KR20050113782A - Apparatus for fabricating liquid crystal display pane - Google Patents
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Abstract
본 발명은 부피가 소형화됨과 아울러 액정표시패널의 공정시간을 단축할 수 있는 액정표시패널의 제조장치에 관한 것이다. The present invention relates to an apparatus for manufacturing a liquid crystal display panel which can reduce the volume and shorten the process time of the liquid crystal display panel.
본 발명에 따른 액정표시패널의 제조장치는 액정표시소자의 제조공정 중 어느 한 공정이 진행되는 프로세스챔버와; 외부로부터 상기 스퍼터링공정 대상의 기판을 인수받고 상기 프로세스챔버에 직접 연결되는 로드락챔버와; 상기 로드락챔버 내의 기판을 상기 프로세스챔버 내로 이송하기 위한 이송수단을 구비한다. An apparatus for manufacturing a liquid crystal display panel according to the present invention comprises: a process chamber in which any one of the processes of manufacturing a liquid crystal display device is performed; A load lock chamber that receives the substrate of the sputtering process target from the outside and is directly connected to the process chamber; And transfer means for transferring the substrate in the load lock chamber into the process chamber.
Description
본 발명은 액정표시패널의 제조장치에 관한 것으로, 특히 부피가 소형화됨과 아울러 액정표시패널의 공정시간을 단축할 수 있는 액정표시패널의 제조장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for manufacturing a liquid crystal display panel, and more particularly, to an apparatus for manufacturing a liquid crystal display panel which can reduce the volume and shorten the process time of the liquid crystal display panel.
도 1은 일반적인 액정표시패널을 나타내는 사시도이다. 1 is a perspective view illustrating a general liquid crystal display panel.
도 1에 도시된 액정표시패널은 액정(86)을 사이에 두고 합착된 컬러필터 기판(81)과 TFT 기판(91)을 구비한다. The liquid crystal display panel shown in FIG. 1 includes a color filter substrate 81 and a TFT substrate 91 bonded together with a liquid crystal 86 interposed therebetween.
액정(86)은 자신에게 인가된 전계에 응답하여 회전됨으로써 TFT 기판(91)을 경유하여 입사되는 빛의 투과량을 조절하게 된다. The liquid crystal 86 is rotated in response to an electric field applied to the liquid crystal 86 to adjust the amount of light transmitted through the TFT substrate 91.
컬러필터 기판(81)은 상부기판(80a)의 배면 상에 형성되는 컬러필터(82) 및 공통전극(84)을 구비한다. 컬러필터(82)는 적(R), 녹(G) 및 청(B) 색의 컬러필터층이 스트라이프(Stripe) 형태로 배치되어 특정 파장대역의 빛을 투과시킴으로써 컬러표시를 가능하게 한다. 인접한 색의 컬러필터(82)들 사이에는 도시하지 않은 블랙 매트릭스(Black Matrix)(도시하지 않음)가 형성되어 인접한 셀로부터 입사되는 빛을 흡수함으로써 콘트라스트의 저하를 방지하게 된다. The color filter substrate 81 includes a color filter 82 and a common electrode 84 formed on the rear surface of the upper substrate 80a. In the color filter 82, the color filter layers of red (R), green (G), and blue (B) colors are arranged in a stripe form to transmit light of a specific wavelength band, thereby enabling color display. A black matrix (not shown) is formed between the color filters 82 of adjacent colors to absorb the light incident from the adjacent cells, thereby preventing the lowering of the contrast.
TFT 기판(91)은 하부기판(80b)의 전면에 데이터라인(99)과 게이트라인(94)이 상호 교차되도록 형성되며, 그 교차부에 TFT(90)가 형성된다. TFT(90)는 게이트라인(94)에 접속된 게이트전극, 데이터라인(99)에 접속된 소스전극, 채널을 사이에 두고 소스전극과 마주보는 드레인전극으로 이루어진다. 이 TFT(90)는 드레인전극을 관통하는 접촉홀을 통해 화소전극(92)과 접속된다. 이러한 TFT(90)는 게이트라인(94)으로부터의 게이트신호에 응답하여 데이터라인(99)으로부터의 데이터신호를 선택적으로 화소전극(92)에 공급한다. The TFT substrate 91 is formed so that the data line 99 and the gate line 94 cross each other on the front surface of the lower substrate 80b, and the TFT 90 is formed at the intersection thereof. The TFT 90 includes a gate electrode connected to the gate line 94, a source electrode connected to the data line 99, and a drain electrode facing the source electrode with a channel interposed therebetween. The TFT 90 is connected to the pixel electrode 92 through a contact hole penetrating through the drain electrode. The TFT 90 selectively supplies the data signal from the data line 99 to the pixel electrode 92 in response to the gate signal from the gate line 94.
화소전극(92)은 데이터라인(99)과 게이트라인(94)에 의해 분할된 셀 영역에 위치하며 광투과율이 높은 투명전도성물질로 이루어진다. 이 화소전극(99)은 드레인전극을 경유하여 공급되는 데이터신호에 의해 상부기판(80a)에 형성되는 공통전극(84)과 전위차를 발생시키게 된다. 이 전위차에 의해 하부기판(80b)과 상부기판(80a) 사이에 위치하는 액정(86)은 유전율이방성에 의해 회전하게 된다. 이에 따라, 광원으로부터 화소전극(92)을 경유하여 공급되는 광이 상부기판(80a) 쪽으로 투과된다. The pixel electrode 92 is positioned in a cell region divided by the data line 99 and the gate line 94 and is made of a transparent conductive material having high light transmittance. The pixel electrode 99 generates a potential difference from the common electrode 84 formed on the upper substrate 80a by the data signal supplied via the drain electrode. Due to this potential difference, the liquid crystal 86 located between the lower substrate 80b and the upper substrate 80a is rotated by dielectric anisotropy. Accordingly, the light supplied from the light source via the pixel electrode 92 is transmitted toward the upper substrate 80a.
이와 같은 구성을 갖는 액정표시패널의 반도체층, 절연층, 다수의 게이트 전극 및 데이터 라인 등의 신호라인들 등 무기물을 증착하는 경우 스퍼터링(Sputtering) 장치가 이용된다. 스퍼터링 장치는 플라즈마에 의해 이온을 가속시켜 이온을 타겟에 충돌하게 하여 기판에 타겟물질을 성막하는 장치이다. 이 스퍼터링장치를 이용한 스퍼터링공정은 고온에서 진행되는 화학증착장치에 비해 기판을 약 400℃의 저온으로 유지하면서 박막을 형성할 수 있는 장점이 있다. A sputtering apparatus is used when depositing an inorganic material such as signal lines such as semiconductor layers, insulating layers, a plurality of gate electrodes, and data lines of a liquid crystal display panel having such a configuration. A sputtering apparatus is a device for depositing a target material on a substrate by accelerating ions by plasma to cause ions to collide with a target. The sputtering process using this sputtering device has the advantage of forming a thin film while maintaining the substrate at a low temperature of about 400 ℃ compared to the chemical vapor deposition proceeding at a high temperature.
도 2는 종래의 스퍼터링 장치를 포함하는 액정표시패널의 제조장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. FIG. 2 is a view schematically illustrating an apparatus for manufacturing a liquid crystal display panel including a conventional sputtering apparatus.
도 2에 도시된 액정표시패널의 제조장치는 중앙에 배치된 트랜스 챔버(2), 트랜스 챔버(2)의 주위에 방사형으로 배치되는 로드락(4) 챔버, 언로드락(6)챔버, 제1 내지 제4 프로세스 챔버(8,9,10,11) 등으로 이루어지며, 로드락챔버(4)와 트랜스챔버(2)가 연결되는 영역에 위치하는 제1 도어(16), 언로드락챔버(6)와 트랜스챔버(2)가 연결되는 영역에 위치하는 제2 도어(17)가 배치되고, 트랜스챔버(2)와 제1 내지 제4 프로세스 챔버(8,9,10,11)를 연결하는 영역에는 제3 도어(12)들이 배치된다. The apparatus for manufacturing a liquid crystal display panel illustrated in FIG. 2 includes a trans chamber 2 disposed at the center, a load lock 4 chamber radially disposed around the trans chamber 2, an unload lock 6 chamber, and a first chamber. The first door 16 and the unload lock chamber 6, which are formed of the fourth process chambers 8, 9, 10, 11, and the like, and are located in an area where the load lock chamber 4 and the trans chamber 2 are connected. ) And a second door 17 positioned in an area where the trans chamber 2 is connected, and an area connecting the trans chamber 2 and the first to fourth process chambers 8, 9, 10, and 11. The third doors 12 are arranged in the.
트랜스퍼 챔버(4) 내에는 이송 기구로서 기판(10)을 자동 이송할수 있는 제1 로봇이 설치되어 로드락 챔버(2)에 로딩된 기판을 프로세스 챔버 예를 들어 제1 프로세스 챔버(8)로 이송시킨다. In the transfer chamber 4, a first robot capable of automatically transferring the substrate 10 as a transfer mechanism is installed to transfer the substrate loaded in the load lock chamber 2 to a process chamber, for example, the first process chamber 8. Let's do it.
로드락 챔버(4))에는 제2 로봇에 의해 기판이 로딩된다. The load lock chamber 4 is loaded with a substrate by a second robot.
제1 내지 제4 프로세스 챔버(8,9,10,11)내에는 스퍼터링 장치가 위치함으로써 실제로 스퍼터링공정이 실시된다.Since the sputtering device is located in the first to fourth process chambers 8, 9, 10, 11, the sputtering process is actually performed.
제1 도어(16)는 로드락챔버(4)와 트랜지 챔버(2)의 환경을 각각 분리하는 역할을 하고, 제2 도어(17)는 언로드락챔버(6)와 트랜지 챔버(2)의 환경을 각각 분리하는 역할을 한다. 제3 도어(12)들은 트랜스 챔버(2)와 프로세스 챔버(8,9,10,11)의 환경을 분리함과 아울러 프로세스 챔버(8,9,10,11)의 고진공을 유지할 수 있게 하는 역할을 한다. The first door 16 serves to separate the environment of the load lock chamber 4 and the transition chamber 2, and the second door 17 serves as the unload lock chamber 6 and the transition chamber 2, respectively. It separates each environment. The third doors 12 serve to separate the environment of the trans chamber 2 and the process chambers 8, 9, 10, 11 and maintain high vacuum of the process chambers 8, 9, 10, 11. Do it.
이러한 스퍼터링 장비의 작동을 설명하면, 기판이 기판카세트에 소정의 개수(25매 정도)가 수용되고, 제2 로봇에 의해 로드락챔버(4) 내에 배치된다. 그리고, 트랜스챔버(2)의 제1 로봇이 로드락챔버(4) 내의 기판을 한 매씩 꺼내어 각 프로세스 챔버(8,9,10,11)에 순차적으로 이송하고, 스퍼터링을 포함하는 각종 공정을 행한 후에, 언로드락 챔버(6)로 되돌아가도록 되어 있다. 언로드락챔버(6)에는 마찬가지로 기판카세트가 배치되어 있으며, 처리가 끝난 기판을 소정의 개수까지 수용 가능하게 되어 있다. When the operation of such sputtering equipment is explained, a predetermined number (about 25 sheets) of the substrate is accommodated in the substrate cassette, and the substrate is placed in the load lock chamber 4 by the second robot. Then, the first robot of the transchamber 2 takes out the substrates in the load lock chamber 4 one by one, sequentially transfers them to the respective process chambers 8, 9, 10, and 11 and performs various processes including sputtering. Then, it returns to the unload lock chamber 6. In the unload lock chamber 6, the substrate cassette is similarly arranged, and the processed substrate can be accommodated up to a predetermined number.
도 3a 내지 도 3e는 종래의 트랜스 챔버(2)내에 배치된 제1 로봇에 의해 기판이 프로세스 챔버내로 이송되는 과정과 스퍼터링을 설명하기 위한 도면이다. 3A to 3E are diagrams for explaining a process and sputtering of the substrate being transferred into the process chamber by the first robot disposed in the conventional trans chamber 2.
먼저, 트랜스챔버(2)내로 이송된 기판(30)은 도 3a에 도시된 바와 같이 트랜스챔버(2)의 제1 로봇(32)이 프로세스챔버 예를 들어, 제1 프로세스 챔버(8)의 스퍼티링 장치(40)로 이동한다. 제1 로봇의 암(34)에는 기판(30)이 로딩되어 있고 로봇암(34)이 도 3b에 도시된 바와 같이 스퍼터링 장치(40)로 이동하고 도 3c에 도시된 바와 같이 서셉터(36) 상에 위치하는 리프트 핀(38)상에 기판(30)이 안착되고, 제1 로봇(32)이 프로세스챔버(8) 외부로 후퇴하게 된다. 이에 따라, 도 3d에 도시된 바와 같이 스퍼터링 장치(40)에 기판(30)이 로딩된다. 이후, 도 3e에 도시된 바와 같이 서셉터의 회전부(42)가 회전함으로써 기판(30)과 타겟부(TP)가 나란하게 된다. 타겟부(TP)는 자석(50), 후면판(48) 및 타겟(46)으로 이루어진다. 자석(50)은 플라즈마에서 발생하는 전자가 스퍼터링 장치의 다른 부분으로 이탈하는 것을 방지하기 위해 자기장을 인가하게 된다. 후면판(48)은 스퍼터링에 의해 기판(30)에 형성되는 증착물질인 타겟(46)을 고정하게 된다. First, as shown in FIG. 3A, the substrate 30 transferred into the transchamber 2 is configured by the first robot 32 of the transchamber 2 being transferred to the process chamber, for example, the first process chamber 8. Move to the puttying device 40. The arm 34 of the first robot is loaded with a substrate 30 and the robot arm 34 moves to the sputtering device 40 as shown in FIG. 3B and the susceptor 36 as shown in FIG. 3C. The substrate 30 is seated on a lift pin 38 positioned thereon, and the first robot 32 is retracted out of the process chamber 8. Accordingly, the substrate 30 is loaded into the sputtering apparatus 40 as shown in FIG. 3D. Subsequently, as shown in FIG. 3E, the rotation part 42 of the susceptor rotates so that the substrate 30 and the target part TP are parallel to each other. The target portion TP consists of a magnet 50, a back plate 48, and a target 46. The magnet 50 applies a magnetic field to prevent electrons generated in the plasma from escaping to other parts of the sputtering apparatus. The back plate 48 fixes the target 46, which is a deposition material formed on the substrate 30 by sputtering.
이와 같이 기판과 타켓(46)이 정위치 되면 타겟(46)과 상기 기판(30)이 위치한 서셉터(36)를 각각 전원의 음극단과 양극단에 연결하고 고주파를 발생시키면서 직류전원을 인가하면 전기장의 작용으로 타겟(46)에서 전자가 발생하고 이 전자들은 양극단으로 가속된다. 여기서, 가속 전자들이 챔버에 공급된 불활성가스와 충돌하여 불활성가스가 이온화되는 플라즈마가 발생된다. 이에 따라, 불활성 가스의 양이온은 전기장의 작용으로 음극단에 연결된 타겟(46)과 충돌하여 타겟(46) 표면에서 타겟(46) 원자들이 이탈되는 스퍼터링 현상이 발생되고 불활성 가스의 전자는 양극단으로 가속된다. 이렇게 이탈된 타겟(46) 원자들은 기판(30)에 형성됨으로써 게이트 전극 등의 무기물이 형성된다. When the substrate and the target 46 are positioned as described above, the target 46 and the susceptor 36 on which the substrate 30 is positioned are connected to the cathode and anode terminals of the power supply, respectively, and a high frequency is generated to apply a DC power supply. The action of generates electrons in the target 46 and these electrons are accelerated to the extreme ends. Here, the accelerating electrons collide with the inert gas supplied to the chamber to generate a plasma in which the inert gas is ionized. Accordingly, the cation of the inert gas collides with the target 46 connected to the cathode by the action of an electric field, thereby causing a sputtering phenomenon in which target 46 atoms are released from the surface of the target 46, and the electrons of the inert gas accelerate to the anode end. do. The separated target 46 atoms are formed on the substrate 30 to form an inorganic material such as a gate electrode.
한편, 이와 같은 종래의 액정표시패널의 제조장치는 제1 로봇을 포함하는 트랜스 챔버(2)를 구비함으로써 제조장치 전체의 부피가 증가하는 하는 문제가 있고, 로드락 챔버(4)에 로딩된 기판(30)을 트랜스 챔버(2)를 거쳐 프로세스 챔버(8)로 이송됨으로써 공정시간이 증가되는 문제가 있다. On the other hand, the conventional manufacturing apparatus of the liquid crystal display panel has a problem that the volume of the entire manufacturing apparatus is increased by providing the trans chamber 2 including the first robot, the substrate loaded in the load lock chamber (4) The process time is increased by transferring the 30 to the process chamber 8 via the trans chamber 2.
따라서, 본 발명의 목적은 트랜스 챔버를 제거함으로써 부피가 소형화됨과 아울러 액정표시패널의 공정시간을 단축할 수 있는 액정표시패널의 제조장치를 제공하는데 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide an apparatus for manufacturing a liquid crystal display panel which can reduce the volume and shorten the process time of the liquid crystal display panel by removing the trans chamber.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정표시패널의 제조장치는 액정표시소자의 제조공정 중 어느 한 공정이 진행되는 프로세스챔버와; 외부로부터 상기 스퍼터링공정 대상의 기판을 인수받고 상기 프로세스챔버에 직접 연결되는 로드락챔버와; 상기 로드락챔버 내의 기판을 상기 프로세스챔버 내로 이송하기 위한 이송수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the apparatus for manufacturing a liquid crystal display panel according to the present invention comprises a process chamber in which any one of the manufacturing process of the liquid crystal display device is carried out; A load lock chamber that receives the substrate of the sputtering process target from the outside and is directly connected to the process chamber; And transfer means for transferring the substrate in the load lock chamber into the process chamber.
상기 이송수단은, 레일과 상기 레일을 따라 이동 가능한 이송체를 가지는 제1 LM 가이드와; 상기 제1 LM 가이드 상에 설치되어 상기 외부로부터 상기 기판을 인수하는 제1 이송유닛과; 상기 로드락챔버 내에서 레일과 상기 레일을 따라 이동 가능한 이송체를 가지며 상기 로드락챔버와 상기 프로세스챔버 사이의 이송로를 마련하는 제2 LM 가이드와; 레일과 상기 레일을 따라 이동 가능한 이송체를 가지며 상기 제2 LM 가이드를 상기 제1 LM 가이드 쪽으로 전진시킴과 아울러 상기 제2 LM 가이드를 상기 제1 LM 가이드로부터 후퇴시키기 위한 경로를 마련하는 제3 LM 가이드와; 상기 제1 LM 가이드의 이송체를 전후퇴시키기 위한 제1 구동원과; 상기 제2 LM 가이드의 이송체를 전후퇴시키기 위한 제2 구동원과; 상기 제3 LM 가이드의 이송체를 전후퇴시키기 위한 제3 구동원을 구비하는 것을 특징으로 한다. The conveying means may include a first LM guide having a rail and a conveying member movable along the rail; A first transfer unit installed on the first LM guide and receiving the substrate from the outside; A second LM guide having a rail and a transfer member movable along the rail in the load lock chamber, the second LM guide providing a transfer path between the load lock chamber and the process chamber; A third LM having a rail and a conveying member movable along the rail, the third LM guide forwarding the second LM guide toward the first LM guide and providing a path for retracting the second LM guide from the first LM guide; With a guide; A first drive source for moving back and forth the conveying member of the first LM guide; A second drive source for moving back and forth the conveying member of the second LM guide; And a third drive source for moving back and forth the conveying member of the third LM guide.
상기 프로세서 챔버 내에서 상기 이송수단으로부터 상기 기판을 인수받고 상기 공정이 진행되는 기간 동안 상기 기판을 지지하는 제2 이송유닛과; 레일과 상기 레일을 따라 이동 가능한 이송체를 가지며 직선 상에서 상기 제2 LM 가이드와 나란하게 상기 프로세서 챔버 내에 배치되어 상기 제2 이송유닛의 직선운동을 안내하는 제4 LM 가이드와; 상기 제4 LM 가이드의 이송체를 전후퇴시키기 위한 제4 구동원을 더 구비하는 것을 특징으로 한다. A second transfer unit which receives the substrate from the transfer means in the processor chamber and supports the substrate during the process; A fourth LM guide having a rail and a conveying member movable along the rail and disposed in the processor chamber in parallel with the second LM guide on a straight line to guide linear movement of the second conveying unit; And a fourth driving source for back and forth the conveying member of the fourth LM guide.
상기 제4 LM 가이드를 아래에서 지지하고 회전 가능한 원판과; 상기 원판을 회전시키기 위한 제5 구동원을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.A disc supporting the fourth LM guide from below and rotatable; And a fifth drive source for rotating the disc.
상기 프로세스챔버의 제1 측에 배치되며 상기 기판에 대향 가능한 제1 타겟, 제1 음극 및 제1 자석과; 상기 프로세스챔버 내에서 상기 기판을 사이에 두고 상기 제1 측과 반대측의 제2측에 배치되며 상기 기판에 대향 가능한 제2 타겟, 제2 음극 및 제2 자석을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.A first target, a first cathode, and a first magnet disposed on a first side of the process chamber and opposed to the substrate; And a second target, a second cathode, and a second magnet disposed on a second side opposite to the first side with the substrate interposed therebetween in the process chamber and facing the substrate.
상기 제4 LM 가이드 상에서 상기 제2 유송유닛을 회전시키기 위한 회전 가동부와; 상기 회전 가동부를 회전시키기 위한 제6 구동원을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.A rotatable movable portion for rotating the second flow unit on the fourth LM guide; And a sixth drive source for rotating the rotatable movable portion.
상기 제2 이송유닛 내에서 상기 기판과 대면하는 음극을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.And a cathode facing the substrate in the second transfer unit.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. Other objects and features of the present invention in addition to the above object will be apparent from the description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.
이하, 도 4 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 7.
도 4는 본 발명에 따른 스퍼터링 장치를 포함하는 액정표시패널의 제조장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 4 is a view schematically showing an apparatus for manufacturing a liquid crystal display panel including a sputtering apparatus according to the present invention.
도 4에 도시된 액정표시패널의 제조장치는 액정표시패널의 제조공정 중 어느 한 공정이 진행될 수 있는 스퍼터링 장치를 포함하는 적어도 하나의 프로세스챔버(108), 스퍼터링공정 대상의 기판을 인수받고 프로세스챔버(108)에 바로 연결되는 로드락챔버(104), 로드락챔버(104) 내의 기판을 프로세스챔버(108)내로 이송하기 위한 다수의 이송수단 예를 들어, LM가이드를 구비한다. The apparatus for manufacturing a liquid crystal display panel illustrated in FIG. 4 includes at least one process chamber 108 including a sputtering apparatus capable of performing any one of the processes of manufacturing a liquid crystal display panel, a substrate subjected to a sputtering process, and receives the process chamber. A load lock chamber 104 directly connected to 108, a plurality of transfer means for transferring the substrate in the load lock chamber 104 into the process chamber 108, for example, an LM guide.
각각의 LM가이드(155)는 공지 기술의 이송수단으로써 도 5에 도시된 바와 같이 레일(164)과 상기 레일(164)을 따라 이동 가능한 이송체(162)를 구비하고 실린더, 모터 및 에어압 중 적어도 어느하나를 이용한 구동부에 의해 구동하게 된다. 여기서 레일(164)과 이송체(162) 사이에는 베어링(166) 등이 삽입될 수 있다. Each LM guide 155 has a rail 164 and a conveying body 162 movable along the rail 164 as shown in FIG. It is driven by the drive unit using at least one. Here, the bearing 166 or the like may be inserted between the rail 164 and the conveying member 162.
제1 LM가이드(150) 상에는 외부로 부터 기판을 인수받기 위한 제1 이송유닛(170)을 구비하여 외부와 로드락챔버(104) 사이의 이송로를 마련한다. 제1 이송유닛(170)은 제1 LM가이드(150) 상에 고정되는 고정부(172), 고정부(172)와 연결됨과 아울러 리프트 핀(174)이 위치하는 지지부(176)를 구비한다. 여기서, 제1 이송유닛(170)에 기판이 용이하게 안착될 수 있도록 지지부(176)와 고정부(172)는 서로 70도~87도 정도의 경사각을 이룬다. The first LM guide 150 is provided with a first transfer unit 170 for receiving a substrate from the outside to provide a transfer path between the outside and the load lock chamber 104. The first transfer unit 170 includes a fixing part 172 fixed on the first LM guide 150, a support part 176 connected to the fixing part 172, and a lift pin 174. Here, the support portion 176 and the fixing portion 172 forms an inclination angle of about 70 degrees to about 87 degrees so that the substrate can be easily seated on the first transfer unit 170.
제2 LM가이드(160)는 로드락챔버(104)와 프로세스챔버(108) 사이에 이송로를 마련함과 아울러 제1 이송유닛(170)으로 부터 기판을 인수받는 제2 이송유닛(180)을 구비한다. 제2 이송유닛(180)은 기판이 안착되는 지지부(182), 지지부(182)와 제2 LM 가이드(160) 사이에 위치하여 지지부(182)가 소정각도로 회전할 수 있도록 함과 아울러 제2 LM 가이드(160)에 지지부(182)를 고정시키는 회전부(184), 지지부(182)와 접속되어 기판을 지지부에 고정시키기 위한 보조지지부(183)를 구비한다. The second LM guide 160 has a transfer path between the load lock chamber 104 and the process chamber 108 and includes a second transfer unit 180 that receives the substrate from the first transfer unit 170. do. The second transfer unit 180 is positioned between the support part 182 on which the substrate is mounted, the support part 182 and the second LM guide 160 to allow the support part 182 to rotate at a predetermined angle, and the second The rotating part 184 which fixes the support part 182 to the LM guide 160, and the auxiliary support part 183 connected with the support part 182 to fix a board | substrate to a support part are provided.
한편, 제2 LM가이드(160)를 제1 LM가이드(150)쪽으로 전진 및 후퇴시키기 위한 경로를 마련하는 제3 LM가이드(미도시)를 더 구비할 수 있다. Meanwhile, a third LM guide (not shown) may be further provided to provide a path for advancing and retracting the second LM guide 160 toward the first LM guide 150.
제4 LM가이드(190)는 프로세스챔버(108) 내에서 제2 LM가이드(160)와 일직선상에 나란하게 배치되어 제2 LM가이드(160) 상에 설치되는 제2 이송유닛(180)의 직선운성을 안내하는 역할을 하게 된다. The fourth LM guide 190 is disposed in parallel with the second LM guide 160 in the process chamber 108 and is a straight line of the second transfer unit 180 installed on the second LM guide 160. It will serve as a guide to the clouds.
제4 LM가이드(190) 아래에는 제4 LM가이드(190)를 지지함과 아울러 회전가능한 원판(195)이 위치하게 된다. 이 원판(195) 또한 실런더, 모터 및 에어압 등에 의해 구동하게 된다. 한편, 제2 LM가이드(160)의 레일(164)이 제1 도어(120)에서만 분리되고 프로세서챔버(108)까지 연결되도록 배치되는 경우 제2 LM가이드(160)의 이송체(162)가 프로세서챔버(108)로 직접 이동할 수 도 있다. Under the fourth LM guide 190, a rotatable disc 195 is positioned while supporting the fourth LM guide 190. This disc 195 is also driven by a cylinder, a motor, and air pressure. On the other hand, when the rail 164 of the second LM guide 160 is disposed to be separated from only the first door 120 and connected to the processor chamber 108, the transfer body 162 of the second LM guide 160 is a processor. It may also move directly to the chamber 108.
로드락챔버(104)와 프로세스챔버(108)가 연결되는 영역에 위치하는 제1 도어(120)는 로드락챔버(104)와 프로세스 챔버(108)의 환경을 각각 분리하는 역할을 한다. The first door 120 positioned in the region where the load lock chamber 104 and the process chamber 108 are connected serves to separate the environment of the load lock chamber 104 and the process chamber 108, respectively.
이와 같은 액정표시패널의 제조장치의 동작을 설명하면 다음과 같다. The operation of the apparatus for manufacturing a liquid crystal display panel will be described below.
기판(130)이 기판 카세트에 소정의 개수(25매 정도)가 수용되고, 도 6a 에 도시된 바와 같이 로봇(미도시)에 의해 제1 LM 가이드(150)에 의해 고정된 제1 이송유닛(170)에 기판(130)이 로딩된다. A predetermined number (about 25 sheets) of the substrate 130 is accommodated in the substrate cassette, and as illustrated in FIG. 6A, a first transfer unit fixed by the first LM guide 150 by a robot (not shown) The substrate 130 is loaded into 170.
제1 LM 가이드(150)의 제1 구동부(미도시)가 구동함에 따라 제1 LM 가이드(150)의 이송체(162)가 로드락 챔버(104)로 이동함으로써 제1 이송유닛(170) 및 기판(130)이 로드락 챔버(104)에 위치하게 된다. 이후, 도 6b에 도시된 바와 같이 로드락 챔버(104)에 위치하는 제2 LM 가이드(160)에 의해 고정된 제2 이송유닛(180)이 제3 LM 가이드(160)에 의해 제1 이송유닛(170)에 접근하게 된다. 여기서, 제3 LM 가이드(미도시)는 스크류 및 너트에 의해 직선운동이 가능한 레일 및 이송체가 이용될 수 있다. 이후, 제2 이송유닛(180)의 회전부(184)가 회전함으로써 제2 이송유닛(180)의 지지부(182)가 기판(130)에 나란하게 정렬된 후 진공흡착에 의해 도 6c에 도시된 바와 같이 제2 이송유닛(180)의 지지부(182)가 기판(130)을 인수받게 된다. As the first driving unit (not shown) of the first LM guide 150 is driven, the transfer member 162 of the first LM guide 150 moves to the load lock chamber 104 so that the first transfer unit 170 and The substrate 130 is located in the load lock chamber 104. Thereafter, as shown in FIG. 6B, the second transfer unit 180 fixed by the second LM guide 160 positioned in the load lock chamber 104 is moved by the third LM guide 160 to the first transfer unit. (170). In this case, the third LM guide (not shown) may use a rail and a conveying body capable of linear movement by a screw and a nut. Thereafter, as the rotating unit 184 of the second transfer unit 180 rotates, the support unit 182 of the second transfer unit 180 is aligned side by side with the substrate 130, and as shown in FIG. 6C by vacuum adsorption. Likewise, the support 182 of the second transfer unit 180 receives the substrate 130.
이후, 제3 LM가이드(미도시)가 후퇴하게 되고 제2 이송유닛(160)은 제2 LM가이드(160)에 의해 프로세스챔버(108)로 진입하게 된다. 이때, 제1 도어(120)가 열리고 프로세스챔버(104)에 배치되는 제4 LM가이드(190) 또한 제2 LM가이드(160) 쪽으로 이동하여 제2 이송유닛(180)이 제4 LM가이드(190)로 이송된 후 제1 도어(120)가 닫혀짐으로써 프로세스챔버(108)는 고진공을 유지하게 된다. Thereafter, the third LM guide (not shown) retreats and the second transfer unit 160 enters the process chamber 108 by the second LM guide 160. At this time, the first door 120 is opened and the fourth LM guide 190 disposed in the process chamber 104 also moves toward the second LM guide 160 so that the second transfer unit 180 moves to the fourth LM guide 190. After the first door 120 is closed, the process chamber 108 maintains a high vacuum.
이후, 도 6d에 도시된 바와 같이 스퍼터링 장치는 프로세스챔버(108)의 1 측에 배치되며 기판(130)과 대향하는 제1 타겟(246), 제1 자석(250), 제1 후면판(248)이 위치하고 상기 프로세스챔버(108)의 1 측의 반대측에 위치하는 제2 타겟(346), 제2 자석(350), 제2 후면판(348)이 위치한다.Subsequently, as shown in FIG. 6D, the sputtering apparatus is disposed on one side of the process chamber 108 and faces the substrate 130, and the first target 246, the first magnet 250, and the first back plate 248. ) And a second target 346, a second magnet 350, and a second back plate 348 positioned on the opposite side of one side of the process chamber 108.
제1 및 제2 자석(250,350)은 플라즈마에서 발생하는 전자가 스퍼터링 장치의 다른 부분으로 이탈하는 것을 방지하기 위해 자기장을 인가하게 된다. 제1 및 제2 후면판(248,348)은 스퍼터링에 의해 기판(130)에 형성되는 증착물질인 타겟(246,346)을 고정하게 된다. The first and second magnets 250 and 350 apply a magnetic field to prevent electrons generated from the plasma from escaping to other parts of the sputtering device. The first and second back plates 248 and 348 fix the targets 246 and 346, which are deposition materials formed on the substrate 130 by sputtering.
기판(130)과 제1 타켓(246)이 정위치 되면 제1 타겟(246)과 상기 기판(130)이 위치한 지지부(182)를 각각 전원의 음극단과 양극단에 연결하고 고주파를 발생시키면서 직류전원을 인가하면 전기장의 작용으로 제1 타겟(246)에서 전자가 발생하고 이 전자들은 양극단으로 가속된다. 여기서, 가속 전자들이 챔버에 공급된 불활성가스와 충돌하여 불활성가스가 이온화되는 플라즈마가 발생된다. 이에 따라, 불활성 가스의 양이온은 전기장의 작용으로 음극단에 연결된 제1 타겟(246)과 충돌하여 제1 타겟(246) 표면에서 제1 타겟(246) 원자들이 이탈되는 스퍼터링 현상이 발생되고 불활성 가스의 전자는 양극단으로 가속된다. 이렇게 이탈된 제1 타겟(246) 원자들은 기판(130)에 형성됨으로써 액정표시패널의 게이트 전극 등의 무기물층이 증착된다. When the substrate 130 and the first target 246 are in the correct position, the first target 246 and the support part 182 on which the substrate 130 is located are connected to the cathode and anode terminals of the power supply, respectively, and generate a high frequency power. When is applied, electrons are generated in the first target 246 under the action of the electric field, and these electrons are accelerated to the extreme ends. Here, the accelerating electrons collide with the inert gas supplied to the chamber to generate a plasma in which the inert gas is ionized. Accordingly, the cation of the inert gas collides with the first target 246 connected to the cathode end by the action of an electric field, and a sputtering phenomenon occurs in which the atoms of the first target 246 are separated from the surface of the first target 246. Electrons are accelerated to both ends. The separated first target 246 atoms are formed on the substrate 130 to deposit an inorganic layer such as a gate electrode of the liquid crystal display panel.
제1 타겟부에서 스퍼터링 공정이 수행된 후 제4 LM가이드(190)를 지지하는 원판(195)이 회전함으로써 도 6e에 도시된 바와 같이 제2 타겟(346)에 기판(130)이 대향하게 되어 스퍼터링 공정이 바로 진행될 수 있게 된다.After the sputtering process is performed in the first target portion, the disc 195 supporting the fourth LM guide 190 rotates so that the substrate 130 faces the second target 346 as shown in FIG. 6E. The sputtering process can be performed immediately.
스퍼터링을 포함하는 각종 공정을 행한 후에 제2 이송유닛(180)이 프로세스챔버(180)로 이송된 과정과 동일한 과정에 의해 제4 및 제2 LM가이드(190,160)를 이용하여 프로세스챔버(108)를 빠져나가고 제1 LM 가이드(150)에 위치하는 제1 이송유닛(170)에 기판(130)이 다시 로딩된 후 제1 LM 가이드(150)가 로드락 챔버(104)를 빠져나가게 된다. 이후, 제1 이송유닛(170)에 로딩된 기판(130)이 로봇에 의해 카세트에 다시 배치되게 된다. 한편, 로드락 챔버(104) 및 프로세스챔버(108) 내에는 각각의 LM가이드의 진입, 정지 등을 제어하기 위한 제어부를 각각 구비하게 된다. After the various processes including sputtering, the process chamber 108 is formed using the fourth and second LM guides 190 and 160 by the same process as the second transfer unit 180 is transferred to the process chamber 180. After the substrate 130 is reloaded into the first transfer unit 170 positioned in the first LM guide 150, the first LM guide 150 exits the load lock chamber 104. Subsequently, the substrate 130 loaded on the first transfer unit 170 is placed back into the cassette by the robot. On the other hand, in the load lock chamber 104 and the process chamber 108 is provided with a control unit for controlling the entry, stop, etc. of each LM guide.
이와 같이 본 발명에 따른 액정표시패널의 제조장치는 종래 대비 트랜스 챔버가 제거되고 로드락 챔버에서 직접 프로세스챔버에 기판을 이송하게 된다. 이에 따라, 제조장치의 부피가 간소화 및 소형화된다. 또한, 로더락 챔버와 프로세스챔버간에 LM 가이드 및 이송유닛에 의해 라인형태로 이송함으로써 제조공정이 단순화된다. As described above, in the apparatus for manufacturing a liquid crystal display panel according to the present invention, the trans chamber is removed and the substrate is transferred directly from the load lock chamber to the process chamber. Accordingly, the volume of the manufacturing apparatus is simplified and downsized. In addition, the manufacturing process is simplified by transferring in line form between the loader lock chamber and the process chamber by the LM guide and the transfer unit.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시패널의 제조장치는 트랜스 챔버가 제거되고 LM가이드를 이용하여 로드락 챔버에서 직접 프로세스챔버로 이동하게 됨으로써 부피를 간소화 및 소형화함과 아울러 액정표시패널의 제조공정이 단순화된다.As described above, the apparatus for manufacturing a liquid crystal display panel according to the present invention simplifies and miniaturizes volume and manufactures a liquid crystal display panel by removing a trans chamber and moving directly from a load lock chamber to a process chamber using an LM guide. The process is simplified.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다. Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.
도 1은 종래의 액정표시패널을 나타내는 도면이다. 1 is a view showing a conventional liquid crystal display panel.
도 2는 스퍼터링 공정을 수행하기 위한 액정표시패널의 제조장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 2 is a schematic view of an apparatus for manufacturing a liquid crystal display panel for performing a sputtering process.
도 3a 내지 도 3e는 트랜스 챔버에서 프로세서챔버로의 기판 이송 및 스퍼터링을 설명하기 위한 도면이다. 3A to 3E are diagrams for describing substrate transfer and sputtering from the trans chamber to the processor chamber.
도 4은 본 발명에 따른 액정표시패널의 제조장치를 나타내는 도면이다. 4 is a view showing an apparatus for manufacturing a liquid crystal display panel according to the present invention.
도 5는 도 4에 도시된 LM가이드를 나타내는 도면이다. 5 is a view showing the LM guide shown in FIG.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명에 따른 액정표시패널의 제조장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 6A to 6E are views for explaining the operation of the apparatus for manufacturing a liquid crystal display panel according to the present invention.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
4,104 : 로드락챔버 8,108 : 프로세스챔버 4,104: Load lock chamber 8,108: Process chamber
30,130 : 기판 40 : 스퍼터링장치 30,130: substrate 40: sputtering device
150,160,190 : LM가이드 170,180 : 이송유닛 150,160,190: LM Guide 170,180: Transfer Unit
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