KR20050094834A - 고효율의 픽셀화 전기발광 소자용 고저항성폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(스티렌 술포네이트) - Google Patents

고효율의 픽셀화 전기발광 소자용 고저항성폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(스티렌 술포네이트) Download PDF

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Abstract

OLED와 같은 전기발광 소자용 고저항성 PEDT/PSS 버퍼층이 제공된다. 또다른 실시양태에 따라, 고저항성 PEDT/PSS 버퍼층을 포함하는 OLED가 제공된다. 추가의 실시양태에 따라, 시클릭 에테르 공용매를 캐스팅하기 전에 PEDT/PSS 수용액에 첨가하여 기판 상에 상기 수용액으로부터 캐스팅된 PEDT/PSS 층의 전도성을 감소시키는 방법이 개발되고 있다. 한 실시양태에서, 기판 상에 캐스팅된 PEDT/PSS 층의 고유 전도성을 감소시키는 방법이 제공되어, 상기 물질은 적색, 녹색, 청색 유기 발광 다이오드 (RGB OLED)에서 중간 버퍼층으로 사용될 수 있다.

Description

고효율의 픽셀화 전기발광 소자용 고저항성 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(스티렌 술포네이트) {High Resistance Poly(3,4-Ethylenedioxythiophene)/Poly(Styrene Sulfonate) for Use in High Efficiency Pixellated Electroluminescent Devices}
본 발명은 유기 발광 다이오드와 같은 픽셀화(pixellated) 전기발광 소자의 제조에서 전도성 중합체의 용도에 관한 것이다.
전도성 중합체는 원래 20 년 이상 전부터 연구원들의 관심을 끌었다. 통상의 전도성 물질 (예를 들어 금속)과 비교하여 상기 중합체에 대한 관심은 대체로 경량성, 유연성, 내구성 및 잠재적인 가공 용이성과 같은 인자에 기인한다. 최근까지 가장 상업적으로 성공한 전도성 중합체는 다양한 상표명으로 시판되고 있는 폴리아닐린 및 폴리티오펜이다.
발광 디스플레이용 전기발광 (EL) 소자의 최근 개발은 전도성 중합체에 대한 관심을 다시 일으킨다. 전도성 중합체를 함유하는 유기 발광 다이오드 (OLED)와 같은 EL 소자는 일반적으로 애노드/버퍼층/EL 중합체/캐소드와 같은 배열을 갖는다. 애노드는 일반적으로 반도체성 EL 중합체의 다르게 채워진 π-밴드에 정공 (hole)을 주입할 수 있는 임의의 물질, 예를 들어, 인듐/주석 산화물 (ITO)이다. 애노드는 임의로 유리 또는 플라스틱 기판 상에서 지지된다. EL 중합체는 일반적으로 폴리(파라페닐렌비닐렌) 또는 폴리플루오렌과 같은 공액(conjugated) 반도체성 중합체이다. 캐소드는 일반적으로 반도체성 EL 중합체의 다르게 빈 π-밴드에 전자를 주입할 수 있는 임의의 물질, 예컨대 Ca 또는 Ba이다.
버퍼층은 일반적으로 전도성 중합체이고 애노드로부터의 정공을 EL 중합체 층에 주입하는 것을 촉진한다. 버퍼층은 또한 정공-주입층, 정공 전달층으로 불리거나, 또는 이중층 애노드의 일부로서 특징지어질 수 있다. 버퍼층으로 사용되는 일반적인 전도성 중합체는 술폰산으로 도핑된(doped) 폴리아닐린 (PANI) 또는 중합성 디옥시티오펜의 에머랄딘(emeraldin) 염 형태이다. 가장 널리 사용되는 디옥시티오펜은 PEDT/PSS로서 약칭되는, 폴리스티렌 술폰산으로 도핑된 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)이다. PEDT/PSS는 바이엘(Bayer)로부터 바이트론(Baytron; 등록상표) P로 시판되고 있다.
PEDT/PSS는 적색, 녹색, 청색 유기 발광 다이오드 (RGB OLED)와 같은 EL 소자 내에서 버퍼층으로서 사용하기 위한 선도적인 후보 물질로서 나타난다. 그러나, RGB OLED 내 PEDT/PSS의 광범위한 사용을 억제하는 하나의 요소는 소자 성능의 손실 없이는 상기 물질의 전도성을 제어할 수 없다는 것이다. 예를 들어, RGB OLED의 제조에서, PEDT/PSS의 낮은 전도성 층 (약 1.2 x 10-5 S/㎝ (센티미터 당 지멘스(Siemens))의 고유 전도성에 대해)은 디스플레이 내 픽셀 간의 누화(crosstalk)를 최소화하는 데 바람직하다. 사실상, 기판 상에 캐스팅하기 전에 PEDT/PSS 수용액에 다양한 중합체 첨가제를 혼입함으로써 PEDT/PSS의 전도성을 조정하려는 시도가 이루어지고 있다. 그러나, 상기 첨가제는 OLED 성능에 유해한 영향을 끼칠 수 있다.
막 두께를 감소시켜 비저항을 증가시키는 것이 가능하다. 그러나, 막이 얇을수록 전기 단락이 형성되어 제조 수율이 낮아지므로 OLED 내 PEDT/PSS 버퍼층의 두께를 감소시키는 것은 양호한 선택이 아니다. 단락을 피하기 위해서는, 두께가 약 200 nm인 비교적 두꺼운 버퍼층을 사용하는 것이 필요하다.
전하 전달을 촉진하기 위해서 버퍼층이 약간의 전기 전도성을 가져야 하지만, PEDT/PSS 버퍼층의 전도성은 일반적으로 필요 이상으로 높다. 따라서, 전기발광 소자에서 사용하기 위한 고저항성 PEDT/PSS 버퍼층이 필요하다.
발명의 개요
본 발명의 한 실시양태에 따라, 고저항성 PEDT/PSS 막이 제공된다. 본 발명의 또다른 실시양태에 따라, OLED와 같은 전기발광 소자용 고저항성 PEDT/PSS 버퍼층이 제공된다. 본 발명의 또다른 실시양태에 따라, 고저항성 PEDT/PSS 버퍼층을 포함하는 전기발광 소자가 제공된다.
본 발명의 추가의 실시양태에 따라, 시클릭 에테르를 포함하는 1종 이상의 공용매의 유효량을 PEDT/PSS의 수용액에 첨가하고, 상기 용액을 기판 상에 캐스팅하는 것을 포함하는, OLED에 사용하기 위한 고저항성 버퍼층의 생성 방법이 제공된다.
본 발명의 추가의 실시양태에 따라, 1종 이상의 시클릭 에테르 공용매를 캐스팅 전에 PEDT/PSS의 수용액에 첨가하는 것을 포함하는, 기판 상에 상기 수용액으로부터 캐스팅된 PEDT/PSS 층의 전도성을 감소시키는 방법이 개발되고 있다.
도 1은 공용매를 함유하지 않는 수용액으로부터 캐스팅된 PEDT/PSS의 버퍼층 (바이트론 P CH8000, 제품 번호 CHN0004)을 사용한 소자의 80 ℃에서의 응력 수명을 예시한다.
도 2는 1,4-디옥산 1.5 중량％를 함유하는 수용액으로부터 캐스팅된 PEDT/PSS 층 (즉, 1,4-디옥산 1.5 중량％를 갖는 바이트론 P CH8000, 제품 번호 CHN0004)을 사용한 소자의 80 ℃에서의 응력 수명을 예시한다.
도 3A 및 3B는 다양한 농도의 1,4-디옥산을 함유하는 PEDT/PSS 수용액 (즉, 바이트론 P CH8000, 제품 번호 CHN0004)의 흡수 스펙트럼을 예시한다.
도 4는 다양한 양의 1,4-디옥산을 함유하는 수용액으로부터 캐스팅된 PEDT/PSS 층 (즉, 바이트론 P CH8000, 제품 번호 CHN0004)의 전도성에 대한 1,4-디옥산 농도의 효과를 예시한다.
도 5는 다양한 양의 1,4-디옥산을 함유하는 수용액으로부터 캐스팅된 PEDT/PSS 층 (즉, 바이트론 P CH8000, 제품 번호 CHN0004)을 사용한 SY 소자의 효율 및 작동 전압에 대한 1,4-디옥산 농도의 효과를 예시한다.
도 6은 다양한 양의 1,4-디옥산을 함유하는 수용액으로부터 캐스팅된 PEDT/PSS 층 (즉, 바이트론 P CH8000, 제품 번호 CHN0004)을 사용한 소자의 전압 증가 속도 (VIR) 및 80 ℃에서의 응력 수명에 대한 1,4-디옥산 농도 효과를 예시한다.
본 발명의 한 실시양태에 따라, OLED와 같은 전기발광 소자용 고저항성 (저전도성) PEDT/PSS 막 및 버퍼층이 제공된다. 본 발명의 또다른 실시양태에 따라, 고저항성 (저전도성) PEDT/PSS 버퍼층을 포함하는 OLED가 제공된다.
전기 비저항은 전기 전도성에 반비례한다. 따라서, 본원에서 사용되는 용어 "고저항성" 및 "저전도성"은 본원에 기재된 PEDT/PSS 버퍼층과 관련하여 상호교환적으로 사용된다. 본원에서 사용되는 용어 "고저항성" 및 "저전도성" 각각은 시판되는 PEDT/PSS의 전도성 수준보다 낮은 전도성 수준, 즉 약 1.2 x 10-5 S/㎝ 미만을 지칭한다.
비저항 및 전도성 값은 각각 일반적으로 옴-센티미터 (ohm-㎝) 및 센티미터 당 지멘스 (Siemens) (S/㎝)의 단위로 기록된다. 본원에 사용될 때, 비저항 값보다는 전도성 값이 단위 S/㎝를 사용하여 기록된다.
본 발명의 추가의 실시양태에 따라, 1종 이상의 시클릭 에테르 공용매의 유효량을 수용액에 첨가하는 것을 포함하는, 기판 상에 상기 수용액으로부터 캐스팅된 PEDT/PSS 층의 전도성를 감소시키는 방법이 제공된다. RGB OLED의 제조에서 버퍼층과 같은 용도에서 저전도성 PEDT/PSS 층이 바람직하다.
본원에서 사용되는 용어 "공용매"는 실온에서 액체이고, 물과 혼화할 수 있는 물질을 지칭한다. 본원에서 사용되는 용어 "혼화할 수 있는"은 공용매가 물과 혼합하여 (각각의 특정 공용매에 대해 본원에서 설명하는 농도로) 실질적으로 균질한 용액을 형성할 수 있다는 것을 의미한다.
본 발명의 수행에서 사용하기 위해 고려되는 시클릭 에테르 공용매의 예로는 1,4-디옥산, 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란, 4-메틸-1,3-디옥산, 4-페닐-1, 3-디옥산, 1,3-디옥솔란, 2-메틸-1,3-디옥솔란, 1,3-디옥산, 2,5-디메톡시테트라히드로푸란, 2,5-디메톡시-2,5-디히드로푸란 등 뿐만 아니라, 이들 둘 이상의 임의의 조합을 들 수 있다. 본 발명의 한 실시양태에서, 시클릭 에테르 용매는 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란 또는 1,4-디옥산이다. 본 발명의 또다른 실시양태에서, 시클릭 에테르 용매는 1,4-디옥산이다.
PEDT/PSS 수용액에 첨가되는 공용매의 양은 이로부터 캐스팅되는 PEDT/PSS 층의 원하는 전도성에 좌우된다. 상기 공용매는 일반적으로 약 0.5 중량％ 내지 최대 약 70 중량％ 범위의 농도로 수용액에 존재한다 (상기 중량％는 총 용액의 중량에 대한 퍼센트를 지칭함). 한 실시양태에서, 공용매는 약 0.5 중량％ 내지 최대 약 35 중량％ 범위의 농도로 수용액에 존재한다. 본 발명의 또다른 실시양태에서, 공용매는 약 0.5 중량％ 내지 최대 약 10 중량％ 범위의 농도로 수용액에 존재한다. 본 발명의 또다른 실시양태에서, 공용매는 약 0.5 중량％ 내지 최대 약 2.5 중량％ 범위의 농도로 수용액에 존재한다.
본 발명의 한 실시양태에서, PEDT/PSS 수용액에 시클릭 에테르 용매, 예컨대 1,4-디옥산의 첨가는 이로부터 캐스팅되는 PEDT/PSS 층의 전도성을 100 배 감소시킨다 (즉, 공용매를 첨가하지 않은 PEDT/PSS는 10-5 S/cm, 1,4-디옥산을 첨가한 PEDT/PSS는 10-7 S/cm). 본 발명의 실시양태에 따라 제조된 PEDT/PSS 층은 수동형 픽셀화 디스플레이에 유용하고, 여기서 저전도성 PEDT/PSS 층은 픽셀 간의 누화를 최소화하는 데 바람직하다.
본 발명의 또다른 실시양태에서, 1종 이상의 시클릭 에테르 공용매의 유효량을 PEDT/PSS 수용액에 첨가하고, 기판 상에 상기 용액을 캐스팅하는 것을 포함하는, 중합체 발광 디스플레이 내 고저항성 버퍼층을 생성하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따라 제조된 고저항성 PEDT/PSS 버퍼층은 뛰어난 정공 주입, 전기 단락의 최소화, 소자 수명의 증강 및 픽셀 간 전류 누설의 최소화 (즉, 누화)를 제공한다.
본 발명에 따라 제조된 PEDT/PSS 층은 당업자들에게 공지된 다양한 기술을 사용하여 기판 상에 캐스팅될 수 있다. 일반적인 캐스팅 기술로는, 예를 들어 용액 캐스팅, 드롭(drop) 캐스팅, 커텐(curtain) 캐스팅, 스핀-코팅, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 등을 들 수 있다. 당업계에 알려진 바와 같이 캐스팅은 실온보다 높거나 낮은 온도에서도 수행될 수 있지만, 일반적으로 실온에서 수행된다.
본 발명에 따라 제조된 PEDT/PSS 층은 다양한 기판 상에 캐스팅될 수 있다. 본 발명의 한 실시양태에서, PEDT/PSS 층은 임의로 유리, 플라스틱, 세라믹, 규소 등과 같은 기판 상에 있는 애노드 물질의 박층 상에 캐스팅된다. 본 발명의 수행에서 사용되기 위해 고려되는 애노드 물질로는 2족 원소 (즉, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra), 13족 원소 (즉, B, Al, Ga, In, Tl), 14족 원소 (C, Si, Ge, Sn, Pb) 등의 혼합된 산화물인 인듐/주석 산화물 (ITO)을 들 수 있다. 본원에서 사용되는 용어 "혼합된 산화물"은 2족 원소로부터 선택되는 2종 이상의 상이한 양이온을 갖는 산화물을 지칭한다. 다르게는, 애노드는 유기 물질, 예컨대 전도성 폴리아닐린 또는 폴리(디옥시티오펜)일 수 있다.
본 발명의 또다른 실시양태에서, 애노드, 1 x 10-5 S/cm 미만의 전도성을 갖는 버퍼층, 전기발광 물질 및 캐소드를 포함하는 전기발광 소자를 제공한다.
본 발명의 추가의 실시양태에서, 기판 상에 캐스팅된 PEDT/PSS 층의 건조 조건을 매우 간소화할 수 있다는 것이 밝혀졌다. 예를 들어, 본 발명에 따라 제조된 PEDT/PSS 층은 90 ℃ 미만의 온도에서 건조될 수 있다. 이러한 보다 온화한 건조 온도 (약 200 ℃ 초과의 일반적인 건조 온도에 비해)는 연질 LED 용도에 바람직하다. 보다 높은 온도는 연질 기판 및(또는) 전기발광 물질을 다소 분해시킬 수 있다.
본 발명의 추가의 실시양태에서, 1종 이상의 공용매의 유효량을 수용액에 첨가하는 것을 포함하는, 기판 상에 상기 수용액으로부터 캐스팅된 PEDT/PSS 층의 두께를 증가하는 방법이 제공된다. 일반적으로, 전도성은 버퍼층 두께를 증가시킴에 따라 경미하게 증가할 것이다. 디스플레이의 수율은 버퍼층 두께를 증가시킴에 따라 증가할 것이다. 소자 성능은 버퍼층 두께를 증가시킴에 따라 경미하게 감소할 것이다.
이제 본 발명은 하기의 비제한적인 실시예에 의해 보다 상세히 기재될 것이다.
실시예 1
PEDT/PSS의 전도성 및 두께에 대한 공용매의 효과
하기 실시예에서 사용되는 PEDT/PSS 수용액을 상표명 바이트론 P CH8000 (바이트론 P CH8000은 일반적으로 PEDT 약 0.14 중량％ 및 PSS 약 2.6 중량％ 함유)으로 바이엘(Bayer)로부터 구입하였다. 유리 기판을 패턴화된 ITO 전극으로 제조하였다. PEDT/PSS 층을 패턴화된 기판 상부에 막으로서 스핀-캐스팅하고, 이어서 표 1에 기재한 바와 같이 건조하였다. 고저항 전위계를 사용하여 ITO 전극 간의 저항을 측정하였다. 막 두께를 덱-택(Dec-Tac) 표면 측정기 (알파-스텝(Alpha-Step) 500 표면 측정기, 텐코 인스트루먼츠(Tencor Instruments))를 사용하여 측정하였다.
하기 표 1에 나타난 바와 같이, 시클릭 에테르 공용매의 첨가로 PEDT/PSS 층의 전도성을 30배 이상, 예를 들어, 1.2 x 10-5 S/cm에서 4.0 x 10-7 S/cm 미만으로 감소시킬 수 있었다. 일반적으로, 시클릭 에테르 공용매의 첨가는 또한 층 두께의 증가를 초래하였다. 하기 표 1에서 *가 있는 2 개의 기재 사항으로 예시한 경우, 본 발명에 따라 제조된 PEDT/PSS 층은 진공 오븐내 50 ℃에서 30 분 동안 효과적으로 건조될 수 있었다.
실시예 2
공용매를 함유하는 수용액으로부터 캐스팅된 PEDT / PSS 층을 사용한 소자의 응력 수명에 대한 효과
도 1 및 도 2는 다양한 공용매를 함유하는 수용액으로부터 캐스팅된 PEDT/PSS 층을 갖는 전기발광 (EL) 소자의 응력 수명을 비교한다. EL 소자는 문헌 [H. Becker et al., Adv. Mater. 12, 42 (2000)]에 기재된 바와 같이 전기발광 물질로서 가용성 폴리(1,4-페닐렌비닐렌)공중합체 (C-PPV)를 사용하여 제조하였다. 상기 소자는 유리 기판 -- ITO 애노드 -- PEDT/PSS 버퍼층 -- C-PPV -- Ba/Al 캐소드 배열을 가졌다. 도 1은 공용매 없이 PEDT/PSS를 사용한 소자의 응력 수명을 예시한다. 상기 버퍼층의 전도성은 1.2 x 10-5 S/cm이었다. 버퍼층을 1000 rpm에서 캐스팅하였고, 두께는 129 nm이었다. 전기발광 층을 650 rpm에서 캐스팅하였고, 두께는 74 nm이었다. 상기 소자의 응력 수명을 3 cm2 백라이트를 갖는 2.49 mA/cm2에서 측정하였다. 초기 효율은 6.9 내지 7.0 cd/A이었고, 작동 전압은 3.7 내지 3.8 V이었다.
도 2는 1,4-디옥산 1.5 ％와 함께 PEDT/PSS를 사용한 소자의 응력 수명을 예시한다. 상기 버퍼층의 전도성은 6.9 x 10-8 S/cm 미만이었다. 버퍼층을 1000 rpm에서 캐스팅하였고, 두께는 136 nm이었다. 전기발광 층을 650 rpm에서 캐스팅하였고, 두께는 76 nm이었다. 상기 소자의 응력 수명을 3 cm2 백라이트를 갖는 2.44 mA/cm2에서 측정하였다. 초기 효율은 9.6 내지 10.4 cd/A이고, 작동 전압은 3.6 내지 3.9 V이었다. 시클릭 에테르 공용매의 첨가는 PEDT/PSS의 전도성을 1.2 x 10-5 S/cm에서 6.9 x 10-8 S/cm 미만으로 감소시켰다. 도 1 및 도 2의 데이타는, 1종 이상의 시클릭 에테르 공용매를 PEDT/PSS 수용액에 첨가함으로써 이로부터 캐스팅된 PEDT/PSS 층의 전도성을 소자의 응력 수명의 손상 없이 제어할 수 있다는 것을 증명한다.
실시예 3
공용매 농도 효과
도 3A 및 도 3B는 다양한 농도의 1,4-디옥산을 사용한 PEDT/PSS (바이트론 P CH8000) 용액의 흡수 스펙트럼을 나타낸다. 도 3A는 디옥산 (310)이 없는 PEDT/PSS 및 디옥산 0.5 중량％ (320), 디옥산 1.0 중량％ (330), 디옥산 1.5 중량％ (340) 및 디옥산 2.0 중량％ (350)를 함유하는 PEDT/PSS의 흡수 스펙트럼을 예시한다. 도 3A에서 예시한 바와 같이, 1,4-디옥산이 거의 없거나 함유한 PEDT/PSS의 흡수 스펙트럼은 1,4-디옥산 농도가 2 중량％ 미만일 때 PEDT/PSS 단독 스펙트럼과 본질적으로 동일하다. 도 3B는 디옥산 (310)이 없는 PEDT/PSS 및 디옥산 2.0 중량％ (350), 디옥산 3.0 중량％ (360), 디옥산 4.0 중량％ (370), 디옥산 5.0 중량％ (380) 및 디옥산 10.0 중량％ (390)를 함유하는 PEDT/PSS의 흡수 스펙트럼을 예시한다. 도 3B에서 예시한 바와 같이, 1,4-디옥산의 농도가 2중량％ 초과일 때 PEDT/PSS의 스펙트럼에는 현저한 변화가 있었다. 920 nm 부근의 피크는 760 nm 부근의 피크, 및 430 nm와 320 nm에서 나타나는 2 개의 신규한 피크에 대해 청색 편이되었다. 상기 변화는 도 3B의 1,4-디옥산 농도 10 중량％에서 가장 명확히 증명되었다.
도 4에서 나타난 바와 같이, 실시예 1에서 기재한 대로 제조한 PEDT/PSS 막 전도성은 1,4-디옥산 농도를 증가함에 따라 급격히 감소하였다. 전도성은 7 x 10-7 S/cm 미만으로 감소하였다 (1.5 ％의 1,4-디옥산 농도에서 기기의 검출 한계에 접근함). 도 5에서 나타난 바와 같이, 1,4-디옥산 농도가 2 중량％ 초과일 때 EL 소자의 효율은 감소하였고, 작동 전압은 증가하였다. 도 6에서 나타난 바와 같이, 1,4-디옥산 농도가 2 중량％ 초과일 때 80 ℃에서 응력 수명 시간은 감소한 반면 전압에서는 유사한 증가가 관찰되었다 (전압 증가 속도 (V.I.R.)). 도 1 내지 도 6의 데이타는, PEDT/PSS 수용액 내 바람직한 1,4-디옥산 농도가 약 1.0 내지 1.5 중량％임을 나타낸다.
상기 데이타는 1,4-디옥산을 약 1.0 내지 1.5 중량％의 농도로 PEDT/PSS 수용액에 첨가하는 것이 소자의 성능 및 응력 수명의 손상 없이 이로부터 캐스팅된 PEDT/PSS 층의 전도성을 7 x10-7 S/cm 미만으로 감소시키고, 층의 두께를 증가시킨다는 것을 명백히 증명한다.
본 발명이 그의 특정 바람직한 실시양태에 관해 상세히 기재되었지만, 변형 및 변경이 기재되고 청구된 본 발명의 취지 및 범위 내에 있음을 이해해야 할 것이다.

Claims (21)

  1. 약 1 x 10-5 S/cm 미만의 전도성을 갖는, PEDT/PSS 및 시클릭 에테르 공용매를 포함하는 고저항성 막.
  2. 제1항에 있어서, 약 1 x 10-6 S/cm 미만의 전도성을 갖는 고저항성 막.
  3. 애노드, 고저항성 버퍼층, 전기발광 물질 및 캐소드를 포함하고, 상기 버퍼층이 PEDT/PSS 및 시클릭 에테르 공용매 포함하고 약 1 x 10-5 S/cm 미만의 전도성을 갖는 전기발광 소자.
  4. 제3항에 있어서, 상기 버퍼층이 약 1 x 10-6 S/cm 미만의 전도성을 갖는 전기발광 소자.
  5. 1종 이상의 시클릭 에테르 공용매의 유효량을 수용액에 첨가하는 것을 포함하는, 기판 상에 상기 수용액으로부터 캐스팅된 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(스티렌술포네이트) 층의 전도성을 감소시키는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 시클릭 에테르 용매가 1,4-디옥산, 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란, 4-메틸-1,3-디옥산, 4-페닐-1,3-디옥산, 1,3-디옥솔란, 2-메틸-1,3-디옥솔란, 1,3-디옥산, 2,5-디메톡시테트라히드로푸란, 2,5-디메톡시-2,5-디히드로푸란, 및 이들 둘 이상의 임의의 조합으로부터 선택되는 용매를 포함하는 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 시클릭 에테르 용매가 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란 및 1,4-디옥산으로부터 선택되는 용매를 포함하는 방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 시클릭 에테르 용매가 1,4-디옥산을 포함하는 방법.
  9. 제5항에 있어서, 상기 1종 이상의 공용매가 상기 수용액의 약 0.5 중량％ 내지 최대 약 70 중량％의 범위를 차지하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 1종 이상의 공용매가 상기 수용액의 약 0.5 중량％ 내지 최대 약 35 중량％의 범위를 차지하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 1종 이상의 공용매가 상기 수용액의 약 0.5 중량％ 내지 최대 약 10 중량％의 범위를 차지하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 1종 이상의 공용매가 상기 수용액의 약 0.5 중량％ 내지 최대 약 2.5 중량％의 범위를 차지하는 방법.
  13. 제5항에 있어서, 상기 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(스티렌술포네이트) 층이 스핀-코팅, 커텐(curtain) 캐스팅 또는 스크린 프린팅으로 상기 기판 상에 캐스팅되는 방법.
  14. 제5항에 있어서, 상기 기판이 인듐/주석 산화물인 방법.
  15. 제5항에 있어서, 상기 기판이 중합체 막인 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 중합체 막이 폴리아닐린인 방법.
  17. 1,4-디옥산을 약 0.5 중량％ 내지 최대 약 2.5 중량％ 범위로 수용액에 첨가하는 것을 포함하는, 기판 상에 상기 수용액으로부터 캐스팅된 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(스티렌술포네이트) 층의 전도성을 약 1 x 10-5 S/cm 미만의 값으로 감소시키는 방법.
  18. 1종 이상의 시클릭 에테르 공용매의 유효량을 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(스티렌술포네이트) 수용액에 첨가하고, 상기 수용액을 기판 상에 캐스팅하는 것을 포함하는, 발광 다이오드용 고저항성 버퍼층을 생성하는 방법.
  19. 제18항의 방법에 따라 제조되는 발광 다이오드용 고저항성 버퍼층.
  20. 제19항에 있어서, 상기 층이 약 1 x 10-5 S/cm 미만의 전도성을 갖는 고저항성 버퍼층.
  21. 1종 이상의 시클릭 에테르 공용매의 유효량을 수용액에 첨가하는 것을 포함하는, 기판 상에 상기 수용액으로부터 캐스팅된 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(스티렌술포네이트) 층의 두께를 증가시키는 방법.
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