KR20050104504A - Equipment for preventing fail of drypump in semiconductor product device - Google Patents

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KR20050104504A
KR20050104504A KR1020040029822A KR20040029822A KR20050104504A KR 20050104504 A KR20050104504 A KR 20050104504A KR 1020040029822 A KR1020040029822 A KR 1020040029822A KR 20040029822 A KR20040029822 A KR 20040029822A KR 20050104504 A KR20050104504 A KR 20050104504A
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Abstract

본 발명은 반도체 제조설비에서 드라이펌프의 로터를 대기에 노출되지 않도록 하여 오일이나 흄에 의해 굳어서 재시동되지 않는 페일을 방지하는 드라이펌프 페일방지장치에 관한 것이다.The present invention relates to a dry pump fail prevention device for preventing a rotor of the dry pump from being exposed to the atmosphere in a semiconductor manufacturing facility to prevent failing to be restarted by being hardened by oil or fume.

이를 위한 반도체 제조설비의 드라이펌프 페일방지장치는, 공정을 수행하기 위한 공정챔버와, 상기 공정챔버의 측벽에 결합된 펌핑라인과, 상기 펌핑라인과 연결되어 드라이공정 시 상기 공정챔버의 잔류개스를 배출하기 위한 드라이펌프와, 상기 펌핑라인 상에 설치되어 상기 공정챔버와 드라이펌프 간의 펌핑라인을 차단하기 위한 밸브와, 설비의 트레이스 시 상기 벤트밸브를 크로스시키고 상기 드라이펌프를 일정한 속도로 슬로우 펌핑하도록 제어하는 콘트롤러를 포함한다.Dry pump fail prevention device of the semiconductor manufacturing equipment for this purpose, a process chamber for performing the process, a pumping line coupled to the side wall of the process chamber, connected to the pumping line and the residual gas of the process chamber during the dry process A dry pump for discharging, a valve installed on the pumping line to block the pumping line between the process chamber and the dry pump, and to cross the vent valve when the facility is traced and to slow pump the dry pump at a constant speed. Contains the controller to control.

본 발명은 트레이스 시 펜들럼 벤트밸브를 크로스하여 드라이펌프가 대기에 노출되지 않도록 하는 동시에 일정한 속도로 드라이펌프를 구동시켜 슬로우 펌핑하도록 하여 다시 공정을 진행할 시 드라이펌프 페일현상을 방지한다. The present invention crosses the pendulum vent valve at the time of tracing so that the dry pump is not exposed to the atmosphere, and at the same time, the dry pump is driven to be slow pumped to prevent the dry pump failing during the process.

Description

반도체 제조설비의 드라이펌프 페일방지장치{EQUIPMENT FOR PREVENTING FAIL OF DRYPUMP IN SEMICONDUCTOR PRODUCT DEVICE} Dry Pump Fail-proof Device of Semiconductor Manufacturing Equipment {EQUIPMENT FOR PREVENTING FAIL OF DRYPUMP IN SEMICONDUCTOR PRODUCT DEVICE}

본 발명은 반도체 제조설비의 드라이펌프 페일방지장치에 관한 것으로, 특히 반도체 제조설비에서 드라이펌프의 로터를 대기에 노출되지 않도록 하여 오일이나 흄에 의해 굳어서 재시동되지 않는 페일을 방지하는 드라이펌프 페일방지장치에 관한 것이다.The present invention relates to a dry pump fail prevention device of a semiconductor manufacturing facility, and in particular, a dry pump fail prevention device that prevents a fail of restarting by hardening by oil or fume by preventing the rotor of a dry pump from being exposed to the atmosphere in a semiconductor manufacturing facility. It is about.

