KR20050005896A - 박막형 이산화탄소 가스 센서 - Google Patents

박막형 이산화탄소 가스 센서 Download PDF

Info

Publication number
KR20050005896A
KR20050005896A KR1020030045799A KR20030045799A KR20050005896A KR 20050005896 A KR20050005896 A KR 20050005896A KR 1020030045799 A KR1020030045799 A KR 1020030045799A KR 20030045799 A KR20030045799 A KR 20030045799A KR 20050005896 A KR20050005896 A KR 20050005896A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
carbon dioxide
gas sensor
film
dioxide gas
Prior art date
Application number
KR1020030045799A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100523516B1 (ko
Inventor
김종욱
홍형기
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR10-2003-0045799A priority Critical patent/KR100523516B1/ko
Priority to US10/882,227 priority patent/US20050006236A1/en
Publication of KR20050005896A publication Critical patent/KR20050005896A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100523516B1 publication Critical patent/KR100523516B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403Cells and electrode assemblies
    • G01N27/406Cells and probes with solid electrolytes
    • G01N27/407Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/14Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
    • G01N27/18Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature caused by changes in the thermal conductivity of a surrounding material to be tested
    • G01N27/185Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature caused by changes in the thermal conductivity of a surrounding material to be tested using a catharometer
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/14Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
    • G01N27/18Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature caused by changes in the thermal conductivity of a surrounding material to be tested
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/0004Gaseous mixtures, e.g. polluted air
    • G01N33/0009General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
    • G01N33/0027General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
    • G01N33/0036General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector specially adapted to detect a particular component
    • G01N33/004CO or CO2

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

본 발명은 박막형 가스 센서 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 복수개의 리드들이 끼워져, 하면과 상면에 상기 복수개의 리드들이 각각 돌출되어 있는 케이스와; 실리콘 기판상에 멤브레인막이 형성되어 있고, 상기 멤브레인막 상부에 패터닝된 저항체 박막이 형성되어 있고, 상기 저항체 박막의 패턴 일부를 감싸는 세라믹 담체 박막이 형성되어 있고, 상기 저항체 박막과 전기적으로 연결되는 금속패드들이 형성되어 있고, 상기 실리콘 기판의 일부가 제거되어 상기 세라믹 담체 박막이 형성된 영역 하부에 있는 멤브레인막이 부상되어 각각 별개로 구성되어 있으며, 상기 케이스의 상면에 각각 이격되어 부착되며, 상기 복수개의 리드들과 전기적으로 본딩된 감지 소자 및 보상 소자와; 상기 감지 소자 및 보상 소자를 각각 분리시키며 상기 케이스의 상면에 접착되어 밀봉되고, 상기 감지 소자에 외부의 공기가 접촉될 수 있는 유통로를 갖으며, 상기 보상 소자를 외부 공기와 차단시키는 캡으로 구성된다.
따라서, 본 발명은 본 발명은 실리콘 마이크로머시닝 기술을 이용하여 멤브레인상에 저항체 박막과 담체를 형성함으로써, 소자의 열용량을 작게하여 사용 전력을 낮추고, 저항체의 저항변화를 크게 할 수 있어 센서의 감도를 높일 수 있으며 응답속도를 빠르게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
더불어, 실리콘 공정을 이용하여 센서의 크기를 작게 할 수 있으며 조립공정이 간단하여 소자를 대량생산할 수 있는 효과가 있다.

