KR20050001748A - Apparatus for Depositting Chamical Vapor - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 화학기상 증착장비 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 대면적 기판에 화학기상을 보다 균일하게 증착시키는 구조를 가진 화학기상 증착장비에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a chemical vapor deposition apparatus having a structure for more uniformly depositing a chemical vapor on a large area substrate.
상기 화학기상 증착장비는 박막 트랜지스터 액정표시장치(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display Device)용 박막을 증착하는 공정에 주로 이용되고 있다.The chemical vapor deposition apparatus is mainly used in the process of depositing a thin film for a thin film transistor liquid crystal display device.
최근에, 액정표시장치는 경량, 박형이며 소비전력이 낮고, 휴대성이 양호한 기술집약적 제품으로 부가가치가 높은 차세대 첨단 디스플레이(display)소자로 각광받고 있다.Recently, liquid crystal displays have been spotlighted as next generation advanced display devices having high added value as a technology-intensive product having light weight, thin shape, low power consumption, and good portability.
일반적으로 액정표시장치에서는 액정패널 상에 매트릭스 형태로 배열된 액정셀 들의 광투과율을 그에 공급되는 비디오 데이터 신호로 조절함으로써 데이터 신호에 해당하는 화상을 패널 상에 표시하게 된다. 이러한 액정표시장치는 액정층에 전계를 인가하기 위한 전극들, 액정셀 별로 데이터 공급을 절환하기 위한 박막 트랜지스터, 외부에서 공급되는 데이터를 액정셀들에 공급하는 신호배선 및 박막트랜지스터의 제어신호를 공급하기 위한 신호배선 등이 형성된 하판과, 칼라필터 등이 형성된 상판과, 상판과 하판 사이에 형성되어 일정한 셀 갭을 확보하는 스페이서와, 스페이서에 의하여 상하판 사이에 마련된 공간에 채워진 액정을 포함하여 구성된다.In general, a liquid crystal display device displays an image corresponding to a data signal on a panel by adjusting light transmittance of liquid crystal cells arranged in a matrix on a liquid crystal panel with a video data signal supplied thereto. The liquid crystal display device includes electrodes for applying an electric field to the liquid crystal layer, a thin film transistor for switching data supply for each liquid crystal cell, a signal wiring for supplying data supplied from the outside to the liquid crystal cells, and a control signal for the thin film transistor. A lower plate on which signal wirings are formed, an upper plate on which color filters, etc. are formed, a spacer formed between the upper plate and the lower plate to secure a constant cell gap, and a liquid crystal filled in a space provided between the upper and lower plates by the spacer. do.
따라서, 상기 액정표시장치의 기판에는 박막이 증착되어야 하며 이때 사용되는 장비가 화학기상 증착장비이다.Therefore, a thin film must be deposited on the substrate of the liquid crystal display, and the equipment used at this time is a chemical vapor deposition apparatus.
일반적으로 액정표시장치의 기판에 박막을 증착하는 화학기상 증착장비로는 플라즈마 화학기상 증착장비(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Device)가 많이 사용되므로 이하 상기 화학기상 증착장비의 종래 기술에 관하여 설명한다.In general, a plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus is widely used as a chemical vapor deposition apparatus for depositing a thin film on a substrate of a liquid crystal display device. Hereinafter, the conventional technology of the chemical vapor deposition apparatus will be described.
도 1은 종래의 화학기상 증착장비를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional chemical vapor deposition apparatus.
도시된 바와 같이, 가스 주입관(12) 및 배기관(14)을 가지는 진공 챔버(16)내에는 상부 전극을 이루면서, 가스를 확산시키는 디퓨저(11 ; diffuser)와 하부 전극을 이루는 서셉터(20 ; susceptor)가 일정간격 이격되어 대향하고 있고, 상기 디퓨저(11)에는 고주파를 공급하는 RF(Radio Frequency) 파워(24)가 연결되어 있으며, 상기 서셉터(20)에는 RF 파워(24)를 접지시키는 그라운드(ground) 전압이 연결된다. 상기 가스 주입관(12)은 배플(50)에 형성된 가스 주입구(50a)와 연결되며, 상기 가스 주입구(12)로부터 주입되는 가스는 확산되면서 디퓨저(11)를 지나게 된다.As shown, in the vacuum chamber 16 having the gas injection pipe 12 and the exhaust pipe 14, an upper electrode, a diffuser 11 for diffusing gas and a susceptor 20 for forming a lower electrode; susceptors are spaced apart from each other at a predetermined interval, and the diffuser 11 is connected to a radio frequency (RF) power 24 for supplying a high frequency, and the susceptor 20 is connected to a grounded RF power 24. Ground voltage is connected. The gas injection pipe 12 is connected to the gas injection hole 50a formed in the baffle 50, and the gas injected from the gas injection hole 12 passes through the diffuser 11 while being diffused.
상기 디퓨저(11)는 다수의 관통홀이 형성된 알루미늄 등으로 형성되어 고주파를 발산한다. 상기 디퓨저(11)에서 발산된 고주파에 의하여 가스는 초고온으로 가열되어 플라즈마 상태로 유기된다. 상기와 같이, 가스가 플라즈마 상태로 유기됨으로써 피증착 기판(18)의 상면에 증착이 가능하게 된다.The diffuser 11 is formed of aluminum having a plurality of through holes, and emits a high frequency wave. The gas is heated to an extremely high temperature by the high frequency emitted from the diffuser 11 and is induced in a plasma state. As described above, the gas is induced in the plasma state to enable deposition on the upper surface of the substrate 18 to be deposited.
즉, 상기 디퓨저(11)는 가스 주입구(12)를 통해 공급되는 반응 가스의 플로우(flow)를 조절하는 역할을 하고, 상기 서셉터(20)는 상기 기판(18)에 열에너지를 공급하는 히터기능과, 상기 기판(18)을 상부 및 하부 방향으로 움직이도록 이동성을 가진다. 그리고, 상기 기판(18)의 양 외곽부 상에는 섀도우 프레임(30)이 위치하는데, 상기 섀도우 프레임(30)은 기판 외곽부를 일정간격 덮음으로써, 기판(18)의 외부로 플라즈마(31)가 방전되는 것을 방지하여 증착 두께의 균일성을 유지시키는 일종의 마스크 역할을 한다.That is, the diffuser 11 serves to control the flow of the reaction gas supplied through the gas inlet 12, and the susceptor 20 provides a heater function to supply thermal energy to the substrate 18. And move the substrate 18 to move in the upper and lower directions. In addition, a shadow frame 30 is positioned on both outer portions of the substrate 18, and the shadow frame 30 covers the outer portion of the substrate by a predetermined interval so that the plasma 31 is discharged to the outside of the substrate 18. It acts as a kind of mask that prevents the deposition and maintains the uniformity of the deposition thickness.
서셉터(20)의 하부에는 상기 서셉터(20)와 일정한 간격 이격되어 핀 플레이트(40 ; pin plate)가 형성되어 있고, 상기 핀 플레이트(40)와 서셉터(20) 사이 중앙부에는 서셉터(20)를 상,하로 움직이게 하는 지축 엘리베이터(42 ; elevator)가 위치한다. 또한, 상기 핀 플레이트(40)의 상부에는 상기 서셉터(20)의 기판 접촉영역(i)과 기판 비접촉영역(ii)의 경계부를 관통하며 기판(18)의 양 끝을 가이드하는 가이드 핀(32)이 상부방향으로 형성된다. 상기 섀도우 프레임(30)은 챔버하부 월(37)에 의해 지지되거나, 지축 엘리베이터(42)에 의하여 상부로 이동한다.A pin plate 40 is formed at a lower portion of the susceptor 20 at regular intervals from the susceptor 20, and a susceptor is formed at a central portion between the pin plate 40 and the susceptor 20. There is a support shaft elevator 42 for moving the up and down 20. In addition, guide pins 32 that pass through the boundary between the substrate contact region i and the substrate non-contact region ii of the susceptor 20 and guide both ends of the substrate 18 on the pin plate 40. ) Is formed in an upward direction. The shadow frame 30 is supported by the chamber lower wall 37 or moved upward by the axis elevator 42.
