KR20050023678A - 극초단 무편광 수직 방향성 결합기 스위치 - Google Patents

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KR20050023678A
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Abstract

본 발명은 수직 방향성 결합기(vertical directional coupler: VDC) 스위치에 관한 것으로, 편광에 무관한 결합길이를 가지는 양면 딥-리지(Double-Sided Deep-Ridge; DSDR) 도파로로 구성된 극초단 무편광 수직 방향성 결합기 스위치를 제공하는데 주목적이 있다.
본 발명에 의하면, 도파로 사이의 간격이 MOCVD나 MBE와 같은 성장 기법에 의해 서브미크론 두께로 정확하게 조절될 수 있기 때문에 100㎛이하로 결합길이가 짧아진다. 또한, 도파로 코어층의 두께, 내부 클래딩층의 두께, 도파로 폭을 조절함으로써 TE 모드와 TM 모드의 결합길이가 같은 조건이 얻어지기 때문에 입사광(TE 또는 TM)의 편광상태와 무관하게 동작되는 광스위치가 가능하다.

Description

극초단 무편광 수직 방향성 결합기 스위치 {Ultrashort polarization- independent vertical directional coupler switch}
본 발명은 광정보처리와 광통신 분야에 적용되는 도파로형 방향성 결합기 스위치(directional waveguide coupler switch)에 관한 것으로서, 특히 편광에 무관한 결합 길이를 가지는 극초단 무편광 수직 방향성 결합기(vertical directional coupler: VDC) 스위치에 관한 것이다.
최근의 인터넷 이용자 수의 폭발적인 증가는 전송 및 처리해야 하는 정보용량을 기하급수적으로 증가시키기 때문에 고속의 광스위칭 시스템이 요구되고 있다. 이를 위해 집적된 대용량의 광스위칭 시스템의 필요성이 증가하고 있다. 도파로형 방향성 결합기는 광스위치, 광분리기, 광변조기 및 협대역 필터로 사용될 수 있기 때문에 광통신 시스템에서 이용되는 광집적회로의 핵심소자이다.
기존의 방향성 결합기는 2개의 광도파로가 평면상에 배열된 평면구조이다. 이 경우 두개의 결합된 도파로 사이의 간격이 제작기술에 의해 제한되기 때문에 결합길이가 수 mm로 길어지게 된다. 반면에 수직 방향성 결합기는 수직방향의 두 도파로 사이의 간격이 0.5㎛ 이하까지 에피박막 성장에 의해 정확하게 조절될 수 있기 때문에 100㎛ 이하의 아주 짧은 결합길이(coupling length)가 얻어진다[S. C. Cho, et al., "A Novel Vertical Directional Coupler Switch With Switching-Operation-Induced Section and Extinction-Ratio-Enhanced Section," J. Lightwave Technol., vol. 20, p.1773 (2002)]. 그러나, 위에서 언급된 VDC는 코어 영역이 평판(slab) 형태인 스트립-로디드(strip-loaded) 도파로를 이용하기 때문에 TE와 TM 편광에 따라 방향성 결합기의 특성이 바뀔 뿐만 아니라, VDC가 제작될 때 두개의 도파로가 상하로 정확하게 배열된 후 융합되어야 하는 단점이 있다.
현재 폭발적인 인터넷 정보를 전송 및 처리하기 위해 필요한 고속의 광스위칭 시스템은 3차원 광집적회로(3D photonic integrated circuits)가 가장 유력하기 때문에 많은 연구가 세계적으로 활발하게 진행되고 있다. 실제로 광네트워크의 노드(node)에서 입력광은 비편광(unpolarized)이기 때문에 광스위칭 및 광정보처리에 사용되는 소자들의 특성은 입력광의 편광 상태와 무관해야 한다. 따라서 3차원 광집적회로의 핵심소자인 단위 스위치에서 현재 해결되어야 할 핵심 과제는 "초소형이고 무편광 동작을 하는 광스위치"를 구현하는 것이며, 이러한 초소형 광스위치는 방향성 결합기의 결합길이가 매우 짧을 때 가능해진다.
따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 편광에 무관한 결합길이를 가지는 양면 딥-리지(Double-Sided Deep-Ridge; DSDR) 도파로로 구성된 새로운 극초단 무편광 수직 방향성 결합기 스위치를 제공하는데 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 광스위치의 크기가 초소형이고, TE 편광과 TM 편광의 입사광에 대해 스위치 동작 특성이 변하지 않는 극초단 무편광 수직 방향성 결합기 스위치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 3차원 광집적회로에 적용할 수 있는 초소형이고 편광(polarization)에 무관하게 동작하는 광스위치를 구현할 수 있는 극초단 무편광 수직 방향성 결합기 스위치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 극초단 무편광 수직 방향성 결합기 스위치는, 제1 도파로 코어층, 제1 외부 클래딩층 및 내부클래딩층을 포함하는 제1 도파로와 제2 도파로 코어층, 제2 외부 클래딩층 및 내부클래딩층을 포함하는 제2 도파로가 상기 내부 클래딩층을 사이에 두고 수직 방향으로 배열되며, 상기 제1 도파로 또는 제2 도파로 중 어느 하나가 소정의 기판에 융합되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 및 제2 도파로는 도파로 폭이 W인 딥-리지 구조를 가지며, 상기 내부 클래딩층은 상기 내부 클래딩층의 상부면과 하부면으로부터 각각 0.1㎛ 깊이에 식각 경계면을 가진다.
또한 3차원 빔 전파방법을 이용하여 상기 제1 및 제2 도파로의 물질 파라미터와 구조 파라미터를 조절하는데, 먼저 상기 내부 클래딩층의 두께가 고정된 상태에서 상기 도파로 코어층의 두께가 바뀔 때 도파로 폭의 함수로 설계된 결합길이로부터 TE 모드와 TM 모드의 결합길이가 일치하는 조건들이 도출되고, 다음에 상기 도파로 코어층의 두께가 고정된 상태에서 상기 내부 클래딩의 두께가 바뀔 때 도파로 폭의 함수로 설계된 결합길이로부터 TE 모드와 TM 모드의 결합길이가 일치하는 조건들이 도출된다.
상기 도출된 조건들로부터 얻어지는 편광과 무관한 결합길이는 60㎛ 내지 330㎛이다.
본 발명은 광소자의 편광 의존성이 도파로 구조의 강한 비대칭성으로부터 비롯되며, 이러한 문제는 TE와 TM 편광의 유효 굴절률이 같아지도록 도파로의 물질 파라미터와 구조 파라미터를 최적화함으로써 해결될 수 있다는 사실에 기초하고 있다[S.-H. Jeong, et al., "Deep-ridge distributed feedback waveguide for polarization independent all-optical switching," Electron. Lett., vol. 37, p. 498(2001)].
또한, 본 발명은 입력광의 편광 상태에 따른 특성 변화가 거의 없는 방향성 결합기를 구현하기 위해 양면 딥-리지(Double-Sided Deep-Ridge :DSDR) 도파로 구조를 제안하고 있으며, 3차원 빔 전파방법(3D-Beam Propagation Method)으로 여러 가지 구조 및 물질 파라미터들이 연구되었다. 그 결과 TE 편광과 TM 편광에 대해 결합길이가 같아지는 도파로 폭, 도파로 코어층의 두께, 내부 클래딩층의 두께에 관한 정보가 도출되었다. 상기 연구결과로부터 제작상의 오차를 줄이기 위해 도파로 폭과 도파로 코어층 두께가 이 단일 모드 조건을 만족하면서 가장 클 때 TE와 TM 모드의 결합길이가 같은 도파로 폭, 도파로 코어층의 두께, 내부 클래딩층의 두께가 최적의 파라미터가 된다.
이하, 본 발명의 실시 예에 대한 구성 및 그 작용을 첨부한 도면을 참조하면서 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 수직 방향성 결합기의 기본 구성 요소인 딥-리지 도파로 구조의 2차원 단면도이다.
상기 딥-리지 도파로는 코어의 형태가 사각형이기 때문에 수직 방향의 코어와 클래딩층의 굴절률 차에 의해 생기는 복굴절(birefringence)이 수평 방향의 코어와 클래딩층의 굴절률 차를 이용하여 보상됨으로서 편광에 대한 특성 변화를 최소화할 수 있는 장점을 갖고 있다[S.-H. Jeong, et al., "Deep-ridge distributed feedback waveguide for polarization independent all-optical switching," Electron. Lett., vol. 37, p. 498(2001)].
