KR20050005947A - 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더와 그 가공방법 - Google Patents

내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더와 그 가공방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 수십 미크론 또는 수백 미크론의 크기의 핀이 내부에서 슬리이딩을 하는 핀홀더에 대한 것이다. 본 발명의 핀홀더의 외경과 내경의 크기 역시 수십 또는 수백미크론의 극미세한 것으로서, 핀홀더의 내부에는 전도성 금속층이 코팅되어진다. 본원 발명은 극히 미세한 굵기의 금속재의 심재의 표면에 열에 의하여 용융되어지는 용융층을 형성하는 공정과, 상기 용융층 위에 전도성 금속 코팅층을 형성하는 공정과, 상기 전도성 금속 코팅층위에 전주가공을 행하여 전주가공층을 형성하는 공정과, 심재를 인발하여 제거하는 공정과, 세척공정을 통하여 핀홀더가 제작되어진다.

Description

내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더와 그 가공 방법{ULTRA-MINUTE PIN HOLDER AND THE SAME MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 초미세한 내경과 그 내경을 고정밀도로 가공을 한 핀홀더에 대한 것이다. 핀홀더는 내부에 정밀한 수십 미크론의 지름을 가지는 연마봉이 들어가서 슬라이딩을 하거나 고정되어지는 미세 파이프 형상의 것이다. 핀홀더의 외경은 수십미크론에서 수백미크론에 달하는 크기를 가지며 정밀하게 외경이 가공되어지며 내경과 내경의 동심도가 뛰어나게 가공이 되어져야만 하는 물품이다. 또한 이들은 정확히 일정한 길이로 절단되어져야만 하는 경우가 많 다. 내부에 핀이 내장되며 외부에 핀홀더가 위치한 구성품은 반도체의 초정밀 검사장비에 많이 응용이 되어진다. 이러한 핀홀더는 다양한 미세부품에 폭넓게 응용이 될 수가 있음은 물론이다. 종래에는 이러한 핀홀더의 제작을 위하여 주로 기계적으로 초정밀하게 가공을 한다. 그러나 기계적인 가공에 의지할 경우에는 수십미크론의 크기에 불과한 내경과 외경을 가공하는 것에 많은 시간이 소요되며, 가공비가 많이 요구되어지게 된다. 본 발명은 니켈 또는 니켈 합금 또는 동 또는 동합금 또는 기타의 금속에 의하여 핀홀더를 전주가공에 의하여 생산하는 발명이다.
전주가공에 의하여 핀홀더와 같은 형상의 물품을 생산하는 방법이 종래에도 알려져 있으나, 종래의 방법은 기다란 심재에 전주가공을 행하여 기다란 금속봉을 제작하며, 상기 기다란 금속봉 속에 들어있는 심재를 물리적으로 뽑아내어서 내경의 관통홀을 만들며, 또한 이들의 기다란 금속봉을 일정길이 단위로 기계적으로절단하며, 절단되어진 것의 양 단면을 기계적으로 후가공하여 생산하여 왔다. 전주가공법에 의하여 심재를 사용하여 내경을 제작가공을 한다는 점에서 본 발명과 종래의 발명의 유사한 점을 보이고 있으나, 이러한 가공방법, 즉 심재를 이용하여 내경을 형성하는 전주가공법은 일반적으로 공지되어진 기술이며, 기술의 핵심은 어떻게 내부에 존재하는 심재를 제품에 손상을 주지않고 빼내는가 하는 것에 있다. 또다른 기술의 핵심은 수십미크론의 크기에 불과한 심재의 표면에 존재하는 극히 미세한 요철부가 핀홀더의 내경에 미치는 영향에 대한 것이다. 