KR20050044357A - 마그네트론 스퍼터링 장치 - Google Patents

Abstract

진공 스퍼터링 구역(vacuum sputtering zone)내에서의 사용을 위한 타겟 장치로서, 스퍼터링되는 물질을 포함하는 주요 타겟(1), 및 강자성 물질로 된 보조 타겟(2)을 포함하며, 타겟들은, 타겟들을 가로지르는(cross) 자기장이 인가될 때 주요 타겟을 덮는(over) 자기장은 주요 타겟의 표면에 실질적으로 평행한 고 균일 자기장 세기(high homogeneous magnetic field strength)의 영역에 구속되어 스퍼터링 동안에 타겟의 영역을 가로지르는 침식이 균일하도록 서로 관련되어 위치되는 것인 타겟 장치. 바람직하게는, 주요 타겟과 보조 타겟은 자기장의 구속을 향상시키도록 공간적으로 떨어진다. 보조 타겟은 주요 타겟의 표면보다 높은 표면을 가진다. 주요 타겟은 강자성 또는 비자성 물질로 이루어질 수 있다.

Description

마그네트론 스퍼터링 장치{MAGNETRON SPUTTERING DEVICE}

본 발명은 마그네트론 스퍼터링에 관한 것으로, 더 상세하게는 마그네트론 스퍼터링용 타겟, 타겟을 포함하는 장치, 및 마그네트론 스퍼터링 방법에 관한 것이다. 특히, 어떤 실시예에서의 본 발명은, 종래의 소자보다 더 두꺼운 강자성 타겟을 스퍼터링 시킬 수 있는 마그네트론 스퍼터 소스(magnetron sputter source)에 관한 것이다.

금속 코발트, 니켈 및 철과 같은 강자성 물질의 마그테트론 스퍼터링은, 높은 투자율(magnetic permeability) 때문에 제한적이다. 예를 들면, 종래의 방법을 사용하면, 철의 경우, 최대 1. 5 mm 두께의 타겟이 스퍼터링될 수 있다. 그 두께가 1.5 mm 이상인 타겟은, 스퍼터링을 하는 데 요구되는 플라즈마를 생성하는데 불충분한 세기의 자기장을 생산한다.

종래의 스퍼터링 방법의 또 다른 단점은, 타겟 물질의 약 90%가 자기장에 의해 포획되어 에칭될 수 없다는 것이다. 이러한 문제점들은, 결과적으로 타겟의 활용도와 시간의 소비라는 면에서 비용이 들고 비효율적인 스퍼터링 과정을 낳는다. 단지 얇은 타겟만이 사용될 수 있기 때문에, 타겟들은 자주 교체되어야 하고, 결과적으로 정기적으로 스퍼터링 과정을 멈추고 교체 후에 진공을 다시 발생시켜야 하는 불편함을 가져온다. 이러한 과정은 비용과 시간면에서 비효율적이다.

더욱이, 현존하는 방법들은, 타겟 영역으로부터 철을 코팅될 샘플을 향하여 방출시키는 것을 쉽게 제어 할 수 없어서, 필름 특성이 스퍼터링 방법이 사용될 때 마다 다르다. 이것은, 필름이 사용될 수 있는 기술(예를 들면 자기 기록 매체(magnetic recording media))에 제한사항들을 부담시킨다.

도 1은, 본 발명의 바람직한 제 1 실시예에 따른 장치의 단면도이다.

도 2는, 본 발명의 바람직한 제 2 실시예에 따른 장치의 단면도이다.

도 3은, 본 발명의 바람직한 제 3 실시예에 따른 장치의 단면도이다.

도 4a는, 본 발명의 바람직한 제 4 실시예에 따른 장치의 단면도이다.

도 4b는, 도 4a의 실시예의 상세한 단면도이다.

도 4c는, 도 4b의 화살표 선을 따른 위치를 참조하여, 거리에 대한 자속 밀 밀도를 플롯팅한 도면이다.

도 5는, 본 발명의 바람직한 제 5 실시예에 따른 장치의 단면도이다.

도 6은, 본 발명의 실시예와의 비교를 위한 비교예의 단면도이다.

도 7은, 본 발명의 바람직한 제 6 실시예에 따른 장치의 단면도이다.

