KR20050070389A - 유기전계 발광소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기전계 발광소자에 관한 것으로 특히, 균일한 화질특성을 구현할 수 있는 대면적 유기전계 발광소자에 관한 것이다.
본 발명은 게이트 패드(gate pad) 또는 데이터 패드(data pad)에 충분한 더미 패드(dummy pad)를 만들어 탭본딩(tab bonding)시 VDD전원 또는 그라운드 전원(ground 전원)을 인가시킬 수 있게 배치함으로써 다양한 방향으로 캐리어(carrier)가 흐를 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 하면, 화질을 균일하게 구현할 수 있는 대면적 유기전계 발광소자를 제작할 수 있다.

Description

유기전계 발광소자{The organic electro-luminescence device}
본 발명은 유기전계 발광소자에 관한 것으로 특히, 균일한 화질을 구현하는 대면적 유기전계 발광소자에 관한 것이다.
일반적으로, 유기전계 발광소자는 전자(electron) 주입전극(cathode)과 정공(hole) 주입전극(anode)으로부터 각각 전자(electron)와 정공(hole)을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.
이러한 원리로 인해 종래의 박막 액정표시소자와는 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 소자의 부피와 무게를 줄일 수 있는 장점이 있다.
또한, 유기전계 발광소자는 고품위 패널특성(저전력, 고휘도, 고반응속도, 저중량)을 나타낸다. 이러한 특성때문에 OELD는 이동통신 단말기, CNS, PDA Camcorder, Palm PC등 대부분의 consumer전자 응용제품에 사용될 수 있는 강력한 차세대 디스플레이로 여겨지고 있다.
또한 제조 공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 LCD보다 많이 줄일 수 있는 장점이 있다.
이러한 유기전계 발광소자를 구동하는 방식은 수동 매트릭스형(passive matrix type)과 능동 매트릭스형(active matrix type)으로 나눌 수 있다.
상기 수동 매트릭스형 유기전계 발광소자는 그 구성이 단순하여 제조방법 또한 단순 하나 높은 소비전력과 표시소자의 대면적화에 어려움이 있으며, 배선의 수가 증가하면 할 수록 개구율이 저하되는 단점이 있다.
반면, 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자는 높은 발광효율과 고 화질을 제공할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 종래의 유기전계 발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 유기전계 발광소자(10)는 투명한 제 1 기판(12)의 상부에 박막트랜지스터(T)어레이부(14)와, 박막트랜지스터 어레이부(14)의 상부에 제 1 전극(16)과 유기 발광층(18)과 제 2 전극(20)이 구성된다.
이때, 상기 발광층(18)은 적(R),녹(G),청(B)의 컬러를 표현하게 되는데, 일반적인 방법으로는 상기 각 화소(P)마다 적,녹,청색을 발광하는 별도의 유기물질을 패턴하여 사용한다.
상기 제 1 기판(12)이 흡습제(22)가 부착된 제 2 기판(28)과 실런트(26)를 통해 합착되므로서 캡슐화된 유기전계 발광소자(10)가 완성된다.
이때, 상기 흡습제(22)는 캡슐내부에 침투할 수 있는 수분과 산소를 제거하기 위한 것이며, 기판(28)의 일부를 식각하고 식각된 부분에 흡습제(22)를 채우고 테이프(25)로 고정한다.
도 2는 종래의 유기전계 발광소자에 구성되는 박막트랜지스터 어레이부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
일반적으로, 능동 매트릭스형 박막트랜지스터 어레이부는 기판(12)에 정의된 다수의 화소마다 스위칭 소자(TS)와 구동 소자(TD)와 스토리지 캐패시터(storage capacitor : CST)가 구성되며, 동작의 특성에 따라 상기 스위칭 소자(TS) 또는 구동 소자(TD)는 각각 하나 이상의 박막트랜지스터의 조합으로 구성될 수 있다.
