KR100612119B1 - Panel for detecting defect of an luminescence pixel - Google Patents

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Abstract

본 발명은 더미 픽셀을 이용하는 발광 픽셀 불량 검출용 패널에 관한 것이다. 상기 패널은 데이터 라인들, 스캔 라인들, 발광 픽셀들 및 제 1 더미 픽셀을 포함한다. 상기 데이터 라인들은 애노드 전극에 상응하며, 상기 스캔 라인들은 캐소드 전극에 상응하고 순차적으로 형성되며 플로팅(floating)되어 있다. 상기 발광 픽셀들은 상기 데이터 라인들과 상기 스캔 라인들이 교차하는 영역들에 형성된다. 상기 제 1 더미 픽셀은 상기 스캔 라인들 중 하나인 제 1 스캔 라인과 상기 데이터 라인들에 평행한 제 1 더미 라인이 교차하는 영역에 형성된다. 불량 검출 장치는 상기 제 1 더미 라인에 소정의 양의 전압을 인가하고 상기 데이터 라인들에 소정의 음의 전압을 인가하여 상기 발광 픽셀들의 불량을 검출한다. 상기 패널이 더미 픽셀을 이용하므로, 저가의 불량 검출 장비를 이용함에 의해 상기 발광 픽셀들의 불량이 검출된다. The present invention relates to a light emitting pixel failure detection panel using a dummy pixel. The panel includes data lines, scan lines, light emitting pixels and a first dummy pixel. The data lines correspond to an anode electrode, and the scan lines correspond to the cathode electrode and are sequentially formed and floating. The light emitting pixels are formed in regions where the data lines intersect the scan lines. The first dummy pixel is formed in an area where a first scan line, which is one of the scan lines, and a first dummy line parallel to the data lines cross each other. The failure detection apparatus detects a failure of the light emitting pixels by applying a predetermined positive voltage to the first dummy line and applying a predetermined negative voltage to the data lines. Since the panel uses dummy pixels, defects of the light emitting pixels are detected by using low cost defect detection equipment.

패널, 발광 픽셀, 데이터 라인, 스캔 라인, 더미 픽셀Panel, emitting pixels, data lines, scan lines, dummy pixels

Description

발광 픽셀 불량 검출용 패널{PANEL FOR DETECTING DEFECT OF AN LUMINESCENCE PIXEL}PANEL FOR DETECTING DEFECT OF AN LUMINESCENCE PIXEL}

도 1은 종래의 발광 픽셀 불량 검출용 패널을 도시한 회로도이다. 1 is a circuit diagram showing a conventional light emitting pixel failure detection panel.

도 2a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광 픽셀 불량 검출용 패널을 도시한 평면도이다. 2A is a plan view illustrating a light emitting pixel defect detection panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2b는 도 2a의 발광 픽셀 불량 검출용 패널을 도시한 회로도이다. FIG. 2B is a circuit diagram illustrating the light emitting pixel defect detection panel of FIG. 2A.

도 3a는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 발광 픽셀 불량 검출용 패널을 도시한 평면도이다. 3A is a plan view illustrating a light emitting pixel defect detection panel according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 3b는 도 3a의 발광 픽셀 불량 검출용 패널을 도시한 회로도이다. FIG. 3B is a circuit diagram illustrating the light emitting pixel defect detection panel of FIG. 3A.

도 4a는 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 발광 픽셀 불량 검출용 패널을 도시한 평면도이다. 4A is a plan view illustrating a light emitting pixel defect detection panel according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 4b는 도 4a의 발광 픽셀 불량 검출용 패널을 도시한 회로도이다. FIG. 4B is a circuit diagram illustrating the light emitting pixel defect detection panel of FIG. 4A.

본 발명은 유기 전계 발광 소자에 있어서 발광 픽셀 불량 검출용 패널에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 더미 픽셀을 이용하는 발광 픽셀 불량 검출용 패널에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a panel for detecting light emitting pixel defects in an organic electroluminescent element, and more particularly, to a panel for detecting light emitting pixel defects using dummy pixels.

발광 픽셀 불량 검출용 패널은 불량 여부가 검출되는 발광 픽셀들을 포함하는 패널을 의미한다. The light emitting pixel failure detecting panel refers to a panel including light emitting pixels in which a defect is detected.

도 1은 종래의 발광 픽셀 불량 검출용 패널의 회로를 도시한 평면도이다.1 is a plan view showing a circuit of a conventional light emitting pixel defect detection panel.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 패널은 복수의 발광 픽셀들을 포함한다. 상세하게는, 데이터 라인들(D)과 스캔 라인들(S)이 교차하는 영역, 즉 액티브 영역(active region)에 상기 발광 픽셀들이 형성된다. As shown in FIG. 1, the panel of the present invention includes a plurality of light emitting pixels. In detail, the light emitting pixels are formed in an area where the data lines D and the scan lines S intersect, that is, an active region.

도 1에서 알 수 있듯이, 상기 발광 픽셀들은 양단에 순방향 전압이 인가되는 경우 발광하고, 역방향 전압이 인가되는 경우 발광하지 않는다. 다만, 상기 발광 픽셀에 순방향 전압이 인가된 경우에도, 상기 발광 픽셀의 양단의 전압차가 그의 문턱전압 이상이어야 한다. As can be seen in FIG. 1, the light emitting pixels emit light when a forward voltage is applied to both ends, and does not emit light when a reverse voltage is applied. However, even when a forward voltage is applied to the light emitting pixel, the voltage difference between both ends of the light emitting pixel must be equal to or higher than its threshold voltage.

불량 검출 장치는 상기 발광 픽셀들의 불량을 검출하기 위하여 역방향 전압, 즉 데이터 라인들에 소정의 음의 전압을 인가하고 스캔 라인들에 소정의 양의 전압을 인가한다. 이 경우, 정상적인 발광 픽셀인 경우, 이의 양단에 인가되는 전압이 역방향 전압이므로 발광하지 않는다. 반면에, 불량난 발광 픽셀의 경우, 양단 사이가 단락되므로 이의 양단에 인가되는 전압이 역방향 전압임에도 불구하고 상기 발광 픽셀에 소정의 전류, 즉 누설 전류(leakage)가 흐른다. 이 때, 상기 불량 검출 장치는 상기 누설 전류를 측정하여 해당 발광 픽셀의 불량 여부를 판단한다. 그러나, 이 경우 상기 불량 검출 장치는 상기 발광 픽셀의 불량 여부를 판단하기 위하 여 상기 측정된 누설 전류뿐만 아니라 노이즈(noise) 등의 많은 관련 요소들을 고려하여야 한다. 그러므로, 상기 발광 픽셀들의 불량을 검출하기 위하여 고가의 불량 검출 장비가 사용되어야 한다. 따라서, 저가의 불량 검출 장비로 발광 픽셀들의 불량을 검출할 수 있는 패널이 요구된다. The failure detection apparatus applies a reverse voltage, that is, a predetermined negative voltage to the data lines and a predetermined positive voltage to the scan lines, to detect the failure of the light emitting pixels. In this case, in the case of a normal light emitting pixel, since the voltage applied to both ends thereof is a reverse voltage, it does not emit light. On the other hand, in the case of a poor light emitting pixel, since a short circuit occurs between both ends, a predetermined current, that is, a leakage current flows in the light emitting pixel even though the voltage applied to the both ends is a reverse voltage. In this case, the failure detecting apparatus measures the leakage current to determine whether the corresponding light emitting pixel is defective. In this case, however, the failure detection apparatus should consider not only the measured leakage current but also many related factors such as noise to determine whether the light emitting pixel is defective. Therefore, expensive defect detection equipment should be used to detect defects of the light emitting pixels. Therefore, there is a need for a panel capable of detecting defects of light emitting pixels with inexpensive defect detection equipment.

본 발명의 목적은 더미 픽셀을 포함하여 저가의 불량 검출 장비로 발광 픽셀들의 불량을 검출할 수 있는 패널을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a panel capable of detecting defects of light emitting pixels with inexpensive defect detection equipment including dummy pixels.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광 픽셀 불량 검출용 패널은 데이터 라인들, 스캔 라인들, 발광 픽셀들 및 제 1 더미 픽셀을 포함한다. In order to achieve the above object, the light emitting pixel failure detection panel according to an exemplary embodiment of the present invention includes data lines, scan lines, light emitting pixels, and a first dummy pixel.

상기 데이터 라인들은 애노드 전극에 상응하며, 상기 스캔 라인들은 캐소드 전극에 상응하고 순차적으로 형성되며 플로팅(floating)되어 있다. 상기 발광 픽셀들은 상기 데이터 라인들과 상기 스캔 라인들이 교차하는 영역들에 형성된다. 상기 제 1 더미 픽셀은 상기 스캔 라인들 중 하나인 제 1 스캔 라인과 상기 데이터 라인들에 평행한 제 1 더미 라인이 교차하는 영역에 형성된다. 불량 검출 장치는 상기 제 1 더미 라인에 소정의 양의 전압을 인가하고 상기 데이터 라인들에 소정의 음의 전압을 인가하여 상기 발광 픽셀들의 불량을 검출한다. The data lines correspond to an anode electrode, and the scan lines correspond to the cathode electrode and are sequentially formed and floating. The light emitting pixels are formed in regions where the data lines intersect the scan lines. The first dummy pixel is formed in an area where a first scan line, which is one of the scan lines, and a first dummy line parallel to the data lines cross each other. The failure detection apparatus detects a failure of the light emitting pixels by applying a predetermined positive voltage to the first dummy line and applying a predetermined negative voltage to the data lines.

본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 발광 픽셀 불량 검출용 패널은 데이터 라인들, 스캔 라인들, 발광 픽셀들 및 더미 픽셀을 포함한다. The light emitting pixel defect detection panel according to another exemplary embodiment of the present invention includes data lines, scan lines, light emitting pixels, and dummy pixels.

상기 데이터 라인들은 애노드 전극에 상응하며, 플로팅(floating)되어 있고, 상기 스캔 라인들은 캐소드 전극에 상응한다. 상기 발광 픽셀들은 상기 데이터 라인들과 상기 스캔 라인들이 교차하는 영역들에 형성된다. 상기 더미 픽셀은 상기 데이터 라인들 중 하나의 데이터 라인과 상기 스캔 라인들에 평행한 더미 라인이 교차하는 영역에 형성된다. 불량 검출 장치는 상기 더미 라인에 소정의 음의 전압을 인가하고 상기 스캔 라인들에 소정의 양의 전압을 인가하여 상기 발광 픽셀들의 불량을 검출한다. The data lines correspond to anode electrodes and are floating, and the scan lines correspond to cathode electrodes. The light emitting pixels are formed in regions where the data lines intersect the scan lines. The dummy pixel is formed in an area where one data line of the data lines intersects a dummy line parallel to the scan lines. The failure detection apparatus detects a failure of the light emitting pixels by applying a predetermined negative voltage to the dummy line and applying a predetermined positive voltage to the scan lines.

본 발명에 따른 발광 픽셀 불량 검출용 패널은 더미 픽셀을 이용하므로, 저가의 불량 검출 장비를 이용하여 상기 발광 픽셀들의 불량 여부를 검출할 수 있다. Since the panel for detecting defective pixel of light emission according to the present invention uses dummy pixels, it is possible to detect whether the emission pixels are defective by using a low cost failure detection equipment.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 발광 픽셀 불량 검출용 패널의 바람직한 실시예들을 자세히 설명하도록 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of a light emitting pixel defect detection panel according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광 픽셀 불량 검출용 패널을 도시한 평면도이다. 2A is a plan view illustrating a light emitting pixel defect detection panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2a를 참조하면, 본 발명의 패널은 복수의 인듐주석산화물층들(Indium Tin Oxide Film, 이하 ITO층이라 함, 100), 유기물층들, 인듐주석산화물층들(100)에 교차하는 복수의 금속전극층들(120), 데이터 라인 패드들(140), 스캔 라인 패드들(160), 더미층(180) 및 더미 라인 패드(200)를 포함하고, 인듐주석산화물층들(100), 유기물층들 및 금속전극층들(120)이 순차적으로 적층된다. 그 결과, 인듐주석산화물층들(100)과 금속전극층들(120)이 교차하는 영역, 즉 액티브 영역(active region)에 복수의 발광 픽셀들이 형성된다. 그러므로, 상기 각 발광 픽셀은 순차적으로 적층된 상기 ITO층, 상기 유기물층 및 상기 금속전극층을 포함한다. 여기서, 상기 유기물층은 정공주입층(Hole Injection Layer, HIL), 정공수송층(Hole Transport Layer, HTL), 발광층(Emitting Layer, ETL), 전자수송층(Electron Transport Layer, ETL), 전자주입층(Electron Injection Layer, EIL)을 포함한다. 또는, 상기 유기물층은 상기 정공 수송층, 발광층 및 전자수송층만을 포함한다. Referring to FIG. 2A, the panel of the present invention includes a plurality of metals crossing the plurality of indium tin oxide layers (hereinafter referred to as ITO layers) 100, the organic material layers, and the indium tin oxide layers 100. Including the electrode layers 120, data line pads 140, scan line pads 160, dummy layer 180 and dummy line pad 200, indium tin oxide layers 100, organic material layers and The metal electrode layers 120 are sequentially stacked. As a result, a plurality of light emitting pixels are formed in an area where the indium tin oxide layers 100 and the metal electrode layers 120 intersect, that is, an active region. Therefore, each light emitting pixel includes the ITO layer, the organic material layer, and the metal electrode layer sequentially stacked. The organic material layer may include a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (ETL), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (Electron Injection). Layer, EIL). Alternatively, the organic material layer includes only the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer.