Description

박막형 이산화탄소 가스 센서{Thin film type Carbon Dioxide gas sensor}
본 발명은 박막형 이산화탄소 가스 센서에 관한 것으로, 보다 상세하게는 코일히터 역할을 하며 온도저항계수를 갖는 저항체 박막과 이산화탄소 가스가 흡착되는 세라믹 담체 박막을 박막 미세 가공기술을 이용하여 멤브레인막 상에 형성함으로써, 소자의 열용량을 작게 할 수 있으며, 이산화탄소 가스 발생에 의한 소자의 온도 변화를 크게 하여 센서의 감도를 향상시키고, 응답시간이 빠른 박막형 이산화탄소 가스 센서에 관한 것이다.
일반적으로, CO2센서는 식물생장, 미생물 배양, 배기가스 분석, 냉동저장 등 그 사용 용도가 매우 다양하다.
현재, 주로 사용되고 있는 CO2센서의 종류는 CO2농도에 따라 전해질 양단에 있는 전극간 전기화학반응(산화환원 반응)을 통하여 전극간에 발생하는 전압이나 전류를 감지하는 전해질형과 4.24㎛ 적외선 파장의 광을 CO2가 흡수하는 원리를 이용하는 광학식 센서, 그리고 기체의 열전도도 차에 의한 발열체의 온도변화를 이용한 기체열전도식 등이 있다.
이 중에서 음식물 발효나 야채생장을 위한 CO2센서는 두 개의 발열체를 이용한 기체 열전도식 센서가 널리 이용되고 있다.
기체열전도식 센서는 주위온도 변화에 영향을 받지 않음으로 안정된 CO2농도를 검출할 수 있다는 장점이 있다.
도 1은 종래 기술의 기체 열전도식 센서의 개략적인 구조를 도시한 단면도로서, 각각 내부에 코일 히터가 탑재된 한 쌍의 담체(11,12)와; 상기 담체(11,12)와 각각 도선(15,16)에 연결되고, 기판(40)에 관통되어 상기 한 쌍의 담체(11,12)를 공중에 부상시키는 지지핀(Pin)(21,22,23,24)과; 상기 담체(11,12)를 외부로부터 격리시키며 상기 기판(40)에 패키징되어 있고, 하나의 담체(11)를 대기 중에 노출시키는 미세한 홀(Hole)(31)이 형성된 금속 보호 케이스(30)로 구성된다.
여기서, 하나의 담체(11)는 금속 보호 케이스(30)에 홀에 의해 대기중의 CO2가 담체 표면에 접촉되고, 다른 하나의 담체(12)는 금속 보호 케이스(30)에 의해 밀폐되고, 그 밀폐된 내부에 N2가 충진되어 CO2가 담체 표면에 접촉되지 못하게 되어 있다.
따라서, 상기 한 쌍의 담체(11,12)와 외부저항으로 브리지 회로(Bridge circuit)를 구성하면, CO2발생시 발생된 CO2가 노출된 한쪽 담체의 열을 빼앗아 감으로써, 노출된 한 개의 담체에서만 저항 변화가 발생하여 바이어스 전압에 의한 출력변화가 발생하여 CO2농도를 감지하게 된다.
이러한 종래의 후막형 기체 열전도식 센서는 코일히터와 세라믹 담체를 소자로 사용하기 때문에, 열용량이 커서 감도가 낮고 응답 시간이 늦고 센서 크기가 커지는 문제점이 있다.
더불어, 소자를 도 1과 같이 도선과 지지핀을 이용하여 공중에 띄우고 상기 귀금속 도선과 핀을 스팟 웰딩(Spot welding)하기 때문에 그 제조 공정이 복잡하고 공정수가 많아지므로 가격이 비싸고 대량 생산에 부적합한 단점이 있다.
이에 본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 히터용 저항체 박막과 CO2가스가 흡착되는 세라믹 담체 박막을 열용량이 작은 멤브레인막 상에 형성하여 센서의 감도를 크고 응답속도를 빠르게 향상시킬 수 있는 박막형 이산화탄소 가스 센서를 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 히터용 저항체 박막과 세라믹 담체 박막을 마이크로 크기로 형성할 수 있어, 소비전력을 줄이고 센서의 크기를 작게 할 수 있는 박막형 이산화탄소 가스 센서를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 실리콘 기판을 이용하여 센서를 제조함으로써, 대량 생산을 할 수 있는 박막형 이산화탄소 가스 센서를 제공하는 데 있다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 양태(樣態)는, 복수개의 리드들이 끼워져, 하면과 상면에 상기 복수개의 리드들이 각각 돌출되어 있는 케이스와;
실리콘 기판상에 멤브레인막이 형성되어 있고, 상기 멤브레인막 상부에 패터닝된 저항체 박막이 형성되어 있고, 상기 저항체 박막의 패턴 일부를 감싸는 세라믹 담체 박막이 형성되어 있고, 상기 저항체 박막과 전기적으로 연결되는 금속패드들이 형성되어 있고, 상기 실리콘 기판의 일부가 제거되어 상기 세라믹 담체 박막이 형성된 영역 하부에 있는 멤브레인막이 부상되어 각각 별개로 구성되어 있으며, 상기 케이스의 상면에 각각 이격되어 부착되며, 상기 복수개의 리드들과 전기적으로 본딩된 감지 소자 및 보상 소자와;
상기 감지 소자 및 보상 소자를 각각 분리시키며 상기 케이스의 상면에 접착되어 밀봉되고, 상기 감지 소자에 외부의 공기가 접촉될 수 있는 유통로를 갖으며, 상기 보상 소자를 외부 공기와 차단시키는 캡으로 구성된 박막형 이산화탄소 가스 센서가 제공된다.
도 1은 종래 기술의 기체 열전도식 센서의 개략적인 구조를 도시한 단면도
도 2는 본 발명에 따른 박막형 이산화탄소(CO2) 가스 센서의 감지 소자를 도시한 단면도
도 3은 본 발명에 따른 박막형 이산화탄소(CO2) 가스 센서의 감지 소자와 보상소자가 패키징된 상태를 도시한 단면도
