KR20050092596A - Optical semiconductor device with lead frame for buffer - Google Patents
Optical semiconductor device with lead frame for buffer Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050092596A KR20050092596A KR20040017696A KR20040017696A KR20050092596A KR 20050092596 A KR20050092596 A KR 20050092596A KR 20040017696 A KR20040017696 A KR 20040017696A KR 20040017696 A KR20040017696 A KR 20040017696A KR 20050092596 A KR20050092596 A KR 20050092596A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- lead
- buffer
- optical semiconductor
- present
- electrode
- Prior art date
Links
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
본 발명은 소자를 내장하는 몰드부와 몰드부에 연결된 두 개의 리드 프레임을 갖는 발광소자 또는 수광소자 등의 광반도체소자에서, 상기 리드 프레임과 몰드부 사이에 충격 분산을 위한 완충용 리드를 형성시킨 완충용 리드를 갖는 광반도체소자를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention provides an optical semiconductor device such as a light emitting device or a light receiving device having a mold part incorporating a device and two lead frames connected to the mold part, and a buffering lead for shock dispersion is formed between the lead frame and the mold part. It is an object of the present invention to provide an optical semiconductor element having a buffer lead.
본 발명은, 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 수광 또는 발광 소자와, 상기 소자의 제1 전극과 전기적으로 연결된 소자연결부와, 상기 소자의 제2 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 소자를 장착하기 위한 소자 장착부를 밀봉하는 몰드부; 상기 몰드부의 소자 연결부에서 상기 몰드부 외부로 연장되어 외부의 기계적인 충격을 완화시키는 제1 완충 리드부; 상기 몰드부의 소자 장착부에서 상기 몰드부 외부로 연장되어 외부의 기계적인 충격을 완화시키는 제2 완충 리드부; 상기 제1 완충 리드부에 연장된 제1 리드프레임; 및 상기 제2 완충 리드부에 연장된 제2 리드프레임을 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention provides a light-receiving or light-emitting element having a first electrode and a second electrode, an element connecting portion electrically connected to the first electrode of the element, and electrically connected to the second electrode of the element, to mount the element. A mold unit sealing an element mounting unit for the unit; A first buffer lead part extending from the device connection part of the mold part to the outside of the mold part to mitigate an external mechanical impact; A second buffering lead part extending from the element mounting part of the mold part to the outside of the mold part to mitigate an external mechanical impact; A first lead frame extending to the first buffer lead portion; And a second lead frame extending to the second buffer lead portion.
Description
본 발명은 완충용 리드를 갖는 발광소자 또는 수광소자 등의 광반도체소자에 관한 것으로, 특히 소자를 내장하는 몰드부와 몰드부에 연결된 두 개의 리드 프레임을 갖는 발광소자 또는 수광소자 등의 광반도체소자에서, 상기 리드 프레임과 몰드부 사이에 충격 분산을 위한 완충용 리드를 형성시킴으로써, 기판에 삽입된 광반도체소자의 리드 프레임을 절단할 때 발생되는 절단 충격을 상기 완충용 리드에 의해 분산시킬 수 있고, 이에 따라 에폭시 몰드의 파손을 방지할 수 있도록 하는 완충용 리드를 갖는 광반도체소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical semiconductor element such as a light emitting element or a light receiving element having a buffer lead, and more particularly, to an optical semiconductor element such as a light emitting element or a light receiving element having two lead frames connected to the mold portion and a mold portion therein. In, by forming a buffer for shock dispersion between the lead frame and the mold portion, the cutting shock generated when cutting the lead frame of the optical semiconductor element inserted into the substrate can be dispersed by the buffer lead Accordingly, the present invention relates to an optical semiconductor device having a buffer lead for preventing breakage of an epoxy mold.
일반적으로, 광반도체소자는 발광소자(Light Emitting Diode,LED), 포토다이오드(Photo Diode)와 같은 수광소자(Photo Detector)가 있으며, 이러한 광반도체소자중에서 상기 발광소자(LED)는 표시용 광원으로서 널리 이용되고 있는데, 이는 소형, 저소비전력, 고신뢰성 등의 특징을 겸비하여야 한다. In general, an optical semiconductor device includes a light detector such as a light emitting diode (LED) and a photo diode. Among the optical semiconductor devices, the light emitting device (LED) is used as a display light source. It is widely used, which should combine features such as small size, low power consumption and high reliability.
한편, 발광소자의 재료로는 p-n접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서, 주로 비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3 B 및 5 B족인 2원소 또는 3원소 화합물 반도체가 사용되고 있는데, 2B, 6B족이나 4A, 4B족인 것에 대하여도 연구가 진행되고 있다. On the other hand, as a material of the light emitting device, it is possible to produce a pn junction and the like, and mainly gallium arsenide GaAs, gallium phosphide GaP, gallium arsenide GaAs1-x Px, gallium aluminum arsenide Ga1- Two- or three-element compound semiconductors of groups 3B and 5B, such as xAlxAs, indium phosphide InP, and indium-gallium phosphorus ln1-xGaxP, are used. Studies are also being conducted on groups 2B, 6B, 4A, and 4B.