종래의 기술로는 심재의 표면거칠기는 핀홀더의 내경의 표면에 그대로 영향을 미치게 되는데, 본 발명은 심재를 다이스를 통과시키면서 반 용융상태의 용융재를 코팅하게 되므로서 심재의 표면조직의 요철이 용융재에 의하여 모두 커버가 되어지게 된다. 따라서 본 발명은 초정밀하게 다이스의 정밀도를 관리하므로서 핀홀더의 내경의 정밀도를 초정밀하게 관리를 할 수가 있는 장점을 가진다. 통상적으로 전주가공물에서 심재를 물리적인 힘에 의하여 빼내게 되면, 도중에 심재가 끊어질 경우가 많이 발생할 뿐만 아니라 심재가 이탈되면서 핀홀더의 내경부의 벽에 스크레치를 주게 되어, 초정밀한 가공이 어려워지게 되며, 이경우에는 핀홀더 내부의 벽면의 손상을 보상하기 위하여 다시 초정밀 기계가공을 행하게 되어진다. 본 발명에서는 심재를 제거하기 위하여 열을 가하게 되면 심재를 둘러 싼 용융재가 반 용융상태가 되며, 이로 인하여 내부의 심재는 거의 저항이 없는 상태로 이탈을 시킬 수가 있게 된다. 심재에 용융재가 10미크론 이하정도의 막으로 코팅이 되어졌을경우에는 심재의 표면에 형성된 요철부에 상기 용융재 코팅막이 강하게 결합이 되어지게 되어, 심재를 뽑을 경우에 용융재가 심재에 붙어서 빠지게 되며, 핀홀더 내부로부터 심재와 용융재가 동시에 제거가 되어지며, 용융재의 피막의 두께를 크게 하였을 경우에는 심재를 제거한 후, 용융재를 화학적 방법에 의하여 세척하여 제거하면 된다. 심재의 외부에 용융재를 코팅할 때, 심재를 다이스의 중심을 통과시키면서 반 용융상태의 용융재를 심재의 표면에 균일한 동심도를 가지고 코팅이 되도록 한다. 또한 본 발명은 제작되어진 기다란 금속봉을 기계적 가공에 의하여 절단하지 않고 감광공정과 에칭공정을 통하여 핀홀더를 일정한 길이로 제조하므로 후가공의 공정을 현격히 줄일 수가 있고 가공 코스트를 줄이며 생산성을 현저히 높일 수가 있는 발명이다.
본 발명의 핀홀더는 초정밀한 정도의 핀홀더를 기계가공을 거치지 아니하고 양산을 할 수가 있다. 보통의 가공에서는 초정밀한 내경 또는 외경을 확보하기 위하여 초정밀가공을 행하게 된나 이는 많은 시간과 비용의 발생을 초래하게 된다. 또한 수십 미크론에 불과한 핀홀더의 내경에 통전성이 탁월한 전도성금속을 코팅한다는 것은 용이한 일이 아닐 뿐만 아니라, 가공 후 이들의 미세 핀홀더를 일정한 길이로 절단하는 것도 통상의 기계가공으로는 많은 비용의 투입이 필연적이다. 그러나 본 발명에서는 극미세한 핀홀더의 내경과 외경의 가공을 초정밀하게 할 수가 있으며, 또한 내경의 전도성금속의 코팅층을 용이하게 형성시킬 수가 있다. 또한 본 발명은 종래 기술에 비하여 가공 공정을 현격하게 줄이며 정확한 길이로 절단이 되어진 초미세 핀홀더의 제작을 용이하게 할 수가 있다.
제 1 도는 극미세 핀홀더의 사용예이다.
제 2 도는 심재의 예시도이다.
제 3 도는 심재외부에 용융재가 도포된 것을 설명하는 설명도이다.
제 4 도는 용융재 위에 전도성 금속 코팅층을 형성하는 것을 설명하는 설명도이다.
제 5 도는 전도성금속코팅층 위에 전주가공층을 형성하는 것을 설명하는 설명도이다.
제 6 도는 열을 가하여 심재를 제거하는 것을 설명하는 설명도이다.
제 7 도는 용융재를 화학적으로 녹여서 제거한 상태를 설명하는 설명도이다.
제 8 도는 본 발명에 의하여 만들어진 핀홀더를 일정한 길이로 절단하는 방법을 설명하는 설명도이다.
제 9 도는 전주가공의 일반적인 원리를 설명하는 설명도이다.
제 10 도는 다층의 이종금속의 전주가공층을 형성하는 것을 설명하는 설명도이다.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>
1 : 극미세 핀홀더 2 : 전주가공층
3 : 전도성금속코팅층 4 : 심재
5 : 열용융재 6 : 전도성금속코팅층
7 : 전주가공층 8 : 노광부
9 : 에칭절단부
본 발명은 수십 미크론 또는 수백 미크론의 크기의 핀이 내부에서 슬리이딩을 하는 핀홀더에 대한 것이다. 본 발명의 핀홀더의 외경과 내경의 크기 역시 수십 또는 수백미크론의 극미세한 것으로서, 핀홀더의 내부에는 전도성 금속층이 코팅되어진다. 본원 발명은 극히 미세한 굵기의 금속재의 심재의 표면에 열에 의하여 용융되어지는 용융층을 형성하는 공정과, 상기 용융층 위에 전도성 금속 코팅층을 형성하는 공정과, 상기 전도성 금속 코팅층위에 전주가공을 행하여 전주가공층을 형성하는 공정과, 심재를 인발하여 제거하는 공정과, 세척공정을 통하여 핀홀더가 제작되어진다. 본 발명에서 전도성 금속 코팅층은 심재에 도포된 용융층 위에 진공증착에 의하여 극히 얇게 형성되게 할 수가 있으며, 또는 심재에 도포된 용융층 위에 예비금속피막층을 형성한 후 다시 상기 예비금속피막층 위에 전주가공에 의하여 전도성 금속층을 형성할 수도 있다. 상기의 예비금속피막층은 심재에 도포된 용융층 위에 진공증착에 의하여 극히 얇게 형성할 수도 있으며, 또한 심재에 도포된 용융층 위에 화학적 방법에 의하여 극히 얇게 형성을 할 수도 있다. 화학적 방법이란 예를 들면 화학은을 석출시키거나 백금을 석출시키거나 하는 행동을 통하여 화학적인 반응에 의하여 예비금속피막층을 형성할 수도 있다는 것을 의미한다.
본 발명에서의 전도성 금속층의 금속은 금 또는 은 또는 구리등의 것이 대표적인 금속이라 할 수가 있다. 본 발명에서의 전도성 금속 코팅층 위에 전주가공에 의하여 형성되어지는 전주가공층은 니켈 또는 니켈합금을 주로 사용하나 기타 다른금속으로도 얼마든지 사용할 수가 있음은 물론이다. 본 발명에서의 심재는 다양한 소재가 사용이 되어질 수가 있으나 스테인레스와 같은 인장력이 강한 금속이 바람직하다. 본 발명에서 길게 형성이 되어진 핀홀더를 일정한 크기로 절단을 함에 있어서, 기계적인 절단보다는 에칭법에 의한 절단이 바람직한 경우가 많다. 즉 미세한 핀홀더를 절단하기 위하여서는 먼저 심재를 인발하기 전에, 전도성 금속 코팅층위에 전주가공이 되어진 전주가공층위에 감광재를 도포하며, 상기 감광재에 필름을 통하여 광을 조사하여 노광부와 비노광부를 형성하고, 상기 비노광부에 에칭을 행하여 핀홀더를 일정한 길이로 절단할 수가 있다.
본 발명에서 핀홀더의 내경 관통홀의 치수를 정확히 관리하기 위하여 심재에 도포되어진 용융재를 일정 치수의 다이스를 통과시켜서 정확한 치수를 관리할 수가 있음은 물론이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 참조된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 먼저 본 발명에서 사용하는 전주가공에 대하여 제 9 도를 참고로 설명한 후 본 발명에 대하여 상술하겠다. 전주조(400) 내부에 금속용융액(300)이 담겨져 있으며, 상기 금속용융액의 일측에 금속덩어리(100)를 위치시키고, 어떠한 형상으로 가공하고자 하는 목표물(200)에 음극을 연결하며, 금속덩어리(100)에 양극을 연결하여 전류를 흐르게 하면, 양극의 금속이온이 이동하여 음극의 목표물의 표면으로 이동하여 목표물에 양극의 금속이 조직을 형성하게 하여 원하는 형상을 가공하는 기술을 전주가공기술이라 한다.
제 1 도는 극미세 핀홀더의 사용예이다. 본 발명에서 극 미세핀(500)은 수십미크론 또는 수백미크론의 구경을 가지며, 극미세 핀홀더(1)의 내부에서 슬라이더 운동을 한다. 극미세 핀홀더는 외부에 전주가공층(2)이 형성이 되며, 내부에는 전도성이 탁월한 전도성금속코팅층(3)이 형성되어 있다. 전도성 금속층(3)을 통하여 반도체 장비에서 여러 가지 전류적 특성치를 체크하는데 핀홀더가 사용이 되어진다.
제 2 도에서 제 5 도는 심재에 전주가공층을 형성하는 것을 설명하는 설명도이다. 제 2 도는 심재의 예시도이다. 본 발명에서 심재(4)는 수십미크론 단위의 굵기로서 강력한 인장력이 요구가 되어지는 특성상 금속재의 심재가 이상적이다. 심재의 굵기가 균일한 것이 바람직하다. 이러한 심재의 대표적 실시예로 스텐레스 심재를 들 수가 있다. 본 발명에서 심재 기술의 핵심은 어떻게 내부에 존재하는 심재를 제품에 손상을 주지않고 빼내는가 하는 것에 있다. 또다른 기술의 핵심은 수십미크론의 크기에 불과한 심재의 표면에 존재하는 극히 미세한 요철부의 영향을 핀홀더의 내경이 받지 않게 하는 것이다. 종래의 기술로는 심재의 표면거칠기는 핀홀더 내경의 표면에 그대로 영향을 미치게 되는데, 본 발명은 심재를 다이스를 통과시키면서 반 용융상태의 용융재를 코팅하게 되므로서 심재의 표면조직의 요철이 용융재에 의하여 모두 커버가 되어지게 된다. 따라서 본 발명은 초정밀하게 다이스의 정밀도를 관리하므로서 핀홀더의 내경의 정밀도를 초정밀하게 관리를 할 수가 있는 장점을 가진다. 통상적으로 전주가공물에서 심재를 물리적인 힘에 의하여 빼내게 되면, 도중에 심재가 끊어질 경우가 많이 발생할 뿐만 아니라 심재가 이탈되면서 핀홀더의 내경부의 벽에 스크레치를 주게 되어, 초정밀한 가공이 어려워지게되며, 이경우에는 핀홀더 내부의 벽면의 손상을 보상하기 위하여 다시 초정밀 기계가공을 행하게 되어진다. 본 발명에서는 심재를 제거하기 위하여 열을 가하게 되면 심재를 둘러 싼 용융재가 반 용융상태가 되며, 이로 인하여 내부의 심재는 거의 저항이 없는 상태로 이탈을 시킬 수가 있게 된다. 심재에 용융재가 3미크론 이하 정도의 막으로 코팅이 되어졌을 경우에는 심재의 표면에 형성된 요철부에 상기 용융재 코팅막이 강하게 결합이 되어지게 되어, 심재를 뽑을 경우에 용융재가 심재에 붙어서 빠지게 되며, 핀홀더 내부로부터 심재와 용융재가 동시에 제거가 되어된다. 본 발명에서는 이러한 용융재의 두께의 크기를 1미크론에서 10미크론의 두께일 경우 동시에 제거되어지는 실험의 결과를 보았다. 그러나 이는 용융재의 성질에 따라 조금씩 달라짐을 알수가 있다. 용융재의 피막의 두께를 크게 하였을 경우에는 심재를 제거한 후, 용융재를 화학적 방법에 의하여 세척하여 제거하면 된다. 또한 본 발명은 제작되어진 기다란 금속봉을 기계적 가공에 의하여 절단하지 않고 감광공정과 에칭공정을 통하여 핀홀더를 일정한 길이로 제조하므로 후가공의 공정을 현격히 줄일 수가 있고 가공 코스트를 줄이며 생산성을 현저히 높일 수가 있는 발명이다.
제 3 도는 심재외부에 용융재가 도포된 것을 설명하는 설명도이다. 본 발명에서 전주가공을 행한 후, 내부의 관통홀을 형성하기 위하여 심재(4)를 인발에 의하여 제거하게 되는데, 이때, 극히 가는 심재를 인발하게 되므로 그 제거하는 것이 용이하지 않게 된다. 본 발명에서는 심재의 용이한 제거를 위하여 심재의 표면에 열에 의하여 녹아지게 되는 용융재(5)를 균일하게 코팅을 하게 된다. 이때 용융재가 균일한 굵기로 심재를 중심으로 코팅이 되도록 하기 위하여 다이스를 통하여 용재를 코팅하게 되는 것이 바람직하다. 용융재는 통상 부도체의 경우가 많다.
제 4 도는 용융재 위에 전도성 금속 코팅층을 형성하는 것을 설명하는 설명도이다. 전도성 금속 코팅층(6)은 용융재(5) 위에 전주가공을 행 할 수가 있도록 음극이 흐르는 금속층의 역할을 하기도 하며, 또한 전도성 금속 코팅층은 핀홀더의 내부의 관통홀을 구성하는 역할을 감당하기도 하며, 또한 핀홀더의 전기적 흐름을 개선하는 기능을 담당하는데, 통전성을 위하여서는 통전성이 탁월한 금이나 은 또는 구리 등의 소재로서 전도성 금속 코팅층을 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 전도성 금속 코팅층을 형성하기 위하여서는 용융재 위에 금이나 은, 또는 구리 등을 진공증착을 통하여 얇게 형성할 수가 있다. 그러나 전도성 금속 코팅층이 수미크론 이상의 일정한 두께가 필요할 경우에는, 용융재 위에 진공증착 또는 화학적 석출에 의하여 얇게 금속피막을 형성한 뒤, 상기 금속피막 위에 전주가공을 통하여 필요한 두께로 전도성 금속 코팅층을 형성을 할 수가 있다. 이 경우에 먼저 행하는 진공증착 또는 화학적 석출을 본 발명에서는 예비금속피막층이라 칭한다. 여기서 화학적 석출의 실시예로서는 화학은 또는 백금 등의 석출을 통하여 금속피막을 형성하는 것을 들 수가 있다.
제 5 도는 전도성금속코팅층 위에 전주가공층을 형성하는 것을 설명하는 설명도이다. 전주가공층이란 본 발명의 핀홀더의 본체를 구성하는 것으로서 주로 니켈 또는 니켈합금으로 구성이 되어지나 구리 또는 구리합금으로 구성이 될 수가 있으며, 기타의 다른 금속으로 형성이 될 수도 있다. 전주가공층을 형성하기 위하여서는 전도성금속코팅층(6)에 음극을 연결하고 소재 금속에 양극을 연결하여 전류를흐르게 하면 용해되어진 금속이온들이 양금에서 음극으로 이동을 하여 전도성 금속코팅층에 금속층을 형성하기 시작하며 시간이 경과함에 따라 두께가 성장하여 전주가공층(7)을 형성하게 되어진다. 미세한 핀홀더에서는 전주가공층의 외경의 두께가 수십미크론에서 수백 미크론에 달한다.
제 6 도는 열을 가하여 심재를 제거하는 것을 설명하는 설명도이다. 심재를 둘러싸고 용융재(5)가 존재하고 있으나, 상기 용융재에 열을 가하여 녹인 후, 심재를 인발하게 되면 상기 심재는 작은 힘으로도 뽑아질 수가 있게 된다. 이때 경우에 따라서는 용융재가 심재에 강하게 결합이 되어 심재와 함께 제거되는 경우도 있게되며, 경우에 따라서는 심재만 뽑아지고 용융재는 전도성금속코팅층(6)의 내부에 잔류하게 된다.
제 7 도는 용융재를 화학적으로 녹여서 제거한 상태를 설명하는 설명도이다. 본 발명에서 사용이 되어지는 용융재는 석유등의 화학물질에 용이하게 녹아드는 재료를 선택하는 것이 바람직하다. 초음파의 진동을 발생시키면서 용제에 의하여 상기의 용융재는 용이하게 제거 할 수가 있다.
제 8 도는 본 발명에 의하여 만들어진 핀홀더를 일정한 길이로 절단하는 방법을 설명하는 설명도이다. 수십 미크론에서 수백 미크론의 크기에 불과한 핀홀더를 기계적 방법에 의하여 절단하기보다는 화학적인 에칭법에 의하여 절단하는 것이 더욱 바람직하다. 본 발명은 이러한 화학적 절단을 위하여 전주가공층(7)위에 감광재를 도포하고 상기 감광재에 필름을 통하여 노광부와 비노광부(8)를 형성하며, 현상과정을 거쳐서 에칭액 속에 침지시켜서 비노광부를 부식하게 되면, 원호상의 부식부(9)가 형성되면서 원하는 길이로, 필름의 설계대로 본 발명의 핀홀더가 절단이 되어지게 된다.
제 10 도는 다층의 이종금속의 전주가공층을 형성하는 것을 설명하는 설명도이다. 전주가공은 다양한 이종 금속을 순차적으로 적층하여 전주가공을 할 수가 있는 특징이 있다. 실시예로서 구리합금 층의 전주가공층(11)위에 다시 니켈합금 층의 전주가공층(10)을 형성할 수가 있다. 물론 소재는 구리와 니켈에 한정되어지지 않고 다양한 금속 또는 금속 합금물이 전주가공층으로 형성되어질 수가 있다.
이와 같이, 본 발명에 의한 핀 홀더는 초미세한 내경을 정밀하게 가공할 수 있을 뿐만아니라 외경을 전주가공에 의하여 원하는 두께를 용이하게 조성이 가능하다. 또한 내경에 전도성이 탁월한 이종금속을 코팅을 할 수가 있는 기술이다. 또한 본 발명의 핀홀더는 일정간격씩 절단되어진 상태로 제작이 되므로, 후가공이 없거나 극히 간단한 정도이며, 그러므로 가공비를 현저하게 줄일 수가 있게 된다. 본 발명은 상기 실시 예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양하게 변형 실시될 수 있다.

Claims (26)

  1. 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더에 있어서, 심재에 열에 의하여 용융되어지는 용융층을 형성하는 공정과, 상기 용융층 위에 전도성 금속 코팅층을 형성하는 공정과, 상기 전도성 금속 코팅층위에 전주가공을 행하여 전주가공층을 형성하는 공정과, 심재를 인발하여 제거하는 공정과, 세척공정을 통하여 제작되어지는 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더.
  2. 제 1 항에 있어서, 전도성 금속 코팅층이 심재에 도포된 용융층 위에 진공증착에 의하여 극히 얇게 형성된 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더.
  3. 제 1 항에 있어서, 전도성 금속 코팅층을 형성하기 위하여, 심재에 도포된 용융층 위에 예비금속피막층을 형성한 후 다시 상기 예비금속피막층에 위에 전주가공에 의하여 전도성 극속층을 형성하는 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더.
  4. 제 3 항에 있어서, 예비금속피막층이 심재에 도포된 용융층 위에 진공증착에 의하여 극히 얇게 형성된 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더.
  5. 제 3 항에 있어서, 예비금속피막층이 심재에 도포된 용융층 위에 화학적 방법에 의하여 극히 얇게 형성된 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더.
  6. 제 5 항에 있어서, 화학적 방법이 화학은의 석출인 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더.
  7. 제 1 항에서 제 6 항의 어느 한 항에 있어서, 전도성 금속층의 금속이 금인 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더.
  8. 제 1 항에서 제 6 항의 어느 한 항에 있어서, 전도성 금속층의 금속이 구리인 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더.
  9. 제 1 항에서 제 6 항의 어느 한 항에 있어서, 전도성 금속층의 금속이 은인 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더.
  10. 제 1 항에서 제 6 항의 어느 한 항에 있어서, 전도성 금속 코팅층위에 니켈 또는 니켈합금으로 전주가공을 행하여 전주가공층을 형성하는 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더.
  11. 제 1 항에서 제 6 항의 어느 한 항에 있어서, 심재가 스테인레스 심재인 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더.
  12. 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더의 제조방법에 있어서, 심재에 열에 의하여 용융되어지는 용융층을 형성하는 공정과, 상기 용융층 위에 전도성 금속 코팅층을 형성하는 공정과, 상기 전도성 금속 코팅층위에 전주가공을 행하여 전주가공층을 형성하는 공정과, 심재를 인발하여 제거하는 공정과, 세척공정을 통하여 제작되어지는 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더의 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 전도성 금속 코팅층이 심재에 도포된 용융층 위에 진공증착에 의하여 극히 얇게 형성된 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더의 제조방법.
  14. 제 12 항에 있어서, 전도성 금속 코팅층을 형성하기 위하여, 심재에 도포된 용융층 위에 예비금속피막층을 형성한 후 다시 상기 예비금속피막층에 위에 전주가공에 의하여 전도성 극속층을 형성하는 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더의 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 예비금속피막층이 심재에 도포된 용융층 위에 진공증착에 의하여 극히 얇게 형성된 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더의 제조방법.
  16. 제 14 항에 있어서, 예비금속피막층이 심재에 도포된 용융층 위에 화학적 방법에 의하여 극히 얇게 형성된 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더의 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 화학적 방법이 화학은의 석출인 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더의 제조방법.
  18. 제 12 항에서 제 17 항의 어느 한 항에 있어서, 전도성 금속층의 금속이 금인 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더의 제조방법.
  19. 제 12 항에서 제 17 항의 어느 한 항에 있어서, 전도성 금속층의 금속이 구리인 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더의 제조방법.
  20. 제 12 항에서 제 17 항의 어느 한 항에 있어서, 전도성 금속층의 금속이 은인 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더의 제조방법.
  21. 제 12 항에서 제 17 항의 어느 한 항에 있어서, 전도성 금속 코팅층위에 니켈 또는 니켈합금으로 전주가공을 행하여 전주가공층을 형성하는 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더의 제조방법.
  22. 제 12 항에서 제 17 항의 어느 한 항에 있어서, 심재가 스테인레스 심재인 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더의 제조방법.
  23. 제 12 항에서 제 17 항의 어느 한 항에 있어서, 심재의 외부에 용융재를 코팅할 때, 심재를 다이스의 중심을 통과시키면서 반 용융상태의 용융재를 심재의 표면에 균일한 동심도를 가지고 코팅하게 됨을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더의 제조방법.
  24. 제 23 항에 있어서, 용융재의 코팅의 량을 미소하게 형성하여 심재를 제거할 때, 용융재가 심재와 같이 핀홀더의 내부에서 이탈되어지도록 하는 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더의 제조방법.
  25. 제 24 항에 있어서, 용융재의 코팅의 두께가 1미크론에서 10미크론 정도의 범위인 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더의 제조방법.
  26. 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더에 있어서, 심재에 열에 의하여 용융되어지는 용융층을 형성하는 공정과, 상기 용융층 위에 전도성 금속 코팅층을 형성하는 공정과, 상기 전도성 금속 코팅층위에 전주가공을 행하여 전주가공층을 형성하는 공정과, 상기 전주가공층의 외부에 감광재를 도포하는 공정과, 상기 감광재에 필름을 통하여 광을 조사하여 노광부와 비노광부를 형성하는 공정과, 상기 비노광부에 에칭을 행하는 에칭가공 공정을 거쳐서 일정한 길이로 절단하는 에칭절단 공정과 심재를 제거하는 공정과, 세척공정을 통하여 제작되어지는 것을 특징으로 하는 내부에 전도성 금속층이 코팅된 극미세 핀홀더의 제조방법.
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