도 1에서, 도파로 코어층의 굴절률(nco)은 3.37, 클래딩층의 굴절률(ncl)과 기판 굴절률(nsub)은 3.17, 그리고 도파로를 둘러싸고 있는 물질의 굴절률(nsr)은 공기의 굴절률인 1이고, 동작파장은 1.55㎛이다. 참고로, 본 발명에서의 모든 시뮬레이션은 3차원 빔 전파방법을 이용하여 수행되었다.
도 2는 도 1에 따른 딥-리지 도파로에서 각각의 모드가 존재할 수 있는 도파로 폭(w)과 도파로 코어층의 두께(tco)를 나타내는 그래프이다. 즉, 각각의 도파로 폭(w)에 대해 도파로 코어층의 두께(tco)가 증가될 때 각각의 도파 모드들이 존재하기 시작하는 최소의 도파로 코어층의 두께(tco)가 도시되고 있다. 예를 들면, 도파로 폭(w)이 1.4㎛일 때 도파로 코어층의 두께(tco)가 0.25㎛가 될 때까지 어떤 모드도 존재하지 않고(차단영역), 도파로 코어층의 두께(tco)가 1㎛ 이상이 되면 두 번째 모드인 TM12와 TE12모드가 발생한다. 그러므로 도파로 폭(w)이 1.4㎛일 때 단일모드 조건을 만족하는 도파로 코어층의 두께(tco)는 0.25㎛ ~ 1㎛ 범위가 된다. 그러나 도파로 폭(w)이 약 1.4 ㎛ 이상일 때 차단영역의 도파로 코어층 두께(tco)가 약간 감소하지만, 도파로 폭(w)이 크기 때문에 도파로 코어층의 두께(tco)가 증가함에 따라 TM21가 TM12와 TE12모드 보다 먼저 발생하여 단일모드 조건을 만족시키는 도파로 코어층 두께(tco)의 범위가 크게 감소된다. 한편 도 2에서 도파로 폭이 1.3∼1.5㎛ 범위에 있을 때 TE11와 TM11의 곡선이 겹치는 코어층 두께(tco)의 범위가 존재함을 알 수 있다. 따라서 단일모드 조건을 만족하는 구조 파라미터를 이용하여 편광에 무관한 매우 짧은 결합길이를 갖는 DSDR 도파로로 구성된 수직 방향성 결합기가 설계되었다.
도 3은 본 발명에 따른 수직 방향성 결합기를 구성하는 양면 딥-리지 도파로(DSDR)의 2차원 단면도로서, 양면 제작공정으로 구현할 수 있는 2개의 딥-리지 도파로(10, 20)가 내부 클래딩층(30)을 사이에 두고 수직 방향으로 배열되어 있다.
도 3를 참조하면, 도파로 폭이 W일 때 제1 도파로(10)는 제1 도파로 코어층(12)(InGaAsP)과 제1 외부 클래딩층(14)(InP) 및 내부 클래딩층(30)(InP)으로 구성되고, 제2 도파로(20)는 제2 도파로 코어층(22)(InGaAsP)과 제2 외부 클래딩층(24)(InP) 및 내부 클래딩층(30)(InP)으로 구성된다. 따라서, 내부 클래딩층(30)(InP)은 제1 도파로 코어층(12)과 제 2 도파로 코어층(22) 사이에 놓여 있기 때문에 두개의 도파로 코어층 사이의 광결합을 일으키는 역할을 한다. 즉, 제1 도파로 코어층(12)을 전파하는 광은 일정한 길이(결합길이)를 지나면 모두 제 2 도파로 코어층(22)으로 결합된 후 제 2 도파로 코어층(22)을 진행하게 된다. 또한, 상기 제1 외부 크래딩층(14)이 기판(40)(InP)에 융합되어 있으며, 내부 클래딩층(30)의 상부와 하부에는 식각 경계면이 존재한다.
본 발명에 따른 양면 딥-리지 도파로는 동일 기판의 에피박막 전면과 후면에 광도파로가 형성되는 양면 제작공정으로 구현될 수 있다. 먼저, 에피 박막의 상부층에 제1 도파로(10)를 형성하고, 다른 기판(40)(InP, GaAs, Si, glass 등)에 상기 제1 도파로(10)를 융합한다. 그리고 융합된 시료의 상층부에 있는 원래 기판(InP)(도시안됨)이 식각방법으로 제거됨으로써 에피 박막층이 상부에 노출된다. 마지막으로 노출된 에피 박막층에 제2 도파로(20)가 형성된다. 따라서 두개의 딥-리지 도파로가 상하로 배열되는 구조를 가진다.
상기 양면 제작공정은 융합 경계면이 제 1 도파로 코어층(12)으로부터 멀리 떨어져 있어 광손실이 증가되지 않고, 융합 과정에서 배열(alignment) 공정이 불필요하다는 장점을 갖는다[M. Raburn, et al., "InP-InGaAsP Wafer-Bonded Vertically Coupled X-Crossing Multiple Channel Optical Add-Drop Multiplexer," IEEE Photonics Technol. Lett., Vol. 13, p. 579(2001)].
또한 상기 DSDR 구조는 융합된 수직 결합기(fused vertical coupler : FVC) 구조[S. C. Cho, et al., "A Novel Vertical Directional Coupler Switch With Switching-Operation-Induced Section and Extinction-Ratio-Enhanced Section," J. Lightwave Technol., vol.20, p.1773(2002)]에 비하여 다음과 같은 장점을 갖는다.
첫째, FVC 구조에서 2개의 도파로 영역이 정확하게 배열된 후 융합되는 과정이 DSDR구조에서 필요 없기 때문에 제작광정이 용이하다. 둘째, FVC 구조의 융합 경계면은 두 도파로 코어층 사이에 있는데 반하여, DSDR 구조의 융합 경계면이 제1 도파로 코어층(12)에서 멀리 떨어진 기판(40)과 제1 외부 클래딩층(14) 사이에 있기 때문에 도파 모드의 특성에 거의 영향을 미치지 못한다. 세째, 적외선 포토리소그래픽 방법을 사용하여 상부와 하부에 존재하는 도파로의 위치를 정확하게 정렬시킬 수 있다.
도 3의 DSDR 구조를 이용한 VDC에서, 제1 도파로 코어층(12)의 굴절률(nB co)과 제2 도파로 코어층(22)의 굴절률(nA co)은 3.37이고, 제1 외부 클래딩층(14)의 굴절률(nB cl)과 제2 외부 클래딩층(24)의 굴절률(nA cl)은 3.17이고, 내부 클래딩층(30)의 굴절률(nin)은 3.17이며, 도파로를 둘러싸고 있는 물질의 굴절률(nsr)은 공기의 굴절률인 1이다. 또한, 외부 클래딩층들(14, 24)의 두께는 1㎛이고, 제1 도파로 코어층(12)의 두께(tB co)와 제2 도파로 코어층(22)의 두께(tA co)는 같으며, 사용된 동작파장은 1.55㎛이다.
위와 같은 물질 파라미터(굴절률) 및 구조 파라미터(두께와 폭)를 이용하여, 도파로 코어층의 두께(tA co와 tB co), 내부 클래딩층의 두께(t in) 및 도파로 폭(W)이 변할 때 TE 모드와 TM 모드의 결합길이가 일치하는 조건들이 도출된다.
도 4는 예를 들어 내부 클래딩층의 두께가 0.7㎛로 고정된 상태에서 4개의 도파로 코어층의 두께(tA co=tB co=0.6㎛, tA co=tB co=0.7㎛, tA co=tB co=0.8㎛, tA co=tB co=0.9㎛)에 대하여 도파로 폭의 함수로 도시한 TE 모드와 TM 모드의 결합길이를 나타내는 그래프이다.
수직 방향성 결합기에서 결합길이는 결합 계수에 의해서 결정된다. 두 도파로를 따라 진행하는 모드 사이의 결합 계수는 내부 클래딩층에서 두 개의 모드 필드 분포의 오버랩(overlap) 적분에 의하여 결정된다. 도파로 폭과 도파로 코어층의 두께가 증가함에 따라 두 도파로를 따라 진행하는 모드간의 결합력이 약해지기 때문에 TE 모드와 TM 모드의 결합길이는 증가한다. 또한 각각의 도파로 코어층의 두께에 대하여 편광에 관계없이 TE 모드와 TM 모드의 결합길이가 일치하는 도파로 폭이 존재하며, 도파로 코어층의 두께가 증가할수록 TE 모드와 TM 모드의 결합길이가 일치하는 도파로 폭이 증가함을 알 수 있다. 그리고, 도파로 코어층의 두께가 같을 때 도파로 폭의 증가에 따른 결합 길이의 변화는 TE 모드가 TM 모드보다 작다. 그 이유는 도파로 코어층을 중심으로 수평방향의 굴절률 차이가 수직 방향의 굴절률 차이보다 크기 때문이다. 따라서 도파로 폭에 대한 제작공차는 도파로 코어층의 두께에 대한 제작공차보다 증가한다. 그러나, 도파로 코어층의 두께에 대한 제작공차는 에피박막 성장기법(MOCVD, MBE 등)에 의해 정확하게 조절되기 때문에 문제가 되지 않는다.
도 5는 예를 들어 도파로 코어층의 두께(tA co=tB co)가 0.8㎛로 고정되었을 때 4개의 내부 클래딩층의 두께(tin=0.5㎛, tin=0.6㎛, tin=0.7㎛, tin =0.8㎛)에 대하여 도파로 폭의 함수로 도시한 TE 모드와 TM 모드의 결합길이를 나타내는 그래프이다.
각각의 내부 클래딩층의 두께에 대하여 TE 모드와 TM 모드의 결합길이가 일치하는 도파로 폭이 존재한다. 그리고 내부 클래딩층의 두께가 감소할수록 TE 모드와 TM 모드의 결합길이가 같아지는 도파로 폭도 감소됨을 알 수 있다. 이 현상은 내부 클래딩층의 두께가 작아질수록 두 도파로 사이의 결합 세기가 증가하기 때문이다. 특히, 내부 클래딩층의 두께가 작아질수록 편광에 따른 결합길이의 차이가 매우 작은 도파로 폭의 영역이 증가한다.
표 1은 본 발명에 따른 DSDR 도파로를 이용한 수직 방향성 결합기에 있어서 여러 가지 내부 클래딩층과 도파로 코어층의 두께에 대하여 편광에 관계없이 결합길이가 일치하는 도파로 폭과 결합길이를 나타낸 것이다. 구체적으로, 내부 클래딩층과 도파로 코어층의 두께가 감소할수록 TE 모드와 TM 모드의 결합길이가 일치하는 도파로 폭이 감소함을 알 수 있다. 따라서 TE 모드와 TM 모드의 결합길이가 결정된다면, 표 1로부터 도파로 폭, 도파로 코어층의 두께, 그리고 내부 클래딩층의 두께가 각각 결정될 수 있는 것이다. 그러나 제작 공정상의 허용오차를 크게 하기 위해 가능하다면 도파로 폭이 큰 조건이 선택되어야 한다.
이상에서와 같이 본 발명에 의하면, 도파로 코어층 사이의 간격(내부 클래딩층의 두께)이 MOCVD나 MBE와 같은 성장 기법에 의해 서브미크론 두께로 정확하게 조절될 수 있기 때문에 100㎛이하로 결합길이가 짧아진다. 또한, 도파로 코어층의 두께, 내부 클래딩층의 두께, 도파로 폭을 조절함으로써 TE 모드와 TM 모드의 결합길이가 같은 조건이 얻어지기 때문에 입사광(TE 또는 TM)의 편광상태와 무관하게 동작되는 광스위치가 가능하다.
본 발명에 따른 DSDR 도파로 구조를 이용한 극초단 무편광 수직 방향성 결합기는 광스위치, 광분리기, 광변조기 뿐만 아니라 협대역 광필터를 제조하는데 이용될 수 있다. 또한, 두 개의 딥-리지 도파로가 수직 방향으로 배열된 구조이기 때문에 3차원 광집적회로에도 적용이 가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 수직 방향성 결합기의 기본 구성 요소인 딥-리지 도파로 구조의 2차원 단면도.
도 2는 도 1에 따른 딥-리지 도파로에서 각각의 모드가 존재할 수 있는 도파로 폭과 도파로 코어층의 두께를 나타내는 그래프.
도 3은 본 발명에 따른 수직 방향성 결합기를 구성하는 양면 딥-리지 도파로(DSDR)의 2차원 단면도.
도 4는 내부 클래딩층의 두께가 0.7㎛로 고정된 상태에서 4개의 도파로 코어층의 두께에 대하여 도파로 폭의 함수로 도시한 TE 모드와 TM 모드의 결합길이를 나타내는 그래프.
도 5는 도파로 코어층의 두께가 0.8㎛로 고정되었을 때 4개의 내부 클래딩층의 두께에 대하여 도파로 폭의 함수로 도시한 TE 모드와 TM 모드의 결합길이를 나타내는 그래프.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 제1 도파로 20 : 제2 도파로
30 : 내부 클래딩층 40 : 기판

Claims (9)

  1. 제1 도파로 코어층, 제1 외부 클래딩층 및 내부 클래딩층을 포함하는 제1 도파로와 제2 도파로 코어층, 제2 외부 클래딩층 및 내부 클래딩층을 포함하는 제2 도파로가 상기 내부 클래딩층을 사이에 두고 수직 방향으로 배열되며, 상기 제1 도파로 또는 제2 도파로 중 어느 하나가 소정의 기판에 융합되는 것을 특징으로 하는 극초단 무편광 수직 방향성 결합기 스위치.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 및 제2 도파로는 도파로 폭이 W인 딥-리지 도파로 구조인 것을 특징으로 하는 극초단 무편광 수직 방향성 결합기 스위치.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 내부 클래딩층은 상기 내부 클래딩층의 상부면과 하부면으로부터 각각 0.1㎛ 깊이에 식각 경계면을 가지는 것을 특징으로 하는 극초단 무편광 수직 방향성 결합기 스위치.
  4. 청구항 1에 있어서, 3차원 빔 전파방법을 이용하여 상기 제1 및 제2 도파로의 물질 파라미터와 구조 파라미터를 조절하는 것을 특징으로 하는 극초단 무편광 수직 방향성 결합기 스위치.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 물질 파라미터로서,
    상기 제1 외부 클래딩층의 굴절률과 제2 외부 클래딩층의 굴절률은 3.17이고, 상기 제1 도파로 코어층의 굴절률과 제2 도파로 코어층의 굴절률은 3.37이고, 상기 내부 클래딩층의 굴절률은 3.17이며, 상기 도파로를 둘러싸고 있는 물질의 굴절률이 1인 것을 특징으로 하는 극초단 무편광 수직 방향성 결합기 스위치.
  6. 청구항 4에 있어서, 상기 구조 파라미터로서,
    상기 제1 외부 클래딩층과 제2 외부 클래딩층의 두께는 1㎛이고, 상기 제1 도파로 코어층의 두께와 제2 도파로 코어층의 두께는 동일하며, 사용된 동작파장은 1.55㎛인 것을 특징으로 하는 극초단 무편광 수직 방향성 결합기 스위치.
  7. 청구항 4에 있어서, 상기 내부 클래딩층의 두께가 고정된 상태에서 상기 도파로 코어층의 두께가 바뀔 때 도파로 폭의 함수로 설계된 결합길이로부터 TE 모드와 TM 모드의 결합길이가 일치하는 도파로 코어층의 두께 및 도파로 폭을 도출하는 것을 특징으로 하는 극초단 무편광 수직 방향성 결합기 스위치.
  8. 청구항 4에 있어서, 상기 도파로 코어층의 두께가 고정된 상태에서 상기 내부 클래딩의 두께가 바뀔 때 도파로 폭의 함수로 설계된 결합길이로부터 TE 모드와 TM 모드의 결합길이가 일치하는 내부 클래딩층의 두께 및 도파로 폭을 도출하는 것을 특징으로 하는 극초단 무편광 수직 방향성 결합기 스위치.
  9. 청구항 7 또는 청구항 8에 있어서, 상기 도출된 내부 클래딩층의 두께, 도파로 코어층의 두께 및 도파로 폭의 조건들로부터 얻어지는 편광과 무관한 결합길이가 60㎛ 내지 330㎛인 것을 특징으로 하는 극초단 무편광 수직 방향성 결합기 스위치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2018022146A (ja) * 2016-08-04 2018-02-08 三菱電機株式会社 光導波路干渉計
CN115933052A (zh) * 2022-10-17 2023-04-07 南开大学 光波导耦合器和光波导耦合器的制备方法

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