KR20050059364A - 가스 흡착 및 탈착 장치 및 그 제작 방법 - Google Patents

가스 흡착 및 탈착 장치 및 그 제작 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 카본 나노튜브를 이용한 가스센서용 가스 흡착 및 탈착 장치에 관한 것으로, 가열층 역할을 하는 전극, 상기 전극 위에 선택적으로 성장되며 흡착제로 작용하는 카본 나노튜브, 그리고 이들을 수용하는 구조체 등으로 구성된다. 본 발명의 흡착 및 탈착 장치는 일반적인 반도체 제조 공정으로 제작이 가능하며, 가스센서 등과 일체형으로 집적할 수 있어 소형화가 용이하다. 또한, 카본 나노튜브의 뛰어난 열전도 특성으로 인해 탈착시에 효율적인 가열이 이루어지므로 저전력으로 동작된다.

Description

가스 흡착 및 탈착 장치 및 그 제작 방법 {Preconcentrator and method for fabricating the same}
본 발명은 가스 흡착 및 탈착 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 열전도 특성이 우수한 카본 나노튜브를 이용하여 센서의 감지 한계를 개선한 가스센서용 가스 흡착 및 탈착 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
가스센서는 산업안전, 환경감시, 식품산업 등의 분야에 광범위하게 응용되고 있으며, 향후에는 의료 및 기타 새로운 분야에도 응용될 것으로 기대된다. 종래에는 특정 가스만을 인식하는 형태의 가스센서가 주류를 이루었으나, 최근에는 가스센서들을 어레이 형태로 구성하여 냄새에 대한 반응 패턴을 인식하도록 하는 전자코(electronic nose) 기술로 발전되고 있는 추세이다.
가스센서 또는 전자코는 여러 분야에 적용할 수 있으나, 공통적으로 시료의 농도가 센서로 감지할 수 있는 한계 이하의 환경에서는 사용이 어려운 실정이다. 그래서 가스센서의 전단에 흡착 및 탈착 장치를 설치하여 시료의 농도를 증폭시키는 방안이 활용되고 있다.
도 1a 및 도 1b는 가장 정형화된 형태를 갖는 기존의 가스 흡착 및 탈착 장치의 구성을 도시한다 [C. J. Lu and E. T. Zellers, Analyst, Vol. 127, pp 1061-1068, 2002 참조].
도 1a는 가스 흡착 및 탈착 장치가 센서 시스템에 연결된 상태를 도시하며, 도 1b는 도 1a의 A1 - A2 부분을 절취한 단면을 도시한다.
센서 시스템은 가스 크로마토그래피(39)와 가스센서(40)를 사용한 경우이며, 6포트 스위칭 밸브(36)에 연결된 시료 투입구(31)를 통해 시료가 공급된다. 도면에서 부호 38은 배기관에 연결된 펌프를 지시하며, 부호 37은 상기 6포트 스위칭 밸브(36)에 연결된 스쿠루버(scrubber)를 지시한다.
가스 흡착 및 탈착 장치(32)는 실리카 또는 기타 절연 재질로 만들어진 튜브(44) 내에 주로 카본 또는 실리카 등의 재질로 이루어진 흡착제(45)가 장착되고, 튜브(44)의 외부는 절연막(33)으로 둘러싸여진다. 상기 절연막(33) 내에는 열전대(35)가 구비되며, 상기 절연막(33)의 외부에는 가열을 위한 발열체(34)가 설치된다. 필요에 따라 상기 튜브(44)는 스테인레스 스틸로 만들어질 수 있으며, 상기 발열체(34)로서 튜브 자체를 이용할 수도 있다.
상기와 같이 구성된 가스 흡착 및 탈착 장치(32)의 튜브(44) 양단은 상기 6포트 스위칭 밸브(36)에 연결되어 상기 시료 투입구(31)를 통해 제공되는 시료가 튜브(44)를 통과하여 진행하는 과정에서 상기 흡착제(45)에 흡착된다.
그러나 상기와 같이 구성된 가스 흡착 및 탈착 장치(32)는 탈착시에 가열 효율이 좋지 못하여 전력소모를 크게 하며, 또한 소형화가 어렵다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 실리콘 벌크 마이크로 매칭(Si bulk micromachining)을 이용한 마이크로 히터(micro heater) 형태의 시료 농축 장치가 제안된 바 있다.
도 2a 내지 도 2c는 실리콘(Si) 기판을 이용한 흡착 및 탈착 장치가 도시된다 [W. -C. Tian and S. W. Pang, J. Vac. Sci. Technol. B 21[1], 274-279, 2003 참조].
