JP2004522982A - 封じ込め作用の強い偏波無依存性シングルモードリッジ光導波路 - Google Patents
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Abstract
偏波に対する感度を実質的に減少させる一方で、他の導波路特性、例えばシングルモード条件、基本モードに関する低伝搬損失及び低曲げ損失をそれほど損なわない封じ込め作用の強いリッジ導波路。本発明は、ガイド層及びクラッド層の導波路材料組成及び厚さ、並びに基本TEモードと基本TMモードのモードインデックスが互いに等しい曲げ半径、リッジ幅及びエッチング深さを考慮に入れている。これらのパラメータを用いて基本モード及び高次モードの損失(例えば、モードインデックスの虚数部)を計算できる。上述の基準を考慮することにより、本発明に従って、基本モードの損失が約1.0dB/mm以下、高次モードの損失が約10dB/mm以上(かくして、損失差が少なくとも約10dB/mmとなる)の低損失シングルモードリッジ導波路を構成できる。
Description
【0001】
〔関連出願の引照〕
本願は、2000年2月17日に出願された米国仮特許出願第60/183,316号の優先権主張出願である。
【0002】
〔発明の分野〕
本発明は、偏波無依存性シングルモードリッジ導波路に関する。
【0003】
〔発明の背景〕
光リッジ導波路は、製作が容易なために集積型フォトニックデバイス並びに半導体及び他の材料を利用した回路において下に位置する導波構造として広く用いられている。リッジ導波路の大きな欠点のうちの1つは、横断方向形態の幾何学的(又は、形態)複屈折に起因して偏波の影響を受けやすいということにある。例えば図1に示されていて全体が符号100で示された従来型のエッチングの浅いリッジ導波路は代表的には、基材10、基材10の上に被着された下クラッド層20、下クラッド層20の上に被着されたガイド層30及びガイド層30の上に被着された上クラッド層40を有している。導波路100は、オプティカルフィールドについて側方向封じ込め作用が比較的弱く、その結果、曲げが導波路100に作られると、多大な漏れ損失が生じることになる。
【0004】
例えば図2に示されていて全体が符号100′で示された深いエッチングのリッジ導波路は、強い側方向封じ込め作用を発揮し、それほど漏れ損失を生じさせないで小さな半径で曲げることができる。かかる公知の導波路の一例が、米国特許第5,926,496号に見られ、かかる米国特許の内容全体を本明細書の一部を形成するものとしてここに引用する。側方向封じ込め作用が強いと、非常に小さな寸法形状のフォトニックデバイス及び回路を実現することができるので複雑な回路構成及び高レベルの集積度を有する高性能で安価なフォトニック集積回路を構成することができるようになる。
【0005】
しかしながら、封じ込め作用の強いリッジ導波路は、偏波に対する影響を極めて受けやすい。かかる偏波感受性により、光ファイバ通信システムでの導波路の用途が制限され、かかる用途では、フォトニックデバイス、例えば、スイッチ、アド/ドロップマルチプレクサ等への入力光信号の偏波状態は、時間及び環境条件の関数としてランダムに変化する場合があるので予測できない。
【0006】
一般に導波型光デバイスについての偏波感受性を軽減させ又は無くす幾つかの方法が提案された。かかる方法としては、偏波制御、偏波スクランブル法、偏波ダイバーシティ及び偏波無依存性導波路設計が挙げられる。偏波無依存性導波路設計以外の全ての方法では、追加の部品が必要であり、かくして、デバイスの複雑さが増大する。
【0007】
かくして、従来技術の上述の欠点を解決するリッジ導波路を提供することが望ましい。
【0008】
〔発明の概要〕
本発明は、偏波に対する感度を実質的に減少させる一方で、他の導波路特性、例えばシングルモード条件、基本モードに関する低伝搬損失及び低曲げ損失をそれほど損なわない封じ込め作用の強いリッジ導波路に関する。本発明は、ガイド層及びクラッド層の導波路材料組成及び厚さ、並びに基本TEモードと基本TMモードのモードインデックスが互いに等しい曲げ半径、リッジ幅及びエッチング深さを考慮に入れている。これらのパラメータを用いて基本モード及び高次モードの損失(例えば、モードインデックスの虚数部)を計算できる。上述の基準を考慮することにより、本発明に従って、基本モードの損失が約1.0dB/mm以下、高次モードの損失が約10dB/mm以上(かくして、損失差が少なくとも約10dB/mmとなる)の低損失シングルモードリッジ導波路を構成できる。
【0009】
本発明の第1の実施形態では、偏波無依存性シングルモードリッジ導波路は、厚さを備えた下クラッド層と、厚さを備えた上クラッド層と、厚さを備えていて、下クラッド層と上クラッド層との間に配置されたガイド層とを有する。リッジ幅を備えたリッジが、上クラッド層及びガイド層の一部で導波路に沿って長手方向に形成されている。リッジ幅は、約1.0μm〜約1.5μmである。ッチング深さが、リッジによって定められ、エッチング深さは、約1.7μm〜約2.4μmである。曲げ半径が、導波路の長手方向長さの少なくとも一部に沿って定められ、曲げ半径は、約0μm〜約100μmである。
【0010】
本発明の第2の実施形態では、基本モード及び少なくとも第1高次モードを備えた光信号を誘導する偏波無依存性シングルモードリッジ導波路は、下クラッド層と、厚さを備えた上クラッド層と、厚さを備えていて、下クラッド層と上クラッド層との間に配置されたガイド層とを有する。リッジ幅を備えたリッジが、上クラッド層及びガイド層の一部で導波路に沿って長手方向に形成されている。エッチング深さが、リッジによって定められ、曲げ半径が、導波路の長手方向長さの少なくとも一部に沿って定められる。リッジ幅、エッチング深さ及び曲げ半径はそれぞれ、基本モード及び少なくとも約10dB/mmの少なくとも第1高次モードについて光損失の差を生じさせる所定の値を有している。
【0011】
エッチング深さを正しく選択することにより、基本モードについての損失を無視できるほどに維持しながら高次モードの総漏れ損失を最大にすることができる。以下に詳細に説明するように、所与の曲げ半径についてリッジ幅及びエッチング深さを正しく選択することにより、基本誘導モードについての漏れ損失の小さな偏波無依存性シングルモードの直線状又は湾曲状導波路を設計することが可能である。
【0012】
したがって、本発明は、本明細書に例示される構成の特徴、要素の組合せ及び部品の配列状態から成り、本発明の範囲は特許請求の範囲の記載に基づいて定められる。
【0013】
図面の各図は、同一縮尺通りには記載されておらず、各図は、単なる例示であり、図中、同一の符号は、類似の要素を示している。
【0014】
〔好ましい実施形態の詳細な説明〕
本発明は、偏波に対する感度を実質的に減少させる一方で、他の導波路特性、例えばシングルモード条件、基本モードに関する低伝搬損失及び低曲げ損失をそれほど損なわない封じ込め作用の強いリッジ導波路に関する。本発明は、ガイド層及びクラッド層の導波路材料組成及び厚さ、並びに基本TEモードと基本TMモードのモードインデックスが互いに等しい曲げ半径、リッジ幅及びエッチング深さを考慮に入れている。これらのパラメータを用いて基本モード及び高次モードの損失(例えば、モードインデックスの虚数部)を計算できる。上述の基準を考慮することにより、本発明に従って、基本モードの損失が約1.0dB/mm以下、高次モードの損失が約10dB/mm以上(かくして、損失差が少なくとも約10dB/mmとなる)の低損失シングルモードリッジ導波路を構成できる(かくして、少なくとも約10dB/mmの損失差をもたらし、高次モード信号の損失を最大限にしながら基本モード信号の損失を最小限に抑える)。
【0015】
次に、図面を詳細に参照すると、図3は、本発明の実施形態に従って構成されていて全体を符号200で示す偏波無依存性シングルモードリッジ導波路を示している。導波路200は、種々の材料系、例えば、InP、GaAs及びSi基材から作製できる。導波路200は、基材210で構成され、この上に、下クラッド層200が被着される(公知の又は今後開発される半導体被着法、成形法、エッチング法等の技術を用いる)。ガイド層230が、下クラッド層220上に被着され、上クラッド層240が、ガイド層230上に被着されている。上クラッド層240及びガイド層230の少なくとも一部は、所定幅wまで選択的にエッチングされるのがよく、それにより、導波路200のリッジ232が構成されている。
【0016】
代表的には、リッジ232を包囲する媒体50(例えば、空気)の屈折率は、ガイド層230及びクラッド層220,240の屈折率よりも非常に小さい。この結果、側方向(即ち、図3においてx方向)に沿って大きな屈折率のコントラストが生じ、これは、その方向に沿って強い光封じ込め作用をもたらす。横断方向(即ち、図3においてy方向)形態の構造的非対称性により、基本準TE(電気ベクトルが横断方向)モード(βx)及び準TM(磁気ベクトルが横断方向)モード(βy)の伝搬定数(β)は一般に等しくない。y方向に沿うガイド層230とクラッド層220,240の屈折率の差がx方向の屈折率の差よりも非常に小さいので、TEモード(x方向に沿う電界が支配的である)の伝搬定数の実数部は、リッジ232の幅wが十分に小さい限り、TMモード(y方向に沿う電界が顕著である)のものよりも低いであろう。他方、リッジの幅が十分に大きい場合、導波路200は、スラブの構成に近くなってTEモードの伝搬定数がTEモードのものよりも大きくなるようになる。かくして、リッジの幅が或る特定の大きさ又は或る種々の大きさの場合、TEモード及びTMモードの伝搬定数は等しくなり、したがって、モード損失が無い場合に偏波無依存性導波路が得られることになる。
【0017】
さらに、TEモード及びTMモードの伝搬定数が互いに等しいリッジ232の幅は、その場所での導波路200の曲げ半径に依存しやすくなるであろう。曲げ半径が増大すると、オプティカルフィールドが左側へシフトし、それ故、基本誘導モードの形態複屈折をバランスさせるにはリッジの幅を大きく取る必要がある。
【0018】
図9に示すように、本発明の実施形態に従って構成された導波路200は、曲げ半径が約∞μm〜約100μmの湾曲又は弧状部分202を有する場合がある。すなわち、本発明は、実質的に直線状の導波路200(曲げ半径がほぼ∞μmに等しい)及び湾曲又は弧状部分202(曲げ半径が、約20μm〜約100μmの範囲にある)を有する導波路200に関している。図9は、所定曲げ半径を持つ単一の湾曲又は弧状部分202を備えた導波路200を示しているが、本発明はこれには限定されない。本発明に従って構成される導波路200は、任意個数の湾曲又は弧状部分202を有することができる。ただし、各部分202が各々、強い側方向封じ込め作用を備えた偏波無依存性シングルモードリッジ導波路を提供するよう曲げ半径とエッチング深さとリッジ幅の関係を満たすことを条件とする。
【0019】
以下の詳細な説明は、本発明の実施形態に従って構成された強い側方向封じ込め作用を持つ偏波無依存性シングルモードリッジ導波路に関している。特定の数値は、種々の例示の実施形態をもたらしている。他の数値及びこれにより得られる実施形態も又、想到でき、これらは本発明の精神及び範囲に属し、本明細書で説明する特定の値は、本発明の非限定的な例示として与えられていることは注目されるべきである。
【0020】
偏波無依存性に関する1つの所望の導波路特性は、準TM基本モード及び準TM基本モードの伝搬定数が等しいこと、即ち、βx=βyということにある。また、基本準TM(αx0)及び準TMモード(αy0)の導波路200による減衰度(α)は、約1.0dB/mmよりも小さいことが望ましい。加うるに、高次モード(αx1,αy1)の減衰度(α)は、約10dB/mmよりも大きいことが望ましい。
【0021】
本発明の一実施形態では、ガイド層230は、InGaAsPで作られ、ガイド層230の屈折率は、約3.4であり、これは、1.55μmにほぼ等しい波長でのInGaAsPの典型的な値である。下クラッド層220及び上クラッド層240はそれぞれ、InPで作られていて、各々の屈折率は、波長が1.55μmにほぼ等しい場合、約3.2である。上クラッド層の厚さH1は、1.4μmにほぼ等しい。ガイド層230の厚さ大きいDは、0.5μmにほぼ等しく、下クラッド層220の厚さH2は、0.5μmにほぼ等しい。リッジ232の総エッチング深さHは、ガイド層230ではH1+エッチング深さであるか、或いは、図3に示すようにH1+D+H2(下クラッド層230のエッチング深さ)であってもよい。
【0022】
本発明に従って構成された導波路200の種々の曲げ半径についてリッジ幅wとエッチング深さとの関係を定めるためにコンピュータによるシミュレーションを行った。準TM基本モードと準TM基本モードの伝搬定数を互いに等しくなるように設定した(即ち、βx=βy)。曲げ半径が約30μm、50μm、100μmの場合であって直線状導波路の場合におけるエッチング深さHとリッジ幅wの関係が図4に示されている。エッチング深さHは、約1.7μmのところで始まっている。というのは、エッチング深さが小さすぎる場合(例えば、<1.7μm)、基本モードの曲げ誘起損失が高すぎるので直線状導波路に関して偏波無依存性構造が見られないからである。
【0023】
曲げ半径が100μm、30μm及び50μmの場合に、最初の4つのモード(Ex0,Ey0,Ex1,Ey1)の曲げ損失とエッチング深さの関係がそれぞれ図5、図6及び図7に示されている。シミュレートした導波路構造は全て、上述したように図3の実施形態に従っており、したがって偏波無依存性が維持されている。図5を参照すると、曲げ半径が100μmの場合、基本モード(Ex0,Ey0)と第1高次モード(Ex1,Ey1)の損失差は、2.0μm未満のエッチング深さでは10dB/mmを超えることができることは明らかである。また、図7に示すように、曲げ半径が50μmであってエッチング深さが約1.8〜2.1μmの場合、10dB/mmを超える損失差を達成できる。曲げ半径が30μmの場合、図6に示すように、約2.0〜2.1μmの範囲にあるエッチング深さは、基本モード損失と1次モード損失との間の所望の10dB/mmの差をもたらすであろう。曲げ半径が約20μmよりも小さい場合、基本モードと第1高次モードの両方は、高い損失を生じる。かくして、強い側方向封じ込め作用の偏波無依存性シングルモードリッジ導波路に所望の損失差をもたらすことはできない。
【0024】
直線状導波路200の場合、偏波無依存性シングルモード作用は、エッチング深さが図8に示すように約2.1μm未満の場合に可能である。第1高次モードEx1,Ey1の損失は、曲げ半径が約100μmの導波路のものよりも高い。その理由は、リッジ幅wが直線状導波路について、基本モードEx0,Ey0に関してβx=βyになるように小さくなければならないからである。
【0025】
本発明の実施形態によれば、強い側方向封じ込め作用を持つ偏波無依存性シングルモードリッジ導波路200を製造するには、基本TE及びTMモードのモードインデックス実数部がガイド層230、下クラッド層220及び上クラッド層240の或る導波路材料組成及び厚さ並びに或る曲げ半径(0の曲げ半径を含む)について互いに等しいリッジ幅及びこれに対応したエッチング深さを計算するのがよい。種々のパラメータ、例えば、リッジ幅、エッチング深さ及び曲げ半径を所望に応じて定めることができる。ただし、本明細書で詳細に説明し、図面に示したこれら種々のパラメータ相互間の関係が維持されることを条件とする。
【0026】
所定の曲げ半径が所定の場合であってリッジ幅及びエッチング深さが制約されている場合、基本モード及び第1高次モードの損失(モードインデックスの虚数部)を計算するのがよい(これについては、例えば図4〜図8を参照)。
【0027】
基本モードの損失を約1.0dB/mm未満に限定し、高次モードの損失を約10dB/mm以上に設定することにより強い側方向封じ込め作用を備えた低損失偏波無依存性シングルモードリッジ導波路200を構成することができる。
【0028】
かくして、本発明の新規な特徴をその好ましい実施形態に適用したものとして開示して説明したが、当業者であれば本発明の精神から逸脱することなく開示した発明の形態及び細部の種々の省略例、置換例及び変形例を想到できることは理解されよう。したがって、本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載にのみ基づいて定められる。
【0029】
また、特許請求の範囲は、本明細書に記載した本発明の一般的な特徴及び具体的特徴の全て並びに文言上本発明の範囲に属する全ての技術的事項を含むものであることは理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】
従来型の浅いエッチングが施されたリッジ導波路の概略断面図である。
【図2】
従来型の深いエッチングが施されたリッジ導波路の概略断面図である。
【図3】
本発明の実施形態に従って構成されたリッジ導波路の概略断面図である。
【図4】
互いに異なる曲げ半径を有する偏波無依存性リッジ導波路についてエッチング深さと導波路の幅の関係を示すグラフ図である。
【図5】
曲げ半径が約100μmの偏波無依存性リッジ導波路のエッチング深さと基本及び高次モードについての損失の関係を示すグラフ図である。
【図6】
曲げ半径が約30μmの偏波無依存性リッジ導波路のエッチング深さと基本及び高次モードについての損失の関係を示すグラフ図である。
【図7】
曲げ半径が約50μmの偏波無依存性リッジ導波路のエッチング深さと基本及び高次モードについての損失の関係を示すグラフ図である。
【図8】
実質的に直線状の偏波無依存性リッジ導波路のエッチング深さと基本及び高次モードについての損失の関係を示すグラフ図である。
【図9】
本発明の実施形態に従って構成されていて、所定の曲げ半径を持つ湾曲又は弧状部分を備えた導波路の平面図である。
〔関連出願の引照〕
本願は、2000年2月17日に出願された米国仮特許出願第60/183,316号の優先権主張出願である。
【0002】
〔発明の分野〕
本発明は、偏波無依存性シングルモードリッジ導波路に関する。
【0003】
〔発明の背景〕
光リッジ導波路は、製作が容易なために集積型フォトニックデバイス並びに半導体及び他の材料を利用した回路において下に位置する導波構造として広く用いられている。リッジ導波路の大きな欠点のうちの1つは、横断方向形態の幾何学的(又は、形態)複屈折に起因して偏波の影響を受けやすいということにある。例えば図1に示されていて全体が符号100で示された従来型のエッチングの浅いリッジ導波路は代表的には、基材10、基材10の上に被着された下クラッド層20、下クラッド層20の上に被着されたガイド層30及びガイド層30の上に被着された上クラッド層40を有している。導波路100は、オプティカルフィールドについて側方向封じ込め作用が比較的弱く、その結果、曲げが導波路100に作られると、多大な漏れ損失が生じることになる。
【0004】
例えば図2に示されていて全体が符号100′で示された深いエッチングのリッジ導波路は、強い側方向封じ込め作用を発揮し、それほど漏れ損失を生じさせないで小さな半径で曲げることができる。かかる公知の導波路の一例が、米国特許第5,926,496号に見られ、かかる米国特許の内容全体を本明細書の一部を形成するものとしてここに引用する。側方向封じ込め作用が強いと、非常に小さな寸法形状のフォトニックデバイス及び回路を実現することができるので複雑な回路構成及び高レベルの集積度を有する高性能で安価なフォトニック集積回路を構成することができるようになる。
【0005】
しかしながら、封じ込め作用の強いリッジ導波路は、偏波に対する影響を極めて受けやすい。かかる偏波感受性により、光ファイバ通信システムでの導波路の用途が制限され、かかる用途では、フォトニックデバイス、例えば、スイッチ、アド/ドロップマルチプレクサ等への入力光信号の偏波状態は、時間及び環境条件の関数としてランダムに変化する場合があるので予測できない。
【0006】
一般に導波型光デバイスについての偏波感受性を軽減させ又は無くす幾つかの方法が提案された。かかる方法としては、偏波制御、偏波スクランブル法、偏波ダイバーシティ及び偏波無依存性導波路設計が挙げられる。偏波無依存性導波路設計以外の全ての方法では、追加の部品が必要であり、かくして、デバイスの複雑さが増大する。
【0007】
かくして、従来技術の上述の欠点を解決するリッジ導波路を提供することが望ましい。
【0008】
〔発明の概要〕
本発明は、偏波に対する感度を実質的に減少させる一方で、他の導波路特性、例えばシングルモード条件、基本モードに関する低伝搬損失及び低曲げ損失をそれほど損なわない封じ込め作用の強いリッジ導波路に関する。本発明は、ガイド層及びクラッド層の導波路材料組成及び厚さ、並びに基本TEモードと基本TMモードのモードインデックスが互いに等しい曲げ半径、リッジ幅及びエッチング深さを考慮に入れている。これらのパラメータを用いて基本モード及び高次モードの損失(例えば、モードインデックスの虚数部)を計算できる。上述の基準を考慮することにより、本発明に従って、基本モードの損失が約1.0dB/mm以下、高次モードの損失が約10dB/mm以上(かくして、損失差が少なくとも約10dB/mmとなる)の低損失シングルモードリッジ導波路を構成できる。
【0009】
本発明の第1の実施形態では、偏波無依存性シングルモードリッジ導波路は、厚さを備えた下クラッド層と、厚さを備えた上クラッド層と、厚さを備えていて、下クラッド層と上クラッド層との間に配置されたガイド層とを有する。リッジ幅を備えたリッジが、上クラッド層及びガイド層の一部で導波路に沿って長手方向に形成されている。リッジ幅は、約1.0μm〜約1.5μmである。ッチング深さが、リッジによって定められ、エッチング深さは、約1.7μm〜約2.4μmである。曲げ半径が、導波路の長手方向長さの少なくとも一部に沿って定められ、曲げ半径は、約0μm〜約100μmである。
【0010】
本発明の第2の実施形態では、基本モード及び少なくとも第1高次モードを備えた光信号を誘導する偏波無依存性シングルモードリッジ導波路は、下クラッド層と、厚さを備えた上クラッド層と、厚さを備えていて、下クラッド層と上クラッド層との間に配置されたガイド層とを有する。リッジ幅を備えたリッジが、上クラッド層及びガイド層の一部で導波路に沿って長手方向に形成されている。エッチング深さが、リッジによって定められ、曲げ半径が、導波路の長手方向長さの少なくとも一部に沿って定められる。リッジ幅、エッチング深さ及び曲げ半径はそれぞれ、基本モード及び少なくとも約10dB/mmの少なくとも第1高次モードについて光損失の差を生じさせる所定の値を有している。
【0011】
エッチング深さを正しく選択することにより、基本モードについての損失を無視できるほどに維持しながら高次モードの総漏れ損失を最大にすることができる。以下に詳細に説明するように、所与の曲げ半径についてリッジ幅及びエッチング深さを正しく選択することにより、基本誘導モードについての漏れ損失の小さな偏波無依存性シングルモードの直線状又は湾曲状導波路を設計することが可能である。
【0012】
したがって、本発明は、本明細書に例示される構成の特徴、要素の組合せ及び部品の配列状態から成り、本発明の範囲は特許請求の範囲の記載に基づいて定められる。
【0013】
図面の各図は、同一縮尺通りには記載されておらず、各図は、単なる例示であり、図中、同一の符号は、類似の要素を示している。
【0014】
〔好ましい実施形態の詳細な説明〕
本発明は、偏波に対する感度を実質的に減少させる一方で、他の導波路特性、例えばシングルモード条件、基本モードに関する低伝搬損失及び低曲げ損失をそれほど損なわない封じ込め作用の強いリッジ導波路に関する。本発明は、ガイド層及びクラッド層の導波路材料組成及び厚さ、並びに基本TEモードと基本TMモードのモードインデックスが互いに等しい曲げ半径、リッジ幅及びエッチング深さを考慮に入れている。これらのパラメータを用いて基本モード及び高次モードの損失(例えば、モードインデックスの虚数部)を計算できる。上述の基準を考慮することにより、本発明に従って、基本モードの損失が約1.0dB/mm以下、高次モードの損失が約10dB/mm以上(かくして、損失差が少なくとも約10dB/mmとなる)の低損失シングルモードリッジ導波路を構成できる(かくして、少なくとも約10dB/mmの損失差をもたらし、高次モード信号の損失を最大限にしながら基本モード信号の損失を最小限に抑える)。
【0015】
次に、図面を詳細に参照すると、図3は、本発明の実施形態に従って構成されていて全体を符号200で示す偏波無依存性シングルモードリッジ導波路を示している。導波路200は、種々の材料系、例えば、InP、GaAs及びSi基材から作製できる。導波路200は、基材210で構成され、この上に、下クラッド層200が被着される(公知の又は今後開発される半導体被着法、成形法、エッチング法等の技術を用いる)。ガイド層230が、下クラッド層220上に被着され、上クラッド層240が、ガイド層230上に被着されている。上クラッド層240及びガイド層230の少なくとも一部は、所定幅wまで選択的にエッチングされるのがよく、それにより、導波路200のリッジ232が構成されている。
【0016】
代表的には、リッジ232を包囲する媒体50(例えば、空気)の屈折率は、ガイド層230及びクラッド層220,240の屈折率よりも非常に小さい。この結果、側方向(即ち、図3においてx方向)に沿って大きな屈折率のコントラストが生じ、これは、その方向に沿って強い光封じ込め作用をもたらす。横断方向(即ち、図3においてy方向)形態の構造的非対称性により、基本準TE(電気ベクトルが横断方向)モード(βx)及び準TM(磁気ベクトルが横断方向)モード(βy)の伝搬定数(β)は一般に等しくない。y方向に沿うガイド層230とクラッド層220,240の屈折率の差がx方向の屈折率の差よりも非常に小さいので、TEモード(x方向に沿う電界が支配的である)の伝搬定数の実数部は、リッジ232の幅wが十分に小さい限り、TMモード(y方向に沿う電界が顕著である)のものよりも低いであろう。他方、リッジの幅が十分に大きい場合、導波路200は、スラブの構成に近くなってTEモードの伝搬定数がTEモードのものよりも大きくなるようになる。かくして、リッジの幅が或る特定の大きさ又は或る種々の大きさの場合、TEモード及びTMモードの伝搬定数は等しくなり、したがって、モード損失が無い場合に偏波無依存性導波路が得られることになる。
【0017】
さらに、TEモード及びTMモードの伝搬定数が互いに等しいリッジ232の幅は、その場所での導波路200の曲げ半径に依存しやすくなるであろう。曲げ半径が増大すると、オプティカルフィールドが左側へシフトし、それ故、基本誘導モードの形態複屈折をバランスさせるにはリッジの幅を大きく取る必要がある。
【0018】
図9に示すように、本発明の実施形態に従って構成された導波路200は、曲げ半径が約∞μm〜約100μmの湾曲又は弧状部分202を有する場合がある。すなわち、本発明は、実質的に直線状の導波路200(曲げ半径がほぼ∞μmに等しい)及び湾曲又は弧状部分202(曲げ半径が、約20μm〜約100μmの範囲にある)を有する導波路200に関している。図9は、所定曲げ半径を持つ単一の湾曲又は弧状部分202を備えた導波路200を示しているが、本発明はこれには限定されない。本発明に従って構成される導波路200は、任意個数の湾曲又は弧状部分202を有することができる。ただし、各部分202が各々、強い側方向封じ込め作用を備えた偏波無依存性シングルモードリッジ導波路を提供するよう曲げ半径とエッチング深さとリッジ幅の関係を満たすことを条件とする。
【0019】
以下の詳細な説明は、本発明の実施形態に従って構成された強い側方向封じ込め作用を持つ偏波無依存性シングルモードリッジ導波路に関している。特定の数値は、種々の例示の実施形態をもたらしている。他の数値及びこれにより得られる実施形態も又、想到でき、これらは本発明の精神及び範囲に属し、本明細書で説明する特定の値は、本発明の非限定的な例示として与えられていることは注目されるべきである。
【0020】
偏波無依存性に関する1つの所望の導波路特性は、準TM基本モード及び準TM基本モードの伝搬定数が等しいこと、即ち、βx=βyということにある。また、基本準TM(αx0)及び準TMモード(αy0)の導波路200による減衰度(α)は、約1.0dB/mmよりも小さいことが望ましい。加うるに、高次モード(αx1,αy1)の減衰度(α)は、約10dB/mmよりも大きいことが望ましい。
【0021】
本発明の一実施形態では、ガイド層230は、InGaAsPで作られ、ガイド層230の屈折率は、約3.4であり、これは、1.55μmにほぼ等しい波長でのInGaAsPの典型的な値である。下クラッド層220及び上クラッド層240はそれぞれ、InPで作られていて、各々の屈折率は、波長が1.55μmにほぼ等しい場合、約3.2である。上クラッド層の厚さH1は、1.4μmにほぼ等しい。ガイド層230の厚さ大きいDは、0.5μmにほぼ等しく、下クラッド層220の厚さH2は、0.5μmにほぼ等しい。リッジ232の総エッチング深さHは、ガイド層230ではH1+エッチング深さであるか、或いは、図3に示すようにH1+D+H2(下クラッド層230のエッチング深さ)であってもよい。
【0022】
本発明に従って構成された導波路200の種々の曲げ半径についてリッジ幅wとエッチング深さとの関係を定めるためにコンピュータによるシミュレーションを行った。準TM基本モードと準TM基本モードの伝搬定数を互いに等しくなるように設定した(即ち、βx=βy)。曲げ半径が約30μm、50μm、100μmの場合であって直線状導波路の場合におけるエッチング深さHとリッジ幅wの関係が図4に示されている。エッチング深さHは、約1.7μmのところで始まっている。というのは、エッチング深さが小さすぎる場合(例えば、<1.7μm)、基本モードの曲げ誘起損失が高すぎるので直線状導波路に関して偏波無依存性構造が見られないからである。
【0023】
曲げ半径が100μm、30μm及び50μmの場合に、最初の4つのモード(Ex0,Ey0,Ex1,Ey1)の曲げ損失とエッチング深さの関係がそれぞれ図5、図6及び図7に示されている。シミュレートした導波路構造は全て、上述したように図3の実施形態に従っており、したがって偏波無依存性が維持されている。図5を参照すると、曲げ半径が100μmの場合、基本モード(Ex0,Ey0)と第1高次モード(Ex1,Ey1)の損失差は、2.0μm未満のエッチング深さでは10dB/mmを超えることができることは明らかである。また、図7に示すように、曲げ半径が50μmであってエッチング深さが約1.8〜2.1μmの場合、10dB/mmを超える損失差を達成できる。曲げ半径が30μmの場合、図6に示すように、約2.0〜2.1μmの範囲にあるエッチング深さは、基本モード損失と1次モード損失との間の所望の10dB/mmの差をもたらすであろう。曲げ半径が約20μmよりも小さい場合、基本モードと第1高次モードの両方は、高い損失を生じる。かくして、強い側方向封じ込め作用の偏波無依存性シングルモードリッジ導波路に所望の損失差をもたらすことはできない。
【0024】
直線状導波路200の場合、偏波無依存性シングルモード作用は、エッチング深さが図8に示すように約2.1μm未満の場合に可能である。第1高次モードEx1,Ey1の損失は、曲げ半径が約100μmの導波路のものよりも高い。その理由は、リッジ幅wが直線状導波路について、基本モードEx0,Ey0に関してβx=βyになるように小さくなければならないからである。
【0025】
本発明の実施形態によれば、強い側方向封じ込め作用を持つ偏波無依存性シングルモードリッジ導波路200を製造するには、基本TE及びTMモードのモードインデックス実数部がガイド層230、下クラッド層220及び上クラッド層240の或る導波路材料組成及び厚さ並びに或る曲げ半径(0の曲げ半径を含む)について互いに等しいリッジ幅及びこれに対応したエッチング深さを計算するのがよい。種々のパラメータ、例えば、リッジ幅、エッチング深さ及び曲げ半径を所望に応じて定めることができる。ただし、本明細書で詳細に説明し、図面に示したこれら種々のパラメータ相互間の関係が維持されることを条件とする。
【0026】
所定の曲げ半径が所定の場合であってリッジ幅及びエッチング深さが制約されている場合、基本モード及び第1高次モードの損失(モードインデックスの虚数部)を計算するのがよい(これについては、例えば図4〜図8を参照)。
【0027】
基本モードの損失を約1.0dB/mm未満に限定し、高次モードの損失を約10dB/mm以上に設定することにより強い側方向封じ込め作用を備えた低損失偏波無依存性シングルモードリッジ導波路200を構成することができる。
【0028】
かくして、本発明の新規な特徴をその好ましい実施形態に適用したものとして開示して説明したが、当業者であれば本発明の精神から逸脱することなく開示した発明の形態及び細部の種々の省略例、置換例及び変形例を想到できることは理解されよう。したがって、本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載にのみ基づいて定められる。
【0029】
また、特許請求の範囲は、本明細書に記載した本発明の一般的な特徴及び具体的特徴の全て並びに文言上本発明の範囲に属する全ての技術的事項を含むものであることは理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】
従来型の浅いエッチングが施されたリッジ導波路の概略断面図である。
【図2】
従来型の深いエッチングが施されたリッジ導波路の概略断面図である。
【図3】
本発明の実施形態に従って構成されたリッジ導波路の概略断面図である。
【図4】
互いに異なる曲げ半径を有する偏波無依存性リッジ導波路についてエッチング深さと導波路の幅の関係を示すグラフ図である。
【図5】
曲げ半径が約100μmの偏波無依存性リッジ導波路のエッチング深さと基本及び高次モードについての損失の関係を示すグラフ図である。
【図6】
曲げ半径が約30μmの偏波無依存性リッジ導波路のエッチング深さと基本及び高次モードについての損失の関係を示すグラフ図である。
【図7】
曲げ半径が約50μmの偏波無依存性リッジ導波路のエッチング深さと基本及び高次モードについての損失の関係を示すグラフ図である。
【図8】
実質的に直線状の偏波無依存性リッジ導波路のエッチング深さと基本及び高次モードについての損失の関係を示すグラフ図である。
【図9】
本発明の実施形態に従って構成されていて、所定の曲げ半径を持つ湾曲又は弧状部分を備えた導波路の平面図である。
Claims (19)
- 偏波無依存性シングルモードリッジ導波路であって、厚さを備えた下クラッド層と、厚さを備えた上クラッド層と、厚さを備えていて、前記下クラッド層と前記上クラッド層との間に配置されたガイド層と、リッジ幅を備えていて、前記上クラッド層及び前記ガイド層の一部で前記導波路に沿って長手方向に形成されたリッジとを有し、前記リッジ幅は、約1.0μm〜約1.5μmであり、エッチング深さが、前記リッジによって定められ、前記エッチング深さは、約1.7μm〜約2.4μmであり、曲げ半径が、前記導波路の長手方向長さの少なくとも一部に沿って定められ、前記曲げ半径は、約0μm〜約100μmであることを特徴とする偏波無依存性シングルモードリッジ導波路。
- 前記曲げ半径は、0μmにほぼ等しく、前記エッチング深さは、約2.1μm以下であることを特徴とする請求項1記載の偏波無依存性シングルモードリッジ導波路。
- 前記曲げ半径は、30μmにほぼ等しく、前記エッチング深さは、約2.0μm〜約2.1μmであることを特徴とする請求項1記載の偏波無依存性シングルモードリッジ導波路。
- 前記曲げ半径は、約50μmにほぼ等しく、前記エッチング深さは、約1.8mm〜約2.1μmであることを特徴とする請求項1記載の偏波無依存性シングルモードリッジ導波路。
- 前記曲げ半径は、100μmにほぼ等しく、前記エッチング深さは、約2.0μm以下であることを特徴とする請求項1記載の偏波無依存性シングルモードリッジ導波路。
- 前記ガイド層は、InGaAsPで構成されていることを特徴とする請求項1記載の偏波無依存性シングルモードリッジ導波路。
- 前記ガイド層の厚さは、約0.5μmであることを特徴とする請求項6記載の偏波無依存性シングルモードリッジ導波路。
- 前記上クラッド層及び前記下クラッド層は、InPで構成されていることを特徴とする請求項6記載の偏波無依存性シングルモードリッジ導波路。
- 前記上クラッド層の厚さは、約1.4μmであり、前記下クラッド層の厚さは、約0.5μmであることを特徴とする請求項8記載の偏波無依存性シングルモードリッジ導波路。
- 基本モード及び少なくとも第1高次モードを備えた光信号を誘導する偏波無依存性シングルモードリッジ導波路であって、下クラッド層と、厚さを備えた上クラッド層と、厚さを備えていて、前記下クラッド層と前記上クラッド層との間に配置されたガイド層と、リッジ幅を備えていて、前記上クラッド層及び前記ガイド層の一部で前記導波路に沿って長手方向に形成されたリッジとを有し、エッチング深さが、前記リッジによって定められ、曲げ半径が、前記導波路の長手方向長さの少なくとも一部に沿って定められ、前記リッジ幅、前記エッチング深さ及び前記曲げ半径はそれぞれ、基本モード及び少なくとも約10dB/mmの少なくとも第1高次モードについて光損失の差を生じさせる所定の値を有していることを特徴とする偏波無依存性シングルモードリッジ導波路。
- 前記曲げ半径は、約0μm〜約100μmであり、前記リッジ幅は、約1.0μm〜約1.5μmであり、前記エッチング深さは、約1.7μm〜約2.4μmであることを特徴とする請求項10記載の偏波無依存性シングルモードリッジ導波路。
- 前記曲げ半径は、0μmにほぼ等しく、前記エッチング深さは、約2.1μm以下であることを特徴とする請求項1記載の偏波無依存性シングルモードリッジ導波路。
- 前記曲げ半径は、30μmにほぼ等しく、前記エッチング深さは、約2.0μm〜約2.1μmであることを特徴とする請求項11記載の偏波無依存性シングルモードリッジ導波路。
- 前記曲げ半径は、約50μmにほぼ等しく、前記エッチング深さは、約1.8mm〜約2.1μmであることを特徴とする請求項11記載の偏波無依存性シングルモードリッジ導波路。
- 前記曲げ半径は、100μmにほぼ等しく、前記エッチング深さは、約2.0μm以下であることを特徴とする請求項11記載の偏波無依存性シングルモードリッジ導波路。
- 前記ガイド層は、InGaAsPで構成されていることを特徴とする請求項10記載の偏波無依存性シングルモードリッジ導波路。
- 前記ガイド層の厚さは、約0.5μmであることを特徴とする請求項16記載の偏波無依存性シングルモードリッジ導波路。
- 前記上クラッド層及び前記下クラッド層は、InPで構成されていることを特徴とする請求項16記載の偏波無依存性シングルモードリッジ導波路。
- 前記上クラッド層の厚さは、約1.4μmであり、前記下クラッド層の厚さは、約0.5μmであることを特徴とする請求項18記載の偏波無依存性シングルモードリッジ導波路。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009170710A (ja) * | 2008-01-17 | 2009-07-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光集積素子および光集積素子の製造方法 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2805619B1 (fr) * | 2000-02-24 | 2003-01-17 | Cit Alcatel | Composant optique comportant un guide a structure "ridge" grave chimiquement et son procede de fabrication |
US7103245B2 (en) | 2000-07-10 | 2006-09-05 | Massachusetts Institute Of Technology | High density integrated optical chip |
US6976792B1 (en) * | 2000-09-26 | 2005-12-20 | International Business Machines Corporation | Optical fiber space transformation |
JP2003149479A (ja) * | 2001-11-14 | 2003-05-21 | Hitachi Cable Ltd | 石英系ガラス光導波路及びそれを用いた光モジュール |
US6934427B2 (en) | 2002-03-12 | 2005-08-23 | Enablence Holdings Llc | High density integrated optical chip with low index difference waveguide functions |
US7171085B2 (en) * | 2003-07-29 | 2007-01-30 | Jds Uniphase Corporation | Polarization compensated optical tap |
JP4645948B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-03-09 | 富士ゼロックス株式会社 | 復号化装置及びプログラム |
JP4737711B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2011-08-03 | 富士ゼロックス株式会社 | 復号化装置、逆量子化方法、分布決定方法及びこのプログラム |
US7778468B2 (en) * | 2005-03-23 | 2010-08-17 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Decoding apparatus, dequantizing method, and program thereof |
JP2006270737A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 復号化装置、分布推定方法、復号化方法及びこれらのプログラム |
US8634684B2 (en) * | 2010-06-30 | 2014-01-21 | Infinera Corporation | Anti-resonant waveguide bends |
FR3063151B1 (fr) * | 2017-02-20 | 2019-04-19 | Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas | Dispositif de couplage optique a large bande passante et a pertes de puissance reduites |
US11048042B2 (en) * | 2019-04-01 | 2021-06-29 | Lumentum Operations Llc | Curved waveguide configuration to suppress mode conversion |
US10816727B1 (en) | 2019-06-14 | 2020-10-27 | Globalfoundries Inc. | Multimode waveguide bends with features to reduce bending loss |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4093345A (en) * | 1976-05-27 | 1978-06-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Semiconductor rib waveguide optical modulator with heterojunction control electrode cladding |
JPS60162206A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-24 | Hitachi Ltd | リツジ型光導波路 |
US4889402A (en) * | 1988-08-31 | 1989-12-26 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Electro-optic polarization modulation in multi-electrode waveguides |
US5148504A (en) * | 1991-10-16 | 1992-09-15 | At&T Bell Laboratories | Optical integrated circuit designed to operate by use of photons |
US5703989A (en) * | 1995-12-29 | 1997-12-30 | Lucent Technologies Inc. | Single-mode waveguide structure for optoelectronic integrated circuits and method of making same |
US6625370B2 (en) * | 2000-08-22 | 2003-09-23 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical waveguide and fabricating method thereof, and optical waveguide circuit |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009170710A (ja) * | 2008-01-17 | 2009-07-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光集積素子および光集積素子の製造方法 |
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