상기 발광 픽셀에서, 상기 ITO층에 양의 전압이 인가되고 상기 금속전극층에 음의 전압이 인가된 경우, 상기 ITO층은 상기 정공주입층에 정공들을 제공하고 상기 금속층은 상기 전자주입층에 전자들을 제공한다. 이어서, 상기 정공주입층은 상기 제공된 정공들을 상기 정공수송층으로 원할하게 주입시키고, 상기 전자주입층은 상기 제공된 전자들을 상기 전자수송층으로 원할하게 주입시킨다. 계속하여, 상기 정공수송층은 상기 주입된 정공들을 상기 발광층으로 수송하고, 상기 전자수송층은 상기 주입된 전자들을 상기 발광층으로 수송한다. 이어서, 상기 수송된 정공들 및 전자들이 재결합하여 특정 파장의 빛을 발생시킨다. In the light emitting pixel, when a positive voltage is applied to the ITO layer and a negative voltage is applied to the metal electrode layer, the ITO layer provides holes to the hole injection layer and the metal layer transfers electrons to the electron injection layer. to provide. Subsequently, the hole injection layer smoothly injects the provided holes into the hole transport layer, and the electron injection layer smoothly injects the provided electrons into the electron transport layer. Subsequently, the hole transport layer transports the injected holes to the light emitting layer, and the electron transport layer transports the injected electrons to the light emitting layer. The transported holes and electrons then recombine to generate light of a particular wavelength.

데이터 라인 패드들(140)은 ITO층들(100)에 각기 결합되고, 상기 발광 픽셀들의 불량 검출시 불량 검출 장치로부터 인가된 소정의 음의 전압을 ITO층들(100)에 제공한다. The data line pads 140 are respectively coupled to the ITO layers 100, and provide the ITO layers 100 with a predetermined negative voltage applied from the failure detection apparatus when the failure of the light emitting pixels is detected.

스캔 라인 패드들(160)은 금속전극층들(120)에 각기 결합되고, 플로팅(floating) 상태이다. The scan line pads 160 are respectively coupled to the metal electrode layers 120 and are in a floating state.

더미층(180)은 금속전극층들(120) 중 하나의 금속전극층과 교차한다. 공정 단계에서, 더미층(180)이 증착된 후 상기 금속전극층이 그 위에 증착된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 더미층(180)은 ITO층들(100)과 동일한 물질이다. The dummy layer 180 crosses one metal electrode layer of the metal electrode layers 120. In the process step, the dummy layer 180 is deposited and then the metal electrode layer is deposited thereon. The dummy layer 180 according to an embodiment of the present invention is made of the same material as the ITO layers 100.

더미 라인 패드(200)는 더미층(180)에 결합되고, 상기 발광 픽셀들의 불량 검출시 상기 불량 검출 장치로부터 인가된 양의 전압을 더미층(180)에 제공한다. The dummy line pad 200 is coupled to the dummy layer 180, and provides the dummy layer 180 with a positive voltage applied from the failure detection device when the failure of the light emitting pixels is detected.

본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 패널이 해상도가 96×64인 경우, 상기 패널은 96개의 ITO층들, 64개의 금속전극층들 및 1개의 더미층을 가진다. According to one embodiment of the invention, when the panel has a resolution of 96 × 64, the panel has 96 ITO layers, 64 metal electrode layers and one dummy layer.

도 2b는 도 2a의 발광 픽셀 불량 검출용 패널을 도시한 회로도이다. FIG. 2B is a circuit diagram illustrating the light emitting pixel defect detection panel of FIG. 2A.

도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 발광 픽셀들이 ITO층들(100) 및 금속전극층들(120)이 교차하는 영역에 형성된다. 그 결과, 상기 발광 픽셀들 중 불량난 발광 픽셀들은 ITO층들(100)에 상응하는 데이터 라인들(D1 내지 D5) 및 더미층(180)에 상응하는 더미 라인(DM)에서 제공되는 소정의 전압들에 의해 발광한다. As shown in FIG. 2B, the light emitting pixels are formed in a region where the ITO layers 100 and the metal electrode layers 120 intersect. As a result, the defective light emitting pixels among the light emitting pixels are predetermined voltages provided in the data lines D1 to D5 corresponding to the ITO layers 100 and the dummy line DM corresponding to the dummy layer 180. It emits light by

도 2b에서 알 수 있듯이, 상기 각 발광 픽셀들은 순방향 전압이 인가되는 경우 발광하고, 역방향 전압이 인가되는 경우 발광하지 않는다. 다만, 상기 발광 픽셀에 순방향 전압이 인가된 경우에도, 상기 발광 픽셀의 양단의 전압차가 그의 문턱전압 이상이어야 한다. As shown in FIG. 2B, each of the light emitting pixels emits light when a forward voltage is applied and does not emit light when a reverse voltage is applied. However, even when a forward voltage is applied to the light emitting pixel, the voltage difference between both ends of the light emitting pixel must be equal to or higher than its threshold voltage.

이하, 상기 발광 픽셀들의 불량 검출 과정을 상술하겠다. Hereinafter, the defect detection process of the light emitting pixels will be described in detail.

