석산화물층들 및 캐소드에 상응하는 금속전극층들이 교차하는 영역들에 형성되는 발광 픽셀들을 포함하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀에 있어서,In a seedage type organic electroluminescent cell comprising light emitting pixels formed in regions where indium tin oxide layers corresponding to an anode and metal electrode layers corresponding to a cathode intersect, 상기 인듐주석산화물층들에 각기 결합되는 복수의 데이터 라인 집적회로부들;A plurality of data line integrated circuit units respectively coupled to the indium tin oxide layers; 상기 데이터 라인 집적회로부들에 각기 결합되며, 각기 데이터 라인 도전층과 그 위에 부분적으로 증착된 데이터 라인 절연막을 가지는 복수의 데이터 라인 절단부들;A plurality of data line cutoff portions coupled to the data line integrated circuit portions, each having a data line conductive layer and a data line insulating film partially deposited thereon; 상기 데이터 라인 집적회로부들을 연결하는 데이터 라인 연결부;A data line connection unit connecting the data line integrated circuit units; 상기 금속전극층들 중 일부에 각기 결합되는 복수의 제 1 스캔 라인 집적회로부들;A plurality of first scan line integrated circuit units respectively coupled to some of the metal electrode layers; 상기 제 1 스캔 라인 집적회로부들에 각기 결합되며, 각기 제 1 스캔 라인 도전층과 그 위에 부분적으로 증착된 제 1 스캔 라인 절연막을 가지는 복수의 제 1 스캔 라인 절단부들;A plurality of first scan line cutoff portions coupled to the first scan line integrated circuit portions, each having a first scan line conductive layer and a first scan line insulating film partially deposited thereon; 상기 제 1 스캔 라인 절단부들을 연결하는 제 1 스캔 라인 연결부;A first scan line connector connecting the first scan line cutouts; 상기 금속전극층들 중 나머지 금속전극층들에 각기 결합되는 복수의 제 2 스캔 라인 집적회로부들;A plurality of second scan line integrated circuit units respectively coupled to the remaining metal electrode layers of the metal electrode layers; 상기 제 2 스캔 라인 집적회로부들에 각기 결합되며, 각기 제 2 스캔 라인 도전층과 그 위에 부분적으로 증착된 제 2 스캔 라인 절연막을 가지는 복수의 제 2 스캔 라인 절단부들; 및 A plurality of second scan line cutoff portions coupled to the second scan line integrated circuit portions, each having a second scan line conductive layer and a second scan line insulating film partially deposited thereon; And 상기 제 2 스캔 라인 절단부들을 연결하는 제 2 스캔 라인 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀. And a second scan line connection unit connecting the second scan line cutouts. 제 5 항에 있어서, 상기 데이터 라인 연결부에 결합되고, 픽셀 불량 검출시 불량 검출 장치의 소정의 핀이 접촉되어 소정의 전압이 인가되는 데이터 라인 전극부;The display apparatus of claim 5, further comprising: a data line electrode unit coupled to the data line connection unit and configured to contact a predetermined pin of a failure detection device to apply a predetermined voltage when detecting a pixel failure; 상기 제 1 스캔 라인 연결부에 결합되고, 상기 불량 검출 장치의 소정 핀이 접촉되어 소정의 전압이 인가되는 제 1 스캔 라인 전극부; 및A first scan line electrode part coupled to the first scan line connection part and contacting a predetermined pin of the failure detection device to apply a predetermined voltage; And 상기 제 2 스캔 라인 연결부에 결합되고, 상기 불량 검출 장치의 소정 핀이 접촉되어 소정의 전압이 인가되는 제 2 스캔 라인 전극부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀. And a second scan line electrode part coupled to the second scan line connection part and contacting a predetermined pin of the failure detection device to apply a predetermined voltage. 제 5 항에 있어서, 픽셀 불량 검출 후 상기 절단부들 중 도전층으로만 이루어진 부분은 레이저에 의해서 각기 절단되는 것을 특징으로 하는 씨오지형 유기 전계 발광 셀.6. The seedling type organic electroluminescent cell according to claim 5, wherein after the pixel defect is detected, portions of the cut portions formed only of the conductive layer are respectively cut by a laser.
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