KR20050081542A - 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (19)
- 절연 기판 상에 형성된 것으로, 반도체 활성층과, 상기 반도체 활성층의 상부에 게이트 절연막이 개재되어 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 절연막의 상부에 상기 게이트 전극과 절연되도록 형성되고 상기 반도체 활성층의 소스 및 드레인 영역에 각각 접속되도록 도전성 소재로 구비된 소스 및 드레인 전극을 구비한 박막 트랜지스터;상기 절연 기판 상에 배치되고, 상기 소스 및 드레인 전극 중 어느 하나와 접속되며, 상기 반도체 활성층과 동일층에 형성된 하부 전극층;상기 하부 전극층 상에, 상기 하부 전극층에 절연되도록 형성된 상부 전극층; 및상기 하부 전극층과 상부 전극층의 사이에 개재되고, 적어도 발광층을 가지는 유기막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극과 상기 소스 및 드레인 전극과의 사이에는 층간 절연막이 개재되고,상기 게이트 절연막 및 층간 절연막은 상기 하부 전극층 상에서, 이 게이트 절연막 및 층간 절연막이 형성되지 않은 개구부를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극은 상기 게이트 절연막 및 층간 절연막에 형성된 제 1 컨택홀을 통하여 상기 반도체 활성층과 접속되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극은 상기 게이트 절연막 및 층간 절연막에 형성된 제 2 컨택홀을 통하여 상기 하부 전극층과 접속되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 하부 전극층은 투명 전극인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 하부 전극층은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3로 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 하부 전극층은 반사 전극인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 하부 전극층은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3를 형성하여 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터를 덮고, 상기 개구부내에서 하부 전극층의 소정 부분이 노출되도록 화소 정의막이 형성되고, 상기 유기막은 적어도 상기 하부 전극층이 노출된 영역에 형성된 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
- 절연 기판 상에서, 박막 트랜지스터들을 형성하고자 하는 위치에 제 1 및 제 2 반도체 활성층을 형성한 다음, 상기 제 1 반도체 활성층 상에 상기 제 1 반도체 활성층의 양단이 노출되도록 이온 스톱퍼 레이어를 형성한 후 고농도의 제 1 이온을 도핑하는 단계;상기 절연 기판 상에서, 상기 반도체 활성층과 동일층에 도전성 소재로 하부 전극층을 형성하는 단계;상기 절연 기판의 전면에 게이트 절연막을 도포한 후, 반도체 활성층 상에 게이트 전극을 형성한 다음, 상기 게이트 전극을 마스크로 이용하여 상기 반도체 활성층에 저농도의 제 1 이온을 도핑하는 단계;상기 제 1 반도체 활성층 상에 상기 제 1 반도체 활성층을 덮는 이온 스토퍼 레이어를 형성한 후 상기 제 2 반도체 활성층에 고농도의 제 2 이온을 도핑하는 단계;상기 절연 기판의 전면에 층간 절연막을 도포한 후, 상기 게이트 절연막 및 층간 절연막에, 상기 반도체 활성층의 이온 도핑영역이 노출되도록 제 1 컨택홀을 형성하고, 상기 층간 절연막 상에, 상기 반도체 활성층의 이온 도핑영역에 접속되도록 소스 및 드레인 영역이 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 제 1 컨택홀을 형성할 때, 상기 반도체 활성층에 인접한 상기 하부 전극층의 일단부가 노출되도록 제 2 컨택홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 소스 및 드레인 영역이 형성될 때, 상기 제 2 컨택홀을 통하여 상기 반도체 활성층에 인접한 상기 하부 전극층의 일단부에 접속되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 제 1 컨택홀을 형성할 때, 상기 하부 전극층의 소정 부분이 노출되도록 개구부를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터를 덮고, 상기 개구부내에서 하부 전극층의 소정 부분이 노출되도록 화소 정의막이 형성되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 개구부 및 화소 정의막 상에서, 적어도 상기 하부 전극층이 노출된 영역에 유기막을 도포한 다음, 상기 절연 기판의 전면에 상부 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 하부 전극층은 투명 전극으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 하부 전극층은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 하부 전극층은 반사 전극으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 하부 전극층은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3를 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
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