KR20060005822A - Semiconductor fabricating appratus for diffusion process - Google Patents

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Abstract

가스 분배부와 고정부 사이의 이격으로 인해 발생하는 파티클 소스를 방지할 수 있는 확산 공정용 반도체 제조 장치가 제공된다. 확산 공정용 반도체 제조 장치는 프레임, 프레임의 측면에 형성되어 있으며 반도체 기판을 로딩하기 위한 지지대, 프레임 상에 위치하며 와류 발생을 방지하기 위한 천공들이 형성되어 있는 가스 분배부, 및 가스 분배부를 프레임에 고정시키기 위한 고정부를 포함하는 트레이, 및 트레이가 내부에 장착되며 확산 공정이 수행되는 튜브를 포함한다.Provided is a semiconductor manufacturing apparatus for a diffusion process that can prevent a particle source generated due to a separation between a gas distribution part and a fixed part. The semiconductor manufacturing apparatus for diffusion process is formed on a frame, a side surface of the frame, a support for loading a semiconductor substrate, a gas distribution part formed on the frame and perforations formed to prevent vortex generation, and a gas distribution part on the frame. A tray including a fixing portion for fixing, and a tube in which the tray is mounted and in which a diffusion process is performed.

확산 공정, 반도체 제조 장치, 튜브, 트레이, 가스 분배부, 와류Diffusion Process, Semiconductor Manufacturing Equipment, Tubes, Trays, Gas Distributions, Vortex

Description

확산 공정용 반도체 제조 장치{Semiconductor fabricating appratus for diffusion process}Semiconductor fabrication appratus for diffusion process

도 1a 내지 도 1b는 종래의 확산 공정용 반도체 제조 장치 내부의 가스 분배부의 평면도이다.1A to 1B are plan views of a gas distribution unit inside a semiconductor manufacturing apparatus for a conventional diffusion process.

도 2는 본 발명에 의한 확산 공정용 반도체 제조 장치의 튜브의 사시도이다.It is a perspective view of the tube of the semiconductor manufacturing apparatus for diffusion processes by this invention.

도 3a는 본 발명에 의한 확산 공정용 반도체 제조 장치의 트레이의 사시도이고, 도 3b는 도 3a의 단면도이다.FIG. 3A is a perspective view of a tray of the semiconductor manufacturing apparatus for diffusion process according to the present invention, and FIG. 3B is a cross-sectional view of FIG. 3A.

도 4a 내지 도 4b는 본 발명에 의한 트레이에 설치되는 가스 분배부의 평면도이다.4A to 4B are plan views of the gas distribution unit installed in the tray according to the present invention.

도 5는 본 발명에 의한 천공들이 있는 가스 분배부를 확산 공정용 반도체 제조 장치에 도입할 경우 주입된 반응 가스들의 흐름을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 5 is a view for explaining the flow of reactant gases injected when a gas distribution unit having perforations according to the present invention is introduced into a semiconductor manufacturing apparatus for diffusion process.

본 발명은 확산 공정용 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 특히 기존의 불순물의 확산을 위한 반도체 제조 장치에 있어서 가스 분배부의 구조를 변경하여 확산 공정시 장치내에 와류의 발생으로 인한 문제점을 개선할 수 있는 확산 공정용 반도체 제조 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus for a diffusion process, and in particular, in a semiconductor manufacturing apparatus for diffusing an existing impurity, by changing the structure of a gas distribution part, a diffusion which can improve the problems caused by vortex generation in the apparatus during the diffusion process It relates to a semiconductor manufacturing apparatus for a process.

반도체 장치를 제조하기 위한 공정에 필요한 제조 장치는 여러 가지가 있으나, 그 중에 확산 공정용 반도체 제조 장치는 고온의 열처리를 이용하여 막을 형성하거나 어닐링하는 반도체 제조 장치이다.There are various manufacturing apparatuses required for a process for manufacturing a semiconductor device, among which a semiconductor manufacturing apparatus for diffusion process is a semiconductor manufacturing apparatus for forming or annealing a film using a high temperature heat treatment.

이러한 공정은 약 900 내지 1200℃에 이르는 온도로 제어되는 석영 튜브(Quartz tube) 속에서 이루어지게 되는데, 대체로 30분 내지 수 시간 동안 이루어 지게 된다.This process takes place in a quartz tube (Quartz tube) controlled to a temperature of about 900 to 1200 ° C, which is usually performed for 30 minutes to several hours.

확산 공정용 반도체 제조장치의 석영 튜브 속에는 산소 및 질소 가스나 증기 또는 수소 및 산소 가스 등의 산화제, 즉 반응 가스가 주입되어 실리콘이 산화되면서 단결정체인 웨이퍼 위에 수 천Å (1Å=10-10m)의 산화막을 형성시키도록 하고 있다.In the quartz tube of the semiconductor manufacturing device for diffusion process, oxygen and nitrogen gas or oxidant such as steam or hydrogen and oxygen gas, that is, reactant gas is injected, and silicon is oxidized so that several thousand Å (1Å = 10 -10 m) is placed on the single crystal wafer. To form an oxide film.

도 1a 내지 도 1b는 종래의 확산 공정용 반도체 제조 장치 내부의 가스 분배부의 평면도이다.1A to 1B are plan views of a gas distribution unit inside a semiconductor manufacturing apparatus for a conventional diffusion process.

도 1a는 라운드형 가스 분배부(100)를 나타내고, 도 1b는 플랫형 가스 분배부(110)를 나타낸다.FIG. 1A shows a round gas distributor 100, and FIG. 1B shows a flat gas distributor 110.

도 1a 및 도 1b에 도시한 바와 같이 종래의 가스 분배부(100, 110)는 평판형으로 되어 있어, 반응 가스가 가스 분배부의 평판에 부딪치게 되면 확산 공정용 반도체 제조 설비에 포함되는 석영 튜브 내에는 와류가 자주 발생하게 된다.As shown in FIGS. 1A and 1B, the conventional gas distributors 100 and 110 are in a flat plate shape. When the reaction gas collides with the plate of the gas distributor, the quartz tube included in the semiconductor manufacturing equipment for the diffusion process is Vortex occurs frequently.

이러한 와류의 발생은 확산 공정용 반도체 제조 설비내에 이물질이나 파티클 (Particle)들을 잔류케 하여 반도체 제조 공정상 트러블을 일으키는 요인으로 작용하게 된다.The generation of such vortices causes foreign substances or particles to remain in the semiconductor manufacturing equipment for the diffusion process, causing a problem in the semiconductor manufacturing process.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 확산 공정용 반도체 제조 장치에 있어서 공급되는 반응 가스들의 와류발생으로 인해 생기는 반도체 제조 공정상 트러블을 제거하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to eliminate the trouble in the semiconductor manufacturing process caused by the vortex generation of the reaction gases supplied in the semiconductor manufacturing apparatus for diffusion process.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is not limited to the technical problem mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기의 기술적 과제를 해결하기 위한 확산 공정용 반도체 제조 장치는 프레임, 프레임의 측면에 형성되어 있으며 반도체 기판을 로딩하기 위한 지지대, 프레임 상에 위치하며 와류 발생을 방지하기 위한 천공들이 형성되어 있는 가스 분배부, 및 가스 분배부를 프레임에 고정시키기 위한 고정부를 포함하는 트레이, 및 트레이가 내부에 장착되며 확산 공정이 수행되는 튜브를 포함한다.In order to solve the above technical problem, a semiconductor manufacturing apparatus for a diffusion process is formed on a frame, a side surface of a frame, a support for loading a semiconductor substrate, and a gas powder formed on the frame and having perforations for preventing vortex generation. A tray comprising a backing, and a fixing part for fixing the gas distribution part to the frame, and a tube in which the tray is mounted and in which a diffusion process is performed.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 첨부 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the accompanying drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the technical field to which the present invention belongs. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 2는 본 발명에 의한 확산 공정용 반도체 제조 장치의 튜브의 사시도이다.It is a perspective view of the tube of the semiconductor manufacturing apparatus for diffusion processes by this invention.

도 2에 도시한 바와 같이 확산 공정용 반도체 제조 장치의 튜브(200)는 본체(210), 가스 주입부(220), 가스 배출부(230)으로 구성되어 있다.As shown in FIG. 2, the tube 200 of the semiconductor manufacturing apparatus for diffusion process includes a main body 210, a gas injection unit 220, and a gas discharge unit 230.

본체(210)는 확산 공정이 수행되는 부분으로서, 확산 공정이 고온에서 수행된다는 점, 반도체 기판에 다른 불순물이 침투되지 않아야 한다는점 등을 고려할 때 본체(210)는 석영으로 만드는 것이 바람직하다.The main body 210 is a part where the diffusion process is performed, and considering that the diffusion process is performed at a high temperature and that other impurities do not penetrate into the semiconductor substrate, the main body 210 is preferably made of quartz.

또한, 본체는 육면체 형태로 제작하는 것이 바람직하다.In addition, the main body is preferably produced in the form of a cube.

가스 주입부(220)는 본체(210)의 일측면에 형성되어 있으며, 가스 주입부(220)를 통해 산소, 질소 등과 같은 확산 공정용 반응 가스가 튜브(200) 내로 주입된다. The gas injection unit 220 is formed on one side of the main body 210, and the reaction gas for diffusion process such as oxygen, nitrogen, etc. is injected into the tube 200 through the gas injection unit 220.

또한, 가스 주입부(220)도 본체(210)와 마찬가지로 석영으로 만드는 것이 바람직하다.In addition, the gas injection unit 220 is also preferably made of quartz, similar to the main body 210.

가스 배출부(230)는 본체(210)의 타측면에 형성되어 있고, 후에 반도체 기판이 로딩되는 트레이(도 3의 300참조)가 튜브(200)내에 장착될 수 있도록 입구 역할을 하는 동시에 가스 주입부(220)를 통해 들어온 가스가 튜브(200) 밖으로 흘러 나가도록 하는 역할을 한다. The gas discharge part 230 is formed on the other side of the main body 210, and serves as an inlet so that a tray (see 300 in FIG. 3) to which the semiconductor substrate is loaded later may be mounted in the tube 200. The gas introduced through the portion 220 serves to flow out of the tube 200.                     

다만, 가스 배출부(230)는 확산 공정에서 요구되는 조건에 따라 가스 주입부(220)와 대향되는 방향이 아닌 곳에 위치할 수 도 있으며, 트레이도 가스 배출부(230)를 통해서가 아닌 다른 방식으로 튜브(200)내로 장착될 수도 있다.However, the gas discharge unit 230 may be located in a position other than the direction opposite to the gas injection unit 220 according to the conditions required in the diffusion process, the tray is also other than the gas discharge unit 230 May be mounted into the tube 200.

도 3a는 본 발명에 의한 확산 공정용 반도체 제조 장치의 튜브내에 장착되는 트레이의 사시도이고, 도 3b는 도 3a의 단면도이다.FIG. 3A is a perspective view of a tray mounted in a tube of the semiconductor manufacturing apparatus for diffusion process according to the present invention, and FIG. 3B is a sectional view of FIG. 3A.

그리고, 도 4a 및 도 4b는 본 발명에 의한 트레이에 설치되는 가스 분배부의 평면도이다.4A and 4B are plan views of the gas distribution unit provided in the tray according to the present invention.

도 3a 및 도 3b에 도시한 바와 같이 트레이(300)는 프레임(310), 지지대(320), 연결바(330), 가스 분배부(340, 345), 및 고정부(350)를 포함한다.As shown in FIGS. 3A and 3B, the tray 300 includes a frame 310, a support 320, a connection bar 330, gas distribution parts 340 and 345, and a fixing part 350.

프레임(310)은 한쪽 면이 개방된 사각형 형태로 되어 있다.The frame 310 has a rectangular shape with one side open.

지지대(320)는 막대 모양으로 되어 있으며, 프레임(310)의 닫혀 있는 세 측면의 중앙 부근에 형성되어 있고, 확산 공정을 거치게 될 반도체 기판이 로딩 되는 부분으로서 지지대(320)의 끝에는 반도체 기판이 안착되도록 돌기부(325)가 형성되어 있다.The support 320 has a rod shape and is formed near the center of three closed sides of the frame 310, and is a portion on which the semiconductor substrate to be subjected to the diffusion process is loaded. At the end of the support 320, the semiconductor substrate is seated. Protruding portion 325 is formed so as to.

연결바(330)는 막대 모양으로 되어 있으며, 프레임(310)의 개방된 면과 평이 되도록 위치하고, 프레임(310)을 개방시키는 두면이 서로 연결되도록 형성되어 있으며, 프레임(310)의 벌어짐으로 인한 파손을 방지하기 위해 프레임(310)의 내측면에 형성한다. The connecting bar 330 has a rod shape, is positioned to be flat with the open surface of the frame 310, and is formed to connect two surfaces that open the frame 310 to each other, and is damaged due to the opening of the frame 310. It is formed on the inner surface of the frame 310 to prevent.

또한, 연결바(330)의 높이를 지지대(320)의 끝에 형성된 돌기부(325)의 높이와 같도록 하거나 연결바(330)의 중심에 돌기부를 형성하여 지지대(320) 끝에 있는 돌기부(325)에 반도체 기판이 로딩될 때 반도체 기판이 연결바(330)에 걸치도록 함으로써 보다 안전하게 반도체 기판이 트레이(300)에 로딩 되도록 하여 준다.In addition, the height of the connecting bar 330 is equal to the height of the protrusion 325 formed at the end of the support 320 or by forming a protrusion at the center of the connection bar 330 to the protrusion 325 at the end of the support 320. When the semiconductor substrate is loaded, the semiconductor substrate is secured to the connection bar 330 so that the semiconductor substrate is loaded on the tray 300 more safely.

고정부(350)는 가스 분배부(340, 345)를 프레임에 장착시키기 위해 프레임(310)에 형성되는 것으로서, 2개의 가스 분배부(340, 345)를 프레임(310)에 장착시키기 위해서는 적어도 3개의 고정부(350)가 필요하다.The fixing part 350 is formed in the frame 310 to mount the gas distribution parts 340 and 345 to the frame. At least three fixing parts 350 are mounted to the frame 310 to mount the two gas distribution parts 340 and 345 to the frame 310. Two fixing parts 350 are required.

가스 분배부(Gas Distributor; 340, 345)는 가스 주입부(220)를 통해 흘러 들어온 반응 가스가 튜브(200)내에 골고루 분포되도록 해주는 장치로서, 그 윗부분의 생긴 형태에 따라 라운드형 가스 분배부와 플랫형 가스 분배부가 있다.Gas distributors (340, 345) is a device to distribute the reaction gas flowing through the gas injection unit 220 in the tube 200 evenly, according to the shape of the upper portion of the round gas distribution unit and There is a flat gas distribution.

도 4a는 라운드형 가스 분배부의 평면도이고, 도 4b는 플랫형 가스 분배부의 평면도이다.4A is a plan view of a round gas distribution section, and FIG. 4B is a plan view of a flat gas distribution section.

먼저, 도 4a를 참조하면, 라운드형 가스 분배부(340)는 평판형으로 되어 있으며, 가스 주입부(220)와 가까운 트레이(300)의 외측 고정부(350)에 고정된다.First, referring to FIG. 4A, the round gas distribution part 340 has a flat plate shape and is fixed to the outer fixing part 350 of the tray 300 close to the gas injection part 220.

라운드형 가스 분배부(340)의 바닥 부분에는 요철(343, 344)이 형성되어 있는데, 이는 라운드형 가스 분배부(340)가 트레이(300)의 고정부(350)에 장착될 때 트레이(300)에 형성된 요철과 대응되게 형성한 것이다.Unevenness (343, 344) is formed in the bottom portion of the round gas distribution portion 340, which is the tray 300 when the round gas distribution portion 340 is mounted to the fixing portion 350 of the tray 300 It is formed to correspond to the irregularities formed in the).

도 4b를 참조하면 플랫형 가스 분배부(345)는 평판형으로 되어 있으며, 트레이의 내측 고정부(350)에 고정되며, 라운드형 가스 분배부(340)와 마찬가지로 트레이(300)의 요철에 대응하여 플랫형 가스 분배부(345)에도 요철(346, 347)이 형성되어 있다.Referring to FIG. 4B, the flat gas distribution part 345 is flat and fixed to the inner fixing part 350 of the tray, and corresponds to the unevenness of the tray 300 similarly to the round gas distribution part 340. Thus, the unevenness 346 and 347 are formed in the flat gas distribution part 345.

라운드형 가스 분배부(340) 및 플랫형 가스 분배부(345)는 도 1에 도시한 종 래의 가스 분배부(100, 110)와는 달리 천공(341, 342)들이 형성되어 있다.The round gas distributor 340 and the flat gas distributor 345 are formed with perforations 341 and 342, unlike the conventional gas distributors 100 and 110 illustrated in FIG. 1.

이러한 천공(341, 342)들을 가스 분배부(340, 345)에 형성하는 이유는, 튜브(200)의 가스 주입부(220)를 통해 주입되는 가스가 트레이(300)의 가스 분배부(340, 345)에 충돌할 경우 발생하는 와류를 방지하기 위해서이다.The reason why the perforations 341 and 342 are formed in the gas distributors 340 and 345 is that the gas injected through the gas injection unit 220 of the tube 200 is supplied to the gas distributor 340 of the tray 300. This is to prevent the vortex that occurs when the collision to 345).

와류가 발생하게 되면, 튜브(200)에 형성된 가스 주입부(220)를 통해 흘러 들어온 가스의 흐름이 원할하지 못해 가스가 한곳에 머무르게 되고, 이러한 결과로 확산 공정용 반도체 제조 장치내부의 파티클이나 기타 이물질의 발생을 초래하게 된다.When the vortex occurs, the gas flowing through the gas injection unit 220 formed in the tube 200 is not desired, so that the gas stays in one place. As a result, particles or other foreign substances in the semiconductor manufacturing apparatus for the diffusion process result. Will result in the occurrence of.

따라서, 본 발명과 같이 내부에 천공이 형성된 가스 분배부(340, 345)를 사용하게 되면 반응가스가 가스 분배부(340, 345)를 통과 할 수 있게 되어, 와류의 발생을 억제할 수 있게 된다.Therefore, when the gas distribution parts 340 and 345 having a perforation formed therein as in the present invention, the reaction gas can pass through the gas distribution parts 340 and 345, thereby suppressing the generation of vortices. .

이러한 가스 분배부(340, 345)는 고정부(350)에 의해 프레임(310)에 고정되며 탈착이 가능하다.The gas distribution parts 340 and 345 are fixed to the frame 310 by the fixing part 350 and are removable.

그리고, 트레이(300)는 고온에서 확산 공정이 수행된다는 점, 다른 이물질의 확산이 없어야 한다는 점을 고려할 때 튜브(200)와 마찬가지로 석영으로 만드는 것이 바람직하다.And, considering that the diffusion process is performed at a high temperature, there should be no diffusion of other foreign matter, it is preferable that the tray 300 is made of quartz like the tube 200.

도 5는 본 발명에 의한 천공들이 있는 가스 분배부를 확산 공정용 반도체 제조 장치에 도입할 경우 주입된 반응 가스들의 흐름을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 5 is a view for explaining the flow of reactant gases injected when a gas distribution unit having perforations according to the present invention is introduced into a semiconductor manufacturing apparatus for diffusion process.

도 5에서 도시한 바와 같이 외부의 가스 소스로부터 공급되어 가스 주입부(220) 통해 튜브(200)내로 흘러 들어오는 반응가스(555)는 먼저 라운드형 가스 분 배부(340)에 충돌하게 되고, 충돌된 반응가스(555)는 라운드형 가스 분배부(340)의 천공(341)과 라운드형 가스 분배부(340) 위쪽에 형성된 튜브(200)와의 이격 공간을 통해 플랫형 가스 분배부(345)로 흘러 간다.As shown in FIG. 5, the reaction gas 555 supplied from an external gas source and flowing into the tube 200 through the gas injection unit 220 first collides with the round gas distribution unit 340. The reaction gas 555 flows to the flat gas distribution part 345 through a space spaced between the perforation 341 of the round gas distribution part 340 and the tube 200 formed above the round gas distribution part 340. Goes.

이렇게 플랫형 가스 분배부(345)로 흘러온 반응 가스(555)는 플랫형 가스 분배부에 형성된 천공(342)과 플랫형 가스 분배부(345) 위쪽에 형성된 튜브(200)와의 이격 공간을 통해 지지대(320) 및 연결바(330)에 로딩되어 있는 반도체 기판(560)에 흘러가게 된다.The reaction gas 555 flowing into the flat gas distribution part 345 is supported by a space between the perforation 342 formed in the flat gas distribution part and the tube 200 formed on the flat gas distribution part 345. It flows into the semiconductor substrate 560 loaded on the 320 and the connection bar 330.

이와 같이 흘러 들어온 반응 가스(555)는 고온으로 가열되어 있는 확산 공정용 반도체 제조 장치(500) 내에 로딩되어 있는 반도체 기판(560)에 필요한 불순물을 확산 시킨 후 잔여 가스는 가스 배출부(230)를 통해 외부로 흘러 나가게 된다. The reactant gas 555 flowed in this way diffuses impurities necessary for the semiconductor substrate 560 loaded in the diffusion process semiconductor manufacturing apparatus 500 which is heated to a high temperature, and then the remaining gas moves the gas discharge unit 230. It flows outward.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to the above embodiments and can be manufactured in various forms, and a person of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. It will be appreciated that the present invention may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

상술한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 확산 공정용 반도체 제조 장치는 가스 분배부에 형성된 천공들이 반응가스가 가스 분배부에 충돌할 때 생기는 와류현상을 없애 주어 피티클이나 불순물로 인한 트러블이 생기지 않게 된다.As described above, the semiconductor manufacturing apparatus for the diffusion process according to the exemplary embodiment of the present invention eliminates vortices caused when the perforations formed in the gas distribution part collide with the gas distribution part, thereby eliminating trouble caused by the particles or impurities. It does not occur.

Claims (3)

프레임;frame; 상기 프레임의 측면에 형성되어 있으며 반도체 기판을 로딩하기 위한 지지대;Is formed on the side of the frame and the support for loading a semiconductor substrate; 상기 프레임 상에 위치하며 와류 발생을 방지하기 위한 천공들이 형성되어 있는 가스 분배부; 및 A gas distribution part disposed on the frame and having perforations formed therein to prevent vortex generation; And 상기 가스 분배부를 프레임에 고정시키기 위한 고정부를 포함하는 트레이.A tray including a fixing part for fixing the gas distribution part to a frame. 제 1 항의 트레이가 내부에 장착되며 확산 공정이 수행되는 본체;The main body of claim 1 is mounted therein and the diffusion process is performed; 상기 본체의 일측면에 형성되고 반응 가스가 흘러 들어오는 가스 주입부; 및 A gas injection part formed on one side of the main body and into which a reaction gas flows; And 상기 본체의 타측면에 형성되어 있고 상기 반응 가스가 흘러 나가는 가스 배출부로 구성된 튜브를 포함하는 확산 공정용 반도체 제조 장치.And a tube formed on the other side of the main body and configured of a gas discharge part through which the reaction gas flows. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 튜브 및 상기 트레이는 모두 석영으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 확산 공정용 반도체 제조 장치.The tube and the tray are both formed of quartz, the semiconductor manufacturing apparatus for diffusion process.
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