상기 화학기상 증착장비에 의한 증착과정에서 RF 파워(Radio Frequency Power), 증착 온도, 가스의 분사 방식 및 전극과 기판 간의 거리 등의 조건이 형성되는 박막의 특성을 좌우한다. 특히, 증착되는 박막의 균일성을 보장하기 위하여는 상기 조건들 중 가스가 분사되는 가스 주입구(50a)의 구조에 관한 기술이 중요하다.In the deposition process by the chemical vapor deposition apparatus, the characteristics of the thin film to be formed conditions such as RF power (Radio Frequency Power), deposition temperature, gas injection method and the distance between the electrode and the substrate. In particular, in order to ensure the uniformity of the deposited thin film, a technique regarding the structure of the gas injection hole 50a through which the gas is injected is important.
도 2는 종래 기술에 의한 화학기상 증착장비에서 가스 주입부를 도시한 도면이다.2 is a view illustrating a gas injection unit in the conventional chemical vapor deposition apparatus.
도 2에서 보는 바와 같이, 종래 기술에서는 가스의 주입구(50a)가 하나의 배플(50) 상에 형성되어 있으며, 상기 가스 주입구(50a)는 원뿔형으로 이루어 진다.As shown in FIG. 2, in the prior art, a gas injection hole 50a is formed on one baffle 50, and the gas injection hole 50a has a conical shape.
상기 원뿔형의 가스 주입구(50a)의 공간상에는 주입되는 가스가 하부의 공간 상으로 보다 잘 확산되도록 하기 위하여 보조 배플(51)이 장착된다. 상기 보조 배플(51)의 형상은 상기 가스 주입구(50a)의 형상과 상응하여 원뿔형으로 이루어지며, 따라서, 가스 주입구(50a)를 통하여 유입되는 가스는 상기 보조 배플(51)의 경사진 측면에 부딪히면서 확산된다. 상기 확산된 가스는 상기 디퓨저(11)와 연결된RF 전극(24)에 의하여 플라즈마화 되어 기판에 증착된다.In the space of the conical gas injection port 50a, an auxiliary baffle 51 is mounted to allow the injected gas to diffuse more well into the space below. The auxiliary baffle 51 has a conical shape corresponding to the shape of the gas inlet 50a. Therefore, the gas flowing through the gas inlet 50a impinges on the inclined side surface of the auxiliary baffle 51. Spreads. The diffused gas is plasma-deposited by the RF electrode 24 connected to the diffuser 11 and deposited on the substrate.
그러나, 최근에 기판이 대면적화 됨에 따라서 상기 진공챔버(16) 내로 주입되는 가스가 대면적화된 기판(18)의 상면으로 균일하게 공급되도록 하는 기술의 필요성이 절실히 대두되고 있다. 그러나, 상기와 같은 종래 기술의 가스 주입방식을 가진 화학기상 증착장비에서는 다음과 같은 문제점이 있다.However, as the substrate becomes larger in recent years, there is an urgent need for a technique for uniformly supplying the gas injected into the vacuum chamber 16 to the upper surface of the large-area substrate 18. However, the chemical vapor deposition apparatus having the gas injection method of the prior art as described above has the following problems.
첫째, 종래 기술에 의하여 가스를 주입시키는 경우에 대면적의 기판 상면에 가스를 균일하게 분포시키기 어려운 문제점이 있었다. 기판의 대면적에 대응하여 주입되는 가스가 상기 기판의 면적에 균일하게 분포되지 않으면 증착되는 박막의 두께가 국부적으로 차이가 나게되며, 이후 기판이 합착되어 패널이 완성된 이후 상기 국부적인 박막 두께 차이로 인하여 패널에 얼룩이 발생되어 제품의 불량이 발생할 수 있다.First, there is a problem that it is difficult to uniformly distribute the gas on the upper surface of the large area when the gas is injected by the prior art. If the gas injected corresponding to the large area of the substrate is not uniformly distributed in the area of the substrate, the thickness of the deposited thin film is locally different, and after the substrate is bonded and the panel is completed, the thickness of the local thin film is different. This may cause stains on the panel, which may cause product defects.
