KR20050109984A - 레티클용 기판 및 그 제조방법과, 마스크 블랭크 및 그제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 스텝퍼에 장착하여 사용되는 레티클을 형성하는데 사용되며, 서로 대향하는 주 표면, 측면 및 주 표면과 측면의 사이에 형성된 모따기 면을 갖는 레티클용 기판에 있어서, 주 표면과 모따기 면의 경계로부터 내측으로 3mm의 영역을 제외한 평탄도 측정영역에서의 평탄도가 0.5㎛ 이하이고, 또한 주 표면과 모따기 면의 경계에서의 기준면으로부터의 최대 높이가 -1㎛ 이상, 0㎛ 이하인 레티클용 기판을 특징으로 한다.

Description

레티클용 기판 및 그 제조방법과, 마스크 블랭크 및 그 제조방법{SUBSTRATE FOR RETICLE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SUBSTRATE, AND MASK BLANK AND METHOD OF MANUFACTURING THE MASK BLANK}

본 발명은 반도체 집적회로의 제조 등에 이용되는 스텝퍼에 장착되며 축소 노광장치용 마스크로서 사용되는 레티클에 이용되는 레티클용 기판 및 그 제조방법과, 마스크 블랭크 및 그 제조방법에 관한 것이다.

예컨대, 반도체 집적회로를 제조할 때에 패턴 전사를 위해 스텝퍼에 장착되며 축소 노광장치용 마스크로서 이용되는 레티클은, 적어도 그 주된 표면이 경면(鏡面) 마무리가공된 투명한 유리기판 상에 스퍼터링 등에 의해, 크롬 등으로 이루어진 차광막 등으로 이루어진 패턴이 형성된 것이다.

이러한 레티클용 기판에 대하여 최근에는 패턴의 미세화와 함께 높은 평탄도와 평활성이 요구되고 있다.

상기 레티클용 기판에 있어서는, 패턴의 전사영역 내에서 패턴 위치 정밀도가 높은 패턴을 형성하기 위하여, 최근에는 가령 6025(6인치 × 6인치 × 0.25인치)(1인치 = 25.4㎜) 사이즈의 기판에서는, 기판의 주 표면과 모따기 면의 경계로부터 3㎜ 제외한 영역(이하, 평탄도 측정영역이라 함)에서의 기판 주 표면의 평탄도가 0.5㎛ 이하(반도체 디자인 룰 : 100nm)인 것, 나아가서는 0.25㎛ 이하(반도체 디자인 룰 : 70nm)인 것이 요구되고 있다. 또한, 이 평탄도라는 것은, 기판 표면의 측정면으로부터 최소제곱법으로 산출되는 가상의 절대평면(초점면)에 대한 측정면의 최대치와 최소치의 차로 정의된다.

이와 같이 종래는 기판측면으로부터 일정 폭을 제외한 기판의 중심부 영역의 평탄도가 요구될 뿐이었다.

그러나, 최근의 패턴의 미세화에 수반하여 패턴의 라인 폭이 작아짐에 따라, 레티클용 기판의 테두리부의 형상이, 스텝퍼를 이용해 레티클 상의 패턴을 피 전사기판에 전사할 때의 패턴 위치 정밀도에 영향을 미치기 쉬워짐을 알았다.

즉, 스텝퍼에 있어서 통상적으로 레티클은, 패턴이 형성된 쪽의 주 표면이 피 전사기판쪽을 향하도록 장착되는데, 그 때, 패턴 영역을 넓게, 그리고 스텝퍼의 가동시에 기판이 벗어나지 않도록 평탄도 측정영역 외부나, 또는 평탄도 측정영역과 평탄도 측정영역 외부에 걸치는 기판 주 표면의 테두리부에서 진공 척킹된다.

도 2는 스텝퍼에서의 레티클의 흡착기구를 나타낸다.

도 2에 있어서, 레티클(1')은 기판 유지장치(5)에 기판 유지부재(6)에 의해 흡착되어 세트된다. 기판 유지부재(6)는 레티클(1')의 2변을 따라 설치되어 있으며, 흡인포트(8)를 통해 진공장치(도시생략)에 접속되어 있고, 이 흡인장치에 의해 흡인되어 레티클(1')이 흡인된다.

이 때, 레티클의 기재(基材)를 구성하는 기판(레티클용 기판)의 테두리부에서의 단부형상(평탄도, 테두리가 드리워진 양 등)이 불량하면, 진공 척킹시에 기판이 변형되어 전사패턴의 패턴 위치 정밀도, 즉 전사패턴간 거리에 오류가 발생하거나 라인 폭의 균일성이 악화된다는 문제점이 있다.

상술한 문제점은 Proceedings of SPIE Photomask and Next-Generation Lithography Mask Technology IX Vol. 4754, p.43-53(2002)에도 지적된 바 있다. 여기서는 레티클용 기판의 단부형상이 솟아오른 형상일 경우, 스텝퍼에 유지시켰을 때의 위치 정밀도가 악화되므로, 단부형상은 평평하거나 약간 테두리가 드리워진 형상이 좋다고 되어 있다.

또한, 기판 유지부재(6)가 기판 주 표면에 맞닿는 영역은, 스텝퍼 장치를 제조하는 각 회사에 따라 다르며, 이러한 차이로 인해 진공 척킹 시의 기판 변형량은 다르다. 따라서, 스텝퍼장치의 기판 유지부재에 맞추어, 진공 척킹 시의 기판변형량이 소정 범위에 들도록 설계한 레티클용 기판이 필요하게 되는데, 이에 대한 대응은 현실적으로 어렵다. 따라서, 기판 유지부재가 기판 주 표면에 맞닿는 영역에 관계없이, 진공 척킹 시의 기판 변형량이 소정 범위에 드는 레티클용 기판이 요구되지만, 상술한 문헌에는 이 점에 대한 언급이 없다.

일반적으로 상술한 레티클용 기판은 일본 특허공개공보 H1(1989)-40267호에 기재되어 있는 것과 같은 정밀연마를 거쳐 제조된다.

상기 정밀연마는 복수의 레티클용 기판을 동시에 양면 연마하는 이른바 패치식의 양면연마를 복수 단계에 걸쳐 실시하는 것으로서, 산화세륨을 주제(主劑)로 하는 연마제를 이용하여 연마한 후, 콜로이드 실리카를 주제로 하는 연마제를 이용하여 마무리 연마하는 것이다. 또한, 이러한 정밀연마에서는 기판 주 표면을 평활하게 하기 위하여 스웨이드 타입의 연마패드가 사용된다.