상기 데이터 라인들(D1 내지 D5)을 통하여 소정의 음의 전압이 인가되고, 상기 더미 라인(DM)을 통하여 소정의 양의 전압이 인가된다. A predetermined negative voltage is applied through the data lines D1 through D5, and a predetermined positive voltage is applied through the dummy line DM.

상기 더미 라인(DM)에 상기 양의 전압이 인가되면, 더미 픽셀(DE)을 통하여 스캔 라인들(S1 내지 S6)에 양의 전압이 인가된다. When the positive voltage is applied to the dummy line DM, a positive voltage is applied to the scan lines S1 to S6 through the dummy pixel DE.

즉, 상기 데이터 라인들(D1 내지 D5)에는 상기 음의 전압이 인가되고 상기 스캔 라인들(S1 내지 S6)에는 상기 양의 전압이 인가되므로, 상기 발광 픽셀들에는 역방향 전압이 인가된다. 즉, 상기 발광 픽셀의 ITO층에는 상기 음의 전압이 인가되고, 상기 금속전극층에는 상기 양의 전압이 인가된다.That is, since the negative voltage is applied to the data lines D1 to D5 and the positive voltage is applied to the scan lines S1 to S6, a reverse voltage is applied to the light emitting pixels. That is, the negative voltage is applied to the ITO layer of the light emitting pixel, and the positive voltage is applied to the metal electrode layer.

이 때, 정상적인 발광 픽셀의 경우에는 상기 발광층으로 정공들 및 전자들이 제공되지 않으므로 어떠한 전류도 흐르지 않는다. 반면에, 불량을 가지는 불량 발광 픽셀의 경우에는 상기 발광층으로 정공들 및 전자들이 제공되어 소정의 전류, 즉 누설 전류(leakage current)가 흐른다. 다만, 정상적인 발광 픽셀의 경우에도 실제적으로는 미세한 전류가 흐르나 발광 픽셀의 동작에는 영향을 미치지 아니한다. At this time, in the case of a normal light emitting pixel, no current flows because holes and electrons are not provided to the light emitting layer. On the other hand, in the case of a defective light emitting pixel having a defect, holes and electrons are provided to the light emitting layer so that a predetermined current, that is, a leakage current flows. However, even in the case of a normal light emitting pixel, a minute electric current actually flows but does not affect the operation of the light emitting pixel.

예를 들어, 상기 발광층에 금속 파티클(particle)이 포함되어 상기 ITO층과 금속전극층이 연결되어 단락(short)된 불량 발광 픽셀의 경우, 상기 불량 발광 픽셀의 양단에 역방향 전압이 인가되었음에도 불구하고 정공들 및 전자들이 상기 발광층으로 제공되어 상기 누설 전류가 상기 발광 픽셀에 흐른다. 그러므로, 상기 발광 픽셀들에 역방향 전압이 인가된 경우에도 상기 누설 전류가 흐르게 되어 상기 더미 픽셀(DE)에 전류가 흐르게 되고, 그래서 상기 더미 픽셀(DE)이 발광한다. 상기 더미 픽셀(DE)이 발광하면, 상기 불량 검출 장치는 해당 패널을 불량난 패널로 판단한다. For example, in the case of a bad light emitting pixel in which the metal layer is included in the light emitting layer and the ITO layer and the metal electrode layer are shorted, a hole is applied despite the reverse voltage applied to both ends of the bad light emitting pixel. And electrons are provided to the light emitting layer so that the leakage current flows in the light emitting pixel. Therefore, even when a reverse voltage is applied to the light emitting pixels, the leakage current flows so that a current flows in the dummy pixel DE, so that the dummy pixel DE emits light. When the dummy pixel DE emits light, the failure detecting apparatus determines that the panel is a defective panel.

제 1 발광 픽셀(E33)에서, 상기 음의 전압이 제 3 데이터 라인을 통하여 상기 제 1 발광 픽셀(E33)의 ITO층에 인가되고 상기 양의 전압이 더미 라인(DM), 더 미 픽셀(DE), 제 1 스캔 라인(S1) 및 제 3 스캔 라인(S3)를 통하여 금속전극층에 인가된다. 이 때, 상기 제 1 발광 픽셀(E33)이 불량난 픽셀인 경우, 상기 제 1 발광 픽셀(E33)에 누설 전류가 흐르게 되고, 그 결과 상기 더미 픽셀(DE)의 양단에 순방향 전압이 인가되어 상기 더미 픽셀(DE)이 발광한다. In the first light emitting pixel E33, the negative voltage is applied to the ITO layer of the first light emitting pixel E33 via a third data line, and the positive voltage is applied to the dummy line DM and the dummy pixel DE. ) Is applied to the metal electrode layer through the first scan line S1 and the third scan line S3. At this time, when the first light emitting pixel E33 is a defective pixel, a leakage current flows in the first light emitting pixel E33, and as a result, a forward voltage is applied to both ends of the dummy pixel DE, thereby The dummy pixel DE emits light.

종래 기술은 상기 더미 픽셀(DE)을 포함하지 않았다. 그래서, 불량 검출 장치는 데이터 라인들에 음의 전압을 인가하고 스캔 라인들에 양의 전압을 인가하여 패널에 흐르는 전류를 측정하고, 상기 측정된 전류값을 기준 전류값과 비교하여 상기 패널의 불량 여부를 판단하였다. 그러나. 이 경우에, 상기 측정된 전류값뿐만 아니라 노이즈(noise) 등이 고려되어야 하므로 상기 불량 검출 장치는 고가의 장비이어야 했다. 반면에, 본 발명의 패널은 상기 더미 픽셀(DE)을 포함하므로, 불량 검출 장치는 상기 더미 픽셀(DE)의 발광 여부만을 검출하여 해당 발광 픽셀의 불량 여부를 판단한다. 그러므로, 본 발명의 패널이 불량 검출 대상으로 사용되면, 저가의 불량 검출 장치로도 상기 발광 픽셀들의 불량이 판별된다. 또한, 상기 불량 검출 장치는 상기 더미 픽셀(DE)을 이용하여 상기 발광 픽셀의 양단에 순방향 전압을 인가하여 점등 검사도 할 수 있다. The prior art does not include the dummy pixel DE. Thus, the failure detection device applies a negative voltage to the data lines and a positive voltage to the scan lines to measure the current flowing through the panel, and compares the measured current value with a reference current value to determine the failure of the panel. Judgment was made. But. In this case, the failure detection apparatus had to be expensive equipment because noise as well as the measured current value had to be considered. On the other hand, since the panel of the present invention includes the dummy pixel DE, the failure detection apparatus detects only the emission of the dummy pixel DE to determine whether the corresponding emission pixel is defective. Therefore, when the panel of the present invention is used as a defect detection object, the failure of the light emitting pixels can be determined even by a low cost failure detection apparatus. In addition, the failure detection apparatus may also perform a lighting test by applying a forward voltage to both ends of the light emitting pixel using the dummy pixel DE.

