KR101128466B1 - Organic Light Emitting Display - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기전계발광 표시장치에 관한 것으로, (m)번째 데이터라인(D(m))에 연결된 소스, 제1노드(B)에 연결된 드레인, 로우 신호 레벨의 (n)번째 스캔신호가 인가되는 (n)번째 스캔라인(S(n))에 연결된 게이트를 포함하는 제1스위치; 상기 (n)번째 스캔라인과 상기 제1스위치의 게이트에 연결된 소스, 상기 로우 신호 레벨의 (n-1)번째 스캔신호가 인가되는 (n-1)번째 스캔라인에 연결된 게이트, 상기 제1노드(B)에 연결된 드레인을 포함하는 제2스위치; 제2캐패시터와 구동박막트랜지스터의 게이트 사이의 제2 노드(A)에 연결된 소스, 상기 구동박막트랜지스터의 드레인에 연결된 드레인, 상기 (n-1)번째 스캔라인에 연결된 게이트를 포함하는 제3스위치; 하이 신호 레벨의 (n-1)번째 스캔제어신호가 인가되는 (n-1)번째 스캔제어라인에 연결된 게이트, 유기발광다이오드의 애노드에 연결된 드레인, 및 상기 구동박막트랜지스터의 드레인에 연결된 소스를 포함하는 제4스위치를 구비한다.The present invention relates to an organic light emitting display device, wherein a source connected to a (m) th data line D (m), a drain connected to a first node B, and a (n) th scan signal of a low signal level are applied. A first switch including a gate connected to the (n) th scan line S (n); A source connected to the (n) th scan line and the gate of the first switch, a gate connected to the (n-1) th scan line to which the (n-1) th scan signal of the low signal level is applied, and the first node A second switch including a drain connected to (B); A third switch including a source connected to the second node A between the second capacitor and the gate of the driving thin film transistor, a drain connected to the drain of the driving thin film transistor, and a gate connected to the (n-1) th scan line; A gate connected to the (n-1) th scan control line to which the (n-1) th scan control signal of the high signal level is applied, a drain connected to the anode of the organic light emitting diode, and a source connected to the drain of the driving thin film transistor. A fourth switch is provided.
유기전계발광, 데이터구동, 충전 캐패시터, 데이터전압 Organic light emitting, data driving, charging capacitor, data voltage
Description
도 1은 종래 유기전계발광소자의 등가회로도.1 is an equivalent circuit diagram of a conventional organic light emitting display device.
도 2a는 (n-1)번째 스캔신호가 인가되었을 때 종래 유기전계발광소자의 동작을 도시한 회로도.2A is a circuit diagram showing the operation of a conventional organic light emitting display device when the (n-1) th scan signal is applied.
도 2b는 도 2a의 구동 타이밍도.2B is a drive timing diagram of FIG. 2A;
도 3a는 (n)번째 스캔신호가 인가되었을 때 종래 유기전계발광소자의 동작을 도시한 회로도.3A is a circuit diagram showing the operation of a conventional organic light emitting display device when the (n) th scan signal is applied.
도 3b는 도 3a의 구동 타이밍도.3B is a drive timing diagram of FIG. 3A.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 등가회로도.4 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
도 5는 도 4의 유기전계발광 표시장치의 구동 타이밍도.5 is a driving timing diagram of the organic light emitting display device of FIG. 4.
본 발명은 유기전계발광 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device.
유기전계발광소자(Organic Light Emitting Diodes, OLED)는 전자와 정공의 재결합으로 형광물질을 발광시키는 자발광소자이었다. 이 유기전계발광소자를 포함하는 유기전계발광 표시장치는, 액정 디스플레이장치와 같이 별도의 광원을 필요 로 하는 수동형 발광소자에 비하여 응답속도가 빠르고 직류구동전압이 낮고 초박막화가 가능하기 때문에 벽걸이형 또는 휴대용으로 응용이 가능하였다.Organic light emitting diodes (OLEDs) were self-luminous devices that emit fluorescent materials by recombination of electrons and holes. The organic light emitting display device including the organic light emitting display device is a wall-mounted or portable device because the response speed is faster, the DC driving voltage is lower, and the ultra-thin film is possible than the passive light emitting device which requires a separate light source like the liquid crystal display device. Application was possible.
이와 같은 유기전계발광 표시장치는 적색, 청색, 녹색의 서브픽셀들이 하나의 색을 표현하는 픽셀들을 이용하여 컬러를 구현하였다. 유기전계발광 표시장치는 서브픽셀을 구동하는 방식으로 단순매트릭스형 유기전계발광 표시장치와, 박막트랜지스터(TFT)를 포함하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치로 나눌 수 있었다. Such an organic light emitting display device implements color using pixels in which red, blue, and green subpixels represent one color. The organic light emitting display can be divided into a simple matrix type organic light emitting display and an active matrix organic light emitting display including a thin film transistor (TFT).
도 1은 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치의 회로도이다.1 is a circuit diagram of a conventional active matrix organic light emitting display device.
종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치는 제 1 내지 제5박막트랜지스터(M1~M5) 및 제 1, 2 캐패시터(C1, C2), 유기발광다이오드(OLED)를 포함하고 있었다.Conventionally, the active matrix organic light emitting display device includes first to fifth thin film transistors M1 to M5, first and second capacitors C1 and C2, and an organic light emitting diode OLED.
유기발광다이오드(OLED)는 인가되는 전류의 양에 대응하는 빛을 발광하였다.The organic light emitting diode OLED emits light corresponding to the amount of current applied thereto.
제1박막트랜지스터(M1)는 전원전압(VDD)에 소스가 연결되고 제5박막트랜지스터(M5)의 소스에 드레인이 연결되어, 제2박막트랜지스터(M2)를 통하여 게이트에 인가되는 데이터전압에 대응하는 전류를 유기발광다이오드(OLED)에 공급하였다. The first thin film transistor M1 has a source connected to the power supply voltage VDD and a drain connected to the source of the fifth thin film transistor M5 to correspond to the data voltage applied to the gate through the second thin film transistor M2. A current was supplied to the organic light emitting diode (OLED).
제3박막트랜지스터(M3)는 소스가 전원전압(VDD)에 연결되고, 게이트가 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에 연결되고, 드레인에 제2박막트랜지스터(M2)의 드레인과 제1박막트랜지스터(M1)의 게이트 사이에 연결되어 인가되는 전원전압(VDD)을 전달하였다. The third thin film transistor M3 has a source connected to the power supply voltage VDD, a gate connected to the (n-1) th scan line S (n-1), and a second thin film transistor M2 at a drain. The power supply voltage VDD is connected between the drain of the first thin film transistor M1 and the gate of the first thin film transistor M1.
제4박막트랜지스터(M4)는 게이트가 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에 연결되고, 드레인이 상기 제1박막트랜지스터(M1)의 드레인과 제5박막트랜지스터(M5)의 소스 사이에 연결되고, 소스는 제1박막트랜지스터(M1)의 게이트와 제1캐패시터(C1) 사이에 연결되었다. A gate of the fourth thin film transistor M4 is connected to the (n-1) th scan line S (n-1), and a drain thereof is the drain of the first thin film transistor M1 and the fifth thin film transistor M5. The source is connected between the source of and the source is connected between the gate of the first thin film transistor (M1) and the first capacitor (C1).
그리고 제5박막트랜지스터(M5)는 게이트에 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))이 연결되고, 드레인에 유기발광다이오드(OLED)의 애노드가 연결되어, 제1박막트랜지스터(M1)로부터 인가되는 구동전류를 유기발광다이오드(OLED)에 전달하였다.The fifth thin film transistor M5 has a (n-1) th scan line S (n-1) connected to a gate thereof, an anode of an organic light emitting diode OLED connected to a drain thereof, and a first thin film transistor M5 connected to a gate thereof. The driving current applied from M1) was transferred to the organic light emitting diode OLED.
여기서, 도 1에 도시한 유기전계발광 표시장치에 따르면 제1박막트랜지스터(M1)와 제3, 4박막트랜지스터(M3, M4)는 PMOS형 박막트랜지스터, 제5박막트랜지스터(M5)는 NMOS형 트랜지스터로 구성되었다. According to the organic light emitting display device shown in FIG. 1, the first thin film transistor M1 and the third and fourth thin film transistors M3 and M4 are PMOS thin film transistors, and the fifth thin film transistor M5 is an NMOS transistor. It consisted of
그리고 제1캐패시터(C1)는 제1박막트랜지스터(M1)의 게이트와 제2박막트랜지스터(M1) 사이에 연결되어 제1박막트랜지스터(M1)의 문턱전압을 충전하고, 제2캐패시터(C2)는 제1박막트랜지스터(M1)의 게이트와 전원전압(VDD) 사이에 연결되어 제2박막트랜지스터(M2)에서 인가되는 데이터전압을 충전하였다.The first capacitor C1 is connected between the gate of the first thin film transistor M1 and the second thin film transistor M1 to charge the threshold voltage of the first thin film transistor M1, and the second capacitor C2 is The data voltage is applied between the gate of the first thin film transistor M1 and the power supply voltage VDD to charge the data voltage applied from the second thin film transistor M2.
아울러, 제2박막트랜지스터(M2)는 게이트가 스캔라인에 연결되고, 소스는 데이터라인과, 드레인은 제1캐패시터(C1)에 연결되었다.In addition, the second thin film transistor M2 has a gate connected to the scan line, a source connected to the data line, and a drain connected to the first capacitor C1.
도 2a는 (n-1)번째 스캔신호가 인가되었을 때 종래 유기전계발광 표시장치의 동작을 도시한 회로도이며, 도 2b는 도 2a의 구동 타이밍도이다. 또한, 도 3a는 (n)번째 스캔신호가 인가되었을 때 종래 유기전계발광 표시장치의 동작을 도시한 회로도이며, 도 3b는 도 3a의 구동 타이밍도이다.FIG. 2A is a circuit diagram illustrating an operation of a conventional organic light emitting display device when the (n-1) th scan signal is applied, and FIG. 2B is a driving timing diagram of FIG. 2A. 3A is a circuit diagram illustrating an operation of a conventional organic light emitting display device when the (n) th scan signal is applied, and FIG. 3B is a driving timing diagram of FIG. 3A.
다음에는 도 1에 도시한 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치의 동작을 도 2a 내지 3b를 참조하여 설명한다.Next, the operation of the conventional active matrix organic light emitting display device shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 2A to 3B.
도 2b와 같이, 일정시간(T(n-1))에 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에는 로우(Low) 신호, n번째 스캔라인(S(n))에는 하이(High) 신호가 인가되면, 도 2a에 도시된 바와 같이 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에 게이트가 연결된 PMOS형 트랜지스터인 제3박막트랜지스터(M3)와 제4박막트랜지스터(M4)는 턴온되어 쇼트(Short)가 되고, NMOS형 트랜지스터인 제5박막트랜지스터(M5)는 턴오프되어 오픈(open) 상태를 유지하였다. 또한, n번째 스캔라인(S(n))에 게이트가 연결된 제2박막트랜지스터(M2)도 턴오프되어 오픈상태를 유지하였다.As shown in FIG. 2B, at a predetermined time T (n-1), the low signal is applied to the (n-1) th scan line S (n-1) and the nth scan line S (n). When the high signal is applied, as shown in FIG. 2A, the third thin film transistor M3 and the fourth thin film transistor M3, which are gates connected to the (n-1) th scan line S (n-1), are connected to each other. The thin film transistor M4 is turned on to become a short, and the fifth thin film transistor M5, which is an NMOS transistor, is turned off to maintain an open state. In addition, the second thin film transistor M2 having a gate connected to the n-th scan line S (n) is also turned off to remain open.
따라서, 제4박막트랜지스터(M4)가 턴온됨에 따라서 제1박막트랜지스터(M1)는 구동전압(Vdd)에 대해 다이오드 기능을 수행하므로써 전원전압(VDD)으로부터 출력된 전원전압이 제3박막트랜지스터(M3)를 통하여 제1박막트랜지스터(M1)의 문턱전압에 해당되는 전압(Vth)이 제1캐패시터(C1)에 충전되었다. Accordingly, as the fourth thin film transistor M4 is turned on, the first thin film transistor M1 performs a diode function with respect to the driving voltage Vdd so that the power voltage output from the power supply voltage VDD becomes the third thin film transistor M3. The voltage Vth corresponding to the threshold voltage of the first thin film transistor M1 is charged in the first capacitor C1 through ().
아울러 제5박막트랜지스터(M5)는 상기와 같이 제1캐패시터(C1)가 충전되는 동안 턴오프되어 전류가 제1박막트랜지스터(M1)에서 유기발광다이오드(OLED)로 인가되는 것을 방지하였다.In addition, the fifth thin film transistor M5 is turned off while the first capacitor C1 is charged as described above to prevent the current from being applied to the organic light emitting diode OLED from the first thin film transistor M1.
이후, (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))이 로우에서 하이로 변환되고, 일정 시간차를 두고 n번째 스캔라인(S(n))이 선택되어 로우신호를 출력하며 이는 도 3a 및 3b에 도시된 바와 같았다.Thereafter, the (n-1) th scan line S (n-1) is changed from low to high, and the n th scan line S (n) is selected with a predetermined time difference to output a low signal. As shown in 3a and 3b.
도 3a에 도시된 바와 같이 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에 게이트가 연결된 PMOS트랜지스터인 제3, 4박막트랜지스터(M3, M4)는 턴오프되어 오픈상태가 되고, NMOS형 트랜지스터인 제5박막트랜지스터(M5)는 턴온되어 쇼트상태를 유지하였다. 그리고, n번째 스캔라인(S(n))에 게이트가 연결된 PMOS형 제3박막트랜지스터(M3)도 턴온되어 쇼트상태를 유지하였다.As shown in FIG. 3A, the third and fourth thin film transistors M3 and M4, which are PMOS transistors having a gate connected to the (n-1) th scan line S (n-1), are turned off to be opened. The fifth thin film transistor M5, which is an NMOS transistor, is turned on to maintain a short state. In addition, the PMOS type third thin film transistor M3 having a gate connected to the nth scan line S (n) is also turned on to maintain a short state.
또한, 스캔라인(S(n))이 로우신호로 변환된 이후, 데이터 선으로부터 화상신호가 출력됨에 따라 데이타전압(Vd)이 제2박막트랜지스터(M2)를 통하여 제2캐패시터(C2)에 충전되었다.In addition, after the scan line S (n) is converted into a low signal, as the image signal is output from the data line, the data voltage Vd is charged to the second capacitor C2 through the second thin film transistor M2. It became.
여기서, 제1박막트랜지스터(M1)의 게이트전압은 제1캐패시터(C1)의 문턱전압과, 제2캐패시터(C2)에 충전된 데이터전압의 합이 되므로 제1박막트랜지스터(M1)의 문턱전압(Vth)의 편차가 보상되었다. 즉, 제1캐패시터에(C1)는 문턱전압(Vth)의 편차 만큼 제1캐패시터(C1)에 전압이 충전되므로 각 화소에서 문턱전압의 편차가 발생되지 않았다.Here, the gate voltage of the first thin film transistor M1 is the sum of the threshold voltage of the first capacitor C1 and the data voltage charged in the second capacitor C2, so the threshold voltage of the first thin film transistor M1 is reduced. Vth) deviation was compensated. That is, since the voltage is charged in the first capacitor C1 by the deviation of the threshold voltage Vth in the first capacitor C1, there is no variation in the threshold voltage in each pixel.
또한, 상술한 바와 같이 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))이 로우에서 하이로 변환됨에 따라 제5박막트랜지스터(M5)는 턴온됨에 따라 제1박막트랜지스터(M1)로부터 상기 수학식1에 의한 연산결에 따른 전류를 상기 유기EL소자(OLED)에 전달하게 되었다. 그러므로 유기발광다이오드(OLED)는 인가되는 전류의 세기에 따라서 발광하였다.In addition, as described above, as the (n-1) th scan line S (n-1) is changed from low to high, the fifth thin film transistor M5 is turned on so that the fifth thin film transistor M5 is turned on from the first thin film transistor M1. The current according to the calculation result of
Ioled는 유기발광다이오드에 흐르는 전류, β는 상수 값, Vdd는 전원전압, Vd는 데이터 전압을 나타낸다.I oled is a current flowing through the organic light emitting diode, β is a constant value, V dd is a power supply voltage, and V d is a data voltage.
그러나, 종래 유기전계발광 표시장치는 구동박막트랜지스터에 해당하는 제1박막트랜지스터(M1)의 문턱전압(Vth)의 편차를 보상하였으나, 전원전압의 전압강하를 보상하지 못하여 화질 불균일 문제를 여전히 야기하였다.However, the conventional organic light emitting display device compensates for the deviation of the threshold voltage Vth of the first thin film transistor M1 corresponding to the driving thin film transistor, but still fails to compensate for the voltage drop of the power supply voltage, thereby causing a problem of image quality unevenness. .
따라서, 구동박막트랜지스터의 문턱전압 뿐 아니라 별도의 레퍼런스라인을 추가하지 않고 전원전압의 전압강하를 보상하는 유기전계발광 표시장치의 필요성이 절실하였다.Therefore, there is an urgent need for an organic light emitting display device that compensates the voltage drop of the power supply voltage without adding a reference line as well as the threshold voltage of the driving thin film transistor.
상기 문제점을 해소하기 위해 이루어진 것으로서, 본 발명은 구동박막트랜지스터의 문턱전압과 전원전압을 동시에 보상하여 화질 불균일을 개선할 수 있는 유기전계발광 표시장치를 제공하는데 그 목적이 있다.In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide an organic light emitting display device which can improve image quality unevenness by simultaneously compensating the threshold voltage and the power supply voltage of a driving thin film transistor.
또한, 본 발명은 별도의 레퍼런스라인을 추가하지 않고 전원전압의 전압강하를 회로구조를 개선하여 보상할 수 있는 유기전계발광 표시장치를 제공하는데 또다른 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of compensating a voltage drop of a power supply voltage by improving a circuit structure without adding a separate reference line.
또한, 본 발명은 먹스 방식이나 아날로그 샘플링 방식의 구동이 가능한 유기전계발광 표시장치를 제공하는데 또다른 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of driving a mux method or an analog sampling method.
본 발명의 유기전계발광 표시장치는 전류에 의해 발광하는 유기발광다이오드; 전원전압을 발생하는 전원전압원과 상기 유기발광다이오드 사이에 접속되어 상기 유기발광다이오드에 전류를 공급하는 구동박막트랜지스터; 제1노드(B)와 상기 전원전압원 사이에 연결되어 상기 전원전압과 상기 구동박막트랜지스터의 문턱전압을 충전하는 제1캐패시터; 상기 구동박막트랜지스터의 게이트와 상기 제1노드(B) 사이에 연결되어 (m)번째 데이터라인(D(m))의 데이터신호를 저장하는 제2캐패시터; 상기 (m)번째 데이터라인(D(m))에 연결된 소스, 상기 제1노드(B)에 연결된 드레인, 로우 신호 레벨의 (n)번째 스캔신호가 인가되는 (n)번째 스캔라인(S(n))에 연결된 게이트를 포함하는 제1스위치; 상기 (n)번째 스캔라인과 상기 제1스위치의 게이트에 연결된 소스, 상기 로우 신호 레벨의 (n-1)번째 스캔신호가 인가되는 (n-1)번째 스캔라인에 연결된 게이트, 상기 제1노드(B)에 연결된 드레인을 포함하는 제2스위치; 상기 제2캐패시터와 상기 구동박막트랜지스터의 게이트 사이의 제2 노드(A)에 연결된 소스, 상기 구동박막트랜지스터의 드레인에 연결된 드레인, 상기 (n-1)번째 스캔라인에 연결된 게이트를 포함하는 제3스위치; 하이 신호 레벨의 (n-1)번째 스캔제어신호가 인가되는 (n-1)번째 스캔제어라인에 연결된 게이트, 상기 유기발광다이오드의 애노드에 연결된 드레인, 및 상기 구동박막트랜지스터의 드레인에 연결된 소스를 포함하는 제4스위치를 구비한다. The organic light emitting display device of the present invention includes an organic light emitting diode which emits light by electric current; A driving thin film transistor connected between a power supply voltage source generating a power supply voltage and the organic light emitting diode to supply a current to the organic light emitting diode; A first capacitor connected between a first node B and the power supply voltage source to charge the power supply voltage and a threshold voltage of the driving thin film transistor; A second capacitor connected between the gate of the driving thin film transistor and the first node B to store a data signal of an (m) th data line D (m); (N) th scan line S (to which the source connected to the (m) th data line D (m), the drain connected to the first node B, and the (n) th scan signal of a low signal level are applied. a first switch including a gate connected to n)); A source connected to the (n) th scan line and the gate of the first switch, a gate connected to the (n-1) th scan line to which the (n-1) th scan signal of the low signal level is applied, and the first node A second switch including a drain connected to (B); A third source including a source connected to the second node A between the second capacitor and the gate of the driving thin film transistor, a drain connected to the drain of the driving thin film transistor, and a gate connected to the (n-1) th scan line. switch; A gate connected to the (n-1) th scan control line to which the (n-1) th scan control signal of a high signal level is applied, a drain connected to the anode of the organic light emitting diode, and a source connected to the drain of the driving thin film transistor. A fourth switch is included.
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이하 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자의 회로도이다.4 is a circuit diagram of an active matrix organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 일실시예에 따른 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(20)는 PMOS형 트랜지스터인 제1 내지 제5박막트랜지스터(M1, S/W1 내지 S/W4) 및 제 1, 2 캐패시터(Cst, Cvth), 유기발광다이오드(OLED)를 포함하고 있다. The active matrix type organic light emitting display device 20 according to an embodiment of the present invention includes first to fifth thin film transistors M1 and S / W1 to S / W4 and first and second capacitors C st which are PMOS transistors. , C vth ), and an organic light emitting diode (OLED).
제1박막트랜지스터(M1)는 구동박막트랜지스터이며, 제2 내지 제5박막트랜지스터(S/W1 내지 S/W4)는 제1 내지 제4스위치이며, 제1, 2 캐패시터(Cst, Cvth)는 각각 데이터전압 및 문턱전압 저장 캐패시터이다. 유기발광다이오드(OLED)는 인가되는 전류의 양에 대응하는 빛을 발광한다.The first thin film transistor M1 is a driving thin film transistor, the second to fifth thin film transistors S / W1 to S / W4 are first to fourth switches, and the first and second capacitors C st and C vth . Are the data voltage and threshold voltage storage capacitors, respectively. The organic light emitting diode OLED emits light corresponding to the amount of current applied thereto.
구동박막트랜지스터(M1)는 전원전압(VDD)에 소스가 연결되고 제4스위치(S/W4)의 소스에 드레인이 연결되어, 제1스위치(S/W1)를 통하여 게이트에 인가되는 데이터전압에 대응하는 전류를 유기발광다이오드(OLED)에 공급한다. The driving thin film transistor M1 has a source connected to the power supply voltage V DD and a drain connected to the source of the fourth switch S / W4, and the data voltage applied to the gate through the first switch S / W1. The current corresponding thereto is supplied to the organic light emitting diode OLED.
제1스위치(S/W1)의 게이트는 로우 신호 레벨의 (n)번째 스캔신호가 인가되는 (n)번째 스캔라인(S(n))에 연결되고, 그 소스는 (m) 번째 데이터신호가 인가되는 (m)번째 데이터라인(D(m))과 연결된다. 제1스위치(S/W1)의 드레인은 제1, 2캐패시터(Cst, Cvth)의 공통노드인 B노드에 연결되어 있다.The gate of the first switch S / W1 is connected to the (n) th scan line S (n) to which the (n) th scan signal of the low signal level is applied, and the source thereof is the (m) th data signal. It is connected to the (m) th data line D (m) applied. The drain of the first switch S / W1 is connected to a node B which is a common node of the first and second capacitors C st and C vth .
제2스위치(S/W2)의 소스는 (n)번째 스캔라인(S(n))과 제1스위치(S/W1)의 게이트에 연결되고, 그 게이트는 (n-1)번째 스캔신호가 인가되는 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에 연결된다. 제2스위치(S/W2)의 드레인은 제1스위치(S/W1)의 드레인과 1, 2 캐패시터(Cst, Cvth)의 공통노드인 B노드에 연결되어 있다. The source of the second switch S / W2 is connected to the (n) th scan line S (n) and the gate of the first switch S / W1, and the gate is connected to the (n-1) th scan signal. It is connected to the (n-1) th scan line S (n-1) which is applied. The drain of the second switch S / W2 is connected to the drain of the first switch S / W1 and the node B which is a common node of the first and second capacitors C st and C vth .
제3스위치(S/W3)의 게이트는 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에 연결되고, 제3스위치(S/W3)의 드레인은 구동박막트랜지스터(M1)의 드레인과 제4스위치(S/W4)의 소스 사이의 노드에 연결된다. 제3스위치(S/W3)의 소스는 구동박막트랜지스터(M1)의 게이트와 제2캐패시터(Cvth) 사이의 A노드에 연결되어 있다.The gate of the third switch S / W3 is connected to the (n-1) th scan line S (n-1), and the drain of the third switch S / W3 is the drain of the driving thin film transistor M1. And a node between the source of the fourth switch S / W4. The source of the third switch S / W3 is connected to the node A between the gate of the driving thin film transistor M1 and the second capacitor C vth .
제4스위치(S/W4)의 게이트는 하이 신호 레벨의 (n-1)번째 스캔제어신호가 인가되는 (n-1)번째 스캔제어라인(Em(n-1))에 연결되고, 제4스위치(S/W4)의 드레인은 유기발광다이오드(OLED)의 애노드에 연결된다. 제4스위치(S/W4)의 소스는 구동박막트랜지스터(M1)의 드레인에 연결된다. 제4스위치(S/W4)는 (n-1)번째 스캔제어신호에 응답하여 구동박막트랜지스터(M1)와 유기발광다이오드(OLED) 사이의 전류패스를 차단하고 (n)번째 스캔신호가 (n)번째 스캔라인(S(n))에 인가될 때 구동박막트랜지스터(M1)와 유기발광다이오드(OLED) 사이에 전류패스를 형성하여 유기발광다이오드(OLED)에 전류를 공급한다. The gate of the fourth switch S / W4 is connected to the (n-1) th scan control line Em (n-1) to which the (n-1) th scan control signal of the high signal level is applied, and the fourth The drain of the switch S / W4 is connected to the anode of the organic light emitting diode OLED. The source of the fourth switch S / W4 is connected to the drain of the driving thin film transistor M1. The fourth switch S / W4 blocks a current path between the driving thin film transistor M1 and the organic light emitting diode OLED in response to the (n-1) th scan control signal, and the (n) th scan signal is (n). When applied to the) th scan line S (n), a current path is formed between the driving thin film transistor M1 and the organic light emitting diode OLED to supply current to the organic light emitting diode OLED.
제1캐패시터(Cst)는 전원전압(VDD)을 발생하는 전원전압원과, 제1스위치(S/W1)의 드레인과 제2캐패시터(Cvth) 사이의 B노드에 연결되어 전원전압(VDD)과 구동박막트랜지스터(M1)의 문턱전압을 충전한다. 제2캐패시터(Cvth)는 구동박막트랜지스터(M1)의 게이트와 B노드 사이에 연결되어 제1스위치(S/W1)에서 인가되는 데이터전압을 충전한다.The first capacitor C st is connected to a power supply voltage source generating a power supply voltage VDD, and a B node between the drain of the first switch S / W1 and the second capacitor C vth to supply the power supply voltage VDD. And the threshold voltage of the driving thin film transistor M1. The second capacitor C vth is connected between the gate of the driving thin film transistor M1 and the B node to charge the data voltage applied by the first switch S / W1.
이하, 도 4에 도시한 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치(20)를 도 4 및 도 4의 유기전계발광 표시장치의 구동 타이밍도를 도시한 도 5를 참조하여 설명한다.Hereinafter, an active matrix type organic light emitting display device 20 according to an exemplary embodiment of the present invention shown in FIG. 4 will be described with reference to FIG. 5, which shows driving timing diagrams of the organic light emitting display device of FIGS. 4 and 4. do.
도 5의 T1 구간에 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에는 로우(Low) 신호 레벨의 (n-1)번째 스캔신호, (n-1)번째 스캔제어라인(Em(n-1))에는 로우(Low) 신호 레벨, (n)번째 스캔라인(S(n))에는 하이(High) 신호 레벨이 각각 인가되면, (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))과 스캔제어라인 또는 인에이블제어라인(Em(n-1))에 게이트가 연결된 PMOS형 트랜지스터인 제2 내지 4스위치(S/W2 내지 S/W4)는 턴온되어 쇼트(Short)가 된다. 또한, (n)번째 스캔라인(S(n))에 게이트가 연결된 제1스위치(S/W1)는 턴오프되어 오픈상태를 유지하므로 A노드는 데이터전압을 저장하기 위해 준비한다.In the (n-1) th scan line S (n-1) in the T 1 section of FIG. 5, the (n-1) th scan signal of the low signal level and the (n-1) th scan control line ( Em (n-1) is applied to the low signal level and (n) th scan line S (n) is applied to the (n-1) th scan line S ( n-1)) and the second to fourth switches S / W2 to S / W4, which are PMOS transistors whose gates are connected to the scan control line or the enable control line Em (n-1), are turned on and are short. ) In addition, since the first switch S / W1 having the gate connected to the (n) th scan line S (n) is turned off to remain open, node A is prepared to store the data voltage.
도 5의 T2 구간에 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에는 로우(Low) 신호 레벨의 스캔신호, (n-1) 번째 스캔제어라인(Em(n-1))에는 하이(High) 신호 레벨의 (n-1)번째 스캔제어신호, (n)번째 스캔라인(S(n))에는 하이(High) 신호 레벨이 각각 인가되면, (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에 게이트가 연결된 PMOS형 트랜지스터인 제2, 3스위치(S/W2, S/W3)는 온 상태를 유지하지만, 스캔제어라인(Em(n-1))과 (n)번째 스캔라인(S(n))에 게이트가 연결된 제1,4스위치(S/W1, S/W4)은 턴오프되어 오픈상태를 유지하여 전류패스를 차단한다. (n-1)번째 스캔제어신호는 (n-1)번째 스캔신호에 비하여 T1 구간 만큼 지연되고, (n)번째 스캔신호보다 앞선 신호이다. 이때 A노드 전압은 VDD-Vth로 프로그램되며, B노드 전압은 게이트 하이전압인 Vref로 프로그램되어 제2캐패시터(Cvth)에는 Vref-(VDD-Vth)전압이 저장된다.In the (n-1) th scan line S (n-1) in the section T 2 of FIG. 5, a scan signal having a low signal level and the (n-1) th scan control line Em (n-1) ) Is applied to the (n-1) th scan control signal of the high signal level and the (n-1) th scan when the high signal level is applied to the (n) th scan line S (n), respectively. The second and third switches S / W2 and S / W3, which are PMOS transistors having a gate connected to the line S (n-1), remain on, but are connected to the scan control line Em (n-1). The first and fourth switches S / W1 and S / W4 having gates connected to the (n) th scan line S (n) are turned off to maintain an open state to block the current path. The (n-1) th scan control signal is delayed by a T 1 section compared to the (n-1) th scan signal, and is a signal preceding the (n) th scan signal. At this time, the A node voltage is programmed to VDD-Vth, the B node voltage is programmed to Vref which is a gate high voltage, and the Vref- (V DD -Vth) voltage is stored in the second capacitor C vth .
도 5의 T3 구간에 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에는 하이(High) 신호 레벨, (n-1)번째 스캔제어라인(Em(n-1))에는 하이 신호 레벨의 스캔제어신호, (n)번째 스캔라인(S(n))에는 로우 신호 레벨의 스캔 신호가 각각 인가되면, (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에 게이트가 연결된 PMOS형 트랜지스터인 제2, 3스위치(S/W2, S/W3)는 턴오프되어 오픈되며, 스캔제어라인(Em(n-1))과 (n)번째 스캔라인(S(n))에 게이트가 연결된 제1,4스위치(S/W1, S/W4)은 턴온되어 쇼트된다. 이때 (m)번째 데이터라인(D(m))에 데이터전압이 B노드에 인가되면 A노드 전압은 Vd-[ Vref-(VDD-Vth)]으로 바뀌게 된다. 또한 구동박막트랜지스터(M1)의 소스-게이트전압 Vgs는 VDD-{Vd-[ Vref-(VDD-Vth)]}=Vref-Vd+Vth가 되어 전원전압이 보상된다.High signal level in the (n-1) th scan line (S (n-1)) and high in the (n-1) th scan control line (Em (n-1)) in section T 3 of FIG. When the scan signal of the low signal level is applied to the scan control signal of the signal level and the (n) th scan line S (n), the gate is applied to the (n-1) th scan line S (n-1). The second and third switches S / W2 and S / W3, which are connected PMOS transistors, are turned off and open, and the scan control line Em (n-1) and the (n) th scan line S (n) are opened. The first and fourth switches S / W1 and S / W4 connected to gates thereof are turned on and shorted. At this time, when the data voltage is applied to the B node in the (m) th data line (D (m)), the A node voltage is changed to Vd- [Vref- (V DD -Vth)]. In addition, the source-gate voltage Vgs of the driving thin film transistor M1 becomes V DD- {Vd- [Vref- (V DD -Vth)]} = Vref-Vd + Vth to compensate for the power supply voltage.
마지막으로, 도 5의 T3 구간에 스캔제어라인(Em(n-1))에 로우(Low) 신호 레벨이 인가되면, 제4스위치(S/W4)는 턴온되어 구동박막트랜지스터(M1)를 통해 상기 수학식2에 의한 연산결에 따른 전류를 유기발광다이오드(OLED)에 공급한다. Finally, when a low signal level is applied to the scan control line Em (n-1) in the section T 3 of FIG. 5, the fourth switch S / W4 is turned on to drive the thin film transistor M1. By supplying the current according to the calculation result of the equation (2) to the organic light emitting diode (OLED).
결과적으로 유기발광다이오드(OLED)에 인가되는 전류는 구동박막트랜지스터(M1)의 문턱전압이나 전원전압(VDD)이 보상되게 된다. As a result, the current applied to the organic light emitting diode OLED is compensated for the threshold voltage of the driving thin film transistor M1 or the power supply voltage V DD .
Ioled는 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류, β는 상수 값, Vgs는 구동박막트랜지스(M1)의 소스-게이트전압, Vth는 구동박막트랜지스(M1)의 문턱전압, Vref는 구동박막트랜지스(M1)의 게이트 하이 전압, Vd는 데이터 전압을 나타낸다.I oled is the current flowing through the OLED, β is a constant value, V gs is the source-gate voltage of the driving thin film transistor M1, V th is the threshold voltage of the driving thin film transistor M1, V ref a gate high voltage, V d of the driving thin film transistor (M1) indicates the data voltage.
이에 따라 구동박막트랜지터(M1)의 문턱전압과 전원전압(VDD)을 별도의 레퍼런스라인을 추가하지 않고 동시에 보상하여 화질 불균일을 개선할 수 있다.Accordingly, image non-uniformity can be improved by simultaneously compensating the threshold voltage and the power supply voltage V DD of the driving thin film transistor M1 without adding a separate reference line.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 이상에서 기술한 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이므로, 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 하며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. I can understand that. Therefore, since the embodiments described above are provided to fully inform the scope of the invention to those skilled in the art, it should be understood that they are exemplary in all respects and not limited. The invention is only defined by the scope of the claims.
이러한 구성에 의하여 본 발명은 구동박막트랜지터의 문턱전압과 전원전압을 동시에 보상하여 화질 불균일을 개선할 수 있는 효과가 있다.By such a configuration, the present invention has the effect of improving image quality unevenness by simultaneously compensating the threshold voltage and the power supply voltage of the driving thin film transistor.
또한, 본 발명은 별도의 레퍼런스라인을 추가하지 않고 전원전압의 전압강하 를 회로구조를 개선하여 보상할 수 있다.In addition, the present invention can compensate the voltage drop of the power supply voltage by improving the circuit structure without adding a separate reference line.
또한, 본 발명은 먹스 방식이나 아날로그 샘플링 방식의 구동이 가능한 효과가 있다. In addition, the present invention has the effect that it is possible to drive the mux system and analog sampling system.
이에 따라 균일한 화질을 제공하는 유기전계발광 표시장치를 제공한다.Accordingly, an organic light emitting display device that provides uniform image quality is provided.
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