도 8a는, 본 발명의 바람직한 제 7 실시예에 따른 장치의 단면도이다.

도 8b는, 자기장 분포를 보여주기 위한, 도 8a의 실시예의 확대 상세도이다.

도 9a는, 본 발명의 바람직한 제 8 실시예에 따른 장치의 단면도이다.

도 9b는, 도 9a의 확대 상세도이다.

도 10은, 본 발명의 바람직한 제 9 실시예에 따른 장치의 단면도이다.

본 발명의 목적은, 상술한 하나 이상의 문제점을 해결하는 스퍼터링 방법 및 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 실시예는, 스퍼터링 되는 강자성 타겟이 적어도 두 개의 파트로 구성된 마그네트론 스퍼터링 소스에 기반할 수 있다. 일반적으로 여럿의 강자성 타겟간에는 갭이 존재할 수 있다. 강자성 타겟 물질과 관련하여 여럿의 마그네틱 수단의 상대적 위치와 극성(polarity)을 선택함으로써, 주요 강자성 타겟 물질 위에서 자기력선을 폐쇄(close)시키는 것이 가능하다. 일반적으로, 강자성 타겟 중 적어도 하나의 파트(part)는, 전기장 및 자기장의 구속이 향상되는 둥근 천정(vault) 구조가 형성되도록, 나머지 파트들의 표면 높이보다 높을 수 있다. 둥근 천정 구조에서의 자기장은 일반적으로 2개의 주요한 영역을 가질 수 있는데, 한 영역은 고 자기장 세기(high magnetic field strength)의 영역이며, 다른 영역은 낮고 매우 균일한 자기장 세기(lower very homogeneous magnetic field strength)의 영역이다. 이와 같은 자기장과 전기장의 구성은, 매우 낮은 압력에서 스퍼터링이 가능하게 한다. 강자성 물질의 스퍼터링은, 스퍼터링 동안에 안정적이며, 스퍼터링된 필름상에도 흠결(defect)이 적게 존재하게 된다.

본 발명의 제1측면에 따라서, 진공 스퍼터링 구역(vacuum sputtering zone)내에서의 사용을 위한 타겟 장치(target arrangement)가 제공되며, 이 타겟 장치는

스퍼터링되는 물질을 포함하는 주요 타겟; 및

강자성 물질로 된 보조 타겟을 포함하며,

타겟들은, 타겟들을 가로지르는(cross) 자기장이 인가 될 때 주요 타겟을 덮는(over) 자기장은 주요 타겟의 표면에 실질적으로 평행한 고 균일 자기장 세기(high homogeneous magnetic field strength)의 영역에 구속되어 스퍼터링 동안에 타겟의 영역을 가로지르는 침식이 균일하도록 서로 관련되어 위치되는 것인 타겟 장치이다.

고 균일 자기장의 영역은 주요 타겟의 전 표면에 걸쳐서 존재할 필요는 없지만, 일반적으로 주요 타겟 표면의 일부 영역은 덮을 것이다.

바람직하게는, 주요 타겟과 보조 타겟은, 자기장 및 전기장의 구속과 스퍼터링 동작을 향상시키기 위해서, 갭에 의해 공간적으로 떨어진다.

바람직하게는, 보조 타겟은, 주요 타겟의 표면보다 높이가 높은 표면을 가진다. 이것은, 자기장 구속이 향상되는 둥근 천장 구조를 형성한다. 바람직하게는, 보조 타겟의 표면은, 주요 타겟의 폭보다 적거나 같은 길이만큼 위로 연장되어 있다. 그러나, 다른 예에서는, 예를 들면 주요 타겟이 비자성 물질로 이루어진 경우에는, 보조 타겟은 주요 타겟의 높이와 같은 높이의 표면을 갖도록 구성될 수 있다. 하나 이상의 보조 타겟이 존재하는 경우, 보조 타겟 각각은 주요 타겟에 비하여 다른 높이를 가질 수 있다.

바람직하게는, 상술한 본 발명의 측면 각각에서, 복수의 타겟이 있을 수 있다. 또한, 하나 이상의 주요 타겟도 있을 수 있다. 이러한 경우, 바람직하게는, 보조 타겟은 주요 타겟 사이에 인접하여 위치된다.

바람직하게는, 주요 타겟과 보조 타겟은 같은 물질로 이루어진다. 이것은, 스퍼터링 과정 동안 보조 타겟의 어떤 침식으로 인하여 오염될 위험을 피하게 한다. 그러나, 주요 타겟과 보조 타겟이 다른 물질로 이루어지는 것도 또한 가능하다. 보조 타겟과는 다르게, 주요 타겟은 자성 물질로 이루어질 필요가 없다.

타겟들은, 위에서 볼때, 평면(planar) 또는 비평면(non-planar)일 수 있다. 또한, 원형(circular), 직사각형(rectangular), 또는 임의의 기학학적 형태일 수 있다. 주요 타겟의 표면은, 스퍼터링이 일어나는 동작 압력을 감소시키기 위해서, 예를 들면 슬롯 모양의 표면을 가질 수 있다.

바람직하게는, 타겟의 크기와 상대적인 위치는, 사용되는 물질과 스퍼터링 조건에 좌우된다. 주요 타겟과 보조 타겟간의 갭은, 바람직하게는 그 폭이 10 mm보다 커서는 안되고, 보다 바람직하게는 5 mm보다 커서는 안된다. 또한 더 바람직하게는, 상술한 갭은 그 폭이 1 mm와 2 mm 사이 이다.

상술한 갭은, 주요 타겟과 보조 타겟 전체를 분리시킬 필요는 없으며, 타겟들 사이가 부분적으로 연장될 수 있다. 상술한 갭의 바람직한 깊이는, 사용되는 물질과 조건에 의존하여 변한다. 바람직하게는, 상술한 갭은, 그 깊이가 적어도 주요 타겟의 두께의 30% 이다. 더 바람직하게는, 상술한 갭은, 그 깊이가 적어도 주요 타겟의 두께의 70% 이다. 또한 더 바람직하게는, 상술한 갭은, 그 깊이가 적어도 주요 타겟의 두께의 90% 내지 100% 이다. 주요 타겟과 보조 타겟간의 갭이, 주요 타겟의 두께만큼 연장되는 경우가 아닌 때에는, 주요 타겟과 보조 타겟은 통합될 수 있으며, 또한 같은 물질로 이루어 질 수 있다. 다른 예에서는, 주요 타겟과 보조 타겟은, 독립적으로 제거되고 교체될 수 있는 서로 별개의 타겟이다. 이러한 구성은, 주요 타겟이 보조 타겟보다 더 빨리 침식된다는 점에서, 특히 장점을 가진다. 일반적으로, 주요 타겟이 10번 교체되는 시간 동안, 보조 타겟은 단지 한번만 교체될 것이다.

바람직하게는, 주요 타겟과 보조 타겟은 지지 프레이트(backing plate)에 탑재된다. 지지 플레이트는 타겟들이 같은 높이로 탑재될 수 있는 평면일 수 있거나, 예를 들면, 주요 타겟과 보조 타겟이 다른 높이의 베이스에 탑재될 수 있도록, 계단식일 수 있다. 복수의 보조 타겟들을 가지는 실시예에서는, 바람직하게는, 지지 플레이트 상에 다른 높이로 탑재된다. 하나 이상의 지지 플레이트가 있을 수 있으며, 주요 타겟과 보조 타겟은 반드시 동일한 지지 플레이트에 탑재될 필요는 없다.

본 발명의 두 번째 측면에 따라서, 마그네트론 스퍼터링 장치가 제공되며, 이 마그네트론 스퍼터링 장치는,

본 발명의 첫번째 측면에 따른 타겟 장치를 포함하며, 추가적으로,

타겟들을 덮는 영역에 자기장을 발생시키는 마그네틱 수단을 포함하며,

주요 타겟을 덮는(over) 자기장은 주요 타겟의 표면에 실질적으로 평행한 고 균일 자기장 세기(high homogeneous magnetic field strength)의 영역에 구속되는 것인 마그네트론 스퍼터링 장치이다.

바람직하게는, 마그네틱 수단은 보조 타겟의 근처 또는 바로 뒤에 위치하여, 원하는 자기장 세기 분포를 만들어 낸다.

