KR100992128B1 - Treatment system for liquid crystal display - Google Patents

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Abstract

기판 이송 장치를 포함하는 이송 챔버, 이송 챔버 내의 기판이 게이트를 통해 그 내부로 이송되는 공정 챔버, 이송 챔버에 설치되어 있으며 게이트를 개폐하는 게이트 밸브를 포함하고, 게이트는 이송 챔버와 공정 챔버 사이에 형성되어 있는 분리벽에 형성되어 있는 관통 구멍이며, 게이트 밸브와 분리벽 사이에는 오링이 설치되어 있고, 공정 챔버에는 오링을 보호하는 오링 커버가 설치되어 있는 액정 표시 장치용 처리 시스템. A transfer chamber including a substrate transfer device, a process chamber in which a substrate in the transfer chamber is transferred through the gate, and a gate valve installed in the transfer chamber and opening and closing the gate, the gate being between the transfer chamber and the process chamber. A through-hole formed in the formed partition wall, wherein an O-ring is provided between the gate valve and the partition wall, and an O-ring cover is provided in the process chamber to protect the O-ring.

식각시스템, 로드락챔버, 이송챔버, 오링, 파티클Etching System, Load Lock Chamber, Transfer Chamber, O-Ring, Particles

Description

액정 표시 장치용 처리 시스템{Treatment system for liquid crystal display}Processing system for liquid crystal display

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 처리 시스템을 도시한 도면으로서, 게이트 밸브 및 오링 커버를 조절하여 게이트를 개방한 상태를 도시한 도면이고,1 is a view showing a processing system for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, and showing a state in which a gate is opened by adjusting a gate valve and an O-ring cover.

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 처리 시스템을 도시한 도면으로서, 공정 챔버에서 공정이 진행되는 상태를 도시한 도면이다. FIG. 2 is a view illustrating a processing system for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, illustrating a state in which a process is performed in a process chamber.

본 발명은 액정 표시 장치용 처리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a processing system for a liquid crystal display device.

액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전계 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 액정층을 통과하는 빛의 투과율을 조절하는 표시 장치이다.The liquid crystal display is one of the most widely used flat panel display devices. The liquid crystal display includes two display panels on which a field generating electrode is formed and a liquid crystal layer interposed therebetween. It is a display device which controls the transmittance | permeability of the light which passes through a liquid crystal layer by rearranging.

일반적으로 액정 표시 장치용 처리 시스템은 대형 유리 모기판을 가공 처리하기 위한 공정 챔버(process chamber), 공정 챔버로 이송되기 전에 대형 유리 모 기판이 적재되는 로드 락 챔버(roadlock chamber) 및 로드 락 챔버 내에 적재된 대형 유리 모기판을 공정 챔버로 이송하기 위한 이송 장치를 포함하는 이송 챔버(transfer chamber)로 이루어진다.Generally, processing systems for liquid crystal display devices include a process chamber for processing a large glass mother substrate, a load lock chamber in which a large glass mother substrate is loaded before being transferred to the process chamber, and a load lock chamber. It consists of a transfer chamber containing a transfer device for transferring the loaded large glass mother substrate to the process chamber.

공정 챔버 내의 분위기는 단위 공정 중에 불순물로 인해 오염되는 것을 방지하기 위해 항상 진공 상태로 유지된다. 그리고, 공정 챔버 내의 분위기가 항상 진공 상태로 유지되기 위해서는 로드 락 챔버 및 이송 챔버의 분위기 또한 진공 상태로 유지되어야 한다. 이는 대형 유리 모기판이 공정 챔버 내로 이송되기 위해서 일련의 과정을 거치기 때문이다. The atmosphere in the process chamber is always kept in vacuum to prevent contamination by impurities during the unit process. In addition, the atmosphere of the load lock chamber and the transfer chamber must also be maintained in a vacuum state so that the atmosphere in the process chamber is always maintained in a vacuum state. This is because the large glass mother substrate goes through a series of processes to be transferred into the process chamber.

