KR20050120877A - Etching apparatus for manufacturing semiconductor - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조용 식각 장치에 관한 것으로서, 이를 위한 구성으로 본 발명은 반도체 제조용 식각 장치에 있어서, 정전 척(10)에서 웨이퍼 안치면(10a)의 가장 안쪽에 형성되는 가스 유동홈(13)으로는 하부 전극(20)의 제1 냉각 가스 통로(21)를 통해 상기 정전 척(10)의 하향 개방된 요입부(11)와 가스 유출홀(12)을 통하여 냉각 가스가 유도되고, 상기 웨이퍼 안치면(10a)의 가장 외곽쪽으로 형성되는 가스 유동홈(13)을 따라서 그 직하부에는 가스 안내홈(14)을 형성하며, 가스 유동홈(14)과 그 직상부의 가스 안내홈(13)은 복수의 통공(15)에 의해 연결되도록 하되 가스 안내홈(14)은 상기 정전 척(10)의 일측으로 형성한 제2 냉각 가스 통로(22)와 연결되면서 상기 제1 냉각 가스 통로(21)와 제2 냉각 가스 통로(22)를 통하여 상기 정전 척(10)의 가장 안쪽 및 가장 바깥쪽의 가스 유동홈(13)으로 동시에 냉각 가스가 유도되도록 하여 보다 신속한 정전 척(10)의 냉각으로 웨이퍼 버닝을 방지하는 동시에 균일한 웨이퍼 냉각에 따라 시디 산포를 방지하여 제품의 품질을 보다 향상시키게 됨과 함께 안정된 공정 수행에 따라 제품 생산성이 더욱 증대되도록 하는데 특징이 있다.The present invention relates to an etching apparatus for manufacturing a semiconductor, the configuration for the present invention, in the etching apparatus for manufacturing a semiconductor, a gas flow groove 13 formed in the innermost of the wafer settled surface (10a) in the electrostatic chuck 10 Cooling gas is induced through the first inlet 11 of the electrostatic chuck 10 and the gas outlet hole 12 through the first cooling gas passage 21 of the lower electrode 20, A gas guide groove 14 is formed directly under the gas flow groove 13 formed at the outermost side of the tooth surface 10a, and the gas flow groove 14 and the gas guide groove 13 at the upper portion thereof are The gas guide groove 14 is connected to the second cooling gas passage 22 formed at one side of the electrostatic chuck 10 while being connected to the plurality of through holes 15, and the first cooling gas passage 21 is connected to the second cooling gas passage 21. The innermost and outermost of the electrostatic chuck 10 through a second cooling gas passage 22 Cooling gas is induced to the gas flow groove 13 at the same time to prevent wafer burning by the cooling of the electrostatic chuck 10 faster and at the same time to prevent the scattering of the CD according to the uniform wafer cooling to improve the product quality and Along with stable process performance, the product productivity is further increased.
Description
본 발명은 반도체 제조용 식각 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 정전 척에서의 냉각 가스가 유동하는 구조를 개선하여 웨이퍼의 온도 불균형에 따른 시디(Critical Demension)의 산포를 방지할 수 있도록 하는 반도체 제조용 식각 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an etching apparatus for semiconductor manufacturing, and more particularly, to improve the structure in which the cooling gas flows in an electrostatic chuck, thereby preventing the dispersion of CD (Critical Demension) due to the temperature imbalance of the wafer. Relates to a device.
일반적으로 반도체는 웨이퍼에 화학 기상 증착(CVD)이나 식각 등의 다양한 공정들에 의해서 필요로 하는 막질을 형성하거나 패터닝하여 제조하게 된다.In general, a semiconductor is manufactured by forming or patterning a film required on a wafer by various processes such as chemical vapor deposition (CVD) or etching.
이러한 공정 수행을 위해서는 각각의 공정 설비가 구비되어야 하며, 이들 각 공정 설비들에서 실질적으로 메인 공정을 수행하게 되는 위치가 프로세서 챔버이다.In order to perform such a process, each process facility must be provided, and the processor chamber is a location where the main process is substantially performed at each of these process facilities.
프로세서 챔버에는 웨이퍼를 안착시키도록 하는 척(chuck)이 구비되며, 이 척에서 웨이퍼는 진공압 또는 정전기력에 의해서 견고하게 고정되는 상태가 된다.The processor chamber is provided with a chuck for seating the wafer, in which the wafer is rigidly fixed by vacuum pressure or electrostatic force.
프로세서 챔버의 내부로 웨이퍼가 로딩되게 하기 위해서는 일단 프로세서 챔버는 대기압 상태가 되는 경우도 있지만 대개는 진공압 상태가 되도록 하는 경우가 대부분이고, 이와 동시에 프로세서 챔버의 내부는 일정한 온도가 유지되게 하고 있다.In order to allow the wafer to be loaded into the processor chamber, the processor chamber may be at atmospheric pressure, but most of the time, the vacuum chamber is usually at the same time. At the same time, the inside of the processor chamber is kept at a constant temperature.
그리고 웨이퍼가 척에 고정된 상태에서 웨이퍼에의 막질 형성에 필요한 가스를 공급하게 되는데 막질 형성에 필요한 가스에는 통상 RF 파워가 동시에 인가되면서 웨이퍼의 직상부에서 플라즈마가 형성되도록 하여 이 플라즈마에 의해서 막질 또는 패턴이 증착 또는 에칭이 되도록 하고 있다.In addition, the gas required to form the film on the wafer is supplied while the wafer is fixed to the chuck. The gas required for the film formation is usually applied simultaneously with RF power so that a plasma is formed directly on the wafer so that the plasma is formed by the plasma. The pattern is to be deposited or etched.
한편 프로세서 챔버에서의 공정 수행 시 웨이퍼는 플라즈마와의 충돌에 의해서 대단히 높은 열을 발생시키게 되는 바 이러한 고온의 열에 지속적으로 영향을 받다보면 웨이퍼의 물성에 변화가 발생하면서 공정 불량 및 다량의 웨이퍼 불량을 초래하게 되는 폐단이 있게 된다.On the other hand, when the process is performed in the processor chamber, the wafer generates very high heat due to the collision with the plasma. As the wafer is continuously affected by such high temperature heat, the wafer's physical properties change, resulting in process defects and large wafer defects. There is a disadvantage that results.
따라서 현재는 웨이퍼를 안착시키는 척으로 웨이퍼의 배면을 강제적으로 냉각시키도록 하는 냉각 구조가 형성되도록 하고 있다.Therefore, at present, a cooling structure for forcibly cooling the back surface of the wafer is formed by a chuck for seating the wafer.
도 1은 일반적인 에칭 설비에서의 프로세서 챔버 내부의 정전 척에 냉각 가스가 공급되는 구조를 개략적으로 도시한 것으로서, 현재 정전 척(1)에 공급되는 냉각 가스는 헬륨 가스가 대부분이며, 이런 냉각 가스는 통상 도시한 바와 같이 하부 전극(2)을 통하여 정전 척(1)의 중앙부에 공급되고, 이 중앙부에서는 도 2에서와 같이 다수의 홀(1a)을 통해 정전 척(1)의 상부로 유동시키게 되며, 이때 정전 척(1)의 상부면에서는 방사상으로 형성한 유동홈(1b)을 통해 중앙 부위에서 에지 부위로 냉각 가스가 분산되면서 공급되도록 하는 것이다.FIG. 1 schematically illustrates a structure in which a cooling gas is supplied to an electrostatic chuck inside a processor chamber in a general etching facility. The cooling gas currently supplied to the electrostatic chuck 1 is mostly helium gas. As shown in the drawing, it is supplied to the central portion of the electrostatic chuck 1 through the lower electrode 2, and flows to the upper portion of the electrostatic chuck 1 through the plurality of holes 1a as shown in FIG. 2. In this case, the upper surface of the electrostatic chuck 1 is to be supplied while the cooling gas is dispersed from the center portion to the edge portion through the radially formed flow groove (1b).
이렇게 냉각 가스를 정전 척(1) 상부면의 유동홈(1b)을 통해 중앙으로부터 에지로 공급하게 되면 이 상부면에 안착되어 있는 웨이퍼의 배면이 이 냉각 가스에 의해서 냉각되면서 웨이퍼의 지나친 과열이 방지되도록 하는 것이다.When the cooling gas is supplied from the center to the edge through the flow groove 1b of the upper surface of the electrostatic chuck 1, the rear surface of the wafer seated on the upper surface is cooled by the cooling gas, thereby preventing excessive overheating of the wafer. To make it possible.
하지만 종전과 같은 냉각 가스 유동 구조에서는 정전 척(1)의 중앙으로부터 냉각 가스가 에지측으로 순차 유동되는 구조로서 이루어지게 되므로 많은 양의 냉각 가스가 주로 중앙 부위에 집중되면서 에지 부위와의 가스 공급량 차를 발생시키게 되는데 이는 결국 정전 척(1)에 안착되는 웨이퍼의 온도 불균형을 초래하게 되면서 웨이퍼의 에지 부위에서 시디 산포의 문제를 발생시키기도 하고, 이와 함께 에지 부위에서의 버닝이 발생되는 문제가 있게 된다. However, in the cooling gas flow structure as before, since the cooling gas flows sequentially from the center of the electrostatic chuck 1 to the edge side, a large amount of cooling gas is mainly concentrated in the center portion, thereby reducing the difference in gas supply amount from the edge portion. This results in a temperature imbalance of the wafer seated on the electrostatic chuck 1, which may cause a problem of CD scattering at the edge of the wafer, and at the same time, burning at the edge thereof occurs.
따라서 본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점들을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 본 발명의 목적은 정전 척에서의 냉각 가스 공급을 중앙 부위와 함께 에지 부위로도 동시에 이루어지게 함으로써 웨이퍼에서의 온도 불균형에 따른 시디 산포를 제거하면서 안정된 공정 수행이 이루어질 수 있도록 하는 반도체 제조용 식각 장치를 제공하는데 있다. Accordingly, the present invention has been invented to solve the above-described problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide cooling gas supply in an electrostatic chuck simultaneously with the edge portion together with the central portion, thereby causing the temperature imbalance in the wafer. An object of the present invention is to provide an etching apparatus for manufacturing a semiconductor, which can perform a stable process while removing CD scatter.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 하부 전극의 상부에 구비되면서 상부면으로는 웨이퍼가 안착되도록 안치면을 형성하는 정전 척을 갖는 반도체 제조용 식각 장치에 있어서, 상기 정전 척에서 상기 웨이퍼 안치면의 가장 안쪽에 형성되는 가스 유동홈으로는 상기 하부 전극의 제1 냉각 가스 통로를 통해 상기 정전 척의 하향 개방된 요입부와 가스 유출홀을 통하여 냉각 가스가 유도되고, 상기 웨이퍼 안치면의 가장 외곽쪽으로 형성되는 가스 유동홈을 따라서 그 직하부에는 가스 안내홈을 형성하며, 가스 유동홈과 가스 안내홈은 복수의 통공에 의해 연결되도록 하되 가스 안내홈은 상기 정전 척의 일측으로 형성한 제2 냉각 가스 통로와 연결되면서 상기 제1 냉각 가스 통로와 제2 냉각 가스 통로를 통하여 상기 정전 척의 가장 안쪽 및 가장 바깥쪽의 가스 유동홈으로 동시에 냉각 가스가 유도되도록 하는 것이다.In order to achieve the above object, the present invention provides an etching apparatus for manufacturing a semiconductor having an electrostatic chuck which is provided on an upper portion of a lower electrode and forms a settled surface so that a wafer is seated on an upper surface thereof. Cooling gas is guided to the innermost gas flow groove through the first inlet of the lower electrode through the downwardly recessed inlet and the gas outlet hole of the electrostatic chuck, the outermost of the wafer settled surface A gas guide groove is formed directly under the gas flow groove, and the gas flow groove and the gas guide groove are connected by a plurality of through holes, but the gas guide groove has a second cooling gas passage formed to one side of the electrostatic chuck. Connected to the innermost and outermost portion of the electrostatic chuck through the first cooling gas passage and the second cooling gas passage. To ensure that the cooling gas is guided to the gas flow outward to the home.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명은 반도체 식각 장치에서 정전 척으로 공급되는 냉각 가스의 공급 구조를 개선하여 웨이퍼의 균일한 냉각이 이루어지도록 하는데 가장 두드러진 특징이 있다.The present invention has the most outstanding feature to improve the supply structure of the cooling gas supplied to the electrostatic chuck in the semiconductor etching device to achieve uniform cooling of the wafer.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 식각 장치를 도시한 단면도로서, 본 발명에서 반도체 식각 장치의 프로세서 챔버의 내부에는 웨이퍼를 척킹하는 정전 척(10)이 구비되고, 이 정전 척(10)의 저부에는 하부 전극(20)이 결합된다.3 is a cross-sectional view of a semiconductor etching apparatus according to the present invention. In the present invention, an electrostatic chuck 10 for chucking a wafer is provided inside the processor chamber of the semiconductor etching apparatus, and the bottom of the electrostatic chuck 10 is provided. The lower electrode 20 is coupled.
정전 척(40)은 중앙 부위가 소정의 직경으로 하향 개방되게 저면으로부터 소정의 높이로 상향 요입되게 하고, 이 요입부(11)의 상부면에는 중심으로부터 일정 반경에 복수의 가스 유출홀(12)을 형성하여 정전 척(10)의 안치면(10a)에 형성한 가스 유동홈(13)과 연통되도록 하며, 이때 정전 척(10)의 안치면(10a)에 형성되는 가스 유동홈(13)은 중심부측의 가스 유출홀(12)을 포함하여 이 가스 유출홀(12)로부터 판면을 소정의 깊이로 하향 요입시켜 정전 척(10)의 에지부측으로 다수가 방사상으로 형성되도록 하고 있다.The electrostatic chuck 40 allows the center portion to be recessed upward from the bottom surface to a predetermined height so as to open downwardly to a predetermined diameter, and the upper surface of the recess 11 has a plurality of gas outlet holes 12 at a predetermined radius from the center. To communicate with the gas flow grooves 13 formed on the settling surface 10a of the electrostatic chuck 10, wherein the gas flow grooves 13 formed on the settling surface 10a of the electrostatic chuck 10 are The plate surface is recessed downward from the gas outlet hole 12 to a predetermined depth, including the gas outlet hole 12 on the center side, so that a large number is radially formed on the edge side of the electrostatic chuck 10.
또한 이러한 정전 척(10)에는 그 저부에 구비되는 하부 전극(20)을 통해 냉각 가스가 유도되도록 하고 있는 바 이때 하부 전극(20)에는 정전 척(10)의 중앙 부위에 형성한 요입부(11)로 냉각 가스가 유도되도록 하는 냉각 가스 통로(21)가 형성되도록 하고 있다.In addition, the electrostatic chuck 10 allows the cooling gas to be guided through the lower electrode 20 provided at the bottom thereof. At this time, the lower electrode 20 has a recessed portion 11 formed at the central portion of the electrostatic chuck 10. ), A cooling gas passage 21 is formed so that the cooling gas is guided.
이상과 같은 구성은 종전과 대동소이한 바 냉각 가스 통로(21)를 통해 전정 척(10)의 요입부(11)에 공급되는 냉각 가스가 가스 유출홀(12)을 통하여 웨이퍼 안치면(10a)에 형성한 가스 유동홈(13)을 통하여 그 상측에 안치되는 웨이퍼의 배면을 냉각시키도록 하고 있다.As described above, the cooling gas supplied to the concave portion 11 of the vestibular chuck 10 through the cooling gas passage 21 is substantially the same as before, and the wafer settled surface 10a is provided through the gas outlet hole 12. The back surface of the wafer settled on the upper side thereof is cooled through the gas flow grooves 13 formed therein.
이에 본 발명은 정전 척(10)의 중앙 부위에 형성되는 가스 유출홀(12)을 통한 가스의 유동과 함께 에지 부위에서도 동시에 가스가 공급되도록 하는 것이다.Accordingly, the present invention allows the gas to be supplied simultaneously at the edge portion along with the flow of the gas through the gas outlet hole 12 formed at the central portion of the electrostatic chuck 10.
이를 위해서 정전 척(10)의 가장 바깥측에 형성되는 가스 유동홈(13)의 직하부에는 이 최외곽 가스 유동홈(13)을 따라 가스 안내홈(14)을 형성하고, 가스 유동홈(13)과 가스 안내홈(14)의 사이에는 이들 홈을 따라 복수의 통공(15)이 형성되도록 하여 가스 안내홈(14)을 가스 유동홈(13)과 연통되도록 한다.To this end, a gas guiding groove 14 is formed along the outermost gas flow groove 13 in the lower portion of the gas flow groove 13 formed at the outermost side of the electrostatic chuck 10, and the gas flow groove 13 is formed. ) And a plurality of through holes 15 are formed along these grooves between the gas guide grooves 14 and the gas guide grooves 14 so as to communicate with the gas flow grooves 13.
특히 본 발명은 도 4에서와 같이 정전 척(10)의 웨이퍼 안치면(10a)에 형성한 가스 유동홈(13) 중 최외곽으로 형성되는 가스 유동홈(13)의 중앙 부위의 가장 안쪽에 형성시킨 가스 유동홈(13)과를 서로 연결한 가스 유동홈(13)과 교차되는 부위에 각각 통공(15)이 형성되도록 하는 것이 가장 바람직하다.In particular, the present invention is formed in the innermost part of the central portion of the gas flow groove 13 formed in the outermost of the gas flow groove 13 formed in the wafer settled surface 10a of the electrostatic chuck 10 as shown in FIG. Most preferably, the through-holes 15 are formed at portions intersecting with the gas flow grooves 13 connecting the gas flow grooves 13 to each other.
다시 말해 본 발명에서의 가스 안내홈(13)은 가스 유동홈(13)으로부터 소정의 높이만큼 저부에는 상부의 안치면(10a)에서 최외곽에 형성한 가스 유동홈(13)과 동일한 수평 단면을 갖는 구조로 형성하고, 가스 안내홈(14)과 가스 유동홈(13)은 상호 연통되도록 한 통공(15)에 의해서 연결되도록 하는 것이다. In other words, the gas guide groove 13 according to the present invention has the same horizontal cross section as the gas flow groove 13 formed at the outermost portion at the upper settled surface 10a at the bottom by a predetermined height from the gas flow groove 13. It is formed to have a structure, and the gas guide groove 14 and the gas flow groove 13 is to be connected by the through-hole 15 to communicate with each other.
그리고 정전 척(10)의 가스 안내홈(14)은 하단부가 하부 전극(20)의 일측에서 판면을 상하 관통되게 형성한 제2 냉각 가스 통로(22)와 연결되도록 하여 제1 냉각 가스 통로(21)에 공급되는 냉각 가스와 동일하게 냉각 가스가 공급되도록 한다.In addition, the gas guide groove 14 of the electrostatic chuck 10 has a lower end portion connected to the second cooling gas passage 22 formed to penetrate the plate surface up and down at one side of the lower electrode 20 so that the first cooling gas passage 21 The cooling gas is supplied in the same way as the cooling gas supplied to
하부 전극(20)의 중앙 부위에 형성되도록 한 냉각 가스 통로(21)와 함께 하부 전극(20)의 에지 부위 중 일측에도 그 상측의 정전 척(10) 안치면(10a)의 에지측에 형성한 가스 유동홈(13)과 연통되도록 하는 제2 냉각 가스 통로(22)가 형성되도록 한다.In addition to the cooling gas passage 21 formed at the central portion of the lower electrode 20, one of the edge portions of the lower electrode 20 is formed at the edge side of the electrostatic chuck 10 settled surface 10a of the upper side. A second cooling gas passage 22 is formed to communicate with the gas flow groove 13.
한편 하부 전극(20)에 형성되는 제1 냉각 가스 통로(21)와 제2 냉각 가스 통로(22)에는 그 저부로부터 동시에 냉각 가스가 공급 및 차단되도록 한다.Meanwhile, the cooling gas is simultaneously supplied to and blocked from the bottom of the first cooling gas passage 21 and the second cooling gas passage 22 formed in the lower electrode 20.
이와 같은 구성으로 이루어지는 본 발명에 의한 작용에 대해 보다 상세하게 살펴보면 다음과 같다.Looking in more detail with respect to the action of the present invention made of such a configuration as follows.
본 발명은 웨이퍼에 필요로 하는 막질의 패턴을 식각에 의해 형성하는 식각 장치의 프로세서 챔버에서 웨이퍼의 과열을 방지하기 위한 냉각 가스의 유동 구조를 간단히 개선하도록 한 것이다.The present invention is to simply improve the flow structure of the cooling gas for preventing overheating of the wafer in the processor chamber of the etching apparatus for forming the film quality pattern required by the wafer by etching.
즉 하부 전극(20)을 통해서 정전 척(10)으로 공급되는 냉각 가스가 정전 척(10)의 가장 안쪽으로 형성되는 가스 유동홈(13)과 함께 가장 바깥쪽으로 형성되는 가스 유동홈(14)으로도 동시에 공급되도록 하는 것이다.That is, the cooling gas supplied to the electrostatic chuck 10 through the lower electrode 20 is the gas flow groove 14 formed at the outermost side together with the gas flow groove 13 formed at the innermost portion of the electrostatic chuck 10. Also to be supplied at the same time.
이렇게 정전 척(10)의 가장 안쪽 및 가장 바깥쪽 동시에 공급되어 이들 냉각 가스가 가스 유동홈(13)으로 동시에 유도되도록 하면 전체 가스 유동홈(13)으로 분산되는 시간이 최대한 짧아지게 되는 동시에 정전 척(10)의 상부면인 웨이퍼 안치면(10a)에 안치되는 웨이퍼의 배면을 전면에 걸쳐 거의 균일하게 냉각시킬 수가 있게 된다.When the innermost and outermost of the electrostatic chuck 10 is simultaneously supplied so that these cooling gases are led to the gas flow grooves 13 simultaneously, the time to be dispersed into the entire gas flow grooves 13 is minimized at the same time. The back surface of the wafer settled on the wafer settlement surface 10a, which is the upper surface of (10), can be cooled almost uniformly over the entire surface.
다시 말해 웨이퍼의 중앙 부위로부터 에지 부위로 점차 냉각시키는 순차적인 냉각 방식에 의해서는 냉각 온도차가 발생되는데 반해 본 발명에서는 중앙 부위와 에지 부위에서 동시에 냉각을 시작하여 그 사이로 순차 냉각시키게 되므로 웨이퍼를 냉각시키게 되는 시간을 대폭적으로 단축시킬 수가 있게 되는 것이다.In other words, the cooling temperature difference is generated by a sequential cooling method of gradually cooling from the center portion of the wafer to the edge portion, whereas in the present invention, the cooling is started in the middle portion and the edge portion at the same time and the cooling is performed sequentially. It is possible to significantly shorten the time required.
따라서 공정 수행 중 고온의 열에 의해 열화되는 웨이퍼를 보다 신속하고 균일하게 냉각시키게 되는 작용에 의해 웨이퍼 버닝이 방지되게 하는 동시에 웨이퍼에서의 온도 분포가 균등해지도록 하여 시디 산포가 제거될 수 있도록 한다.Therefore, the wafer burning is prevented by the action of cooling the wafer which is degraded by the high temperature heat during the process more quickly and uniformly, and the temperature distribution in the wafer is equalized so that the CD scatter can be removed.
한편 상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다는 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. On the other hand, while many matters have been described in detail in the above description, they should be construed as illustrative of preferred embodiments rather than to limit the scope of the invention.
따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다. Therefore, the scope of the present invention should not be defined by the described embodiments, but should be determined by the technical spirit described in the claims.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 중앙과 함께 최외곽측의 가스 유동홈(13)으로도 동시에 냉각 가스가 공급되도록 정전 척(10)에의 냉각 가스 공급 구조를 간소하게 개선함으로써 보다 신속한 정전 척(10)의 냉각으로 웨이퍼 버닝을 방지하게 되는 동시에 균일한 웨이퍼 냉각에 따라 시디 산포를 방지하여 제품의 품질을 보다 향상시키게 됨과 함께 안정된 공정 수행에 따라 제품 생산성이 더욱 증대되도록 하는 매우 유용한 효과를 제공하게 된다.As described above, according to the present invention, the electrostatic chuck 10 is more quickly improved by simply improving the cooling gas supply structure to the electrostatic chuck 10 so that the cooling gas is simultaneously supplied to the outermost gas flow groove 13 together with the center thereof. Cooling prevents wafer burning and prevents CD scattering by uniform wafer cooling, which improves product quality and provides a very useful effect of increasing product productivity following stable process performance. .
도 1은 일반적인 에칭 설비에서의 프로세서 챔버 내부의 정전 척에 냉각 가스가 공급되는 구조를 개략적으로 도시한 단면도,1 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure in which a cooling gas is supplied to an electrostatic chuck inside a processor chamber in a general etching facility;
도 2는 종래 정전 척에서의 상측 웨이퍼 안치면에 형성되는 가스 유동홈을 도시한 평면도,2 is a plan view showing a gas flow groove formed in an upper wafer settled surface in a conventional electrostatic chuck,
도 3은 본 발명에 따른 단면도,3 is a cross-sectional view according to the present invention,
도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 안치면을 도시한 평면도.4 is a plan view showing a wafer settled surface according to the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
10 : 정전 척 11 : 요입부10: electrostatic chuck 11: concave part
12 : 가스 유출홀 13 : 가스 유동홈12 gas outlet hole 13 gas flow groove
14 : 가스 안내홈 15 : 통공14: gas guide groove 15: through
20 : 하부 전극 21 : 제1 냉각 가스 통로20: lower electrode 21: first cooling gas passage
22 : 제2 냉각 가스 통로 22: second cooling gas passage
Claims (3)
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|---|---|---|---|
| KR1020040045986A KR20050120877A (en) | 2004-06-21 | 2004-06-21 | Etching apparatus for manufacturing semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
2004
- 2004-06-21 KR KR1020040045986A patent/KR20050120877A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN116864416A (en) * | 2023-07-14 | 2023-10-10 | 扬州韩思半导体科技有限公司 | Monolithic semiconductor wafer etching device |
| CN116864416B (en) * | 2023-07-14 | 2024-05-07 | 扬州韩思半导体科技有限公司 | Monolithic semiconductor wafer etching device |
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