KR20050067276A - 감광막 제거 장치 및 이를 이용한 감광막 제거 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 감광막 제거 공정시 버퍼 케미컬(buffer chemical)을 생략할 수 있는 감광막 제거 장치 및 이를 이용한 감광막 제거 방법에 관한 것으로, 본 발명의 감광막 제거 장치는 기판 상에 식각 후 남은 감광막 패턴을 제거하는 스트리퍼를 뿌리는 스트립과, 상기 기판 상에 감광막 패턴 제거후, 기판을 고속 반송시키며 기판을 DI 세정하는 세정실과, 상기 기판을 습식 컨베이어에서 DI 린싱하는 DI 린싱실을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.

Description

감광막 제거 장치 및 이를 이용한 감광막 제거 방법{Device for Stripping Photo Resist and the Method for Stripping Photo Resist Using the Same}

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로 특히, 감광막 제거 공정시 버퍼 케미컬(buffer chemical)을 생략할 수 있는 감광막 제거 장치 및 이를 이용한 감광막 제거 방법에 관한 것이다.

정보화 사회가 발전함에 따라 표시 장치에 대한 요구도 다양한 형태로 점증하고 있으며, 이에 부응하여 근래에는 LCD(Liquid Crystal Display Device), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electro Luminescent Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등 여러 가지 평판 표시 장치가 연구되어 왔고, 일부는 이미 여러 장비에서 표시 장치로 활용되고 있다.

그 중에, 현재 화질이 우수하고 경량, 박형, 저소비 전력의 특징 및 장점으로 인하여 이동형 화상 표시 장치의 용도로 CRT(Cathode Ray Tube)를 대체하면서 LCD가 가장 많이 사용되고 있으며, 노트북 컴퓨터의 모니터와 같은 이동형의 용도 이외에도 방송 신호를 수신하여 디스플레이하는 텔레비젼 및 컴퓨터의 모니터 등으로 다양하게 개발되고 있다.

이와 같은 액정 표시 장치가 일반적인 화면 표시 장치로서 다양한 부분에 사용되기 위해서는 경량, 박형, 저 소비 전력의 특징을 유지하면서도 고정세, 고휘도, 대면적 등 고품위 화상을 얼마나 구현할 수 있는가에 관건이 걸려 있다고 할 수 있다.

일반적인 액정 표시 장치는, 화상을 표시하는 액정 패널과 상기 액정 패널에 구동 신호를 인가하기 위한 구동부로 크게 구분될 수 있으며, 상기 액정 패널은 일정 공간을 갖고 합착된 제 1, 제 2 유리 기판과, 상기 제 1, 제 2 유리 기판 사이에 주입된 액정층으로 구성된다.

여기서, 상기 제 1 유리 기판(TFT 어레이 기판)에는 일정 간격을 갖고 일 방향으로 배열되는 복수개의 게이트 라인과, 상기 각 게이트 라인과 수직한 방향으로 일정한 간격으로 배열되는 복수개의 데이터 라인과, 상기 각 게이트 라인과 데이터 라인이 교차되어 정의된 각 화소 영역에 매트릭스 형태로 형성되는 복수개의 화소 전극과 상기 게이트 라인의 신호에 의해 스위칭되어 상기 데이터 라인의 신호를 각 화소 전극에 전달하는 복수개의 박막 트랜지스터가 형성된다.

그리고, 제 2 유리 기판(칼라 필터 기판)에는, 상기 화소 영역을 제외한 부분의 빛을 차단하기 위한 차광층과, 칼라 색상을 표현하기 위한 R, G, B 칼라 필터층과 화상을 구현하기 위한 공통 전극이 형성된다.

상기 일반적인 액정 표시 장치의 구동 원리는 액정의 광학적 이방성과 분극 성질을 이용한다. 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 갖고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자 배열의 방향을 제어할 수 있다.

따라서, 상기 액정의 분자 배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자 배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의하여 상기 액정의 분자 배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상 정보를 표현할 수 있다.

현재에는 박막 트랜지스터와 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극이 행렬 방식으로 배열된 능동 행렬 액정 표시 장치(Active Matrix LCD)가 해상도 및 동영상 구현 능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래의 감광막 제거 장치 및 이를 이용한 감광막 제거 방법을 설명하면 다음과 같다.

도 1은 종래의 액정표시장치의 평면도이며, 도 2는 도 1의 I~I' 선상의 구조 단면도이다.