본 발명의 세 번째 측면으로서, 본 발명의 첫 번째 측면에 따른 타겟 장치의 마그네트론 스퍼터링용으로서의 용도가 제공된다.

고 자기장 세기(high magnetic field strengeh)를 원하는 특정 영역에 한정시킴으로서, 본 발명은 종래의 방법과 비교할 때 보다 두꺼운 타겟의 사용을 가능하게 한다. 본 발명에서는, 일반적으로, 종래의 스퍼터링 방법에 비하여 5배 내지 10배의 두께를 가진 타겟을 사용할 수 있다. 예를 들면, 5 mm - 6 mm의 두께를 가진 주요 타겟은 철(iron)의 경우에 사용될 수 있으며, 니켈로 된 타겟의 경우에는 10 mm 까지 사용될 수 있다. 결과적으로, 상술한 타겟은 자주 교체될 필요가 없게 되며, 시간과 비용을 아낄 수 있게 된다.

추가적으로, 발생되는 자기장의 모양 덕분에, 일반적으로 타겟의 10% 보다 적게 침식된 후에 타겟이 교체되는 종래의 방법과 비교할 때, 본 발명은 타겟의 50%이상이 침식된 후에 타겟이 교체되므로 타겟의 높은 활용도를 가진다. 더 나아가서, 재료의 소비를 줄여서, 시간과 비용의 효율성을 증가시킨다.

본 발명의 추가적인 장점은, 매우 저 압력에서 스퍼터링을 가능하게 한다는 것이며, 이로써 흠결이 보다 적은, 보다 양질의 코팅이 이루어지게 된다.

이제부터, 본 발명은 첨부 도면을 참조하여 단지 예시적으로 상세히 설명될 것이다.

도 1을 참조한다. 도 1은, 마그네틱 어레이(magnetic array)와 3개의 파트(part)를 가지는 강자성 타겟(ferromagnetic target)을 나타낸다. 주요 타겟(primary target)(1)은 스퍼터링될 주요 물질(main material)이다. 주요 타겟(1)을 분리하고 둘러싸는 것은 나머지 2개의 파트, 즉 외측 보조 타겟(2)(outer auxiliary target)과 내측 보조 타겟(3)(inner auxiliary target)이다. 갭(12)는 주요 타겟(1)과 각각의 보조타겟(2, 3)을 분리시킨다. 각각의 보조 타겟(2, 3)의 아래에는 마그네틱 수단(4)(magnetic means)이 위치되며, 마그네틱 수단(4)은 마그네틱 폴(4a, 4b)(magnetic pole)을 포함한다. 케이싱(casing)(5)은, 타겟이 위치되는 저압력 영역(low pressure zone)을 분위기 조건(atmospheric conditions)으로부터 분리시킨다. 도시된 본 실시예에서, 케이싱(5)은 타겟(1, 2, 3)를 탑재하기 위한 일체(一體)인 베이스 플레이트(integral base plate)를 가진다.

보조 타겟(2, 3)은, 주요 타겟(1)의 평면(plane)보다 높게 솟아 있다. 세 개의 다른 파트의 타겟에 대한 마그네틱 폴(4a, 4b)의 상대적 위치는, 보조 타겟(2, 3) 사이에 폐쇄된 자기장(closed field)이 만들어지도록 자기력선(6)이 가로지르는 자기장이 형성되도록 한다. 결과적으로, 안정적(stable)이고, 균일(homogeneous)하고, 낮은 자기장이 주요 타겟의 중앙 영역 표면 위에 형성되어, 중앙 영역은 플라즈마에 의해 침식(erosion)되는 반면, 주요 타겟의 외측 에지 파트는 무시할 정도의 침식이 있게 된다. 마찬가지로, 보조 타겟(2, 3)도 적은 양의 침식을 겪을 뿐이다. 주요 타겟의 점진적인 침식은 균일하게 일어나므로, 주요 타겟이 교체되기 전까지 주요 타겟 물질의 약 50%까지 사용될 수 있다. 이와는 대조적으로, 거의 침식되지 않는 보조 타겟(2, 3)은, 자주 교체될 필요가 없다. 요약하면, 스퍼터링 과정 동안 타겟이 바이어스 될 때 생성된 전기장은, 자기장 스트럭쳐(structure)와 함께, 매우 저압력에서 스퍼트링을 가능하게 한다.

도 2 및 도 3은, 동일한 구성의 타겟과 마그네틱 수단을 나타낸다. 보조 타겟(2, 3)의 프로파일(profile)은 다른 전기장 및 자기장 분포를 만들어 내도록 변형되어 있다. 보조 타겟의 프로파일을 변형함으로써, 스퍼터링에 의한 보조 타겟의 침식의 정도는 최소화될 수 있다. 본 구성은, 보조 타겟이 주요 타겟과 다른 물질로 이루어진 경우에 특히 바람직하다. 왜냐하면, 보조 타겟의 침식은 코팅 물질의 오염을 유도할 수 있기 때문이다. 도 7처럼 사각형 프로파일(squre profile), 또는 도 1처럼 돌출한 프로파일(protruding profile)의 경우에, 보조 타겟의 상측 코너 영역은 점차적으로 침식되는 경향이 있으며, 약간의 침식물이 상측 코너 영역의 아래 영역에 생기게 된다. 이러한 원치 않는 침식은, 도 3 및 4a에 예시된 것처럼 보조 타겟의 상측 코너의 프로파일을 경사지게 함으로써 감소될 수 있다. 도 2는, 사용할 수 있는 다른 가능한 프로파일을 나타내며, 한편 그 도시된 모양은 원치 않는 침식을 유도할 수도 있다. 또한, 도 3에서의 타겟의 설계는, 주요 타겟의 교체가 용이하도록 되어 있다.

도 4a에 도시된 실시예에서, 추가적인 마그네틱 수단(7)이, 도시된 자기력선 (6)처럼 자기장 세기(magnetic field strength)를 증가시키고 자기장의 포화를 향상시키기 위해서, 존재한다. 이러한 구성은, 스퍼트링되는 주요 타겟을 더 두껍게 하는 것을 가능하게 한다.

도 4b를 참조하면, 자기력선(magnetic field line)이 보다 상세하게 나타난다. 자기장 세기(Bx)는 주요 타겟(1) 위 영역에서 화살표 선(arrow line)(8a-8b-8c)을 따라서 측정되며, 그 결과는 도 4c에 나타나 있다. 도 4c를 참조하면, 8a', 8b', 및 8c'로 표시된 영역의 점들은, 각각 도 4b의 8a, 8b, 및 8c 구획 영역에 대응된다. 도시된 것처럼, 자기장은, 자기장 세기가 높은 영역 8a 및 8c와 자기장 세기가 균일한 영역 8c에서 포획된다.

도 5의 실시예는, 중앙의 보조 타겟(3)이 존재하지 않아서 타겟이 단지 2개의 파트만을 가지는 것만 제외하고는 도 4a의 실시예와 유사하다. 자기력선(6)에 나타난 것처럼, 여전히 자기력선 구성은 두 영역 내에서 폐쇄된 자기장(closed magnetic field)으로서 주요 타겟(1)을 가로지르는 폐쇄된 자기장을 형성한다. 다만, 자기 가둠(magnetic confinement)은 도 4a와 비교할 때 감소된다.

그러나, 도 6에서는, 단일 타겟(1)이 존재하도록, 주요 타겟과 보조 타겟간의 갭이 없다. 갭이 없으므로, 선 6으로 나타난 것처럼, 타겟 위 영역에 보다 많고 낮은 자기장 세기가 생기게 된다. 결과적으로, 다른 도면들에서 나타난 특별한 자기 구속이 없어지고, 본 발명의 원하는 결과가 성취되지 않는다.

대조적으로, 도 7은 본 발명의 범위내에서 가능한 다른 변형을 나타낸다. 주요 타겟(1)의 프로파일은 자기장의 정확한 모양(exact shape)과 세기를 변화시키도록 변형되었다.

도 8a 및 8b는, 주요 타겟의 표면 프로파일의 가능한 변형을 예시한다. 주요 타겟의 표면은 슬롯모양의 프로파일을 가지며, 이러한 프로파일은 스퍼터링 수행시의 압력을 보다 감소시킬 수 있다.

도 9a 및 9b에서, 주요 타겟과 보조 타겟간의 갭(12)은, 타겟들 전체를 분리하지는 않는다. 베이스 플레이트와 접촉하는 점에 인접하는 타겟들은 서로 접촉된다. 주요 타겟에는 연장되는 플랜지(16)가 제공되며, 이 플랜지(16)는 보조 타겟과 접촉된다. 이러한 구성은, 타겟들의 조립시에, 타겟들이 쉽고 정확하게 위치될 수 있도록 하는 장점을 가진다. 또한 주요 타겟은 필요에 따라서 보조 타겟과 별도로 제거되어 교체될 수 있다.

도 10에서, 주요 타겟(1)은, 비자성 물질(non-magnetic material)이다. 본 실시예에서, 주요 타겟과 보조 타겟간의 갭은 필요하지 않으며, 타겟들은 서로 접촉하고 있다. 애노드(20)는 외측 보조 타겟(2)위에 위치된다. 애노드(20)는, 플라즈마가 보조 타겟(2)에 접촉하는 것을 막아서 보조 타겟(2)의 표면 침식을 중지시킴으로써, 차폐물(shield) 작용을 한다. 이러한 작용은 그 대신에 프라즈마를 에칭하기를 원하는 주요 타겟 위로 집중시키는 효과를 가진다. 애노드는, 예를 들면 티타늄(titanium), 알루미늄(aluminium), 또는 스테인레스 강(stainless steel)과 같은, 임의의 적합한 물질로 만들어 질 수 있다. 애노드는 대지(earth)에 접지되거나, 플로팅(floating) 되거나, 또는 캐소드보다 높은 전위를 갖도록 바이어스 될 수도 있다.

중앙의 보조 타겟(3)의 측면(side surface)(3a)에서 적은 양의 재증착(redeposition)이 일어나며, 이러한 재증착은 보조 타겟의 표면에서의 원치 않는 침식을 방지한다.

또한 도 10에는, 추가적인 강자성체(ferromagnet)(22)가 나타나 있으며, 이 추가적인 강자성체(22)는 자기력선(6)을 보다 평평한(flat) 모양으로 그리고 전체적으로는 주 타겟(11)의 표면과 평행한 모양을 갖도록 변환시키는 효과를 가진다. 이러한 효과는, 주요 타겟의 표면을 가로지르는 침식의 분포를 변경하여, 플래터(flatter)를 형성하고, 스퍼터링 되는 물질의 발생 퍼센티지(percentage yield)가 높으며, 따라서 타겟이 보다 효율적으로 활용되는 것이 가능한 침식 프로파일을 형성한다.

상술한 설명은 단순히 본 발명의 다양한 바람직한 실시예이며, 또 다른 변형이 청구된 발명의 범위에서 벗어남이 없이 이루어질 수 있음이 명백하다.

Claims (24)

1. 진공 스퍼터링 구역(vacuum sputtering zone)내에서의 사용을 위한 타겟 장치에 있어서,

   스퍼터링되는 물질을 포함하는 주요 타겟; 및

   강자성 물질로 된 보조 타겟을 포함하며,

   상기 타겟들은, 상기 타겟들을 가로지르는(cross) 자기장이 인가될 때 상기 주요 타겟을 덮는(over) 자기장은 상기 주요 타겟의 표면에 실질적으로 평행한 고 균일 자기장 세기(high homogeneous magnetic field strength)의 영역에 구속되어 스퍼터링 동안에 상기 영역을 가로지르는 침식이 균일하도록 서로 관련되어 위치되는 것인 타겟 장치.
2. 제1항에 있어서,

   상기 주요 타겟과 보조 타겟은, 자기장 및 전기장의 구속과 스퍼터링 동작을 향상시키기 위해서, 갭에 의해 공간적으로 떨어지는 것인 타겟 장치.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기 보조 타겟은, 상기 주요 타겟의 표면보다 높이가 높은 표면을 가지는 것인 타겟 장치.
4. 선행하는 청구항들 중 어느 하나의 항에 있어서,

   상기 보조 타겟의 표면은, 상기 주요 타겟의 폭보다 적거나 같은 길이만큼 위로 연장된 것인 타겟 장치.
5. 선행하는 청구항들 중 어느 하나의 항에 있어서,

   복수의 보조 타겟을 포함하는 것인 타겟 장치.
6. 선행하는 청구항들 중 어느 하나의 항에 있어서,

   상기 주요 타겟보다 높은, 다른 높이를 가지는 복수의 보조 타겟을 포함하는 것인 타겟 장치.
7. 선행하는 청구항들 중 어느 하나의 항에 있어서,

   상기 주요 타겟과 보조 타겟은 같은 물질로 이루어진 것인 타겟 장치.
8. 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서,

   상기 주요 타겟과 보조 타겟은 다른 물질로 이루어진 것인 타겟 장치.
9. 제8항에 있어서,

   상기 주요 타겟은 비 자성 물질로 이루어진 것인 타겟 장치.
10. 선행하는 청구항들 중 어느 하나의 항에 있어서,

    상기 타겟들은 지지 플레이트(backing plate)상에 탑재되는 것인 타겟 장치.
11. 선행하는 청구항들 중 어느 하나의 항에 있어서,

    상기 타겟들은 다른 높이의 베이스에 탑재되는 것인 타겟 장치.
12. 선행하는 청구항들 중 어느 하나의 항에 있어서,

    하나 이상의 지지 플레이트가 있으며,

    상기 타겟들 모두가, 동일한 지지 플레이트에 탑재되는 것은 아닌 것인 타겟 장치.
13. 선행하는 청구항들 중 어느 하나의 항에 있어서,

    상기 주요 타겟은 상기 보조 타겟과는 독립적으로 교체될 수 있는 것인 타겟 장치.
14. 제2항 내지 제13항 중 어느 하나의 항에 있어서,

    상기 주요 타겟과 보조 타겟간의 갭은, 그 폭이 10 mm보다 크지 않은 것인 타겟 장치.
15. 선행하는 청구항들 중 어느 하나의 항에 있어서,

    상기 주요 타겟과 보조 타겟간의 갭은, 그 폭이 5 mm 보다 크지 않은 것인 타겟 장치.
16. 선행하는 청구항들 중 어느 하나의 항에 있어서,

    상기 주요 타겟과 보조 타겟간의 갭은, 그 폭이 1 mm에서 2mm 사이인 것인 타겟 장치.
17. 선행하는 청구항들 중 어느 하나의 항에 있어서,

    상기 주요 타겟과 보조 타겟간의 갭은, 그 깊이가 적어도 상기 주요 타겟의 두께의 30%인 것인 타겟 장치.
18. 선행하는 청구항들 중 어느 하나의 항에 있어서,

    상기 주요 타겟과 보조 타겟간의 갭은, 그 깊이가 적어도 상기 주요 타겟의 두께의 70%인 것인 타겟 장치.
19. 선행하는 청구항들 중 어느 하나의 항에 있어서,

    상기 주요 타겟과 보조 타겟간의 갭은, 그 깊이가 적어도 상기 주요 타겟의 두께의 90% 내지 100%인 것인 타겟 장치.
20. 선행하는 청구항들 중 어느 하나의 항에 있어서,

    상기 주요 타겟의 표면은 슬롯 모양의 프로파일을 가지는 것인 타겟 장치.
21. 진공 증착(vacuum deposition) 처리용 장치에 있어서,

    선행하는 청구항들 중 어느 하나의 항에 따른 타겟 장치를 포함하는 것인 진공 증착 처리용 장치.
22. 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)용 장치에 있어서,

    선행하는 청구항들 중 어느 하나의 항에 따른 타겟 장치를 포함하며, 추가적으로,

    상기 타겟들을 덮는 영역에 자기장을 발생시키는 마그네틱 수단을 포함하며,

    상기 주요 타겟을 덮는 자기장은 상기 주요 타겟의 표면에 실질적으로 평행한 고 균일 자기장 세기(high homogeneous magnetic field strength)의 영역에 구속되는 것인 마그네트론 스퍼터링용 장치.
23. 제22항에 있어서,

    상기 마그네틱 수단은 상기 보조 타겟의 근처 또는 바로 뒤에 위치하는 것인 마그네트론 스퍼터링용 장치.
24. 제22항 또는 제23항에 따른 장치의 스퍼트링용 용도.