이러한 화합물 반도체로 적색, 등색, 황색, 녹색 발광용으로 이용되고 있으며, 녹색, 청색, 자외 영역용으로는 GaN계 화합물 반도체가 이용되고 있다. 현재 이러한 발광소자의 고휘도화가 더욱 진척됨으로써, 옥외에서의 총천연색 전광판이나 통신용 광원으로서의 그 용도가 비약적으로 확대되고 있는 실정이다.Such compound semiconductors are used for emitting red, orange, yellow, and green light, and GaN compound semiconductors are used for green, blue, and ultraviolet regions. At present, as the light intensity of the light emitting device is further advanced, its use as a full-color electric signboard or a communication light source in the outdoors is rapidly expanding.
도 1a는 종래의 발광소자 램프의 사시도이고, 도 1b는 종래의 발광소자 램프의 정면도이다. 도 1a 및 도 1b를 참조하면, 종래의 발광소자 램프(100)는, 두 개의 제1 및 제2 리드 프레임(110,120)과, 상기 리드 프레임(110,120)에 연결된 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 발광소자(130)와, 상기 발광소자 및 상기 리드 프레임(110,120)의 일부를 에폭시 수지로 밀봉하여 몰딩한 몰드부(140)로 이루어진다. 여기서, 상기 에폭시 주지는 일정한 열전도성을 갖는다.1A is a perspective view of a conventional light emitting device lamp, and FIG. 1B is a front view of a conventional light emitting device lamp. 1A and 1B, a conventional light emitting device lamp 100 includes two first and second lead frames 110 and 120, and a first electrode and a second electrode connected to the lead frames 110 and 120. The light emitting device 130 and a part of the light emitting device and the lead frames 110 and 120 are sealed with an epoxy resin and molded into the mold part 140. Here, the epoxy resin has a constant thermal conductivity.
상기 제1 리드 프레임(110)은 상기 몰드부(140)의 외부에 노출된 리드부(111)와, 상기 리드부에서 상기 몰드부(140) 내부로 연장되어 상기 발광소자(130)의 제1 전극과 연결하기 위한 소자연결부(112)를 포함한다.The first lead frame 110 extends from the lead part 111 exposed to the outside of the mold part 140 and from the lead part into the mold part 140 to be the first of the light emitting device 130. And a device connection part 112 for connecting with the electrode.
그리고, 상기 제2 리드 프레임(120)은 상기 몰드부(140)의 외부에 노출된 리드부(121)와, 상기 리드부에서 상기 몰드부(140) 내부로 연장되어 상기 발광소자(130)를 장착하기 위한 컵 구조의 소자장착부(122)를 포함하고, 상기 소자장착부(122)는 상기 발광소자(130)의 제2 전극과 연결된다. In addition, the second lead frame 120 extends into the mold part 140 exposed to the outside of the mold part 140 and from the lead part into the mold part 140 to provide the light emitting device 130. And a device mounting part 122 having a cup structure for mounting, and the device mounting part 122 is connected to the second electrode of the light emitting device 130.
도 2a는 종래의 발광소자 램프가 기판에 삽입된 상태를 보이는 단면도이고, 도 2a는 종래의 발광소자 램프가 기판에 삽입된 상태에서 리드 프레임 절단시의 몰드부 파손 상태를 보이는 단면도이다. 2A is a cross-sectional view showing a state in which a conventional light emitting device lamp is inserted into a substrate, and FIG. 2A is a cross-sectional view showing a mold part breakage state in cutting a lead frame in a state where a conventional light emitting device lamp is inserted into a substrate.
도 2a를 참조하면, 발광소자(100)의 리드 프레임(110,120)을 기판의 홀(H1,H2)에 삽입하여 장착하고, 이후, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 방광소자(100)의 리드 프레임(110,120)을 각각 절단하게 된다.Referring to FIG. 2A, the lead frames 110 and 120 of the light emitting device 100 are inserted into and mounted in the holes H1 and H2 of the substrate. Then, as shown in FIG. 2B, the lead of the light emitting device 100 is shown. The frames 110 and 120 are cut off, respectively.
그런데, 이러한 리드 프레임의 절단과정에서 발생되는 절단 충격이 직선타입의 리드 프레임을 통해서 곧바로 몰드부(140)에 전달되므로 인하여, 상기 몰드부(140)중 상기 리드 프레임에 접촉되는 부위가 파손되는 문제점이 있었다. However, since the cutting shock generated during the cutting process of the lead frame is directly transmitted to the mold unit 140 through the linear lead frame, a part of the mold unit 140 contacting the lead frame is damaged. There was this.