도 4는 본 발명에 따른 박막형 이산화탄소(CO2) 가스 센서에 적용할 수 있는 감지회로의 예시도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 실리콘 기판 107 : 멤브레인막
108 : 저항체 박막 109 : 세라믹 담체 박막
110a,110b : 금속 패드 130 : 케이스
131 : 리드 150a : 감지 소자
150b : 보상 소자 170 : 캡
171 : 유통로
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 박막형 이산화탄소(CO2) 가스 센서의 감지 소자를 도시한 단면도로서, 실리콘 기판(100)상에 멤브레인막(107)이 형성되어 있고, 상기 멤브레인막(107) 상부에 패터닝된 저항체 박막(108)이 형성되어 있고, 상기 저항체 박막(108)의 패턴 일부를 감싸는 세라믹 담체 박막(109)이 형성되어 있고, 상기 저항체 박막(108)과 전기적으로 연결되는 금속패드들(110a,110b)이 형성되어 있고, 상기 실리콘 기판(100)의 일부가 제거되어 상기 세라믹 담체 박막(109)이 형성된 영역 하부에 있는 멤브레인막(107)이 부상되어 있다.
여기서, 코일히터 역할을 하며 온도저항계수를 갖는 저항체 박막(108)과 이산화탄소 가스가 흡착되는 세라믹 담체 박막(109)은 통상적인 박막 미세 가공기술을 이용하여 멤브레인막 상에 형성할 수 있다.
전술된 상기 멤브레인막(107)은 저응력 특성을 갖는 SiO2/Si3N4/SiO2로 이루어진 적층막, Si3N4막과 SiOxNy막 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 저항체 박막(108)은 코일히터 역할을 하는 온도저항계수를 갖는 RuO2, Ti와 Pt 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 세라믹 담체 박막(109)은 CO2가스가 흡착되는 Al2O3, ZrO2, LiTiO3와 리튬실리케이트 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명의 박막형 이산화탄소(CO2) 가스 센서는 전술된 감지 소자와 주위 환경변화에 영향을 받지 않는 보상(Reference) 소자가 도 3과 같이 함께 패키징되어야 이산화탄소를 검출할 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 박막형 이산화탄소(CO2) 가스 센서의 감지 소자와 보상소자가 패키징된 상태를 도시한 단면도로서, 복수개의 리드들(131)이 끼워져, 하면과 상면에 상기 복수개의 리드들이 각각 돌출되어 있는 케이스(130)와; 상기 케이스(130)의 상면에 각각 이격되어 부착되며, 상기 복수개의 리드들(131)에 전기적으로 본딩되는 감지 소자 및 보상 소자(150a,150b)와; 상기 감지 소자 및 보상 소자(150a,150b)를 각각 분리시키고, 상기 케이스의 상면에 접착되어 밀봉되고, 상기감지 소자(150a)에 외부의 공기가 접촉될 수 있는 유통로(171)를 갖으며, 상기 보상 소자(150b)를 외부 공기와 차단시키는 캡(170)으로 구성된다.
여기서, 상기 감지 소자(150a)는 상기 캡(170)의 유통로(171)에 의해서 외부의 CO2와 접촉되며, 상기 보상 소자(150b)는 외부와 밀폐되며, 내부에 N2가 충진되어 있다.
도 4는 본 발명에 따른 박막형 이산화탄소(CO2) 가스 센서에 적용할 수 있는 감지회로의 예시도로서, 가스, 즉, CO2의 농도가 변하면 담체에 흡착된 CO2에 의하여 감지소자의 온도가 변하고, 감지소자의 저항 값이 변화된다.
따라서, 그 저항값의 변화는 +, - 단자 양단에 전위차로 나타나고, 이 값을 측정함으로써 CO2의 농도를 측정할 수 있게 된다.
도 3의 본 발명의 박막형 이산화탄소 가스 센서와 도 4의 회로를 이용하여 김치발효시 발생되는 CO2농도와 김치발효도를 검출하는 방법을 설명하면 하기와 같다.
먼저, 김치가 발효되면 가열하면 CO2가 발생하고, 발생한 CO2는 가스 센서의 케이스(130)에 형성되어 있는 유통로(171)를 통하여 감지소자(150a)가 위치한 패키지 내부로 들어가 바이어스 전원(V)에 의해 자체 가열(Self-heating) 되어 있는 감지소자(150a)에 접촉하여, 감지소자의 열을 빼앗아 가게 된다.
따라서, 감지소자에 열손실이 발생하여 그에 상당하는 만큼의 온도 감소가발생하여 결국 감지소자의 저항체 만의 온도를 감소시키게 한다.
이러한, 저항체의 온도 감소로 저항체의 저항이 변화하여 브리지회로의 출력 변화가 발생하게 되어 CO2농도 변화를 검출할 수 있다.
따라서, 센서 주변의 CO2농도 변화를 상기 CO2센서와 상기 회로로부터 쉽게 감지할 수 있으며 이를 이용하여 김치 발효시 발생되는 CO2농도 검출을 통한 김치발효를 자동으로 조절할 수 있는 김치냉장고에 응용할 수 있다.
이상에서와 같이 본 발명은 본 발명은 코일히터 역할을 하며 온도저항계수를 갖는 저항체 박막과 이산화탄소 가스가 흡착되는 세라믹 담체 박막을 박막 미세 가공기술을 이용하여 멤브레인막 상에 형성함으로써, 소자의 열용량을 작게 할 수 있으며, 이산화탄소 가스 발생에 의한 소자의 온도 변화를 크게 하여 센서의 감도를 향상시키고, 응답시간이 빠른 박막형 이산화탄소 가스 센서를 구현할 수 있는 효과가 있다.
더불어, 실리콘 공정을 이용하여 센서의 크기를 작게 할 수 있으며 조립공정이 간단하여 소자를 대량생산할 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (4)