도 3a는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 발광 픽셀 불량 검출용 패널을 도시한 평면도이다. 3A is a plan view illustrating a light emitting pixel defect detection panel according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 3a를 참조하면, 본 발명의 패널은 복수의 인듐주석산화물층들(300), 유기물층들, 인듐주석산화물층들(300)에 교차하는 복수의 금속전극층들(320), 데이터 라인 패드들(340), 제 1 스캔 라인 패드들(360), 제 2 스캔 라인 패드들(380), 제 1 더미층(400), 제 1 더미 라인 패드(420), 제 2 더미층(440) 및 제 2 더미 라인 패드(460)를 포함한다. 또한, 인듐주석산화물층들(300)과 금속전극층들(320)이 교차하는 영역, 즉 액티브 영역(active region)에 복수의 발광 픽셀들이 형성된다. Referring to FIG. 3A, the panel of the present invention includes a plurality of indium tin oxide layers 300, organic material layers, a plurality of metal electrode layers 320 and data line pads crossing the indium tin oxide layers 300. 340, the first scan line pads 360, the second scan line pads 380, the first dummy layer 400, the first dummy line pad 420, the second dummy layer 440, and the second A dummy line pad 460. In addition, a plurality of light emitting pixels are formed in an area where the indium tin oxide layers 300 and the metal electrode layers 320 intersect, that is, an active region.

데이터 라인 패드들(340)은 ITO층들(300)에 각기 결합되고, 상기 발광 픽셀들의 불량 검출시 불량 검출 장치로부터 인가된 소정의 음의 전압을 ITO층들(300)에 제공한다. The data line pads 340 are respectively coupled to the ITO layers 300, and provide the ITO layers 300 with a predetermined negative voltage applied from the failure detection apparatus when the failure of the light emitting pixels is detected.

제 1 스캔 라인 패드들(360)은 금속전극층들(320) 중 일부 금속전극층들에 각기 결합되고, 플로팅 상태이다.The first scan line pads 360 are respectively coupled to some metal electrode layers of the metal electrode layers 320 and are in a floating state.

제 2 스캔 라인 패드들(380)은 금속전극층들(320) 중 나머지 금속전극층들에 각기 결합되고, 플로팅 상태이다. The second scan line pads 380 are respectively coupled to the remaining metal electrode layers of the metal electrode layers 320 and are in a floating state.

예를 들어, 제 1 스캔 라인 패드들(360)이 금속전극층들(320) 중 짝수번째 금속전극층들에 결합된 경우, 상기 제 2 스캔 라인 패드들(380)은 금속전극층들(320) 중 홀수번째 금속전극층들에 결합된다. For example, when the first scan line pads 360 are coupled to even-numbered metal electrode layers of the metal electrode layers 320, the second scan line pads 380 are odd of the metal electrode layers 320. The second metal electrode layers.

제 1 더미층(400)은 금속전극층들(320) 중 하나의 금속전극층과 교차한다. The first dummy layer 400 intersects one metal electrode layer of the metal electrode layers 320.

제 1 더미 라인 패드(420)는 제 1 더미층(400)에 결합되고, 상기 발광 픽셀들의 불량 검출시 상기 불량 검출 장치로부터 인가된 소정의 양의 전압을 금속전극층들(320) 중 일부 금속전극층들에 제공한다. The first dummy line pad 420 is coupled to the first dummy layer 400, and the metal electrode layer of the metal electrode layers 320 may be provided with a predetermined amount of voltage applied from the failure detection device when the light emission pixels are detected. To give.

제 2 더미층(440)은 금속전극층들(320) 중 하나의 금속전극층과 교차한다. The second dummy layer 440 crosses one metal electrode layer of the metal electrode layers 320.

제 2 더미 라인 패드(460)는 제 2 더미층(440)에 결합되고, 상기 발광 픽셀들의 불량 검출시 상기 불량 검출 장치로부터 인가된 상기 양의 전압을 금속전극층 들(320) 중 나머지 금속전극층들에 제공한다. The second dummy line pad 460 is coupled to the second dummy layer 440, and the remaining metal electrode layers of the metal electrode layers 320 receive the positive voltage applied from the fail detection device when the light emitting pixels fail. To provide.

예를 들어, 제 1 더미층(400)이 짝수번째 금속전극층들 중 하나에 결합되는 경우, 제 2 더미층(440)은 홀수번째 금속전극층들 중 하나에 결합된다. For example, when the first dummy layer 400 is coupled to one of the even-numbered metal electrode layers, the second dummy layer 440 is coupled to one of the odd-numbered metal electrode layers.

본 발명의 일 실시예에 따라 상기 패널의 해상도가 96×64인 경우, 상기 패널은 96개의 ITO층들을 가지고 64개의 금속전극층들을 가지며 2개의 더미층들을 가진다. According to an embodiment of the present invention, when the resolution of the panel is 96 × 64, the panel has 96 ITO layers, 64 metal electrode layers, and two dummy layers.

도 3b는 도 3a의 발광 픽셀 불량 검출용 패널을 도시한 회로도이다. FIG. 3B is a circuit diagram illustrating the light emitting pixel defect detection panel of FIG. 3A.

도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 발광 픽셀들이 ITO층들(300) 및 금속전극층들(320)이 교차하는 영역에 형성된다. 그 결과, 상기 발광 픽셀들 중 불량난 발광 픽셀들은 ITO층들(300)에 상응하는 데이터 라인들(D1 내지 D5) 및 제 1 및 2 더미층들(400 및 440)에 상응하는 더미 라인들(DM1 및 DM2)에서 제공되는 소정의 전압들에 의해 발광한다. As shown in FIG. 3B, the light emitting pixels are formed in a region where the ITO layers 300 and the metal electrode layers 320 intersect. As a result, the defective light emitting pixels among the light emitting pixels are the data lines D1 to D5 corresponding to the ITO layers 300 and the dummy lines DM1 corresponding to the first and second dummy layers 400 and 440. And light emission by predetermined voltages provided by DM2).