도 1과 같이, 종래의 액정표시장치는 하부 기판(도 2의 10 참조) 상에 수직으로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 라인(11) 및 데이터 라인(12)과, 화소 영역에 형성되는 화소 전극(13)과, 상기 게이트 라인(11) 및 데이터 라인(12)의 교차 부위에 게이트 전극(11a), 반도체층(14), 소오스/드레인 전극(12a, 12b)으로 구성되는 박막 트랜지스터가 형성된다.

여기서, 상기 박막 트랜지스터는 스위칭소자로서, 상기 게이트 전극(11a)에 인가되는 스위칭 신호에 의해 상기 화소 전극(13)에 데이터 신호를 인가하도록 동작한다.

이하, 도 2를 참조하여 종래의 액정 표시 장치의 제조 방법을 살펴본다.

도 2와 같이, 종래의 액정 표시 장치는 먼저, 하부 기판(10) 상에 일방향으로 형성된 게이트 라인(도 1의 11참조) 및 상기 게이트 라인(11)에서 돌출 되어 형성된 게이트 전극(11a)을 형성한다.

이어, 상기 게이트 전극(11a)을 포함하는 하부 기판(10) 전면에 게이트 절연층(15)을 형성한다.

이어, 상기 게이트 절연층(15) 상부에 상기 게이트 전극(11a)에 오버랩되도록 섬모양의 반도체층(14)을 형성한다.

이어, 상기 게이트 라인(11)과 수직한 방향으로 데이터 라인(12)을 형성하고, 동일 공정에서 상기 반도체층(14) 양측에 오버랩되도록 소오스/드레인 전극(12a, 12b)을 형성한다. 여기서, 상기 소오스 전극(12a)은 상기 데이터 라인(12)으로부터 돌출되어 형성되며, 상기 드레인 전극(12b)은 상기 소오스 전극(12b)에서 소정 간격 이격되어 형성된다.

이어, 상기 소오스/드레인 전극(12a, 12b)을 포함하는 하부 기판(10) 전면에 보호막(16)을 형성한다.

이어, 상기 보호막(16)을 선택적으로 제거하여, 상기 드레인 전극(12b)의 소정 부분이 노출하도록 콘택 홀을 형성한 후, 반사성 금속을 전면 증착하고, 이를 패터닝하여 상기 드레인 전극(12b)과 전기적으로 연결되는 화소 전극(13)을 형성한다.

여기서, 상기 화소 전극(13)은 외부광을 반사하는 화소 전극으로 기능함과 동시에 상기 드레인 전극(12b)으로부터 데이터 신호를 인가받아 동작하는 화소 전극으로도 기능한다.

다음, 상기 하부 기판(10)에 대향하는 상부 기판(20) 상에는 상기 화소 영역을 제외한 부분에 대응되도록 빛을 차단하기 위한 차광층(21)을 형성한다.

이어, 상기 차광층(21)사이의 각 화소영역에 칼라필터층(22)을 형성한다.

이어, 상기 칼라필터층(22)을 포함한 전면에 공통전극(23)을 형성한다.

그리고, 상기 상하부 기판(10, 20)을 합착한 후, 상하부 기판(10, 20) 사이에 액정층(30)을 충진한다.

도 3은 종래의 감광막 제거 장치를 나타낸 개략도이다.

도 3과 같이, 종래의 감광막 제거 장치는 기판(35) 상에 식각 후 남은 감광막 패턴을 제거하는 스트리퍼를 뿌리는 스트립실(31)과, 상기 기판(35) 상에 감광막 패턴 제거후, 기판을 정속 반송시키며 IPA(Iso-Propyl Alchol) 등의 버퍼 케미컬을 뿌리는 IPA 세정실(32)과, 상기 기판(35)을 DI 세정하는 DI 세정실(33)과, 상기 기판(35)을 습식 세정하는 DI 린싱실(34)을 포함하여 이루어진다.

여기서, 스트리퍼는 MEA 10%, NMP 30%, BDG 60%로 이루어진 것으로, 상기 MEA는 아민(amine)계 성분으로 반응성이 강한 케미컬로 DI 워터 등과의 반응시 OH-기를 발생시키는 성질이 있다.

여기서, 상기 버퍼 케미컬은 IPA(Iso-Propyl Alchol) 외에 IEC, DEV 등으로 대체될 수 있다.

기판(35) 상에 남아있는 감광막 패턴을 제거하기 위해 스트립실(31)에서 일차로 스트리퍼를 이용하여 스트립 공정을 진행한 다음, IPS 세정실(32)에서 상기 스트립 공정시 남아있는 감광막 패턴 및 파티클을 제거하기 위해 IPA 등의 버퍼 케미컬을 다시 기판(35) 상에 뿌린다. 이 때, 상기 버퍼 케미컬은 스트리퍼가 기판(35) 상에 일부 남아있게 하고, 남아있는 스트리퍼가 이어 기판(35)에 뿌려지는 DI 워터와 접촉하면 전도도 차이에 의해 DI 워터의 OH-기가 빠져나오게 되며, 빠져나온 OH-기는 감광막 패턴 하부의 금속과 반응하게 금속의 일부 침식을 일으키게 된다. 여기서, OH-기 발생량은 DI 워터와 스트리퍼의 접촉시간에 달려있으며, 이는 기판(35)의 이동 시간과 직접적인 관련이 있다.

상기 습식 세정실(34)에서는 상기 기판(35)을 정속 반송시키며 DI 세정실(33)로부터 상기 기판(35)을 유입받아 상기 기판(35)의 상하를 에어 분사기를 통해 건조시켜, 감광막 제거 공정을 완료한다.

이하, 도 3의 본 발명의 감광막 제거 장치를 이용한 감광막 제거 방법에 대해 살펴본다.

본 발명의 감광막 제거 방법은 먼저, 상기 스트립실(31)에서 기판(35) 상에 식각 후 남은 감광막 패턴을 제거하는 스트리퍼를 뿌린다.

이어, 상기 기판(35)을 정속 반송시키며 IPA 세정실(32)로 반입시킨 후, 스트리퍼가 뿌려진 기판(35) 상에 IPA 버퍼 케미컬을 공급한다.

이 때, 정속 반송의 속도는 약 4000mm/min으로, 정속 반송되는 기판(35)에 공급되는 IPA 버퍼 케미컬은 상기 기판(35) 상에 스트리퍼를 유지시키는 기능을 하게 된다.

이어, 상기 기판(35)을 상기 DI 세정실(33)로 반송시켜 DI 세정을 실시한다.

이어, 상기 기판(35)을 DI 린싱실(34)로 유입한 후, 습식 컨베이어 상에서 DI 워터를 샤워링하여 린싱하며, 그 출구에 에어 분사기를 구비하여 상기 기판(35) 상에 정체되어 있는 DI 워터 및 파티클들을 흘러내리게 한다. 여기서, 상기 DI 린싱실(34)의 입구에는 DI 나이프가 구비되어, 기판(35)의 DI 린싱실(34) 유입시 전면 DI 워터가 공급되게 하고, 이어, 상부의 샤워기(38)를 통해 습식 컨베이서 상에서 계속적으로 DI 워터를 공급하여 최종적인 DI 린싱을 완료하게 한다.

이어, 상술한 바와 같이, 감광막 제거 공정이 완료된 상기 기판(35)을 외부로 반출한다.

상기와 같은 종래의 감광막 제거 장치 및 이를 이용한 감광막 제거 방법은 다음과 같은 문제점이 있다.

감광막 패턴이 남아있는 기판 상에 스트리퍼를 뿌려준 후, 다시 기판을 정속반응시키며 버퍼 케미컬을 공급하게 되는데, 이 때, 버퍼 케미컬을 상기 기판 상에 스트리퍼를 유지시키고, 이어 공급되는 DI 워터와 기판 상에서 만나기 때문에, 상기 감광막 패턴 하부에 패터닝되어 있던 금속 물질 측벽의 침식 현상이 발생한다.

이와 같이, 액정 표시 장치의 제조시 게이트 및 데이터 배선 패턴을 형성하기 위하여 감광막의 제거 공정시, 금속막에 대한 손상 때문에 버퍼 케미컬을 사용하게 되는데, 이러한 버퍼 케미컬의 사용이 스트리퍼와 DI 워터의 접촉을 일으켜 갈바닉 현상을 발생시켜 금속막을 부분 침식시킨다. 이러한 현상은 전도도 차이에 발생하는 것으로, 스트리퍼와 DI 워터의 접촉 시간에 달려 있는 것이다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 감광막 제거 공정시 버퍼 케미컬(buffer chemical)을 생략할 수 있는 감광막 제거 장치 및 이를 이용한 감광막 제거 방법을 제공하는 데, 그 목적이 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 감광막 제거 장치는 기판 상에 식각 후 남은 감광막 패턴을 제거하는 스트리퍼를 뿌리는 스트립과, 상기 기판 상에 감광막 패턴 제거후, 기판을 고속 반송시키며 기판을 DI 세정하는 세정실과, 상기 기판을 습식 컨베이어에서 DI 린싱하는 DI 린싱실을 포함하여 이루어짐에 그 특징이 있다.

상기 세정실은 상기 스트립실로부터 반송된 기판에 스트리퍼를 치환한 DI 워터를 뿌리는 제 1 실과, 상기 제 1 실로부터 나온 기판을 턴시키며 DI 세정을 실시하는 제 2 실을 포함하여 이루어진다.

상기 제 1 실 입구에 DI 나이프가 구비되어 DI 워터가 반송 직후 바로 공급된다.

상기 제 2 실에는 DI 고압 샤워기가 구비되어 DI 워터가 공급되어 DI 고속 세정이 이루어진다.

상기 스트립실로부터 상기 제 1 실로 상기 기판의 유입시부터 고속 반송된다.

상기 스트립실로부터 상기 제 2 실로 상기 기판의 유입시부터 고속 반송된다.

또한, 동일한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 감광막 제거 방법은 스트립실, DI 세정실, 건조실로 이루어진 감광막 제거 장치의 감광막 제거 방법에 있어서, 기판 상에 식각 후 남은 감광막 패턴을 제거하는 스트리퍼를 뿌리는 단계와, 상기 기판을 고속 반송시키며 상기 DI 세정실로 반입시킨 후, 스트리퍼를 DI 워터로 치환시켜 세정하는 단계와, 상기 기판을 지속적으로 고속 반송시켜 DI 고압 샤워를 실시하는 단계 및 상기 기판을 습식 세정하는 단계를 포함하여 이루어짐에 또 다른 특징이 있다.

상기 DI 세정실 입구에 DI 나이프를 구비하여 상기 스트리퍼를 치환하여 바로 DI 워터를 공급한다.

상기 DI 세정실에서 상기 DI 고압 샤워시는 DI 고압 샤워기를 구비하여 이루어진다.

또한, 동일한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 감광막 제거 방법은 스트립실, DI 세정실, 건조실로 이루어진 감광막 제거 장치의 감광막 제거 방법에 있어서, 기판 상에 식각 후 남은 감광막 패턴을 제거하는 스트리퍼를 뿌리는 단계와, 상기 기판을 반송시키며 상기 DI 세정실로 반입시킨 후, 스트리퍼를 DI 워터로 치환시켜 세정하는 단계와, 상기 기판을 고속 반송시켜 DI 고압 샤워를 실시하는 단계 및 상기 기판을 습식 세정하는 단계를 포함하여 이루어짐에 또 다른 특징이 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 감광막 제거 장치 및 감광막 제거 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 4는 본 발명의 감광막 제거 장치를 나타내 개략도이다.

도 4와 같이, 본 발명의 감광막 제거 장치는 기판 상에 식각 후 남은 감광막 패턴을 제거하는 스트리퍼를 뿌리는 스트립실(41)과, 상기 기판 상에 감광막 패턴 제거후, 기판을 고속 반송시키며 기판을 DI 세정하는 세정실(42+43), 상기 기판을 건조시키는 건조실(45)을 포함하여 이루어진다.

여기서, 상기 세정실은 상기 스트립실로부터 고속 반송된 기판에 스트리퍼를 치환하여 DI 워터(De-Ionized Water)를 뿌리는 제 1 실(42)과, 상기 제 1 실(42)로부터 나온 기판(50)을 턴(turn)시키며 DI 세정(DI Cleaning)을 실시하는 제 2 실(43)을 포함하여 이루어진다.

이와 같이, 기판(50)을 고속 반송시키며 스트리퍼를 바로 DI 워터로 치환하여, 세정을 진행하면, 기판(50) 상에서 버퍼 케미컬(buffer chemical)이 생략되었기 때문에 스트리퍼가 기판(50) 상에 유지되는 시간이 적어져 DI 워터와의 접촉 시간을 최소화되어, 갈바닉 현상에 의한 금속의 침식이 거의 없어진다.

이러한 고속 반송은 상기 DI 세정 제 1 실(42)에서부터 실시할 수도 있고, 상기 제 2 실(43)에서 고압 샤워를 진행하며 이루어질 수 있다. 즉, 제 1 실(42)에서는 정속 반송을 유지하고, 제 2 실(43)에서만 고속 반송을 유지하여도 스트리퍼와 DI 워터 접촉에 의한 기판(50)의 손상없이 세정이 가능하다는 뜻이다. 이는 DI 세정 제 1 실(42) 입구에는 DI 나이프(51)가 설치되어, 별도로 기판(50)을 고속반송하지 않더라도 바로 기판(50)에 빠르게 DI 워터를 공급하여 일 방향으로 흘러내리게 하여 DI 워터와 스트리퍼가 상기 기판(50) 상에서 접촉하는 시간을 최소화할 수 있다.

상술한 바와 같이, 감광막 제거 장비의 제어의 편의를 위해 세정실별로 정속-고속으로 속도를 변경하지 않고, 고속 반송을 유지하여 감광막 제거 공정을 진행함도 가능하다.

고속 반송으로 유입되는 기판 상에 스트리퍼를 치환하여 DI 워터가 바로 공급된다.

이 때, 고속 반송의 속도는 약 7000mm~8000mm/min으로, 고속 반송되는 기판(50)에 남아있는 스트리퍼는 DI 나이프(51)에 의해 뿌려지는 DI 워터와 함께 하부로 흘러내려 DI 워터와 직접 접촉되지 않게 된다.

상기 제 1 실(42)에는 DI 나이프(DI knife, 51)가 구비되어 DI 워터(DI Water)가 공급되며, 상기 제 2 실(43)에는 DI 고압 샤워기(53)가 구비되어 DI 워터가 공급되어 DI 고속 세정이 이루어진다. 여기서, 상기 제 2 실(43)의 입구에는 DI 나이프(52)가 구비되어 기판(50)의 DI 고압 샤워 전 기판(50) 상에 DI 워터 공급을 미리 하여둔다.

상기 DI 린싱실(45)에서는, 상기 기판(50)을 고속 반송시키며 DI 세정이 진행한 세정실(42+43)로부터 상기 기판(50)을 유입받아 상기 기판(50)의 상하를 DI 나이프(54)를 통해 DI 워터를 뿌리고, 습식 컨베이서 상에서 샤워기(55)를 통해 DI 워터를 계속 공급하며, 린싱하여 감광막 제거 공정을 완료한다. 여기서, 상기 습식 세정실(45)의 출구에는 에어 분사기가 형성되어, 기판(50) 상에 에어를 공급하여 세정 및 린싱시 남아있는 DI 워터로 인해 정체되어 있는 파티클들을 외부로 흘러내리게 한다.

이하, 도 4의 본 발명의 감광막 제거 장치를 이용한 감광막 제거 방법에 대해 살펴본다.

본 발명의 감광막 제거 방법은 먼저, 상기 스트립실(41)에서 기판(50) 상에 식각 후 남은 감광막 패턴을 제거하는 스트리퍼를 뿌린다.

이어, 상기 기판(50)을 고속 반송시키며 상기 DI 세정 제 1 실(42)로 반입시킨 후, 스트리퍼를 빠르게 DI 워터로 치환시켜 세정한다.

이어, 상기 기판(50)을 지속적으로 DI 세정 제 2 실(43)로 고속 반송시켜 DI 고압 샤워를 실시한다.

이어, 상기 기판(50)을 DI 린싱실(45)로 유입한 후, 건조시켜 감광막 제거 및 세정을 완료한다. 이 때, DI 샤워기(55)를 함께 구비하여 남아있는 파티클들을 씻어 흘러내리게 하며, 상기 에어 나이프(54)를 통해 기판(50)의 표면을 건조시킨다.

이어, 상기 기판(50)을 DI 린싱실(45)로 유입한 후, 습식 컨베이어 상에서 DI 워터를 샤워링하여 린싱하며, 그 출구에 에어 분사기를 구비하여 상기 기판(50) 상에 정체되어 있는 DI 워터 및 파티클들을 흘러내리게 한다.

이어, 상기 기판(50)을 외부로 반출한다.

상기와 같은 본 발명의 감광막 제거 장치 및 이를 이용한 감광막 제거 방법은 다음과 같은 효과가 있다.

첫째, 감광막 제거 공정시 고속 반송으로 기판을 유입시키며, 스트리퍼를 바로 DI 워터로 치환시켜 스트리퍼와 DI 워터가 만나는 접촉시간을 최소화하여 전도도 차이에 의해 금속막의 침식 현상을 방지할 수 있다.

둘재, 감광막 제거 장치의 기구적인 변형으로 버퍼 케미컬의 사용을 줄여, 화학 물질 사용에 드는 부담을 줄일 수 있다.

셋째, 액정 표시 장치에 있어서는 여러 번의 금속막 패터닝 공정이 요구되어, 실제 본 발명의 감광막 제거 장치를 이용한 감광막 제거 공정시 하나의 패널 형성에서도 다수의 버퍼 케미컬 생략이 가능하여, 패널의 제조 원가를 절감할 수 있다.

도 1은 일반적인 액정 표시 장치를 나타낸 평면도

도 2는 도 1의 I~I' 선상의 단면도

도 3은 종래의 감광막 제거 장치를 나타낸 개략도

도 4는 본 발명의 감광막 제거 장치를 나타내 개략도

*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*

41 : 스트리퍼 샤워링 42 : DI 세정 제 1 실

43 : DI 세정 제 2 실 45 : DI 린싱실

50 : 기판

Claims (10)

1. 기판 상에 식각 후 남은 감광막 패턴을 제거하는 스트리퍼를 뿌리는 스트립실;

   상기 기판 상에 감광막 패턴 제거후, 기판을 고속 반송시키며 기판을 DI 세정하는 세정실;

   상기 기판을 습식 컨베이어에서 DI 린싱하는 DI 린싱실을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 감광막 제거 장치.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 세정실은

   상기 스트립실로부터 반송된 기판에 스트리퍼를 치환한 DI 워터를 뿌리는 제 1 실;

   상기 제 1 실로부터 나온 기판을 턴시키며 DI 세정을 실시하는 제 2 실을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 감광막 제거 장치.
3. 제 2항에 있어서,

   상기 제 1 실 입구에 DI 나이프가 구비되어 DI 워터가 반송 직후 바로 공급됨을 특징으로 하는 감광막 제거 장치.
4. 제 2항에 있어서,

   상기 제 2 실에는 DI 고압 샤워기가 구비되어 DI 워터가 공급되어 DI 고속 세정이 이루어짐을 특징으로 하는 감광막 제거 장치.
5. 제 2항에 있어서,

   상기 스트립실로부터 상기 제 1 실로 상기 기판의 유입시부터 고속 반송됨을 특징으로 하는 감광막 제거 장치.
6. 제 2항에 있어서,

   상기 스트립실로부터 상기 제 2 실로 상기 기판의 유입시부터 고속 반송됨을 특징으로 하는 감광막 제거 장치.
7. 스트립실, DI 세정실, 건조실로 이루어진 감광막 제거 장치의 감광막 제거 방법에 있어서,

   기판 상에 식각 후 남은 감광막 패턴을 제거하는 스트리퍼를 뿌리는 단계;

   상기 기판을 고속 반송시키며 상기 DI 세정실로 반입시킨 후, 스트리퍼를 DI 워터로 치환시켜 세정하는 단계;

   상기 기판을 지속적으로 고속 반송시켜 DI 고압 샤워를 실시하는 단계; 및

   상기 기판을 습식 세정하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 감광막 제거 방법.
8. 제 7항에 있어서,

   상기 DI 세정실 입구에 DI 나이프를 구비하여 상기 스트리퍼를 치환하여 바로 DI 워터를 공급함을 특징으로 하는 감광막 제거 방법.
9. 제 7항에 있어서,

   상기 DI 세정실에서 상기 DI 고압 샤워시는 DI 고압 샤워기를 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 감광막 제거 방법.
10. 스트립실, DI 세정실, 건조실로 이루어진 감광막 제거 장치의 감광막 제거 방법에 있어서,

    기판 상에 식각 후 남은 감광막 패턴을 제거하는 스트리퍼를 뿌리는 단계;

    상기 기판을 반송시키며 상기 DI 세정실로 반입시킨 후, 스트리퍼를 DI 워터로 치환시켜 세정하는 단계;

    상기 기판을 고속 반송시켜 DI 고압 샤워를 실시하는 단계; 및

    상기 기판을 습식 세정하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 감광막 제거 방법.