KR20050108497A - Apparatus and method for cleaning a injection nozzle - Google Patents
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Abstract
노즐의 단부에 존재하는 오염물질을 효과적으로 제거하기 위한 분사 노즐 세정장치는 분사물을 분사하는 노즐의 단부가 진입하는 세정 공간을 갖는 세정조를 포함한다. 용제 공급 밸브가 세정 공간에 위치하는 노즐의 단부로 용제를 공급하여, 노즐의 단부에 잔존하는 분사물을 용융시킨다. 초음파 진동판이 용제를 초음파 진동시켜서, 용융된 분사물을 노즐의 단부로부터 분리시킨다. 따라서, 용제의 초음파 진동에 의해 분사 노즐의 단부 내외부에 존재하는 오염물질을 완전하게 제거할 수 있어, 이후의 분사 공정에서의 불량 발생을 방지할 수 있다.The spray nozzle cleaning apparatus for effectively removing the contaminants present at the end of the nozzle includes a cleaning tank having a cleaning space into which the end of the nozzle for spraying the spray enters. The solvent supply valve supplies the solvent to the end portion of the nozzle located in the washing space, and melts the injection residue remaining at the end portion of the nozzle. The ultrasonic diaphragm ultrasonically vibrates the solvent to separate the molten spray from the end of the nozzle. Therefore, the contaminants existing inside and outside the end portion of the spray nozzle can be completely removed by ultrasonic vibration of the solvent, and the occurrence of defects in the subsequent spray process can be prevented.
Description
본 발명은 분사 노즐 세정장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 분사 노즐의 끝단부에 존재하는 오염물질을 효과적으로 제거하기 위한 분사 노즐 세정장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for spray nozzle cleaning, and more particularly, to an apparatus and method for spray nozzle cleaning for effectively removing contaminants present at the end of the spray nozzle.
일반적으로 포토레지스트는 소정 두께의 감광제 박막을 형성하기 위하여 스핀 방식에 의해 반도체 웨이퍼 상에 도포된다. 이때, 상기 감광제 박막의 두께는 포토레지스트의 점성 계수, 다중체 함량 및 최종 스핀속도와 가속 등에 의해 결정된다.In general, the photoresist is applied on a semiconductor wafer by a spin method to form a thin film of a photoresist having a predetermined thickness. At this time, the thickness of the photoresist thin film is determined by the viscosity of the photoresist, the multi-body content and the final spin speed and acceleration.
상기 포토레지스트는 스핀 코팅부의 분사 노즐을 통해 회전되는 반도체 웨이퍼 상에 분사된다. 이어, 포토레지스트의 분사가 완료되면, 스핀 코팅부의 분사 노즐은 밸브의 기계적 동작에 의해 포토레지스트가 끝단에서 2 내지 4mm 흡입됨에 따라 포토레지스트의 고화가 방지된다. 이를 석백(suck back)이라 하는데, 석백은 케미컬이 분사된 후에 밸브와 같은 기계요소의 동작으로 케미컬이 분사 노즐의 단부에서 심부로 소정 거리 흡입되어 포토 레지스트의 고화가 방지되도록 하는 작용을 한다.The photoresist is sprayed onto the semiconductor wafer rotated through the spray nozzle of the spin coating portion. Subsequently, when the injection of the photoresist is completed, the injection nozzle of the spin coating part is prevented from solidifying the photoresist as the photoresist is sucked 2 to 4 mm at the end by mechanical operation of the valve. This is called a suck back, which acts to prevent the solidification of the photoresist by preventing the chemical from being sucked a predetermined distance from the end of the injection nozzle to the core by the operation of a mechanical element such as a valve after the chemical is injected.
도 1은 일반적인 분사 노즐의 세정장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a cleaning apparatus of a general injection nozzle.
도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 세정장치는 분사노즐(100)이 본체(200) 내에 삽입된 후, 용제 공급 밸브(210)가 개방되어 기준 용제가 공급됨에 따라 분사노즐(100)의 세정이 이루어진다. As shown in FIG. 1, in the general cleaning apparatus, after the injection nozzle 100 is inserted into the main body 200, the solvent supply valve 210 is opened to clean the injection nozzle 100 as the reference solvent is supplied. Is done.
