KR20050111918A - Pixel test method for array of light emitting panel and deriver thereof - Google Patents

Pixel test method for array of light emitting panel and deriver thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20050111918A
KR20050111918A KR1020040036850A KR20040036850A KR20050111918A KR 20050111918 A KR20050111918 A KR 20050111918A KR 1020040036850 A KR1020040036850 A KR 1020040036850A KR 20040036850 A KR20040036850 A KR 20040036850A KR 20050111918 A KR20050111918 A KR 20050111918A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistor
signal
electrode
pixel
inspection
Prior art date
Application number
KR1020040036850A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100708837B1 (en
Inventor
김양완
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020040036850A priority Critical patent/KR100708837B1/en
Publication of KR20050111918A publication Critical patent/KR20050111918A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100708837B1 publication Critical patent/KR100708837B1/en

Links

Classifications

    • AHUMAN NECESSITIES
    • A47FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47CCHAIRS; SOFAS; BEDS
    • A47C31/00Details or accessories for chairs, beds, or the like, not provided for in other groups of this subclass, e.g. upholstery fasteners, mattress protectors, stretching devices for mattress nets
    • A47C31/10Loose or removable furniture covers
    • A47C31/105Loose or removable furniture covers for mattresses
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A44HABERDASHERY; JEWELLERY
    • A44BBUTTONS, PINS, BUCKLES, SLIDE FASTENERS, OR THE LIKE
    • A44B19/00Slide fasteners
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A47FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47CCHAIRS; SOFAS; BEDS
    • A47C27/00Spring, stuffed or fluid mattresses or cushions specially adapted for chairs, beds or sofas
    • A47C27/002Mattress or cushion tickings or covers
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A47FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47CCHAIRS; SOFAS; BEDS
    • A47C27/00Spring, stuffed or fluid mattresses or cushions specially adapted for chairs, beds or sofas
    • A47C27/04Spring, stuffed or fluid mattresses or cushions specially adapted for chairs, beds or sofas with spring inlays
    • A47C27/06Spring inlays
    • A47C27/07Attaching, or interconnecting of, springs in spring inlays
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A47FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47CCHAIRS; SOFAS; BEDS
    • A47C31/00Details or accessories for chairs, beds, or the like, not provided for in other groups of this subclass, e.g. upholstery fasteners, mattress protectors, stretching devices for mattress nets
    • A47C31/02Upholstery attaching means

Abstract

본 발명은 발광 표시 패널 어레이에 배치된 화소 회로의 소자들을 검사할 수 있는 화소 검사 방법을 제공하는 것이다.The present invention provides a pixel inspection method capable of inspecting elements of a pixel circuit arranged in a light emitting display panel array.

본 발명은, 발광소자가 화소 전극 상에 형성되는 화소 회로가 매트릭스 형태로 배열된 표시패널 어레이의 화소 검사방법이다. 먼저, 본 발명에 따른 화소 회로는 게이트전극과 제1 주전극의 전압차에 대응하는 전류를 제2 주전극으로 출력하는 구동 트랜지스터와 구동 트랜지스터를 다이오드 연결하는 다이오드 트랜지스터를 포함한다. 이러한 화소 회로가 형성된 표시패널 어레이에서, 구동 트랜지스터가 전극과 상기 화소 전극을 전기적으로 연결된 상태에서 구동 트랜지스터를 다이오드 연결시키는 다이오드 트랜지스터를 턴온시킨다. 그 다음, 다이오드 트랜지스터가 턴온된 상태에서 화소전극에 전자빔을 조사한다. 그런 다음 화소전극으로부터 방출되는 전자량을 검출한다. 검출된 전자량에 기초하여 구동 트랜지스터 및 다이오드 트랜지스터의 정상 여부를 판단할 수 있다.The present invention is a pixel inspection method of a display panel array in which pixel circuits in which light emitting elements are formed on pixel electrodes are arranged in a matrix form. First, the pixel circuit according to the present invention includes a driving transistor for outputting a current corresponding to the voltage difference between the gate electrode and the first main electrode to the second main electrode, and a diode transistor for diode-connecting the driving transistor. In the display panel array having such a pixel circuit, the driving transistor turns on a diode transistor for diode-connecting the driving transistor while the electrode and the pixel electrode are electrically connected to each other. Next, the electron beam is irradiated to the pixel electrode while the diode transistor is turned on. Then, the amount of electrons emitted from the pixel electrode is detected. It may be determined whether the driving transistor and the diode transistor are normal based on the detected amount of electrons.

Description

발광 표시 패널 어레이의 화소 검사 방법 및 그 구동장치{Pixel test method for array of light emitting panel and deriver thereof} Pixel test method for array of light emitting panel and deriver

본 발명은 액티브 매트릭스형 표시패널에 관한 것으로, 특히 액티브 매트릭스 구조를 가지는 유기EL 표시패널 어레이의 화소 검사방법 및 화소 검사를 수행할 수 있는 주사구동장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix display panel, and more particularly, to a pixel inspection method and a scan driving apparatus capable of performing pixel inspection of an organic EL display panel array having an active matrix structure.

일반적으로 유기EL 표시장치는, 형광성 유기 화합물을 전기적으로 여기시켜 발광시키는 표시장치로서, 행렬 형태로 배열된 N×M 개의 유기 발광셀들을 전압 구동 혹은 전류 구동하여 영상을 표현할 수 있도록 되어 있다. In general, an organic EL display device is a display device for electrically exciting a fluorescent organic compound to emit light, and is capable of displaying an image by voltage driving or current driving N × M organic light emitting cells arranged in a matrix form.

이러한 유기 발광셀은 다이오드 특성을 가져서 유기 발광 다이오드(OLED)로도 불리며, 도 1에 나타낸 바와 같이 애노드(ITO), 유기 박막, 캐소드 전극층(금속)의 구조를 가지고 있다. 유기 박막은 전자와 정공의 균형을 좋게 하여 발광 효율을 향상시키기 위해 발광층(emitting layer, EML), 전자 수송층(electron transport layer, ETL) 및 정공 수송층(hole transport layer, HTL)을 포함한 다층 구조로 이루어지고, 또한 별도의 전자 주입층(electron injecting layer, EIL)과 정공 주입층(hole injecting layer, HIL)을 포함하고 있다. 이러한 유기 발광셀들이 N×M 개의 매트릭스 형태로 배열되어 유기 EL 표시패널을 형성한다.Such an organic light emitting cell has a diode characteristic and is also called an organic light emitting diode (OLED), and has a structure of an anode (ITO), an organic thin film, and a cathode electrode layer (metal), as shown in FIG. 1. The organic thin film has a multilayer structure including an emitting layer (EML), an electron transport layer (ETL), and a hole transport layer (HTL) to improve the emission efficiency by improving the balance between electrons and holes. It also includes a separate electron injecting layer (EIL) and a hole injecting layer (HIL). These organic light emitting cells are arranged in an N × M matrix to form an organic EL display panel.

이와 같은 유기EL 표시패널을 구동하는 방식에는 단순 매트릭스(passive matrix) 방식과 박막 트랜지스터(thin film transistor, 이하 TFT라고 명명함)를 이용한 능동 매트릭스(active matrix)형이 있다. 단순 매트릭스 방식은 양극과 음극을 직교하도록 형성하고 라인을 선택하여 구동하는데 비해, 능동 매트릭스형은 박막 트랜지스터를 각 ITO(indium tin oxide) 화소 전극에 연결하고 박막 트랜지스터에 연결된 커패시터 용량에 의해 유지된 전압에 따라 구동하는 방식이다. 따라서 능동 매트릭스형의 표시패널은 화소에 적어도 하나 이상의 박막 트랜지스터 및 커패시터를 포함한다.The organic EL display panel may be driven by a simple matrix method and an active matrix type using a thin film transistor (hereinafter, referred to as TFT). In the simple matrix method, the anode and the cathode are orthogonal and the line is selected and driven, whereas the active matrix type connects the thin film transistor to each indium tin oxide (ITO) pixel electrode and maintains the voltage maintained by the capacitor capacitance connected to the thin film transistor. According to the driving method. Accordingly, the active matrix display panel includes at least one thin film transistor and a capacitor in the pixel.

이와 같은 표시패널은 모듈(module)까지 조립되어 전수(全數)검사가 이루지고 있다. 그러나 모듈까지 조립된 후에 검사가 수행되면 불량품이 발생되는 경우 낭비되는 비용이 커진다는 문제가 발생한다. 특히 능동 매트릭스형의 유기EL 표시패널에서는 화소 내에 복수의 소자들이 형성되며, 또한 다결정 규소화 공정(poly-silicon process)에 의해 야기되는 내부 소자의 특성 편차가 커져 불량품이 발생할 가능성이 높으며 따라서 불량품이 발생되는 경우 낭비되는 비용이 더욱 커진다.Such a display panel is assembled to a module, and a full inspection is performed. However, if the inspection is carried out after assembly to the module, a problem arises in that a waste cost increases when a defective product occurs. Particularly, in the active matrix organic EL display panel, a plurality of elements are formed in the pixel, and the characteristic variation of the internal elements caused by the poly-silicon process is large, so that defective products are likely to occur. If it occurs, the wasted cost is even greater.

따라서, 모듈까지 조립되기 전에 화소 회로의 소자들의 불량을 미연에 발견할 수 있도록 표시패널 어레이를 검사할 수 있는 화소 검사 방법 및 어레이의 화소 검사를 수행할 수 있는 구동장치가 요구되고 있다. Accordingly, there is a need for a pixel inspection method capable of inspecting a display panel array and a driving apparatus capable of performing pixel inspection of the array so that defects of elements of the pixel circuit can be found before assembly to the module.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 표시패널 어레이에 배치된 화소 회로의 소자들을 검사할 수 있는 화소 검사 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a pixel inspection method capable of inspecting elements of a pixel circuit arranged in a display panel array.

본 발명의 다른 기술적 과제는, 표시패널 어레이에 배치된 화소 회로의 검사구동을 수행할 수 있는 구동장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a driving apparatus capable of performing inspection driving of a pixel circuit arranged in a display panel array.

본 발명의 하나의 특징에 따른 표시패널 어레이의 화소 검사방법은, 발광소자가 화소 전극 상에 형성되는 화소 회로가 매트릭스 형태로 배열된 표시패널 어레이의 화소 검사방법으로서,A pixel inspection method of a display panel array according to an aspect of the present invention is a pixel inspection method of a display panel array in which pixel circuits in which light emitting elements are formed on pixel electrodes are arranged in a matrix form.

상기 화소 회로는 The pixel circuit

인가되는 데이터신호에 대응되는 전압을 충전하는 커패시터; 및 상기 커패시터의 일전극에 연결되는 게이트전극, 전원이 인가되는 제1 전극 및 상기 게이트전극과 상기 제1 전극의 전압차에 대응하는 전류가 출력되는 제2 전극이 구비된 제1 트랜지스터; 제1 제어신호에 응답하여 턴온되어 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 연결하는 제2 트랜지스터를 포함하고,A capacitor charging a voltage corresponding to an applied data signal; And a first transistor including a gate electrode connected to one electrode of the capacitor, a first electrode to which power is applied, and a second electrode to output a current corresponding to a voltage difference between the gate electrode and the first electrode. A second transistor turned on in response to a first control signal to diode-connect the first transistor;

a) 상기 제1 트랜지스터의 제2 전극과 상기 화소 전극을 전기적으로 연결된 상태에서 상기 제2 트랜지스터를 턴온시키는 단계;a) turning on the second transistor while the second electrode of the first transistor and the pixel electrode are electrically connected to each other;

b) 상기 제2 트랜지스터를 턴온된 상태에서 화소전극에 전자빔을 조사하는 단계; 및b) irradiating an electron beam to a pixel electrode while the second transistor is turned on; And

c) 상기 화소전극으로부터 방출되는 전자량을 검출하는 단계를 포함한다. c) detecting the amount of electrons emitted from the pixel electrode.

상기 화소 회로는, 제2 제어신호에 응답하여 턴온되어 상기 제1 트랜지스터의 제2 전극과 상기 화소전극을 전기적으로 연결시키는 제3 트랜지스터를 더 포함할 수 있다. The pixel circuit may further include a third transistor that is turned on in response to a second control signal to electrically connect the second electrode of the first transistor to the pixel electrode.

상기 a) 단계에서, 상기 제3 트랜지스터를 턴온시킬 수 있다.In step a), the third transistor may be turned on.

본 발명의 다른 특징에 따른 발광 표시 패널의 어레이 검사를 위한 구동장치는, 제1 방향으로 뻗어 있으며 선택 신호를 전달하는 복수의 주사선, 상기 주사선에 절연되어 교차하고 제2 방향으로 뻗어 있으며 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선, 상기 주사선과 상기 데이터선에 각각 연결되는 복수의 화소 회로를 포함하는 발광 표시 패널의 어레이 검사를 위한 구동장치로서, According to another aspect of the present invention, a driving apparatus for inspecting an array of a light emitting display panel includes a plurality of scan lines extending in a first direction and transmitting a selection signal, insulated from and intersecting the scan lines, and extending in a second direction. A driving apparatus for inspecting an array of a light emitting display panel including a plurality of data lines to be transmitted and a plurality of pixel circuits respectively connected to the scan lines and the data lines.

상기 화소 회로는, 데이터신호가 인가되는 게이트전극, 전원이 인가되는 제1 전극 및 상기 게이트전극과 상기 제1 전극의 전압차에 대응하는 전류가 출력되는 제2 전극이 구비된 제1 트랜지스터; 상기 선택신호에 응답하여 턴온되어 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 연결하는 제2 트랜지스터; 제어신호에 응답하여 턴온되어 상기 제1 트랜지스터의 제2 전극과 상기 화소전극을 전기적으로 연결시키는 제3 트랜지스터; 및 상기 제3 트랜지스터를 통하여 상기 제2 트랜지스터의 제2 전극에 전기적으로 연결되는 발광소자의 화소전극을 포함하고,The pixel circuit may include a first transistor including a gate electrode to which a data signal is applied, a first electrode to which power is applied, and a second electrode to output a current corresponding to a voltage difference between the gate electrode and the first electrode; A second transistor turned on in response to the selection signal to diode-connect the first transistor; A third transistor turned on in response to a control signal to electrically connect the second electrode of the first transistor to the pixel electrode; And a pixel electrode of the light emitting device electrically connected to the second electrode of the second transistor through the third transistor,

상기 어레이 검사용 구동장치는,The drive for inspecting the array,

상기 복수의 주사선에 순차적으로 인가될 선택신호를 생성하는 시프트레지스터; 및 상기 선택신호 및 검사동작 또는 구동동작을 지시하는 검사신호를 입력받아, 검사동작을 지시하는 상기 검사신호가 입력되면 상기 제2 트랜지스터 및 제3 트랜지스터를 턴온시키는 상기 선택신호 및 상기 제어신호를 생성하여 출력하고, 구동동작을 지시하는 상기 검사신호가 입력되면 상기 제2 트랜지스터를 턴온시키는 상기 선택신호 및 상기 제3 트랜지스터를 턴오프시키는 상기 제어신호를 생성하여 출력하는 신호인가부를 포함한다. A shift register for generating selection signals to be sequentially applied to the plurality of scan lines; And receiving the selection signal and an inspection signal indicating an inspection operation or a driving operation, and generating the selection signal and the control signal to turn on the second transistor and the third transistor when the inspection signal indicating the inspection operation is input. And a signal applying unit configured to generate and output the selection signal for turning on the second transistor and the control signal for turning off the third transistor when the test signal indicating the driving operation is inputted.

검사동작을 지시하는 상기 검사신호가 입력되면, 상기 신호인가부는 상기 선택신호와 동일한 레벨의 상기 제어신호를 출력할 수 있다. When the inspection signal instructing the inspection operation is input, the signal applying unit may output the control signal at the same level as the selection signal.

상기 신호인가부는, 상기 검사신호 및 선택신호를 입력으로 하고 상기 제어신호를 출력으로 하는 논리게이트를 포함하며, 상기 논리게이트는, 검사동작을 지시하는 상기 검사신호가 입력되면, 상기 선택신호와 상관없이 동일한 상기 제3 트랜지스터를 턴온시키는 제어신호를 출력할 수 있다. The signal applying unit includes a logic gate configured to input the inspection signal and the selection signal and output the control signal, wherein the logic gate correlates with the selection signal when the inspection signal instructing the inspection operation is input. The control signal for turning on the same third transistor may be output without the same.

본 발명의 다른 특징에 따른 SOP 발광 표시 장치는, 제1 방향으로 뻗어 있으며 순차적으로 선택 신호를 전달하는 복수의 주사선, 상기 주사선에 절연되어 교차하고 제2 방향으로 뻗어 있으며 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선, 상기 주사선과 상기 데이터선에 각각 연결되는 복수의 화소 회로를 포함하는 발광 표시 패널에, 상기 주사선을 구동하는 주사선구동부 및 상기 데이터선을 포함하는 데이터구동부의 적어도 일부가 형성된 SOP 발광 표시 장치로서, According to another aspect of the present invention, a SOP light emitting display device includes: a plurality of scan lines extending in a first direction and sequentially transmitting a selection signal; a plurality of scan lines insulated from and intersecting the scan lines, extending in a second direction, and transmitting a data signal An SOP light emitting display device including a data line, a scan line driver configured to drive the scan line, and at least a portion of the data driver including the data line, on a light emitting display panel including a scan line and a plurality of pixel circuits respectively connected to the data line. as,

상기 화소 회로는,The pixel circuit,

데이터신호가 인가되는 게이트전극, 전원이 인가되는 제1 전극 및 상기 게이트전극과 상기 제1 전극의 전압차에 대응하는 전류가 출력되는 제2 전극이 구비된 제1 트랜지스터; 상기 선택신호에 응답하여 턴온되어 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 연결하는 제2 트랜지스터; 제어신호에 응답하여 턴온되어 상기 제1 트랜지스터의 제2 전극과 상기 화소전극을 전기적으로 연결시키는 제3 트랜지스터; 및 상기 제3 트랜지스터를 통하여 상기 제2 트랜지스터의 제2 전극에 전기적으로 연결되는 발광소자의 화소전극을 포함하고,A first transistor including a gate electrode to which a data signal is applied, a first electrode to which power is applied, and a second electrode to output a current corresponding to a voltage difference between the gate electrode and the first electrode; A second transistor turned on in response to the selection signal to diode-connect the first transistor; A third transistor turned on in response to a control signal to electrically connect the second electrode of the first transistor to the pixel electrode; And a pixel electrode of the light emitting device electrically connected to the second electrode of the second transistor through the third transistor,

상기 주사구동부는, 상기 선택신호 및 검사동작 또는 구동동작을 지시하는 검사신호를 입력받아, 검사동작을 지시하는 상기 검사신호가 입력되면 상기 제2 트랜지스터 및 제3 트랜지스터를 턴온시키는 상기 선택신호 및 상기 제어신호를 생성하여 출력하고, 구동동작을 지시하는 상기 검사신호가 입력되면 상기 제2 트랜지스터를 턴온시키는 상기 선택신호 및 상기 제3 트랜지스터를 턴오프시키는 상기 제어신호를 생성하여 출력하는 신호인가부를 포함한다. The scan driver receives the selection signal and an inspection signal indicating an inspection operation or a driving operation, and when the inspection signal indicating an inspection operation is input, the selection signal for turning on the second transistor and the third transistor and the selection signal; A signal applying unit generating and outputting a control signal and generating and outputting the selection signal for turning on the second transistor and the control signal for turning off the third transistor when the test signal instructing a driving operation is input; do.

상기 신호인가부는 상기 검사신호 및 선택신호를 입력으로 하고 상기 제어신호를 출력으로 하는 논리게이트를 포함하며, 상기 논리게이트는, 검사동작을 지시하는 상기 검사신호가 입력되면, 상기 선택신호와 상관없이 동일한 상기 제3 트랜지스터를 턴온시키는 제어신호를 출력할 수 있다. The signal applying unit includes a logic gate that inputs the test signal and the selection signal and outputs the control signal, wherein the logic gate is independent of the selection signal when the test signal instructing the test operation is input. A control signal for turning on the same third transistor may be output.

상기 화소 회로는, 인가된 상기 데이터신호에 대응하는 전압을 저장하는 제1 커패시터; 상기 선택신호에 응답하여 턴온되어 상기 제1 커패시터와 병렬 연결되는 제4 커패시터; 상기 제1 트랜지스터의 문턱전압에 대응하는 전압을 충전하는 제2 커패시터; 및 상기 선택신호 이후에 인가되는 다른 선택신호에 응답하여 턴온되어 상기 데이터신호를 전달하는 제5 트랜지스터를 더 포함할 수 있다. The pixel circuit may include a first capacitor configured to store a voltage corresponding to the applied data signal; A fourth capacitor turned on in response to the selection signal and connected in parallel with the first capacitor; A second capacitor charging a voltage corresponding to the threshold voltage of the first transistor; And a fifth transistor that is turned on in response to another selection signal applied after the selection signal to transfer the data signal.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification.

먼저, 본 발명의 실시예에 따른 어레이 검사방법을 설명하기 위한 화소회로 및 그 동작에 대하여 도 1 및 도 2를 참조하여 상세하게 설명한다.First, a pixel circuit and an operation thereof for explaining an array inspection method according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.

도 1은 유기EL 표시패널 어레이에 형성된 임의의 화소 회로이고, 도 2는 도 1의 화소회로에 인가되는 신호선들의 파형을 보여주는 도면이다.FIG. 1 is an arbitrary pixel circuit formed in an organic EL display panel array, and FIG. 2 is a view showing waveforms of signal lines applied to the pixel circuit of FIG.

도 1에 도시된 바와 같이, 화소 회로는 트랜지스터(M1-M5), 커패시터(Cst, Cvth), 및 유기 EL 소자(OLED)를 포함한다.As shown in Fig. 1, the pixel circuit includes transistors M1-M5, capacitors Cst and Cvth, and an organic EL element OLED.

트랜지스터(M1)는 유기 EL 소자(OLED)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터로서, 전압(VDD)을 공급하기 위한 전원과 유기 EL 소자(OLED) 간에 접속되고, 게이트에 인가되는 전압에 의하여 트랜지스터(M5)를 통하여 유기 EL 소자(OLED)에 흐르는 전류를 제어한다. 트랜지스터(M3)는 직전 주사선(Sk-1)으로부터의 선택 신호에 응답하여 트랜지스터(M1)를 다이오드 연결시킨다. 트랜지스터(M1)의 게이트에는 커패시터(Cvth)의 일전극(A)이 접속되고, 커패시터(Cvth)의 타전극(B) 및 전압(VDD)을 공급하는 전원 간에 커패시터(Cst)와 트랜지스터(M4)가 병렬 접속된다. 트랜지스터(M4)는 직전 주사선(Sk-1)으로부터의 선택 신호에 응답하여 커패시터(Cvth)의 타전극(B)에 전원(VDD)을 공급한다. 트랜지스터(M5)는 현재 주사선(Sk)으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터선(Dm)으로부터 전달되는 데이터 신호를 커패시터(Cvth)의 타전극(B)으로 전달한다. 트랜지스터(M2)는 트랜지스터(M1)의 드레인과 유기 EL 소자(OLED)의 애노드 간에 접속되고, 직전 주사선(Sk-1)으로부터의 선택 신호에 응답하여 트랜지스터(M1)의 드레인과 유기 EL 소자(OLED)를 차단시킨다. 유기 EL 소자(OLED)는 트랜지스터(M1)로부터 트랜지스터(M2)를 통하여 입력되는 전류에 대응하여 빛을 방출한다.The transistor M1 is a driving transistor for driving the organic EL element OLED. The transistor M1 is connected between a power supply for supplying the voltage VDD and the organic EL element OLED, and is applied to the gate by a voltage applied to the gate. The current flowing through the organic EL device OLED is controlled through the controller. Transistor M3 diode-connects transistor M1 in response to a selection signal from immediately preceding scan line Sk-1. One electrode A of the capacitor Cvth is connected to the gate of the transistor M1, and the capacitor Cst and the transistor M4 are connected between the other electrode B of the capacitor Cvth and a power supply for supplying the voltage VDD. Are connected in parallel. The transistor M4 supplies the power supply VDD to the other electrode B of the capacitor Cvth in response to the selection signal from the immediately preceding scan line Sk-1. The transistor M5 transmits the data signal transmitted from the data line Dm to the other electrode B of the capacitor Cvth in response to the selection signal from the current scan line Sk. The transistor M2 is connected between the drain of the transistor M1 and the anode of the organic EL element OLED, and responds to the selection signal from the immediately preceding scan line Sk-1 and the drain of the transistor M1 and the organic EL element OLED. ). The organic EL element OLED emits light corresponding to the current input from the transistor M1 through the transistor M2.

다음으로, 앞서 설명한 화소회로의 동작에 대하여 구체적으로 설명한다.Next, the operation of the pixel circuit described above will be described in detail.

도 2는 화소 회로에 인가되는 주사 선택신호 및 발광제어신호의 파형을 보여주는 도면이다.2 is a diagram illustrating waveforms of a scan selection signal and a light emission control signal applied to a pixel circuit.

도 2에서와 같이, 기간(T1) 동안, 직전 주사선(Sk-1)에 로우 레벨의 선택신호가 인가되면, 트랜지스터(M3)가 턴온되어 트랜지스터(M1)는 다이오드 연결 상태가 된다. 따라서, 트랜지스터(M1)의 게이트 및 소스간 전압이 트랜지스터(M1)의 문턱전압(Vth)이 될 때까지 변하게 된다. 이때 트랜지스터(M1)의 소스가 전원(VDD)에 연결되어 있으므로, 트랜지스터(M1)의 게이트 즉, 커패시터(Cvth)의 노드(A)에 인가되는 전압은 전원전압(VDD)과 문턱전압(Vth)의 합이 된다. As shown in FIG. 2, when the low level select signal is applied to the immediately preceding scan line Sk-1 during the period T1, the transistor M3 is turned on so that the transistor M1 is in a diode-connected state. Accordingly, the voltage between the gate and the source of the transistor M1 changes until the threshold voltage Vth of the transistor M1 becomes. At this time, since the source of the transistor M1 is connected to the power supply VDD, the voltage applied to the gate of the transistor M1, that is, the node A of the capacitor Cvth, is the power supply voltage VDD and the threshold voltage Vth. Is the sum of.

또한, 기간(T1) 동안, 직전 주사선(Sk-1)에 로우 레벨의 선택신호가 인가되면, 트랜지스터(M4)도 턴온되어 커패시터(Cvth)의 노드(B)에는 전원(VDD)이 인가되어, 커패시터(Cvth)에 충전되는 전압(VCVth)은 수학식 2와 같다.In addition, when the low level select signal is applied to the immediately preceding scan line Sk-1 during the period T1, the transistor M4 is also turned on, and the power supply VDD is applied to the node B of the capacitor Cvth. The voltage V CVth charged in the capacitor Cvth is expressed by Equation 2 below.

여기서, VCvth는 커패시터(Cvth)에 충전되는 전압을 의미하고, VCvthA는 커패시터(Cvth)의 노드(A)에 인가되는 전압, VCvthB는 커패시터(Cvth)의 노드(B)에 인가되는 전압을 의미한다.Here, VCvth means a voltage charged in the capacitor Cvth, VCvthA means a voltage applied to the node A of the capacitor Cvth, VCvthB means a voltage applied to the node B of the capacitor Cvth. .

또한, 기간(T1) 동안, 발광제어선(EMIk)에 하이레벨의 신호가 인가되어 트랜지스터(M2)는 턴오프되어, 트랜지스터(M1)에 흐르는 전류가 유기EL 소자(OLED)로 흐르는 것이 차단된다. 그리고 기간(T1) 동안, 현재 주사선(Sk)에는 하이 레벨의 신호가 인가되므로 트랜지스터(M5)되 턴오프된다.In addition, during the period T1, a high level signal is applied to the emission control line EMIk so that the transistor M2 is turned off so that the current flowing through the transistor M1 flows to the organic EL element OLED. . During the period T1, a high level signal is applied to the current scan line Sk, so that the transistor M5 is turned off.

다음, 기간(T2) 동안, 현재 주사선(Sk)에 로우 레벨의 주사 전압이 인가되면, 트랜지스터(M5)가 턴온되어 데이터선(Dk)로부터 전달되는 데이터 전압(Vdata)이 노드(B)에 인가된다. 또한, 커패시터(Cvth)에는 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(Vth)에 해당되는 전압이 이미 충전되어 있으므로, 트랜지스터(M1)의 게이트에는 데이터 전압(Vdata)과 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(Vth)의 합에 대응되는 전압이 인가된다. 즉, 트랜지스터(M1)의 게이트-소스간 전압(Vgs)은 다음의 수학식 3과 같다. Next, during a period T2, when a low level scan voltage is applied to the current scan line Sk, the transistor M5 is turned on and the data voltage Vdata transferred from the data line Dk is applied to the node B. do. In addition, since the voltage corresponding to the threshold voltage Vth of the transistor M1 is already charged in the capacitor Cvth, the data voltage Vdata and the threshold voltage Vth of the transistor M1 are stored in the gate of the transistor M1. The voltage corresponding to the sum of is applied. That is, the gate-source voltage Vgs of the transistor M1 is expressed by Equation 3 below.

또한, 기간(T2) 동안에, 발광제어선(EMIk)은 로우레벨의 신호가 인가되므로 트랜지스터(M2)는 턴온된다. 트랜지스터(M2)가 온되어 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS)에 대응하는 전류(IOLED)가 유기EL 소자(OLED)의 애노드전극(D)에 공급된다. 전류(IOLED)의 크기는 수학식 4와 같다.In addition, during the period T2, the light emission control line EMIk is applied with a low level signal, so that the transistor M2 is turned on. The transistor M2 is turned on so that a current I OLED corresponding to the gate-source voltage V GS of the transistor M1 is supplied to the anode electrode D of the organic EL element OLED. The magnitude of the current I OLED is shown in Equation 4.

여기서, 전류(IOLED)는 유기 EL 소자(OLED)의 애노드전극(D)으로 흐르는 전류, Vgs는 트랜지스터(M1)의 소스와 게이트 사이의 전압, Vth는 트랜지스터(M1)의 문턱 전압, Vdata은 데이터 전압, β는 상수 값을 나타낸다. 수학식 4로부터 알 수 있는 바와 같이 전류(IOLED)는 데이터전압(Vdata) 및 전원(VDD)에 따라 결정되므로 구동 트랜지스터의 문턱전압의 영향을 제거할 수 있다.Here, the current I OLED is a current flowing to the anode electrode D of the organic EL element OLED, Vgs is a voltage between the source and the gate of the transistor M1, Vth is a threshold voltage of the transistor M1, and Vdata is The data voltage, β represents a constant value. As can be seen from Equation 4, since the current I OLED is determined according to the data voltage Vdata and the power supply VDD, the influence of the threshold voltage of the driving transistor can be eliminated.

이하에서는, 앞서 설명한 바와 같이 화소 회로가 트랜지스터들(M1 내지 M5) 및 커패시터들(Cst, Cvth)을 포함하는 경우를 예로 하여, 표시패널 어레이 검사방법에 대하여 설명한다. 여기서 표시 패널 어레이라 함은 기판 위에 화소회로 구성 소자들, 즉 트랜지스터들(M1 내지 M5) 및 커패시터들(Cst, Cvth)이 형성되고, 그 위에 유기EL 소자(OLED)의 애노드전극(D)이 형성된 것으로 애노드전극(D) 상에 유기EL층 및 캐소드전극이 형성되기 전의 것을 의미한다. Hereinafter, a display panel array inspection method will be described, taking as an example a case where the pixel circuit includes transistors M1 to M5 and capacitors Cst and Cvth. In the display panel array, pixel circuit elements, that is, transistors M1 to M5 and capacitors Cst and Cvth, are formed on a substrate, and an anode electrode D of an organic EL element OLED is formed thereon. This means that the organic EL layer and the cathode are formed on the anode electrode D before being formed.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 어레이 검사방법을 설명하기 위한 도면으로서 검사기간(test) 동안 신호선들에 인가되는 파형을 보여주는 도면이다.3 is a view for explaining an array inspection method according to an exemplary embodiment of the present invention and shows waveforms applied to signal lines during a test period.

도 3에와 같이, 검사기간(test) 동안, 직전 주사선(Sk-1)에 로우레벨의 신호를 인가하는 것과 동시에 신호선(EMIk)에도 로우레벨의 신호를 인가한다. 그리고 직전 주사선(Sk-1) 및 신호선(EMIk)에 로우레벨의 신호를 인가하는 중에, 유기EL 소자(OLED)의 애노드전극(D)에 전자빔(e-beam)을 조사하고, 애노드전극(D)으로부터 튕겨나오는 전자량을 검출한다.As shown in FIG. 3, during the test period, a low level signal is applied to the immediately preceding scan line Sk-1 and a low level signal is also applied to the signal line EMIk. While applying low-level signals to the immediately preceding scan line Sk-1 and the signal line EMIk, an electron beam (e-beam) is irradiated to the anode electrode D of the organic EL element OLED, and the anode electrode D The amount of electrons bounced from

트랜지스터(M1), 트랜지스터(M2) 및 트랜지스터(M3)가 정상적으로 동작하는 경우에 대하여 설명한다. 주사선(Sk-1) 및 신호선(EMIk)을 통하여 트랜지스터(M2) 및 트랜지스터(M3)의 게이트전극에 로우레벨이 인가되므로 트랜지스터(M2) 및 트랜지스터(M3)는 턴온된다. 따라서 애노드전극(D)에 조사된 전자빔에 의해 전자들은 노드(C)로 주입되어 노드(A)로 확산되어 간다. 전자들이 노드(A)로 확산되면, 트랜지스터(M1)의 게이트전극은 전자들에 의해 전위가 낮아져 전원(VDD)보다 낮아지게 된다. 따라서 트랜지스터(M1)의 게이트와 소스 간의 전압차가 발생하고, 이 게이트와 소스 간의 전압차(Vgs)가 트랜지스터(M1)의 문턱전압보다 커지면 트랜지스터(M1)가 온되어 채널이 형성된다. 트랜지스터(M1)가 온되면, 노드(C)에 주입된 전자는 트랜지스터(M1)를 지나 노드(F)가지 확산될 수 있다. 결국, 애노드전극(D)에 조사된 전자빔은 애노드전극(D)부터 노드(F)까지 확산되므로 애노드전극(D)으로부터 튕겨나오는 전자량은 현저하게 작아진다. The case where the transistors M1, M2 and M3 operate normally will be described. Since the low level is applied to the gate electrodes of the transistors M2 and M3 through the scan line Sk-1 and the signal line EMIk, the transistors M2 and M3 are turned on. Therefore, electrons are injected into the node C and diffused to the node A by the electron beam irradiated to the anode electrode D. When the electrons diffuse to the node A, the gate electrode of the transistor M1 is lowered by the electrons and lower than the power supply VDD. Therefore, when the voltage difference between the gate and the source of the transistor M1 occurs, and the voltage difference Vgs between the gate and the source is greater than the threshold voltage of the transistor M1, the transistor M1 is turned on to form a channel. When the transistor M1 is turned on, electrons injected into the node C may diffuse through the node M1 to the node F. As a result, since the electron beam irradiated to the anode electrode D is diffused from the anode electrode D to the node F, the amount of electrons bounced from the anode electrode D becomes significantly smaller.

한편, 트랜지스터(M1), 트랜지스터(M2) 및 트랜지스터(M3)가 적어도 하나가 정상적으로 동작하지 않는 경우에 대하여 설명한다. 트랜지스터(M2) 또는 트랜지스터(M3)가 정상적으로 동작하지 않는 경우, 주사선(Sk-1) 및 신호선(EMIk)을 통하여 트랜지스터(M2) 및 트랜지스터(M3)의 게이트전극에 로우레벨을 인가하더라도 정상적으로 턴온되지 않을 수 있다. 그러면, 애노드전극(D)에 전자빔이 조사되어도, 애노드전극(D)으로부터 노드(C)까지 전자가 확산될 수 없어 대다수의 전자들은 애노드전극(D)으로부터 튕겨나오게 된다. 그리고, 트랜지스터(M1)가 정상적으로 동작하지 않는 경우에도, 애노드전극(D)으로부터 주입된 전자들은 트랜지스터(M2)를 지나 노드(C)를 거치고 트랜지스터(M3)를 통하여 노드(A)까지 확산될 수 있다. 그러나 트랜지스터(M1)는 정상적으로 동작하지 않기 때문에 전자가 노드(A)에 쌓여 트랜지스터(M1)의 게이트와 소스 간의 전압차가 트랜지스터(M1)의 문턱전압 이상이 되어도 트랜지스터(M1)는 온되지 않게 된다. 따라서 노드(C)에 쌓인 전자들은 노드(F)으로 확산되지 못하게 되므로, 확산되지 못하는 양만큼 애노드전극(D)으로부터 튕겨나오게 된다. On the other hand, the case where at least one of the transistor M1, the transistor M2, and the transistor M3 does not operate normally will be described. When the transistor M2 or the transistor M3 does not operate normally, even if a low level is applied to the gate electrodes of the transistors M2 and M3 through the scan line Sk-1 and the signal line EMIk, the transistor M2 or the transistor M3 does not turn on normally. You may not. Then, even if the electron beam is irradiated on the anode electrode D, electrons cannot diffuse from the anode electrode D to the node C, and most of the electrons are bounced off the anode electrode D. In addition, even when the transistor M1 does not operate normally, electrons injected from the anode electrode D may pass through the node M through the transistor M2 and diffuse through the transistor M3 to the node A. have. However, since the transistor M1 does not operate normally, even when electrons are accumulated in the node A, the voltage difference between the gate and the source of the transistor M1 becomes greater than or equal to the threshold voltage of the transistor M1, so that the transistor M1 is not turned on. Therefore, since the electrons accumulated in the node C cannot be diffused to the node F, they are bounced from the anode electrode D by an amount that cannot be diffused.

이와 같이, 트랜지스터(M2) 및 트랜지스터(M3)가 온된 상태에서, 애노드전극(D)에 전자빔을 조사하여 전자를 주입한 후, 애노드전극(D)으로부터 튕겨져 나오는 전자량을 검출함으로써 화소 내의 구동 소자들이 정상적으로 동작하는 지를 검사할 수 있다. 즉, 애노드전극(D)에서 튕겨져 나와 검출된 전자량가, 전자빔에 의해 주입된 전자량과 거의 동일하면, 트랜지스터(M2) 또는 트랜지스터(M3)가 불량이라고 판단할 수 있다. 또한, 전자빔에 의해 주입된 전자 중에서 일부만의 검출되면 트랜지스터(M1)가 불량이라고 판단될 수 있다. In this way, in the state where the transistors M2 and M3 are turned on, electrons are injected into the anode electrode D by injecting electrons, and then the amount of electrons bounced from the anode electrode D is detected to detect the driving elements in the pixel. You can check that they are operating normally. That is, if the amount of electrons bounced out of the anode electrode D is almost the same as the amount of electrons injected by the electron beam, it can be determined that the transistor M2 or the transistor M3 is defective. In addition, when only a part of the electrons injected by the electron beam is detected, it may be determined that the transistor M1 is defective.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 어레이 검사가 가능한 주사구동장치(200)의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다. 4 is a view schematically showing the configuration of a scan driving apparatus 200 capable of inspecting an array according to an embodiment of the present invention.

주사구동장치(200)는 표시패널 어레이(100)의 각 화소 회로(110)의 주사선(S0, … Sk, … Sn)에 인가되는 선택신호 및 발광제어선(EMI1 … EMIk, … EMIn)에 인가되는 발광제어신호를 생성하는 주사구동장치로서, 테스트인에이블신호에 기초하여 영상표시를 위한 정상 구동신호를 생성하거나 어레이 검사를 위한 검사 구동신호를 생성한다. 여기서 'k'는 1부터 n 중의 임의의 자연수로서, 주사선(Sk)은 어레이에 형성된 복수의 주사선들 임의의 어느 하나를 지칭한다. The scan driver 200 is applied to the selection signal and the emission control lines EMI1… EMIk,… EMIn applied to the scan lines S0,… Sk,… Sn of the pixel circuits 110 of the display panel array 100. A scan driving device for generating a light emission control signal, wherein the scan driving device generates a normal drive signal for displaying an image or a test drive signal for inspecting an array based on a test enable signal. Here 'k' is any natural number from 1 to n, and scan line Sk refers to any one of a plurality of scan lines formed in the array.

주사구동장치(200)는 시프트레지스터(210), 레벨시프터(220), 버퍼(230) 및 신호인가부(240)를 포함한다. 시프트레지스터(210)는 시작신호(STV), 클록신호(CLK)에 기초하여 각 주사선(S0, … Sk, … Sn)에 인가될 제0 내지 제n 선택신호(SR0, … SRk, … SRn)를 생성하여 레벨시프터(220)로 출력한다. 구체적으로, 시프트레지스터(210)는 입력되는 클록신호(CLK)에 따라 시작신호(STV)를 순차적으로 시프트시켜 n+1개의 신호를 선택신호(SR0 ~ SRn)로서 순차적으로 출력한다. 레벨시프터(220)는 전원공급부(미도시)로부터 전원(Vdd, Vss)을 공급받아 시프트레지스터(210)로부터 입력받은 제0 내지 제n 선택신호(SR0 ∼ SRn)를 소정의 전압레벨로 시프트한다. 버퍼(230)는 소정의 전압레벨로 시프트된 제0 내지 제n 선택신호(SR0 ∼ SRn)를 버퍼링하였다가 신호인가부(240)로 출력한다. 신호인가부(240)는 버퍼(230)로부터 선택신호(SR0 ~ SRn)를 입력받아 주사선(S0 ∼ Sn)에 인가될 n+1개의 선택신호를 해당 주사선에 인가하고, 또한 선택신호(SR0 ~ SRn) 및 테스트인에이블신호(TEST_EN)에 기초하여 n개의 발광제어신호를 생성하여 해당 발광제어선(EMI1∼EMIn)에 인가한다. The scan driver 200 includes a shift register 210, a level shifter 220, a buffer 230, and a signal applying unit 240. The shift register 210 is the 0th to nth selection signals SR0, ... SRk, ... SRn to be applied to each of the scan lines S0, ... Sk, ... Sn based on the start signal STV and the clock signal CLK. Generate and output to the level shifter 220. In detail, the shift register 210 sequentially shifts the start signal STV according to the input clock signal CLK, and sequentially outputs n + 1 signals as the selection signals SR0 to SRn. The level shifter 220 receives the power sources Vdd and Vss from a power supply unit (not shown) to shift the 0th to nth selection signals SR0 to SRn received from the shift register 210 to a predetermined voltage level. . The buffer 230 buffers the zeroth to nth selection signals SR0 to SRn shifted to a predetermined voltage level and outputs the buffered signal to the signal applying unit 240. The signal applying unit 240 receives the selection signals SR0 to SRn from the buffer 230, applies n + 1 selection signals to be applied to the scan lines S0 to Sn, and applies the selection signals SR0 to SRn. Based on the SRn) and the test enable signal TEST_EN, n light emission control signals are generated and applied to the corresponding light emission control lines EMI1 to EMIn.

도 5는 도 4의 신호인가부(240)의 구성을 상세하게 보여주는 도면이다. 5 is a view showing in detail the configuration of the signal applying unit 240 of FIG.

신호인가부(240)는 선택신호(SR0 ~ SRn) 및 테스트인에이블신호(TEST_EN)를 각각 입력신호로 하는 n개의 NOR게이트(241)를 포함한다. 따라서, 신호인가부(340)는 입력된 선택신호(SR0 ~ SRn)는 각 해당 주사선(S0 ~ Sn)에 인가함과 동시에, NOR게이트(241)를 통하여 선택신호(SRk) 및 테스트인에이블신호(TEST_EN)를 입력으로 받아 NOR연산을 수행하여 발광제어신호를 생성하여 각 해당 발광제어선(EMI1∼EMIn)에 인가한다. The signal applying unit 240 includes n NOR gates 241 each of which the selection signals SR0 to SRn and the test enable signal TEST_EN are input signals. Accordingly, the signal applying unit 340 applies the input selection signals SR0 to SRn to the corresponding scan lines S0 to Sn and simultaneously selects the signals SRk and the test enable signal through the NOR gate 241. It receives (TEST_EN) as an input, performs NOR operation, generates a light emission control signal, and applies it to each corresponding light emission control line EMI1 to EMIn.

표 1은 정상 구동 시와 검사 구동시에 신호인가부(240)의 입력 및 출력 신호의 관계를 보여주는 도표이다. Table 1 is a chart showing the relationship between the input signal and the output signal of the signal applying unit 240 during the normal drive and the test drive.

입 력input 출 력Print TEST_ENTEST_EN SRk-1SRk-1 Sk-1Sk-1 EMIkEMIk 정상 구동Normal drive lowlow lowlow lowlow highhigh lowlow highhigh highhigh lowlow 검사 구동Inspection driven highhigh lowlow lowlow lowlow highhigh highhigh highhigh lowlow

표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 어레이 검사를 위한 검사 구동이 아니라 영상표시를 위한 정상 구동하는 경우에는 도 2와 같이 주사선(Sk-1)에 인가되는 선택신호와 발광제어선에 인가되는 발광제어신호는 서로 반전된 신호가 인가되어야 한다. 이를 위하여, 테스트인에이블신호(TEST_EN)로서 로우레벨 신호를 인가한다. 그러면, 신호인가부(240)는 선택신호(SRk-1)의 신호를 그대로 주사선(Sk-1)에 인가하고, NOR게이트(241)에 의해 반전된 선택신호(SRk-1) 즉, 하이레벨의 신호는 발광제어선(EMIk)으로 인가된다. As can be seen from Table 1, in the case of normal driving for image display instead of inspection driving for array inspection, emission control applied to the selection signal and the emission control line applied to the scan line Sk-1 as shown in FIG. The signals should be inverted from each other. To this end, a low level signal is applied as the test enable signal TEST_EN. Then, the signal applying unit 240 applies the signal of the selection signal SRk-1 to the scan line Sk-1 as it is, and inverts the selection signal SRk-1, that is, the high level, by the NOR gate 241. Is applied to the emission control line EMIk.

한편, 본 발명의 실시예에 따른 어레이 검사를 위한 검사 구동인 경우에는, 도 3과 같이 주사선(Sk-1)에 인가되는 선택신호와 발광제어선에 인가되는 발광제어신호는 서로 동일한 신호가 인가되어야 한다. 따라서 테스트인에이블신호(TEST_EN)로서 하이레벨의 신호를 인가하고 선택신호(Sk-1)는 로우레벨을 인가하면, 신호인가부(240)는 로우레벨의 선택신호(SRk-1)를 그대로 주사선(Sk-1)에 인가한다. 또한 테스트인에이블신호(TEST_EN)가 하이레벨이므로, NOR게이트(241)는 선택신호(SRk-1)에 상관없이 항상 로우레벨의 신호를 출력하고 NOR게이트(241)의 출력된 로우레벨의 신호는 발광제어선(EMIk)에 인가된다. 따라서 주사선(Sk-1) 및 발광제어선(EMIk)에 모두 로우레벨이 인가되므로 본 발명의 실시예에 따른 화소 검사를 수행할 수 있다.On the other hand, in the case of the inspection driving for the array inspection according to an embodiment of the present invention, the same signal is applied to the selection signal applied to the scan line Sk-1 and the emission control signal applied to the emission control line as shown in FIG. Should be. Therefore, when the high level signal is applied as the test enable signal TEST_EN and the selection signal Sk-1 is low level, the signal applying unit 240 applies the low level selection signal SRk-1 as it is. Is applied to (Sk-1). In addition, since the test enable signal TEST_EN is high level, the NOR gate 241 always outputs a low level signal regardless of the selection signal SRk-1, and the low level signal output from the NOR gate 241 is output. It is applied to the emission control line EMIk. Therefore, since the low level is applied to both the scan line Sk-1 and the emission control line EMIk, the pixel inspection according to the exemplary embodiment of the present invention can be performed.

이와 같이 신호인가부를 포함하는 주사구동장치(200)를 이용함으로써 표시패널의 어레이의 정상구동 및 화소 검사구동을 용이하게 실시할 수 있다. 특히 이와 같은 주사구동장치(200)를 이용함으로써 표시패널 상에 구동장치들이 형성되는 SOP(System on Panel) 표시장치에서도 용이하게 화소검사를 수행할 수 있다. By using the scan driver 200 including the signal applying unit as described above, the normal driving and the pixel inspection driving of the array of the display panel can be easily performed. In particular, by using the scan driver 200, the pixel inspection can be easily performed even in a system on panel (SOP) display device in which driving devices are formed on the display panel.

이상에서 본 발명의 실시예에서는 하나의 화소회로에 5개의 트랜지스터, 2개의 커패시터를 포함하는 경우를 예로써 설명하였으나, 본 발명은 도 2에서와 같이 2개의 트랜지스터, 1개의 커패시터를 포함하는 화소회로에도 적용될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에서는 화소 회로가 모두 PMOS 트랜지스터인 경우에 대하여 설명하였으나 본 발명은 화소 회로가 NMOS 트랜지스터를 포함하는 경우에도 적용될 수 있으며, 이 경우 앞서 설명한 실시예에서의 선택신호 및 발광제어신호가 반전된 형태의 신호가 이용될 수 있다. In the above-described embodiment of the present invention, a case in which five transistors and two capacitors are included in one pixel circuit is described as an example. However, the present invention is a pixel circuit including two transistors and one capacitor as shown in FIG. Applicable to In addition, the embodiment of the present invention has been described in the case where all the pixel circuits are PMOS transistors, but the present invention can be applied to the case in which the pixel circuits include NMOS transistors. A signal in which the signal is inverted may be used.

즉, 본 발명의 권리범위는 실시예와 같은 구조에 한정되는 것은 아니며, 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.That is, the scope of the present invention is not limited to the same structure as the embodiment, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention defined in the claims also belong to the scope of the present invention.

본 발명에 따르면, 트랜지스터(M2) 및 트랜지스터(M3)가 온된 상태에서, 애노드전극(D)에 전자빔을 조사하여 전자를 주입한 후, 애노드전극(D)으로부터 튕겨져 나오는 전자량을 검출함으로써 화소 내의 구동 소자들의 불량여부를 검사할 수 있다. 따라서 모듈까지 조립되기 전에 어레이 화소 검사가 수행될 수 있으므로 불량품에 의한 비용낭비를 방지할 수 있다. According to the present invention, in the state where the transistors M2 and M3 are turned on, electrons are injected to the anode electrode D by injecting electrons, and then the amount of electrons bounced from the anode electrode D is detected to detect the amount of electrons in the pixel. It is possible to check whether the driving elements are defective. Therefore, since the array pixel inspection can be performed before assembling the module, it is possible to prevent the cost of defective products.

본 발명에 따른 주사구동장치를 이용함으로써 화소 검사를 보다 용이하게 수행할 수 있고 특히 표시패널 상에 구동장치들이 형성되는 SOP(System on Panel) 표시장치에서도 용이하게 화소검사를 수행할 수 있다. By using the scan driver according to the present invention, pixel inspection can be performed more easily, and in particular, pixel inspection can be easily performed even in a system on panel (SOP) display device in which driving devices are formed on the display panel.

도 1은 유기EL 표시패널 어레이에 형성된 임의의 화소 회로이고, 도 2는 도 1의 화소회로에 인가되는 신호선들의 파형을 보여주는 도면이다.FIG. 1 is an arbitrary pixel circuit formed in an organic EL display panel array, and FIG. 2 is a view showing waveforms of signal lines applied to the pixel circuit of FIG.

도 2는 화소 회로에 인가되는 주사 선택신호 및 발광제어신호의 파형을 보여주는 도면이다.2 is a diagram illustrating waveforms of a scan selection signal and a light emission control signal applied to a pixel circuit.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 어레이 검사방법을 설명하기 위한 도면으로서 검사기간(test) 동안 신호선들에 인가되는 파형을 보여주는 도면이다.3 is a view for explaining an array inspection method according to an exemplary embodiment of the present invention and shows waveforms applied to signal lines during a test period.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 어레이 검사가 가능한 주사구동장치(200)의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다. 4 is a view schematically showing the configuration of a scan driving apparatus 200 capable of inspecting an array according to an embodiment of the present invention.

도 5는 도 4의 신호인가부(240)의 구성을 상세하게 보여주는 도면이다. 5 is a view showing in detail the configuration of the signal applying unit 240 of FIG.

Claims (10)

발광소자가 화소 전극 상에 형성되는 화소 회로가 매트릭스 형태로 배열된 표시패널 어레이의 화소 검사방법에 있어서,A pixel inspection method of a display panel array in which pixel circuits in which light emitting elements are formed on pixel electrodes are arranged in a matrix form, 상기 화소 회로는 The pixel circuit 인가되는 데이터신호에 대응되는 전압을 충전하는 커패시터; 및 A capacitor charging a voltage corresponding to an applied data signal; And 상기 커패시터의 일전극에 연결되는 게이트전극, 전원이 인가되는 제1 전극 및 상기 게이트전극과 상기 제1 전극의 전압차에 대응하는 전류가 출력되는 제2 전극이 구비된 제1 트랜지스터;A first transistor including a gate electrode connected to one electrode of the capacitor, a first electrode to which power is applied, and a second electrode to output a current corresponding to a voltage difference between the gate electrode and the first electrode; 제1 제어신호에 응답하여 턴온되어 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 연결하는 제2 트랜지스터를 포함하고,A second transistor turned on in response to a first control signal to diode-connect the first transistor; a) 상기 제1 트랜지스터의 제2 전극과 상기 화소 전극을 전기적으로 연결된 상태에서 상기 제2 트랜지스터를 턴온시키는 단계;a) turning on the second transistor while the second electrode of the first transistor and the pixel electrode are electrically connected to each other; b) 상기 제2 트랜지스터가 턴온된 상태에서 화소전극에 전자빔을 조사하는 단계; 및b) irradiating an electron beam to a pixel electrode while the second transistor is turned on; And c) 상기 화소전극으로부터 방출되는 전자량을 검출하는 단계c) detecting the amount of electrons emitted from the pixel electrode 를 포함하는 표시패널 어레이의 화소 검사방법.Pixel inspection method of the display panel array comprising a. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 화소 회로는,The pixel circuit, 제2 제어신호에 응답하여 턴온되어 상기 제1 트랜지스터의 제2 전극과 상기 화소전극을 전기적으로 연결시키는 제3 트랜지스터를 더 포함하는 표시패널 어레이의 화소 검사방법.And a third transistor turned on in response to a second control signal to electrically connect the second electrode of the first transistor to the pixel electrode. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 a) 단계에서, 상기 제3 트랜지스터를 턴온시키는 표시패널 어레이의 화소 검사방법.The method of claim 1, wherein the third transistor is turned on. 제1 방향으로 뻗어 있으며 선택 신호를 전달하는 복수의 주사선, 상기 주사선에 절연되어 교차하고 제2 방향으로 뻗어 있으며 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선, 상기 주사선과 상기 데이터선에 각각 연결되는 복수의 화소 회로를 포함하는 발광 표시 패널의 어레이 검사를 위한 구동장치에 있어서, A plurality of scan lines extending in a first direction and transmitting a selection signal, a plurality of data lines insulated from and intersecting the scan lines and extending in a second direction and transferring data signals, a plurality of data lines respectively connected to the scan line and the data line A driving device for inspecting an array of a light emitting display panel including a pixel circuit, 상기 화소 회로는,The pixel circuit, 데이터신호가 인가되는 게이트전극, 전원이 인가되는 제1 전극 및 상기 게이트전극과 상기 제1 전극의 전압차에 대응하는 전류가 출력되는 제2 전극이 구비된 제1 트랜지스터;A first transistor including a gate electrode to which a data signal is applied, a first electrode to which power is applied, and a second electrode to output a current corresponding to a voltage difference between the gate electrode and the first electrode; 상기 선택신호에 응답하여 턴온되어 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 연결하는 제2 트랜지스터; A second transistor turned on in response to the selection signal to diode-connect the first transistor; 제어신호에 응답하여 턴온되어 상기 제1 트랜지스터의 제2 전극과 상기 화소전극을 전기적으로 연결시키는 제3 트랜지스터; 및A third transistor turned on in response to a control signal to electrically connect the second electrode of the first transistor to the pixel electrode; And 상기 제3 트랜지스터를 통하여 상기 제2 트랜지스터의 제2 전극에 전기적으로 연결되는 발광소자의 화소전극을 포함하고,A pixel electrode of the light emitting device electrically connected to the second electrode of the second transistor through the third transistor, 상기 어레이 검사용 구동장치는,The drive for inspecting the array, 상기 복수의 주사선에 순차적으로 인가될 선택신호를 생성하는 시프트레지스터; 및A shift register for generating selection signals to be sequentially applied to the plurality of scan lines; And 상기 선택신호 및 검사동작 또는 구동동작을 지시하는 검사신호를 입력받아, 검사동작을 지시하는 상기 검사신호가 입력되면 상기 제2 트랜지스터 및 제3 트랜지스터를 턴온시키는 상기 선택신호 및 상기 제어신호를 생성하여 출력하고, 구동동작을 지시하는 상기 검사신호가 입력되면 상기 제2 트랜지스터를 턴온시키는 상기 선택신호 및 상기 제3 트랜지스터를 턴오프시키는 상기 제어신호를 생성하여 출력하는 신호인가부를 포함하는 구동장치.Receiving the selection signal and an inspection signal indicating an inspection operation or a driving operation; when the inspection signal indicating an inspection operation is input, the selection signal and the control signal for turning on the second transistor and the third transistor are generated; And a signal applying unit configured to output and generate and output the selection signal for turning on the second transistor and the control signal for turning off the third transistor when the test signal instructing a driving operation is input. 제4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 검사동작을 지시하는 상기 검사신호가 입력되면, 상기 신호인가부는 상기 선택신호와 동일한 레벨의 상기 제어신호를 출력하는 구동장치.And the signal applying unit outputs the control signal at the same level as the selection signal when the inspection signal instructing the inspection operation is input. 제4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 신호인가부는 The signal applying unit 상기 검사신호 및 선택신호를 입력으로 하고 상기 제어신호를 출력으로 하는 논리게이트를 포함하며,A logic gate for inputting the inspection signal and the selection signal and outputting the control signal; 상기 논리게이트는, 검사동작을 지시하는 상기 검사신호가 입력되면, 상기 선택신호와 상관없이 동일한 상기 제3 트랜지스터를 턴온시키는 제어신호를 출력하는 구동장치.And the logic gate outputs a control signal for turning on the same third transistor irrespective of the selection signal when the inspection signal instructing an inspection operation is input. 제1 방향으로 뻗어 있으며 순차적으로 선택 신호를 전달하는 복수의 주사선, 상기 주사선에 절연되어 교차하고 제2 방향으로 뻗어 있으며 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선, 상기 주사선과 상기 데이터선에 각각 연결되는 복수의 화소 회로를 포함하는 발광 표시 패널에, 상기 주사선을 구동하는 주사선구동부 및 상기 데이터선을 포함하는 데이터구동부의 적어도 일부가 형성된 SOP 발광 표시 장치에 있어서, A plurality of scan lines extending in a first direction and sequentially transmitting selection signals, a plurality of data lines insulated from and intersecting the scan lines and extending in a second direction and transferring data signals, respectively, connected to the scan lines and the data lines An SOP light emitting display device comprising: a light emitting display panel including a plurality of pixel circuits, wherein at least part of a scan line driver for driving the scan line and a data driver including the data line are formed; 상기 화소 회로는,The pixel circuit, 데이터신호가 인가되는 게이트전극, 전원이 인가되는 제1 전극 및 상기 게이트전극과 상기 제1 전극의 전압차에 대응하는 전류가 출력되는 제2 전극이 구비된 제1 트랜지스터;A first transistor including a gate electrode to which a data signal is applied, a first electrode to which power is applied, and a second electrode to output a current corresponding to a voltage difference between the gate electrode and the first electrode; 상기 선택신호에 응답하여 턴온되어 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 연결하는 제2 트랜지스터; A second transistor turned on in response to the selection signal to diode-connect the first transistor; 제어신호에 응답하여 턴온되어 상기 제1 트랜지스터의 제2 전극과 상기 화소전극을 전기적으로 연결시키는 제3 트랜지스터; 및A third transistor turned on in response to a control signal to electrically connect the second electrode of the first transistor to the pixel electrode; And 상기 제3 트랜지스터를 통하여 상기 제2 트랜지스터의 제2 전극에 전기적으로 연결되는 발광소자의 화소전극을 포함하고,A pixel electrode of the light emitting device electrically connected to the second electrode of the second transistor through the third transistor, 상기 주사구동부는,The scan driving unit, 상기 선택신호 및 검사동작 또는 구동동작을 지시하는 검사신호를 입력받아, 검사동작을 지시하는 상기 검사신호가 입력되면 상기 제2 트랜지스터 및 제3 트랜지스터를 턴온시키는 상기 선택신호 및 상기 제어신호를 생성하여 출력하고, 구동동작을 지시하는 상기 검사신호가 입력되면 상기 제2 트랜지스터를 턴온시키는 상기 선택신호 및 상기 제3 트랜지스터를 턴오프시키는 상기 제어신호를 생성하여 출력하는 신호인가부를 더 포함하는 발광 표시 장치.Receiving the selection signal and an inspection signal indicating an inspection operation or a driving operation; when the inspection signal indicating an inspection operation is input, the selection signal and the control signal for turning on the second transistor and the third transistor are generated; And a signal applying unit configured to output and generate and output the selection signal for turning on the second transistor and the control signal for turning off the third transistor when the test signal instructing a driving operation is input. . 제7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 신호인가부는 상기 검사신호 및 선택신호를 입력으로 하고 상기 제어신호를 출력으로 하는 논리게이트를 포함하는 발광 표시 장치.And the signal applying unit includes a logic gate configured to input the test signal and the selection signal and to output the control signal. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 논리게이트는, 검사동작을 지시하는 상기 검사신호가 입력되면, 상기 선택신호와 상관없이 동일한 상기 제3 트랜지스터를 턴온시키는 제어신호를 출력하는 발광 표시 장치.And the logic gate outputs a control signal for turning on the same third transistor regardless of the selection signal when the inspection signal instructing a inspection operation is input. 제7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 화소 회로는, The pixel circuit, 인가된 상기 데이터신호에 대응하는 전압을 저장하는 제1 커패시터;A first capacitor storing a voltage corresponding to the applied data signal; 상기 선택신호에 응답하여 턴온되어 상기 제1 커패시터와 병렬 연결되는 제4 커패시터;A fourth capacitor turned on in response to the selection signal and connected in parallel with the first capacitor; 상기 제1 트랜지스터의 문턱전압에 대응하는 전압을 충전하는 제2 커패시터; 및 A second capacitor charging a voltage corresponding to the threshold voltage of the first transistor; And 상기 선택신호 이후에 인가되는 다른 선택신호에 응답하여 턴온되어 상기 데이터신호를 전달하는 제5 트랜지스터A fifth transistor that is turned on in response to another selection signal applied after the selection signal to transfer the data signal 를 더 포함하는 발광 표시 장치.A light emitting display further comprising.
KR1020040036850A 2004-05-24 2004-05-24 Pixel test method for array of light emitting panel and deriver thereof KR100708837B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040036850A KR100708837B1 (en) 2004-05-24 2004-05-24 Pixel test method for array of light emitting panel and deriver thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040036850A KR100708837B1 (en) 2004-05-24 2004-05-24 Pixel test method for array of light emitting panel and deriver thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050111918A true KR20050111918A (en) 2005-11-29
KR100708837B1 KR100708837B1 (en) 2007-04-17

Family

ID=37286940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040036850A KR100708837B1 (en) 2004-05-24 2004-05-24 Pixel test method for array of light emitting panel and deriver thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100708837B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110853555A (en) * 2018-07-27 2020-02-28 三星显示有限公司 Detection system and method for detecting display unit by using same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5982190A (en) * 1998-02-04 1999-11-09 Toro-Lira; Guillermo L. Method to determine pixel condition on flat panel displays using an electron beam
JPWO2004109628A1 (en) * 2003-06-04 2006-07-20 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 Array substrate inspection method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110853555A (en) * 2018-07-27 2020-02-28 三星显示有限公司 Detection system and method for detecting display unit by using same
CN110853555B (en) * 2018-07-27 2024-02-02 三星显示有限公司 Detection system and method for detecting display unit by using same

Also Published As

Publication number Publication date
KR100708837B1 (en) 2007-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100578813B1 (en) Light emitting display and method thereof
KR101030002B1 (en) Pixel and organic light emitting display using thereof
JP4401971B2 (en) Luminescent display device
KR100497246B1 (en) Light emitting display device and display panel and driving method thereof
US8022920B2 (en) Organic light emitting display
KR100502912B1 (en) Light emitting display device and display panel and driving method thereof
KR101030004B1 (en) Pixel and organic light emitting display using thereof
EP3242287B1 (en) Pixel circuit and drive method therefor, and active matrix organic light-emitting display
KR100916914B1 (en) Organic light emitting display device
EP2216770A1 (en) Light emitting display apparatus and method of driving the same
KR20140133189A (en) Pixel of an organic light emitting display device and organic light emitting display device
KR20040085655A (en) Light emitting display device and display panel and driving method thereof
JP2008242498A (en) Display panel, light emitting display device using the same and driving method thereof
KR100502926B1 (en) Light emitting display device and display panel and driving method thereof
KR100578846B1 (en) Light emitting display
JP2008158303A (en) Display device
KR100708837B1 (en) Pixel test method for array of light emitting panel and deriver thereof
JP2010139833A (en) Image display device, method for driving image display device and method for manufacturing image display device
KR100570782B1 (en) Light emitting display
KR100648669B1 (en) Pixel test method for array of light emitting panel
KR100599607B1 (en) Light emitting display and driving method thereof
KR100578839B1 (en) Light emitting display device and driving method thereof
KR100612280B1 (en) Inspection apparatus of display panel
KR100749467B1 (en) Organic light emitting display device and the driving method of inspector circuit of organic light emitting display device
KR100648674B1 (en) Light emitting display device and driving method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130329

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140401

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee