KR100578846B1 - Light emitting display - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광 표시 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting display device.

본 발명에 따른 발광 표시 장치는 커패시터에 충전된 전압에 대응하여 발광 소자로 전류를 공급하는 트랜지스터를 제1 제어 신호에 응답하여 다이오드 연결시키는 제1 스위칭 소자와, 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터 전압을 상기 커패시터로 전달하는 제2 스위칭 소자, 그리고, 발광 주사선으로부터의 제2 제어 신호에 응답하여 상기 트랜지스터로부터 발광 소자로 공급되는 전류를 차단시키는 제3 스위칭 소자를 포함하는 화소를 구비한 발광 표시 장치이다. 여기서, 제2 제어 신호의 동작 시점이 제1 제어 신호의 동작 시점보다 느리다. A light emitting display device according to the present invention includes a first switching element for diode-connecting a transistor supplying a current to a light emitting element in response to a voltage charged in a capacitor in response to a first control signal, and data in response to a selection signal from a scanning line. A light emitting display having a pixel comprising a second switching element for transmitting a voltage to the capacitor, and a third switching element for blocking a current supplied from the transistor to the light emitting element in response to a second control signal from the light emitting scan line. Device. Here, the operation time point of the second control signal is slower than the operation time point of the first control signal.

이러한 본 발명에 따르면, 제3 스위칭 소자의 오프 전류에 의하여 블랙 계조 표시가 정상적으로 이루어지지 않는 것을 방지할 수 있다. According to the present invention, it is possible to prevent the black gradation display from being normally performed by the off current of the third switching element.

발광 표시 장치, OLED, 문턱 전압, 블랙계조Light emitting display, OLED, threshold voltage, black gradation

Description

발광 표시 장치{LIGHT EMITTING DISPLAY}Light emitting display device {LIGHT EMITTING DISPLAY}

도 1은 종래 기술에 따른 전압 기입 방식의 유기 EL 표시 장치의 화소 회로를 나타내는 도면이다. 1 is a diagram showing a pixel circuit of a voltage write type organic EL display device according to the prior art.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 도이다. 2 is a diagram schematically illustrating a light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 화소 회로를 나타내는 도면이다. 3 is a diagram illustrating a pixel circuit according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 화소 회로의 구동 타이밍도이다. 4 is a driving timing diagram of the pixel circuit of FIG. 3.

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 주사 구동부의 구조를 나타낸 도이다. 5 is a diagram illustrating a structure of a scan driver according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 도 5에 도시된 발광 신호를 생성하는 신호 출력부의 구체적인 회로도이다. FIG. 6 is a detailed circuit diagram of a signal output unit generating a light emission signal shown in FIG. 5.

도 7은 도 6에 도시된 클락 인버터에 따라 출력되는 신호의 파형을 나타낸 도이다. FIG. 7 is a diagram illustrating waveforms of signals output according to the clock inverter illustrated in FIG. 6.

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유기 전계발광(electroluminescent, 이하 'EL'이라 함) 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to an organic electroluminescent (EL) display device.

일반적으로 유기 EL 표시 장치는 형광성 유기 화합물을 전기적으로 여기시켜 발광시키는 표시 장치로서, NxM 개의 유기 발광셀들을 전압 기입 혹은 전류 기입하여 영상을 표현할 수 있도록 되어 있다. 이러한 유기 발광셀은 애노드, 유기 박막, 캐소드 레이어의 구조를 가지고 있다. 유기 박막은 전자와 정공의 균형을 좋게 하여 발광 효율을 향상시키기 위해 발광층(emitting layer, EML), 전자 수송층(electron transport layer, ETL), 및 정공 수송층(hole transport layer, HTL)을 포함한 다층 구조로 이루어지고, 또한 별도의 전자 주입층(electron injecting layer, EIL)과 정공 주입층(hole injecting layer, HIL)을 포함하고 있다.In general, an organic EL display device is a display device for electrically exciting a fluorescent organic compound to emit light, and is capable of representing an image by voltage or current writing NxM organic light emitting cells. The organic light emitting cell has a structure of an anode, an organic thin film, and a cathode layer. The organic thin film has a multilayer structure including an emitting layer (EML), an electron transport layer (ETL), and a hole transport layer (HTL) to improve the emission efficiency by improving the balance between electrons and holes. It also includes a separate electron injecting layer (EIL) and a hole injecting layer (HIL).

이와 같이 이루어지는 유기 발광셀을 구동하는 방식에는 단순 매트릭스(passive matrix) 방식과 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT) 또는 MOSFET를 이용한 능동 구동(active matrix) 방식이 있다. 단순 매트릭스 방식은 양극과 음극을 직교하도록 형성하고 라인을 선택하여 구동하는데 비해, 능동 구동 방식은 박막 트랜지스터와 커패시터를 각 ITO(indium tin oxide) 화소 전극에 접속하여 커패시터 용량에 의해 전압을 유지하도록 하는 구동 방식이다. 이때, 커패시터에 전압을 유지시키기 위해 인가되는 신호의 형태에 따라 능동 구동 방식은 전압 기입(voltage programming) 방식과 전류 기입(current programming) 방식으로 나누어진다.The organic light emitting cell may be driven using a simple matrix method and an active matrix method using a thin film transistor (TFT) or a MOSFET. In the simple matrix method, the anode and the cathode are orthogonal and the line is selected and driven, whereas the active driving method connects the thin film transistor and the capacitor to each indium tin oxide (ITO) pixel electrode to maintain the voltage by the capacitor capacitance. It is a driving method. In this case, the active driving method is divided into a voltage programming method and a current programming method according to the type of signal applied to maintain the voltage on the capacitor.

도 1은 전압 기입 방식의 유기 EL 표시 장치의 화소 회로로서, 복수의 화소 회로 중 m번째 데이터선(Dm)과 n번째 주사선(Sn)에 연결된 화소 회로를 대표적으로 도시한 것이다. FIG. 1 is a pixel circuit of a voltage write type organic EL display device, and typically shows a pixel circuit connected to an m th data line Dm and an n th scan line Sn of a plurality of pixel circuits.

도 1에 도시된 바와 같이, 유기 EL 소자(OLED)에 트랜지스터(M1)가 연결되어 발광을 위한 전류를 공급한다. 트랜지스터(M1)의 전류량은 스위칭 트랜지스터(M2)를 통해 인가되는 데이터 전압에 의해 제어되도록 되어 있다. 이때, 인가된 전압을 일정 기간 유지하기 위한 커패시터(Cst)가 트랜지스터(M2)의 소스와 게이트 사이에 연결되어 있다. 트랜지스터(M2)의 게이트는 주사선(Sn)에 연결되고, 소스는 데이터선(Dm)에 연결되어 있다. As shown in Fig. 1, the transistor M1 is connected to the organic EL element OLED to supply a current for emitting light. The amount of current in the transistor M1 is controlled by the data voltage applied through the switching transistor M2. At this time, a capacitor Cst for maintaining the applied voltage for a predetermined period is connected between the source and the gate of the transistor M2. The gate of the transistor M2 is connected to the scan line Sn and the source is connected to the data line Dm.

이와 같은 종래의 화소 회로의 동작을 살펴보면, 트랜지스터(M2)의 게이트에 인가되는 선택 신호에 의해 트랜지스터(M2)가 턴온되면, 데이터선(Dm)을 통해 데이터 전압이 구동 트랜지스터(M1)의 게이트에 인가된다. 그리고 게이트에 인가되는 데이터 전압에 대응하여 트랜지스터(M1)를 통해 유기 EL 소자(OLED)에 전류가 흘러 발광이 이루어진다. 이때, 유기 EL 소자(OLED)에 흐르는 전류는 다음의 수학식 1과 같다. Referring to the operation of the conventional pixel circuit, when the transistor M2 is turned on by the selection signal applied to the gate of the transistor M2, the data voltage is transferred to the gate of the driving transistor M1 through the data line Dm. Is approved. In response to the data voltage applied to the gate, a current flows through the transistor M1 to the organic EL element OLED to emit light. At this time, the current flowing through the organic EL element OLED is represented by Equation 1 below.

Figure 112004022122388-pat00001
Figure 112004022122388-pat00001

여기서, IOLED는 유기 EL 소자(OLED)에 흐르는 전류, Vgs는 트랜지스터(M1)의 게이트와 소스 사이의 전압, Vth는 트랜지스터(M1)의 문턱 전압, Vdata는 데이터 전압, β는 트랜지스터(M1)의 크기 및 특성에 의해 결정되는 상수 값을 나타낸다.Where I OLED is the current flowing through the organic EL element OLED, Vgs is the voltage between the gate and the source of the transistor M1, Vth is the threshold voltage of the transistor M1, Vdata is the data voltage, and β is the transistor M1. It represents a constant value determined by the size and characteristics of.

수학식 1에 나타낸 바와 같이, 도 1에 도시된 화소 회로에 의하면 인가되는 데이터 전압(Vdata)에 대응되는 전류가 유기 EL 소자(OLED)에 공급되고, 공급되는 전류에 대응하여 유기 EL 소자(OLED)가 발광하게 된다. As shown in Equation 1, according to the pixel circuit shown in FIG. 1, a current corresponding to the applied data voltage Vdata is supplied to the organic EL element OLED, and the organic EL element OLED corresponds to the supplied current. ) Will emit light.

그런데 이와 같은 종래의 전압 기입 방식의 화소 회로에서는 제조 공정의 불균일성에 의해 화소마다 생기는 박막 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)의 편차로 인해 고계조를 얻기 어렵다는 문제점이 있다. 예를 들어, 3V로 화소의 트랜지스터를 구동하는 경우 8비트(256) 계조를 표현하기 위해서는 대략 12mV(=3V/256) 간격으로 박막 트랜지스터의 게이트에 전압을 인가해야 하는데, 만일 제조 공정의 분균일로 인한 박막 트랜지스터의 문턱 전압의 편차가 100㎷인 경우에는 고계조를 표현하기 어려워진다.However, such a pixel circuit of the conventional voltage writing method has a problem in that it is difficult to obtain a high gradation due to the variation in the threshold voltage Vth of the thin film transistor generated for each pixel due to the nonuniformity of the manufacturing process. For example, when driving a transistor of a pixel at 3V, a voltage must be applied to the gate of the thin film transistor at intervals of about 12 mV (= 3 V / 256) in order to express an 8 bit 256 gray level. When the variation in the threshold voltage of the thin film transistor is 100 kΩ, it is difficult to express a high gray scale.

본 발명의 목적은 화소 회로에 포함된 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 편차를 보상하여 균일한 휘도를 표현할 수 있는 발광 표시 장치를 제공하기 위한 것이다. An object of the present invention is to provide a light emitting display device capable of expressing uniform brightness by compensating for variation in threshold voltages of a driving transistor included in a pixel circuit.

본 발명의 다른 목적은 블랙 계조 표시가 정상적으로 이루어지는 발광 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide a light emitting display device in which black gray scale display is normally performed.

상기 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 하나의 특징에 따른 발광 표시 장치는 데이터선과 선택 주사선 및 발광 주사선이 교차하는 화소 영역에 형성되어 있으며, 커패시터, 발광 소자, 상기 커패시터에 충전된 전압에 대응하여 상기 발광 소자로 전류를 공급하는 트랜지스터, 제1 제어 신호에 응답하여 상기 트랜지스터를 다이오드 연결시키는 제1 스위칭 소자, 상기 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 상기 데이터 전압을 상기 커패시터로 전달하는 제2 스위칭 소자, 상기 발광 주사선으로부터의 제2 제어 신호에 응답하여 상기 트랜지스터로부터 발광 소자로 공급되는 전류를 차단시키는 제3 스위칭 소자를 포함하는 화소 회로; 인가되는 데이터 제어 신호에 따라 상기 데이터선으로 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부; 및 인가되는 입력 신호에 따라 상기 주사선으로 선택 신호를 공급하는 제1신호 출력부, 상기 제1 신호 출력부에서 출력되는 선택 신호를 토대로 상기 제2 제어 신호를 생성하는 제2 신호 출력부를 포함하는 주사 구동부를 포함하며, 상기 제2 제어 신호의 동작 시점이 상기 제1 제어 신호의 동작 시점보다 느리다. 여기서, 상기 제1 제어 신호는 상기 선택 신호가 인가되는 현재 주사선의 직전 주사선으로 인가되는 선택 신호일 수 있다. In order to achieve the above object, a light emitting display device according to an aspect of the present invention is formed in a pixel region where a data line, a selection scan line, and a light emitting scan line cross each other, and correspond to a capacitor, a light emitting element, and a voltage charged in the capacitor. A transistor for supplying current to the light emitting element, a first switching element for diode-connecting the transistor in response to a first control signal, and a second switching element for transferring the data voltage to the capacitor in response to a selection signal from the scan line A pixel circuit including a third switching element for blocking a current supplied from the transistor to the light emitting element in response to a second control signal from the light emitting scan line; A data driver supplying a data signal to the data line according to an applied data control signal; And a first signal output unit configured to supply a selection signal to the scan line according to an input signal applied thereto, and a second signal output unit configured to generate the second control signal based on the selection signal output from the first signal output unit. And a driver, wherein an operation time point of the second control signal is slower than an operation time point of the first control signal. The first control signal may be a selection signal applied to a scan line immediately before the current scan line to which the selection signal is applied.

여기서, 상기 주사 구동부의 제1 신호 출력부는 입력 신호를 소정 기간만큼 순차적으로 지연시켜 복수의 제1 신호를 생성하는 시프트 레지스터; 및 상기 제1 신호들을 논리 연산하여 복수의 선택 신호를 생성하는 논리 연산부를 포함할 수 있다. 그리고, 상기 주사 구동부의 제2 신호 출력부는 인가되는 클락 제어 신호에 따라 동작하여 상기 제1 신호 출력부에서 출력되는 선택 신호를 소정 기간 지연시켜 출력하여 상기 발광 주사선으로 인가되는 제2 제어 신호로 출력하는 클락 인버터를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 제2 신호 출력부는 상기 클락 인버터에서 출력되는 신호를 반전시켜 출력하는 적어도 하나 이상의 인버터를 더 포함할 수 있다. The first signal output unit of the scan driver may include: a shift register configured to sequentially delay an input signal by a predetermined period to generate a plurality of first signals; And a logic operation unit configured to generate a plurality of selection signals by performing a logic operation on the first signals. In addition, the second signal output unit of the scan driver operates according to the clock control signal applied, delays the selection signal output from the first signal output unit for a predetermined period, and outputs the second control signal applied to the light emitting scan line. It may include a clock inverter. In this case, the second signal output unit may further include at least one inverter for inverting and outputting a signal output from the clock inverter.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명 이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part is connected to another part, this includes not only a directly connected part but also an electrically connected part with another element in between.

이제 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시 장치에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다. 그리고 본 발명의 실시 예에서는 발광 표시 장치로서 유기 물질의 전계 발광을 이용하는 유기 EL 표시 장치를 예로 들어 설명한다. A light emitting display device according to an embodiment of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the embodiment of the present invention, an organic EL display device using electroluminescence of an organic material is described as an example of a light emitting display device.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 것이다. 2 schematically illustrates a light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시 장치는 표시 패널(100), 주사 구동부(200) 및 데이터 구동부(300)를 포함한다.As illustrated in FIG. 2, a light emitting display device according to an exemplary embodiment includes a display panel 100, a scan driver 200, and a data driver 300.

표시 패널(100)은 열 방향으로 뻗어 있는 복수의 데이터선(D1∼Dm), 행 방향으로 뻗어 있는 복수의 주사선 및 복수의 화소 회로(10)를 포함한다. 데이터선(D1∼Dm)은 화상을 나타내는 데이터 전압을 화소 회로(10)로 전달한다. The display panel 100 includes a plurality of data lines D1 to Dm extending in the column direction, a plurality of scanning lines extending in the row direction, and a plurality of pixel circuits 10. The data lines D1 to Dm transfer the data voltage representing the image to the pixel circuit 10.

본 발명의 실시 예에서, 주사선은 화소를 선택하기 위한 선택 신호를 전달하는 복수의 선택 주사선(S1-Sn) 및 유기 EL 소자의 발광 기간을 제어하기 위한 발광 신호를 전달하는 복수의 발광 주사선(E1-En)을 포함한다. 이와 같은 데이터선과 선택 및 발광 주사선에 의해 정의되는 화소 영역에 화소 회로(10)가 형성되어 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the scan lines include a plurality of selection scan lines S1 -Sn for transmitting selection signals for selecting pixels and a plurality of emission scan lines E1 for transmitting light emission signals for controlling light emission periods of the organic EL elements. -En). The pixel circuit 10 is formed in the pixel region defined by the data lines and the selection and emission scanning lines.

주사 구동부(200)는 선택 주사선(S1∼Sn)에 각각 선택 신호를 순차적으로 인가하고, 또한, 발광 주사선(E1-En)에 각각 발광 신호를 순차적으로 인가한다. 데이터 구동부(300)는 데이터선(D1∼Dm)에 데이터 전압을 동시에 인가한다.The scan driver 200 sequentially applies the selection signals to the selection scan lines S1 to Sn, and sequentially applies the emission signals to the emission scan lines E1-En, respectively. The data driver 300 simultaneously applies a data voltage to the data lines D1 to Dm.

주사 구동부(200) 및/또는 데이터 구동부(300)는 유리 기판 위에 집적 회로 형태로 직접 장착될 수 있다. 또는 이들 구동부(200 및/또는 300)를 유리 기판 위에서 선택 및 발광 주사선, 데이터선 및 트랜지스터의 채널을 형성하는 층과 동일한 층들로 형성할 수도 있다. 또는 이들 구동부(200 및/또는 300)를 유리 기판과 별도의 기판에 형성하여 이들 기판을 유리 기판에 전기적으로 연결할 수도 있으며, 또한 유리 기판에 접착되어 전기적으로 연결된 TCP(tape carrier package), FPC(flexible printed circuit) 또는 TAB(tape automatic bonding)에 칩 등의 형태로 장착할 수도 있다.The scan driver 200 and / or the data driver 300 may be directly mounted on the glass substrate in the form of an integrated circuit. Alternatively, these drivers 200 and / or 300 may be formed on the glass substrate with the same layers as the layers forming the channels of the selective and light emission scan lines, the data lines, and the transistors. Alternatively, the driving units 200 and / or 300 may be formed on a substrate separate from the glass substrate, and the substrates may be electrically connected to the glass substrate. Also, a tape carrier package (TCP) and an FPC (attached to the glass substrate may be electrically connected. It may be mounted in the form of a chip in a flexible printed circuit (TAB) or tape automatic bonding (TAB).

아래에서는 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 화소 회로에 대해서 상세하게 설명한다. Hereinafter, a pixel circuit according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 화소 회로를 나타내는 도면이며, 도 4는 도 3의 화소 회로의 구동 타이밍도이다. 3 is a diagram illustrating a pixel circuit according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a driving timing diagram of the pixel circuit of FIG. 3.

도 3에서는 설명의 편의상 m번째 데이터선(Dm)과 n번째 주사선(Sn)에 연결된 화로 회로만을 도시하였다. 그리고 도 4에서는 n번째 주사선(Sn)과 (n-1)번째 주사선(Sn-1)에 인가되는 선택 신호를 각각 scan[n] 및 scan[n-1]로 표시하였다. 그리 고, 발광 주사선(En)에 인가되는 신호를 발광 신호 emit[n]으로 표시한다. In FIG. 3, only the furnace circuit connected to the m-th data line Dm and the n-th scan line Sn is illustrated for convenience of description. In Fig. 4, the selection signals applied to the nth scan line Sn and the (n-1) th scan line Sn-1 are represented by scan [n] and scan [n-1], respectively. Then, the signal applied to the emission scan line En is represented by the emission signal emit [n].

한편, 주사선에 관한 용어를 정의하면, 데이터 전압을 전달할 수 있도록 데이터선과 선택 주사선에 연결된 트랜지스터를 동작시키는 선택 신호를 전달하는 주사선을 "현재 주사선"이라 하고, 현재 선택 신호 직전에 선택 신호를 전달하는 주사선을 "직전 주사선"이라 한다.On the other hand, when the term for the scan line is defined, a scan line that transmits a selection signal for operating a transistor connected to the data line and the selection scan line so as to transfer the data voltage is referred to as a "current scan line" and transmits the selection signal immediately before the current selection signal. The scan line is referred to as the "last scan line".

도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 화소 회로는 5개의 트랜지스터(M1∼M5), 저장용 커패시터(Cst), 문턱 전압 보상용 커패시터(Cvth) 및 유기 EL 소자(OLED)를 포함한다. 도 3에서는 트랜지스터(M1∼M5)를 p채널 전계 효과 트랜지스터로 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 예를 들어, 트랜지스터(M1∼M4)는 p채널 전계 효과 트랜지스터로 구성하고 트랜지스터(M5)는 n 채널 전계 효과 트랜지스터로 구성하는 등의 변경이 가능하다. 그리고 트랜지스터는 두 개의 주 전극(드레인 전극 및 소스 전극)과 하나의 제어 전극(게이트 전극)을 가진다. As shown in FIG. 3, a pixel circuit according to an exemplary embodiment of the present invention includes five transistors M1 to M5, a storage capacitor Cst, a threshold voltage compensation capacitor Cvth, and an organic EL element OLED. Include. In FIG. 3, the transistors M1 to M5 are shown as p-channel field effect transistors, but the present invention is not limited thereto. For example, the transistors M1 to M4 may be p-channel field effect transistors and the transistor M5 may be an n-channel electric field. It is possible to change the configuration of the effect transistor. The transistor has two main electrodes (drain electrode and source electrode) and one control electrode (gate electrode).

트랜지스터(M1)는 유기 EL 소자(OLED)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터로서 하이 레벨의 전원 전압을 공급하기 위한 전원(VDD)과 트랜지스터(M5) 사이에 연결되며, 게이트에 인가되는 전압에 따라 트랜지스터(M5)를 통하여 유기 EL 소자(OLED)에 흐르는 전류를 제어한다. 그리고 트랜지스터(M2)는 트랜지스터(M1)의 게이트와 드레인 사이에 연결되며, 직전 주사선(Sn-1)으로부터의 로우 레벨의 선택 신호(scan[n-1])에 응답하여 트랜지스터(M1)를 다이오드 형태로 연결시킨다. The transistor M1 is a driving transistor for driving the organic EL element OLED, and is connected between the power supply VDD for supplying a high level power supply voltage and the transistor M5, and according to the voltage applied to the gate, The current flowing through the organic EL element OLED is controlled through M5). The transistor M2 is connected between the gate and the drain of the transistor M1, and diodes transistor M1 are responsive to the low level select signal scan [n-1] from the immediately preceding scan line Sn-1. Connect in the form.

구동 트랜지스터(M1)의 게이트에는 커패시터(Cvth)의 제1 전극(A)이 연결되며, 커패시터(Cvth)의 제2 전극(B) 및 전원(VDD) 사이에는 커패시터(Cst)와 트랜지 스터(M4)가 병렬로 연결된다. 트랜지스터(M4)는 직전 주사선(Sn-1)으로부터의 로우 레벨의 선택 신호(scan[n-1])에 응답하여 커패시터(Cvth)의 제2 전극(B)을 전원(VDD)에 연결한다. 그리고 트랜지스터(M3)는 데이터선(Dm)과 커패시터(Cvth)의 제2 전극(B) 사이에 연결되는 스위칭 트랜지스터로서, 현재 주사선(Sn)으로부터 로우 레벨의 선택 신호(scan[n])에 응답하여 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 전압을 커패시터(Cvth)의 제2 전극(B)으로 전달한다.The first electrode A of the capacitor Cvth is connected to the gate of the driving transistor M1, and the capacitor Cst and the transistor (Vst) are connected between the second electrode B of the capacitor Cvth and the power source VDD. M4) is connected in parallel. The transistor M4 connects the second electrode B of the capacitor Cvth to the power supply VDD in response to the low level select signal scan [n-1] from the previous scan line Sn-1. The transistor M3 is a switching transistor connected between the data line D m and the second electrode B of the capacitor Cvth. The transistor M3 is connected to the low level select signal scan [n] from the current scan line Sn. In response, the data voltage from the data line Dm is transferred to the second electrode B of the capacitor Cvth.

트랜지스터(M5)는 트랜지스터(M1)의 드레인과 유기 EL 소자(OLED)의 애노드 사이에 연결되며, 발광 주사선(En)으로부터의 하이 레벨의 발광 신호(emit[n])에 응답하여 트랜지스터(M1)의 드레인과 유기 EL 소자(OLED)를 전기적으로 차단하고, 발광 주사선(En)으로부터의 로우 레벨의 발광 신호(emit[n])에 응답하여 트랜지스터(M1)로부터의 전류를 유기 EL 소자(OLED)로 전달한다.The transistor M5 is connected between the drain of the transistor M1 and the anode of the organic EL element OLED, in response to the high level light emission signal emit [n] from the light emission scan line En. The drain and the organic EL element OLED are electrically blocked, and the current from the transistor M1 is supplied to the organic EL element OLED in response to the low level emission signal emit [n] from the emission scan line En. To pass.

유기 EL 소자(OLED)는 입력되는 전류에 대응하여 빛을 방출한다. 그리고 유기 EL 소자(OLED)의 캐소드에 연결되는 전압(VSS)은 전압(VDD)보다 낮은 레벨의 전압으로서, 그라운드 전압, 음의 전압 등이 사용될 수 있다.The organic EL element OLED emits light corresponding to the input current. The voltage VSS connected to the cathode of the organic EL element OLED is a voltage having a lower level than the voltage VDD, and a ground voltage, a negative voltage, and the like may be used.

이하, 본 발명의 실시 예에 따른 화소 회로의 동작을 도 4를 참조하여 설명한다.Hereinafter, an operation of a pixel circuit according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4.

먼저, T1 기간에서 직전 주사선(Sn-1)의 선택 신호(scan[n-1])가 로우 레벨로 되면, 트랜지스터(M2)가 턴온되어 구동 트랜지스터(M1)는 다이오드 형태로 연결된다. 따라서, 구동 트랜지스터(M1)의 게이트와 소스 사이의 전압이 구동 트랜지스 터(M1)의 문턱 전압(Vth)이 될 때까지 변하게 된다. 이때, 트랜지스터(M1)의 소스는 전원(VDD)에 연결되어 있으므로, 트랜지스터(M1)의 게이트, 즉 커패시터(Cvth)의 제1 전극(A) 전압은 (VDD+Vth) 전압으로 된다. 그리고 트랜지스터(M4)가 로우 레벨의 선택 신호(scan[n-1])에 의해 턴온되어 커패시터(Cvth)의 제2 전극(B)은 전원(VDD)에 연결되어 있으므로, 커패시터(Cvth)의 제2 전극(B) 전압은 전원 전압(VDD)으로 된다. 따라서 커패시터(Cvth)에는 문턱 전압(Vth)이 저장된다. 또한, n채널 트랜지스터(M5)는 하이 레벨의 발광 신호(emit[n])에 의해 턴오프되어 있으므로, 트랜지스터(M1)의 전류가 유기 EL 소자(OLED)로 흐르는 것이 방지된다. First, when the selection signal scan [n-1] of the previous scan line Sn-1 becomes low in the T1 period, the transistor M2 is turned on so that the driving transistor M1 is connected in the form of a diode. Therefore, the voltage between the gate and the source of the driving transistor M1 is changed until the threshold voltage Vth of the driving transistor M1 is reached. At this time, since the source of the transistor M1 is connected to the power supply VDD, the gate of the transistor M1, that is, the voltage of the first electrode A of the capacitor Cvth becomes (VDD + Vth). Since the transistor M4 is turned on by the low level select signal scan [n-1], the second electrode B of the capacitor Cvth is connected to the power source VDD. The voltage of the two electrodes B becomes the power supply voltage VDD. Therefore, the threshold voltage Vth is stored in the capacitor Cvth. In addition, since the n-channel transistor M5 is turned off by the high level light emission signal emit [n], the current of the transistor M1 is prevented from flowing to the organic EL element OLED.

다음, T2 기간에서 직전 주사선(Sn-1)의 선택 신호(scan[n-1)가 하이 레벨로 되고 현재 주사선(Sn)의 선택 신호(scan[n])가 로우 레벨로 되면, 트랜지스터(M3, M4)가 턴온되고 트랜지스터(M2, M4)가 턴오프된다. 그리고 데이터선(Dm)으로부터 데이터 전압(Vdata)이 트랜지스터(M3)로 전달된다. 그러면 데이터 전압(Vdata)이 커패시터(Cvth)의 제2 전극(B)으로 전달되어, 커패시터(Cvth)의 제1 전극(A) 전압은 데이터 전압(Vdata)과 전원 전압(VDD)의 차이만큼 부스트된다. 따라서 트랜지스터(M1)의 게이트, 즉 커패시터(Cvth)의 제1 전극(A) 전압(Vg)은 수학식 2와 같이 되고, 트랜지스터(M1)의 드레인에 흐르는 전류(IOLED)는 수학식 3과 같이 된다. 그리고 로우 레벨의 발광 신호(emit[n])에 의해 트랜지스터(M5)가 턴온되어 있으므로, 이 전류(IOLED)가 유기 EL 소자(OLED)로 전달되어 발광이 이루어진다. 또한, 트랜지스터(M1)의 게이트와 소스 사이의 전압(Vgs)은 커패시터(Cvth, Cst)에 저장이 되므 로, T2 기간 이후에도 직전 주사선(Sn-1)의 선택 신호(scan[n-1])가 하이 레벨일 동안 트랜지스터(M1)에서는 유기 EL 소자(OLED)에 수학식 3과 같은 전류를 공급한다. 즉, 커패시터(Cst)는 문턱 전압(Vth) 보상용 커패시터(Cvth)와 함께 데이터 전압을 저장하는 역할을 한다.Next, when the selection signal scan [n-1) of the immediately preceding scan line Sn-1 becomes high level and the selection signal scan [n] of the current scan line Sn becomes low level in the period T2, the transistor M3. , M4 is turned on and transistors M2 and M4 are turned off. The data voltage Vdata is transferred from the data line Dm to the transistor M3. Then, the data voltage Vdata is transferred to the second electrode B of the capacitor Cvth, so that the voltage of the first electrode A of the capacitor Cvth is boosted by the difference between the data voltage Vdata and the power supply voltage VDD. do. Accordingly, the gate of the transistor M1, that is, the voltage Vg of the first electrode A of the capacitor Cvth is represented by Equation 2, and the current I OLED flowing through the drain of the transistor M1 is represented by Equation 3 Become together. Since the transistor M5 is turned on by the low level light emission signal emit [n], the current I OLED is transferred to the organic EL element OLED to emit light. In addition, since the voltage Vgs between the gate and the source of the transistor M1 is stored in the capacitors Cvth and Cst, the selection signal scan [n-1] of the previous scan line Sn-1 even after the T2 period. Is at a high level, the transistor M1 supplies a current as shown in Equation 3 to the organic EL element OLED. That is, the capacitor Cst serves to store the data voltage together with the threshold voltage Vth compensation capacitor Cvth.

Figure 112004022122388-pat00002
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Figure 112004022122388-pat00003
Figure 112004022122388-pat00003

여기서, Vgs는 트랜지스터(M1)의 게이트와 소스 사이의 전압, Vth는 트랜지스터(M1)의 문턱 전압, Vdata는 데이터 전압, β는 상수 값을 나타낸다.Here, Vgs represents a voltage between the gate and the source of the transistor M1, Vth represents a threshold voltage of the transistor M1, Vdata represents a data voltage, and β represents a constant value.

수학식 3을 보면, 유기 EL 소자(OLED)에 전달되는 전류(IOLED)는 구동 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(Vth)에 관계없이 전원 전압(VDD)과 데이터 전압(Vdata)에 의해 결정이 된다. 따라서 표시 패널(100)의 화소 회로(10)들의 구동 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(Vth)이 서로 다르더라도, 본 실시 예에서는 문턱 전압(Vth)의 편차가 커패시터(Cvth)에 의하여 보상되어 유기 EL 소자(OLED)에 공급되는 전류는 일정하게 된다. 즉, 본 발명의 실시 예에서 예시한 화소 회로에 의하면, 각 부화소 사이의 위치에 따른 박막 트랜지스터의 문턱 전압의 편차에 의해 발생하는 휘도 불균형 문제를 해결할 수 있다.In Equation 3, the current I OLED transmitted to the organic EL element OLED is determined by the power supply voltage VDD and the data voltage Vdata regardless of the threshold voltage Vth of the driving transistor M1. do. Therefore, even though the threshold voltages Vth of the driving transistors M1 of the pixel circuits 10 of the display panel 100 are different from each other, in the present exemplary embodiment, the deviation of the threshold voltages Vth is compensated by the capacitor Cvth to induce The current supplied to the EL element OLED becomes constant. That is, according to the pixel circuit exemplified in the embodiment of the present invention, the luminance unbalance problem caused by the variation of the threshold voltage of the thin film transistor according to the position between each subpixel can be solved.

한편, 도 3의 화소 회로에서, 직전 주사선(Sn-1)에 로우 레벨의 선택 신호(scan[n-1])를 인가하여 커패시터(Cvth)에 문턱 전압(Vth)을 저장할 경우, 동시에 발광 주사선(En)으로 인가되는 발광 신호(emit[n])가 하이 레벨이 되면 순간적으로 트랜지스터(M5)의 오프 전류가 유기 EL 소자(OLED)로 흐를 수 있다. 이 경우, 오프 전류에 의하여 유기 EL 소자(OLED)가 소정량의 발광을 할 수 있으므로, 블랙 계조 표시가 정상적으로 이루어지지 않는다. 그러므로, 도 4에서와 같이, 주사선(Sn-1)의 선택 신호(scan[n-1]의 동작 시점보다 발광 주사선(En)의 발광 신호(emit[n])의 동작 시점이 느린 것이 바람직하다. 여기서 동작 시점은 신호의 레벨 상태가 변화되기 시작하는 때를 나타내는 것으로, 예를 들어 신호가 로우 레벨에서 하이 레벨로 변경되는 시점 또는 신호가 하이 레벨에서 로우 레벨로 변경되는 시점을 나타낸다. Meanwhile, in the pixel circuit of FIG. 3, when the threshold voltage Vth is stored in the capacitor Cvth by applying the low level selection signal scan [n-1] to the previous scan line Sn-1, the light emission scan line is simultaneously applied. When the emission signal (emit [n]) applied to (En) becomes a high level, an off current of the transistor M5 may momentarily flow to the organic EL element OLED. In this case, since the organic EL element OLED can emit a predetermined amount of light due to the off current, black gradation display is not normally performed. Therefore, as shown in FIG. 4, it is preferable that the operation timing of the emission signal emit [n] of the emission scanning line En is slower than the operation timing of the selection signal scan [n-1] of the scanning line Sn-1. Here, the operation time point indicates when the level state of the signal starts to change, for example, when the signal is changed from the low level to the high level or when the signal is changed from the high level to the low level.

다음에는 이러한 특징을 가지는 선택 신호 및 발광 신호를 생성하는 주사 구동부에 대하여 설명한다. Next, a scan driver for generating a selection signal and a light emission signal having such characteristics will be described.

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 주사 구동부의 구조도이다.5 is a structural diagram of a scan driver according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 주사 구동부(200)는 크게 선택 신호를 생성하는 제1 신호 출력부(210) 및 발광 신호를 생성하는 제2 신호 출력부(220)를 포함한다. As shown in FIG. 5, the scan driver 200 according to an exemplary embodiment of the present invention may include a first signal output unit 210 that generates a selection signal and a second signal output unit 220 that generates a light emission signal. Include.

제1 신호 출력부(210)는 시프트 레지스터(SR), NAND 게이트(NAND1-NADNn), 및 버퍼(B1-Bn)를 포함하며, 제2 신호 출력부(220)는 클락 인버터(CI1-CIn) 및 인버터(I1-In)를 포함한다. The first signal output unit 210 includes a shift register SR, NAND gates NAND1 -NADNn, and buffers B1-Bn, and the second signal output unit 220 includes a clock inverter CI1 -CIn. And inverters I1-In.

도 6에 본 발명의 실시 예에 따른 클락 인버터의 구조가 도시되어 있다. 6 shows the structure of a clock inverter according to an embodiment of the present invention.

클락 인터버(CI1-CIn)는 도 6에 도시되어 있듯이, 다수의 트랜지스터(T1-T5)를 포함한다. 트랜지스터(T3)는 게이트로 인가되는 제2 입력 신호(IN2)에 따라 동작하며, 트랜지스터(T5)의 동작에 연동하여 트랜지스터(T1, T2)가 제1 입력 신호(IN1)를 반전시켜 출력하며, 트랜지스터(T4, T5)가 출력된 신호를 다시 반전시켜 출력한다. 따라서, 제1 입력 신호가 반전 없이 지연되어 출력된다. 여기서, 제1 입력 신호(IN1)는 제1 신호 출력부(210)로부터 출력되는 선택 신호(select[0]-select[n-1])이며, 제2 입력 신호(IN2)는 제어 신호(ENB)가 된다. 그러므로, 제2 신호 출력부(220)로 입력된 신호는 클락 인터버(CI1-CIn)에 의하여 지연된 다음, 인버터(I1-In)에 의하여 반전되어 출력된다. The clock interleaver CI1-CIn includes a plurality of transistors T1-T5, as shown in FIG. The transistor T3 operates according to the second input signal IN2 applied to the gate, and in response to the operation of the transistor T5, the transistors T1 and T2 invert and output the first input signal IN1. The transistors T4 and T5 invert the output signals again and output them. Thus, the first input signal is delayed and outputted without inversion. Here, the first input signal IN1 is a selection signal select [0] -select [n-1] output from the first signal output unit 210, and the second input signal IN2 is a control signal ENB. ) Therefore, the signal input to the second signal output unit 220 is delayed by the clock interleaver CI1-CIn and then inverted and output by the inverters I1-In.

여기서, 사용하고자 하는 발광 신호의 특성에 따라 인버터(I1-In)가 선택적으로 사용될 수 있으며, 또는 하나 이상 사용될 수 있다. 즉, 본 실시 예에서는 직전 주사선의 선택 신호(Scan[n-1])에 따라 동작하는 트랜지스터(M2,M4)와 발광 신호(emit[n]) 따라 동작하는 트랜지스터(M5)가 동일한 p 채널 전계 효과 트랜지스터로 이루어짐에 따라, 선택 신호(Scan[n-1])와 발광 신호(emit[n])가 반전 관계가 되도록 클락 인버터(CI1-CIn) 다음에 하나의 인버터(I1-In)를 형성하였다. 그러나, 트랜지스터(M2,M4)와 트랜지스터(M5)가 다른 특성 채널의 트랜지스터로 이루어지는 경우에는 단지 선택 신호(scan[n-1])가 소정 시간 지연된 신호가 발광 신호로 출력되도록, 인버터(I1-In)를 사용하지 않거나 짝수개 사용할 수도 있다. Here, the inverters I1-In may be selectively used according to the characteristics of the light emission signal to be used, or one or more may be used. In other words, in the present embodiment, the transistors M2 and M4 operating according to the selection signal Scan [n-1] of the immediately preceding scan line and the transistor M5 operating according to the emission signal emit [n] have the same p-channel electric field. As an effect transistor, one inverter I1-In is formed after the clock inverters CI1-CIn so that the selection signal Scan [n-1] and the emission signal emit [n] are inverted. It was. However, in the case where the transistors M2 and M4 and the transistor M5 are made of transistors of different characteristic channels, the inverters I1-1 are output so that only the selection signal scan [n-1] is output as a light emitting signal with a predetermined time delay. In) may not be used or an even number may be used.

이하의 설명에서 NAND 게이트(NAND1-NANDn), 버퍼(B1-Bn), 클락 인버터(CI1- CIn) 및 인버터(I1-In)는 선택 주사선(S1-Sn)의 개수에 대응되는 n개라 가정한다.In the following description, it is assumed that NAND gates NAND1-NANDn, buffers B1-Bn, clock inverters CI1-CIn, and inverters I1-In are n corresponding to the number of selection scan lines S1-Sn. .

여기서, 시프트 레지스터(SR)는 (n+1) 개의 플립플롭을 포함하며, 각 플립플롭의 출력 신호가 시프트 레지스터(SR)의 출력 신호(SR1-SRn+1)가 된다. 첫 번째 플립플롭의 입력 신호는 시작 신호(VSP)이고, (i) 번째 플립플롭의 출력 신호가 (i+1) 번째 플립플롭의 입력 신호가 된다. 시프트 레지스터(SR)의 플립플롭은 클락(VCLK)이 하이 레벨인 경우에 신호를 입력받아 클락(VCLK)이 다시 하이 레벨이 될 때까지 입력 신호를 유지한다. 이러한 플립플롭은 다양한 형태로 구성될 수 있으므로, 여기서는 플립플롭에 대한 상세한 구조 설명을 생략한다. Here, the shift register SR includes (n + 1) flip-flops, and the output signal of each flip-flop becomes the output signals SR1-SRn + 1 of the shift register SR. The input signal of the first flip-flop is the start signal VSP, and the output signal of the (i) th flip-flop becomes the input signal of the (i + 1) -th flip-flop. The flip-flop of the shift register SR receives a signal when the clock VCLK is at the high level and maintains the input signal until the clock VCLK is at the high level again. Since the flip-flop may be configured in various forms, a detailed structure description of the flip-flop is omitted here.

다음에는 이러한 구조를 토대로 본 발명의 실시 예에 따른 주사 구동부의 동작에 대하여 설명한다. Next, an operation of the scan driver according to an exemplary embodiment of the present invention will be described based on the structure.

제1 신호 출력부(210)의 시프트 레지스터(SR)는 클락(VCLK)과 시작 신호(VSP)를 수신하여 출력 신호(SR1-SRn+1)를 소정 클락만큼 시프트하면서 순차적으로 출력한다. NAND 게이트(NAND1-NANDn)는 시프트 레지스터(SR)의 출력 신호(SR1-SRn)들을 NAND 연산하여 출력하며, 버퍼(B1-Bn)는 NAND 연산되어 출력되는 신호를 버퍼링한 후 선택 신호(select[0]-select[n-1])로서 출력한다. 이 때, NAND 게이트(NAND1-NANDn)는 발광 신호 생성을 위하여 하이 레벨 상태로 인가되는 제어 신호(ENB)와 시프트 레지스터(SR)의 출력 신호(SR1-SRn+1)들을 NAND 연산하여 출력하며, 상기 제어 신호(ENB)와 시프트 레지스터(SR)의 출력 신호(SR1-SRn+1)들이 모두 하이 레벨을 가질 때에만 로우 레벨의 신호를 출력한다.The shift register SR of the first signal output unit 210 receives the clock VCLK and the start signal VSP and sequentially outputs the output signals SR1-SRn + 1 by a predetermined clock. The NAND gates NAND1-NANDn perform NAND operation on the output signals SR1-SRn of the shift register SR, and the buffers B1-Bn buffer the signals output by performing the NAND operation, and then select the select signal (select [ 0] -select [n-1]). At this time, the NAND gates NAND1-NANDn perform NAND operation on the control signal ENB and the output signals SR1-SRn + 1 of the shift register SR that are applied in a high level state to generate the light emission signal, The low level signal is output only when both the control signal ENB and the output signals SR1-SRn + 1 of the shift register SR have a high level.

한편, 제2 신호 출력부(220)의 클락 인버터(CI1-CIn)는 인가되는 클락 즉, 제어 신호(ENB)에 따라 제1 신호 출력부(210)의 버퍼(B1-Bn)로부터 출력되는 신호 즉, 선택 신호(select[0]-select[n-1])를 소정 시간 지연시킨 후 출력하며, 인버터(I1-In)가 상기 지연된 신호를 반전시켜 발광 신호(emit[1]-emit[n])로서 출력한다. Meanwhile, the clock inverters CI1-CIn of the second signal output unit 220 are signals output from the buffers B1-Bn of the first signal output unit 210 according to the applied clock, that is, the control signal ENB. That is, the select signals select [0] -select [n-1] are delayed for a predetermined time and then output, and the inverters I1-In invert the delayed signals to emit light signals emit [1] -emit [n. ])

도 7에 클락 인버터(CI1-CIn)에서 출력되는 신호의 동작 파형이 도시되어 있다. 도 7에서와 같이, 클락 인버터(CI1-CIn)의 특성에 따라 입력된 신호가 소정 시간 지연되어 출력됨으로써, 제2 신호 출력부(220)에서 최종적으로 출력되는 발광 신호(emit[1]-emit[n])의 동작 시점이 선택 신호(select[0]-select[n-1])보다 느리게 된다. 따라서, 선택 신호와 발광 신호의 동시 구동시 발생되는 트랜지스터(M5)의 오프 전류에 의하여 블랙 계조 표시가 정상적으로 이루어지지 않는 것을 방지할 수 있다. 7 shows an operation waveform of a signal output from the clock inverters CI1-CIn. As shown in FIG. 7, the input signal is output after being delayed for a predetermined time according to the characteristics of the clock inverters CI1-CIn, so that the emission signal (emit [1] -emit) finally outputted from the second signal output unit 220. The operation time of [n] is slower than the selection signals select [0] -select [n-1]. Therefore, it is possible to prevent the black gradation display from being normally performed by the off current of the transistor M5 generated when the selection signal and the emission signal are simultaneously driven.

이상으로, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시 장치에 대하여 설명하였다. 상기 기술된 실시 예는 본 발명의 개념이 적용된 일실시 예로서, 본 발명의 범위가 상기 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 여러 가지 변형이 본 발명의 개념을 그대로 이용하여 형성될 수 있다. In the above, the light emitting display device according to the exemplary embodiment of the present invention has been described. The embodiment described above is an embodiment to which the concept of the present invention is applied, and the scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications may be made by using the concept of the present invention as it is.

이러한 본 발명에 따르면 화소 회로에 포함된 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 편차와 각 화소간의 전압 강하량 차이를 보상하여 발광 표시 장치의 휘도 균일성을 개선할 수 있다. According to the present invention, the luminance uniformity of the light emitting display device can be improved by compensating for the variation in the threshold voltage of the driving transistor included in the pixel circuit and the difference in voltage drop between the pixels.

또한, 이러한 발광 표시 장치에서 블랙 계조 표시가 정상적으로 수행될 수 있다. In addition, the black gray scale display may be normally performed in the light emitting display device.

Claims (6)

데이터선과 선택 주사선 및 발광 주사선이 교차하는 화소 영역에 형성되어 있으며, 커패시터, 발광 소자, 상기 커패시터에 충전된 전압에 대응하여 상기 발광 소자로 전류를 공급하는 트랜지스터, 제1 제어 신호에 응답하여 상기 트랜지스터를 다이오드 연결시키는 제1 스위칭 소자, 상기 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 상기 데이터 전압을 상기 커패시터로 전달하는 제2 스위칭 소자, 상기 발광 주사선으로부터의 제2 제어 신호에 응답하여 상기 트랜지스터로부터 발광 소자로 공급되는 전류를 차단시키는 제3 스위칭 소자를 포함하는 화소 회로;A transistor formed in the pixel area where the data line, the selection scan line, and the light emission scan line intersect, a capacitor, a light emitting element, a transistor to supply current to the light emitting element in response to a voltage charged in the capacitor, and the transistor in response to a first control signal A first switching element for diode-connecting a second switching element, a second switching element transferring the data voltage to the capacitor in response to a selection signal from the scanning line, and a second switching signal from the transistor to the light emitting element in response to a second control signal from the light emitting scanning line A pixel circuit including a third switching element to block a supplied current; 인가되는 데이터 제어 신호에 따라 상기 데이터선으로 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부; 및A data driver supplying a data signal to the data line according to an applied data control signal; And 인가되는 입력 신호에 따라 상기 주사선으로 선택 신호를 공급하는 제1신호 출력부, 상기 제1 신호 출력부에서 출력되는 선택 신호를 토대로 상기 제2 제어 신호를 생성하는 제2 신호 출력부를 포함하는 주사 구동부A scan driver including a first signal output unit configured to supply a selection signal to the scan line according to an input signal applied thereto, and a second signal output unit configured to generate the second control signal based on the selection signal output from the first signal output unit 를 포함하며, Including; 상기 제2 제어 신호의 동작 시점이 상기 제1 제어 신호의 동작 시점보다 느린 발광 표시 장치.The light emitting display device of which the operation time point of the second control signal is slower than the operation time point of the first control signal. 제1항에 있어서The method of claim 1 상기 제1 제어 신호는 상기 선택 신호가 인가되는 현재 주사선의 직전 주사 선으로 인가되는 선택 신호인 발광 표시 장치.And the first control signal is a selection signal applied to a scan line immediately preceding the current scan line to which the selection signal is applied. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 주사 구동부의 제1 신호 출력부는 The first signal output unit of the scan driver 입력 신호를 소정 기간만큼 순차적으로 지연시켜 복수의 제1 신호를 생성하는 시프트 레지스터; 및A shift register configured to sequentially delay the input signal by a predetermined period to generate a plurality of first signals; And 상기 제1 신호들을 논리 연산하여 복수의 선택 신호를 생성하는 논리 연산부를 포함하는 발광 표시 장치.And a logic calculator configured to logically operate the first signals to generate a plurality of selection signals. 제1항 또는 제3항에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 주사 구동부의 제2 신호 출력부는 The second signal output unit of the scan driver 인가되는 클락 제어 신호에 따라 동작하여 상기 제1 신호 출력부에서 출력되는 선택 신호를 소정 기간 지연시켜 출력하여 상기 발광 주사선으로 인가되는 제2 제어 신호로 출력하는 클락 인버터를 포함하는 발광 표시 장치.And a clock inverter operating according to an applied clock control signal to delay the selection signal output from the first signal output unit for a predetermined period and outputting the second control signal applied to the light emitting scan line. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제2 신호 출력부는 The second signal output unit 상기 클락 인버터에서 출력되는 신호를 반전시켜 출력하는 적어도 하나 이상의 인버터를 더 포함하는 발광 표시 장치.And at least one inverter for inverting and outputting the signal output from the clock inverter. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 시프트 레지스터는 다수의 플립플롭으로 이루어지고,The shift register is composed of a plurality of flip-flops, 상기 논리 연산부는 상기 다수의 플립플롭 중 홀수번째 플립플롭과 짝수번째 플립플롭에서 출력되는 제1신호들을 NAND 연산하여 상기 선택 신호로 출력하는 다수의 NAND 게이트로 이루어지는 발광 표시 장치.And the logic calculator comprises a plurality of NAND gates for NAND-operating the first signals output from the odd-numbered flip-flop and the even-numbered flip-flop among the plurality of flip-flops and outputting the selected signals as the selection signals.
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