일반적으로 반도체장치는 웨이퍼 상에 사진, 식각, 확산, 화학기상증착, 이온주입, 금속증착 등의 공정을 선택적이고도 반복적으로 수행하게 됨으로써 이루어지고, 이들 반도체장치 제조공정 중 식각, 확산, 화학기상증착 등의 공정은 밀폐된 공정챔버 내에 소정의 분위기하에서 공정가스를 투입함으로써 공정챔버 내의 웨이퍼 상에서 반응토록 하는 공정을 수행하게 된다. 이러한 반도체 제조공정은 대부분 진공상태에서 진행되고 있으며, 진공상태가 설정된 값에서 정확하게 유지되어야만 정밀한 반도체 제조공정을 수행할 수 있다.In general, a semiconductor device is formed by selectively and repeatedly performing a process such as photographing, etching, diffusion, chemical vapor deposition, ion implantation, metal deposition, etc. on a wafer, and etching, diffusion, and chemical vapor deposition during the manufacturing process of these semiconductor devices. For example, the process may be performed on a wafer in the process chamber by injecting a process gas into a closed process chamber in a predetermined atmosphere. Most of these semiconductor manufacturing processes are performed in a vacuum state, and precise semiconductor manufacturing processes can be performed only when the vacuum state is accurately maintained at a set value.

그런데 에칭장치나 CVD장치(화학진공 증착장치) 등의 막 형성장치를 진공배기하는 펌프로서, 반도체 소자의 미세화나 유지관리를 필요로 하지 않는점에서 전자석의 자력에 의해 로우터를 부상시켜, 비접촉으로 로우터를 지지하는 자기 베어링을 사용한 터보 진공펌프가 많이 사용되고 있다. 이와 같은 터보형 진공펌프의 예가 일본국 실개 평 4-127893호 공보에 복합형 터보분자 펌프로서 기재되어 있다.However, as a pump for evacuating a film forming apparatus such as an etching apparatus or a CVD apparatus (chemical vacuum deposition apparatus), the rotor is floated by the magnetic force of the electromagnet in a non-contact manner in that it does not require miniaturization or maintenance of semiconductor elements. BACKGROUND ART Turbo vacuum pumps using magnetic bearings for supporting rotors are frequently used. An example of such a turbo type vacuum pump is described in Japanese Patent Application Laid-open No. Hei 4-127893 as a hybrid turbomolecular pump.

이 복합형 터보분자 펌프에서는, 흡입구와 토출구를 가지는 케이싱내에, 로우터날개와 나사홈 날개를 가지는 로우터가 회전자유롭게 설치되어 있고, 로우터날개와 나사홈 날개에 대향한 위치의 케이싱 내벽에는 스테이터 날개 및 나사스테이터가 부착되어 있다. 또, 로우터에는 반경방향 및 축방향의 힘을 발생하는 전자석이 각각 별개로 부착되어 있다. 로우터의 위치는 반경방향 센서와 축방향 센서에 의해 검출되고, 이들 센서의 출력에 의거하여 제어계가 각 전자석의 여자전류를 제어하여, 로우터를 소정의 위치로 부상 유지한다. 자기부상한 로우터는, 모터에 의해 고속으로 회전된다. 로우터날개와 나사홈 날개가 스테이터 날개 및 나사 스테이터에 대하여 상대적으로 고속회전하여 펌프작용이 생기고, 흡입구로부터 흡입된 기체가 압축되어 토출구로부터 배기된다. 배기구는, 오일 회전펌프나 작동실에 오일을 사용하지 않는 드라이펌프 등의 조인(粗引) 펌프의 흡입측에 접속된다.In this hybrid turbomolecular pump, a rotor having rotor blades and a screw groove blade is freely installed in a casing having an inlet port and a discharge port, and stator blades and screws are provided on a casing inner wall facing the rotor blades and the screw groove blades. The stator is attached. Moreover, electromagnets generating radial and axial forces are separately attached to the rotor. The position of the rotor is detected by the radial sensors and the axial sensors, and the control system controls the exciting current of each electromagnet based on the outputs of these sensors to float the rotor to a predetermined position. The magnetic levitation rotor is rotated at a high speed by the motor. The rotor blades and the threaded groove blades rotate at a relatively high speed with respect to the stator blades and the screw stators to generate a pumping action, and the gas sucked from the suction port is compressed and exhausted from the discharge port. The exhaust port is connected to the suction side of a joining pump such as an oil rotary pump or a dry pump which does not use oil in the operation chamber.