이때, 상기 기판(12)은 투명한 절연 기판을 사용하며, 그 재질로는 유리나 플라스틱을 예를 들 수 있다.
도시한 바와 같이, 기판(12)상에 서로 소정 간격 이격 하여 일 방향으로 구성된 게이트 배선(32)과, 게이트 배선(32)과 절연막을 사이에 두고 교차하는 데이터 배선(34)이 구성된다.
동시에, 상기 데이터 배선(34)과 평행하게 이격되며 게이트 배선과 교차하는 전원 배선(35)이 구성된다.
상기 스위칭 소자(TS)와 구동 소자(TD)로 각각 게이트 전극(36,38)과 액티브층(40,42)과 소스 전극(46,48) 및 드레인 전극(50,52)을 포함하는 박막트랜지스터가 사용된다.
전술한 구성에서, 상기 스위칭 소자(TS)의 게이트 전극(36)은 상기 게이트 배선(32)과 연결되고, 상기 소스 전극(46)은 상기 데이터 배선(34)과 연결된다.
상기 스위칭 소자(TS)의 드레인 전극(50)은 상기 구동 소자(TD)의 게이트 전극(38)과 콘택홀(54)을 통해 연결된다.
상기 구동 소자(TD)의 소스 전극(48)은 상기 전원 배선(35)과 콘택홀(56)을 통해 연결된다.
또한, 상기 구동 소자(TD)의 드레인 전극(52)은 화소부(P)에 구성된 제 1 전극(16)과 접촉하도록 구성된다.
이때, 상기 전원 배선(35)과 그 하부의 다결정 실리콘층인 제 1 전극(15)은 절연막을 사이에 두고 겹쳐져 스토리지 캐패시터(CST)를 형성한다.
전술한 구성에서, 기판(100)의 외곽에는 상기 게이트 배선(32)에 신호를 인가하는 게이트 패드부(gate pad,미도시)와, 상기 데이터 배선(34)에 신호를 인가하는 데이터 패드부(data pad, 미도시)와, 상기 전원 배선(35)에 신호를 인가하는 VDD패드부(미도시)와, 도시하지는 않았지만 상기 박막트랜지스터 어레이부의 상부에 구성된 발광부의 음극 전극(도 1의 20)에 신호를 인가하는 그라운드 패드부(ground npad)가 구성된다.
전술한 구성에서, 상기 전원 배선(35)과 음극 전극(도 1의 20)의 신호에 신호를 인가하는 VDD 패드와 그라운드 패드는 각각 기판의 일측에 구성하였다.
따라서, 전류 또는 캐리어의 흐름 또한 한 방향으로 흐르도록 동작하게 되는데, 이러한 동작은 소면적의 유기전계 발광소자일 경우에는 문제가 없는 구동방식이나, 대면적으로 갈수록 신호의 흐름이 한방향으로 진행되면 저항편차에 의한 화질이 불균일이 발생하게 된다.
이에 대해 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3은 전술한 바와 같은 어레이구성을 가진 종래에 따른 유기전계 발광소자의 평면구성을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 기판(12)의 일 측에는 상기 데이터 배선(도 2의 34)의 끝단에 연결된 데이터 패드부(50)가 구성되고, 데이터 패드부(50)와 평행하지 않은 기판의 일 측에는 상기 게이트 배선(도 2의 32)에 연결된 게이트 패드부(60)가 구성되고, 상기 게이트 패드부(60)와 평행한 기판의 일부에는 상기 전원 배선(도 2의 35)의 일 끝단인 VDD 패드부(70)가 구성된다.
상기 데이터 패드부(50)와 평행한 기판(12)의 일 측에는 상기 유기 발광부의 음극 전극(도 1의 20)에 신호를 인가하는 그라운드 패드부(80)가 구성된다.
상기 그라운드 패드(80)와 음극 전극은 씰패턴(26)안쪽의 다수의 제 1 콘택홀(CH1)과 씰패턴 바깥쪽의 다수의 제 2 콘택홀(CH2)을 통해 연결되도록 구성된다.
이때, 상기 그라운드 패드부(80)는 상기 제 2 전극(음극 전극, 도 1의 20)에 공통전압을 인가하여 제 2 전극의 전위를 유지하도록 하는 역할을 한다.
전류의 흐름(캐리어의 흐름,90)은 상기 VDD패드부(70)를 통해 입력되어 상기 그라운드 패드(80)방향으로 진행된다.
이때, 전류의 흐름(90)이 시작되는 부분을 VDD패드라 칭하고 전류가 흐름이 끝나는 부분을 그라운드 패드라 칭한 것이다.
도시한 바와 같이, 전류 또는 캐리어의 흐름은 기판의 일측에서 기판의 타측으로 한방향으로 흐르게 된다.
앞서 잠깐 언급하였지만, 이러한 구동방식은 유기전계 발광소자의 면적이 작을 경우에는 유기전계 발광소자의 전면적에 대해 저항 편차가 심하지 않아 화질에 영향을 미치지 않으나, 대면적으로 갈수록 저항편차가 심해져 표시영역의 전면적에 대해 화질이 불균일해지는 문제가 있다.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위한 목적으로 제안된 것으로, 게이트 패드부와 데이터 패드부에, 실제로 게이트 신호 및 데이터 신호가 흐르지 않는 더미 패드를 더욱 구성하여, 상기 더미 패드를 이용하여 VDD 신호 및 그라운드 신호를 인가하도록 한다.
이와 같이 하면, 상기 전류(또는 캐리어)의 흐름이 유기전계 발광소자의 전면적에 대해 여러 방향으로 진행되기 때문에 그 만큼 저항편차가 낮아져 균일한 화질을 구현하는 대면적 유기전계 발광소자를 제작할 수 있는 장점이 있다.
또한, 전술한 구성을 포함하는 동시에, 유기 발광부와 박막트랜지스터 어레이부를 별도의 기판에 형성하고 이를 합착함으로써 제작되는 듀얼플레이트 유기전계 발광소자를 제안한다.
전술한 구조는, 고화질을 구현하는 동시에 상부발광식으로 동작하므로 개구영역 증가로 인한 휘도를 개선할 수 있는 장점이 있고, 유기 발광부를 형성하는 공정 중 상기 박막트랜지스터 어레이부에 미칠 수 있는 영향들을 고려하지 않아도 되므로 수율이 개선되는 장점이 있다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 1 특징에 따른 유기전계 발광소자는 다수의 화소 영역이 정의된 기판과; 상기 기판의 일면에, 상기 화소 영역의 일측과 타측에 대응하여 구성된 게이트 배선과 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 각각 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자와 이에 연결된 구동소자와; 상기 구동소자의 소스 전극과 연결된 전원 배선과; 상기 기판의 일측 외곽에 구성되고 상기 게이트 배선에 신호를 인가하는 다수의 게이트 패드와, 상기 게이트 배선에 신호를 인가하지 않는 다수의 더미패드를 포함하는 게이트 패드부와; 상기 게이트 패드부와 평행하지 않는 기판의 일측 외곽에 구성되고 데이터배선에 신호를 인가하는 다수의 데이터 패드와, 상기 데이터 배선에 신호를 인가하지 않는 다수의 더미패드를 포함하는 데이터 패드부와; 상기 기판의 남겨진 일측에 구성되고, 상기 전원 배선과 연결된 VDD패드부와; 상기 VDD패드부와 평행하지 않은 기판의 타측에 구성된 그라운드 패드부와; 상기 구동소자의 드레인 전극과 접촉하면서, 상기 화소 영역마다 독립적으로 구성된 양극 전극과; 상기 양극 전극의 상부에 구성된 발광층과; 상기 발광층의 상부에 구성되고 상기 그라운드 패드와 접촉하는 음극 전극을 포함한다.