  1. 복수개의 리드들이 끼워져, 하면과 상면에 상기 복수개의 리드들이 각각 돌출되어 있는 케이스와;
    실리콘 기판상에 멤브레인막이 형성되어 있고, 상기 멤브레인막 상부에 패터닝된 저항체 박막이 형성되어 있고, 상기 저항체 박막의 패턴 일부를 감싸는 세라믹 담체 박막이 형성되어 있고, 상기 저항체 박막과 전기적으로 연결되는 금속패드들이 형성되어 있고, 상기 실리콘 기판의 일부가 제거되어 상기 세라믹 담체 박막이 형성된 영역 하부에 있는 멤브레인막이 부상되어 각각 별개로 구성되어 있으며, 상기 케이스의 상면에 각각 이격되어 부착되며, 상기 복수개의 리드들과 전기적으로 본딩된 감지 소자 및 보상 소자와;
    상기 감지 소자 및 보상 소자를 각각 분리시키며 상기 케이스의 상면에 접착되어 밀봉되고, 상기 감지 소자에 외부의 공기가 접촉될 수 있는 유통로를 갖으며, 상기 보상 소자를 외부 공기와 차단시키는 캡으로 구성된 박막형 이산화탄소 가스 센서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 멤브레인막은,
    SiO2/Si3N4/SiO2로 이루어진 적층막, Si3N4막과 SiOxNy막 중 선택된 어느 하나로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막형 가스 센서.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 저항체 박막은,
    RuO2, Ti와 Pt 중 선택된 어느 하나로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막형 이산화탄소 가스 센서.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 세라믹 담체 박막은,
    Al2O3, ZrO2, LiTiO3와 리튬실리케이트 중 선택된 어느 하나로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막형 이산화탄소 가스 센서.
KR10-2003-0045799A 2003-07-07 2003-07-07 박막형 이산화탄소 가스 센서 KR100523516B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0045799A KR100523516B1 (ko) 2003-07-07 2003-07-07 박막형 이산화탄소 가스 센서
US10/882,227 US20050006236A1 (en) 2003-07-07 2004-07-02 Gas sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0045799A KR100523516B1 (ko) 2003-07-07 2003-07-07 박막형 이산화탄소 가스 센서

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050005896A true KR20050005896A (ko) 2005-01-15
KR100523516B1 KR100523516B1 (ko) 2005-10-25

Family

ID=33562919

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-0045799A KR100523516B1 (ko) 2003-07-07 2003-07-07 박막형 이산화탄소 가스 센서

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20050006236A1 (ko)
KR (1) KR100523516B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200451774Y1 (ko) * 2008-01-16 2011-01-10 한경대학교 산학협력단 마이크로 머시닝으로 제작된 이온전류 센서 구조
KR101498594B1 (ko) * 2013-06-14 2015-03-05 전자부품연구원 접촉 연소식 가스센서 및 가스센서 제조 방법

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7887685B2 (en) * 2005-07-14 2011-02-15 Caterpillar Inc. Multilayer gas sensor having dual heating zones
KR101774757B1 (ko) * 2011-10-13 2017-09-07 한국전자통신연구원 가스 센서, 그의 제조 및 사용 방법
DE102013014144B4 (de) * 2013-08-23 2021-01-21 Thermo Electron Led Gmbh Wärmeleitfähigkeitsdetektor mit geschlossener Referenzkavität
JP6340967B2 (ja) * 2014-07-11 2018-06-13 Tdk株式会社 ガスセンサ
US20160255878A1 (en) * 2015-03-05 2016-09-08 Wisenstech Inc. Smart Electronic Vaporizer
US20180325183A1 (en) * 2015-03-05 2018-11-15 Wisenstech Ltd. Smart Electronic Vaporizer
JP6722989B2 (ja) * 2015-08-31 2020-07-15 日立オートモティブシステムズ株式会社 気体センサ装置
CN106802310A (zh) * 2017-01-19 2017-06-06 烟台睿创微纳技术股份有限公司 一种单片集成的mems气体传感器
DE102017215527A1 (de) * 2017-09-05 2019-03-07 Robert Bosch Gmbh Gassensor zum Messen einer Konzentration eines Analysegases
DE102018207689B4 (de) * 2018-05-17 2021-09-23 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen mindestens einer Membrananordnung, Membrananordnung für einen mikromechanischen Sensor und Bauteil

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02114168A (ja) * 1988-10-24 1990-04-26 Mitsubishi Electric Corp ガスセンサー
JP2582343B2 (ja) * 1993-12-04 1997-02-19 エルジー電子株式会社 低消費電力型薄膜ガスセンサ及びその製造方法
US5609096A (en) * 1993-12-17 1997-03-11 Goldstar Co., Ltd. Vegetable freshness keeping device having a sensor
US5707148A (en) * 1994-09-23 1998-01-13 Ford Global Technologies, Inc. Catalytic calorimetric gas sensor
KR100379471B1 (ko) * 2000-07-19 2003-04-10 엘지전자 주식회사 절대습도센서 및 이를 이용한 온/습도 검출 회로
EP1211508A3 (en) * 2000-11-27 2004-10-27 Kabushiki Kaisha Riken Gas sensing and oxygen pumping device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200451774Y1 (ko) * 2008-01-16 2011-01-10 한경대학교 산학협력단 마이크로 머시닝으로 제작된 이온전류 센서 구조
KR101498594B1 (ko) * 2013-06-14 2015-03-05 전자부품연구원 접촉 연소식 가스센서 및 가스센서 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20050006236A1 (en) 2005-01-13
KR100523516B1 (ko) 2005-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4988429A (en) Measuring cell for an electrochemical gas sensor
KR100523516B1 (ko) 박막형 이산화탄소 가스 센서
KR100379471B1 (ko) 절대습도센서 및 이를 이용한 온/습도 검출 회로
US5048336A (en) Moisture-sensitive device
CN112611788A (zh) 一种半导体硫化氢气体传感器
US20040084308A1 (en) Gas sensor
JPS58103654A (ja) 多機能ガスセンサ
KR20050005899A (ko) 박막형 가스 센서 및 그의 제조방법
CN114324494B (zh) 一种半导体薄膜气体传感器
US5148707A (en) Heat-sensitive flow sensor
JPH0688802A (ja) 雰囲気センサ
JP2003098012A (ja) 温度測定装置およびこれ用いたガス濃度測定装置
CN108955929B (zh) 一种原位生长氧化铝载体温湿度集成传感器的制造方法、传感器及工作方法
KR100548266B1 (ko) 가스 센서 및 그 제조 방법
KR101426913B1 (ko) 배터리 셀전압 센서
JP3358684B2 (ja) 熱依存性検出装置
CN217033791U (zh) Mems催化燃烧传感器微加热芯片及传感器
JPS58102144A (ja) ガスセンサ
KR100575651B1 (ko) 고체전해질 이산화탄소 센서 및 그 제조방법
EP0697593A1 (en) Low power catalytic combustible gas detector
KR20190012373A (ko) 단열구조를 갖는 가스센서와 가스센서 어레이 및 그 제조방법
JPH08261971A (ja) 湿度センサ
KR100329807B1 (ko) 반도체식 가스 센서의 전극 구조
KR20010096406A (ko) 마이크로 절대 습도 센서 및 제조 방법
RU1786413C (ru) Устройство дл определени концентрации газов

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110920

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120926

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee