KR20050122993A - Cleanning device using eximer ultraviolet lay - Google Patents
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 36
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 13
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61L—METHODS OR APPARATUS FOR STERILISING MATERIALS OR OBJECTS IN GENERAL; DISINFECTION, STERILISATION OR DEODORISATION OF AIR; CHEMICAL ASPECTS OF BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES; MATERIALS FOR BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES
- A61L2/00—Methods or apparatus for disinfecting or sterilising materials or objects other than foodstuffs or contact lenses; Accessories therefor
- A61L2/02—Methods or apparatus for disinfecting or sterilising materials or objects other than foodstuffs or contact lenses; Accessories therefor using physical phenomena
- A61L2/08—Radiation
- A61L2/10—Ultraviolet radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1316—Methods for cleaning the liquid crystal cells, or components thereof, during manufacture: Materials therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Abstract
본 발명은 EUV세정장치에 관한 것으로, 특히, 가스 흡입구 및 가스 배출구를 구비하는 EUV세정장치에 관한 것이다. 본 발명의 EUV세정장치는 자외선을 발생시키는 램프; 상기 램프의 일부를 감싸는 램프 하우징; 상기 램프 하우징과 더불어 상기 램프를 완전히 감싸는 석영창을 구비하며 상기 램프하우징은 가스 주입구와 가스 흡입구를 구비하며, 상기 석영창은 가스 배출구를 구비하여 질소가스를 상기 가스 주입구를 통해 주입하고 상기 가스 배출구를 경유하여 상기 가스 배기구를 통해 가스를 흡입할 수 있게 하여 자외선 발생 램프 및 석영창을 오염으로부터 보호할 수 있다. The present invention relates to an EUV cleaning apparatus, and more particularly, to an EUV cleaning apparatus having a gas inlet and a gas outlet. EUV cleaning apparatus of the present invention comprises a lamp for generating ultraviolet light; A lamp housing surrounding a portion of the lamp; The lamp housing has a quartz window completely enclosing the lamp and the lamp housing has a gas inlet and a gas inlet, and the quartz window has a gas outlet to inject nitrogen gas through the gas inlet and to provide the gas outlet. By allowing the gas to be sucked through the gas exhaust port, the UV-generating lamp and the quartz window can be protected from contamination.
Description
본 발명은 세정장치에 관한 것으로, 특히 엑시머 자외선(EUV)를 이용한 세정장치에 관한 것이다. The present invention relates to a cleaning device, and more particularly, to a cleaning device using excimer ultraviolet (EUV).
반도체 제조공정 및 액정표시장치등의 제조공정은 다수의 박막 형성공정을 수반한다. 오늘날, 상기 박막형성공정은 포토리소그래피 방법이 주로 사용되는데, 상기 포토리소그래피 공정은 감광성 재료인 포토레지스터를 도포하고 노광공정을 이용하여 소정을 패턴을 형성하는 공정을 수반한다.BACKGROUND OF THE INVENTION A manufacturing process such as a semiconductor manufacturing process and a liquid crystal display device involves a plurality of thin film forming processes. Today, the thin film forming process mainly uses a photolithography method, which involves applying a photoresist, which is a photosensitive material, and forming a predetermined pattern using an exposure process.
또한 상기 노광공정을 매우 정밀한 공정으로써 정밀한 패턴을 형성하기 위해서는 노광 계면에 이물이 없도록 깨끗하게 세정하는 것이 필수적이다.In addition, in order to form a precise pattern as the exposure process is a very precise process, it is essential to clean the exposure interface so that there is no foreign matter.
반도체 및 반도체 기술을 이용하는 박막트랜지스터 액정표시장치를 제조하는 공정에서 상기 세정공정에는 순수등에 의해 세정되는 습세정(wet cleaning)과 엑시머 자외선(eximer ultraviolet)을 이용한 광학 세정이 있다.In the process of manufacturing a thin film transistor liquid crystal display device using a semiconductor and a semiconductor technology, the cleaning process includes wet cleaning cleaned by pure water, and optical cleaning using excimer ultraviolet light.
감광성의 유기막을 이용한 포토리소그래피 공정에서는 습세정 후 탄소를 기반으로 하는 유기물질이 기판등에 잔존하기 때문에 완전한 세정을 위해서 광학세정이 필수적으로 수반된다.In the photolithography process using the photosensitive organic film, optical cleaning is essential for complete cleaning because carbon-based organic materials remain on the substrate after wet cleaning.
상기 EUV세정방법은 고전압 인가에 의해 방전하는 두 전극 사이에서 발생하는 수천 Å파장의 엑시머 자외선을 이용한다.The EUV cleaning method uses an excimer ultraviolet ray having a wavelength of thousands of kilowatts generated between two electrodes discharged by high voltage application.
즉, 크세논(Xe)등의 가스를 두 전극판 사이에 채우고, 교류의 고전압을 인가하면, 상기 크세논 가스는 여기된다. 이렇게 여기된 가스가 정상으로 돌아오는 과정에서 엑시머 자외선광이 발생한다.In other words, when a gas such as xenon (Xe) is filled between two electrode plates and an alternating high voltage is applied, the xenon gas is excited. Excimer ultraviolet light is generated while the excited gas returns to normal.
EUV세정은 이렇게 발생하는 엑시머 자외선광을 이용하여 탄소기반의 유기막을 제거한다. 즉, 상기 유기막은 엑시머 자외선에 의해 분해되는 산소이온 및 오존이온과 탄소기반의 유기막이 반응하여 CO,CO2 또는 H20등으로 변하면서 제거된다.EUV cleaning uses this excimer ultraviolet light to remove the carbon-based organic film. That is, the organic film is removed while changing to CO, CO2 or H20 by reacting oxygen-ion, ozone-ion and carbon-based organic film decomposed by excimer ultraviolet light.
상기 원리를 이용하는 EUV세정장치를 도 1을 참조하여 살펴본다.An EUV cleaning apparatus using the above principle will be described with reference to FIG. 1.
EUV세정장치는 두개의 전극으로 이루어지는 EUV발생 램프(106)와, 상기 EUV램프에서 발생하는 엑시머 자외선을 반사하는 반사판(105)과, 상기 EUV램프를 냉각시키는 냉각 박스(101)와, 상기 냉각 박스 내에 설치되는 냉각수로(102)와, 상기 EUV램프 및 냉각박스를 감싸는 밀폐형 케이스(100)와, 상기 EUV 램프에서 발생하는 엑시머 자외선을 외부로 조사하는 창으로써 석영창(103)을 구비한다.The EUV cleaning device includes an EUV generating lamp 106 consisting of two electrodes, a reflector plate 105 reflecting excimer ultraviolet rays generated by the EUV lamp, a cooling box 101 for cooling the EUV lamp, and the cooling box. The cooling water passage 102 installed therein, the sealed case 100 surrounding the EUV lamp and the cooling box, and a quartz window 103 as a window for irradiating the excimer ultraviolet rays generated from the EUV lamp to the outside.
특히, 도 1에 도시된 EUV세정장치는 EUV램프에서 발생하는 엑시머 자외선에 의해 분해되는 EUV세정장치내의 산소이온등에 의한 램프 또는 석영창의 오염을 방지하기 위해 상기 EUV세정장치내에 질소(N2)가스를 주입한다.In particular, the EUV cleaner shown in FIG. 1 uses nitrogen (N2) gas in the EUV cleaner to prevent contamination of lamps or quartz windows by oxygen ions or the like in the EUV cleaner that are decomposed by excimer ultraviolet rays generated from the EUV lamp. Inject.
상기 질소가스는 EUV세정장치내에서 발생하여 상기 석영창(103)과 EUV램프를오염시키는 오존이온등을 제거하는 역할을 수행한다.The nitrogen gas is generated in the EUV cleaning apparatus to remove ozone ions and the like that contaminate the quartz window 103 and the EUV lamp.
그러나 상기 EUV세정장치는 EUV 램프(106)와 석영창(103)사이를 소정거리 이격시켜야하기 때문에 EUV램프와 세정대상인 기판간의 거리가 멀어져 세정효과가 반감하는 문제가 있다.However, the EUV cleaning apparatus has a problem that the cleaning effect is halved since the distance between the EUV lamp 106 and the substrate to be cleaned is far from the EUV lamp 106 and the quartz window 103 at a predetermined distance.
EUV램프에서 발생하는 것을 파장을 가지는 빛이므로 거리의 제곱에 반비례하여 그 강도가 약해진다.Since the light emitted from the EUV lamp has a wavelength, its intensity decreases in inverse proportion to the square of the distance.
그러므로 세정효과를 극대화하기 위해서는 EUV램프와 세정대상인 기판을 가깝게 하는 것이 필요하다. Therefore, in order to maximize the cleaning effect, it is necessary to bring the EUV lamp closer to the substrate to be cleaned.
또한 도 1에 도시되는 EUV세정장치는 EUV램프에서 발생하는 엑시머 자외선에 의해 발생하는 EUV세정장치 바깥에서 발생하는 오존이온등에 의한 석영장의 오염은 방지할 수 없다.In addition, the EUV cleaning apparatus shown in FIG. 1 cannot prevent contamination of the quartz field by ozone ions generated outside the EUV cleaning apparatus generated by excimer ultraviolet rays generated from the EUV lamp.
그러므로 상기 문제를 줄이는 다른 EUV세정장치가 개발되었는데, 도 2를 통하여 종래의 다른 EUV세정장치에 대해서 살펴본다.Therefore, another EUV cleaning apparatus has been developed to reduce the above problem, and with reference to FIG. 2, another conventional EUV cleaning apparatus will be described.
도 2는 도 1의 EUV세정장치 중, EUV램프를 주목한 것이다.FIG. 2 shows an EUV lamp of the EUV cleaning apparatus of FIG. 1.
도 2의 EUV세정장치는 EUV램프를 감싸는 외부 케이스를 없애고 석영창을 사용하지 않는 것을 특징으로 한다. 즉, 상기 EUV세정장치는 EUV램프(201)에서 발생하는 엑시머 자외선이 직접 기판에 조사되는 것이 특징이다. 또한 상기 EUV세정장치는 발생하는 오존이온등의 이물을 흡수할 수 있는 가스 배기구(203)가 EUV램프(201)을 감싸는 램프 하우징(202)에 설치된 것을 특징으로 한다. 즉, EUV램프(201)에서 발생하는 엑시머 자외선에 의해 산소이온 및 오존이온등이 발생하면, 상기 산소이온 및 오존이온등의 불순물 이온은 램프하우징(202)에 설치된 가스 배기구(203)을 통해 제거된다.The EUV cleaning apparatus of FIG. 2 is characterized in that the outer case surrounding the EUV lamp is removed and no quartz window is used. That is, the EUV cleaning device is characterized in that the excimer ultraviolet light generated by the EUV lamp 201 is directly irradiated to the substrate. In addition, the EUV cleaning device is characterized in that the gas exhaust port 203 capable of absorbing foreign substances such as ozone ions generated in the lamp housing 202 surrounding the EUV lamp 201. That is, when oxygen ions and ozone ions are generated by excimer ultraviolet rays generated by the EUV lamp 201, impurity ions such as oxygen ions and ozone ions are removed through the gas exhaust port 203 installed in the lamp housing 202. do.
그러나 상기 가스 배기구(203)에 의해 배기되는 가스의 량은 한계가 있고 완전한 배기가 어려워 EUV램프에 오염을 발생시킨다.However, the amount of gas exhausted by the gas exhaust port 203 is limited and it is difficult to exhaust completely, resulting in contamination of the EUV lamp.
상기 오염은 사용횟수가 증가할 수록 크게 문제되어 세정장치를 사용할 수 없게 만든다.The contamination becomes more problematic as the number of uses increases, making the cleaning device unusable.
그러므로 도 2의 EUV세정장치는 타겟과의 거리를 가깝게 하여 세정효과를 극대화할 수는 있으나 세정장치의 오염을 방지할 수는 없다.Therefore, the EUV cleaning apparatus of FIG. 2 may close the distance to the target to maximize the cleaning effect, but may not prevent contamination of the cleaning apparatus.
본 발명은 상기와 같이, 종래 EUV세정장치의 문제들을 극복하고 오존이온등에 의한 EUV세정장치의 오염을 방지하고 EUV장치의 효율을 극대화 할 수 있는 새로우 구조의 EUV세정장치를 안출하는 것을 목적으로 한다.As described above, an object of the present invention is to overcome the problems of the conventional EUV cleaning device, to prevent contamination of the EUV cleaning device by ozone ions, and to provide a new structure of the EUV cleaning device that can maximize the efficiency of the EUV device. .
본 발명의 자외선 세정장치는 자외선을 발생시키는 램프; 상기 램프의 일부를 감싸는 램프 하우징; 상기 램프 하우징과 더불어 상기 램프를 완전히 감싸는 창을 구비하는 것을 특징한다.The ultraviolet cleaning device of the present invention includes a lamp for generating ultraviolet light; A lamp housing surrounding a portion of the lamp; In addition to the lamp housing is characterized in that it comprises a window that completely surrounds the lamp.
이하 도 3을 참조하여 본 발명의 자외선 세정장치에 관하여 살펴본다.Hereinafter, the ultraviolet cleaning device of the present invention will be described with reference to FIG. 3.
본 발명의 일 실시 예에 의한 자외선 세정장치는 자외선으로써 엑시머 자외선(EUV)을 사용한다.Ultraviolet light cleaning device according to an embodiment of the present invention uses excimer ultraviolet (EUV) as the ultraviolet light.
도 3에 도시된 바와 같이, 엑시머 자외선 램프는 두개의 전극과 그 사이에 형성되는 여기 가스로 구성된다. 즉, 튜브 형의 내부 전극(310)이 형성되고 상기 내부 전극(310)을 감싸는 망사형의 외부전극(311)이 형성되고 그 사이에 크세논(Xe)등의 여기가스가 채워진다. 또한 상기 내부전극(310)과 외부전극(311)에 교류의 고전압이 인가되면, 상기 여기가스는 여기되어 높은 에너지 준위를 가지게 된다. 다음으로 상기 여기된 가스들이 정상의 에너지 준위로 돌아오는 과정에서 그 에너지 준위의 차에 해당하는 에너지를 가지는 파동이 방출되는 데, 상기 파동이 1850Å대의 엑시머 자외선파가 된다. 상기 파동은 대기중의 산소분자를 이온화시켜 산소이온 또는 오존이온을 형성할 수 있다. 상기 산소이온 및 오존이온들은 탄소계 유기막과 반응하여 일산화탄소(C0), 이산화탄소(CO2)등을 형성하여 유기막을 제거한다.As shown in Fig. 3, the excimer ultraviolet lamp is composed of two electrodes and an excitation gas formed therebetween. That is, a tubular inner electrode 310 is formed, and a mesh type outer electrode 311 surrounding the inner electrode 310 is formed, and an excitation gas such as xenon (Xe) is filled therebetween. In addition, when an alternating current high voltage is applied to the internal electrode 310 and the external electrode 311, the excitation gas is excited to have a high energy level. Next, in the process of returning the excited gases to the normal energy level, a wave having an energy corresponding to the difference of the energy level is emitted, and the wave becomes an excimer ultraviolet wave of 1850 mW. The wave may ionize oxygen molecules in the atmosphere to form oxygen ions or ozone ions. The oxygen ions and ozone ions react with the carbon-based organic film to form carbon monoxide (C0), carbon dioxide (CO2) and the like to remove the organic film.
본 발명은 상기 원리에 의해 엑시머 자외선을 발생하는 램프를 이용하는데, 도 4를 참조하여 본 발명의 자외선 세정장치를 살펴본다.The present invention uses a lamp for generating excimer ultraviolet by the above principle, with reference to Figure 4 looks at the ultraviolet cleaning device of the present invention.
본 발명의 자외선 세정장치는 복수의 EUV램프를 구비하지만, 설명의 편의상 하나의 램프를 주목하여 그 구조를 살펴본다.The ultraviolet cleaning device of the present invention includes a plurality of EUV lamps, but for the convenience of description, one structure will be described by looking at one lamp.
본 발명의 EUV세정장치는 엑시머 자외선을 발생시키는 막대형의 EUV램프(301)와, 상기 EUV램프(301)을 감싸는 램프 하우징(302)과, 상기 램프하우징(302)의 반대편에서 상기 EUV램프(301)을 감싸는 석영창(305)으로 구성된다.The EUV cleaning apparatus of the present invention includes a rod-shaped EUV lamp 301 for generating excimer ultraviolet light, a lamp housing 302 surrounding the EUV lamp 301, and an EUV lamp (opposite side) of the lamp housing 302. It consists of a quartz window 305 surrounding 301.
상기 램프하우징(302)와 석영창(305)은 서로 결합되어 상기 램프(301)을 감싸면서 상기 램프(301)과는 소정거리 이격되어 있다.The lamp housing 302 and the quartz window 305 are coupled to each other to surround the lamp 301 while being spaced apart from the lamp 301 by a predetermined distance.
또한 상기 램프하우징(302)에는 질소가스가 주입될 수 있는 가스 주입구(3040가 더 형성되며, 상기 가스 주입구(304)의 반대편에는 반응가스를 흡입하는 가스 흡입구(303)이 더 형성된다.In addition, the lamp housing 302 is further formed with a gas inlet 3040 through which nitrogen gas can be injected, and a gas inlet 303 for sucking the reaction gas is further formed on the opposite side of the gas inlet 304.
또한 상기 석영창(306)에는 가스 배출구(306)가 형성되어 상기 램프하우징(304)의 가스 주입구(304)로부터 주입되는 질소가스의 배출을 돕는다.In addition, a gas outlet 306 is formed in the quartz window 306 to help discharge of nitrogen gas injected from the gas inlet 304 of the lamp housing 304.
상기 램프하우징(302)의 가스 주입구(304)를 통해 주입되는 질소가스는 상기 램프에 의해 발생하는 산소이온 및 오존이온을 제거하는 역할을 수행하는데, 상기 산소이온 및 오존이온은 EUV램프(301) 및 석영창(305)을 오염시키기 때문에, 제거가 필수적이다. Nitrogen gas injected through the gas inlet 304 of the lamp housing 302 serves to remove oxygen ions and ozone ions generated by the lamp, the oxygen ions and ozone ions are EUV lamp 301 And because it contaminates the quartz window 305, removal is essential.
또한 상기 램프(301)로부터 발생하는 엑시머 자외선에 의해 형성되는 상기 석영창(305)밖의 산소이온이나 오존이온도 상기 석영창(305)을 오염시킬 수 있다. 그러므로 램프하우징(302)에 형성되는 가스 흡입구(303)에 의해 상기 산소이온 및 오존이온등은 흡입 제거된다.In addition, the quartz window 305 outside of the quartz window 305 formed by excimer ultraviolet rays generated from the lamp 301 may contaminate the quartz window 305. Therefore, the oxygen ion and the ozone ion are suctioned off by the gas suction port 303 formed in the lamp housing 302.
한편, 상기 석영창(305)에는 가스 배출구(306)이 형성되는데, 상기 가스 주입구(304)를 통해 주입되는 질소가스는 상기 램프(301)와 램프하우징(302)사이에 형성되는 공간에 채워져 상기 램프(301)를 감싸면서 석영창(305)의 가스 배출구(306)로 배기된다.On the other hand, the quartz window 305 is formed with a gas outlet 306, the nitrogen gas injected through the gas injection port 304 is filled in the space formed between the lamp 301 and the lamp housing 302 to The lamp 301 is exhausted to the gas outlet 306 of the quartz window 305 while surrounding the lamp 301.
이때, 배기되는 질소가스는 램프하우징(302)의 가스 흡입구(303)에 의해 흡입 제거된다. 즉, 상기 질소가스는 석영창(305)의 가스 배출구(306)을 통해 배기되어 상기 석영창(305)의 표면을 따라 이동한 후, 상기 가스 흡입구(303)에 의해 제거된다.At this time, the exhaust nitrogen gas is sucked and removed by the gas inlet 303 of the lamp housing 302. That is, the nitrogen gas is exhausted through the gas outlet 306 of the quartz window 305 and moved along the surface of the quartz window 305, and then removed by the gas inlet 303.
이 과정에서 상기 질소가스는 상기 석영창(305)의 표면에 에어(air)막을 형성하여 석영창(305) 외부에 형성되는 산소이온 또는 오존이온이 석영창(305)을 오염시키는 것을 방지한다.In this process, the nitrogen gas forms an air film on the surface of the quartz window 305 to prevent oxygen ions or ozone ions formed outside the quartz window 305 from contaminating the quartz window 305.
그러므로 상기 석영창(305)의 가스 배출구(306)를 통해 배기되는 질소가스가 상기 석영창(305)의 표면에 에어막을 형성하기 쉽도록 상기 가스 배출구(306)는 제조될 필요가 있다.Therefore, the gas outlet 306 needs to be manufactured so that nitrogen gas exhausted through the gas outlet 306 of the quartz window 305 easily forms an air film on the surface of the quartz window 305.
도 5a ~5c를 참조하여 상기 석영창(305)에 형성되는 가스 배출구(306)와 램프 하우징(302)에 설치되는 가스 흡입구(303)의 구조를 살펴본다. 5A to 5C, the structures of the gas outlet 306 formed in the quartz window 305 and the gas inlet 303 installed in the lamp housing 302 will be described.
도 5a는 EUV램프의 배면을 도시한 것으로, 먼저 일 실시 예로, 가스 배출구(306)는 스트라이프(stripe)형이고, 가스 흡입구(303)는 일정간격으로 홀을 형성한 도트형일 수 있다.FIG. 5A illustrates a rear surface of an EUV lamp. First, as an example, the gas outlet 306 may be a stripe type, and the gas inlet 303 may be a dot type having holes at a predetermined interval.
도 5b는 다른 실시 예로서, 가스 배출구(306)및 가스 흡입구(303) 모두 스트라이프형으로 구성된 것을 도시하고 있다.FIG. 5B illustrates that the gas outlet 306 and the gas inlet 303 are all formed in a stripe shape as another embodiment.
도 5c는 가스 배출구(306)의 구조가 석영창(305) 전체에 일정한 패턴으로 홀이 형성된 것을 도시하고 있다.5C illustrates that the structure of the gas outlet 306 has holes formed in a predetermined pattern throughout the quartz window 305.
상기 구조의 가스 배출구(306)에 의해 질소가스가 배기되면, 상기 램프 하우징(303)에 형성된 가스 흡입구(303)에 의해 배기되는 질소가스 및 엑시머 자외선에 의해 분해된 산소이온 및 오존이온등의 오염 가스가 흡입된다.When the nitrogen gas is exhausted by the gas outlet 306 of the structure, the nitrogen gas exhausted by the gas inlet 303 formed in the lamp housing 303 and the contamination such as oxygen ions and ozone ions decomposed by excimer ultraviolet rays. The gas is inhaled.
배기되는 질소가스는 상기 가스 흡입구(303)에 의해 흡입되는 과정에서 상기 석영창(305)의 표면을 스치면서 에어막을 형성한다. 상기 에어막은 엑시머 자외선에 의해 분해된 산소이온 및 오존이온에 의한 석영창 표면의 오염을 방지한다.The exhausted nitrogen gas forms an air film while rubbing the surface of the quartz window 305 in the process of being sucked by the gas inlet 303. The air film prevents contamination of the surface of the quartz window by oxygen ions and ozone ions decomposed by excimer ultraviolet rays.
그러므로 본 발명에서 EUV램프는 질소가스 흡입구(304)에서 흡입되는 질소가스에 의해 램프 오염을 방지할 수 있고, 배기되는 질소가스의 에어막에 의해 석영창 외벽의 오염을 방지할 수 있다.Therefore, in the present invention, the EUV lamp can prevent lamp contamination by nitrogen gas sucked from the nitrogen gas suction port 304 and can prevent contamination of the outer wall of the quartz window by the air film of the exhausted nitrogen gas.
또한 본 발명은 석영창을 각 EUV램프에 근접하게 설치할 수 있어 EUV램프와 타겟인 기판사이의 거리를 가깝게 할 수 있다. 그러므로 EUV램프에 의한 세정효율을 증대할 수 있다. In addition, the present invention can install a quartz window close to each EUV lamp to close the distance between the EUV lamp and the target substrate. Therefore, the cleaning efficiency by the EUV lamp can be increased.
다음으로 도 6을 참조하여 본 발명의 EUV 세정장치의 개략적 구조를 살펴본다.Next, with reference to Figure 6 looks at the schematic structure of the EUV cleaning apparatus of the present invention.
본 발명의 EUV세정장치는 복수의 EUV램프와, 상기 EUV램프의 램프하우징에 질소가스를 공급하는 질소가스 공급로(310)와, 상기 램프하우징의 가스 흡입구에 연결된 가스 배기로(330)을 더 구비한다. The EUV cleaning apparatus of the present invention further includes a plurality of EUV lamps, a nitrogen gas supply path 310 for supplying nitrogen gas to the lamp housing of the EUV lamp, and a gas exhaust path 330 connected to the gas inlet of the lamp housing. Equipped.
각 램프 하우징의 질소가스 주입구는 상기 질소가스 공급로에 각각 연결될 수 있고, 상기 램프하우징의 가스 흡입구는 상기 가스 배기로(330)에 각각 연결될 수 있다.The nitrogen gas inlet of each lamp housing may be connected to the nitrogen gas supply passage, respectively, and the gas inlet of the lamp housing may be connected to the gas exhaust passage 330, respectively.
또한 상기 본 발명의 EUV세정장치는 고압의 전류가 인가됨으로 말미암아 가열되는 EUV램프를 냉각시키기 위해 별도의 냉각장치를 구비할 수 있다. 상기 냉각장치는 수냉식 또는 공냉식일 수 있으며, 도 6은 일 실시 예로 냉각수로(320)를 구비하는 수냉식을 채택한다.In addition, the EUV cleaning device of the present invention may be provided with a separate cooling device for cooling the EUV lamp is heated by the application of a high-voltage current. The cooling apparatus may be water-cooled or air-cooled, and FIG. 6 adopts a water-cooling system having a cooling water channel 320 as an example.
본 발명은 상기와 같이, 포토리소그래피 공정등에서 발생하는 유기물의 세정을 위한 EUV세정장치를 고안한 것으로, 일정한 공간을 두고 램프하우징 및 석영창에 의해 EUV램프를 감싸고, 상기 램프하우징 및 석영창과 EUV램프 사이에 질소가스를 주입할 수 있게 하여 산소이온 및 오존이온등에 의한 램프의 오염을 방지한다.The present invention devised an EUV cleaning apparatus for cleaning organic matter generated in a photolithography process, as described above. Nitrogen gas can be injected in between to prevent contamination of the lamp by oxygen ions and ozone ions.
또한, 상기 석영창에 가스 배출구를 형성하고 상기 램프하우징에 가스 흡입구를 형성하여 배기되는 질소가스가 석영창의 표면을 스치면서 에어막을 형성할 수 있게하여 산소이온 및 오존이온으로부터 석영창의 오염을 방지할 수 있게 한다. 또한 본 발명은 EUV램프와 타겟인 기판과의 거리를 가깝게 배치할 수 있어 세정효과를 극대화 할 수 있다.In addition, a gas outlet is formed in the quartz window, and a gas inlet is formed in the lamp housing, so that the exhausted nitrogen gas can form an air film while rubbing the surface of the quartz window, thereby preventing contamination of the quartz window from oxygen ions and ozone ions. To be able. In addition, the present invention can be disposed close to the distance between the EUV lamp and the target substrate can maximize the cleaning effect.
도 1은 종래의 자외선 세정장치의 대략적 구조를 나타내는 단면도.1 is a cross-sectional view showing a schematic structure of a conventional ultraviolet cleaning device.
도 2는 종래의 다른 자외선 세정장치의 구조를 나타내는 다면도.Figure 2 is a side view showing the structure of another conventional ultraviolet cleaning device.
도 3은 본 발명의 자외선 램프의 개념도.3 is a conceptual diagram of an ultraviolet lamp of the present invention.
도 4는 본 발명의 자외선 세정장치의 구조를 나타내는 단면도.4 is a cross-sectional view showing the structure of the ultraviolet cleaning device of the present invention.
도 5a~5c는 본 발명의 가스 흡입구 및 가스 배출구의 구조를 도시한 자외선 세정장치의 배면도.Figures 5a to 5c is a rear view of the ultraviolet cleaning device showing the structure of the gas inlet and gas outlet of the present invention.
도 6은 본 발명의 자외선 세정장치의 전체구조를 나타내는 단면도.6 is a cross-sectional view showing the overall structure of the ultraviolet cleaning device of the present invention.
******** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ****************** Explanation of symbols for the main parts of the drawing **********
301:EUV램프 302:램프 하우징301: EUV lamp 302: lamp housing
303:가스 흡입구 304:가스 주입구303: gas inlet 304: gas inlet
305:석영창 306:가스 배출구305: quartz window 306: gas outlet
310:가스 주입로 330:가스 배기로310: gas injection furnace 330: gas exhaust passage
Claims (12)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040048692A KR101068127B1 (en) | 2004-06-26 | 2004-06-26 | Cleanning device using eximer ultraviolet lay |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040048692A KR101068127B1 (en) | 2004-06-26 | 2004-06-26 | Cleanning device using eximer ultraviolet lay |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050122993A true KR20050122993A (en) | 2005-12-29 |
| KR101068127B1 KR101068127B1 (en) | 2011-09-28 |
Family
ID=37294737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040048692A KR101068127B1 (en) | 2004-06-26 | 2004-06-26 | Cleanning device using eximer ultraviolet lay |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101068127B1 (en) |
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2004
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101068127B1 (en) | 2011-09-28 |
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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