KR20050092646A - 웨이퍼 후면 처리 장치 및 이를 이용한 후면 처리 방법 - Google Patents

Abstract

웨이퍼 후면 처리장치가 제공된다. 이러한 웨이퍼 후면 처리장치는 처리될 웨이퍼를 대기시키는 대기스테이지와 대기스테이지로부터 웨이퍼를 전달받아 지지하는 웨이퍼척 및 웨이퍼척에 지지된 웨이퍼의 후면측에 연삭광을 조사하여 웨이퍼를 원하는 두께로 깎는 연삭광조사수단을 포함한다. 이러한 구성에 의해 웨이퍼 후면 처리를 위하여 별도의 보호테이프를 부착하고 다시 제거하는 작업을 해소시킨다.

Description

웨이퍼 후면 처리 장치 및 이를 이용한 후면 처리 방법{WAFER BACK SURFACE PROCESSING APPARATUS AND THE METHOD THERE OF}

본 발명은 반도체 웨이퍼의 후면 처리 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼의 후면을 연삭광에 의해 처리하도록 하여 보호테이프 부착 및 박리공정을 줄이도록 하는 반도체 웨이퍼의 후면처리장치에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 제조공정에서 백 그라인더 공정이나 마운팅 테이프 공정에서 반도체 웨이퍼의 상면 또는 하면에 보호필름 또는 고정 테이프를 부착하여 다이에 형성된 회로나 다이 자체를 보호하고 있다.

전자의 공정인 백그라인더 공정은 웨이퍼의 완성단계에서 점차 박형화되어 가고 있는 반도체 웨이퍼의 두께를 조절하기 위한 공정으로, 웨이퍼의 하면을 연삭하는 과정에서 회로 패턴이 형성된 웨이퍼의 상면을 보호하기 위한 방법으로 라미네이팅 작업을 포함한다.

라미네이팅 작업은 반도체장치 제조공정의 적용을 받지 않은 웨이퍼의 하면을 연삭하는 하면 연마공정의 전처리작업이며, 웨이퍼의 하면이 연삭되는 과정에서 척 테이블과 접촉되는 웨이퍼의 상면이 손상되는 것을 방지하기 위해서 웨이퍼의 상면에 보호필름을 부착시키는 작업이다.

이와 같이 테이프 부착장치로서 일본공개특허공보 특개평10-112494호(발명의 명칭 : 접착시트부착장치)에 개시된 바 있다.

그 구성을 살펴보면, 와인더에 감겨진 접착시트가 공급된다. 테이블 상에는 반도체 웨이퍼가 재치되고 웨이퍼는 히터유닛에 의해서 가열된다. 그 후 테이블은 상승하고 가압롤러가 접착시트의 상류측에 이동되어서 접착시트가 웨이퍼에 부착된다.

한편, 이와 같이 부착된 보호필름은 공정이 완료된 후 다시 제거하도록 되어있는데 이러한 부착테이프 제거시스템은 크게 두 가지로 대별된다.

첫 번째 제거 시스템은 별도의 제거용 테이프를 이미 부착된 보호테이프 위에 부착시키고, 동시에 자외선을 조사하여 보호용 테이프의 접착도가 떨어지도록 한다. 그리고 이때에 웨이퍼 표면을 롤러로 눌러 소정의 압력을 가함과 동시에 롤러를 계속 회전시키면서 제거용 테이프와 함께 보호용 테이프를 제거하는 시스템이다.

그리고, 두 번째 제거시스템은 열 봉합 테이프를 보호 테이프가 부착된 웨이퍼 표면에 여유 있는 크기로 안착시킨 후 히터를 이용하여 수초간 열을 가하여 보호용 테이프와 열 봉합 테이프가 서로 접착되도록 하고, 계속해서 웨이퍼 표면에 자외선을 조사하여 보호 테이프의 접착력이 떨어지도록 한 후 열 봉합 테이프와 부착된 보호테이프를 제거 로봇이 열 봉합 테이프의 여유부분을 잡아 벗겨내는 시스템으로 되어 있다.

그러한 테이프 분리 장치의 일 예로 대한민국특허 공개공보(공개번호 : 특 1999-002330호, 발명의 명칭 : 반도체 웨이퍼의 보호테이프 제거장치)에 개시된 바 있다.

그 구성은 웨이퍼가 얹혀지며, 상면의 표면으로부터 몸체내부로는 작은 크기의 직경을 갖는 원형공 형태의 다수의 진공홀이 일정한 간격으로 형성되고, 외부로 부터 인가되는 진공압력에 의하여 발생되는 흡인력에 의하여 그 상면에 얹혀진 웨이퍼를 고정시켜 주는 웨이퍼패드와, 상기 웨이퍼패드의 내부에 형성된 각 진공홀에 진공압을 걸어주는 진공장치와, 신호의 인가에 따라 상기 웨이퍼 패드 상에 얹혀진 웨이퍼의 전면을 지나치면서 그 전면에 부착된 보호 테이프를 벗겨주는 테이프제거롤러를 포함한다.

그러나, 종래에는 상술한 바와 같이 웨이퍼의 후면 처리를 위하여 보호테이프를 웨이퍼의 패턴이 형성된 면에 부착한 후 공정을 완료한 후 다시 떼어내는 공정이 필요하고 그에 따르는 복잡한 장치들이 요구되는 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명은 상술한 문제점들을 해소시키기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 두께를 줄이기 위하여 후면을 깎는 작업을 광(예컨대 레이저 빔)을 이용하도록 하여 별도의 보호테이프를 부착하고 공정을 완료한 후 다시 보호테이프를 제거하는 작업상의 번거로움을 해소함과 아울러 복잡한 장치를 마련하는 것을 해소하도록 하는 웨이퍼 후면 처리장치 및 이를 이용한 방법을 제공하는 데 있다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 1관점에 의하면, 처리될 웨이퍼를 대기시키는 대기스테이지와; 상기 대기스테이지로부터 웨이퍼를 전달받아 지지하는 웨이퍼척; 및 상기 웨이퍼척에 지지된 웨이퍼의 후면측에 연삭광을 조사하여 웨이퍼를 원하는 두께를 이루도록 하는 연삭광조사수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리장치가 제공된다.

상기 대기스테이지의 전 단계의 위치에서는 웨이퍼 공급부로부터 인출된 웨이퍼를 전송받아 웨이퍼의 위치를 예비 정렬하는 프리얼라이너가 추가로 포함된다.

상기 웨이퍼적재부, 프리얼라이너, 대기스테이지로 웨이퍼를 이송시키는 제1웨이퍼이송수단을 추가로 포함한다.

상기 제1웨이퍼이송수단은 수평, 수직 및/또는 회전이동이 가능한 트랜스퍼암으로 된 것이 바람직하다.

상기 대기스테이지 및 상기 웨이퍼척의 사이에는 제2웨이퍼이송수단이 추가로 포함된 것이 바람직하다.

상기 제2웨이퍼이송수단은 상기 대기스테이지 및 웨이퍼척 사이를 수평 왕복 직선 이동함과 아울러 수직 이동되고, 웨이퍼를 집은 타단이 소정의 각도를 두고 선회하도록 설치된 인버암을 포함함이 바람직하다.

상기 인버암은 상기 웨이퍼를 집되 상기 대기스테이지의 외측으로 삽입되어 승·하강되도록 적어도 두개의 지지부를 갖는 포크 형태를 이루도록 된 것이 바람직하다.

상기 웨이퍼척은 상기 웨이퍼의 에지면을 진공흡착에 의해 흡착하도록 그 상단이 환형을 이루도록 된 것이 바람직하다.

상기 연삭광에 의해 깎이는 상기 웨이퍼의 두께를 검출하는 웨이퍼 두께 검출수단이 추가로 포함됨이 바람직하다.

상기 연삭광조사수단은 소정의 위치에 정지된 상태로 설치되고 상기 웨이퍼 척은 구동모터에 의해 소정의 방향으로 회전되도록 된 것이 바람직하다.

상기 연삭광조사수단은 그 연삭광의 조사 위치가 상기 웨이퍼의 측면과 직교된 방향으로 하여 상기 웨이퍼의 중심을 통과하도록 설치된 것이 바람직하다.

상기 연삭광조사수단은 그 연삭광의 조사위치가 상기 웨이퍼의 측면과 직교된 방향을 이루도록 설치되되 상기 웨이퍼의 후면을 순차적으로 스캐닝하도록 직선이송수단에 의해 이송되도록 된 것이 바람직하다.

상기 웨이퍼척은 상기 웨이퍼의 패턴이 형성된 면이 상기 웨이퍼척을 향하도록 하여 상기 웨이퍼를 지지하는 것이 바람직하다.

상기 대기스테이지는 수평상태를 이루고 상기 웨이퍼척은 상기 대기스테이지와 직교되게 설치된 것이 바람직하다.

본 발명의 제 2관점에 의하면, 대기스테이지에 처리될 웨이퍼를 대기시키는 단계와; 상기 대기중인 웨이퍼를 전달받아 웨이퍼척을 통해 소정의 위치로 지지하는 단계; 및 상기 웨이퍼척에 지지된 웨이퍼의 후면측에 소정의 연삭광을 조사하여 상기 웨이퍼가 원하는 두께를 이루도록 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리방법이 제공된다.

상기 대기스테이지의 전 단계에 웨이퍼적재부로부터 인출된 웨이퍼를 예비 정렬하는 프리얼라인먼트 단계가 추가로 포함됨이 바람직하다.

상기 웨이퍼척은 상기 웨이퍼의 패턴이 형성된 면의 에지부를 진공 흡착하는 것이 바람직하다.

상기 연삭광에 의해 웨이퍼의 후면을 처리하는 동안 웨이퍼의 두께를 검출하는 두께검출단계가 추가로 포함됨이 바람직하다.

상기 웨이퍼는 상기 연삭광이 소정의 위치에서 상기 웨이퍼의 측면과 직교된 방향으로 조사되고 그 상태에서 상기 웨이퍼척이 소정의 방향으로 회전되어 연삭광이 웨이퍼의 후면측에 고르게 조사되도록 하여 그 두께가 깎이도록 하는 것이 바람직하다.

상기 웨이퍼는 상기 연삭광이 상기 웨이퍼의 측면과 직교된 방향으로 조사됨과 아울러 상기 웨이퍼 면을 따라 직선 이동되는 것에 의해 그 두께가 깎이도록 하는 것이 바람직하다.

상기 웨이퍼는 상기 연삭광이 상기 웨이퍼의 후면을 따라 수 차례에 걸쳐 스캐닝동작을 실시하여 원하는 두께에 이르도록 하는 것이 바람직하다.

상기 웨이퍼는 연삭광이 한 차례에 의해 스캐닝 동작을 실시하여 웨이퍼를 한번에 절단하는 방식으로 하여 원하는 두께에 이르도록 하는 것이 바람직하다.

상기 대기스테이지 및 웨이퍼척 간의 웨이퍼 이송은 수평, 수직 이송됨과 아울러 일단은 웨이퍼를 집고 그 타단측은 소정의 각도로 선회하는 인버암에 의하는 것이 바람직하다.

상기 웨이퍼적재부, 프리얼라이너, 대기스테이지간의 웨이퍼 이송은 수평, 수직 및/또는 회전되는 트랜스퍼암에 의하는 것이 바람직하다.

상기 대기스테이지 및 웨이퍼척은 서로 직교되게 배치되는 것이 바람직하다.

다음은 도 1 내지 도 5를 참조로 하여 본 발명의 일 실시 예에 의한 구성 및 작용에 대해서 좀더 상세하게 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 의한 웨이퍼 후면 처리장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예를 따르는 웨이퍼 후면 처리장치(1)의 구성은 크게 웨이퍼적재부(10:WAFER STACKER), 프리얼라이너(30: PRE-ALIGNER)), 대기스테이지(50:STANDBY STAGE), 웨이퍼척(70 :WAFER CHUCK), 연삭광조사수단(90), 두께검출기(110), 제1,2웨이퍼이송수단(130,150)으로 구성된다.

웨이퍼적재부(10)는 처리될 웨이퍼(W)를 공급하고 또는 처리된 웨이퍼를 수거 적재하는 곳으로서 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)를 수납하는 웨이퍼카세트(11)가 대기한다.

프리얼라이너(30)는 웨이퍼카세트(11)로부터 제 1이송수단(90)을 통해 인출된 웨이퍼(W)를 예비 정렬시키는 것으로 웨이퍼척(70)에 정확하게 안착 되도록하기 위한 것이다.

다음, 대기스테이지(50)는 프리얼라이너(30) 및 웨이퍼척(70)의 사이에 설치되어 웨이퍼(W)를 이송시키기 위한 중간 역할을 수행하기 위한 곳이다.

도 2,3은 상기 도 1에 적용된 웨이퍼척(70) 및 연삭광조사수단(90)의 일 예를 도시한 도면이다.

도2,3을 참조하면, 웨이퍼척(70)은 연삭광조사수단(90)을 통해 웨이퍼(W)의 후면이 깎이도록 지지하기 위한 것으로서, 그 상단이 웨이퍼(W)의 패턴이 형성된 면의 에지부를 진공흡착에 의해 지지하도록 환형의 돌기부(71)가 돌출 형성된다. 돌기부(71)에는 진공펌프(73)와 연결되며 상기 돌기부(71)의 상단측으로 개구된 복수개의 진공흡착홀(75)이 복수개가 형성된다.

여기서, 웨이퍼(W)의 후면 연삭을 위하여 연삭광조사수단(90) 및 웨이퍼척(70)의 상호 관계하는 일 예를 설명한다.

먼저, 웨이퍼척(70)은 구동모터(77)와 직결되어 소정의 방향으로 회전되도록 구성된다. 이에 더하여 연삭광조사수단(90)은 웨이퍼척(70)에 지지된 웨이퍼(W)의 측면에 대하여 직교된 방향으로 연삭광(L)을 조사하도록 설치된다.

연삭광조사수단(90)의 연삭광(L)은 레이저빔을 사용함이 바람직하며, 여기서, 연삭광조사수단(90)은 소정의 위치에 정지된 상태로 하여 연삭광(L)을 발광하고 수광하도록 광발생기(91) 및 광수광기(93)가 서로 대향되게 구성된다.

이때, 연삭광조사수단(90)은 연삭광(L)이 상기 웨이퍼(W)의 중심(C)을 통과하도록 설치되어 웨이퍼척(70)이 구동모터(77)에 의해 회전하여 웨이퍼(W)의 후면 전체에 고르게 조사되도록 함이 바람직하다.

이와 같이 웨이퍼(W)의 후면을 연삭광을 통하여 깎는 동안 두께검출기(110)에 의해 웨이퍼(W)의 두께가 지속적으로 체크되어 웨이퍼(W)가 원하는 두께에 정확하게 도달할 수 있도록 한다.

도 4는 연삭광을 조사하는 방식을 다르게 한 실시 예를 도시한 도면이다.

도 4를 참조하면 연삭광조사수단(90)을 이루는 광발생기(91) 및 광수광기(93)는 직선이동수단(150)에 의해 웨이퍼척(70)에 지지된 웨이퍼(W)의 평면에 대하여 평행하게 이동하도록 설치된다.

이때, 연삭광조사수단(90)은 수 차례에 걸쳐 직선 왕복 이동됨으로써 웨이퍼(W)의 후면을 점차적으로 원하는 두께에 이르도록 하거나, 또는 한 차례의 스캐닝 동작을 실시하여 웨이퍼(W)를 한번에 절단하는 방식으로 하여 원하는 두께에 이르도록 한다.

제1웨이퍼이송수단(130)은 도 1에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)를 웨이퍼적재부(10), 프리얼라이너(30), 대기스테이지(50)로 이송시키기 위한 것으로서, 수평, 수직 및/또는 회전이동이 가능한 트랜스퍼암(131)으로 구성된다.

제2웨이퍼이송수단(150)은 대기스테이지(50) 및 웨이퍼척(70)으로 웨이퍼(W)를 이송시키기 위한 것으로서, 대기스테이지(50) 및 웨이퍼척(70)의 사이에서 수평/수직 이송되며 일단에 웨이퍼(W)를 집되 대기스테이지(50)의 외측으로 삽입될 수 있도록 적어도 두 개의 지지부(151a)를 갖는 포크 형상으로 이루어진 인버암(151)으로 구성된다.

여기서, 인버암(151)은 대기스테이지(50) 및 웨이퍼척(70)이 서로 직교된 방향으로 배치된 것을 고려하여 지지부(151a)가 형성된 타단측을 중심으로 소정의 각도를 이루며 선회하도록 설치된다.

다음은 도 5를 참조로 하여 상술한 구성에 의해 웨이퍼 후면 처리 과정에 대해서 설명한다.

먼저, 웨이퍼적재부(10)를 이루는 웨이퍼카세트(11)로부터 제1웨이퍼이송수단(130)을 통해 웨이퍼(W)를 인출(S10)한다.

그 후 제1웨이퍼이송수단(130)은 웨이퍼(W)를 프리얼라이너(30)에 안착시켜 웨이퍼(W)를 예비 정렬(S30)시킨다.

다음, 제1웨이퍼이송수단(130)의 동작에 의해 프리얼라이너(30)를 통해 예비 정렬된 웨이퍼(W)를 재차 이송하여 대기스테이지(50)로 로딩(S50)한다.

그러면, 제2웨이퍼이송수단(150)인 인버암(151) 수직 및/또는 수평 이송되어 웨이퍼(W)를 집은 후 웨이퍼척(70)상으로 이송(S70)한다.

이때, 제2웨이퍼이송수단(150)은 대기스테이지(50)에 대기중인 웨이퍼(W)를 집기 위하여 대기스테이지(50)측으로 전진하며 지지부(151a)의 사이로 대기스테이지(50)가 삽입된다. 그러면 인버암(151)은 상승하여 대기중인 웨이퍼(W)의 저면을 받친다. 그러면 다시 인버암(151)은 후진하고 그 타단을 중심으로 선회하여 웨이퍼를 웨이퍼척(70)상에 로딩시킨 후 원래의 위치로 복귀된다.

다음, 연삭광조사수단(90)을 통해 연삭광(L)을 웨이퍼(W)의 후면측에 조사하여 웨이퍼(W)의 후면측을 소정의 두께로 깎는다.(S90)

이때, 웨이퍼(W)의 후면을 깎는 방법은 다양한 방법으로 실시 가능하다.

그 첫 번째 방식으로 도 2,3에 도시된 바와 같이 연삭광조사수단(90)을 통해 조사되는 연삭광(L)이 웨이퍼(W)의 중심을 통과하도록 한 상태에서 웨이퍼척(70)이 모터(77)를 통해 회전되면, 조사되는 연삭광(L)은 웨이퍼(W)의 전면을 통하여 고르게 조사되어 웨이퍼(W)의 후면을 소정의 두께로 깎는다.

두 번째 방식으로는 도 4에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)는 정지된 상태로 유지되며 연삭광조사수단(90)인 광발생기(91) 및 광수광기(93)가 직선 이동됨에 따라 연삭광(L)이 상기 웨이퍼(W)의 후면을 스캐닝 하는 방식에 의한다.

이때, 연삭광조사수단(90)은 직선이송수단(150)을 통해 수 차례에 걸쳐 직선 이송되는 것에 의해 웨이퍼를 깎을 수도 있고, 또는 소정의 위치에 연삭광조사수단(90)을 위치 정렬시킨 후 한 번의 스캐닝 과정을 통해 웨이퍼(W)를 절삭하는 방식에 의할 수 있다.

상술한 바와 같은 다양한 방식을 통해 웨이퍼(W)의 두께를 얇게 처리하는 동안 두께검출기(110)는 웨이퍼(W)의 두께를 지속적으로 체크한다.(S110)

다음 처리된 웨이퍼(W)는 다시 상술한 인버암(151)의 역동작에 의해 대기스테이지(50)상으로 이송(S130)되고, 제 1이송수단(130)인 트랜스퍼암(131)을 통해 웨이퍼적재부(10)로 이송(S150)된다

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 웨이퍼의 두께 조절을 화학적 기계적 연마방식에 의하지 않고 레이저 빔 조사를 통해 이루어지도록 하여 별도의 보호테이프를 부착하고 제거하는 작업을 해소시키는 이점이 있다.

이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 의한 웨이퍼 후면 처리장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면,

도 2는 1의 1A-1A′를 따른 단면도,

도 3은 상기 도 2의 화살표 B를 따를 도면,

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 의한 웨이퍼 후면 처리장치의 또 다른 예를 도시한 도면,

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 의한 후면 처리장치에 의해 후면처리가 진행되는 상태를 도시한 순서도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 후면처리장치 10 : 웨이퍼적재부

11 : 웨이퍼카세트 30 : 프리얼라이너

50 : 대기스테이지 70 : 웨이퍼척

71 : 돌기부 73 : 진공펌프

75 : 진공흡착홀 77 : 구동모터

90 : 연삭광조사수단 91 : 광발생기

93 : 광수광기 110 : 두께검출기

130 : 제1이송수단 131 : 트랜스퍼암

150 : 제2이송수단 151 : 인버암

Claims (27)

1. 처리될 웨이퍼를 대기시키는 대기스테이지;

   상기 대기스테이지로부터 웨이퍼를 전달받아 지지하는 웨이퍼척; 및

   상기 웨이퍼척에 지지된 웨이퍼의 후면측에 연삭광을 조사하여 웨이퍼를 원하는 두께로 깎는 연삭광조사수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리장치.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 대기스테이지의 전 단계의 위치에서는 웨이퍼적재부로부터 인출된 웨이퍼를 전송 받아 웨이퍼의 위치를 예비 정렬하는 프리얼라이너가 추가로 포함된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리장치.
3. 제 2항에 있어서, 상기 웨이퍼적재부, 프리얼라이너, 대기스테이지로 웨이퍼를 이송시키는 제1웨이퍼이송수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리장치.
4. 제 3항에 있어서, 상기 제1웨이퍼이송수단은 수평, 수직 및/또는 회전이동이 가능한 트랜스퍼암으로 된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리장치.
5. 제 1항에 있어서, 제 1항에 있어서, 상기 대기스테이지는 수평상태를 이루고 상기 웨이퍼척은 상기 대기스테이지와 직교되게 설치된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리장치.
6. 제 5항에 있어서, 상기 대기스테이지 및 상기 웨이퍼척의 사이에는 제2웨이퍼이송수단이 추가로 포함된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리장치.
7. 제 6항에 있어서, 상기 제2웨이퍼이송수단은 상기 대기스테이지 및 웨이퍼척 사이를 수평 왕복 직선 이동함과 아울러 수직 이동되고, 웨이퍼를 집은 타단이 소정의 각도를 두고 선회하도록 설치된 인버암을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리장치.
8. 제 7항에 있어서, 상기 인버암은 상기 웨이퍼를 집되 상기 대기스테이지의 외측으로 삽입되어 승·하강되도록 적어도 두개의 지지부를 갖는 포크 형태를 이루도록 된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리장치.
9. 제 1항에 있어서, 상기 웨이퍼척은 상기 웨이퍼의 에지면을 진공흡착에 의해 흡착하도록 그 상단이 환형을 이루도록 된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리장치.
10. 제 1항에 있어서, 상기 연삭광에 의해 깎이는 상기 웨이퍼의 두께를 검출하는 두께검출기가 추가로 포함된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리장치.
11. 제 1항에 있어서, 상기 연삭광조사수단은 소정의 위치에 정지된 상태로 설치되고 상기 웨이퍼척은 구동모터에 의해 소정의 방향으로 회전되도록 된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리장치.
12. 제 11항에 있어서, 상기 연삭광조사수단은 그 연삭광의 조사 위치가 상기 웨이퍼의 측면과 직교된 방향으로 하여 상기 웨이퍼의 중심을 통과하도록 설치된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리장치.
13. 제 1항에 있어서, 상기 연삭광조사수단은 그 연삭광의 조사위치가 상기 웨이퍼의 측면과 직교된 방향을 이루도록 설치되되 상기 웨이퍼의 후면을 순차적으로 스캐닝하도록 직선이송수단에 의해 이송되도록 된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리장치.
14. 제 1항에 있어서, 상기 웨이퍼척은 상기 웨이퍼의 패턴이 형성된 면이 상기 웨이퍼척을 향하도록 하여 상기 웨이퍼를 지지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리장치.
15. 제 1항에 있어서, 상기 연삭광은 레이저빔인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리장치.
16. 대기스테이지에 처리될 웨이퍼를 대기시키는 단계;

    상기 웨이퍼를 전달받아 웨이퍼척을 통해 소정의 위치로 지지하는 단계; 및

    상기 웨이퍼척에 지지된 웨이퍼의 후면측에 소정의 연삭광을 조사하여 상기 웨이퍼가 원하는 두께를 이루도록 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리방법.
17. 제 16항에 있어서, 상기 대기스테이지의 전 단계에 웨이퍼적재부로부터 인출된 웨이퍼를 예비 정렬하는 프리얼라인먼트 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리방법.
18. 제 16항에 있어서, 상기 웨이퍼척은 상기 웨이퍼의 패턴이 형성된 면의 에지부를 진공 흡착하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리방법.
19. 제 16항에 있어서, 상기 연삭광에 의해 웨이퍼의 후면을 처리하는 동안 웨이퍼의 두께를 검출하는 두께검출단계가 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리방법.
20. 제 16항에 있어서, 상기 웨이퍼는 상기 연삭광이 소정의 위치에서 상기 웨이퍼의 측면과 직교된 방향으로 조사되고 그 상태에서 상기 웨이퍼척이 소정의 방향으로 회전되어 연삭광이 웨이퍼의 후면측에 고르게 조사되도록 하여 그 두께가 깎이는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리방법.
21. 제 16항에 있어서, 상기 웨이퍼는 상기 연삭광이 상기 웨이퍼의 측면과 직교된 방향으로 조사됨과 아울러 상기 웨이퍼 면을 따라 직선 이동되는 것에 의해 그 두께가 깎이는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리방법.
22. 제 21항에 있어서, 상기 웨이퍼는 상기 연삭광이 상기 웨이퍼의 후면을 따라 수 차례에 걸쳐 스캐닝동작을 실시하여 원하는 두께에 이르는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리방법.
23. 제 21항에 있어서, 상기 웨이퍼는 연삭광이 한 차례에 의해 스캐닝 동작을 실시하여 웨이퍼를 한번에 절단하는 방식으로 하여 원하는 두께에 이르는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리방법.
24. 제 16항에 있어서, 상기 대기스테이지 및 웨이퍼척은 서로 직교되게 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리방법.
25. 제 16항에 있어서, 상기 웨이퍼적재부, 프리얼라이너, 대기스테이지간의 웨이퍼 이송은 수평, 수직 및/또는 회전되는 트랜스퍼암에 의하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리방법.
26. 제 24항에 있어서, 상기 대기스테이지 및 웨이퍼척 간의 웨이퍼 이송은 수평, 수직 이송됨과 아울러 일단은 웨이퍼를 집고 그 타단측은 소정의 각도로 선회하는 인버암에 의하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리방법.
27. 제 16항에 있어서, 상기 연삭광은 레이저빔인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 후면 처리방법.