KR20050046319A - Apparatus for supporting a semiconductor substrate and apparatus for manufacturing a semiconductor device having the same - Google Patents
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Abstract
척에는 복수개의 제1 홀들이 형성되고, 척의 하부에는 캐소드가 설치된다. 캐소드에는 제1 홀들의 위치에 대응하게 리세스가 형성된다. 리세스의 저면으로부터 리세스의 직경보다 작은 직경의 제2 홀이 연장된다. 제2 홀의 내주면에는 중공관 형상의 착탈식 라이너가 배치된다. 리프터는 리세스 및 착탈식 라이너가 배치된 제2 홀에 수용된다. 리프터는 척의 상면으로부터 돌출하여 반도체 기판의 지지한 후 하강하여 반도체 기판을 척의 상면에 안착시킨다. 제2 홀에 고정 및 분리가 용이한 착탈식 라이너를 배치함으로써, 이물질의 고착에 의한 리프터의 오작동을 방지할 수 있다. 따라서 반도체 기판의 파손이 방지되고 공정 효율은 증대된다. A plurality of first holes are formed in the chuck, and a cathode is installed below the chuck. The cathode is formed with a recess corresponding to the position of the first holes. A second hole of diameter smaller than the diameter of the recess extends from the bottom of the recess. A removable tube liner having a hollow tube shape is disposed on an inner circumferential surface of the second hole. The lifter is received in a second hole in which the recess and the removable liner are disposed. The lifter protrudes from the top surface of the chuck to support the semiconductor substrate and then descends to seat the semiconductor substrate on the top surface of the chuck. By arranging the detachable liner that is easily fixed and detached in the second hole, malfunction of the lifter due to adhesion of foreign matter can be prevented. Therefore, damage to the semiconductor substrate is prevented and the process efficiency is increased.
Description
본 발명은 반도체 기판지지 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 리프터가 척의 상면으로부터 승강하며 반도체 기판을 척의 상면에 안착시키는 반도체 기판지지 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor substrate supporting apparatus and a semiconductor manufacturing apparatus including the same. More specifically, the present invention relates to a semiconductor substrate supporting apparatus for lifting and lifting a semiconductor substrate from an upper surface of a chuck and a semiconductor manufacturing apparatus including the same.
근래에 반도체 장치의 미세화 및 대용량화에 따른 반도체 가공기술은 가공 반도체 기판의 대구경화, 반도체 공정장치의 매엽화 및 건식 공정으로 진행됨에 따라 반도체 기판 가공 시 챔버 내에서 반도체 기판을 고정하는 방법도 크게 변하였다.In recent years, as semiconductor processing technology has progressed due to the miniaturization and large capacity of semiconductor devices, the process of fixing semiconductor substrates in a chamber during processing of semiconductor substrates has changed drastically due to the large diameter of the processed semiconductor substrate, the sheeting of the semiconductor processing equipment, and the dry process. It was.
이전까지는 클램프와 같은 단순 고정 부재를 이용하여 반도체 기판을 척에 단순 고정하나, 근래에는 진공력이나 정전기를 이용하여 반도체 기판을 척에 밀착 고정하는 방법이 개발되었다. Until now, a simple fixing member such as a clamp is used to simply fix the semiconductor substrate to the chuck, but recently, a method of closely fixing the semiconductor substrate to the chuck using a vacuum force or static electricity has been developed.
진공력을 이용하여 반도체 기판을 고정하는 척을 진공 척이라하며, 정전기를 이용하여 반도체 기판을 고정하는 척을 정전 척이라 한다. 이하, 진공 척과 정전 척을 모두 포함하여 척이라 한다. A chuck for fixing a semiconductor substrate using a vacuum force is called a vacuum chuck, and a chuck for fixing a semiconductor substrate using static electricity is called an electrostatic chuck. Hereinafter, the chuck includes both a vacuum chuck and an electrostatic chuck.
척은 식각 공정, 화학기상증착(CVD) 공정, 스퍼터링(sputtering) 공정, 이온 주입(ion implantation) 공정 등과 같은 많은 반도체 제조 공정들에서 이용된다. 상기 공정들에서 척은 반도체 기판을 지지 및 고정하는 역할을 한다. 종래에는 반도체 기판을 척 상에 반도체 기판을 배치 시 많은 문제점이 발생하였다. 일예로, 식각 공정에 이용되는 척을 설명함으로써, 상기 제조 공정들에서 발생되는 문제점들을 대신하기로 한다. Chuck is used in many semiconductor manufacturing processes such as etching process, chemical vapor deposition (CVD) process, sputtering process, ion implantation process and the like. In the above processes, the chuck serves to support and fix the semiconductor substrate. Conventionally, many problems have arisen when arranging a semiconductor substrate on a chuck. As an example, by describing the chuck used in the etching process, it will replace the problems caused in the manufacturing process.
식각 공정은 식각 챔버에서 수행된다. 식각 챔버에는 척을 포함하는 반도체 기판지지 부재, 고주파 발생 부재, 식각 가스 공급 부재 및 진공 펌프가 설치된다. 식각 챔버는 반도체 기판을 외부로부터 차단한다. 식각 챔버의 상부에는 고주파 발생 부재가 설치되고, 하부에는 진공 펌프가 연결된다. 또한, 식각 챔버의 일측에는 식각 가스 공급 부재가 설치된다. 척을 포함하는 반도체 기판지지 부재는 챔버 내부 중앙에 설치된다. 반도체 기판지지 부재는 척, 캐소드 및 리프터를 포함한다. 척의 하부에는 캐소드가 설치된다. 캐소드의 상면에는 단차를 갖는 복수개의 홀들이 형성된다. 상기 홀들에는 각각 리프터가 삽입된다. The etching process is performed in an etching chamber. The etching chamber is provided with a semiconductor substrate supporting member including a chuck, a high frequency generating member, an etching gas supply member and a vacuum pump. The etching chamber blocks the semiconductor substrate from the outside. An upper portion of the etching chamber is provided with a high frequency generating member, and a lower portion thereof is connected with a vacuum pump. In addition, an etching gas supply member is installed at one side of the etching chamber. The semiconductor substrate supporting member including the chuck is installed at the center inside the chamber. The semiconductor substrate support member includes a chuck, a cathode and a lifter. The cathode is installed at the bottom of the chuck. The upper surface of the cathode is formed with a plurality of holes having a step. Lifters are inserted into the holes, respectively.