도 3b에서 알 수 있듯이, 상기 각 발광 픽셀들은 순방향 전압이 인가되는 경우 발광하고, 역방향 전압이 인가되는 경우 발광하지 않는다. 다만, 상기 발광 픽셀에 순방향 전압이 인가된 경우에도, 상기 발광 픽셀의 양단의 전압차가 그의 문턱전압 이상이어야 한다. As shown in FIG. 3B, each of the light emitting pixels emits light when a forward voltage is applied and does not emit light when a reverse voltage is applied. However, even when a forward voltage is applied to the light emitting pixel, the voltage difference between both ends of the light emitting pixel must be equal to or higher than its threshold voltage.

이하, 상기 발광 픽셀들의 불량 검출 과정을 상술하겠다. Hereinafter, the defect detection process of the light emitting pixels will be described in detail.

상기 데이터 라인들(D1 내지 D5)을 통하여 소정의 음의 전압이 인가되고, 상기 더미 라인들(DM1 및 DM2)을 통하여 소정의 양의 전압이 인가된다. A predetermined negative voltage is applied through the data lines D1 through D5, and a predetermined positive voltage is applied through the dummy lines DM1 and DM2.

상기 더미 라인들(DM1 및 DM2)에 상기 양의 전압이 인가되면, 더미 픽셀들 (DE1 및 DE2)을 통하여 스캔 라인들(S1 내지 S6)에 상기 양의 전압이 인가된다. 상세하게는, 상기 제 1 더미 픽셀(DE1)을 통하여 짝수번째 스캔 라인들(S2, S4 및 S6)에 상기 양의 전압이 인가되고, 상기 제 2 더미 픽셀(DE2)을 통하여 홀수번째 스캔 라인들(S1, S3 및 S5)에 상기 양의 전압이 인가된다. When the positive voltage is applied to the dummy lines DM1 and DM2, the positive voltage is applied to the scan lines S1 to S6 through the dummy pixels DE1 and DE2. In detail, the positive voltage is applied to even-numbered scan lines S2, S4, and S6 through the first dummy pixel DE1, and odd-numbered scan lines through the second dummy pixel DE2. The positive voltage is applied to (S1, S3, and S5).

즉, 상기 데이터 라인들(D1 내지 D5)에는 상기 음의 전압이 인가되고 상기 스캔 라인들(S1 내지 S6)에는 상기 양의 전압이 인가되므로, 상기 발광 픽셀들에는 역방향 전압이 인가된다. 즉, 상기 발광 픽셀의 ITO층에는 상기 음의 전압이 인가되고, 상기 금속전극층에는 상기 양의 전압이 인가된다.That is, since the negative voltage is applied to the data lines D1 to D5 and the positive voltage is applied to the scan lines S1 to S6, a reverse voltage is applied to the light emitting pixels. That is, the negative voltage is applied to the ITO layer of the light emitting pixel, and the positive voltage is applied to the metal electrode layer.

이 경우, 정상적인 발광 픽셀의 경우에는 상기 발광층으로 정공들 및 전자들이 제공되지 않으므로 어떠한 전류도 흐르지 않는다. 반면에, 불량을 가지는 불량 발광 픽셀의 경우에는 상기 발광층으로 정공들 및 전자들이 제공되어 소정의 전류, 즉 누설 전류(leakage current)가 흐른다. In this case, in the case of a normal light emitting pixel, no current flows because holes and electrons are not provided to the light emitting layer. On the other hand, in the case of a defective light emitting pixel having a defect, holes and electrons are provided to the light emitting layer so that a predetermined current, that is, a leakage current flows.

제 1 발광 픽셀(E33)에서, 상기 음의 전압이 제 3 데이터 라인을 통하여 상기 제 1 발광 픽셀(E33)의 ITO층에 인가되고 상기 양의 전압이 제 2 더미 라인(DM2), 제 2 더미 픽셀(DE2), 제 1 스캔 라인(S1) 및 제 3 스캔 라인(S3)를 통하여 금속전극층에 인가된다. 이 때, 상기 제 1 발광 픽셀(E33)이 불량난 픽셀인 경우, 상기 제 1 발광 픽셀(E33)에 누설 전류가 흐르게 되고, 그 결과 상기 제 2 더미 픽셀(DE2)의 양단에 순방향 전압이 인가되어 상기 제 2 더미 픽셀(DE2)이 발광한다. 상기 불량 검출 장치는 상기 제 2 더미 픽셀(DE2)의 발광 여부를 검출하여 상기 패널의 불량 여부를 판단한다. In the first light emitting pixel E33, the negative voltage is applied to the ITO layer of the first light emitting pixel E33 via a third data line and the positive voltage is applied to the second dummy line DM2, the second dummy. The metal electrode layer is applied to the metal electrode layer through the pixel DE2, the first scan line S1, and the third scan line S3. At this time, when the first light emitting pixel E33 is a defective pixel, a leakage current flows in the first light emitting pixel E33, and as a result, a forward voltage is applied to both ends of the second dummy pixel DE2. The second dummy pixel DE2 emits light. The failure detecting apparatus detects whether the second dummy pixel DE2 emits light and determines whether the panel is defective.

도 4a는 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 발광 픽셀 불량 검출용 패널을 도시한 평면도이다. 4A is a plan view illustrating a light emitting pixel defect detection panel according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 4a를 참조하면, 본 발명의 패널은 복수의 인듐주석산화물층들(500), 유기물층들, 인듐주석산화물층들(500)에 교차하는 복수의 금속전극층들(520), 데이터 라인 패드들(540), 스캔 라인 패드들(560), 더미층(580) 및 더미 라인 패드(600)를 포함하고, 인듐주석산화물층들(500), 유기물층들 및 금속전극층들(520)이 순차적으로 적층된다. 그 결과, 인듐주석산화물층들(500)과 금속전극층들(520)이 교차하는 영역, 즉 액티브 영역(active region)에 복수의 발광 픽셀들이 형성된다. 그러므로, 상기 각 발광 픽셀은 순차적으로 적층된 상기 ITO층, 상기 유기물층 및 상기 금속전극층을 포함한다. Referring to FIG. 4A, the panel of the present invention includes a plurality of indium tin oxide layers 500, organic material layers, a plurality of metal electrode layers 520 and data line pads crossing the indium tin oxide layers 500. 540, scan line pads 560, dummy layer 580, and dummy line pad 600, indium tin oxide layers 500, organic material layers, and metal electrode layers 520 are sequentially stacked. . As a result, a plurality of light emitting pixels are formed in an area where the indium tin oxide layers 500 and the metal electrode layers 520 intersect, that is, an active region. Therefore, each light emitting pixel includes the ITO layer, the organic material layer, and the metal electrode layer sequentially stacked.