이 펌프를 에칭장치, CVD장치 등의 막 형성장치에 사용하면, 반응생성물(염화알루미늄 등)이 펌프내부에 부착퇴적하는 경우가 있다. 그래서 퇴적물의 양을 검출하고, 퇴적물의 양이 소정치를 초과하였으면 로우터를 회전시킨채 로우터와 스테이터가 접촉하지 않는 범위내에서 로우터를 변칙 회전시켜 퇴적물을 긁어 떨어뜨린다.When this pump is used for film forming apparatuses such as an etching apparatus and a CVD apparatus, reaction products (aluminum chloride, etc.) may adhere and deposit inside the pump. Therefore, the amount of the deposit is detected. If the amount of the deposit exceeds a predetermined value, the rotor is rotated and the rotor is irregularly rotated within the range where the rotor and the stator are not in contact with each other, so that the deposit is scraped off.

자기 베어링을 사용하여 로우터를 지지하고, 대기압에서 배기가능한 터보 진공펌프의 다른 예가, 일본국 특개 평 6-101689호 공보에 기재되어 있다. 이 종래예에 있어서는, 흡기구와 배기구를 가지는 하우징내에 원주류 압축펌프단과 원심 압축 펌프단으로 이루어지는 배기펌프부를 설치하고, 배기 펌프부와 배기 펌프부를 구동하는 모터가 일체로 형성된 로우터의 양단측을 자기 베어링에 의해 지지하는 동시에, 시일수단을 배기 펌프부 반대쪽의 흡기구와 모터와의 사이에 배치하고 있다.Another example of a turbo vacuum pump supporting a rotor using a magnetic bearing and evacuating at atmospheric pressure is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-101689. In this conventional example, an exhaust pump portion consisting of a mainstream compression pump stage and a centrifugal compression pump stage is provided in a housing having an inlet port and an exhaust port, and both ends of the rotor in which the exhaust pump unit and the motor driving the exhaust pump unit are integrally formed are magnetized. While being supported by a bearing, a sealing means is arranged between the intake port on the opposite side of the exhaust pump portion and the motor.

상기 일본국 실개 평 4-127893호 공보에 기재한 복합형 터보 분자 펌프에 있어서는, 로우터가 고속회전하고 있어 반응생성물의 퇴적량이 소정치를 초과했을 때에 로우터를 변칙 회전시키고, 로우터와 스테이터에 부착 퇴적한 반응생성물을 충돌시켜 반응생성물을 긁어 떨어 뜨린다. 그 때문에, 반응생성물 끼리 충돌하는 순간에 이상음이나 이상진동이 발생할 우려가 있다. 또, 블레이드가 얇고 강성이 작은 로우터 날개는 블레이드가 굽어지기 쉽고, 굽어짐에 의해 밸런스가 무너지면 이상진동이나 최악의 경우 로우터와 스테이터가 접촉하여 파괴를 일으키는 일도 있어, 반도체 제조에 지장을 초래할 우려가 있다. 또, 복합형 터보분자 펌프를 대기압하에서 운전할 수는 없기 때문에, 진공챔버의 클리닝 등에 의해 진공 챔버를 대기압으로 되돌리는 경우에는, 복합형 터보분자 펌프를 정지시키지 않으면 안되고, 재기동시에는 로우터나 스테이터에 퇴적한 반응생성물이 냉각되어 고착되어, 복합형 터보분자 펌프의 재기동이 곤란해진다고 하는 문제가 있었다.In the hybrid turbomolecular pump described in Japanese Patent Application Laid-open No. Hei 4-127893, when the rotor is rotating at high speed and the deposition amount of the reaction product exceeds a predetermined value, the rotor is irregularly rotated and attached to the rotor and the stator. A reaction product is collided to scrape off the reaction product. For this reason, abnormal sounds and abnormal vibrations may occur at the moment when reaction products collide with each other. In addition, rotor blades with thin blades and small rigidity tend to bend the blades, and if the balance breaks down due to bending, abnormal vibration or worst case contact with the rotor and stator may cause breakage, which may interfere with semiconductor manufacturing. There is. In addition, since the hybrid turbomolecular pump cannot be operated under atmospheric pressure, the hybrid turbomolecular pump must be stopped when the vacuum chamber is returned to atmospheric pressure by cleaning the vacuum chamber or the like. There is a problem that the deposited reaction product is cooled and fixed, and it is difficult to restart the hybrid turbomolecular pump.

한편, 일본국 특개 평 6-101689호 공보에 기재된 터보 진공펌프는, 원주류 압축펌프나 원심압축 펌프의 날개의 강성이 높고, 로우터 회전중에는 끊임없이 반응생성물을 긁어 떨어 뜨리고 있어, 특별한 운전제어가 불필요하다. 그러나, 펌프 정지후의 재기동에 대해서는 고려되어 있지 않아, 펌프 정지중에는 대기중에 노출되어 모터로 주입되는 오일이 굳거나 프로세스도중에 발생된 흄이 로우터와 스테이터에 고착되어 드라이펌프의 재기동이 되지 않는 페일이 발생하는 문제가 있었다. On the other hand, the turbo vacuum pump described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-101689 has high rigidity of a wing of a mainstream compression pump or a centrifugal compression pump, and continuously scrapes off the reaction product during the rotation of the rotor, so that no special operation control is necessary. Do. However, it is not considered to restart after the pump stops, so that the oil that is exposed to the atmosphere during the pump stoppage is hardened or the fume generated during the process is stuck to the rotor and stator, causing the fail of restarting the dry pump. There was a problem.

따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 반도체 제조설비에서 드라이펌의 정지시에 대기에 노출되지 않도록 하여 모터에 주입되는 오일이굳거나 프로세스 도중에 발생된 흄이 로우터에 고착되어 펌프가 재시동되지 않는 페일을 방지하는 드라이펌프 페일방지장치를 제공함에 있다. Accordingly, an object of the present invention is to solve the above problems, so that the oil injected into the motor is fixed or the fume generated during the process is fixed to the rotor so that the pump is not exposed to the atmosphere when the dry pump is stopped in the semiconductor manufacturing facility. The present invention provides a dry pump fail prevention device for preventing a fail that is not restarted.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조설비의 드라이펌프 페일방지장치는, 공정을 수행하기 위한 공정챔버와, 상기 공정챔버의 측벽에 결합된 펌핑라인과, 상기 펌핑라인과 연결되어 드라이공정 시 상기 공정챔버의 잔류개스를 배출하기 위한 드라이펌프와, 상기 펌핑라인 상에 설치되어 상기 공정챔버와 드라이펌프 간의 펌핑라인을 차단하기 위한 밸브와, 설비의 트레이스 시 상기 벤트밸브를 크로스시키고 상기 드라이펌프를 일정한 속도로 슬로우 펌핑하도록 제어하는 콘트롤러를 포함함을 특징으로 한다.Dry pump fail prevention apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention for achieving the above object, a process chamber for performing a process, a pumping line coupled to the side wall of the process chamber, and connected to the pumping line during the dry process A dry pump for discharging the residual gas of the process chamber, a valve installed on the pumping line to block the pumping line between the process chamber and the dry pump, crosses the vent valve when the facility traces and crosses the dry pump. It characterized in that it comprises a controller for controlling to slow pumping at a constant speed.

상기 밸브는 펜들럼 벤트밸브를 사용한다. The valve uses a pendulum vent valve.

이하 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조설비의 드라이펌프 페일방지장치의 구조도이다. 1 is a structural diagram of a dry pump fail prevention apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

증착공정 또는 플라즈마 공정, 확산공정, 화학기상 증착공정 등 다양한 공정을 수행하기 위한 공정챔버(10)와, 공정챔버(10)의 상부에 연결된 개스공급관(12)과, 상기 개스공급관(12) 상에 설치되어 개스를 공급하거나 차단하는 에어밸브(14)와, 상기 에어밸브(14)의 후단에 개스공급관(12)과 연결되어 개스량 흐름을 제어하는 매스 플로우 콘트롤러(MFC: Mass Flow Controller)(16)와, 상기 공정챔버(10) 내에 설치되어 개스공급부로부터 공급되는 개스를 공정챔버(10) 내부로 분출하도록 하는 샤워헤드(Shower Head)(18)와, 상기 공정챔버(10)의 하부에 설치되어 장착되어 있는 웨이퍼(도시하지 않음)를 설정된 온도로 가열하기 위한 히터부(20)와, 상기 공정챔버(10)의 측벽에 결합된 펌핑라인(22)과, 상기 펌핑라인(22)에 연결되어 드라이공정 시 잔류개스를 배출하기 위한 드라이펌프(26)와, 상기 펌핑라인(2) 상에 설치되어 상기 공정챔버(10)와 상기 드라이펌프(26) 간에 대기의 노출을 되지 않도록 상기 공정챔버(10)와 드라이펌프(26) 간의 펌핑라인을 차단하기 위한 펜들럼 벤트밸브(PENDULUM VENT VALVE)(20)와, 설비의 트레이스(Trace) 시 상기 펜들럼 벤트밸브(20)를 크로스시키고 드라이펌프(26)를 일정한 속도로 슬로우 펌핑하도록 제어하는 콘트롤러(28)로 구성되어 있다. A process chamber 10 for performing various processes such as a deposition process or a plasma process, a diffusion process, and a chemical vapor deposition process, a gas supply pipe 12 connected to an upper portion of the process chamber 10, and an upper portion of the gas supply pipe 12. A mass flow controller (MFC) installed at the air valve 14 for supplying or blocking gas and connected to a gas supply pipe 12 at the rear end of the air valve 14 to control gas flow; 16), a shower head 18 installed in the process chamber 10 to eject gas supplied from the gas supply unit into the process chamber 10, and a lower portion of the process chamber 10. On the heater unit 20 for heating the installed wafer (not shown) to a set temperature, the pumping line 22 coupled to the side wall of the process chamber 10, and the pumping line 22 Connected to discharge residual gas in dry process Installed on the pump 26 and the pumping line 2 between the process chamber 10 and the dry pump 26 so as not to expose the atmosphere between the process chamber 10 and the dry pump 26 PENDULUM VENT VALVE 20 to shut off the pumping line, cross the PENDULUM VENT VALVE 20 at the trace of the plant and to slow pump the dry pump 26 at a constant rate. It is comprised by the controller 28 which controls.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 도 1의 드라이펌프(26)의 종단면도이다.2 is a longitudinal cross-sectional view of the dry pump 26 of FIG. 1 according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 흡기구(101)와 배기구(102)를 구비한 하우징(100)내에, 로우터(103)가 회전가능하게 수납되어 있다. 로우터(103)의 한쪽 끝단측에 형성된 로우터축(103A)과 드러스트 능동 자기 베어링(104)과 래디얼 능동 자기 베어링(105)으로 지지되고, 로우터(103)의 다른쪽 끝단측에 형성된 로우터축(103B)은 래디얼 능동 자기 베어링(106)에 의해 각각 지지되어 있다. 래디얼 능동 자기 베어링(105, 106)과 각각의 축의 축단과의 사이에는, 터치다운 베어링(107, 108)이 설치되어 있다. 래디얼 능동 자기 베어링(105), 드러스트 능동 자기 베어링(104) 및 터치 다운 베어링(107)은, 하우징(100)의 단부에 형성한 베어링실(109)에, 래디얼 능동 자기 베어링(106)과 터치다운 베어링(108)은 하우징(100)의 다른쪽 끝단부에 부착한 베어링실내(110)에 수납되어 있다.Referring to FIG. 2, the rotor 103 is rotatably housed in the housing 100 including the inlet port 101 and the exhaust port 102. The rotor shaft 103A formed on one end side of the rotor 103, the rotor active magnetic bearing 104, and the radial active magnetic bearing 105 are supported, and the rotor shaft formed on the other end side of the rotor 103 ( 103B is supported by radial active magnetic bearings 106, respectively. Touchdown bearings 107 and 108 are provided between the radial active magnetic bearings 105 and 106 and the shaft ends of the respective shafts. The radial active magnetic bearing 105, the thrust active magnetic bearing 104 and the touch down bearing 107 touch the radial active magnetic bearing 106 and the bearing chamber 109 formed at the end of the housing 100. The down bearing 108 is housed in a bearing chamber 110 attached to the other end of the housing 100.

베어링실(109)에는 모터(111)도 수용되어 있고, 이 모터(111)가 로우터(103)를 구동한다. 래디얼 능동 자기 베어링(105, 106)의 근방에는 래디얼 방향의 위치를 검출하는 위치 센서(112)가, 로우터축(103A)의 단부에는 드러스트 방향의 위치를 검출하는 위치 센서(113)가 설치되어 있다. 축방향으로 흡기구(101)와 배기구(102)와의 사이에는 배기 펌프부가 형성되어 있고, 흡기구(101)측으로부터 순차적으로, 배기펌프를 형성하는 원심 압축 펌프단(50A), 원주류 압축 펌프단(60A)이 배치되어 있다.The motor 111 is also accommodated in the bearing chamber 109, and this motor 111 drives the rotor 103. In the vicinity of the radial active magnetic bearings 105 and 106, a position sensor 112 for detecting the position in the radial direction is provided, and a position sensor 113 for detecting the position in the thrust direction is provided at the end of the rotor shaft 103A. have. An exhaust pump part is formed between the inlet port 101 and the exhaust port 102 in the axial direction, and the centrifugal compression pump stage 50A and the cylindrical mainstream compression pump stage that sequentially form the exhaust pump from the inlet port 101 side ( 60A) is arranged.

축방향으로 흡기구(101)와 모터(111)와의 사이에는, 나사시일(114)이, 나사시일(114)과 모터(111) 사이에는 라비린스시일(Labyrinth seal)(115)이 배설되어 있다. 베어링실(110)과 원주류 압축 펌프단(60A)과의 사이에도 라비린스시일(116)이 배설되어 있어, 배기펌프부와 베어링실(110)을 시일한다. 베어링실(109, 110)에는 퍼지가스 공급구(117, 118)가 설치되어 있어, 진공펌프의 외부로부터 질소 등의 불활성 가스를 퍼지 가스로서 공급하게 된다.A screw seal 114 is disposed between the inlet port 101 and the motor 111 in the axial direction, and a labyrinth seal 115 is disposed between the screw seal 114 and the motor 111. The labyrinth seal 116 is arrange | positioned also between the bearing chamber 110 and 60 A of mainstream compression pump stages, and seals the exhaust pump part and the bearing chamber 110. As shown in FIG. The purge gas supply ports 117 and 118 are provided in the bearing chambers 109 and 110, and inert gas, such as nitrogen, is supplied as a purge gas from the exterior of a vacuum pump.

상술한 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예의 동작을 상세히 설명한다.1 and 2 will be described in detail the operation of the preferred embodiment of the present invention.

본 발명의 반도체 제조설비는 개스공급부(12)로부터 개스를 공급하고 히터부(16)를 가열하여 프로세스를 진행한다. 이때 콘트롤러(28)는 드라이펌프(22)를 구동시켜 불필요한 잔류개스를 펌핑라인(18)을 통해 배출하여 진공상태로 만든다. The semiconductor manufacturing equipment of the present invention supplies the gas from the gas supply unit 12 and heats the heater unit 16 to proceed with the process. At this time, the controller 28 drives the dry pump 22 to discharge unnecessary residual gas through the pumping line 18 to make a vacuum state.

그런데 이러한 반도체 제조설비는 트레이스(Trace)를 할 경우 대기에 노출되도록 되어 있다. 이때 콘트롤러(28)는 펜들럼 벤트밸브(24)를 크로스(Close)하여 대기에 노출되지 않도록 하고 드라이펌프(26)를 일정한 속도로 슬로우 펌핑(Slow Pumping)을 할 수 있도록 드라이펌프(26)를 제어한다. However, these semiconductor manufacturing facilities are exposed to the atmosphere when the trace (Trace). At this time, the controller 28 crosses the pendulum vent valve 24 so as not to be exposed to the atmosphere, and the dry pump 26 may be slowly pumped at a constant speed to allow the dry pump 26 to be slow pumped. To control.

따라서 드라이펌프(26)의 로우터(103)는 대기에 노출되지 않게되어 오일이나 공정진행 중에 발생한 흄에 의해 굳지 않게 된다. 이로인해 드라이펌프(26)는 공정진행 시 로우터(103)가 모터에 주입되는 오일이 굳거나 공정진행 중에 발생한 흄에 의해 굳어 재시동이 되지 않는 페일현상을 방지할 수 있다. Therefore, the rotor 103 of the dry pump 26 is not exposed to the atmosphere and is not hardened by the oil or the fume generated during the process. As a result, the dry pump 26 may prevent a failure phenomenon in which the rotor 103 is hardened by the oil injected into the motor during the process progress or is hardened by the fume generated during the process progress and does not restart.

상술한 바와 같이 본 발명은 드라이펌프와 공정챔버 사이의 펌핑라인 상에 펜들럼 벤트밸브를 설치하여 트레이스 시 펜들럼 벤트밸브를 크로스하여 드라이펌프가 대기에 노출되지 않도록 하는 동시에 일정한 속도로 드라이펌프를 구동시켜 슬로우 펌핑하도록 하여 다시 공정을 진행할 시 드라이펌프 페일현상을 방지할 수 있는 이점이 있다.As described above, the present invention installs a pendulum vent valve on a pumping line between the dry pump and the process chamber to cross the pendulum vent valve at the time of tracing so that the dry pump is not exposed to the air and at the same time the dry pump is By driving slow pumping, there is an advantage that can prevent the dry pump fail when proceeding again.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조설비의 드라이펌프 페일방지장치의 구조도1 is a structural diagram of a dry pump fail prevention apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 도 1의 드라이펌프(26)의 종단면도2 is a longitudinal cross-sectional view of the dry pump 26 of FIG. 1 in accordance with an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *        Explanation of symbols on main parts of drawing

10: 쳄버 12: 개스공급관10: chamber 12: gas supply pipe

14: 에어밸브 16: MFC14: Air valve 16: MFC

18: 샤워헤드 20: 히터18: showerhead 20: heater

22: 펌핑라인 24: 펜들럼 벤트밸브 22: pumping line 24: pendulum vent valve

26: 드라이펌프 28: 콘트롤러 26: dry pump 28: controller

Claims (2)

반도체 제조설비의 드라이펌프 페일방지장치에 있어서,In the dry pump fail prevention apparatus of the semiconductor manufacturing equipment, 공정을 수행하기 위한 공정챔버와, A process chamber for carrying out the process, 상기 공정챔버의 측벽에 결합된 펌핑라인과, A pumping line coupled to the side wall of the process chamber; 상기 펌핑라인과 연결되어 드라이공정 시 상기 공정챔버의 잔류개스를 배출하기 위한 드라이펌프와,A dry pump connected to the pumping line to discharge residual gas of the process chamber during a dry process; 상기 펌핑라인 상에 설치되어 상기 공정챔버와 드라이펌프 간의 펌핑라인을 차단하기 위한 밸브와, A valve installed on the pumping line to block a pumping line between the process chamber and the dry pump; 설비의 트레이스 시 상기 벤트밸브를 크로스시키고 상기 드라이펌프를 일정한 속도로 슬로우 펌핑하도록 제어하는 콘트롤러를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 드라이펌프 페일방지장치. And a controller for controlling the pump to cross the vent valve and to slow pump the dry pump at a constant speed during the trace of the equipment. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 밸브는 펜들럼 벤트밸브임을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 드라이펌프의 페일방지장치.The valve is a pendulum vent valve, the fail-safe device of the dry pump of the semiconductor manufacturing equipment.
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