척은 반도체 식각 공정 동안 반도체 기판을 지지한다. 캐소드에는 바이어스(bias) 전원이 연결되고, 캐소드는 고주파 발생 부재와 연동하여 식각 챔버 내부에 전기장을 조성한다. The chuck supports the semiconductor substrate during the semiconductor etching process. A bias power source is connected to the cathode, and the cathode cooperates with the high frequency generating member to create an electric field inside the etching chamber.
식각 공정을 위해서는 우선 식각 가스가 식각 챔버 내부로 공급된다. 이후, 식각 챔버 내부로 반도체 기판이 제공된다. 이 경우, 리프터는 척의 상면으로부터 돌출되어 반도체 기판을 대기하고 있다가 반도체 기판을 밑에서 받쳐 지지한다. 이후, 리프터는 반도체 기판 및 자체 중량에 의하여 하강한다. 이후, 리프터가 척 내부로 완전히 수용되고, 반도체 기판은 척의 상면에 안착된다. 다음으로, 고주파 발생 부재와 캐소드가 작동하여 반응 챔버 내부에 플라스마를 조성하고, 반도체 기판에 대한 식각 공정이 수행된다. For the etching process, an etching gas is first supplied into the etching chamber. Thereafter, a semiconductor substrate is provided into the etching chamber. In this case, the lifter protrudes from the upper surface of the chuck, waits for the semiconductor substrate, and supports the semiconductor substrate from below. The lifter is then lowered by the semiconductor substrate and its own weight. Thereafter, the lifter is completely received into the chuck and the semiconductor substrate is seated on the upper surface of the chuck. Next, the high frequency generating member and the cathode operate to form a plasma inside the reaction chamber, and an etching process for the semiconductor substrate is performed.
식각 공정 시, 식각 부산물이 발생한다. 식각 부산물들은 챔버 내부의 미 반응 가스와 함께 캐소드 내부로 침투한다. 특히 리프터가 수용된 홀 주변에 많이 침투한다. 반응 부산물 및 미 반응 가스들은 리프터 또는 홀 주변부에 반응을 일으켜 고착된다. 리프터 또는 홀 주변에 이물질이 고착되면 리프터가 유동 시 홀과의 마찰이 발생한다. 심할 경우 리프터와 홀이 붙어 버릴 수 있다. In the etching process, etching by-products are generated. Etch byproducts penetrate into the cathode together with the unreacted gas inside the chamber. In particular, it penetrates much around the hole where the lifter is accommodated. Reaction by-products and unreacted gases react and settle around the lifter or hole. If foreign matter is fixed around the lifter or hole, friction with the hole occurs when the lifter flows. In extreme cases, the lifter and the hole may stick.
일반적으로, 리프터가 수용되는 홀은 직경이 수 mm의 미세한 공간이다. 따라서 상기 홀을 정기적으로 정비하는 것도 난이하다. In general, the hole in which the lifter is accommodated is a fine space of several mm in diameter. Therefore, it is also difficult to regularly maintain the hole.
이물질에 의하여 리프터가 제대로 동작하지 못하면, 반도체 기판의 파손 등 심각한 문제가 야기된다. 챔버 내부로 반도체 기판이 제공되었는데, 리프터가 동작하지 않으면 반도체 기판이 척에 바로 낙하될 수 있다. 이 경우, 반도체 기판은 파손뿐만 아니라 반응 챔버 및 반도체 지지부재까지 파손될 수 있다. If the lifter does not operate properly by foreign matters, serious problems such as damage to the semiconductor substrate are caused. A semiconductor substrate has been provided inside the chamber, but if the lifter does not operate, the semiconductor substrate may drop directly onto the chuck. In this case, the semiconductor substrate may be damaged as well as the reaction chamber and the semiconductor support member.
종래에는 상기와 같은 문제를 방지하고자 정기적으로 캐소드 전체를 교환하였다. 하지만 캐소드를 전체 교환하는 것을 재정적으로 큰 손실을 야기한다. 또한, 반도체 장치의 세팅을 재 설정해야 하는 문제도 야기한다. Conventionally, the entire cathode was exchanged regularly to avoid the above problem. However, the entire exchange of cathodes causes significant financial loss. It also causes the problem of resetting the settings of the semiconductor device.
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서, 본 발명의 일 목적은 리프터가 수용되는 홀에 착탈식 라이너를 배치함으로서, 리프터를 원활히 작동시킬 수 있는 반도체 기판지지 장치를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a semiconductor substrate supporting apparatus capable of smoothly operating a lifter by disposing a detachable liner in a hole in which a lifter is accommodated.
또한, 본 발명의 일 목적은 상기 반도체 기판지지 장치를 이용하여 반도체 장치의 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 제조 장치를 제공하는 것이다. It is also an object of the present invention to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of improving the characteristics of a semiconductor device by using the semiconductor substrate supporting apparatus.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 기판지지 장치는 복수개의 제1 홀들이 형성된 척, 척의 하부에 설치되며 상기 제1 홀들에 대응하는 위치에 각각 리세스(recess)가 형성되고, 리세스의 저면으로부터 제2 홀이 연장된 캐소드, 제2 홀의 내주면에 배치된 착탈식 라이너(liner), 및 리세스와 제2 홀에 수용되며 제1 홀을 관통하여 승강하면서 반도체 기판을 척 상에 로딩 및 언로딩의 하는 리프터(lifter)를 포함한다. 이 경우, 착탈식 라이너로부터 연장되어 리세스의 내주면에 배치되는 제2 착탈식 라이너를 더 포함할 수 있다. In order to achieve the above object of the present invention, a semiconductor substrate supporting apparatus according to a preferred embodiment of the present invention is installed in the lower portion of the chuck, the chuck is formed with a plurality of first holes, respectively in positions corresponding to the first holes A recess is formed, a cathode extending from the bottom of the recess, a cathode extending therefrom, a removable liner disposed on the inner circumferential surface of the second hole, and received in the recess and the second hole and penetrating the first hole. And a lifter for loading and unloading the semiconductor substrate onto the chuck while raising and lowering. In this case, it may further include a second removable liner extending from the removable liner disposed on the inner circumferential surface of the recess.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 제조 장치는 반응 챔버, 반응 챔버에 설치되되 ⅰ)복수개의 제1 홀들이 형성된 척, ⅱ)척의 하부에 설치되며, 상기 제1 홀들에 대응하는 위치에 각각 리세스가 형성되고, 리세스의 저면으로부터 제2 홀이 연장된 캐소드, ⅲ)제2 홀의 내주면에 배치된 착탈식 라이너 그리고 ⅳ)리세스와 제2 홀에 수용되는 리프터를 포함하는 반도체 기판지지 부재, 및 반응 챔버 내부로 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급 부재를 포함한다. 이 경우, 반도체 기판지지 장치 중심부에 설치되어 반도체 기판의 온도를 균일하게 유지시키기 위한 가스를 공급하는 냉각 가스 공급 부재가 더 포함할 수 있다. 또한, 착탈식 라이너로부터 연장되어 리세스의 내주면에 배치된 제2 착탈식 라이너도 더 포함할 수도 있다. In order to achieve the above object of the present invention, a semiconductor manufacturing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention is installed in the reaction chamber, the reaction chamber iii) a chuck having a plurality of first holes, ii) installed in the lower part of the chuck Recesses are formed at positions corresponding to the first holes, respectively, cathodes having a second hole extending from a bottom surface of the recess, and a removable liner disposed on the inner circumferential surface of the second hole, and the recess and the second hole. And a gas supply member for supplying a reaction gas into the reaction chamber. In this case, the semiconductor device may further include a cooling gas supply member installed at the center of the semiconductor substrate support device and supplying a gas for maintaining the temperature of the semiconductor substrate uniformly. In addition, it may further include a second removable liner extending from the removable liner disposed on the inner peripheral surface of the recess.
본 발명에 따르면, 제1 또는 제2 홀의 내주면에 착탈 가능한 라이너를 형성함으로써, 리프터의 오작동을 방지할 수 있다. 따라서 공정 중에 반도체 기판이 파손되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 공정 효율도 증대시킬 수 있다. According to the present invention, malfunction of the lifter can be prevented by forming a detachable liner on the inner circumferential surface of the first or second hole. Therefore, not only can the semiconductor substrate be damaged during the process but also the process efficiency can be increased.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 반도체 기판지지 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치에 대하여 상세하게 설명하지만 본 발명이 하기 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, a semiconductor substrate supporting apparatus and a semiconductor manufacturing apparatus including the same according to exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited to the following embodiments.
실시예Example
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 기판지지 장치를 설명하기 위한 분해 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시한 착탈식 라이너를 설명하기 위한 확대 단면도이며, 도 3은 도 1에 도시한 착탈식 라이너로부터 연장된 제2 착탈식 라이너를 설명하기 위한 확대 단면도이다. 1 is an exploded perspective view for explaining a semiconductor substrate support apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is an enlarged cross-sectional view for explaining the removable liner shown in Figure 1, Figure 3 is shown in Figure 1 It is an expanded sectional view for demonstrating the 2nd detachable liner extended from a detachable liner.
도 1 및 도 2를 참조하면, 반도체 기판지지 장치는 척(110), 캐소드(120), 착탈식 라이너(130) 및 리프터(140)를 포함한다.1 and 2, the semiconductor substrate support apparatus includes a chuck 110, a cathode 120, a removable liner 130, and a lifter 140.
척(110)은 반도체의 직경보다 큰 직경을 갖는 원기둥 형상으로 제조된다. 척(110)에는 반도체 기판(도시되지않음)이 안착된다. 척(110)은 반도체 기판을 선택적으로 고정 가능하다. 척(110)에는 반도체 기판을 고정하기 위하여 진공력이나 정전기력을 제공하는 고정력 제공 장치(도시되지않음)가 설치된다. 진공력이나 정전기력을 제공하는 고정력 제공 장치에 대한 기술은 많은 공개 공보에 개시되어 있으며, 당업자가 용이하게 선택할 수 있다. The chuck 110 is manufactured in a cylindrical shape having a diameter larger than that of the semiconductor. A semiconductor substrate (not shown) is mounted on the chuck 110. The chuck 110 can selectively fix the semiconductor substrate. The chuck 110 is provided with a fixing force providing device (not shown) that provides a vacuum force or an electrostatic force to fix the semiconductor substrate. Techniques for holding force providing devices that provide vacuum or electrostatic forces are disclosed in many publications and can be readily selected by those skilled in the art.
본 실시예에 따른 척(110)은 정전기를 이용하여 반도체 기판을 고정하는 정전 척이다. 따라서 본 실시예에 따른 척(110)에는 반도체 기판 고정하기 위한 정전기를 발생시키는 고정력 제공 장치(도시되지않음)가 설치된다.The chuck 110 according to the present embodiment is an electrostatic chuck that fixes a semiconductor substrate using static electricity. Therefore, the chuck 110 according to the present embodiment is provided with a fixing force providing device (not shown) for generating static electricity for fixing the semiconductor substrate.
척(110)의 상면에는 복수개의 제1 홀(111)들이 형성된다. 제1 홀(111)들은 척(110)의 중심으로부터 동일한 거리만큼 이격되어 형성된다. 척(110)의 상면에 형성되는 제1 홀(111)들의 개수는 선택 가능하다. 제1 홀(111)의 개수는 이후 설명될 리프터(140)의 개수와 동일한 것이 바람직하다. 본 실시예의 리프터(140)는 총 3개이다. 따라서 척(110)의 상면에 3개의 제1 홀(111)들이 형성된다. 3개의 제1 홀(111)들은 척(110) 상에 정삼각형으로 형성되는 것이 바람직하다. A plurality of first holes 111 are formed on the upper surface of the chuck 110. The first holes 111 are formed spaced apart from the center of the chuck 110 by the same distance. The number of first holes 111 formed on the upper surface of the chuck 110 is selectable. The number of first holes 111 is preferably the same as the number of lifters 140 to be described later. There are three lifters 140 in this embodiment. Therefore, three first holes 111 are formed on the upper surface of the chuck 110. Three first holes 111 are preferably formed in an equilateral triangle on the chuck (110).
척(110)의 중심부에는 냉각 가스 홀(112)이 형성된다. 냉각 가스 홀(112)에는 냉각 가스 라인(113)이 방사형으로 연장된다. Cooling gas holes 112 are formed in the center of the chuck 110. Cooling gas lines 113 extend radially in the cooling gas holes 112.
냉각 가스 홀(112)에는 냉각 가스 공급 부재(150)로부터 헬륨과 같은 냉각 가스가 공급된다. 냉각 가스는 냉각 가스 라인(113)을 따라서 확산되어 반도체 기판의 하부에 공급된다. 냉각 가스는 반도체 기판의 온도를 실질적으로 균일하게 냉각시킨다. 척(110)에는 반도체 기판의 온도를 감지하기 위한 열전대(171)가 더 설치된다. 냉각 가스 공급 부재(150)는 열전대(171)로부터 측정된 반도체 기판의 온도에 따라 공급되는 냉각 가스의 양을 조절한다. 따라서 반도체 기판의 온도가 일정하게 유지된다. The cooling gas hole 112 is supplied with a cooling gas such as helium from the cooling gas supply member 150. The cooling gas is diffused along the cooling gas line 113 and supplied to the lower portion of the semiconductor substrate. The cooling gas cools the temperature of the semiconductor substrate substantially uniformly. The chuck 110 is further provided with a thermocouple 171 for sensing the temperature of the semiconductor substrate. The cooling gas supply member 150 adjusts the amount of cooling gas supplied according to the temperature of the semiconductor substrate measured from the thermocouple 171. Therefore, the temperature of the semiconductor substrate is kept constant.
척(110)의 하부에는 척(110)보다 같거나 조금 더 큰 직경의 캐소드(120)가 설치된다. 다시 말하면, 캐소드(120) 위에 척(110)이 배치된다. 캐소드(120)도 전체적으로 원기둥의 형상을 갖는다. 캐소드(120)는 캐소드(120)의 중심선이 척(110)의 중심선과 일치하도록 척(110)의 하부에 설치된다. A cathode 120 having a diameter equal to or slightly larger than that of the chuck 110 is installed below the chuck 110. In other words, the chuck 110 is disposed above the cathode 120. The cathode 120 also has a cylindrical shape as a whole. The cathode 120 is installed below the chuck 110 such that the center line of the cathode 120 coincides with the center line of the chuck 110.
캐소드(120)에는 척(110)에 형성된 제1 홀(111)들의 위치에 대응하게 리세스(121)가 형성된다. 즉, 척(110)의 제1 홀(111)들의 하부에는 캐소드(120)의 리세스(121)가 형성된다. A recess 121 is formed in the cathode 120 to correspond to the positions of the first holes 111 formed in the chuck 110. That is, the recess 121 of the cathode 120 is formed under the first holes 111 of the chuck 110.
리세스(121)는 소정 깊이로 형성된다. 리세스(121)의 저면에는 리세스(121)의 직경보다 작은 직경의 제2 홀(122)이 형성된다. 제2 홀(122)은 리세스(121)의 저면으로부터 연장된다. The recess 121 is formed to a predetermined depth. A second hole 122 having a diameter smaller than the diameter of the recess 121 is formed in the bottom of the recess 121. The second hole 122 extends from the bottom of the recess 121.
제2 홀(122)의 내주면에는 착탈식 라이너(130)가 배치된다. 착탈식 라이너(130)는 중공관 형상으로 제조된다. 착탈식 라이너(130)의 상측 단부에는 원형 띠 형상의 돌기가 수평 방향으로 형성되며, 상기 돌기의 하면은 상기 리세스의 저면에 밀착된다.The removable liner 130 is disposed on the inner circumferential surface of the second hole 122. The removable liner 130 is manufactured in a hollow tube shape. The upper end of the removable liner 130 is formed with a circular band-like projection in the horizontal direction, the lower surface of the projection is in close contact with the bottom surface of the recess.
돌기의 내경은 제2 홀(122)의 직경과 실질적으로 동일하며, 돌기의 외경은 리세스(121)의 직경과 실질적으로 동일하다. The inner diameter of the projection is substantially the same as the diameter of the second hole 122, the outer diameter of the projection is substantially the same as the diameter of the recess 121.
돌기의 외경은 리세스(121)의 직경에 비하여 많이 작을 수 있다. 이 경우, 리세스(121)의 저면에는 돌기를 수용하기 위한 단차부가 형성되는 것이 바람직하다. 본 실시예의 돌기는 2 홀(122)의 직경과 실질적으로 동일하기 때문에, 단차부가 형성되지 않는다. The outer diameter of the protrusion may be much smaller than the diameter of the recess 121. In this case, it is preferable that a step portion for accommodating the projection is formed on the bottom of the recess 121. Since the projection of this embodiment is substantially the same as the diameter of the two holes 122, the stepped portion is not formed.
착탈식 라이너(130)는 착탈식 라이너(130)의 중심축이 제2 홀(122)의 중심축에 일치하도록 배치된다. 부연 설명하면, 중공관 형상을 가진 착탈식 라이너(130)가 제2 홀(122)에 삽입식으로 배치된다. 착탈식 라이너(130)의 외주면과 제2 홀(122)의 내주면 사이에는 소정의 마찰력이 작용하여 착탈식 라이너(130)의 유동이 제한된다. The removable liner 130 is disposed so that the central axis of the removable liner 130 coincides with the central axis of the second hole 122. In detail, the removable liner 130 having a hollow tube shape may be inserted into the second hole 122. A predetermined friction force acts between the outer circumferential surface of the removable liner 130 and the inner circumferential surface of the second hole 122 to restrict the flow of the removable liner 130.
착탈식 라이너(130)의 외경은 제2 홀(122)의 직경과 거의 동일하다. 이 경우, 착탈식 라이너(130)의 외경은 착탈식 라이너(130) 돌기의 외경이 아니라, 제2 홀(122)에 삽입되는 착탈식 라이너(130) 몸체부의 외경이다. 착탈식 라이너(130)에는 리프터(140)가 삽입된다. 따라서 착탈식 라이너(130)의 내경은 다음 설명될 리프터(140)의 직경보다 크게 형성된다. The outer diameter of the removable liner 130 is almost the same as the diameter of the second hole 122. In this case, the outer diameter of the removable liner 130 is not the outer diameter of the removable liner 130 protrusion, but the outer diameter of the body portion of the removable liner 130 inserted into the second hole 122. The lifter 140 is inserted into the removable liner 130. Therefore, the inner diameter of the removable liner 130 is formed larger than the diameter of the lifter 140 to be described later.
착탈식 라이너(130)는 캐소드(120)의 재료와 실질적으로 동일한 재료로 제조된다. 일예로, 캐소드(120)가 세라믹(ceramic)으로 제조될 경우, 착탈식 라이너(130)도 세라믹으로 제조된다. The removable liner 130 is made of a material substantially the same as the material of the cathode 120. For example, when the cathode 120 is made of ceramic, the removable liner 130 is also made of ceramic.
도 3을 참조하면, 리세스(121)의 내주면에도 착탈식 라이너(130)와 유사한 형상의 제2 착탈식 라이너(230)가 배치 가능하다. 보다 자세하게 설명하면, 제2 착탈식 라이너(230)도 중공관 형상으로 제조된다. 제2 착탈식 라이너(230)의 상측 단부에는 원형 띠 형상의 돌기가 수평 방향으로 형성되며, 상기 돌기의 하면은 캐소트(120)의 상면에 밀착된다. 캐소트(120)의 상면에는 제2 착탈식 라이너(230)의 돌기를 수용하기 위한 단차부가 형성된다.Referring to FIG. 3, a second removable liner 230 having a shape similar to that of the removable liner 130 may be disposed on the inner circumferential surface of the recess 121. In more detail, the second removable liner 230 is also manufactured in a hollow tube shape. The upper end of the second removable liner 230 is formed with a circular band-like projection in the horizontal direction, the lower surface of the projection is in close contact with the upper surface of the cathode (120). The stepped portion for accommodating the protrusion of the second removable liner 230 is formed on the upper surface of the cathode 120.
제2 착탈식 라이너(230))는 착탈식 라이너(130)에 연결된다. 보다 바람직하게는, 제2 착탈식 라이너(230)와 착탈식 라이너(130)는 일체로 제작된다. 따라서 리세스(121)로부터 제2 착탈식 라이너(230)를 분리 시, 제2 홀(122)로부터 제2 착탈식 라이너(230)도 같이 분리된다. The second removable liner 230 is connected to the removable liner 130. More preferably, the second removable liner 230 and the removable liner 130 are integrally manufactured. Therefore, when the second removable liner 230 is separated from the recess 121, the second removable liner 230 is also separated from the second hole 122.
제2 착탈식 라이너(230)가 착탈식 라이너(130)에 반드시 연결되어야 하는 것은 아니다. 이 경우, 착탈식 라이너(130)는 제2 착탈식 라이너(230)를 리세스(121)로부터 분리한 후, 제2 홀(122)로부터 분리 가능하다. 즉, 착탈식 라이너와 제2 착탈식 라이너(230)가 각각 독립적으로 분리된다. The second removable liner 230 is not necessarily connected to the removable liner 130. In this case, the removable liner 130 may be detached from the second hole 122 after the second removable liner 230 is separated from the recess 121. That is, the removable liner and the second removable liner 230 are each independently separated.
리세스(121)의 내주면에 제2 착탈식 라이너(230)의 형성 여부는 당업자가 선택할 수 있다. 또한, 제2 착탈식 라이너(230)와 착탈식 라이너(130)의 연결 여부도 당업자가 선택할 수 있다. Whether a second removable liner 230 is formed on the inner circumferential surface of the recess 121 may be selected by those skilled in the art. In addition, a person skilled in the art can also select whether the second removable liner 230 and the removable liner 130 are connected.
다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 리세스(121) 및 제2 홀(122)에는 리프터(140)가 수용된다. 리프터(140)는 헤드 핀(head pin)(141), 스트러트(strut)(143) 및 루트(root)(145)를 포함한다.Referring back to FIGS. 1 and 2, the lifter 140 is accommodated in the recess 121 and the second hole 122. The lifter 140 includes a head pin 141, a strut 143, and a root 145.
헤드 핀(141)은 스트러트(strut)(143)의 상면에 고정되고, 루트(145)는 스트러트(143)의 하면에 고정된다. 헤드 핀(141)과 루트(145)는 스트러트(143)에 의하여 연결한다. The head pin 141 is fixed to the upper surface of the strut 143, and the root 145 is fixed to the lower surface of the strut 143. The head pin 141 and the root 145 are connected by the strut 143.
헤드 핀(141)은 제1 홀(111)의 직경보다 작은 외경을 갖는 얇은 봉 형상으로 제조된다. 스트러트(143)는 리세스(121)의 직경보다 작은 외경을 갖는 원기둥이다. 스트러트(143)의 외경은 헤드 핀(141)의 직경보다 상대적으로 크다. 루트(145)는 제2 홀(122)의 직경보다 작은 외경을 갖는 봉 형상으로 제조된다. The head pin 141 is manufactured in a thin rod shape having an outer diameter smaller than the diameter of the first hole 111. The strut 143 is a cylinder having an outer diameter smaller than the diameter of the recess 121. The outer diameter of the strut 143 is relatively larger than the diameter of the head pin 141. The root 145 is manufactured in a rod shape having an outer diameter smaller than the diameter of the second hole 122.
상술한 바와 같이, 리프터(140)는 제일 큰 직경을 갖는 스트러트(143)의 하면에 루트(145)가 연결되고, 스트러트(143)의 상면에 가장 작은 직경을 갖는 헤드 핀(141)이 연결되어 제조된다. As described above, the lifter 140 has a root 145 connected to the lower surface of the strut 143 having the largest diameter, and a head pin 141 having the smallest diameter is connected to the upper surface of the strut 143. Are manufactured.
리프터(140)는 헤드 핀(141), 스트러트(143) 및 루트(145)가 일체형으로 제조된다. 하지만, 헤드 핀(141), 스트러트(143) 및 루트(145)가 개별적으로 제조된 후 서로 연결되어 리프터(140)가 제조될 수도 있다. The lifter 140 is made of an integral head pin 141, strut 143 and root 145. However, the head pin 141, the strut 143, and the root 145 may be manufactured separately, and then connected to each other to manufacture the lifter 140.
리프터(140)의 루트(145)는 착탈식 라이너(130)이 형성된 제2 홀(122)에 수용된다. 리프터(140)의 헤드 핀(141) 및 스트러트(143)는 리세스(121)에 수용된다. The root 145 of the lifter 140 is received in the second hole 122 in which the removable liner 130 is formed. The head pin 141 and strut 143 of the lifter 140 are received in the recess 121.
리프터(140)는 제1 홀(111)을 관통하여 승강되면서 반도체 기판을 척(110) 상에 안착시킨다. 보다 정확히 설명하면, 리프터(140)가 상승하면 헤드 핀(141)이 척(110)의 상면으로부터 돌출된다. 돌출된 헤드 핀(141)에 반도체 기판이 배치되면, 리프터(140)는 하강한다. 이 경우, 리프터(140)는 반도체 기판 및 리프터(140) 자체 무게에 의하여 하강된다. 리프터(140)가 척(110) 하부로 완전히 하강됨에 따라 반도체 기판은 척(110) 상면에 안착된다. The lifter 140 lifts through the first hole 111 and seats the semiconductor substrate on the chuck 110. In more detail, when the lifter 140 is raised, the head pin 141 protrudes from the upper surface of the chuck 110. When the semiconductor substrate is disposed on the protruding head pin 141, the lifter 140 descends. In this case, the lifter 140 is lowered by the weight of the semiconductor substrate and the lifter 140 itself. As the lifter 140 descends completely below the chuck 110, the semiconductor substrate is seated on the upper surface of the chuck 110.
반도체 기판에 대하여 식각 또는 증착과 같은 소정의 단위 공정을 진행 시 반응 부산물들이 발생한다. 반응 부산물들은 척(110) 또는 캐소드(120) 내부로 침투할 수 있다. 반응 부산물과 같은 이물질은 특히 제1 및 제2 홀에 고착될 수 있다. 제2 홀에 이물질이 침투하는 것을 방지하기 위하여 실링 부재(147)가 이용된다. Reaction by-products are generated when a predetermined unit process such as etching or deposition is performed on the semiconductor substrate. The reaction byproducts may penetrate into the chuck 110 or the cathode 120. Foreign matter such as reaction by-products can in particular stick to the first and second holes. The sealing member 147 is used to prevent foreign matter from penetrating into the second hole.
실링 부재(147)는 링 형상으로 제조된다. 실링 부재(147)는 루트(145)를 둘러싸도록 배치된다. 리프터(140)가 하강되면, 실링 부재(147)는 리세스(121)의 하면에 접촉된다. 실링 부재(147)는 이물질이 제2 홀(122)로 침투하는 것을 감소시킨다. The sealing member 147 is made into a ring shape. The sealing member 147 is arranged to surround the root 145. When the lifter 140 is lowered, the sealing member 147 contacts the bottom surface of the recess 121. The sealing member 147 reduces the infiltration of foreign matter into the second hole 122.
실링 부재(147)에 의하여 제2 홀(122)에 이물질이 침투하는 것이 감소되지만, 완전히 방지되는 것은 아니다. 따라서 착탈식 라이너(130)에 이물질이 고착될 수 있다. 이물질이 고착된 착탈식 라이너(130)는 리프터(140), 보다 정확히는 리프터(140)의 루트(145)의 유동을 제한할 수 있다. Infiltration of foreign matter into the second hole 122 by the sealing member 147 is reduced, but not completely prevented. Therefore, foreign matter may be fixed to the removable liner 130. The removable liner 130 to which foreign matter is fixed may restrict the flow of the lifter 140, more precisely, the root 145 of the lifter 140.
착탈식 라이너(130)는 정기적으로 새 착탈식 라이너(130)로 교체되는 것이 바람직하다. 착탈식 라이너(130)는 제2 홀(122)에 삽입식으로 고정되어, 제2 홀(122)로부터 용이하게 분리 가능하다. 이물질이 고착된 착탈식 라이너(130)는 정비된 후 재 사용될 수도 있으며, 폐기될 수도 있다. The removable liner 130 is preferably replaced with a new removable liner 130 at regular intervals. The removable liner 130 is inserted into and fixed to the second hole 122, and can be easily separated from the second hole 122. The detachable liner 130 having the foreign matter fixed thereto may be reused after being maintained and may be discarded.
이물질은 리세스(121)의 내주면에도 고착될 수 있다. 이물질이 고착된 리세스(121)는 리프터(140), 보다 정확히는 리프터(140)의 스트러트(143)의 유동을 제한할 수 있다. 이런 문제를 해결하기 위하여, 리세스(121)의 내주면에도 착탈식 라이너(130)와 유사한 제2 착탈식 라이너(230)를 더 설치할 수 있다. The foreign matter may be fixed to the inner circumferential surface of the recess 121. The recess 121 to which foreign matter is fixed may limit the flow of the lifter 140, more precisely, the strut 143 of the lifter 140. In order to solve this problem, a second removable liner 230 similar to the removable liner 130 may be further installed on the inner circumferential surface of the recess 121.
착탈식 라이너(130)와 제2 착탈식 라이너(230)는 서로 개별적으로 제조될 수 있으며, 서로 연결된 일체형으로 제조될 수도 있다. 또한, 제2 착탈식 라이너(230)도 캐소드(120)와 실질적으로 동일한 재료로 제조된다.The detachable liner 130 and the second detachable liner 230 may be manufactured separately from each other, or may be manufactured in one piece connected to each other. In addition, the second removable liner 230 is also made of substantially the same material as the cathode 120.
제2 착탈식 라이너(230)도 착탈식 라이너(130)와 마찬가지로 정기적으로 새 제2 착탈식 라이너(230)로 교체된다. 제2 착탈식 라이너(230)와 착탈식 라이너(130)가 일체형으로 제조 시, 제2 착탈식 라이너(230)와 착탈식 라이너(130)는 동시에 교체된다. Like the removable liner 130, the second removable liner 230 is periodically replaced with a new second removable liner 230. When the second removable liner 230 and the removable liner 130 are manufactured integrally, the second removable liner 230 and the removable liner 130 are simultaneously replaced.
리프터(140)의 하부에는 리프터(140)를 승강시키기 위한 구동 부재(도시되지않음)가 설치된다. 구동 부재는 공/유압 실린더, 모터, 또는 기어 트레인 등 다양하게 제조될 수 있다. 구동 부재에 대한 기술은 많은 공개공보에 나타나 있기 때문에 본 실시예에서는 그 설명을 생략한다. A driving member (not shown) for lifting and lowering the lifter 140 is installed below the lifter 140. The drive member may be manufactured in various ways such as a pneumatic / hydraulic cylinder, a motor, or a gear train. Since the technology for the drive member is shown in many publications, the description thereof is omitted in this embodiment.
캐소드(120)의 내부에는 고전압 공급 장치(172)가 설치된다. 고전압 공급 장치(172)는 반도체 기판에 바이어스(bias) 전압과 같은 고전압을 공급한다. The high voltage supply device 172 is installed inside the cathode 120. The high voltage supply device 172 supplies a high voltage, such as a bias voltage, to the semiconductor substrate.
본 발명에 따른 반도체 기판지지 장치는 제2 홀(122)에 착탈식 라이너(130)를 형성함으로서, 리프터(140)를 안정적으로 작동시킬 수 있다. 또한, 리세스(121)에도 착탈식 라이너(130)와 유사한 제2 착탈식 라이너(230)를 형성함으로써 리프터(140)를 보다 안정적으로 작동시킬 수 있다. The semiconductor substrate supporting apparatus according to the present invention can stably operate the lifter 140 by forming the detachable liner 130 in the second hole 122. In addition, by forming the second removable liner 230 similar to the removable liner 130 in the recess 121, the lifter 140 may be more stably operated.
실시예Example
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 4 is a schematic cross-sectional view for describing a semiconductor manufacturing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 반도체 제조 장치는 반응 챔버(301), 반도체 기판 지지부재(302), 가스 공급 부재(303) 및 진공 펌프(304)를 포함한다. 본 실시예에 따른 반도체 기판 지지부재(302)는 상기 실시예에 따른 반도체 기판지지 장치와 거의 유사하여 중복된 설명은 생략한다. Referring to FIG. 4, the semiconductor manufacturing apparatus includes a reaction chamber 301, a semiconductor substrate supporting member 302, a gas supply member 303, and a vacuum pump 304. The semiconductor substrate support member 302 according to the present embodiment is almost similar to the semiconductor substrate support apparatus according to the above embodiment, and thus redundant description thereof will be omitted.
반응 챔버(301)에서는 식각이나 증착과 같은 반도체 기판 제조 공정이 수행된다. 본 실시예에 따른 반응 챔버(301)는 내부에 플라즈마 반응이 일어나는 식각 반응 챔버(301)이다. In the reaction chamber 301, a semiconductor substrate manufacturing process such as etching or deposition is performed. The reaction chamber 301 according to the present embodiment is an etching reaction chamber 301 in which a plasma reaction occurs.
반응 챔버(301)의 내부 중심부에는 반도체 기판(300)을 지지하기 위한 반도체 기판지지 부재(302)가 설치된다. 반도체 기판지지 장치(302)는 척(310), 캐소드(320), 착탈식 라이너(도시되지않음), 및 리프터(340)를 포함한다. 척(310), 캐소드(320), 착탈식 라이너, 및 리프터(340)에 대한 설명은 상기 실시예와 거의 동일하다. The semiconductor substrate support member 302 for supporting the semiconductor substrate 300 is installed at the inner center of the reaction chamber 301. The semiconductor substrate support device 302 includes a chuck 310, a cathode 320, a removable liner (not shown), and a lifter 340. The description of the chuck 310, the cathode 320, the removable liner, and the lifter 340 are almost the same as in the above embodiment.
반응 챔버(301)의 일측에는 가스 공급 부재(303)가 설치된다. 가스 공급 부재(303)는 반응 챔버(301)에 플라스마 반응을 발생시키기 위한 식각 가스를 공급한다. 식각 가스의 일예로서, 실란(SiH4), 산소(O2), 산화질소(N2O), 질소(N), 헬륨(He) 또는 아르곤(Ar) 가스를 들 수 있다. 또한, 가스 공급 부재(303)는 플라스마 반응을 촉진시키기 위하여 삼불화질소(NF) 또는 수소(H) 가스를 더 공급할 수 있다.One side of the reaction chamber 301 is provided with a gas supply member 303. The gas supply member 303 supplies an etching gas for generating a plasma reaction to the reaction chamber 301. As an example of the etching gas, silane (SiH 4 ), oxygen (O 2 ), nitrogen oxide (N 2 O), nitrogen (N), helium (He), or argon (Ar) gas may be mentioned. In addition, the gas supply member 303 may further supply nitrogen trifluoride (NF) or hydrogen (H) gas to promote the plasma reaction.
진공 펌프(304)는 반응 챔버(301) 내부의 압력을 조절한다. 또한, 진공 펌프(304)는 챔버(301)에서 부유하는 가스 및 부산물들을 외부로 배출한다. The vacuum pump 304 regulates the pressure inside the reaction chamber 301. In addition, the vacuum pump 304 discharges the gas and by-products suspended in the chamber 301 to the outside.
이하, 본 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 이용하여 반도체 제조 공정 중 식각 공정에 대하여 설명한다. Hereinafter, the etching process of the semiconductor manufacturing process using the semiconductor manufacturing apparatus according to the present embodiment will be described.
리프터(340)들은 척(320)의 상면으로부터 돌출된 상태로 대기한다. 이후, 반도체 기판(300)이 반응 챔버(301) 내부로 제공되어 리프터(340)들 상에 배치된다. 리프터(340)들은 반도체 기판(300)을 밑에서 받쳐 지지한다. 이 경우, 반응 챔버(301) 내부는 소정의 압력이 조성된 상태이다. 식각 가스는 반도체 기판(300)이 챔버(301)에 제공되기 전 또는 후에 공급될 수 있다. The lifters 340 stand by protruding from the upper surface of the chuck 320. Thereafter, the semiconductor substrate 300 is provided into the reaction chamber 301 and disposed on the lifters 340. Lifters 340 support the semiconductor substrate 300 from below. In this case, a predetermined pressure is formed inside the reaction chamber 301. The etching gas may be supplied before or after the semiconductor substrate 300 is provided to the chamber 301.
반도체 기판(300)이 리프터(340)에 배치되면, 리프터(340)는 반도체 기판(300) 및 리프터(340) 자체 무게에 의하여 하강된다. 이후, 리프터(340)들이 척(320) 내부에 완전히 수용됨으로써 반도체 기판(300)이 척(320)의 상면에 안착된다. 이 경우, 리프터(340)는 반도체 기판지지 부재(302) 내부에 설치된 구동 부재(도시되지않음)에 의하여 작동된다. 구동 부재는 공/유압 실린더, 솔레노이드, 모터 등을 포함할 수 있다. 본 실시예의 구동 부재는 공압을 이용하여 리프터(140)를 상승시킨다. 리프터(140)에 공압이 제공되지 않으면, 리프터(140)는 자체 중량에 의하여 하강된다. When the semiconductor substrate 300 is disposed on the lifter 340, the lifter 340 is lowered by the weight of the semiconductor substrate 300 and the lifter 340 itself. Thereafter, the lifters 340 are completely accommodated in the chuck 320 so that the semiconductor substrate 300 is seated on the upper surface of the chuck 320. In this case, the lifter 340 is operated by a drive member (not shown) provided inside the semiconductor substrate support member 302. The drive member may include a pneumatic / hydraulic cylinder, a solenoid, a motor, and the like. The driving member of the present embodiment raises the lifter 140 using pneumatic pressure. If no air pressure is provided to the lifter 140, the lifter 140 is lowered by its own weight.
반도체 기판(300)이 척(320)의 상면에 안착되면, 반도체 기판지지 부재(302)에 바이어스 전원이 공급된다. 보다 정확히 반도체 기판지지 부재(302)중 캐소드(320)에 바이어스 전원이 공급된다. 이와 동시에 챔버(301) 내의 상부에 설치된 고주파 코일(360)에 고주파 전원이 공급된다. 캐소드(320)와 고주파 코일(360)에 의하여 전위차가 발생하고, 반응 챔버(301) 내부에는 플라스마가 충진된다. 플라스마와 식각 가스에 의하여 반도체 기판(300)에는 소정의 단위 공정이 수행된다. When the semiconductor substrate 300 is seated on the upper surface of the chuck 320, the bias power is supplied to the semiconductor substrate support member 302. More precisely, bias power is supplied to the cathode 320 of the semiconductor substrate support member 302. At the same time, a high frequency power is supplied to the high frequency coil 360 provided in the upper portion of the chamber 301. The potential difference is generated by the cathode 320 and the high frequency coil 360, and the plasma is filled in the reaction chamber 301. A predetermined unit process is performed on the semiconductor substrate 300 by the plasma and the etching gas.
식각 공정이 진행되는 동안, 반응 챔버(301)의 내부는 약 600℃ 이상으로 유지된다. 반도체 기판(300)의 열변형을 방지하기 위해 척(320)을 통하여 냉각 가스가 반도체 기판(300)으로 공급된다. 반도체 기판(300)은 냉각 가스에 의하여 거의 일정한 온도로 유지된다.During the etching process, the inside of the reaction chamber 301 is maintained at about 600 ° C or more. In order to prevent thermal deformation of the semiconductor substrate 300, a cooling gas is supplied to the semiconductor substrate 300 through the chuck 320. The semiconductor substrate 300 is maintained at a substantially constant temperature by the cooling gas.
식각 공정이 수행되는 동안, 반응 챔버(301)에는 미반응 가스 및 반응 부산물들이 부유한다. 미반응 가스 및 반응 부산물들은 캐소드(320) 내부로 침투하여 고착된다. 식각 공정이 반복 수행되는 동안 미반응 가스 및 반응 부산물들은 캐소드 내부에 고착되어 리프터(340)의 작동을 방해한다. 이 경우, 캐소드(320) 내부에 설치된 착탈식 라이너(도시되지않음)를 교체함으로써 리프터(340)의 원활한 작동을 유지할 수 있다. During the etching process, unreacted gas and reaction by-products are suspended in the reaction chamber 301. Unreacted gases and reaction byproducts penetrate into and adhere to the cathode 320. While the etching process is repeatedly performed, the unreacted gas and reaction by-products are fixed inside the cathode to prevent the operation of the lifter 340. In this case, it is possible to maintain a smooth operation of the lifter 340 by replacing a removable liner (not shown) installed inside the cathode 320.
착탈식 라이너를 교체하기 위해서는 반도체 기판지지 부재(302)를 분해하여야 한다. 캐소드(320)로부터 척을 분리한 후, 캐소드(320)로부터 리프터(340)를 분리한다. 이후, 이물질이 고착된 착탈식 라이너를 새 착탈식 라이너로 교체한다. 캐소드(320)에 리프터(340)를 삽입하고, 캐소드(320)에 척을 고정한다. 따라서 리프터(340)는 원활하게 작동 가능하다. To replace the removable liner, the semiconductor substrate support member 302 must be disassembled. After separating the chuck from the cathode 320, the lifter 340 is separated from the cathode 320. Thereafter, the removable liner having the foreign matter fixed thereto is replaced with a new removable liner. The lifter 340 is inserted into the cathode 320 and the chuck is fixed to the cathode 320. Therefore, the lifter 340 can be operated smoothly.
본 발명에 따르면, 리프터가 수용되는 캐소드의 리세스 또는 홀에 착탈식 라이너가 배치된다. 이물질이 고착된 착탈식 라이너를 새로운 착탈식 라이너로 교체함으로써 리프터를 원활히 작동시킬 수 있다. 따라서 공정 중에 반도체 기판의 파손을 방지할 수 있으며, 공정 효율을 증대된다. According to the invention, a removable liner is arranged in the recess or hole of the cathode in which the lifter is received. The lifter can be operated smoothly by replacing the removable liner with the foreign matter stuck to the new removable liner. Therefore, breakage of the semiconductor substrate can be prevented during the process, and process efficiency is increased.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. As described above, although described with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art various modifications and variations of the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below You will understand that it can be changed.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판지지 장치를 설명하기 위한 부분 단면 사시도이다. 1 is a partial cross-sectional perspective view illustrating a semiconductor substrate support apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2는 도 1에 도시한 착탈식 라이너를 설명하기 위한 확대 단면도이다. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view for describing the removable liner illustrated in FIG. 1.
도 3은 도 1에 도시한 착탈식 라이너로부터 연장된 제2 착탈식 라이너를 설명하기 위한 확대 단면도이다. 3 is an enlarged cross-sectional view illustrating a second removable liner extending from the removable liner shown in FIG. 1.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>
110, 310 : 척 111 : 제1 홀110, 310: Chuck 111: first hole
112 : 냉각 가스 홀 113 : 냉각 가스 공급 라인112: cooling gas hole 113: cooling gas supply line
120, 320 : 캐소드 121 : 리세스120, 320: cathode 121: recess
122 : 제2 홀 130 : 착탈식 라이너122: second hole 130: removable liner
140, 340 : 리프터 141 : 헤드 핀140, 340: Lifter 141: head pin
143 : 스트러트 145 : 루트143: strut 145: root
147 : 실링 부재 150 :냉각 가스 공급 부재147: sealing member 150: cooling gas supply member
170 : 열전대 172 : 고전압 공급 장치170: thermocouple 172: high voltage supply
230 : 제2 착탈식 라이너 300 : 반도체 기판230: second removable liner 300: semiconductor substrate
301 : 반응 챔버 302 : 반도체 기판지지 부재301 reaction chamber 302 semiconductor substrate support member
303 : 가스 공급 부재 304 : 진공 펌프 303: gas supply member 304: vacuum pump
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