데이터 라인 패드들(540)은 ITO층들(500)에 각기 결합되고, 플로팅 상태이다. The data line pads 540 are coupled to the ITO layers 500, respectively, and are in a floating state.

스캔 라인 패드들(560)은 금속전극층들(520)에 각기 결합되고, 상기 발광 픽셀들의 불량 검출시 불량 검출 장치로부터 인가된 소정의 양의 전압을 금속전극층들(520)에 제공한다. The scan line pads 560 are respectively coupled to the metal electrode layers 520, and provide the metal electrode layers 520 with a predetermined amount of voltage applied from the failure detection apparatus when the failure of the light emitting pixels is detected.

더미층(580)은 ITO층들(500) 중 하나의 ITO층과 교차한다. The dummy layer 580 intersects the ITO layer of one of the ITO layers 500.

본 발명의 일 실시예에 따른 더미층(580)은 금속전극층들(520)과 동일한 물질이다. The dummy layer 580 according to the embodiment of the present invention is made of the same material as the metal electrode layers 520.

더미 라인 패드(600)는 더미층(580)에 결합되고, 상기 발광 픽셀들의 불량 검출시 상기 불량 검출 장치로부터 인가된 소정의 음의 전압을 더미층(580)에 제공 한다. The dummy line pad 600 is coupled to the dummy layer 580 and provides the dummy layer 580 with a predetermined negative voltage applied from the failure detection apparatus when the failure of the light emitting pixels is detected.

본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 패널이 해상도가 96×64인 경우, 상기 패널은 96개의 ITO층들을 가지고 64개의 금속전극층들을 가지며 1개의 더미층을 가진다. According to an embodiment of the present invention, when the panel has a resolution of 96 × 64, the panel has 96 ITO layers, 64 metal electrode layers, and one dummy layer.

도 4b는 도 4a의 발광 픽셀 불량 검출용 패널을 도시한 회로도이다. FIG. 4B is a circuit diagram illustrating the light emitting pixel defect detection panel of FIG. 4A.

도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 발광 픽셀들이 ITO층들(500) 및 금속전극층들(520)이 교차하는 영역에 형성된다. 그 결과, 상기 발광 픽셀들 중 불량난 발광 픽셀들은 금속전극층들(520)에 상응하는 스캔 라인들(S1 내지 S6) 및 더미층(580)에 상응하는 더미 라인(DM)에서 제공되는 소정의 전압들에 의해 발광한다. As shown in FIG. 4B, the light emitting pixels are formed in an area where the ITO layers 500 and the metal electrode layers 520 intersect. As a result, the defective light emitting pixels among the light emitting pixels have a predetermined voltage provided in the scan lines S1 to S6 corresponding to the metal electrode layers 520 and the dummy line DM corresponding to the dummy layer 580. It emits light by them.

도 4b에서 알 수 있듯이, 상기 각 발광 픽셀들은 순방향 전압이 인가되는 경우 발광하고, 역방향 전압이 인가되는 경우 발광하지 않는다. 다만, 상기 발광 픽셀에 순방향 전압이 인가된 경우에도, 상기 발광 픽셀의 양단의 전압차가 그의 문턱전압 이상이어야 한다. As shown in FIG. 4B, each of the light emitting pixels emits light when a forward voltage is applied and does not emit light when a reverse voltage is applied. However, even when a forward voltage is applied to the light emitting pixel, the voltage difference between both ends of the light emitting pixel must be equal to or higher than its threshold voltage.

이하, 상기 발광 픽셀들의 불량 검출 과정을 상술하겠다. Hereinafter, the defect detection process of the light emitting pixels will be described in detail.

상기 스캔 라인들(S1 내지 S6)을 통하여 소정의 양의 전압이 인가되고, 상기 더미 라인(DM)을 통하여 소정의 음의 전압이 인가된다. A predetermined positive voltage is applied through the scan lines S1 to S6, and a predetermined negative voltage is applied through the dummy line DM.

상기 더미 라인(DM)에 상기 음의 전압이 인가되면, 더미 픽셀(DE)을 통하여 데이터 라인들(D1 내지 D5)에 음의 전압이 인가된다. When the negative voltage is applied to the dummy line DM, a negative voltage is applied to the data lines D1 to D5 through the dummy pixel DE.

즉, 상기 데이터 라인들(D1 내지 D5)에는 상기 음의 전압이 인가되고 상기 스캔 라인들(S1 내지 S6)에는 상기 양의 전압이 인가되므로, 상기 발광 픽셀들에는 역방향 전압이 인가된다. 즉, 상기 발광 픽셀의 ITO층에는 상기 음의 전압이 인가되고, 상기 금속전극층에는 상기 양의 전압이 인가된다.That is, since the negative voltage is applied to the data lines D1 to D5 and the positive voltage is applied to the scan lines S1 to S6, a reverse voltage is applied to the light emitting pixels. That is, the negative voltage is applied to the ITO layer of the light emitting pixel, and the positive voltage is applied to the metal electrode layer.

이 경우, 정상적인 발광 픽셀의 경우에는 상기 발광층으로 정공들 및 전자들이 제공되지 않으므로 어떠한 전류도 흐르지 않는다. 반면에, 불량을 가지는 불량 발광 픽셀의 경우에는 상기 발광층으로 정공들 및 전자들이 제공되어 소정의 전류, 즉 누설 전류가 흐른다. In this case, in the case of a normal light emitting pixel, no current flows because holes and electrons are not provided to the light emitting layer. On the other hand, in the case of a defective light emitting pixel having a defect, holes and electrons are provided to the light emitting layer so that a predetermined current, that is, a leakage current flows.