도 2b는 도 2a의 A11 - A12 부분을 절취한 단면이고, 도 2c는 도 2a의 B11 - B12 부분을 절취한 단면이다.
파이렉스 글래스(pyrex glass)(54) 상에 실리콘 기판(53)이 위치되며, 미세 가공에 의해 공기간극(52, 55, 56)이 형성된 실리콘 기판(53)이 발열체로 이용된다. 도면에서 부호 50은 접합영역을 지시한다.
상기 구조는 도 1a 및 도 1b의 구조에 비해 탈착시에 효율적인 가열이 가능하여 전력소모가 적다. 그러나 발열체와 흡착제가 분리되어 있어 열확산 거리에 따른 가열 효율이 낮으며, 발열체 내부에 흡착제를 채워 넣어야 하는 등 제작 공정이 복잡하고 구조체의 안정성에 문제가 있다.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 관점은 탈착시 효율적인 가열이 가능하여 저전력으로 동작이 가능한 가스 흡착 및 탈착 장치를 제공하는 데 있다.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 관점은 소형화가 가능하고 가스센서와 일체형으로 제작이 가능한 가스 흡착 및 탈착 장치를 제공하는 데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 가스 흡착 및 탈착 장치는 하판과, 상기 하판의 소정 부분에 열선 형태로 형성된 전극과, 상기 하판 상에 위치되며 상기 전극이 노출되도록 챔버영역이 형성된 구조체와, 상기 챔버영역의 상기 전극 상에 성장된 카본 나노튜브와, 상기 챔버영역을 밀폐시키기 위해 상기 기판 상에 위치되며, 가스 흡입구 및 가스 배출구가 각각 형성된 상판을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 흡착 및 탈착 장치의 제작 방법은 기판의 일면에 제 1 절연막을 형성하는 단계와, 가열전극이 형성될 영역의 상기 기판이 노출되도록 상기 제 1 절연막을 패터닝하는 단계와, 상기 노출된 기판 상에 가열전극을 형성하는 단계와, 상기 가열전극을 포함하는 상기 제 1 절연막 상에 제 2 절연막을 형성하는 단계와, 상기 가열전극이 노출되도록 상기 기판의 다른 면을 식각하여 챔버영역을 형성하는 단계와, 상기 챔버영역을 통해 노출되는 상기 가열전극의 표면에 카본 나노튜브를 성장시키는 단계와, 상기 챔버영역을 포함하는 기판 상에 가스 흡입구 및 가스 배기구가 각각 형성된 상판을 접합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
카본 나노튜브는 카본 계열의 재료들 중 가장 큰 비표면적을 가지며, 촉매의 패터닝을 이용하면 특정 부위에서만 선택적으로 성장시킬 수 있다. 또한, 카본 나노튜브는 튜브 방향으로의 열전도 특성이 매우 우수하기 때문에 흡착제로 사용할 경우 열 확산 측면에서도 유리하다. 본 발명은 종래 가스 흡착 및 탈착 장치에서의 문제점을 해결하기 위해 이러한 장점을 갖는 카본 나노튜브를 이용하여 새로운 구조의 흡착 및 탈착 장치를 제공하고자 한다.
그러면 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 기술되는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것으로, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것으로 이해되는 것이 바람직하다. 도면에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다. 또한, 어떤 층이 다른 층 또는 기판의 “상”에 있다라고 기재되는 경우 상기 어떤 층은 상기 다른 층 또는 기판에 직접 접촉하여 존재할 수 있고, 또는, 그 사이에 제 3의 층이 개재되어질 수도 있다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명에 따른 가스 흡착 및 탈착 장치의 제작 방법을 설명하기 위한 평면도이고, 도 4a 내지 도 4h는 도 3a 내지 도 3g의 A21 - A22 부분을 절취한 단면을 도시한다.
도 3a 및 도 4a를 참조하면, 기판(10)의 일면에 절연막(11)을 형성한다. 상기 절연막(11)은 PECVD, LPCVD 등의 방법으로 형성할 수 있으며, 그 두께는 소자의 동작에 큰 영향을 미치지 않으므로 다양한 범위 내에서 선택되어질 수 있다. 상기 절연막(11)은 상기 기판(10)과 상부에 형성될 가열전극 간의 절연을 위해 형성한다.
도 3b 및 도 4b를 참조하면, 포토리소그래피 및 건식 또는 습식식각 공정으로 가열전극이 형성될 영역의 상기 기판(10)이 노출되도록 상기 절연막(11)을 패터닝한다. 상기 절연막(11)을 포함하는 기판(10)의 전체면에 전극박막을 증착한 후 포토리소그래피 및 식각 공정으로 상기 전극박막을 패터닝하여 가열전극(12)을 형성한다. 상기 가열전극(12)은 도 3b와 같이 연속적으로 반복되는 열선 형태로 형성한다. 상기 가열전극(12)을 형성하기 위한 전극박막으로는 Al, Pt 등 다양한 종류의 금속 또는 도프 폴리실리콘(doped-poly Si) 등의 전도성 물질이 사용되어질 수 있다.
도 3c 및 도 4c를 참조하면, 상기 가열전극(12)을 포함하는 상기 절연막(11) 상에 절연막(13)을 형성한다. 상기 절연막(13)은 다양한 종류의 물질로 형성할 수 있으며, 실리콘 산화막 등 산화물 재질을 사용하는 것이 바람직하다. 이 때 필요에 따라 구조체의 안정성을 높이기 위해 상기 절연막(13) 상에 다른 박막을 추가로 형성할 수 있으며, 상기 기판(10)의 두께를 조절하기 위해 기계적인 연마공정을 추가로 실시할 수도 있다.
도 3d 및 도 4d를 참조하면, 상기 가열전극(12)과 상기 절연막(11)의 일부가 노출되도록 상기 기판(10)의 다른 면을 식각하여 챔버영역(14)을 형성한다. 이 때 상기 기판(10)에 형성된 상기 챔버영역(14)을 통해 도 3d와 같이 상기 가열전극(12)과 상기 절연막(11)의 일부가 노출된다.
도 3e 및 도 4e를 참조하면, 상기 챔버영역(14)을 통해 노출되는 상기 가열전극(12)의 표면에 선택적으로 카본 나노튜브 성장에 필요한 촉매(15)를 도포한다. 상기 촉매(15)로는 Ni, Fe, Co 등을 사용할 수 있으며, 인크젯(ink jet), 포토리소그래피 등의 방법을 이용하면 선택적으로 도포할 수 있다.
도 3f 및 도 4f를 참조하면, 화학기상증착(CVD) 또는 레이저 절제(laser ablation) 등의 공정으로 상기 가열전극(12)의 표면에 선택적으로 카본 나노튜브(16)를 성장시킨다. 흡착제로 작용할 상기 카본 나노튜브(16)의 길이는 상기 챔버영역(14)의 기판(10) 두께와 같도록 하는 것이 바람직하다.
상기 카본 나노튜브(16)의 성장 밀도는 흡착 및 탈착 장치가 동작할 때의 압력 강하 및 흡착 용량에 영향을 미치는데, 지나치게 조밀하게 성장시키면 압력 강하가 심하여 원하는 가스의 유량을 얻을 수 없으며, 반면에 지나치게 밀도가 희박하면 흡착 용량이 부족할 수 있다. 따라서 이들의 상쇄 효과를 잘 고려하여 응용 환경에 맞게 조절하여야 한다. 상기 카본 나노튜브(16)를 성장시킨 후 흡착하고자 하는 가스의 용도에 따라 상기 카본 나노튜브(16)의 표면을 개질시키기 위한 공정을 추가로 실시할 수 있다.
도 3g 및 도 4g를 참조하면, 상기 챔버영역(14)을 포함하는 기판(10) 상에 상판(17)을 접합시킨다. 상기 상판(17)의 양 측부에는 가스라인과 연결이 가능한 가스 흡입구(18a) 및 가스 배출구(18b)가 각각 형성된다. 상기 상판(17)으로는 실리콘, 유리 등의 재질로 이루어진 기판을 사용할 수 있으며, 딥(deep) RIE 또는 초음파 가공(ultrasonic machinging) 등의 공정으로 상기 가스 흡입구(18a) 및 가스 배출구(18b)를 미리 가공해 놓는 것이 바람직하다. 도 4h는 도 3g의 B21 - B22 부분을 절취한 단면이다.
웨이퍼 레벨(Wafer level)의 공정을 진행할 경우 상기와 같이 흡착 및 탈착 장치를 완성한 후 소자별로 절단하는 것이 바람직하다.
상기와 같이 본 발명의 가스 흡착 및 탈착 장치는 하판으로 이용되는 절연막(13), 상기 절연막(13)의 소정 부분에 형성된 가열전극(12), 상기 절연막(13) 상에 위치되며 상기 가열전극(12)이 노출되도록 챔버영역(14)이 형성된 구조체 역할을 하는 기판(10), 상기 챔버영역(14)의 상기 가열전극(12) 상에 선택적으로 성장된 카본 나노튜브(16), 상기 챔버영역(14)을 밀폐시키기 위해 상기 기판(10) 상에 위치되며, 가스 흡입구(18a) 및 가스 배출구(18b)가 각각 형성된 상판(17)으로 구성된다.
가열층 역할을 하는 상기 가열전극(12) 및 구조체 역할을 하는 상기 기판(10)은 본 발명의 가스 흡착 및 탈착 장치가 적용되는 분야에 따라 다른 모양으로 구성이 가능하다.
상기 흡착 및 탈착 장치의 동작을 상기의 도면을 참조하여 보다 자세히 설명하면 다음과 같다.
가스의 흡착시에는 가열전극(12)에 전원을 공급하지 않은 상태 즉, 상온에서 가스 흡입구(18a)를 통해 흡착시키고자 하는 가스 시료를 공급한다. 이 단계에서 감지하고자 하는 가스는 대부분 상기 카본 나노튜브(16)의 표면에 흡착되고 감지 가스를 함유하지 않은 가스만 가스 배출구(18b)를 통해 배출된다. 감지 가스의 탈착시에는 흡입구(18a)를 통해 운반가스(예를 들면 dry air 등)를 낮은 유량으로 흘려주면서 상기 가열전극(12)에 전원을 공급하여 가열이 이루어지도록 한다. 상기 가열전극(12)에 전원을 공급하여 열을 발생시키면 발생된 열이 열전도 특성이 우수한 상기 카본 나노튜브(16)의 튜브 방향을 따라 빠르게 상부로 전도된다. 이 상태에서 상기 나노튜브(16)의 표면에 흡착되어 있던 감지 가스가 탈착되어 운반가스와 함께 가스 배출구(18b)를 통해 센서 영역으로 공급되게 된다. 이렇게 탈착된 감지 가스는 초기의 흡착시보다 높은 농도를 가지기 때문에 센서의 감지 한계를 향상시키는 효과를 가져올 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명은 촉매를 이용하여 선택적인 성장이 가능하고, 열전도 특성이 우수한 카본 나노튜브를 이용하여 가스 흡착 및 탈착 장치를 구성한다. 본 발명의 가스 흡착 및 탈착 장치는 카본 나노튜브의 빠르고 효율적인 열전도 특성으로 인해 저전력으로 동작이 가능하다. 또한, 본 발명의 가스 흡착 및 탈착 장치 제작 방법은 일반적인 반도체 소자 및 센서 제작 공정과 완전한 호환성을 가지기 때문에 필요에 따라 반도체 공정을 통해 센서와 일체형으로 집적이 가능하며, 이에 따라 소형화가 용이해지고 제작 비용을 절감시킬 수 있다.
도 1a는 종래의 가스센서용 흡착 및 탈착 장치를 설명하기 위한 개략도.
도 1b는 도 1a의 A1 - A2 부분을 절취한 단면도.
도 2a는 종래의 흡착 및 탈착 장치를 설명하기 위한 평면도.
도 2b는 도 2a의 A11 - A12 부분을 절취한 단면도.
도 2c는 도 2a의 B11 - B12 부분을 절취한 단면도.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명에 따른 가스 흡착 및 탈착 장치의 제작 방법을 설명하기 위한 평면도.
도 4a 내지 도 4h는 본 발명에 따른 가스 흡착 및 탈착 장치의 제작 방법을 설명하기 위한 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 기판 11, 13, 33: 절연막
12: 가열전극 14: 챔버영역
15: 촉매 16: 카본 나노튜브
17: 상판 18a: 가스 흡입구
18b: 가스 배기구 31: 시료 투입구
32: 가스 흡착 및 탈착 장치 34: 발열체
36: 스위칭 밸브 38: 펌프
39: 가스 크로마토그래피 40: 가스센서
44: 튜브 50: 접합영역
52, 55, 56: 공기간극 53: 실리콘 기판
54: 파이렉스 글래스

Claims (15)

  1. 하판과,
    상기 하판의 소정 부분에 열선 형태로 형성된 전극과,
    상기 하판 상에 위치되며 상기 전극이 노출되도록 챔버영역이 형성된 구조체와,
    상기 챔버영역의 상기 전극 상에 성장된 카본 나노튜브와,
    상기 챔버영역을 밀폐시키기 위해 상기 기판 상에 위치되며, 가스 흡입구 및 가스 배출구가 각각 형성된 상판을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 흡착 및 탈착 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 전극과 상기 구조체 사이에 게재된 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 흡착 및 탈착 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 하판은 절연막으로 구성된 것을 특징으로 하는 가스 흡착 및 탈착 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 전극은 금속 또는 도프 폴리실리콘으로 형성된 것을 특징으로 하는 가스 흡착 및 탈착 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 상판은 실리콘 또는 유리로 이루어진 것을 특징으로 하는 가스 흡착 및 탈착 장치.
  6. 기판의 일면에 제 1 절연막을 형성하는 단계와,
    가열전극이 형성될 영역의 상기 기판이 노출되도록 상기 제 1 절연막을 패터닝하는 단계와,
    상기 노출된 기판 상에 가열전극을 형성하는 단계와,
    상기 가열전극을 포함하는 상기 제 1 절연막 상에 제 2 절연막을 형성하는 단계와,
    상기 가열전극이 노출되도록 상기 기판의 다른 면을 식각하여 챔버영역을 형성하는 단계와,
    상기 챔버영역을 통해 노출되는 상기 가열전극의 표면에 카본 나노튜브를 성장시키는 단계와,
    상기 챔버영역을 포함하는 상기 기판 상에 가스 흡입구 및 가스 배기구가 각각 형성된 상판을 접합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 흡착 및 탈착 장치의 제작 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 가열전극은 열선 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 흡착 및 탈착 장치의 제작 방법.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 가열전극은 금속 또는 도프 폴리실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 가스 흡착 및 탈착 장치의 제작 방법.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 절연막을 형성한 후 상기 제 2 절연막 상에 구조체의 안정성을 높이기 위해 소정의 박막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 흡착 및 탈착 장치의 제작 방법.
  10. 제 6 항에 있어서, 상기 기판의 두께를 조절하기 위해 연마하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 흡착 및 탈착 장치의 제작 방법.
  11. 제 6 항에 있어서, 상기 카본 나노튜브는 상기 가열전극의 표면에 선택적으로 촉매를 도포하는 단계와,
    상기 촉매에 의해 선택적으로 카본 나노튜브가 성장되도록 성장 공정을 진행하는 단계를 통해 성장되는 것을 특징으로 하는 가스 흡착 및 탈착 장치의 제작 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 촉매는 Ni, Fe, 또는 Co 인 것을 특징으로 하는 가스 흡착 및 탈착 장치의 제작 방법.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 성장 공정은 화학기상증착 또는 레이저 절제 공정인 것을 특징으로 하는 가스 흡착 및 탈착 장치의 제작 방법.
  14. 제 11 항에 있어서, 상기 카본 나노튜브는 상기 챔버영역의 상기 기판 두께와 같은 높이로 성장시키는 것을 특징으로 하는 가스 흡착 및 탈착 장치의 제작 방법.
  15. 제 6 항에 있어서, 상기 상판은 실리콘 또는 유리로 이루어진 것을 특징으로 하는 가스 흡착 및 탈착 장치의 제작 방법.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100757389B1 (ko) * 2005-12-06 2007-09-11 한국전자통신연구원 나노갭 전극을 갖는 센서 및 그 제조 방법
KR100803047B1 (ko) * 2006-04-05 2008-02-18 한국과학기술원 가스 폭발로 인한 압력차를 이용한 초소형 흡입기
WO2011052862A1 (en) 2009-10-28 2011-05-05 Bioneer Corporation Sample preconcentrator
KR101158851B1 (ko) * 2009-12-18 2012-06-22 서울대학교산학협력단 흡착 및 탈착 장치
WO2020145563A1 (ko) * 2019-01-09 2020-07-16 (주)바이오니아 내열성 면상발열체가 접착된 시료농축튜브와 이를 포함하는 분석 장치 및 이를 이용한 분석 방법

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100757389B1 (ko) * 2005-12-06 2007-09-11 한국전자통신연구원 나노갭 전극을 갖는 센서 및 그 제조 방법
KR100803047B1 (ko) * 2006-04-05 2008-02-18 한국과학기술원 가스 폭발로 인한 압력차를 이용한 초소형 흡입기
WO2011052862A1 (en) 2009-10-28 2011-05-05 Bioneer Corporation Sample preconcentrator
US9250168B2 (en) 2009-10-28 2016-02-02 Bioneer Corporation Sample preconcentrator
KR101158851B1 (ko) * 2009-12-18 2012-06-22 서울대학교산학협력단 흡착 및 탈착 장치
WO2020145563A1 (ko) * 2019-01-09 2020-07-16 (주)바이오니아 내열성 면상발열체가 접착된 시료농축튜브와 이를 포함하는 분석 장치 및 이를 이용한 분석 방법

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