그런데, 상술한 방법에서는 높은 생산성은 얻어지지만, 레티클용 기판의 테두리부에 연마패드로부터 과잉의 압력이 가해짐에 따라, 이른바 연마패드의 침하나 연마가공중의 연마패드의 형상 불안정으로 인해, 평탄도가 높은 레티클용 기판을 얻을 수가 없다. 특히, 레티클용 기판의 단부형상이 악화되므로, 스텝퍼의 기판 유지수단에 확실하게 장착할 수 없어, 스텝퍼를 이용하여 레티클 상의 패턴을 피 전사기판에 전사할 때의 패턴 위치 정밀도가 악화된다는 문제점이 있다.

이 때문에, 일본 특허공개공보 2002-318450호에 기재된 바와 같이, 노광 시의 노광면이 평탄해지도록 유리기판의 표면에 대해 차광막이 패터닝된 상태에서 노광 시의 노광면이 평탄해지는 유리기판의 형상과, 원료 유리기판의 형상의 차분(差分)을 계산하여, 이에 따라 국소적으로 플라즈마 에칭을 실시하는 포토 마스크용 유리기판의 제조방법이 제안된 바 있다.

그러나, 상술한 방법에서는 원리적으로는 노광 시에 노광면이 평탄해지는 형상을 갖는 유리기판을 만들 수는 있다고 하지만, 플라즈마 에칭에 의해 유리기판의 표면은 거칠어지거나 가공 변질층이 발생하기 때문에, 그 후, 매우 단시간 동안 기계적인 연마를 수행해야만 한다. 따라서, 매우 단시간 동안 수행되는 기계적인 연마로 인해 평탄도가 악화되는 것을 무시할 수 없으며, 또한 가공공정이 추가되므로 생산성이 불량하다는 문제점이 있다.

또한, 상기 일본 특허공개공보 2000-318450호에 기재된 기판의 형상을 측정하는 방법(광학 간섭식 평탄도 측정법)에서는, 기판의 테두리부를 고도로 정밀하게 측정하기가 어렵다. 이 때문에, 소망하는 평탄도가 되도록 만들었다 하더라도 실제로는 기판 테두리부의 형상을 만들 수가 없어, 스텝퍼의 기판 유지수단에 레티클을 장착했을 때, 레티클의 변형이 발생하여 전사패턴의 위치 정밀도가 악화된다는 문제점이 있다.

또, 일본 특허공개공보 2003-51472호에는, 검사 감도의 저하나 레지스트 도포면의 정밀도의 저하를 방지하기 위하여, 기판 외주 단면(端面)의 외주 테두리에서 3mm 안쪽의 부분으로부터 에지부 내주 테두리까지의 사이의 외측영역에 있어서 평탄도가 0.5㎛ 이하인 기판이 기재되어 있다. 즉, 상기 일본 특허공개공보 2003-51472호는 기판의 외측영역에서의 평탄도를 개시할 뿐, 그 기판 상에 박막이 형성된 경우의 문제점에 대해서는 전혀 지적하지 않고 있다. 또, 상기 일본 특허공개공보 2003-51472호는 기판의 외측영역 이외의 영역에서의 평탄도에 대해서도 지적한 바 없다.

따라서, 상기 일본 특허공개공보 2003-51472호로 규정된 기판상에 박막을 형성하여 레티클을 구성하였다 하더라도, 박막에 커다란 막응력이 가해짐에 따라 레티클의 형상이 변형된다는 문제가 발생한다. 또, 기판 외주 부근의 평탄도를 측정한 측정값의 신뢰성이 낮기 때문에, 각 회사마다 다른 스텝퍼의 기판 유지수단에 레티클을 장착했을 때의 레티클의 변형을 방지하는 수준까지는 이르지 못하고 있다.

도 1은 본 발명의 레티클용 기판의 전체도.

도 2는 스텝퍼의 기판 흡착 기구를 나타내는 도면.

도 3은 본 발명의 레티클용 기판에서의 테두리부의 형상을 나타내는 도면.

도 4는 본 발명에 이용되는 기판의 연마장치에 대한 평면도.

도 5는 본 발명에 이용되는 기판의 연마장치에 대한 단면도.

본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 기판상에 박막을 형성함으로써 구성되는 레티클에서의 변형을 방지할 수 있는 레티클용 기판, 마스크 블랭크를 제공하는 것이다. 즉, 본 발명의 과제는, 스텝퍼의 기판 유지수단의 형상이 다르고, 기판에 대해 맞닿는 영역이 다른 스텝퍼의 기판 유지수단에 레티클을 장착하여도, 레티클의 변형을 억제하여 전사패턴의 위치 정밀도의 저하를 최소한으로 억제할 수 있는 레티클용 기판과, 그 기판을 양호한 생산성과 높은 수율로 제조할 수 있는 레티클용 기판의 제조방법을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 과제는, 스텝퍼의 기판 유지수단의 형상이 다르고 기판에 대해 맞닿는 영역이 다른 스텝퍼의 기판 유지수단에 레티클을 장착하여도, 레티클의 변형을 억제하여 전사패턴의 위치 정밀도의 저하를 최소한으로 억제할 수 있는 마스크 블랭크와, 그 마스크 블랭크를 양호한 생산성과 높은 수율로 제조할 수 있는 마스크 블랭크의 제조방법을 제공하는 것이다.

(구성 1) 서로 대향되게 설치된 1세트의 주 표면과, 상기 주 표면과 직교하며 서로 대향되게 설치된 2세트의 측면과, 상기 주 표면과 측면에 의해 끼인 모따기 면을 갖는 레티클용 기판으로서,

상기 기판의 주 표면에 있어서, 상기 주 표면과 상기 모따기 면의 경계로부터 내측으로 3mm의 영역을 제외한 평탄도 측정영역에서의 평탄도가 0.5㎛ 이하이고, 또한 상기 주 표면과 상기 모따기 면의 경계에서의 기준면으로부터의 최대 높이가 -1㎛ 이상 0㎛ 이하가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 레티클용 기판.

(구성 2) 구성 1에 기재된 레티클용 기판의 상기 기판 주 표면 상에, 전사패턴이 되는 박막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.