둘째, 종래 기술에 의하면 대면적의 기판에 비하여 주입되는 가스가 상기 기판의 면적을 커버하기 어려우므로, 균일한 가스의 분포가 이루어지지 않게 되어 국부적으로 박막이 형성되지 않거나 불충분하게 형성되어 제품의 불량이 발생될 수 있다.Secondly, according to the prior art, since the injected gas is difficult to cover the area of the substrate compared to the large-area substrate, the uniform gas distribution is not made, so that a thin film is not formed locally or is insufficiently formed, resulting in poor product. This may occur.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 대면적의 기판에 화학기상을 증착시키는 경우에도 화학기상을 상기 기판에 보다 안정적이고 균일하게 증착시킬 수 있는 화학기상 증착장비를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a chemical vapor deposition apparatus capable of depositing chemical vapor on the substrate more stably and uniformly even when chemical vapor is deposited on a large-area substrate. do.
도 1은 종래 기술에 의한 화학기상 증착장비의 단면도;1 is a cross-sectional view of a chemical vapor deposition apparatus according to the prior art;
도 2는 종래 기술에 의한 가스 주입부의 단면도;2 is a cross-sectional view of a gas injection unit according to the prior art;
도 3은 본 발명에 의한 화학기상 증착장비의 단면도;3 is a cross-sectional view of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention;
도 4는 본 발명에 의한 가스 주입부의 단면도.4 is a cross-sectional view of the gas injection unit according to the present invention.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>
11 : 디퓨저 16 : 진공챔버11: diffuser 16: vacuum chamber
60 : 제1배플 61 : 제2배플60: first baffle 61: second baffle
60a : 제1가스 주입구 61a : 제2가스 주입구60a: first gas inlet 61a: second gas inlet
60b : 제1보조 배플 61b : 제2보조 배플60b: first secondary baffle 61b: second secondary baffle
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 그 내부에 화학기상을 증착시키기 위한 공간을 이루는 진공 챔버, 상기 진공 챔버 내부에 위치하여 기판이 적재되는 서셉터, 상기 진공 챔버의 상부에 구비되어 제 1 가스 주입구가 형성된 제 1 배플; 그리고, 상기 제 1 배플의 일정간격 하부에 제공되고, 다수개의 제 2 가스 주입구들이 형성된 제 2 배플을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 화학기상 증착장비를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a vacuum chamber that forms a space for depositing a chemical vapor therein, a susceptor placed in the vacuum chamber, and a substrate loaded therein, and provided on an upper portion of the vacuum chamber. A first baffle having an injection hole formed therein; The chemical vapor deposition apparatus is provided under a predetermined interval of the first baffle, and includes a second baffle having a plurality of second gas inlets formed therein.
이하 상기와 같은 특징을 가지는 본 발명의 화학기상 증착장비를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the chemical vapor deposition apparatus of the present invention having the above characteristics will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 화학기상 증착장비의 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다.Figure 3 is a schematic diagram showing the configuration of the chemical vapor deposition apparatus of the present invention.
도 3에서 보는 바와 같이, 본 발명의 화학기상 증착장비는 진공 챔버(16), 서셉터(20), 그리고 2중의 배플(60,61)로 이루어진 가스 주입부를 가진다. 상기 가스 주입부에서 진공챔버(16)의 상부 최외곽을 이루는 제1배플(60)에는 제1가스 주입구(60a)가 형성되고, 상기 제1배플(60)로부터 일정 간격 하부에 위치한 제2배플(61)에는 다수개의 제2가스 주입구들(61a)이 형성된다.As shown in FIG. 3, the chemical vapor deposition apparatus of the present invention has a gas injection unit including a vacuum chamber 16, a susceptor 20, and double baffles 60 and 61. A first gas injection hole 60a is formed in the first baffle 60 which forms the uppermost outermost part of the vacuum chamber 16 in the gas injection part, and a second baffle is located below a predetermined interval from the first baffle 60. A plurality of second gas inlets 61a are formed at 61.
상기 가스 주입부가 2중의 배플(60,61)을 가지는 구조를 이룸으로써 본 발명의 화학기상 증착장비는 보다 대면적의 기판(18)에 균일한 화학기상의 증착을 가능하게 한다. 즉, 제1가스 주입구(60a)를 통하여 입력된 가스는 상기 제1배플(60)과 제2배플(61)의 사이에 기체상태를 유지하면서 일정한 압력으로 충진되어 가스 저장고의 기능을 수행한다. 상기 제1배플(60)과 제2배플(61)의 사이에 충진된 가스는이후 제2배플(61)에 형성된 다수개의 제2가스 주입구(61a)를 통하여 균일하게 분산되어 기판(18)이 로딩되어 있는 진공 챔버(16)의 하부로 주입된다.By forming the gas injection unit having a double baffle (60, 61), the chemical vapor deposition apparatus of the present invention enables a uniform chemical vapor deposition on a larger substrate 18. That is, the gas input through the first gas inlet 60a is filled at a constant pressure while maintaining a gas state between the first baffle 60 and the second baffle 61 to function as a gas reservoir. The gas filled between the first baffle 60 and the second baffle 61 is then uniformly dispersed through the plurality of second gas injection holes 61a formed in the second baffle 61 so that the substrate 18 is formed. It is injected into the lower part of the vacuum chamber 16 which is loaded.
상기 제2주입구(61a)를 통하여 주입된 가스는 이후 디퓨저(11)에 의하여 플라즈마 상태로 유기되어 증착될 수 있는 상태가 된다.The gas injected through the second inlet 61a may be organically deposited in a plasma state by the diffuser 11 and then deposited.
본 발명의 화학기상 증착장비를 사용하여 기판(18)에 증착작업을 수행하는 과정을 보다 상세히 설명하면 하기와 같다.Referring to the process of performing a deposition operation on the substrate 18 using the chemical vapor deposition apparatus of the present invention in more detail as follows.
상기 액정표시장치의 제조공정중 박막 증착을 위한 상기 화학기상 증착장비에서는 진공 챔버(16) 내부에 증착에 필요한 가스를 상기 가스 주입부를 동하여 주입함으로써 원하는 압력과 기판 온도가 설정되면, RF 파워를 이용하여 디퓨저(11)에서 주입된 가스를 플라즈마 상태로 분해하여 기판 위에 증착을 하는 것으로, 증착 메커니즘(mechanism)은 챔버(16) 내로 유입된 기체 화합물이 분해되는 1차 반응, 분해된 가스 이온들과 불안정한 이온상태인 라디칼 이온(Radical Ion)들이 상호 반응하는 2차반응, 피증착 기판(18) 상에서 가스 이온과 라디칼 이온들의 재결합으로 생긴 원자들의 상호작용으로 핵생성 후에 박막이 형성되는 3차 반응으로 나눌 수 있다.In the chemical vapor deposition apparatus for thin film deposition during the manufacturing process of the liquid crystal display device, when a desired pressure and substrate temperature are set by injecting a gas required for deposition in the vacuum chamber 16 through the gas injection unit, RF power is applied. The gas injected from the diffuser 11 is decomposed into a plasma state and deposited on a substrate. The deposition mechanism is a first reaction or decomposed gas ions in which gaseous compounds introduced into the chamber 16 are decomposed. Secondary reaction where radical ions react with each other and atoms formed by recombination of gas ions and radical ions on the substrate 18 to be deposited. Can be divided into
유입되는 가스는 형성하는 막의 종류에 따라 달라지며, 일반적으로 실리콘 질화막 경우는 SiH4, H2, NH3, N2의 혼합 Gas가 이용되고, 비정질 실리콘막의 증착에는 SiH4, H2가 쓰이며, 인(P)을 도핑하여 전자 이동도를 높이는 불순물 비정질 실리콘막(n+ a-Si)의 형성 시에는 상기 비정질 실리콘용 반응가스에 PH3가 첨가된다.The gas to be introduced depends on the type of film to be formed. In general, in the case of silicon nitride, a mixed gas of SiH 4 , H 2 , NH 3 , and N 2 is used, and SiH 4 and H 2 are used to deposit an amorphous silicon film. In the formation of an impurity amorphous silicon film (n + a-Si) that increases the electron mobility by doping phosphorus (P), PH 3 is added to the reaction gas for amorphous silicon.
상기와 같이 수행되는 증착 과정은 전단계에서 이루어지는 가스의 주입이 기판(18)의 상면으로 균일하게 분포되어야만 증착되는 박막이 균일하게 형성된다. 따라서, 상기 기판(18)을 사용하여 제조된 액정표시패널의 화질이 개선될 수 있다. 특히, 대면적의 기판(18)에 증착이 이루어지는 경우에 상기 가스 주입부에서 가스가 골고루 확산되도록 하는 것은 중요하다.In the deposition process performed as described above, the thin film to be deposited is uniformly formed only when the gas injection in the previous step is uniformly distributed to the upper surface of the substrate 18. Therefore, the image quality of the liquid crystal display panel manufactured using the substrate 18 may be improved. In particular, in the case where deposition is performed on the large-area substrate 18, it is important to allow the gas to be evenly diffused in the gas injection portion.
도 4는 본 발명의 화학기상 증착장비의 공기 주입부를 도시한 상세도이다.4 is a detailed view showing an air injection unit of the chemical vapor deposition apparatus of the present invention.
도 4에서 보는 바와 같이, 본 발명의 화학기상 증착장비의 제1배플(60) 및 제2배플(61)에 형성된 상기 제1가스 주입구(60a) 및 제2가스 부입구들(61b)은 원뿔 형상으로 이루어진다. 즉, 상부에서 하부로 갈수록 면적이 확대되는 원뿔형 구조를 이룸으로써 주입되는 가스가 보다 잘 확산되어 기판(18)의 상면에 골고루 균일하게 분포되도록 한다.As shown in FIG. 4, the first gas inlet 60a and the second gas inlets 61b formed in the first and second baffles 60 and 61 of the chemical vapor deposition apparatus of the present invention are conical. It is made of a shape. That is, by forming a conical structure in which the area is enlarged from the top to the bottom, the injected gas is more diffused to be evenly distributed on the upper surface of the substrate 18.
여기서, 상기 제1가스 주입구(60a)의 크기보다 제2가스 주입구(61a) 각각의 크기가 작게 형성됨이 바람직하다. 즉, 다수개의 제2가스 주입구들(61a)의 크기가 작을수록 상기 제1배플(60)과 제2배플(62) 사이 공간으로 유입되는 가스와 유출되는 가스의 양을 균일하게 맞추어 일정한 압력의 유지가 가능하기 때문이다.Here, the size of each of the second gas inlet 61a is preferably smaller than the size of the first gas inlet 60a. That is, as the size of the plurality of second gas inlets 61a is smaller, the amount of the gas flowing into the space between the first baffle 60 and the second baffle 62 and the gas flowing out are uniformly adjusted. This is because maintenance is possible.
또한, 상기 제1가스 주입구(60a)에는 제1보조 배플(60b)에 장착됨이 바람직하다. 상기 제1보조 배플(60b)의 형상은 상기 제1가스 주입구(60a)와 일전한 간격을 유지하면서 장착된다. 상기 제1보조 배플(60b)의 형상은 원뿔형으로 이루어지며, 상기 제1가스 주입구(60a)를 통하여 유입되는 가스는 상기 제1보조 배플(60b)의 경사진 측면에 부딪히면서 확산된다. 상기 확산된 가스는 상기 디퓨저(11)에 구비된 RF 전극(24)에 의하여 플라즈마화 되어 기판에 증착된다.In addition, the first gas inlet 60a is preferably mounted to the first auxiliary baffle 60b. The shape of the first auxiliary baffle 60b is mounted while maintaining a distance from the first gas inlet 60a. The first auxiliary baffle 60b has a conical shape, and the gas flowing through the first gas inlet 60a diffuses while hitting the inclined side surface of the first auxiliary baffle 60b. The diffused gas is plasma-deposited by the RF electrode 24 provided in the diffuser 11 and deposited on the substrate.
한편, 상기 다수개의 제2가스 주입구들(61a)의 각각에도 제2보조 배플(61b)이 장착됨이 바람직하다. 그 구조는 전술한 제1보조 배플(60b)과 같이 장착된다. 상기 제2보조 배플(61b)도 원뿔 형상으로 이루어짐이 바람직하며, 상기 제1공기 주입구(60a)보다 제2공기 주입구(61a)의 크기가 작은 것에 대응하여 제1보조 배플(60b)보다 상기 제2보조 배플(61b)의 크기가 작도록 구비된다.On the other hand, it is preferable that the second auxiliary baffle 61b is also mounted to each of the plurality of second gas inlets 61a. The structure is mounted together with the first auxiliary baffle 60b described above. Preferably, the second auxiliary baffle 61b is formed in a conical shape, and the second auxiliary baffle 61b is smaller than the first auxiliary baffle 60b than the first air inlet 60a. It is provided so that the size of the 2nd auxiliary baffle 61b may be small.
또한, 상기 제2가스 주입구들(61a)은 상기 기판(18)의 전면에 가스를 골고루 분포되도록 하기 위하여 각각 일정한 간격을 가지고 상기 제2배플(61)의 전면에 균일하게 분포되도록 형성된다. 즉, 제2가스 주입구(61a)로부터 기판이 위치한 진공챔버 내부로 주입되는 가스의 분포가 균일하게 이루어지도록 하기 위하여 상기 제2가스 주입구(61a)는 제2배플(61)의 전면에 걸쳐서 골고루 다수개 형성된다.In addition, the second gas injection holes 61a are formed to be uniformly distributed on the entire surface of the second baffle 61 at regular intervals in order to distribute the gas evenly on the entire surface of the substrate 18. That is, in order to uniformly distribute the gas injected from the second gas inlet 61a into the vacuum chamber in which the substrate is located, the second gas inlet 61a is evenly distributed over the entire surface of the second baffle 61. Dogs are formed.
이상 본 발명의 구체적인 실시예를 들어 2중 배플구조를 가지는 화학기상 증착장비에 관하여 상세히 설명하였다.The above has been described in detail with respect to the chemical vapor deposition apparatus having a double baffle structure for a specific embodiment of the present invention.
그러나, 본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않으며 본 발명의 취지에 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있으며, 본 발명에 따른 가스 주입부의 구조는 화학기상 증착장비 뿐만 아니라 다른 종류의 증착장치의 가스 주입부에도 적용가능하다.However, the present invention is not limited to the above embodiments and can be carried out in various ways without departing from the spirit of the present invention. The structure of the gas injection unit according to the present invention is not only chemical vapor deposition equipment but also other types of deposition. It is also applicable to the gas injection part of the device.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 화학기상 증착장비는 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.As described above, the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention can obtain the following effects.
첫째, 본 발명에 의하면 2중의 배플 구조를 통하여 대면적의 기판 상면에 가스를 균일하게 분포시킬 수 있다. 따라서, 기판이 대면적화되더라도 주입되는 가스가 상기 기판의 전면에 걸쳐서 균일하게 분포되어 증착되는 박막의 두께를 균일하게 유지함으로써 기판의 품질을 향상시키고 제품의 불량을 방지할 수 있다.First, according to the present invention, the gas can be uniformly distributed on the large surface of the substrate through the double baffle structure. Therefore, even if the substrate becomes large, the injected gas is uniformly distributed over the entire surface of the substrate to maintain the thickness of the deposited thin film, thereby improving the quality of the substrate and preventing product defects.
둘째, 본 발명에 의하면 대면적의 기판의 상면에 주입되는 가스가 균일하게 분포되도록 함으로써 국부적으로 박막이 형성되지 않는 불량의 발생을 방지할 수 있다.Second, according to the present invention, the gas injected into the upper surface of the large-area substrate can be uniformly distributed, thereby preventing the occurrence of a defect in which the thin film is not formed locally.
Claims (7)
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020030042033A KR20050001748A (en) | 2003-06-26 | 2003-06-26 | Apparatus for Depositting Chamical Vapor |
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Cited By (2)
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| KR100747735B1 (en) * | 2005-05-13 | 2007-08-09 | 주식회사 테스 | Semiconductor manufacturing apparatus |
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2003
- 2003-06-26 KR KR1020030042033A patent/KR20050001748A/en not_active Application Discontinuation
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