제 1 발광 픽셀(E33)에서, 상기 양의 전압이 제 3 스캔 라인(S3)을 통하여 상기 제 1 발광 픽셀(E33)의 금속전극층에 인가되고 상기 음의 전압이 더미 라인(DM), 더미 픽셀(DE), 제 5 데이터 라인(D5) 및 제 3 스캔 라인(S3)를 통하여 ITO층에 인가된다. 이 때, 상기 제 1 발광 픽셀(E33)이 불량난 픽셀인 경우, 상기 제 1 발광 픽셀(E33)에 누설 전류가 흐르게 되고, 그 결과 상기 더미 픽셀(DE)의 양단에 순방향 전압이 인가되어 상기 더미 픽셀(DE)이 발광한다. 상기 불량 검출 장치는 상기 더미 픽셀(DE)의 발광 여부를 검출하여 상기 패널의 불량 여부를 판단한다. In the first light emitting pixel E33, the positive voltage is applied to the metal electrode layer of the first light emitting pixel E33 through the third scan line S3, and the negative voltage is the dummy line DM, the dummy pixel. (DE), the fifth data line D5 and the third scan line S3 are applied to the ITO layer. At this time, when the first light emitting pixel E33 is a defective pixel, a leakage current flows in the first light emitting pixel E33, and as a result, a forward voltage is applied to both ends of the dummy pixel DE, thereby The dummy pixel DE emits light. The failure detecting apparatus detects whether the dummy pixel DE emits light and determines whether the panel is defective.

상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다. Preferred embodiments of the present invention described above are disclosed for purposes of illustration, and those skilled in the art having ordinary knowledge of the present invention will be able to make various modifications, changes, additions within the spirit and scope of the present invention, such modifications, changes and Additions should be considered to be within the scope of the following claims.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 발광 픽셀 불량 검출용 패널은 더미 픽셀을 이용하므로, 저가의 불량 검출 장비를 이용하여 상기 발광 픽셀들의 불량 여부를 검출할 수 있는 장점이 있다.  As described above, since the light emitting pixel failure detecting panel according to the present invention uses dummy pixels, there is an advantage of detecting whether the light emitting pixels are defective by using a low cost defect detecting apparatus.

아울러, 본 발명에 따른 발광 픽셀 불량 검출용 패널은 더미 픽셀을 이용하므로, 발광 픽셀들의 누설 전류 검사 및 점등 검사를 수행할 수 있는 장점이 있다.
In addition, since the light emitting pixel defect detection panel according to the present invention uses dummy pixels, there is an advantage in that leakage current inspection and lighting inspection of the light emitting pixels can be performed.

Claims (5)

애노드 전극에 상응하는 데이터 라인들;Data lines corresponding to the anode electrode; 캐소드 전극에 상응하고, 순차적으로 형성되며, 플로팅(floating)되어 있는 스캔 라인들;Scan lines corresponding to the cathode electrode and sequentially formed and floating; 상기 데이터 라인들과 상기 스캔 라인들이 교차하는 영역들에 형성되는 복수의 발광 픽셀들; 및 A plurality of light emitting pixels formed in regions where the data lines and the scan lines cross each other; And 상기 스캔 라인들 중 하나인 제 1 스캔 라인과 상기 데이터 라인들에 평행한 제 1 더미 라인이 교차하는 영역에 형성되는 제 1 더미 픽셀을 포함하며, A first dummy pixel formed in an area where a first scan line, which is one of the scan lines, and a first dummy line parallel to the data lines cross each other; 불량 검출 장치는 상기 제 1 더미 라인에 소정의 양의 전압을 인가하고 상기 데이터 라인들에 소정의 음의 전압을 인가하여 상기 발광 픽셀들의 불량을 검출하는 발광 픽셀 불량 검출용 패널. The failure detecting apparatus detects a failure of the light emitting pixels by applying a predetermined positive voltage to the first dummy line and applying a predetermined negative voltage to the data lines. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 스캔 라인이 홀수번째 스캔 라인에 상응하는 경우, 짝수번째 스캔 라인에 상응하는 제 2 스캔 라인과 상기 데이터 라인들에 평행한 제 2 더미 라인이 교차하는 영역에 형성되는 제 2 더미 픽셀을 더 포함하고, 상기 스캔 라인들 중 홀수번째 스캔 라인들과 짝수번째 스캔 라인들은 각기 플로팅되어 있으며, 상기 제 2 더미 픽셀에 상기 양의 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 발광 픽셀 불량 검출용 패널. The method of claim 1, wherein when the first scan line corresponds to an odd scan line, a second scan line corresponding to an even scan line and a second dummy line parallel to the data lines cross each other. And a second dummy pixel, wherein odd-numbered scan lines and even-numbered scan lines of the scan lines are respectively floated, and the positive voltage is applied to the second dummy pixel. Panel for defect detection. 제 1 항에 있어서, 상기 발광 픽셀은 순차적으로 적층된 인듐주석산화물층, 유기물층 및 금속전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 픽셀 불량 검출용 패널. The panel of claim 1, wherein the light emitting pixel comprises an indium tin oxide layer, an organic material layer, and a metal electrode layer sequentially stacked. 애노드 전극에 상응하며, 플로팅(floating)되어 있는 데이터 라인들;Floating data lines corresponding to the anode electrode and floating; 캐소드 전극에 상응하는 스캔 라인들;Scan lines corresponding to the cathode electrode; 상기 데이터 라인들과 상기 스캔 라인들이 교차하는 영역들에 형성되는 복수의 발광 픽셀들; 및 A plurality of light emitting pixels formed in regions where the data lines and the scan lines cross each other; And 상기 데이터 라인들 중 하나의 데이터 라인과 상기 스캔 라인들에 평행한 더미 라인이 교차하는 영역에 형성되는 더미 픽셀을 포함하며, A dummy pixel formed in a region where one data line of the data lines and a dummy line parallel to the scan lines cross each other; 불량 검출 장치는 상기 더미 라인에 소정의 음의 전압을 인가하고 상기 스캔 라인들에 소정의 양의 전압을 인가하여 상기 발광 픽셀들의 불량을 검출하는 발광 픽셀 불량 검출용 패널. The defect detecting apparatus applies a predetermined negative voltage to the dummy line and a predetermined positive voltage to the scan lines to detect a defect of the light emitting pixels. 제 4 항에 있어서, 상기 발광 픽셀은 순차적으로 적층된 인듐주석산화물층, 유기물층 및 금속전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 픽셀 불량 검출용 패널. The panel of claim 4, wherein the light emitting pixel comprises an indium tin oxide layer, an organic material layer, and a metal electrode layer sequentially stacked.
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