따라서, 이송 챔버와 공정 챔버간의 밀봉을 위해 이송 챔버와 공정 챔버 사이의 분리벽과, 이러한 분리벽에 형성되어 있는 게이트를 개폐하는 게이트 밸브 사이에는 오링(O-ring)이 설치되어 있다. Therefore, an O-ring is provided between the separation wall between the transfer chamber and the process chamber for sealing between the transfer chamber and the process chamber, and the gate valve for opening and closing the gate formed on the separation wall.

그러나, 이러한 오링이 노출된 상태에서 공정 챔버 내에서 플라즈마를 이용한 CVD 공정이나, 건식 식각 공정이 진행되므로, 오링에 화학적인 반응이 발생하여 부식이 일어난다. However, since the CVD process using a plasma or the dry etching process is performed in the process chamber while the O-ring is exposed, a chemical reaction occurs in the O-ring and corrosion occurs.

그리고, 오링에 접촉되어 있는 게이트 밸브의 개폐 동작 시 물리적인 마찰에 의해 갈라짐, 찢김 등이 발생하기 쉽고 이에 따라 오링 파티클(O-ring Particle)이 발생한다. In addition, during opening and closing operations of the gate valve in contact with the O-ring, cracking, tearing, etc. are likely to occur due to physical friction, and thus O-ring particles are generated.

이러한 오링 파티클은 공정 챔버 내의 기판에 안착하여, 기판에 형성되어 있는 패턴을 덮어서 결함(Defect) 즉, 단락이나 쇼트 등을 유발한다는 단점이 있다. The O-ring particle is deposited on a substrate in the process chamber, and covers a pattern formed on the substrate to cause a defect, that is, a short circuit or a short.

따라서, 종래에는 마모도가 적은 고가의 오링을 사용하거나, 오링을 자주 교 체함으로써 이러한 문제를 해결하였다. Therefore, conventionally, this problem is solved by using an expensive O-ring having less wear or frequently replacing the O-ring.

본 발명의 기술적 과제는 오링의 손상을 방지하여 오링 파티클의 발생을 감소시키는 액정 표시 장치용 처리 시스템을 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a processing system for a liquid crystal display device which prevents damage to an O-ring to reduce generation of O-ring particles.

본 발명에 따른 액정 표시 장치용 처리 시스템은 기판 이송 장치를 포함하는 이송 챔버, 상기 이송 챔버 내의 기판이 게이트를 통해 그 내부로 이송되는 공정 챔버, 상기 이송 챔버에 설치되어 있으며 상기 게이트를 개폐하는 게이트 밸브를 포함하고, 상기 게이트는 상기 이송 챔버와 상기 공정 챔버 사이에 형성되어 있는 분리벽에 형성되어 있는 관통 구멍이며, 상기 게이트 밸브와 분리벽 사이에는 오링이 설치되어 있고, 상기 공정 챔버에는 상기 오링을 보호하는 오링 커버가 설치되어 있는 것이 바람직하다. A processing system for a liquid crystal display according to the present invention includes a transfer chamber including a substrate transfer device, a process chamber in which a substrate in the transfer chamber is transferred into the interior of the transfer chamber, and a gate installed in the transfer chamber and opening and closing the gate. And a valve, wherein the gate is a through hole formed in a separation wall formed between the transfer chamber and the process chamber, and an O-ring is provided between the gate valve and the separation wall, and the O-ring is provided in the process chamber. It is preferable that an O-ring cover is provided to protect the oil.

또한, 상기 게이트 밸브 및 오링 커버에는 각각 제1 에어 실린더 및 제2 에어 실린더가 연결되어 있어서, 상기 게이트 밸브 및 오링 커버의 개폐를 조절하는 것이 바람직하다. In addition, since the first air cylinder and the second air cylinder are connected to the gate valve and the O-ring cover, respectively, it is preferable to control the opening and closing of the gate valve and the O-ring cover.

또한, 상기 오링 커버는 상기 게이트 밸브의 개폐와 동일하게 동작하는 것이 바람직하다. In addition, the O-ring cover is preferably operated in the same manner as the opening and closing of the gate valve.

또한, 상기 오링 커버의 표면에는 산화막 처리가 되어있는 것이 바람직하다. In addition, the surface of the O-ring cover is preferably subjected to an oxide film treatment.

또한, 상기 오링은 불소 탄성체인 것이 바람직하다. In addition, the O-ring is preferably a fluoroelastomer.

그러면, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. Then, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

이제 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 처리 시스템 및 그 사용 방법에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a processing system for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention and a method of using the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 처리 시스템을 개략적으로 도시한 도면으로서, 게이트 밸브 및 오링 커버를 조절하여 게이트를 개방한 상태를 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 처리 시스템을 도시한 도면으로서, 공정 챔버에서 공정이 진행되는 상태를 도시한 도면이다.1 is a view schematically showing a processing system for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, which shows a state in which a gate is opened by adjusting a gate valve and an O-ring cover, and FIG. FIG. 1 is a view illustrating a processing system for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment, illustrating a state in which a process is performed in a process chamber. FIG.

도 1을 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 처리 시스템은 기판(110)을 적재하는 로드 락 챔버(도시하지 않음), 로드 락 챔버 내에 적재된 기판(110)을 이송하는 이송 챔버(100), 이송 챔버(100)로부터 기판(110)이 유입되어 기판(110)을 가공 처리하는 공정 챔버(300)를 포함한다. Referring to FIG. 1, a processing system for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment may include a load lock chamber (not shown) for loading a substrate 110 and a substrate 110 loaded in a load lock chamber. The transfer chamber 100 and the substrate 110 may be introduced from the transfer chamber 100 to process the substrate 110.

이송 챔버(100)는 기판(110)이 유입되는 유입 게이트(도시하지 않음), 기판(110)을 공정 챔버(300)로 이송하기 위한 기판 이송 장치(140)를 포함한다. 이러한 기판 이송 장치는 로봇암(140)의 형태인 것이 바람직하다. The transfer chamber 100 includes an inflow gate (not shown) into which the substrate 110 is introduced, and a substrate transfer device 140 for transferring the substrate 110 to the process chamber 300. This substrate transfer device is preferably in the form of a robot arm (140).

이송 챔버(100)에 위치하는 기판(110)은 공정 챔버(300)에서 가공 처리되기 위해 로드 락 챔버에서 이송된 것이다. 또한 이송 챔버(100)에 위치하는 기판(110)은 공정 챔버(300)에서 가공 처리를 마친 후 로봇암(140)에 의해 이송된 것일 수 있다.The substrate 110 positioned in the transfer chamber 100 is transferred from the load lock chamber to be processed in the process chamber 300. In addition, the substrate 110 positioned in the transfer chamber 100 may be transferred by the robot arm 140 after finishing processing in the process chamber 300.

로봇암(140)은 기판(110)을 이송 챔버(100)에서 공정 챔버(300)로 또는 공정 챔버(300)에서 이송 챔버(100)로 이송시키는 역할을 수행한다.The robot arm 140 transfers the substrate 110 from the transfer chamber 100 to the process chamber 300 or from the process chamber 300 to the transfer chamber 100.

공정 챔버(300)의 분위기를 진공 상태로 계속 유지하기 위해서는 이송 챔버(100)의 분위기 또한 진공 상태로 유지시켜야 한다.In order to maintain the atmosphere of the process chamber 300 in a vacuum state, the atmosphere of the transfer chamber 100 must also be maintained in a vacuum state.

이송 챔버(100) 내에는 760 Torr 내지 10-3 Torr의 저진공 내지 중진공이 요구되며, 이러한 진동을 만들기 위해서 드라이 진공 펌프(Dry vacuum pump)(120)가 연결되어 있다. 드라이 진공 펌프(120)는 오일 및 물을 사용하는 습식 펌프와 달리 펌프 내에 오일 공급없이 구동되는 진공 펌프로서 오일미스트가 발생되지 않아 배기가스로 인한 오염발생이 없어 반도체장비 공정 같은 쾌적한 환경을 요하는 곳에서 사용하기 적합한 펌프이다. 소음 및 진동이 거의 없으며, 오일 및 구리스 주입 등이 필요없기 때문에 내구성이 우수하고, 점검이 거의 필요하지 않다.Low to medium vacuum of 760 Torr to 10 -3 Torr is required in the transfer chamber 100, and a dry vacuum pump 120 is connected to generate the vibration. Unlike the wet pump using oil and water, the dry vacuum pump 120 is a vacuum pump driven without supplying oil in the pump, and does not generate oil mist, thus requiring a pleasant environment such as semiconductor equipment process due to no pollution caused by exhaust gas. It is a pump suitable for use anywhere. There is little noise and vibration, and since oil and grease injection are not necessary, the durability is excellent, and inspection is rarely needed.

공정 챔버(300)는 고진공이 형성된 밀폐 공간으로서 내부에 상부 전극 및 하부 전극이 형성되어 플라즈마 방전을 이용하여 플라즈마 CVD(Chemical Vaporized Deposition)공정 또는 건식 식각 공정 등과 같은 공정이 진행된다.The process chamber 300 is an enclosed space in which a high vacuum is formed, and upper and lower electrodes are formed therein, such that a process such as a plasma chemical vapor deposition (CVD) process or a dry etching process is performed using plasma discharge.

공정 챔버(300)에서는 상기와 같은 공정을 수행하기 위해 항상 진공 상태의 분위기로 유지되어야 한다. 이는 기판(110)의 가공 처리 공정 중 불순물로 인한 오염을 방지하기 위함이다.In the process chamber 300, it should always be maintained in a vacuum atmosphere to perform the above process. This is to prevent contamination due to impurities during the processing of the substrate 110.

연속적인 과정을 거쳐 기판(110)이 이송되기 때문에 공정 챔버(300)를 진공 상태로 계속 유지하기 위해서는 이송 챔버(100)의 분위기 또한 진공 상태로 유지되어야 한다. 따라서 이송 챔버(100)에도 진공 펌프(vaccum pump)가 설치되어 진공 펌프에 의해 이송 챔버(100)와 공정 챔버(300) 내부의 분위기는 항상 진공 상태로 유지된다. Since the substrate 110 is transferred through a continuous process, in order to maintain the process chamber 300 in a vacuum state, the atmosphere of the transfer chamber 100 must also be maintained in a vacuum state. Therefore, a vacuum pump is also installed in the transfer chamber 100 so that the atmosphere inside the transfer chamber 100 and the process chamber 300 is always maintained in a vacuum state by the vacuum pump.

이 때, 공정 챔버(300) 내에는 10-3 Torr이하의 고진공 내지 초고진공이 요구되며, 이러한 진공을 만들기 위해서는 일반적으로 터보 분자 펌프(Turbo Molecule Pump)(320)를 사용한다. At this time, in the process chamber 300, a high or ultra high vacuum of 10 -3 Torr or less is required, and in order to make such a vacuum, a turbo molecular pump 320 is generally used.

터보 분자 펌프(320)는 매우 청결한 기계적 압축 펌프이다. 터보 분자 펌프는 공기 입자성에 근거를 두고, 일정한 각도를 가지고 고속으로 회전을 하는 많은 날개를 가진 저 회전자와 그 사이에 있는 고정자를 써서, 공기의 입자운동에 일정한 방향성을 부여함으로써 공기를 배출시키는 것이다.The turbo molecular pump 320 is a very clean mechanical compression pump. Turbomolecular pumps are based on air particulates, using a low rotor with many vanes that rotate at high speed at a constant angle and a stator in between, to release the air by imparting a certain directivity to the particle's motion. will be.

그리고, 기판(110)은 공정 챔버(300)내로 이송되기 위해서 일련의 과정을 거친다. 즉, 외부로부터 이송된 기판(110)은 먼저 이송 챔버(100)를 통해 공정 챔버(300)로 이송된다. 이때, 이송 챔버(100)와 공정 챔버(300)의 사이에는 분리벽(200)이 형성되어 있으며, 분리벽(200)에는 기판(100)이 통과될 정도의 크기로 게이트(210)가 형성되어 있다. In addition, the substrate 110 undergoes a series of processes to be transferred into the process chamber 300. That is, the substrate 110 transferred from the outside is first transferred to the process chamber 300 through the transfer chamber 100. In this case, a separation wall 200 is formed between the transfer chamber 100 and the process chamber 300, and the gate 210 is formed on the separation wall 200 to a size that allows the substrate 100 to pass therethrough. have.

그리고, 이송 챔버(100)에는 게이트(210)를 개폐하는 게이트 밸브(201)가 설치되어 있다. 이러한 게이트 밸브(201)에는 제1 에어 실린더(202)가 연결되어 있어서, 게이트 밸브(201)의 개폐를 조절한다. 따라서, 기판(110)이 이송 챔버(100) 에서 공정 챔버(300)로 반송될 때는 게이트 밸브(201)의 조절에 의해 게이트(210)가 개구되어 기판(110)을 통과시킨다. In addition, the transfer chamber 100 is provided with a gate valve 201 that opens and closes the gate 210. The first air cylinder 202 is connected to the gate valve 201 to control the opening and closing of the gate valve 201. Therefore, when the substrate 110 is transferred from the transfer chamber 100 to the process chamber 300, the gate 210 is opened by the adjustment of the gate valve 201 to pass the substrate 110.

그리고, 게이트 밸브(201)와 분리벽(200) 사이에는 오링(O-ring)(50)이 설치되어 있다. 이러한 오링(50)은 이송 챔버(100)와 공정 챔버(300)를 연결하는 통로인 게이트(210)를 게이브 밸브(201)로 차단할 경우에 완전한 차단을 위해 게이브 밸브(201)와 분리벽(200) 사이에 형성되어 있다. 이러한 오링(50)은 불소 탄성체(CmFn)인 것이 바람직하다. An O-ring 50 is provided between the gate valve 201 and the separation wall 200. When the O-ring 50 blocks the gate 210, which is a passage connecting the transfer chamber 100 and the process chamber 300, to the gage valve 201, the g-valve 201 and the separation wall 200 may be used for complete blocking. It is formed between). The O-ring 50 is preferably a fluorine elastomer (CmFn).

그리고, 공정 챔버(300)에는 오링(50)을 보호하는 오링 커버(301)가 설치되어 있다. 그리고, 오링 커버(301)의 표면에는 산화막 처리가 되어있어서 공정 챔버(300) 내에서 플라즈마 공정이 진행되어도 손상을 입지 않도록 되어 있다. 이러한 오링 커버(301)에는 제2 에어 실린더(302)가 연결되어 있어서 오링 커버(301)의 개폐를 조절한다. In addition, an O-ring cover 301 is provided in the process chamber 300 to protect the O-ring 50. In addition, the surface of the O-ring cover 301 is subjected to an oxide film treatment so as not to be damaged even when the plasma process proceeds in the process chamber 300. The second air cylinder 302 is connected to the O-ring cover 301 to control the opening and closing of the O-ring cover 301.

따라서, 오링 커버는 공정 챔버 내에서 플라즈마 공정이 진행될 경우에 오링을 보호함으로써 오링과 플라즈마간의 화학적인 반응을 차단하여 오링의 물리적인 열화를 방지한다. 그러므로, 오링 파티클(O-ring Particle)의 발생이 적어짐으로써 기판에 결함(Defect)의 발생이 적어진다. Therefore, the O-ring cover prevents O-ring physical degradation by blocking the chemical reaction between the O-ring and the plasma by protecting the O-ring when the plasma process is performed in the process chamber. Therefore, less occurrence of O-ring particles reduces the occurrence of defects in the substrate.

도 1에는 게이트 밸브 및 오링 커버를 조절하여 게이트를 개방한 상태를 도시하였으며, 도 2에는 공정 챔버에서 공정이 진행되는 상태를 도시하였다. 1 illustrates a state in which a gate is opened by adjusting a gate valve and an O-ring cover, and FIG. 2 illustrates a state in which a process is performed in a process chamber.

도 1에 도시된 바와 같이, 기판이 공정 챔버 내부로 공급되기 위해서는 게이브 밸브 및 오링 커버가 게이트를 차단하지 않아야 하며, 도 2에 도시된 바와 같 이, 기판이 공정 챔버 내부로 공급되어 플라즈마 공정이 진행될 경우에는 게이트 밸브가 게이트를 차단하고, 오링 커버를 이용하여 오링이 플라즈마가 접촉하는 것을 차단한다. As shown in FIG. 1, in order for the substrate to be supplied into the process chamber, the gate valve and the O-ring cover should not block the gate. As shown in FIG. 2, the substrate is supplied into the process chamber so that the plasma process may be performed. When proceeding, the gate valve shuts off the gate, and the O-ring blocks the plasma contact by using the O-ring cover.

상기와 같이, 오링 커버는 게이트 밸브의 개폐와 동일하게 동작하는 것이 바람직하다. As described above, the O-ring cover is preferably operated in the same manner as the opening and closing of the gate valve.

본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 처리 시스템의 사용 방법을 이하에서 상세히 설명한다. A method of using a processing system for a liquid crystal display according to an embodiment of the present invention will be described in detail below.

액정 표시 장치용 처리 시스템의 처리 단계는 우선, 기판 이송 장치(140)를 포함하는 이송 챔버(100) 내부를 대기압 상태로 만든다. 일반적으로 N2 가스를 주입하여 대기압 상태로 만든다.In the processing step of the processing system for a liquid crystal display, first, the inside of the transfer chamber 100 including the substrate transfer apparatus 140 is brought into an atmospheric pressure state. In general, N 2 gas is injected into the atmospheric pressure.

다음으로, 기판 이송 장치(140)를 이용하여 이송 챔버(100) 내부의 기판을 교체한다.Next, the substrate in the transfer chamber 100 is replaced using the substrate transfer device 140.

즉, 공정 챔버(300)에서 가공 처리를 마친 후 로봇암(140)에 의해 이송된 기판을 외부로 반출하고, 선행 공정을 완료한 기판은 이송 챔버(10) 내부로 유입한 후, 이송 챔버의 유입 게이트(도시하지 않음)를 닫는다. That is, after finishing the processing in the process chamber 300, the substrate transported by the robot arm 140 is taken out, and after completing the preceding process, the substrate is introduced into the transfer chamber 10, and then Close the inlet gate (not shown).

다음으로, 이송 챔버(100)를 드라이 진공 펌프(120)를 이용하여 펌핑하여 제1 진공 상태로 만든다.Next, the transfer chamber 100 is pumped using the dry vacuum pump 120 to make a first vacuum state.

다음으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 게이트 밸브(201) 및 오링 커버(301)를 차례로 조절하여 게이트(210)를 오픈한다 Next, as shown in FIG. 1, the gate 210 is opened by sequentially adjusting the gate valve 201 and the O-ring cover 301.                     

다음으로, 기판(110)을 제2 진공 상태로 펌핑된 공정 챔버(300) 내로 이동시킨다. 즉, 로봇암(140)은 1매의 기판을 공정 챔버(300)로 이송시킨다. Next, the substrate 110 is moved into the process chamber 300 pumped to the second vacuum state. That is, the robot arm 140 transfers one substrate to the process chamber 300.

그리고, 도 2에 도시된 바와 같이, 게이트 밸브(201)를 조절하여 게이트(210)를 차단하고, 오링 커버(301)를 조절하여 오링(50)을 덮도록 한다. 이는 오링 커버(301)를 사용함으로써 오링(50)이 공정 챔버(300)내의 플라즈마에 의해 손상되는 것을 방지하기 위함이다. As shown in FIG. 2, the gate valve 201 is blocked to block the gate 210, and the O-ring cover 301 is adjusted to cover the O-ring 50. This is to prevent the O-ring 50 from being damaged by the plasma in the process chamber 300 by using the O-ring cover 301.

다음으로, 공정 챔버(300) 내에서 플라즈마 CVD(Chemical Vaporized Deposition)공정 또는 건식 식각 공정 등과 같은 공정을 진행한다. Next, a process such as a plasma chemical vapor deposition (CVD) process or a dry etching process may be performed in the process chamber 300.

다음으로, 게이트 밸브(201) 및 오링 커버(301)를 차례로 조절하여 게이트(210)를 오픈하고, 공정을 진행한 기판(110)을 로봇암(140)을 이용하여 이송 챔버(100) 내부로 이송한다.Next, the gate 210 is opened by sequentially adjusting the gate valve 201 and the O-ring cover 301, and the substrate 110 having undergone the process is moved into the transfer chamber 100 using the robot arm 140. Transfer.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호범위는 첨부된 청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다. Although the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the accompanying drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Could be. Accordingly, the true scope of protection of the invention should be defined only by the appended claims.

본 발명에 따른 액정 표시 장치용 처리 시스템은 오링 커버를 설치하여 오링의 손상을 방지함으로써 오링 파티클의 발생을 감소시킬 수 있다는 장점이 있다. The processing system for a liquid crystal display according to the present invention has an advantage that the occurrence of the O-ring particles can be reduced by installing the O-ring cover to prevent the O-ring from being damaged.

또한, 오링 커버에 의해 오링의 손상을 방지함으로써 오링을 자주 교체하지 않아도 되기 때문에 비용 절감의 효과가 있다. In addition, since the O-ring cover prevents damage to the O-ring, the O-ring does not need to be replaced frequently, thereby reducing the cost.

Claims (5)

기판 이송 장치를 포함하는 이송 챔버,A transfer chamber comprising a substrate transfer device, 상기 이송 챔버 내의 기판이 게이트를 통해 그 내부로 이송되는 공정 챔버,A process chamber in which the substrate in the transfer chamber is transferred therein through a gate; 상기 이송 챔버에 설치되어 있으며 상기 게이트를 개폐하는 게이트 밸브,A gate valve installed in the transfer chamber to open and close the gate, 를 포함하고,Including, 상기 게이트는 상기 이송 챔버와 상기 공정 챔버 사이에 형성되어 있는 분리벽에 형성되어 있는 관통 구멍이며, 상기 게이트 밸브와 분리벽 사이에는 오링이 설치되어 있고,The gate is a through hole formed in a separation wall formed between the transfer chamber and the process chamber, an O-ring is provided between the gate valve and the separation wall, 상기 공정 챔버에는 상기 오링을 보호하는 오링 커버가 설치되어 있는 액정 표시 장치용 처리 시스템. And an O-ring cover for protecting the O-ring in the process chamber. 제1항에서,In claim 1, 상기 게이트 밸브 및 오링 커버에는 각각 제1 에어 실린더 및 제2 에어 실린더가 연결되어 있어서, 상기 게이트 밸브 및 오링 커버의 개폐를 조절하는 액정 표시 장치용 처리 시스템.A first air cylinder and a second air cylinder are connected to the gate valve and the o-ring cover, respectively, to control the opening and closing of the gate valve and the o-ring cover. 제1항에서,In claim 1, 상기 오링 커버는 상기 게이트 밸브의 개폐와 동일하게 동작하는 액정 표시 장치용 처리 시스템.And the O-ring cover operates in the same manner as opening and closing of the gate valve. 제1항에서,In claim 1, 상기 오링 커버의 표면에는 산화막 처리가 되어있는 액정 표시 장치용 처리 시스템. A processing system for a liquid crystal display device which is subjected to an oxide film treatment on a surface of the O-ring cover. 제1항에서,In claim 1, 상기 오링은 불소 탄성체인 액정 표시 장치용 처리 시스템.And said O-ring is a fluoroelastomer.
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