(구성 3) 상기 박막의 막응력은 0.5Gpa 이하인 것을 특징으로 하는 구성 2에 기재된 마스크 블랭크.

(구성 4) 구성 2 또는 3에 기재된 마스크 블랭크에 있어서, 상기 박막이 형성되어 있는 쪽의 상기 주 표면과 상기 모따기 면의 경계로부터 내측으로 3mm의 영역을 제외한 평탄도 측정영역에서의 평탄도가 0.5㎛이고, 또한 상기 주 표면과 상기 모따기 면의 경계에서의 기준면으로부터의 최대 높이가 -1㎛ 이상 0㎛ 이하가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.

(구성 5) 구성 1에 기재된 레티클용 기판의 제조방법으로서, 레티클용 기판의 주 표면을 연삭가공 및 정밀연마가공한 후, 상기 주 표면의 노광장치의 기판 유지부재와 맞닿는 기판 테두리부를 포함하는 영역에 대해 표면형상을 측정하고, 측정결과에 기초하여, 상기 주 표면의 표면형상이 소망하는 형상이 되도록, 상기 주 표면의 형상이 상기 주 표면에서 임의로 설정한 기준면에 대해 상대적으로 볼록한 형상으로 되어 있는 영역은, 다른 영역보다도 연마장치의 연마패드로부터의 압력이 커지도록, 상기 연마패드를 향해 연마액을 공급하면서, 상기 레티클용 기판과 상기 연마패드를 상대적으로 이동시킴으로써 상기 주 표면의 표면형상을 수정하는 것을 특징으로 하는 레티클용 기판의 제조방법.

(구성 6) 상기 정밀연마가공은, 연삭가공에 의해 얻은 평탄도를 유지하며, 기판 표면의 흠집을 제거하기 위해 비교적 큰 연마 지립(砥粒)을 이용하여 연마하는 조연마(粗硏磨)가공과, 기판표면의 경면화를 위해 비교적 작은 연마지립을 이용하여 연마하는 경면연마가공을 구비하는 것을 특징으로 하는 구성 5에 기재된 레티클용 기판의 제조방법.

(구성 7) 구성 5 또는 6에 기재된 레티클용 기판의 제조방법에 의해 얻은 레티클용 기판의 주 표면 상에, 전사패턴이 되는 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조방법.

(구성 8) 상기 박막의 형성 전후의 상기 주 표면과 상기 모따기 면의 경계에서의 기준면으로부터의 최대 높이의 변화를 억제하는 가열처리를, 상기 박막 형성시 또는 형성 후에 실시하는 것을 특징으로 하는 구성 7에 기재된 마스크 블랭크의 제조방법.

상술한 구성 1에 따르면, 기판의 주 표면에 있어서, 주 표면과 모따기 면의 경계로부터 내측으로 3mm의 영역을 제외한 평탄도 측정영역에서의 평탄도가 0.5㎛ 이하이고, 주 표면과 모따기 면의 경계에서의 기준면으로부터의 최대 높이가 -1㎛ 이상 0㎛ 이하가 되도록 하기 때문에, 스텝퍼의 기판 유지수단의 형상이 다르고 기판에 대해 맞닿는 영역이 다른 스텝퍼의 기판 유지수단에 레티클을 장착하여도, 레티클의 변형을 억제하여 전사패턴의 위치 정밀도의 저하를 최소한으로 억제할 수 있다.

여기서, 본 발명에서의 평탄도는, TIR(Total Indicated Reading)로 표시되는 기판 표면의 휨을 나타내는 값으로서, 기판 주 표면의 표면측에 임의로 마련된 기준면으로부터 주 표면 면내에서의 표면형상의 최대치와 최소치의 차(측정면으로부터 최소제곱법으로 산출되는 가상의 절대평면(초점면)에 대한 측정면의 최대치와 최소치의 차)를 말한다.

레이저 광 등의 간섭성 광을 기판 표면에 대고 반사시켜 기판 표면의 높이의 차가 반사광의 위상 변이(phase shifting)로서 관측되는 것을 이용한 광학 간섭식에 의한 평탄도 측정방법에서, 기판 주 표면과 모따기 면의 경계로부터 내측으로 3mm의 영역은, 고도로 정밀하게 측정할 수가 없어 평탄도의 신뢰성에 영향을 미치기 때문에, 평탄도 비측정영역으로 한다.

평탄도 측정영역에서의 평탄도는 0.5㎛ 이하, 나아가 0.25㎛ 이하, 더 나아가 0.05㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다.

여기서, 평탄도 측정영역에서의 평탄도가 동일한 값이어도, 기판의 단부형상이 기판의 모따기 면을 향해 평평한 형상과, 기판의 모따기 면을 향해 처져 있는 형상(테두리가 드리워진 형상 또는 롤 오프 형상)과, 모따기 면을 향해 솟아오른 형상(스키점프 형상)이 있다.

노광장치의 스텝퍼의 기판 유지부재가 진공 척(chuck)으로서, 레티클을 유지하는 경우에는, 기판의 테두리부에 진공 척킹할 때에 기판 변형의 원인이 되기 때문에, 상술한 형상을 솟아오른 형상(스키점프 형상)으로 하기보다는, 평평한 형상이나 테두리가 드리워진 형상(롤 오프 형상)으로 하는 것이 바람직하다.

본 발명에서는 상술한 단부형상에 대한 평가로서, 주 표면과 모따기 면의 경계에서의 기준면으로부터의 최대 높이로, 테두리의 드리워진 정도, 솟아오른 정도를 정량화하였다.

상기 기준면은 기판의 크기에 따라 적절히 조정된다. 가령, 도 3에 나타낸 바와 같이 주 표면(2)과 모따기 면(4)의 경계(14)를 기준위치로 하고, 이 기준위치로부터 3mm 내측으로 들어간 점과, 이 점으로부터 중심방향으로 16mm 내측에 위치하는 점을 연결했을 때 생기는 면 또는 선을 가상의 기준면 또는 가상의 기준선으로 한다. 그리고, 그 가상의 기준면(또는 가상의 기준선)의 높이를 0으로 했을 경우, 주 표면과 모따기 면의 경계에서의 최대 높이로 테두리의 드리워진 정도, 솟아오른 정도를 정의한다. 최대 높이가 0인 경우에는 평평한 형상을 나타내고, 마이너스(-)인 경우에는 기판 주 표면의 테두리부가 처져 있는 형상(테두리가 드리워진 형상, 롤 오프 형상)을 나타내며, 최대 높이가 플러스(+)인 경우에는 테두리부가 솟아오른 형상(스키점프 형상)을 나타낸다.

그리고, 본 발명에서는 상기 최대 높이를 -1㎛ 이상 0㎛ 이하로 한다. 최대 높이가 0㎛을 넘을 경우, 테두리부는 솟아오른 형상이 되어 스텝퍼의 기판 유지수단에 레티클을 장착했을 때, 레티클의 변형이 커져 전사패턴의 위치 정밀도가 저하된다. 또, 최대 높이가 1㎛ 미만인 경우에도, 스텝퍼의 기판 유지부재에 정확히 유지되지 않아 안정성이 악화되므로, 전사패턴의 위치정밀도가 저하되어 바람직하지 않다. 패턴의 미세화에 따라 패턴의 위치 정밀도도 엄격해지므로, 최대높이가 -0.5㎛ 이상 0㎛ 이하, -0.25㎛ 이상 0㎛ 이하, -0.1㎛ 이상 0㎛ 이하가 바람직하고, -0.05㎛ 이상 0㎛ 이하로 하는 것이 가장 바람직하다.

상술한 평탄도 측정영역에서의 평탄도와, 주 표면과 모따기 면의 경계에서의 기준면으로부터의 최대 높이의 조합은, 평탄도가 0.25㎛ 이하이면서, 주 표면과 모따기 면의 경계에서의 기준면으로부터의 최대 높이가 -0.5㎛ 이상 0㎛ 이하인 것이 바람직하고 -0.25㎛ 이상 0㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하며, 그리고 평탄도가 0.05㎛ 이하이면서, 주 표면과 모따기 면의 경계에서의 기준면으로부터의 최대 높이가 -0.1㎛ 이상 0㎛ 이하인 것이 바람직하고 -0.05㎛ 이상 0㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.

또한, 상술한 구성 2에 따르면, 구성 1에 기재된 레티클용 기판에서의 상기 기판 주 표면 상에, 전사패턴이 되는 박막을 형성하여 마스크 블랭크로 함으로써, 스텝퍼의 기판 유지수단의 형상이 다르고 기판에 대해 맞닿는 영역이 다른 스텝퍼의 기판 유지수단에, 상기 마스크 블랭크를 사용하여 제작된 레티클을 장착하여도, 레티클의 변형을 억제하여 전사패턴의 위치 정밀도가 저하되는 것을 최소한으로 억제할 수 있다.

또한, 상술한 구성 3에 따르면, 박막의 막응력을 0.5Gpa 이하로 함으로써, 마스크 블랭크라 하더라도 상술한 구성 1에서의 기판의 평탄도, 그리고 주 표면과 모따기 면의 경계에서의 기준면으로부터의 최대 높이가 거의 변화하지 않고 기판의 표면 형상을 유지할 수 있기 때문에, 마스크 블랭크를 사용하여 제작된 레티클도 주 표면의 평탄도, 주 표면과 모따기 면의 경계에서의 기준면으로부터의 최대 높이가 거의 변화하지 않아 상기와 같은 레티클을 장착하여도 레티클의 변형을 억제하여 전사패턴의 위치 정밀도가 저하되는 것을 최소한으로 억제할 수 있다. 박막의 막응력은 0.2Gpa 이하가 바람직하고, 0.1Gpa 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다. 한편, 레티클용 기판의 주 표면 상에 복수의 박막이 형성되어 있는 경우에는, 복수의 박막 전체의 막응력을 가리킨다. 또한, 박막의 막응력은, 레티클용 기판 상에 박막을 형성하기 전후에 있어서의 기판 휨의 변화량으로부터 구할 수 있다.

또, 상술한 구성 4와 같이 구체적으로는, 마스크 블랭크의 박막이 형성되어 있는 쪽의 상기 주 표면과 상기 모따기 면과의 경계로부터 내측으로 3mm의 영역을 제외한 평탄도 측정영역에서의 평탄도가 0.5㎛이며, 상기 주 표면과 상기 모따기 면의 경계에서의 기준면으로부터의 최대 높이가 -1㎛ 이상 0㎛ 이하가 되도록 함으로써, 전사패턴의 위치 정밀도가 저하되는 것을 확실하게 최소한으로 억제할 수 있다.

또한, 상술한 구성 5에 따르면, 종래의 방법과 같이 기판의 표면형상을 수정(또는 조정)하는 방법이 플라즈마 에칭에 의해 이루어지지 않고, 연마패드에 의한 기계적 또는 기계화학적인 폴리싱(연마)에 의해 평탄도가 조정되므로, 기판의 표면조도를 유지 또는 향상시키면서 소망하는 표면형상을 수정(또는 조정)함으로써, 스텝퍼의 기판 유지수단에 레티클을 장착했을 때, 레티클의 변형을 억제하여 전사패턴의 위치 정밀도가 저하되는 것을 최소한으로 억제할 수 있는 구성 1의 레티클용 기판을 양호한 생산성과 높은 수율로 제조할 수 있다.

상술한 구성 5에 있어서 형상의 수정을 수행하는 연마장치로는, 후술하는 것과 같이 복수의 가압체를 기판 주 표면의 거의 전체 면에 걸쳐 배치한 것을 사용할 수 있다.

또한, 기판 주 표면의 표면형상(평탄도)은, 측정 정밀도의 측면에서 레이저 광과 같은 간섭성 광을 기판 주 표면에 대고 반사시켜, 기판 주 표면의 높이의 차가 반사광의 위상 변이로서 관측되는 것을 이용한 광학 간섭식의 평탄도 측정기에 의해 측정하는 것이 바람직하다.

한편, 상술한 연삭가공은, 일반적으로 ①슬라이싱된 기판의 판두께 치수를 소정의 두께로 맞추고, ②가공 왜곡층을 균일화시키며, ③평탄도를 제어할 목적으로 실시되는 것이다.

연삭가공으로는, 캐리어에 의해 유지된 레티클용 기판을 핀칭하고, 상하 정반(定盤) 및 캐리어를 회전시키면서 레티클용 기판의 양면에 액체의 지립을 공급하는 양면 연삭이 일반적이다. 양면 연삭에서는 일반적으로 조연삭(粗硏削)과 미세 연삭의 2단계 연삭이 실시되며, 가령 조연삭으로서는 #400 내지 #600 정도의 탄화규소, 알루미나 등의 지립이 사용되고, 미세 연삭으로서는 #800 내지 #1500 정도의 알루미나, 지르코니아 등의 지립이 사용된다.

또, 상술한 정밀연마가공은 주로 연삭가공에서 얻은 평탄도를 유지 또는 향상시키면서 경면화할 목적으로 수행되는 것이다.

정밀연마가공으로는, 캐리어에 의해 유지된 레티클용 기판을 핀칭하고, 연마패드가 부착된 상하 정반 및 캐리어를 회전시키면서 레티클용 기판의 양면에 연마지립을 함유한 슬러리를 공급하는 양면 연마가 일반적이다. 양면 연마에서 사용되는 연마패드, 슬러리는 기판재료나 얻고자 하는 표면형상, 표면조도에 따라 적절히 조정된다.

연마패드에는 우레탄 패드와 같은 경질 폴리셔(polisher)계나 스웨이드 타입과 같은 연질 폴리셔계가 있다.

연마액은 산화세륨, 산화지르코늄, 산화알루미늄, 콜로이드 실리카 등에서 선택되는 적어도 하나의 연마제와, 물이나 알칼리, 산 중 어느 하나로 이루어지는 용매로 구성된다.

연마제의 평균입경은, 얻고자 하는 표면조도에 따라 수십 nm 내지 약 1㎛인 것이 사용된다.

상술한 구성 6에 따르면, 정밀연마가공을, 연삭가공에서 얻은 평탄도를 유지하고 기판 표면의 흠집을 제거하기 위해 비교적 큰 연마지립을 이용하여 연마하는 조연마가공과, 기판 표면의 경면화를 위해 비교적 작은 연마지립을 이용하여 연마하는 경면연마가공의 복수의 단계로 나누어 실행함으로써, 양호한 생산성으로 구성 1에 기재된 레티클용 기판을 제조할 수 있다.

레티클용 기판의 재료가 유리인 경우, 조연마가공에서 사용되는 연마지립으로는, 평균입경이 약 1㎛ 내지 약 2㎛인 산화세륨을 사용하고, 경면연마가공에서 사용되는 연마지립으로는 평균입경이 수십 nm 내지 100nm정도인 콜로이드 실리카를 사용하는 것이 좋다.

상술한 구성 7에 따르면, 구성 5 또는 6에 기재된 레티클용 기판의 제조방법에 의해 얻은 레티클용 기판의 주 표면 상에, 전사패턴이 되는 박막을 형성함으로써 구성 2에 기재된 마스크 블랭크를 제조할 수 있다.

상술한 구성 8에 따르면, 박막 형성 시 또는 박막 형성 후에, 박막의 막응력을 저감시키는 가열처리를 실시함으로써, 기판의 평탄도와, 주 표면과 모따기 면의 경계에서의 기준면으로부터의 최대 높이가 거의 변화하지 않고 기판의 표면형상이 유지된 마스크 블랭크를 제조할 수 있다.

한편, 본 발명의 레티클용 기판의 재료나 크기는 특별히 한정되지 않는다.

레티클용 기판의 재료로는 노광장치의 노광 광에 대하여 투명한 재료이면 되고, 대표적인 것으로는 유리를 들 수 있다. 유리로는 합성 석영 유리, 소다 석회 유리, 알루미노 규산 유리, 알루미노 붕규산 유리나, 무 알칼리 유리, 결정화 유리 등을 사용할 수 있다.

레티클용 기판의 사이즈는 6025 사이즈(152.4mm×152.4mm×6.35mm)나 5009 사이즈(127mm×127mm×2.29mm)가 일반적으로 이용되지만, 그 이외의 사이즈여도 무방하다.

또한, 본 발명에서 전사패턴이 되는 박막은, 피 전사체에 전사할 때 사용하는 노광 광에 대하여 광학적 변화를 초래하는 박막으로서, 예컨대 차광막이나 위상 시프트막 등을 가리킨다.

또, 마스크 블랭크는 전사패턴이 되는 박막 상에 레지스트막이 형성되어 있어도 무방하다.

본 발명의 레티클용 기판 및 마스크 블랭크에 따르면, 스텝퍼의 기판 유지수단에 레티클을 장착했을 때, 레티클의 변형을 억제하여 전사패턴의 위치 정밀도의 저하를 최소한으로 억제할 수 있다.

또한, 본 발명의 레티클용 기판 및 마스크 블랭크의 제조방법에 따르면, 스텝퍼의 기판 유지수단에 레티클을 장착했을 때, 레티클의 변형을 억제하여 전사패턴의 위치 정밀도의 저하를 최소한으로 억제하는 레티클용 기판을 양호한 생산성과 높은 수율로 얻을 수 있다.

<실시예 1>

본 실시예에서 사용하는 레티클용 기판(1)은, 도 1에 나타낸 바와 같이 서로 대향되게 설치된 1세트의 주 표면(2)과, 상기 주 표면(2)과 직교하는 2세트의 측면(3)과, 상기 주 표면(2)과 측면(3)에 의해 끼인 모따기 면(4)을 갖는 정사각형상의 기판으로서, 기판의 재료는 합성 석영 유리로 이루어지며, 그 사이즈는 6025 사이즈(152.4mm×152.4mm×6.35mm)이다.

기판의 주 표면(2)과 모따기 면(4)의 경계로부터 내측으로 3mm의 영역을 제외한 평탄도 측정영역에서의 평탄도는 0.22㎛이고, 단부형상은 주 표면과 모따기 면의 경계(도 3에서 도면부호 14의 점)로부터 기판의 중심방향으로 3 내지 16mm를 가상 기준면(0)으로 한 경우, 주 표면과 모따기 면의 경계에서의 최대 높이가 -0.5㎛였다.

또한, 상술한 평탄도 값은 광학 간섭식 평탄도 측정기(FM-200 : 트로펠사 제품)로 측정하고, 단부형상은 촉침식 형상 측정기(서프 테스트-501 : 미츠토요사 제품)로 측정하였다.

다음으로 기판 변형을 시험하기 위해, 도 2와 같은 스텝퍼의 기판 유지부재와 마찬가지로 기판의 2변을 진공 척킹하는 기판 변형 시험기를 준비하고, 본 실시예의 레티클용 기판을 진공 척에 의해 척킹하여, 광학식 간섭계(Zygo Mark GPI)로 평탄도 변화량을 측정하였더니 0.1㎛ 이하가 되어 기판 변형은 거의 확인되지 않았다.

다음으로 상기 레티클용 기판을 사용하여, 상기 기판 상에 CrN/CrC/CrON의 적층막(이 적층막 속에 헬륨(He)이 포함되어 있다)으로 이루어진 차광막을 스퍼터링에 의해 형성한 후, 120℃로 소정 시간 가열처리하여 마스크 블랭크를 제작하였다. 이 마스크 블랭크의 평탄도를 상술한 평탄도 측정영역에서 측정하여 차광막 형성 전후의 기판의 평탄도 변화량으로부터 차광막의 막응력을 구하였더니, 0.1Gpa 이하로 거의 0 Gpa였다. 또한, 차광막이 형성되어 있는 쪽의 기판의 단부형상은, 주 표면과 모따기 면의 경계에서의 최대 높이가 -0.5㎛로 차광막의 형성 전과 동일하였다.

이어서, 상기 마스크 블랭크를 사용하여 상기 기판 상에 차광막 패턴을 형성한 레티클을 제작하여, 스텝퍼의 기판 유지부재의 형상이 다르고 기판에 대해 맞닿는 영역이 다른 복수 종류의 기판 유지부재에 레티클을 장착한 경우에도, 노광 광원이 F2 엑시머레이저(노광파장 157nm)로 상정되는 패턴 위치 정밀도를 만족하는 결과가 되었다.

다음으로, 상술한 레티클용 기판의 제조방법에 대해 설명한다.

본 발명의 레티클용 기판의 제조방법은, 소정의 사이즈로 잘라내어 모따기한 레티클용 기판을 준비하고, 기판의 양 주 표면을 연삭가공하는 연삭가공공정과, 연삭가공에 의해 얻은 평탄도를 유지하며, 기판 표면의 흠집을 제거하기 위한 조연마 가공공정과, 기판 표면의 경면화를 위한 경면연마 가공공정과 경면연마한 기판의 하나의 주 표면의 표면형상을 측정하는 표면형상 측정공정과, 측정 데이터에 기초하여 기판의 표면형상이 소망하는 표면형상이 되도록, 측정한 면에 국소적으로 형상의 수정을 가하여 기판의 표면형상을 수정하는 형상수정공정을 구비한다. 또한, 연삭가공공정과 조연마 가공공정의 사이, 조연마 가공공정과 경면연마 가공공정의 사이, 경면연마 가공공정과 형상수정공정의 사이, 형상수정공정 후에 기판을 세정하는 세정공정을 실시한다.

이하에서는 형상수정공정에서 사용하는 연마장치에 관해 설명한다.

도 4는 본 실시예에서의 레티클용 기판의 표면형상을 수정하는데 이용하는 연마장치의 구조를 나타내는 평면도이고, 도 5는 그 A-A'에 따른 단면도이다.

도 4 및 도 5에 있어서, 레티클용 기판은 연삭가공과 정밀연마가공을 거쳐 얻은 것으로서, 상기 레티클용 기판이 리테이너 링(11)에 의해 연마 정반 상에 유지되고, 가압체(9)에 의해 연마 정반(13)에 눌러 붙여지면서 회전한다. 상기 리테이너 링(11)은 연마패드(12)를 누름으로써 기판의 테두리부에 가해지는 압력을 균일화하는 역할을 한다. 한편, 연마 정반(13)의 상면에는 연마패드(12)가 부착되어 있으며, 가압체(9)가 기판을 연마패드에 눌러 붙이면서 연마 정반과 반대방향으로 회전함으로써 기판의 주 표면이 연마된다. 가압체(9)는 가압체 유지수단(10)에 의해 유지되며, 기판의 상면을 덮도록 다수 설치되어 있고, 기판에 가하는 압력을 국소적으로 임의 제어할 수 있다. 상기 가압체(9)의 구동은 에어 실린더를 이용하여 이루어진다.

예컨대, 정밀연마가공을 마친 레티클용 기판이, 기판 주 표면과 모따기 면과의 경계로부터 내측으로 3mm의 영역을 제외한 평탄도 측정영역에서의 평탄도가 0.25㎛인 오목형상이며, 단부형상이 상술한 최대 높이로서 1㎛의 솟아오른 형상인 경우에는, 단부형상만 조정해 -0.5㎛ 이상 0㎛ 이하의 테두리가 드리워진 형상으로 하기 위하여, 기판 테두리부에 위치하는 상기 연마장치의 가압체에만 하중을 가하여 레티클용 기판의 기판 테두리부에만 압력을 가함으로써 간단히 달성할 수 있다.

또한, 정밀연마가공을 마친 레티클용 기판이, 평탄도 측정영역에서의 평탄도가 1㎛인 볼록형상이며, 단부형상이 상술한 최대 높이로 1㎛의 테두리가 드리워진 형상인 경우에는, 평탄도 측정영역과 기판 테두리부의 표면형상을 수정해야만 하며, 기판 테두리부에 위치하는 상기 연마장치의 가압체에 대한 하중보다도, 기판 중앙부에 위치하는 가압체에 대한 하중을 크게 함으로써, 평탄도가 0.5㎛ 이하이며 단부형상이 최대 높이로 -0.5㎛ 이상 0㎛ 이하인 레티클용 기판을 간단히 얻을 수 있다.

연삭공정

#400의 알루미나 지립과, #800의 알루미나 지립을 사용하여 양면 연삭가공을 실시하였다.

조연마 가공공정

발포 폴리우레탄의 연마패드, 평균입경 약 1 내지 2㎛의 산화세륨을 사용하여 양면 연마에 의한 조연마 가공을 실시하였다.

경면연마 가공공정

연질 스웨이드 타입의 연마패드, 평균입경 약 100nm의 콜로이드 실리카를 사용하여 양면 연마에 의한 경면연마가공을 실시하였다.

또한, 각 가공공정 후에 저농도 플루오르화 수소산 수용액으로 세정하였다.

표면형상 측정공정

기판 주 표면과 모따기 면의 경계로부터 내측으로 3mm의 영역을 제외한 평탄도 측정영역에서의 평탄도가 0.5㎛인 오목형상이고, 단부형상은 주 표면과 모따기 면의 경계에서의 최대 높이가 1㎛였다. 또한, 원자간 힘 현미경으로 측정한 기판 주 표면의 표면조도 RMS(제곱 평균 제곱근 조도)는 0.15nm로 양호하였다.

형상수정공정

기판 테두리부를 우선적으로 연마하여 단부형상을 테두리가 드리워진 형상으로 하면서 기판 테두리부를 제외한 기판 중앙부의 평탄도를 더욱 양호하게 하기 위하여, 기판 테두리부에 위치하는 가압체의 하중을 0.5kg/cm²로 하고, 기판 중앙부에 위치하는 가압체의 하중을 0.1 내지 0.2kg/cm²로 하여 형상수정을 실시하였다. 또한, 연마액으로는 평균입경 약 100nm의 콜로이드 실리카 지립을 함유한 슬러리를 사용하였으며, 가공시간은 단부형상의 최대 높이가 -0.5㎛ 이상 0㎛ 이하의 범위에 들 때까지 실시하였다. 그 후, 저농도 플루오르화 수소산 수용액으로 세정하여 레티클용 기판을 얻었다.

그 결과, 기판 주 표면과 모따기 면의 경계로부터 내측으로 3mm의 영역을 제외한 평탄도 측정영역에서의 평탄도는 0.22㎛이고, 단부형상은 주 표면과 모따기 면의 경계에서의 최대 높이가 -0.5㎛이 되었다.

한편, 상술한 실시예의 방법에 따라 레티클용 기판을 100매 제조했더니, 100매 중 100매 모두가 기판 주 표면과 모따기 면의 경계로부터 내측으로 3mm의 영역을 제외한 평탄도 측정영역에서의 평탄도가 0.5㎛ 이하이면서, 주 표면과 모따기 면의 경계에서의 기준면으로부터의 최대 높이가 -0.5㎛ 이상 0㎛ 이하가 되었고, 평탄도 변화량은 0.1㎛ 이하가 되어 기판 변형은 거의 확인되지 않았다.

다음으로, 상기 레티클용 기판을 이용하여 상기 기판 상에 CrN/CrC/CrON의 적층막(이 적층막 속에 헬륨(He)이 포함되어 있다)으로 이루어진 차광막을 스퍼터링에 의해 형성한 후, 120℃로 소정 시간 가열처리하여 마스크 블랭크를 제작하였다. 이 마스크 블랭크의 평탄도를 상술한 평탄도 측정영역에서 측정하여 차광막 형성 전후의 기판의 평탄도 변화량으로부터 차광막의 막응력을 구하였더니, 0.1Gpa 이하로 거의 0Gpa였다. 또한, 차광막이 형성되어 있는 쪽의 기판의 단부형상은, 주 표면과 모따기 면의 경계에서의 최대 높이가 -0.5㎛로 차광막의 형성 전과 동일하였다.

이어서, 상기 마스크 블랭크를 사용해 상기 기판 상에 차광막 패턴을 형성한 레티클을 제작하여, 스텝퍼의 기판 유지부재의 형상이 다르고 기판에 대해 맞닿는 영역이 다른 복수 종류의 기판 유지부재에 레티클을 장착한 경우에도, 노광 광원이 F2 엑시머레이저(노광파장 157nm)로 상정되는 패턴 위치 정밀도를 만족하는 결과가 되었다.

<실시예 2>

상술한 실시예 1과 동일한 제조방법에 의해 가공조건을 적절히 조정하여 기판 주 표면과 모따기 면의 경계로부터 내측으로 3mm의 영역을 제외한 평탄도 측정영역에서의 평탄도가 0.5㎛이고, 평탄도 측정영역과 평탄도 비측정영역의 경계에서의 기준면으로부터의 최대 높이가 -0.82㎛인 레티클용 기판을 제작하였다.

상기와 동일하게 평탄도 변화량을 측정하였더니, 평탄도 변화량은 0.1㎛ 이하가 되어 기판 변형은 거의 확인되지 않았다.

다음으로 상기 레티클용 기판을 사용하여, 상기 기판 상에 CrN/CrC/CrON의 적층막으로 이루어진 차광막(이 적층막 속에 헬륨(He)이 포함되어 있다)을 스퍼터링에 의해 형성하여 마스크 블랭크를 제작하였다. 이 얻어진 마스크 블랭크의 평탄도를 상술한 평탄도 측정영역에서 측정하여 차광막 형성 전후의 기판의 평탄도 변화량으로부터 차광막의 막응력을 구하였더니 0.45Gpa였다. 또, 차광막이 형성되어 있는 쪽의 기판의 단부형상은, 주 표면과 모따기 면의 경계에서의 최대 높이가 -0.86㎛로, 0.04㎛만큼 변화되어 있었다.

이어서, 상기 마스크 블랭크를 사용해 상기 기판 위에 차광막 패턴을 형성한 레티클을 제작하여, 스텝퍼의 기판 유지부재의 형상이 다르고 기판에 대해 맞닿는 영역이 다른 복수 종류의 기판 유지부재에 레티클을 장착한 경우에도, 노광 광원이 ArF 엑시머레이저(노광파장 193nm)로 상정되는 패턴 위치 정밀도를 만족하는 결과가 되었다.

<실시예 3>

상술한 실시예 1의 레티클용 기판을 사용하여 상기 기판 상에 MoSiN 하프톤막을 스퍼터링에 의해 형성한 후 120℃로 소정시간 가열하고, 더욱이 MoSiN 하프톤막 상에 CrN/CrC/CrON의 적층막으로 이루어진 차광막을 스퍼터링에 의해 형성하여 하프톤형 위상 시프트 마스크 블랭크를 제작하였다. 이 얻어진 마스크 블랭크의 평탄도를 상술한 평탄도 측정영역에서 측정하여, 막형성 전후의 기판의 평탄도 변화량으로부터 형성되어 있는 하프톤막/차광막의 막응력을 구하였더니 0.2Gpa였다. 또, 하프톤막 및 차광막이 형성되어 있는 쪽의 기판의 단부형상은, 주 표면과 모따기 면의 경계에서의 최대 높이가 -0.82㎛로, 막형성 전의 레티클용 기판과 동일하였다.

다음으로, 상기 하프톤형 위상 시프트 마스크 블랭크를 사용해 상기 기판 상에 하프톤막 패턴이 형성된 레티클을 제작하여, 스텝퍼의 기판 유지부재의 형상이 다르고 기판에 대해 맞닿는 영역이 다른 복수 종류의 기판 유지부재에 레티클을 장착한 경우에도, 노광광원이 ArF 엑시머레이저(노광파장 193nm)로 상정되는 패턴 위치 정밀도를 만족하는 결과가 되었다.

<비교예>

상술한 실시예에 있어서, 형상수정공정에서의 형상수정방법으로서, 표면형상 측정공정의 측정 데이터에 기초하여 국소적으로 플라즈마 에칭처리를 실시하고, 플라즈마 에칭에 의한 유리기판의 면 거칠기를 저감시키기 위해 매우 단시간 동안 기계적으로 연마처리한 것 이외에는 실시예와 동일하게 하여 레티클용 기판을 제작하였다.

그 결과, 기판 주 표면과 모따기 면의 경계로부터 내측으로 3mm의 영역을 제외한 평탄도 측정영역에서의 평탄도는 0.25㎛로 양호하였으나, 단부형상은 주 표면과 모따기 면의 경계에서의 최대 높이가 -1.5㎛가 되었다.

다음으로, 상기와 동일한 기판변형시험을 실시한 바, 진공 척에 의한 평탄도 변화량은 0.5㎛가 되어 기판변형이 발생하였다.

이어서, 상기 레티클용 기판을 사용하여, 상기 기판 상에 CrN/CrC/CrON의 적층막으로 이루어진 차광막을 스퍼터링에 의해 형성하여 마스크 블랭크를 제작하였다. 더욱이, 이 얻어진 마스크 블랭크를 사용해 상기 기판 상에 차광막 패턴이 형성된 레티클을 제작하여, 스텝퍼의 기판 유지부재의 형상이 다르고 기판에 대해 맞닿는 영역이 다른 복수 종류의 기판 유지부재에 레티클을 장착한 경우, 노광 광원이 F2 엑시머레이저(노광파장 157nm)나 ArF 엑시머레이저(노광파장 193nm)로 상정되는 패턴 위치 정밀도를 만족하지 않는 결과가 되었다.

또, 상술한 비교예의 방법에 따라 레티클용 기판을 100매 제조하였더니 100매 중 74매만이, 기판 주 표면과 모따기 면의 경계로부터 내측으로 3mm의 영역을 제외한 평탄도 측정영역에서의 평탄도가 0.5㎛ 이하이며, 주 표면과 모따기 면의 경계에서의 기준면으로부터의 최대 높이가 -0.5㎛ 이상 0㎛ 이하를 만족하는 레티클용 기판이 얻어졌다. 이는, 플라즈마 에칭에 의한 유리기판의 면 거칠기를 저감시키기 위하여 매우 단시간동안 기계적인 연마처리를 실시함에 따라, 단부형상의 테두리부가 드리워진 부분이 커진 점, 그리고 기판 테두리부의 형상을 고도로 정밀하게 측정하기가 어려운 점이 원인이 된다.

본 발명은 박막에 패턴이 형성된 레티클, 패턴형성 전의 마스크 블랭크용 기판 및 그 제조방법에 적용하여 기판의 외주부에서의 변형을 경감시킬 수 있다.

Claims (8)

1. 서로 대향되게 설치된 1세트의 주 표면과, 상기 주 표면과 직교하며 서로 대향되게 설치된 2세트의 측면과, 상기 주 표면과 측면에 의해 끼인 모따기 면을 갖는 레티클용 기판으로서,

   상기 기판의 주 표면에 있어서, 상기 주 표면과 상기 모따기 면의 경계로부터 내측으로 3mm의 영역을 제외한 평탄도 측정영역에서의 평탄도가 0.5㎛ 이하이고, 또한 상기 주 표면과 상기 모따기 면의 경계에서의 기준면으로부터의 최대 높이가 -1㎛ 이상 0㎛ 이하로 하는 것을 특징으로 하는 레티클용 기판.
2. 제 1 항에 기재된 레티클용 기판의 상기 기판 주 표면 상에, 전사패턴이 되는 박막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
3. 제 2 항에 있어서,

   상기 박막의 막응력은 0.5Gpa 이하인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,

   상기 박막이 형성되어 있는 쪽의 상기 주 표면과 상기 모따기 면의 경계로부터 내측으로 3mm의 영역을 제외한 평탄도 측정영역에서의 평탄도가 0.5㎛이고, 또한 상기 주 표면과 상기 모따기 면의 경계에서의 기준면으로부터의 최대 높이가 -1㎛ 이상 0㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
5. 제 1 항에 기재된 레티클용 기판의 제조방법으로서,

   레티클용 기판의 주 표면을 연삭가공 및 정밀연마가공한 후, 상기 주 표면의 노광장치의 기판 유지부재와 맞닿는 기판 테두리부를 포함하는 영역에 대해 표면형상을 측정하고, 측정결과에 기초하여, 상기 주 표면의 표면형상이 소망하는 형상이 되도록, 상기 주 표면의 형상이 상기 주 표면에서 임의로 설정한 기준면에 대해 상대적으로 볼록한 형상으로 되어 있는 영역은, 다른 영역보다도 연마장치의 연마패드로부터의 압력이 커지도록, 상기 연마패드를 향해 연마액을 공급하면서, 상기 레티클용 기판과 상기 연마패드를 상대적으로 이동시킴으로써 상기 주 표면의 표면형상을 수정하는 것을 특징으로 하는 레티클용 기판의 제조방법.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 정밀연마가공은, 연삭가공에 의해 얻은 평탄도를 유지하며, 기판 표면의 흠집을 제거하기 위해 비교적 큰 연마 지립(砥粒)을 이용하여 연마하는 조연마(粗硏磨)가공과, 기판표면의 경면화를 위해 비교적 작은 연마지립을 이용하여 연마하는 경면 연마가공을 구비하는 것을 특징으로 하는 레티클용 기판의 제조방법.
7. 제 5 항 또는 제 6 항에 기재된 레티클용 기판의 제조방법에 의해 얻은 레티클용 기판의 주 표면 상에, 전사패턴이 되는 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조방법.
8. 제 7 항에 있어서,

   상기 박막의 형성 전후의 상기 주 표면과 상기 모따기 면의 경계에서의 기준면으로부터의 최대 높이의 변화를 억제하는 가열처리를, 상기 박막 형성시 또는 형성 후에 실시하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조방법.