즉, 용제 공급 밸브(210)를 통해 공급된 상기 기준 용제에서 발생하는 휘발성 연기(fume)가 분사노즐(100)의 끝단으로 공급되고, 그에 따라 분사노즐(100)의 끝단에서 포토레지스트가 굳는 것이 방지된다.That is, the volatile fumes generated in the reference solvent supplied through the solvent supply valve 210 are supplied to the end of the injection nozzle 100, and thus the photoresist is solidified at the end of the injection nozzle 100. Is prevented.
여기서, 상기 기준 용제는 본체(200) 내에 아주 적은 양이 공급된다. 이때, 예로는 아세톤 및 시너(thinner)이다.Here, the reference solvent is supplied in a very small amount in the main body 200. At this time, examples are acetone and thinner.
그러나, 도 2에서와 같이, 분사노즐(100)의 끝단에는 포토레지스트의 분사 공정에서 끝단 내부 및 외부에서 굳어진 포토레지스트(210)가 존재한다. 이때, 분사노즐(100)의 끝단에 굳어진 포토레지스트(210)는 상기 휘발성 연기에 의해서는 제거되지 않는다. However, as shown in FIG. 2, at the end of the injection nozzle 100, there is a photoresist 210 hardened inside and outside the end in the process of spraying the photoresist. At this time, the photoresist 210 hardened at the end of the injection nozzle 100 is not removed by the volatile smoke.
이처럼, 상기 분사 노즐의 끝단에 굳어진 포토레지스트(210)가 제대로 세정되지 않은 경우 이후의 분사 공정에서 반도체 웨이퍼 상에 떨어져 파티클(particle) 불량이 발생한다.As such, when the photoresist 210 hardened at the end of the spray nozzle is not properly cleaned, particle defects fall on the semiconductor wafer in a subsequent spray process.
따라서, 종래의 분사 노즐 세정장치는 분사 노즐 내의 포토레지스트가 굳는 것을 방지할 수 있으나, 분사 노즐의 끝단에 오염물질로 존재하는 포토레지스트를 제거할 수 없는 문제점이 있다.Therefore, the conventional spray nozzle cleaning apparatus can prevent the photoresist in the spray nozzle from hardening, but there is a problem in that the photoresist existing as a contaminant at the end of the spray nozzle cannot be removed.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 분사노즐의 끝단에 존재하는 오염물질을 효과적으로 제거하기 위한 분사노즐 세정장치를 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention to provide a spray nozzle cleaning apparatus for effectively removing the contaminants present at the end of the spray nozzle.
본 발명의 다른 목적은 상기한 분사노즐 세정장치에 의한 세정방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a cleaning method by the above-described spray nozzle cleaning apparatus.
본 발명의 일 실시예에 따른 분사 노즐의 세정 장치는 분사물을 분사하는 노즐의 단부가 진입하는 세정 공간을 갖는 세정조를 포함한다. 용제 공급 밸브가 세정 공간에 위치하는 노즐의 단부로 용제를 공급하여, 노즐의 단부에 잔존하는 분사물을 용융시킨다. 초음파 진동판이 용제를 초음파 진동시켜서, 용융된 분사물을 노즐의 단부로부터 분리시킨다. The cleaning apparatus of the spray nozzle according to the embodiment of the present invention includes a washing tank having a washing space into which an end portion of the nozzle for spraying the spraying water enters. The solvent supply valve supplies the solvent to the end portion of the nozzle located in the washing space, and melts the injection residue remaining at the end portion of the nozzle. The ultrasonic diaphragm ultrasonically vibrates the solvent to separate the molten spray from the end of the nozzle.
본 발명의 다른 실시예에 따른 분사 노즐의 세정 방법에 따르면, 분사물을 분사하는 노즐의 단부로 용제를 제공하여, 노즐의 단부에 잔존하는 분사물을 용융시킨다. 이어서, 용제를 초음파 진동시켜, 노즐의 단부에 잔존하는 분사물을 노즐의 단부로부터 분리시킨다. According to the cleaning method of the spray nozzle according to another embodiment of the present invention, a solvent is provided to an end portion of the nozzle for spraying the spray material to melt the spray residue remaining at the end of the nozzle. Subsequently, the solvent is ultrasonically vibrated to separate the spray remaining at the end of the nozzle from the end of the nozzle.
상기한 분사노즐의 세정장치 및 방법에 의하면, 초음판 진동판에 의한 기준 용제의 초음파 진동에 의해 분사 노즐의 단부 내외부에 존재하는 오염물질을 완전하게 제거할 수 있어, 이후의 분사 공정에서의 불량 발생을 방지할 수 있다.According to the cleaning apparatus and method of the injection nozzle described above, contaminants existing inside and outside the end of the injection nozzle can be completely removed by ultrasonic vibration of the reference solvent by the ultrasonic plate diaphragm, so that a defect occurs in the subsequent injection process. Can be prevented.
이하, 본 발명에 바람직한 실시예에 따른 분사노즐 세정장치를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a spray nozzle cleaning apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명에 따른 분사노즐의 세정장치를 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a cleaning device for a spray nozzle according to the present invention.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 분사노즐의 세정장치는 세정조(300), 격벽(310), 용제 공급 밸브(320), 수위 센서(330), 초음파 진동판(340), 공기 공급라인(350) 및 용제 배출라인(360)을 포함한다.As shown in FIG. 3, the cleaning device of the jet nozzle according to the present invention includes a cleaning tank 300, a partition 310, a solvent supply valve 320, a water level sensor 330, an ultrasonic diaphragm 340, and an air supply. Line 350 and solvent discharge line 360.
상기 세정조(300)는 소정의 내부 공간을 가지도록 구성되고, 상기 내부 공간에서 분사 노즐(400)의 세정이 이루어진다. The cleaning tank 300 is configured to have a predetermined internal space, and the cleaning nozzle 400 is cleaned in the internal space.
또한, 격벽(310)은 상기 내부 공간을 다수개의 세정 공간으로 구분하기 위하여 다수개로 형성되고, 다수개의 격벽(310)들은 상기 내부 공간에서 소정의 이격거리를 갖도록 배치된다. In addition, a plurality of partition walls 310 are formed to divide the inner space into a plurality of cleaning spaces, and the plurality of partition walls 310 are disposed to have a predetermined separation distance from the inner space.
여기서, 세정조(300)의 상부에 형성된 삽입구(305)를 통해 분사 노즐(400)의 단부가 삽입됨에 따라 격벽(310)에 의해 구분된 상기 다수개의 세정 공간에서 분사 노즐(400)의 세정이 각각 이루어진다.Here, as the end of the injection nozzle 400 is inserted through the insertion hole 305 formed in the upper portion of the cleaning tank 300, the cleaning of the injection nozzle 400 in the plurality of cleaning spaces divided by the partition wall 310 is performed. Each is done.
상기 용제 공급 밸브(320)는 용제 공급라인(325)을 통해 제공되는 기준 용제(370)를 상기 다수개의 세정 공간으로 선택적으로 공급한다. 즉, 세정 공간이 4개 구성된 경우, 용제 공급 밸브(320)는 3번째의 세정 공간에만 상기 기준 용제를 공급할 수 있다. 여기서, 상기 기준 용제는 소정의 박막을 형성하기 위한 포토 레지스트 등을 녹일 수 있는 시너 및 아세톤 등을 포함한다.The solvent supply valve 320 selectively supplies the reference solvent 370 provided through the solvent supply line 325 to the plurality of cleaning spaces. That is, when four cleaning spaces are comprised, the solvent supply valve 320 can supply the said reference solvent only to a 3rd washing space. Here, the reference solvent includes thinner, acetone, and the like, which can dissolve a photoresist or the like for forming a predetermined thin film.
또한, 수위 센서(330)는 격벽(310)에 고정되도록 형성되어 용제 공급 밸브(320)로부터 공급되는 기준 용제(370)의 수위를 감지한다. 즉, 수위 센서(330)는 용제 공급 밸브(320)로부터 공급되는 기준 용제(370)가 상기 분사 노즐(400)의 단부가 잠길 정도의 수위를 갖도록 한다. In addition, the water level sensor 330 is formed to be fixed to the partition 310 to sense the level of the reference solvent 370 supplied from the solvent supply valve 320. That is, the level sensor 330 allows the reference solvent 370 supplied from the solvent supply valve 320 to have a level such that the end of the injection nozzle 400 is locked.
여기서, 수위 센서(330)에 의해 감지된 기준 용제(370)의 수위가 상기 분사 노즐(400)의 단부가 잠길 정도에 도달하면, 용제 공급 밸브(320)는 폐쇄되어 상기 세정 공간 내로의 기준 용제(370)의 공급을 중단한다.Here, when the level of the reference solvent 370 sensed by the water level sensor 330 reaches a degree that the end of the injection nozzle 400 is locked, the solvent supply valve 320 is closed to the reference solvent into the cleaning space. The supply of 370 is stopped.
또한, 상기 수위 센서(330)는 상기 다수의 세정 공간에 각각 형성되어, 상기 다수의 세정 공간 내에 공급되는 기준 용제(370)의 수위를 각각 감지한다.In addition, the water level sensor 330 is formed in the plurality of cleaning spaces, respectively, and detects the level of the reference solvent 370 supplied in the plurality of cleaning spaces, respectively.
상기 초음파 진동판(340)은 상기 세정 공간의 하부에 배치된다. 초음파 진동판(340)은 분사 노즐(400) 단부의 외부 및 내부에 존재하는 오염물질을 제거하기 위한 초음파를 발생시킨다. 즉, 초음파 진동판(340)은 진동하여 초음파를 발생시키고, 상기 발생된 초음파에 의해 상기 세정 공간 내에 공급된 기준 용제(370)가 초음파 진동함에 따라 분사 노즐(400)의 단부에 존재하는 오염물질이 제거된다The ultrasonic diaphragm 340 is disposed under the cleaning space. The ultrasonic diaphragm 340 generates ultrasonic waves for removing contaminants present in the outside and the inside of the injection nozzle 400. That is, the ultrasonic diaphragm 340 vibrates to generate ultrasonic waves, and as the reference solvent 370 supplied to the cleaning space is ultrasonically vibrated by the generated ultrasonic waves, contaminants present at the end of the injection nozzle 400 are generated. Removed
상기 용제 배출라인(360)은 분사 노즐(400)의 세정 후 상기 세정 공간에 공급된 기준 용제(370)를 외부로 배출한다. 여기서, 용제 배출라인(360)은 상기 세정 공간별로 구성된다.The solvent discharge line 360 discharges the reference solvent 370 supplied to the cleaning space to the outside after cleaning the injection nozzle 400. Here, the solvent discharge line 360 is configured for each of the cleaning spaces.
또한, 공기 공급라인(350)은 분사 노즐(400)의 단부 내부로 공기를 분사하여 분사 노즐(400)의 단부 내부에 잔존하는 기준 용제(370)를 제거한다. 이때, 분사 노즐(400)의 단부에는 상기 공기 공급라인(350)으로부터 공기 유입을 위한 홀(도시되지 않음)이 형성된다.In addition, the air supply line 350 injects air into the end of the spray nozzle 400 to remove the reference solvent 370 remaining in the end of the spray nozzle 400. In this case, a hole (not shown) for introducing air from the air supply line 350 is formed at the end of the injection nozzle 400.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 분사 노즐의 세정장치의 동작을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the cleaning device of the spray nozzle according to the present invention configured as described above in more detail.
먼저, 세정조(300)의 상부면에 존재하는 상기 삽입구를 통해 분사 노즐(400)이 삽입된다. 따라서, 상기 세정 공간 내에 분사 노즐(400)의 단부가 진입하게 된다.First, the injection nozzle 400 is inserted through the insertion hole present in the upper surface of the cleaning tank (300). Therefore, the end of the injection nozzle 400 enters into the cleaning space.
이어, 용제 공급 밸브(320)는 개방되어 용제 공급라인(325)으로부터 공급되는 시너 또는 아세톤 등의 기준 용제(370)를 상기 분사 노즐(400)이 삽입된 상기 세정 공간 내에 공급한다. 이때, 수위 센서(330)는 용제 공급 밸브(320)에 의해 상기 세정 공간 내에 공급되는 기준 용제(370)의 수위를 감지하여 기준 용제(370)가 상기 분사 노즐(400)의 단부가 잠길 정도의 수위를 갖도록 조절한다. Subsequently, the solvent supply valve 320 is opened to supply the reference solvent 370 such as thinner or acetone, which is supplied from the solvent supply line 325, into the cleaning space in which the injection nozzle 400 is inserted. At this time, the water level sensor 330 detects the level of the reference solvent 370 supplied into the cleaning space by the solvent supply valve 320 so that the reference solvent 370 is locked to the end of the injection nozzle 400. Adjust to have water level.
상기 수위 센서(330)에 의해 감지된 상기 기준 용제(370)의 수위가 상기 분사 노즐(400)의 단부가 잠길 정도에 도달하면, 용제 공급 밸브(320)는 폐쇄되어 상기 기준 용제(370)의 공급을 중단한다.When the level of the reference solvent 370 sensed by the water level sensor 330 reaches a degree that the end of the injection nozzle 400 is locked, the solvent supply valve 320 is closed to close the level of the reference solvent 370. Stop supply.
상기 초음파 진동판(340)은 상기 기준 용제(370)가 상기 분사 노즐(400)의 단부가 잠길 정도의 수위에 도달하면, 초음파를 발생시킨다. 여기서, 초음파 진동판(340)이 초음파를 발생하고, 상기 발생된 초음파에 의해 상기 세정 공간 내의 상기 기준 용제(370)가 초음파 진동하게 된다. 이때, 상기 기준 용제(370)가 초음파 진동함에 따라 상기 분사 노즐(400)의 단부 내외부에 잔존하는 오염물질이 제거된다.The ultrasonic diaphragm 340 generates ultrasonic waves when the reference solvent 370 reaches a level such that the end of the injection nozzle 400 is locked. Here, the ultrasonic vibration plate 340 generates ultrasonic waves, and the reference solvent 370 in the cleaning space is ultrasonically vibrated by the generated ultrasonic waves. At this time, as the reference solvent 370 vibrates ultrasonically, contaminants remaining inside and outside the end of the injection nozzle 400 are removed.
즉, 분사 노즐(400) 단부의 내외부에 오염물질로 잔존하는 포토레지스트가 상기 기준 용제(370)의 초음파 진동에 따라 깨끗이 제거된다.That is, the photoresist remaining as a contaminant inside and outside the end of the spray nozzle 400 is removed by the ultrasonic vibration of the reference solvent 370.
여기서, 초음파 진동판(340)의 초음파 강도 등을 조절함에 따라 분사 노즐(400)의 단부에 잔존하는 다양한 종류의 오염물질을 제거할 수 있다.Here, various kinds of contaminants remaining at the end of the injection nozzle 400 may be removed by adjusting the ultrasonic intensity of the ultrasonic diaphragm 340.
이어, 분사 노즐(400)의 단부에 잔존하는 오염물질을 제거한 후 상기 기준 용제(370)는 용제 배출라인(360)을 통해 외부로 배출된다.Subsequently, after removing the contaminants remaining at the end of the injection nozzle 400, the reference solvent 370 is discharged to the outside through the solvent discharge line 360.
상기 공기 공급라인(350)은 상기 용제 배출라인(360)을 통한 상기 기준 용제(370) 배출 후 분사 노즐(400)의 단부 내부로 공기를 분사하여 분사 노즐(400) 단 내부에 존재하는 상기 기준 용제(370)를 제거한다.The air supply line 350 discharges the reference solvent 370 through the solvent discharge line 360 to inject air into an end portion of the injection nozzle 400 so that the reference exists inside the injection nozzle 400 stage. Solvent 370 is removed.
또한, 분사 노즐(400)은 더미 디스펜스(dummy dispense)를 실시한다. 즉, 분사 노즐(400)은 포토레지스트의 고화 및 잔존하는 오염물질을 보다 더 확실하게 제거하기 위하여 상기 세정 공간 내에서 내부의 포토레지스트를 소정량 분사한다. In addition, the injection nozzle 400 performs a dummy dispense. That is, the spray nozzle 400 sprays a predetermined amount of the photoresist in the cleaning space in order to more reliably remove the contaminants and solidification of the photoresist.
상기에서는 기준 용제(370)로 시너 또는 아세톤을 사용하는 경우를 예로 들었으나, 솔벤트를 이용할 수 있다.In the above, the case where a thinner or acetone is used as the reference solvent 370 is used as an example, but a solvent may be used.
이와 같이 구성되어 동작되는 본 발명에 따른 분사 노즐 세정장치의 세정 방법을 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.The cleaning method of the spray nozzle cleaning apparatus according to the present invention configured and operated as described above will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 4는 본 발명에 따른 분사 노즐 세정장치의 세정방법을 나타낸 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a cleaning method of the spray nozzle cleaning apparatus according to the present invention.
먼저, 세정조(300)의 상면에 위치된 삽입구(305)에 분사 노즐(400)을 삽입함에 따라 세정조(300)내의 세정 공간 내에 세정을 위한 분사 노즐(400)의 단부를 위치시킨다.First, as the injection nozzle 400 is inserted into the insertion hole 305 positioned on the upper surface of the cleaning tank 300, the end of the injection nozzle 400 for cleaning is positioned in the cleaning space in the cleaning tank 300.
이어, 용제 공급 밸브(320)를 개방하여 분사 노즐(400)을 세정하기 위한 기준 용제(370)를 수위 센서(330)의 감지 수위까지 공급한다(S500). 이때, 수위 센서(330)의 감지 수위는 상기 분사 노즐(400)의 단부가 잠길 수 있는 수위이다.Subsequently, the solvent supply valve 320 is opened to supply the reference solvent 370 for cleaning the injection nozzle 400 to the detection level of the water level sensor 330 (S500). In this case, the sensing level of the level sensor 330 is a level at which the end of the injection nozzle 400 can be locked.
상기 단계 S500에서, 상기 기준 용제(370)의 공급이 완료되면, 초음파 진동판(340)은 진동하여 초음파를 발생시키고, 상기 발생된 초음파에 의해 상기 기준 용제(370)를 초음파 진동시킨다(S510). 이때, 상기 기준 용제(370)가 초음파 진동함에 따라 상기 기준 용제(370)에 잠긴 분사 노즐(400)의 단부 외부 및 내부에 존재하는 오염물질이 제거된다.In step S500, when the supply of the reference solvent 370 is completed, the ultrasonic vibration plate 340 vibrates to generate ultrasonic waves, and ultrasonically vibrates the reference solvent 370 by the generated ultrasonic waves (S510). At this time, as the reference solvent 370 is ultrasonically vibrated, contaminants existing outside and inside the end of the injection nozzle 400 immersed in the reference solvent 370 are removed.
이어, 용제 배출라인(360)을 통해 상기 기준 용제(370)를 외부로 배출한 후(S520) 공기 공급라인(350)을 통해 분사 노즐(400)의 단부 내부로 공기를 분사한다(S530). 상기 공기 공급라인(350)에 의해 분사된 공기에 의해 분사 노즐(400) 단부 내에 잔존하는 상기 기준 용제(370)가 제거된다.Subsequently, after discharging the reference solvent 370 to the outside through the solvent discharge line 360 (S520), air is injected into the end of the injection nozzle 400 through the air supply line 350 (S530). The reference solvent 370 remaining in the end of the injection nozzle 400 is removed by the air injected by the air supply line 350.
상기 단계S530 이후에 상기 분사 노즐(400)을 통해 소정량의 포토레지스트를 분사하는 더미 디스펜스를 실시한다(S540). After the step S530, a dummy dispense for spraying a predetermined amount of photoresist through the spray nozzle 400 is performed (S540).
이때, 상기 더미 디스펜스를 실시함에 따라 분사 노즐(400) 내의 포토레지스트의 고화 및 끝단에 존재하는 오염물질을 완전히 제거할 수 있다.At this time, as the dummy dispensing is performed, contaminants present in the solidification and the ends of the photoresist in the spray nozzle 400 may be completely removed.
상술한 바와 같이 본 발명은 분사 노즐의 단부가 잠기도록 기준 용제를 공급하고, 초음파 진동판에 의해 초음파를 발생시켜 상기 발생된 초음파에 의해 상기 기준 용제가 초음파 진동하게 된다. As described above, the present invention supplies the reference solvent so that the end of the injection nozzle is locked, and generates ultrasonic waves by the ultrasonic diaphragm so that the reference solvent is ultrasonically vibrated by the generated ultrasonic waves.
그러므로, 본 발명은 초음판 진동판에 의한 상기 기준 용제의 초음파 진동에 의해 분사 노즐의 단부 내부 및 외부에 존재하는 오염물질을 완전하게 제거할 수 있어, 이후의 분사 공정에서의 불량 발생을 방지할 수 있는 효과가 있다.Therefore, the present invention can completely remove contaminants existing inside and outside the end of the spray nozzle by ultrasonic vibration of the reference solvent by the ultrasonic plate diaphragm, thereby preventing the occurrence of defects in the subsequent spraying process. It has an effect.
또한, 본 발명은 상기 초음파 진동에 의한 오염물질 제거 후 더미 디스펜스를 실시하여 상기 오염물질의 제거를 한번 더 수행함에 따라 분사 노즐의 세정을 보다 완전하게 수행할 수 있는 효과도 있다.In addition, the present invention has the effect that the cleaning of the spray nozzle can be more completely performed by performing a dummy dispense after the removal of the contaminant by the ultrasonic vibration to remove the contaminant once more.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.
도 1은 일반적인 분사 노즐의 세정장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a cleaning apparatus of a general injection nozzle.
도 2는 도 1에 도시된 'A'부분의 확대도이다.FIG. 2 is an enlarged view of portion 'A' shown in FIG. 1.
도 3은 본 발명에 따른 분사노즐의 세정장치를 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a cleaning device for a spray nozzle according to the present invention.
도 4는 본 발명에 따른 분사 노즐 세정장치의 세정방법을 나타낸 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a cleaning method of the spray nozzle cleaning apparatus according to the present invention.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
300: 세정조 310 : 격벽300: cleaning tank 310: partition wall
320 : 용제 공급 밸브 330 : 수위 센서320: solvent supply valve 330: water level sensor
340 : 초음파 진동판 350 : 공기 공급 라인340: ultrasonic diaphragm 350: air supply line
360 : 용제 배출라인 400 : 노즐360: solvent discharge line 400: nozzle
Claims (8)
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1020040033276A KR20050108497A (en) | 2004-05-12 | 2004-05-12 | Apparatus and method for cleaning a injection nozzle |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100740569B1 (en) * | 2006-04-06 | 2007-07-18 | 주식회사 나래나노텍 | Vibratory-type cleaning device for cleaning slit die |
| KR100984705B1 (en) * | 2008-06-25 | 2010-10-01 | 삼성중공업 주식회사 | Ultrasonic cleaning apparatus |
| KR20170031348A (en) | 2015-09-11 | 2017-03-21 | 박일환 | Cleaning apparatus using ultrasonic waves for nozzle |
-
2004
- 2004-05-12 KR KR1020040033276A patent/KR20050108497A/en not_active Application Discontinuation
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