상기 게이트 패드의 더미 패드는 상기 전원 배선과 연결되어 상기 VDD패드와 동일한 VDD신호가 입력되고, 상기 데이터 패드의 더미패드는 상기 음극 전극과 연결되어 상기 그라운드 패드와 동일한 그라운드 신호가 입력될 수 있으며 또한, 상기 게이트 패드의 더미 패드는 상기 음극 전극과 연결되어 상기 그라운드 패드와 동일한 그라운드 신호가 입력되고, 상기 데이터 패드의 더미 패드는 상기 전원 배선과 연결되어 상기 VDD패드와 동일한 VDD신호가 입력될 수 있으며 또한, 게이트 패드의 더미 패드와 상기 데이터 패드의 더미 패드는 상기 전원 배선과 연결되어 상기 VDD패드와 동일한 VDD신호가 입력될 수 있으며, 게이트 패드의 더미 패드와 상기 데이터 패드의 더미 패드는 상기 음극 전극과 연결되어 상기 그라운드 패드와 동일한 VDD신호가 입력될 수 있다.
본 발명의 제 2 특징에 따른 유기전계 발광소자는 다수의 화소 영역이 정의된 제 1 기판과 제 2 기판과; 상기 제 1 기판의 마주보는 일면에, 상기 화소 영역의 일측과 타측에 대응하여 구성된 게이트 배선과 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 각각 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자와 이에 연결된 구동소자와; 상기 구동소자의 소스 전극과 연결된 전원 배선과; 상기 기판의 일측 외곽에 구성되고 상기 게이트 배선에 신호를 인가하는 다수의 게이트 패드와, 상기 게이트 배선에 신호를 인가하지 않는 다수의 더미패드를 포함하는 게이트 패드부와; 상기 게이트 패드부와 평행하지 않는 기판의 일측 외곽에 구성되고 데이터배선에 신호를 인가하는 다수의 데이터 패드와, 상기 데이터 배선에 신호를 인가하지 않는 다수의 더미패드를 포함하는 데이터 패드부와; 상기 VDD패드부와 평행하지 않은 기판의 타측에 구성되고 상기 전원 배선과 연결된 그라운드 패드부와; 상기 제 2 기판의 마주보는 일면에 구성되고 상기 게이트 패드 및 데이터 패드부의 더미패드와 연결된 양극 전극과; 상기 양극 전극의 상부에 구성된 발광층과; 상기 발광층의 상부에 구성되고, 상기 화소 영역에 독립적으로 패턴되는 동시에 상기 구동소자의 드레인 전극과 접촉하는 음극 전극을 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.
-- 제 1 실시예 --
본 발명의 제 1 실시예는 하나의 기판에 박막트랜지스터 어레이부와 유기 발광부가 형성된 구조에 있어서, 게이트 패드부와 데이터 패드부에 VDD 신호 및 그라운드 신호를 인가할 수 있는 더미 패드를 더욱 구성하는 것을 특징으로 한다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이다.
(표시영역의 단면적인 구성과 박막트랜지스터 어레이부의 구성은 앞서 언급한 도 1과 도 2의 구성과 같으므로 이를 생략한다.)
도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 구성은 기판(100)에 박막트랜지스터 어레이부와 유기 발광부(양극 전극, 발광층, 음극 전극)가 모두 구성된 구조이다.
이러한 구조에 있어서, 기판(100)의 외곽에는 기판의 일 측에 대응하여 다수의 게이트 배선(미도시)의 일 끝단에 구성된 다수의 게이트 패드 집단인 게이트 패드부(120)를 구성하고, 상기 게이트 패드부(120)와 평행하지 않은 기판(100)의 타측에는 다수의 데이터 배선의 끝단에 연결된 다수의 데이터 패드의 집단인 데이터 패드부(110)가 구성되고, 상기 게이트 패드부(120)와 평행한 기판(100)의 일측에는 전원 배선과 연결되는 VDD패드부(160)를 구성하고, 이와 평행하지 않은 타측에는 그라운드 패드부(130)를 형성한다.
이때, 상기 데이터 패드(110)의 더미패드는 서로 평행한 기판의 일측과 양측에 나누어 구성될 수 있다.
상기 그라운드 패드부(130)는 유기 발광부의 최상층인 음극 전극(140)과 접촉하도록 구성하며, 씰패턴(150)의 안쪽에서 제 1 콘택홀(CH1)을 통해 연결되고 상기 씰패턴(150)의 바깥쪽에서 제 2 콘택홀(CH2)을 통해 연결된다.
전술한 구성에서, 특징 적인 것은 상기 게이트 패드부(120)와 데이터 패드부(110)에 더미 패드(DP)를 더욱 구성하는 것이다.
이하, 도 5를 참조하여 설명한다.
도 5는 도 4의 F를 확대한 확대 평면도이다.
도시한 바와 같이, 다수의 게이트 패드(120)가 구성되고 이와 동일한 공정에서 형성되지만 게이트 신호가 인가되지 않고 VDD 신호 또는 그라운드 신호가 입력되는 더미 패드(DP)를 더욱 구성하는 것이다.
전술한 더미 패드(DP)를 통해 상기 VDD 신호 또는 그라운드 신호를 입력할 수 있도록 하는데 아래와 같은 4 가지 경우로 신호를 입력할 수 있다.
첫째, 상기 게이트 패드부의 더미패드에 VDD 신호를 인가하고, 상기 데이터 패드부의 더미패드에 그라운드 신호를 인가하는 경우.
둘째, 상기 게이트 패드에 그라운드 신호를 인가하고, 상기 데이터 패드의 더미 패드에 VDD 신호를 인가하는 경우.
셋째, 상기 게이트 패드와 데이터 패드에 모두 그라운드 신호를 인가하는 경우.
넷째, 상기 게이트 패드와 데이터 패드에 모두 VDD 신호를 인가하는 경우이다.
또한, 이러한 경우는 상기 VDD패드 및 그라운드 패드의 유무 또는 그 면적에 따라 얼마든지 설계 변경이 가능하다.
전술한 바와 같이 본 발명의 제 1 구조에 따라 제작된 대면적 유기전계 발광소자는 균일한 화질을 구현할 수 있는 장점이 있다.
이하, 본 발명의 제 2 실시예를 통해 상기 제 1 실시예의 변형예를 설명한다.
-- 제 2 실시예 --
본 발명의 제 2 실시예의 특징은 유기 발광부와 박막트랜지스터 어레이부를 별도의 기판에 구성하는 구조에 있어서, 박막트랜지스터 어레이기판의 외곽에 데이터 패드부와 게이트 패드부에 더미 패드를 더욱 구성하여 이를 통해 유기 발광부의 양극 전극에 VDD신호를 인가하는 것을 특징으로 한다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 듀얼플레이트 구조 유기전계 발광소자의 구성을 도시한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자(299)는 투명한 제 1 기판(300)과 제 2 기판(400)을 실런트(sealant)(500)를 통해 합착하여 구성한다.
상기 제 1 기판(300)의 상부에는 다수의 화소부(발광부)(P)가 정의되고, 각 화소부(P)의 일측마다 스위칭 소자(T)와 구동소자(TD)와 어레이 배선(미도시)이 구성된다.
상기 제 2 기판(400)의 상부에는 보조 전극(402)을 구성하고, 보조 전극(402)이 구성된 기판의(400)의 전면에 투명한 제 1 전극(양극 전극, 404)을 구성한다.
상기 제 1 전극(양극 전극, 404)의 상부에는 유기 발광층(406)과, 제 2 전극(음극 전극,410)을 차례로 구성한다.
이때, 양극 전극(404) 일함수가 큰 투명한 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 형성하고, 상기 음극 전극(410)은 일함수가 낮은 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg)을 포함하는 금속 중 선택된 하나로 형성한다.
상기 제 2 전극(410)과 구동 소자(TD)는 별도의 연결전극(600)을 통해 연결된다.
즉, 상기 연결전극(400)을 제 1 기판(300)에 구성하고 제 1 및 제 2 기판(300,400)을 합착하면 제 1 연결전극(600)이 발광층(408)의 하부에 구성된 제 2 전극(음극 전극, 410)과 접촉하게 된다.
전술한 듀얼플레이트 구조의 유기전계 발광소자의 구성에서 상기 양극 전극(404)은 하부에 구성된 VDD패드를 통해 VDD 신호를 인가받게 되는데, 이때 특징적인 것을 별도의 VDD패드를 형성하지 않고, 제 1 기판의 외곽에 형성한 게이트 패드부와 데이터 패드부에 더미 패드부를 더욱 형성하여 이를 상기 통해 VDD 신호가 입력되도록 하는 것이다.
도시하지는 않았지만, 상기 더미 패드부(미도시)와 상기 양극 전극(404)은 기판의 외곽에서 서로 접촉하도록 구성한다.
이하, 도 7을 참조하여 상기 패드부의 구성을 좀더 상세히 설명한다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이다.
(표시영역의 단면적인 구성과 박막트랜지스터 어레이부의 구성은 각각 앞서 언급한 도 6과 도 2의 구성과 같으므로 이를 생략한다.)
앞서 언급한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 구성은 박막트랜지스터 어레이부와 유기 발광부(양극 전극, 발광층, 음극 전극)가 별도로 구성된 구조이다.
이러한 구조에 있어서, 기판(200)의 외곽에는 기판의 일 측에 대응하여 다수의 게이트 배선(미도시)의 일 끝단에 구성된 다수의 게이트 패드 집단인 게이트 패드부(220)를 구성하고, 상기 게이트 패드부(220)와 평행하지 않은 기판(200)의 타측에는 다수의 데이터 배선의 끝단에 연결된 다수의 데이터 패드의 집단인 데이터 패드부(210)가 구성되고, 상기 게이트 패드부(220)와 평행한 기판(200)의 일측에는 박막트랜지스터 어레이부의 구동소자와 접촉하는 전원 배선과 연결되는 그라운드 패드부(230)를 형성한다.
상기 데이터 패드부(210)는 평행한 기판의 양측에 구성할 수 있다.
전술한 구성에서, 특징 적인 것은 상기 게이트 패드부(220)와 데이터 패드부(210)에 더미 패드(DP)를 더욱 구성하는 것이다.
반면, 상기 양극 전극에 VDD신호를 인가하는 별도의 패드를 기판에 별도로 형성하지 않고 상기 더미 패드를 통해 VDD신호를 상기 양극 전극으로 입력하도록 한다.
이와 같이 하면, 상기 VDD신호가 최소 기판의 3면에서 입력되므로 전류 또는 캐리어가 흐르면서 느끼는 저항편차가 작다.
따라서, 균일한 화질을 구현하는 대면적의 듀얼플레이트 구조 유기전계 발광소자를 제작할 수 있다.
본 발명에 따른 유기전계 발광소자는 아래와 같은 효과가 있다.
첫째, 게이트 패드 또는 데이터 패드에 충분한 더미 패드를 만들어 이곳에 탭본딩 방식으로 VDD또는 그라운드 신호를 인가시킬 수 있게 배치함으로써, 다양한 방향으로 캐리어가 흐를 수 있게 하여 유기전계 발광소자의 전면적에 대한 저항 편차를 낮춤으로써 균일한 화질을 구현하는 대면적 유기전계 발광소자를 구현할 수 있는 효과가 있다.
둘째, 제안된 듀얼플레이트 구조는 상부 발광형이므로 하부 어레이패턴의 형상에 영향을 받지 않으므로 고 개구율을 확보할 수 있는 효과가 있다.
둘째, 제안된 듀얼플레이트 구조는 상기 유기전계 발광층을 박막트랜지스터 어레이패턴의 상부에 구성하지 않고 별도로 구성하기 때문에, 유기전계 발광층을 형성하는 공정 중 상기 박막트랜지스터에 미칠 수 있는 영향들을 고려하지 않아도 되므로 수율을 향상하는 효과가 있다.
도 1은 유기전계 발광소자를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 2는 종래의 유기전계 발광소자의 한 화소에 대응하는 박막트랜지스터 어레이부의 구성을 도시한 확대 평면도이고,
도 3은 종래에 따른 유기전계 발광소자의 평면구성을 개략적으로 도시한 평면도이고,
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이고,
도 5는 도 4의 F를 확대한 확대 평면도이고,
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 듀얼플레이트 구조 유기전계 발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 7은 본 발명의제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 확대 평면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 기판 110 : 데이터 패드부
120 : 게이트 패드부 130 : 그라운드 패드부
140 : 음극 전극 150 : 씰패턴
160 : VDD 패드부

Claims (9)

  1. 다수의 화소 영역이 정의된 기판과;
    상기 기판의 일면에, 상기 화소 영역의 일측과 타측에 대응하여 구성된 게이트 배선과 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 각각 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자와 이에 연결된 구동소자와;
    상기 구동소자의 소스 전극과 연결된 전원 배선과;
    상기 기판의 일측 외곽에 구성되고 상기 게이트 배선에 신호를 인가하는 다수의 게이트 패드와, 상기 게이트 배선에 신호를 인가하지 않는 다수의 더미패드를 포함하는 게이트 패드부와;
    상기 게이트 패드부와 평행하지 않는 기판의 일측 외곽에 구성되고 데이터배선에 신호를 인가하는 다수의 데이터 패드와, 상기 데이터 배선에 신호를 인가하지 않는 다수의 더미패드를 포함하는 데이터 패드부와;
    상기 기판의 남겨진 일측에 구성되고, 상기 전원 배선과 연결된 VDD패드부와;
    상기 VDD패드부와 평행하지 않은 기판의 타측에 구성된 그라운드 패드부와;
    상기 구동소자의 드레인 전극과 접촉하면서, 상기 화소 영역마다 독립적으로 구성된 양극 전극과;
    상기 양극 전극의 상부에 구성된 발광층과;
    상기 발광층의 상부에 구성되고 상기 그라운드 패드와 접촉하는 음극 전극
    을 포함하는 유기전계 발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 패드의 더미 패드는 상기 전원 배선과 연결되어 상기 VDD패드와 동일한 VDD신호가 입력되고, 상기 데이터 패드의 더미패드는 상기 음극 전극과 연결되어 상기 그라운드 패드와 동일한 그라운드 신호가 입력되는 유기전계 발광소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 패드의 더미 패드는 상기 음극 전극과 연결되어 상기 그라운드 패드와 동일한 그라운드 신호가 입력되고, 상기 데이터 패드의 더미 패드는 상기 전원 배선과 연결되어 상기 VDD패드와 동일한 VDD신호가 입력되는 유기전계 발광소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    게이트 패드의 더미 패드와 상기 데이터 패드의 더미 패드는 상기 전원 배선과 연결되어 상기 VDD패드와 동일한 VDD신호가 입력되는 유기전계 발광소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    게이트 패드의 더미 패드와 상기 데이터 패드의 더미 패드는 상기 음극 전극과 연결되어 상기 그라운드 패드와 동일한 VDD신호가 입력되는 유기전계 발광소자.
  6. 다수의 화소 영역이 정의된 제 1 기판과 제 2 기판과;
    상기 제 1 기판의 마주보는 일면에, 상기 화소 영역의 일측과 타측에 대응하여 구성된 게이트 배선과 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 위치하고, 각각 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자와 이에 연결된 구동소자와;
    상기 구동소자의 소스 전극과 연결된 전원 배선과;
    상기 기판의 일측 외곽에 구성되고 상기 게이트 배선에 신호를 인가하는 다수의 게이트 패드와, 상기 게이트 배선에 신호를 인가하지 않는 다수의 더미패드를 포함하는 게이트 패드부와;
    상기 게이트 패드부와 평행하지 않는 기판의 일측 외곽에 구성되고 데이터배선에 신호를 인가하는 다수의 데이터 패드와, 상기 데이터 배선에 신호를 인가하지 않는 다수의 더미패드를 포함하는 데이터 패드부와;
    상기 VDD패드부와 평행하지 않은 기판의 타측에 구성되고 상기 전원 배선과 연결된 그라운드 패드부와;
    상기 제 2 기판의 마주보는 일면에 구성되고 상기 게이트 패드 및 데이터 패드부의 더미패드와 연결된 양극 전극과;
    상기 양극 전극의 상부에 구성된 발광층과;
    상기 발광층의 상부에 구성되고, 상기 화소 영역에 독립적으로 패턴되는 동시에 상기 구동소자의 드레인 전극과 접촉하는 음극 전극
    을 포함하는 유기전계 발광소자.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 양극 전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)인 유기전계 발광소자.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 음극 전극은 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg)을 포함하는 금속 중 선택된 하나로 구성한 유기전계 발광소자.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 기판과 제 1 전극 사이에 제 1 전극 보다 저항이 낮은 보조 전극이 더욱 구성된 유기전계 발광소자.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8017950B2 (en) * 2005-12-29 2011-09-13 Lg Display Co., Ltd. Organic electro-luminescence display device and method of manfacturing the same
US8188942B2 (en) * 2007-03-08 2012-05-29 Lg Electronics Inc. Light emitting device
JP4404109B2 (ja) * 2007-07-03 2010-01-27 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
JP2009130180A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Sony Corp 電子機器の製造方法および電子機器
KR100916911B1 (ko) * 2008-01-18 2009-09-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
KR100951667B1 (ko) * 2008-08-19 2010-04-07 주식회사 하이닉스반도체 패드를 포함하는 반도체 메모리 장치
KR101074801B1 (ko) * 2009-09-09 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 발광 표시 장치
KR20120057712A (ko) * 2010-08-20 2012-06-07 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR101818451B1 (ko) * 2010-12-24 2018-01-16 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법
DE102012201801A1 (de) * 2012-02-07 2013-08-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organische leuchtdiode und vorrichtung mit einer organischen leuchtdiode
KR101899063B1 (ko) 2012-04-16 2018-09-17 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그의 리워크 방법
CN103296021B (zh) * 2012-06-29 2016-12-07 上海天马微电子有限公司 Tft阵列基板
KR101931248B1 (ko) * 2012-12-27 2019-03-13 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
KR102191648B1 (ko) * 2014-11-14 2020-12-16 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
CN106711158B (zh) * 2017-01-25 2019-11-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002072963A (ja) * 2000-06-12 2002-03-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光モジュールおよびその駆動方法並びに光センサ
US6528951B2 (en) * 2000-06-13 2003-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4711273B2 (ja) 2000-11-20 2011-06-29 スタンレー電気株式会社 照明付き液晶表示装置
US6515428B1 (en) * 2000-11-24 2003-02-04 Industrial Technology Research Institute Pixel structure an organic light-emitting diode display device and its manufacturing method
JP4027614B2 (ja) * 2001-03-28 2007-12-26 株式会社日立製作所 表示装置
JP4165120B2 (ja) * 2002-05-17 2008-10-15 株式会社日立製作所 画像表示装置
JP3901127B2 (ja) * 2002-06-07 2007-04-04 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP3794368B2 (ja) * 2002-10-29 2006-07-05 セイコーエプソン株式会社 Ｅｌ表示装置

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