이에 따라, 파손된 발광소자를 버리게 되므로 생산단가 및 제품단가를 상승시키게 되는 요인이 되고, 또한, 발광소자 파손시, 새로운 발광소자를 다시 삽입하여 장착하여야 하는 등 작업 효율을 떨어뜨리는 문제점이 있다.Accordingly, since the broken light emitting device is discarded, there is a problem that the production cost and the product cost are increased, and when the light emitting device is broken, there is a problem of lowering work efficiency such as reinserting and installing a new light emitting device.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 그 목적은 소자를 내장하는 몰드부와 몰드부에 연결된 두 개의 리드 프레임을 갖는 발광소자 또는 수광소자 등의 광반도체소자에서, 상기 리드 프레임과 몰드부 사이에 충격 분산을 위한 완충용 리드를 형성시킴으로써, 기판에 삽입된 광반도체소자의 리드 프레임을 절단할 때 발생되는 절단 충격을 상기 완충용 리드에 의해 분산시킬 수 있고, 이에 따라 에폭시 몰드의 파손을 방지할 수 있도록 하는 완충용 리드를 갖는 광반도체소자를 제공하는데 있다. The present invention has been proposed to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an optical semiconductor device such as a light emitting device or a light receiving device having two lead frames connected to a mold part and a mold part incorporating the device. By forming a buffer lead for impact dispersion between the mold parts, the cutting shock generated when cutting the lead frame of the optical semiconductor element inserted into the substrate can be dispersed by the buffer lead, thereby An optical semiconductor device having a buffer lead for preventing breakage is provided.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 광반도체소자는In order to achieve the above object of the present invention, the optical semiconductor device of the present invention
제1 전극 및 제2 전극을 갖는 수광 또는 발광 소자와, 상기 소자의 제1 전극과 전기적으로 연결된 소자연결부와, 상기 소자의 제2 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 소자를 장착하기 위한 소자 장착부를 밀봉하는 몰드부;A light receiving or light emitting element having a first electrode and a second electrode, an element connecting portion electrically connected to the first electrode of the element, an element mounting portion electrically connected to the second electrode of the element, and for mounting the element. A mold part for sealing;
상기 몰드부의 소자 연결부에서 상기 몰드부 외부로 연장되어 외부의 기계적인 충격을 완화시키는 제1 완충 리드부;A first buffer lead part extending from the device connection part of the mold part to the outside of the mold part to mitigate an external mechanical impact;
상기 몰드부의 소자 장착부에서 상기 몰드부 외부로 연장되어 외부의 기계적인 충격을 완화시키는 제2 완충 리드부;A second buffering lead part extending from the element mounting part of the mold part to the outside of the mold part to mitigate an external mechanical impact;
상기 제1 완충 리드부에 연장된 제1 리드프레임; 및A first lead frame extending to the first buffer lead portion; And
상기 제2 완충 리드부에 연장된 제2 리드프레임A second lead frame extending to the second buffer lead portion
을 포함하는 것을 특징으로 한다.Characterized in that it comprises a.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명에 참조된 도면에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호를 사용할 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings referred to in the present invention, components having substantially the same configuration and function will use the same reference numerals.
본 발명의 광반도체소자는 광을 발생하는 발광소자, 또는 광을 수신하는 수광소자에 해당되는데, 이 광반도체소자는 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 수광 또는 발광 소자와, 상기 소자의 제1 전극과 전기적으로 연결된 소자연결부와, 상기 소자의 제2 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 소자를 장착하기 위한 컵 형상의 소자 장착부를 밀봉하는 몰드부를 포함한다.The optical semiconductor device of the present invention corresponds to a light emitting device for generating light or a light receiving device for receiving light, the optical semiconductor device including a light receiving or light emitting device having a first electrode and a second electrode, and a first of the device. An element connecting portion electrically connected to an electrode, and a mold portion electrically connected to a second electrode of the element, and sealing a cup-shaped element mounting portion for mounting the element.
또한, 본 발명의 광반도체소자는 상기 몰드부의 소자 연결부에서 상기 몰드부 외부로 연장되어 외부의 기계적인 충격을 완화시키는 제1 완충 리드부와, 상기 몰드부의 소자 장착부에서 상기 몰드부 외부로 연장되어 외부의 기계적인 충격을 완화시키는 제2 완충 리드부를 포함한다. In addition, the optical semiconductor device of the present invention extends from the element connection portion of the mold portion to the outside of the mold portion to cushion the external mechanical impact, and extends outside the mold portion from the element mounting portion of the mold portion. And a second shock absorbing lead portion for alleviating an external mechanical shock.
여기서, 상기 제1 완충 리드부와 제2 완충 리드부가 비직선 타입이므로, 상기 광반도체소자의 리드 프레임이 기판에 삽입된 후에 절단시, 이 절단 충격이 상기 제1 완충 리드부와 제2 완충 리드부에 의해서 분산되어 상기 절단 충격이 곧바로 몰드부에 가해지지 않는다. 이에 따라, 상기 몰드부가 리드 프레임 절단에 의한 충격으로 파손되는 것이 방지된다.Here, since the first buffer lead portion and the second buffer lead portion are of non-linear type, when the lead frame of the optical semiconductor element is cut after being inserted into the substrate, the cutting shock is applied to the first buffer lead portion and the second buffer lead. Dispersed by the part, the cutting impact is not immediately applied to the mold part. Thus, the mold part is prevented from being damaged by the impact caused by cutting the lead frame.
이와 같이, 상기 제1 완충 리드부 및 제2 완충 리드부가 절단 충격을 분산시키기 위해서는 리드 프레임의 직선축에서 벗어나는 비직선형상의 리드부로 형성되어야 한다.As such, the first buffer lead portion and the second buffer lead portion should be formed of a non-linear lead portion deviating from the linear axis of the lead frame in order to disperse the cutting impact.
또한, 본 발명의 광반도체소자는 상기 제1 완충 리드부에 연장된 제1 리드프레임와, 상기 제2 완충 리드부에 연장된 제2 리드프레임을 포함한다.In addition, the optical semiconductor device of the present invention includes a first lead frame extending to the first buffer lead and a second lead frame extending to the second buffer lead.
이와 같은 본 발명의 각 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. Each embodiment of the present invention as described above will be described with reference to the accompanying drawings.
도 3a는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 광반도체소자의 정단면도이고, 도 3b는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 광반도체소자의 사시도이다.3A is a front sectional view of an optical semiconductor element according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a perspective view of the optical semiconductor element according to the first embodiment of the present invention.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 발명의 광반도체소자(300)는 광을 발생하는 발광소자, 또는 광을 수신하는 수광소자에 해당되는데, 이 광반도체소자(300)는 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 수광 또는 발광 소자(311)와, 상기 소자(311)의 제1 전극과 전기적으로 연결된 소자연결부(312)와, 상기 소자(311)의 제2 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 소자(311)를 장착하기 위한 컵 형상의 소자 장착부(313)를 밀봉하는 몰드부(310)를 포함한다.3A and 3B, the optical semiconductor device 300 of the present invention corresponds to a light emitting device for generating light or a light receiving device for receiving light. The optical semiconductor device 300 includes a first electrode and a first electrode. A light receiving or light emitting element 311 having two electrodes, an element connecting portion 312 electrically connected to the first electrode of the element 311, and an element connected to the second electrode of the element 311, and The mold part 310 which seals the cup-shaped element mounting part 313 for mounting the 311 is included.
또한, 본 발명의 광반도체소자(300)는 상기 몰드부(310)의 소자 연결부(312)에서 상기 몰드부(310) 외부로 연장되어 외측방향으로 돌출되는 곡선형상으로 형성한 제1 완충 리드부(320)와, 상기 몰드부(310)의 소자 장착부(313)에서 상기 몰드부(310) 외부로 연장되어 외측방향으로 돌출되는 곡선형상으로 형성한 제2 완충 리드부(330)를 포함한다.In addition, the optical semiconductor device 300 of the present invention extends from the device connection portion 312 of the mold portion 310 to the outside of the mold portion 310 to form a curved shape protruding outwardly in the first buffer lead portion And a second buffer lead part 330 extending from the device mounting part 313 of the mold part 310 to the outside of the mold part 310 and protruding outwardly.
즉, 상기 제1 및 제2 완충 리드부 각각(320,330)은 외측 방향으로의 돌출되는 곡선형상으로 형성되어 이루어지는 것이 바람직하다.That is, it is preferable that each of the first and second buffer lead portions 320 and 330 is formed in a curved shape protruding outward.
또한, 본 발명의 광반도체소자(300)는 상기 제1 완충 리드부(320)에 연장된 제1 리드프레임(340)과, 상기 제2 완충 리드부(330)에 연장된 제2 리드프레임(350)을 포함한다.In addition, the optical semiconductor device 300 of the present invention may include a first lead frame 340 extending to the first buffer lead part 320 and a second lead frame extending to the second buffer lead part 330. 350).
도 4a는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 광반도체소자의 정단면도이고, 도 4b는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 광반도체소자의 사시도이다.4A is a front sectional view of an optical semiconductor element according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a perspective view of the optical semiconductor element according to the second embodiment of the present invention.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 발명의 광반도체소자(400)는, 상기 본 발명의 실시예와 같이, 광을 발생하는 발광소자, 또는 광을 수신하는 수광소자에 해당되는데, 이 광반도체소자(400)는 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 수광 또는 발광 소자(411)와, 상기 소자(411)의 제1 전극과 전기적으로 연결된 소자연결부(412)와, 상기 소자(411)의 제2 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 소자(411)를 장착하기 위한 컵 형상의 소자 장착부(413)를 밀봉하는 몰드부(410)를 포함한다.4A and 4B, the optical semiconductor device 400 of the present invention corresponds to a light emitting device for generating light or a light receiving device for receiving light, as in the embodiment of the present invention. The device 400 includes a light receiving or light emitting device 411 having a first electrode and a second electrode, an element connecting portion 412 electrically connected to the first electrode of the device 411, and a device of the device 411. It is electrically connected to the two electrodes, and includes a mold portion 410 sealing the cup-shaped element mounting portion 413 for mounting the element 411.
또한, 본 발명의 광반도체소자(400)는, 상기 본 발명의 실시예와 달리, 상기 몰드부(410)의 소자 연결부(412)에서 상기 몰드부(410) 외부로 연장되어 외측방향으로 돌출되는 곡선형상으로 형성한 제1 완충 리드부(420)와, 상기 몰드부(410)의 소자 장착부(413)에서 상기 몰드부(410) 외부로 연장되어 내측방향으로 돌출되는 곡선형상으로 형성한 제2 완충 리드부(430)를 포함한다.In addition, unlike the embodiment of the present invention, the optical semiconductor device 400 of the present invention extends outside the mold part 410 from the device connection part 412 of the mold part 410 and protrudes outward. A first buffer lead portion 420 formed in a curved shape and a second curved portion extending from the element mounting portion 413 of the mold portion 410 to the outside of the mold portion 410 and protruding inwardly; The buffer lead part 430 is included.
즉, 상기 제1 및 제2 완충 리드부 각각(420,430)은 서로 동일한 방향으로의 돌출되는 곡선형상으로 형성되어 이루어진다. That is, the first and second buffer lead portions 420 and 430 are each formed in a curved shape protruding in the same direction.
여기서, 곡선형상의 예로는 반원, 반타원 및 'S'자형 등과 같이 다양한 형상이 있으며, 이들중 어느 특정한 형상에 한정되지 않는다.Here, examples of the curved shape include various shapes such as a semicircle, a semi-ellipse, an 'S' shape, and the like, and are not limited to any particular shape.
또한, 본 발명의 광반도체소자(400)는, 상기 본 발명의 실시예와 같이, 상기 제1 완충 리드부(420)에 연장된 제1 리드프레임(440)과, 상기 제2 완충 리드부(430)에 연장된 제2 리드프레임(450)을 포함한다.In addition, the optical semiconductor device 400 of the present invention, as in the embodiment of the present invention, the first lead frame 440 extending to the first buffer lead portion 420 and the second buffer lead portion ( And a second lead frame 450 extending to 430.
도 5a는 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 광반도체소자의 정단면도이고, 도 5는 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 광반도체소자의 사시도이다.5A is a front sectional view of an optical semiconductor device according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a perspective view of the optical semiconductor device according to the third embodiment of the present invention.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 본 발명의 광반도체소자(500)는, 상기 본 발명의 실시예와 같이, 광을 발생하는 발광소자, 또는 광을 수신하는 수광소자에 해당되는데, 이 광반도체소자(500)는 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 수광 또는 발광 소자(511)와, 상기 소자(511)의 제1 전극과 전기적으로 연결된 소자연결부(512)와, 상기 소자(511)의 제2 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 소자(511)를 장착하기 위한 컵 형상의 소자 장착부(513)를 밀봉하는 몰드부(510)를 포함한다.5A and 5B, the optical semiconductor device 500 of the present invention corresponds to a light emitting device for generating light or a light receiving device for receiving light, as in the embodiment of the present invention. The device 500 may include a light receiving or light emitting device 511 having a first electrode and a second electrode, an element connecting portion 512 electrically connected to the first electrode of the device 511, and a device of the device 511. It is electrically connected to the two electrodes, and includes a mold portion 510 for sealing the cup-shaped element mounting portion 513 for mounting the element 511.
또한, 본 발명의 광반도체소자(500)는, 상기 본 발명의 실시예와 달리, 상기 몰드부(510)의 소자 연결부(512)에서 상기 몰드부(510) 외부로 연장되어 외측방향으로 돌출되는 다각형상으로 형성한 제1 완충 리드부(520)와, 상기 몰드부(510)의 소자 장착부(513)에서 상기 몰드부(510) 외부로 연장되어 외측방향으로 돌출되는 다각형상으로 형성한 제2 완충 리드부(530)를 포함한다.In addition, unlike the embodiment of the present invention, the optical semiconductor device 500 of the present invention extends outside the mold part 510 from the device connection part 512 of the mold part 510 to protrude outward. The first buffer lead portion 520 formed in a polygonal shape and the second formed in a polygonal shape extending from the element mounting portion 513 of the mold portion 510 to the outside of the mold portion 510 to protrude outwardly. The buffer lead part 530 is included.
즉, 상기 제1 및 제2 완충 리드부 각각은 외측 방향으로의 돌출되는 다각형상으로 형성되어 이루어진다.That is, each of the first and second buffer lead portions is formed in a polygonal shape protruding outward.
여기서, 다각형상의 예로는 삼각 및 사각 등과 같이 다양한 형상이 있으며, 이들중 어느 특정한 형상에 한정되지 않는다.Here, examples of the polygonal shape include various shapes such as a triangle and a square, and are not limited to any particular shape among them.
또한, 본 발명의 광반도체소자(500)는, 상기 본 발명의 실시예와 같이, 상기 제1 완충 리드부(520)에 연장된 제1 리드프레임(540)과, 상기 제2 완충 리드부(530)에 연장된 제2 리드프레임(550)을 포함한다.In addition, the optical semiconductor device 500 of the present invention, as in the embodiment of the present invention, the first lead frame 540 extending to the first buffer lead portion 520 and the second buffer lead portion ( And a second lead frame 550 extending to 530.
도 6b는 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 광반도체소자의 정단면도이고, 도 6b는 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 광반도체소자의 사시도이다.6B is a sectional front view of the optical semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 6B is a perspective view of the optical semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 본 발명의 광반도체소자(600)는, 상기 본 발명의 실시예와 같이, 광을 발생하는 발광소자, 또는 광을 수신하는 수광소자에 해당되는데, 이 광반도체소자(600)는 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 수광 또는 발광 소자(611)와, 상기 소자(611)의 제1 전극과 전기적으로 연결된 소자연결부(612)와, 상기 소자(611)의 제2 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 소자(611)를 장착하기 위한 컵 형상의 소자 장착부(613)를 밀봉하는 몰드부(610)를 포함한다.6A and 6B, the optical semiconductor device 600 of the present invention corresponds to a light emitting device for generating light or a light receiving device for receiving light, as in the embodiment of the present invention. The device 600 includes a light receiving or light emitting device 611 having a first electrode and a second electrode, an element connecting portion 612 electrically connected to the first electrode of the device 611, and a device of the device 611. It is electrically connected to the two electrodes, and includes a mold portion 610 for sealing the cup-shaped element mounting portion 613 for mounting the element 611.
또한, 본 발명의 광반도체소자(600)는, 상기 본 발명의 실시예와 달리, 상기 몰드부(610)의 소자 연결부(612)에서 상기 몰드부(610) 외부로 연장되어 외측방향으로 돌출되는 다각형상으로 형성한 제1 완충 리드부(620)와, 상기 몰드부(610)의 소자 장착부(613)에서 상기 몰드부(610) 외부로 연장되어 내측방향으로 돌출되는 다각형상으로 형성한 제2 완충 리드부(630)를 포함한다.In addition, unlike the embodiment of the present invention, the optical semiconductor device 600 of the present invention extends outside the mold part 610 from the device connection part 612 of the mold part 610 to protrude outward. The first buffer lead portion 620 formed in a polygonal shape, and the second formed in a polygonal shape extending from the element mounting portion 613 of the mold portion 610 to the outside of the mold portion 610 to protrude inward The buffer lead part 630 is included.
즉, 상기 제1 및 제2 완충 리드부 각각은 서로 동일한 방향으로의 돌출되는 다각형상으로 형성되어 이루어진다.That is, each of the first and second buffer lead portions is formed in a polygonal shape protruding in the same direction.
또한, 본 발명의 광반도체소자(600)는, 상기 본 발명의 실시예와 같이, 상기 제1 완충 리드부(620)에 연장된 제1 리드프레임(640)과, 상기 제2 완충 리드부(630)에 연장된 제2 리드프레임(650)을 포함한다.In addition, the optical semiconductor device 600 of the present invention, as in the embodiment of the present invention, the first lead frame 640 extending to the first buffer lead portion 620 and the second buffer lead portion ( And a second lead frame 650 extending to 630.
도 7a는 본 발명의 제5 실시 형태에 따른 광반도체소자의 정단면도이고, 도 7b는 본 발명의 제5 실시 형태에 따른 광반도체소자의 사시도이다.FIG. 7A is a front sectional view of an optical semiconductor element according to a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 7B is a perspective view of an optical semiconductor element according to a fifth embodiment of the present invention.
도 7a 및 도7b를 참조하면, 본 발명의 광반도체소자(700)는, 상기 본 발명의 실시예와 같이, 광을 발생하는 발광소자, 또는 광을 수신하는 수광소자에 해당되는데, 이 광반도체소자(700)는 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 수광 또는 발광 소자(711)와, 상기 소자(711)의 제1 전극과 전기적으로 연결된 소자연결부(712)와, 상기 소자(711)의 제2 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 소자(711)를 장착하기 위한 컵 형상의 소자 장착부(713)를 밀봉하는 몰드부(710)를 포함한다.7A and 7B, the optical semiconductor device 700 of the present invention corresponds to a light emitting device for generating light or a light receiving device for receiving light, as in the embodiment of the present invention. The device 700 may include a light receiving or light emitting device 711 having a first electrode and a second electrode, an element connecting portion 712 electrically connected to the first electrode of the device 711, and an element of the device 711. It is electrically connected to the two electrodes, and includes a mold portion 710 for sealing the cup-shaped device mounting portion 713 for mounting the device 711.
또한, 본 발명의 광반도체소자(700)는, 상기 본 발명의 실시예와 달리, 상기 몰드부(710)의 소자 연결부(712)에서 상기 몰드부(710) 외부로 연장되어 외측방향으로 돌출되는 곡선형상(720a)과 내측방향으로 돌출된 다각형상(720b)으로 형성한 제1 완충 리드부(720)와, 상기 몰드부(710)의 소자 장착부(713)에서 상기 몰드부(710) 외부로 연장되어 외측방향으로 돌출되는 곡선형상(730a)과 내측방향으로 돌출된 다각형상(730b)으로 형성한 제2 완충 리드부(730)를 포함한다.In addition, unlike the embodiment of the present invention, the optical semiconductor device 700 of the present invention extends outside the mold part 710 from the device connection part 712 of the mold part 710 to protrude outward. A first buffer lead portion 720 formed of a curved shape 720a and a polygonal shape 720b protruding inwardly, and from the element mounting portion 713 of the mold portion 710 to the outside of the mold portion 710. The second buffer lead part 730 is formed to have a curved shape 730a extending and protruding outward and a polygonal shape 730b protruding inward.
즉, 상기 제1 및 제2 완충 리드부 각각은 외측 방향으로의 돌출되는 곡선형상과, 이 곡선형상에 포함되어 내측 방향으로 돌출되는 다각형상으로 형성되어 이루어진다.That is, each of the first and second buffer lead portions is formed in a curved shape projecting in the outward direction and a polygonal shape included in the curved shape and projecting in the inward direction.
또한, 본 발명의 광반도체소자(700)는, 상기 본 발명의 실시예와 같이, 상기 제1 완충 리드부(720)에 연장된 제1 리드프레임(740)과, 상기 제2 완충 리드부(730)에 연장된 제2 리드프레임(750)을 포함한다.In addition, the optical semiconductor device 700 of the present invention, as in the embodiment of the present invention, the first lead frame 740 extending to the first buffer lead portion 720 and the second buffer lead portion ( And a second lead frame 750 extending to 730.
도 8a는 본 발명의 제6 실시 형태에 따른 광반도체소자의 정단면도이고, 도 8b는 본 발명의 제6 실시 형태에 따른 광반도체소자의 사시도이다.8A is a front sectional view of an optical semiconductor element according to the sixth embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a perspective view of the optical semiconductor element according to the sixth embodiment of the present invention.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 본 발명의 광반도체소자(800)는, 상기 본 발명의 실시예와 같이, 광을 발생하는 발광소자, 또는 광을 수신하는 수광소자에 해당되는데, 이 광반도체소자(800)는 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 수광 또는 발광 소자(811)와, 상기 소자(811)의 제1 전극과 전기적으로 연결된 소자연결부(812)와, 상기 소자(811)의 제2 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 소자(811)를 장착하기 위한 컵 형상의 소자 장착부(813)를 밀봉하는 몰드부(810)를 포함한다.8A and 8B, the optical semiconductor device 800 of the present invention corresponds to a light emitting device for generating light or a light receiving device for receiving light, as in the embodiment of the present invention. The device 800 includes a light receiving or light emitting device 811 having a first electrode and a second electrode, an element connecting portion 812 electrically connected to the first electrode of the device 811, and a device of the device 811. The mold unit 810 is electrically connected to two electrodes and seals a cup-shaped element mounting portion 813 for mounting the element 811.
또한, 본 발명의 광반도체소자(800)는, 상기 본 발명의 실시예와 달리, 상기 몰드부(810)의 소자 연결부(812)에서 상기 몰드부(810) 외부로 연장되어 외측방향으로 돌출되는 다각형상(820a)과 내측방향으로 돌출된 곡선형상(820b)으로 형성한 제1 완충 리드부(820)와, 상기 몰드부(810)의 소자 장착부(813)에서 상기 몰드부(810) 외부로 연장되어 외측방향으로 돌출되는 다각형상(830a)과 내측방향으로 돌출된 곡선형상(830b)으로 형성한 제2 완충 리드부(830)를 포함한다.In addition, unlike the embodiment of the present invention, the optical semiconductor device 800 of the present invention extends from the device connection part 812 of the mold part 810 to the outside of the mold part 810 to protrude outward. The first buffer lead portion 820 formed of the polygonal shape 820a and the curved shape 820b protruding inwardly, and from the element mounting portion 813 of the mold portion 810 to the outside of the mold portion 810. The second buffer lead part 830 is formed to extend into a polygonal shape 830a that protrudes outward and a curved shape 830b that protrudes inward.
즉, 상기 제1 및 제2 완충 리드부 각각은 외측 방향으로의 돌출되는 다각형상과, 이 다각형상에 포함되어 내측 방향으로 돌출되는 곡선형상으로 형성되어 이루어진다.That is, each of the first and second shock absorbing lead portions is formed in a polygonal shape projecting in the outward direction and a curved shape included in the polygonal projecting in the inward direction.
또한, 본 발명의 광반도체소자(800)는, 상기 본 발명의 실시예와 같이, 상기 제1 완충 리드부(820)에 연장된 제1 리드프레임(840)과, 상기 제2 완충 리드부(830)에 연장된 제2 리드프레임(850)을 포함한다.In addition, the optical semiconductor device 800 of the present invention, as in the embodiment of the present invention, the first lead frame 840 extending to the first buffer lead portion 820 and the second buffer lead portion ( And a second lead frame 850 extending to 830.
전술한 바와 같은, 본 발명에서는 기판에 광반도체소자를 자삽시, 리드 프레임의 절단시에도, 절단에 의한 충격이 완충 리드부에 의해서 분산되고, 이러한 완충효과로 인하여 몰드부가 파손되는 것이 방지된다.As described above, in the present invention, even when the optical semiconductor element is inserted into the substrate and the lead frame is cut, the impact caused by the cutting is dispersed by the buffer lead portion, and the mold portion is prevented from being damaged due to this buffering effect.
또한, 본 발명의 광반도체소자는 발광소자(Light Emitting Device)나 포토다이오드 등의 수광소자(PhotoDetector)를 포함할 뿐만 아니라, 에폭시로 이루어진 몰드부와, 이 몰드부에 형성되어 기판에 삽입되는 두 개의 리드 프레임을 갖는 수광 또는 발광 소자에 적용될수 있다는 것은 당업자가 용이하게 알 수 있다.In addition, the optical semiconductor device of the present invention not only includes a photodetector such as a light emitting device or a photodiode, but also a mold part made of epoxy, and two mold parts formed on the mold part and inserted into a substrate. It can be easily understood by those skilled in the art that the present invention can be applied to a light receiving or light emitting device having two lead frames.
상술한 바와 같은 본 발명에 따르면, 소자를 내장하는 몰드부와 몰드부에 연결된 두 개의 리드 프레임을 갖는 발광소자 또는 수광소자 등의 광반도체소자에서, 상기 리드 프레임과 몰드부 사이에 충격 분산을 위한 완충용 리드를 형성시킴으로써, 기판에 삽입된 광반도체소자의 리드 프레임을 절단할 때 발생되는 절단 충격을 상기 완충용 리드에 의해 분산시킬 수 있고, 이에 따라 에폭시 몰드의 파손을 방지할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention as described above, in the optical semiconductor device, such as a light emitting device or a light receiving device having a mold portion containing the element and two lead frames connected to the mold portion, for the impact dispersion between the lead frame and the mold portion By forming the buffer lead, the cutting shock generated when the lead frame of the optical semiconductor element inserted into the substrate can be dispersed by the buffer lead, thereby preventing the damage of the epoxy mold. have.
또한, 기판에 광반도체소자 장착시, 기판에 삽입되는 리드 프레임의 삽입 깊이가 비직선타입의 완충용 리드에 의해서 정해지므로, 종래와 같은 스토퍼는 불필요하다. In addition, when mounting an optical semiconductor element on a board | substrate, since the insertion depth of the lead frame inserted into a board | substrate is determined by the nonlinear linear buffer lead, a stopper like the conventional one is unnecessary.
이상의 설명은 본 발명의 구체적인 실시 예에 대한 설명에 불과하므로, 본 발명은 이러한 구체적인 실시 예에 한정되지 않으며, 또한, 본 발명에 대한 상술한 구체적인 실시 예로부터 그 구성의 다양한 변경 및 개조가 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 쉽게 알 수 있다.Since the above description is only a description of specific embodiments of the present invention, the present invention is not limited to these specific embodiments, and various changes and modifications of the configuration are possible from the above-described specific embodiments of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art to which the present invention pertains.
도 1a,2b는 종래의 발광소자 램프의 사시도 및 정단면도이다.1A and 2B are a perspective view and a front sectional view of a conventional light emitting device lamp.
도 2a,2b는 종래의 발광소자 램프가 기판에 삽입된 상태 및 리드 프레임 절단시의 몰드부 파손 상태를 보이는 단면도이다. 2A and 2B are cross-sectional views illustrating a state in which a conventional light emitting device lamp is inserted into a substrate and a mold part breakage state when cutting a lead frame.
도 3a,3b는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 광반도체소자의 정단면도 및 사시도이다.3A and 3B are front cross-sectional views and perspective views of the optical semiconductor element according to the first embodiment of the present invention.
도 4a,4b는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 광반도체소자의 정단면도 및 사시도이다.4A and 4B are front cross-sectional views and perspective views of the optical semiconductor element according to the second embodiment of the present invention.
도 5a,5b는 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 광반도체소자의 정단면도 및 사시도이다.5A and 5B are front cross-sectional views and perspective views of the optical semiconductor element according to the third embodiment of the present invention.
도 6a,6b는 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 광반도체소자의 정단면도 및 사시도이다.6A and 6B are front cross-sectional views and perspective views of the optical semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention.
도 7a,7b는 본 발명의 제5 실시 형태에 따른 광반도체소자의 정단면도 및 사시도이다.7A and 7B are front cross-sectional views and perspective views of the optical semiconductor element according to the fifth embodiment of the present invention.
도 8a,8b는 본 발명의 제6 실시 형태에 따른 광반도체소자의 정단면도 및 사시도이다.8A and 8B are front cross-sectional views and perspective views of the optical semiconductor element according to the sixth embodiment of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on main parts of drawing
300,400,500,600,700,800 : 광반도체소자300,400,500,600,700,800: Optical semiconductor device
311,411,511,611,711,811 : 소자311,411,511,611,711,811: Element
312,412,512,612,712,812 : 소자연결부312,412,512,612,712,812: Device connection part
313,413,513,613,713,813 : 소자 장착부313,413,513,613,713,813: Device mounting part
320,420,520,620,720,820 : 제1 완충 리드부320,420,520,620,720,820: First buffer lead part
330,430,530,630,730,830 ; 제2 완충 리드부330,430,530,630,730,830; 2nd buffer lead part
340,440,540,640,740,840 : 제1 리드프레임340,440,540,640,740,840: First lead frame
350,450,550,650,750,850, : 제2 리드프레임350,450,550,650,750,850,: Second leadframe
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20040017696A KR100568294B1 (en) | 2004-03-16 | 2004-03-16 | Optical semiconductor device with lead frame for buffer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20040017696A KR100568294B1 (en) | 2004-03-16 | 2004-03-16 | Optical semiconductor device with lead frame for buffer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050092596A true KR20050092596A (en) | 2005-09-22 |
| KR100568294B1 KR100568294B1 (en) | 2006-04-05 |
Family
ID=37273861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR20040017696A KR100568294B1 (en) | 2004-03-16 | 2004-03-16 | Optical semiconductor device with lead frame for buffer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100568294B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102138269B1 (en) * | 2020-01-07 | 2020-07-28 | (주) 래트론 | Glass sealed thermistor having shock absorbed structure |
-
2004
- 2004-03-16 KR KR20040017696A patent/KR100568294B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102138269B1 (en) * | 2020-01-07 | 2020-07-28 | (주) 래트론 | Glass sealed thermistor having shock absorbed structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100568294B1 (en) | 2006-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6812503B2 (en) | Light-emitting device with improved reliability | |
| US20170301841A1 (en) | Frame based package for flip-chip led | |
| KR20080065451A (en) | Led package | |
| KR102641336B1 (en) | Semiconductor device package | |
| US20120094405A1 (en) | Method for manufacturing led package | |
| US20140314423A1 (en) | Optoelectronic Module With Flexible Substrate | |
| KR100568294B1 (en) | Optical semiconductor device with lead frame for buffer | |
| JP6426377B2 (en) | Light emitting element and lighting system | |
| US20200388738A1 (en) | System and method of manufacture for led packages | |
| WO2019231283A1 (en) | Semiconductor device package | |
| KR102224061B1 (en) | Light emitting device | |
| KR100616597B1 (en) | Led package and assembly for light device | |
| KR101974088B1 (en) | Light emitting diode device | |
| KR20100003334A (en) | Light-emitting device | |
| KR102161272B1 (en) | Light emitting device package | |
| KR100797507B1 (en) | Vertical type power LED and radiant heat structre of horizontal type LED | |
| KR101248515B1 (en) | Light emitting diode | |
| KR102261953B1 (en) | Light emitting device, light emitting device package having the same, and light system having the same | |
| KR102209035B1 (en) | Light emitting device package | |
| KR102252475B1 (en) | Light emitting device module | |
| KR20190138407A (en) | Semiconductor device package | |
| US11715817B2 (en) | Light-emitting element package and light-emitting element module including same | |
| JP2008205329A (en) | Semiconductor device | |
| KR102509075B1 (en) | Semiconductor device package | |
| KR102432034B1 (en) | Semiconductor device package |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130228 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140228 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |